SU824824A1 - Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией и способ их изготовления - Google Patents

Abstract

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции, фотолитографии, травления, диффузии, эпитаксии и металлизации, отличающийся тем, что на подложке в местах создания диэлектрической изоляции локально формируют диэлектрическую пленку, являющуюся маской при проведении операции диффузии скрытого слоя, выращивают эпитаксиальный слой, который полностью вытравливают в местах расположения диэлектрической пленки, осуществляют подлегирование боковых стенок полученных канавок примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке и их окисление, стравливают локальную диэлектрическую пленку, проводят легирование дна канавки примесью одного с подложкой типа проводимости, заполняют канавки эпитаксиальным выращиванием кремния p-типа на глубину, обеспечивающую планарность полученных изолированных областей и диэлектрической изоляции при последующем окислении.3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в образовавшихся эпитаксиальных изолированных областях формируют структуры интегральных схем.4. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что после окисления эпитаксиальных изолированных областей вскрывают последовательно окна к базовой (эмиттерной) и локальной областям, а их легирование осуществляют одновременно для создания базовой (эмиттерной) и резистивной областей.