[go: up one dir, main page]

SU1111634A1 - Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем - Google Patents

Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем

Info

Publication number
SU1111634A1
SU1111634A1 SU3501668/25A SU3501668A SU1111634A1 SU 1111634 A1 SU1111634 A1 SU 1111634A1 SU 3501668/25 A SU3501668/25 A SU 3501668/25A SU 3501668 A SU3501668 A SU 3501668A SU 1111634 A1 SU1111634 A1 SU 1111634A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
integrated circuits
manufacturing insulation
insulation
manufacturing
circuits
Prior art date
Application number
SU3501668/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.М. Манжа
В.В. Ячменев
В.Н. Кокин
А.Д. Сулимин
И.О. Шурчков
Original Assignee
Н.М. Манжа
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Н.М. Манжа filed Critical Н.М. Манжа
Priority to SU3501668/25A priority Critical patent/SU1111634A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1111634A1 publication Critical patent/SU1111634A1/ru

Links

Landscapes

  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного стекла, а после осаждения слоя поликристаллического кремния изготовленную структуру отжигают в инертной среде при температуре 950 - 1050С в течение 20 - 40 мин с последующим удалением легированного фосфором или бором слоя поликристалличекого кремния.
SU3501668/25A 1982-10-20 1982-10-20 Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем SU1111634A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3501668/25A SU1111634A1 (ru) 1982-10-20 1982-10-20 Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3501668/25A SU1111634A1 (ru) 1982-10-20 1982-10-20 Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1111634A1 true SU1111634A1 (ru) 1996-04-10

Family

ID=60517273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3501668/25A SU1111634A1 (ru) 1982-10-20 1982-10-20 Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1111634A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0146895A3 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JPS56110261A (en) Method of manufacturing bipolar transistor
DE3473531D1 (en) Method of forming semiconductor devices
GB2128401B (en) Method of manufacturing semiconductor device
DE3471824D1 (en) Method of manufacturing mos type semiconductor devices
IL73844A0 (en) Manufacture of semiconductor devices
DE3165937D1 (en) Method of making an integrated planar transistor
DE3379292D1 (en) Method of manufacturing master-slice integrated circuit device
JPS5664464A (en) Method of manufacturing semiconductor integrated circuit
DE3569437D1 (en) Method for producing an integrated circuit of the mis type
DE3272090D1 (en) Method of manufacturing an integrated planar bipolar transistor
JPS56146274A (en) Method of manufacturing bipolar transistor
JPS57166079A (en) Method of producing semiconductor integrated circuit
JPS5787152A (en) Method of producing semiconductor integrated circuit element
GB2154061B (en) Methods of manufacturing semiconductor circuit devices
SU1111634A1 (ru) Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем
EP0147471A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE.
SU952051A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем
GB8332808D0 (en) Methods of manufacture of semiconductor devices
SU1195862A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем
SU1060066A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией
SU1193950A1 (ru) Способ изготовления микроканальных пластин
SU1128694A1 (ru) Способ изготовления высокотемпературного тензорезистивного элемента
SU760837A1 (ru) Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем
SU705934A1 (ru) Способ изготовления интегральных схем