SU400006A1 - Мультивибратор - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано дл  генерировани  импульсов с большой скважностью.

Известен мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости, содержащий врем задающую цепь в виде последовательно соединенных конденсатора и резистора , включенных между коллектором п-р-п и базой р-п-р транзисторов.

Такой мультивибратор обладает пизкой скважностью генерируемых импульсов и не имеет регулировки их частоты.

Дл  увеличени  скважности генерируемых импульсов в предлагаемом устройстве п-р-п транзистор включен по схеме с общей базой, эмиттеры транзисторов соединены пр мой гальванической св зью, а коллектор п-р-п транзистора подключен к источнику тока. Кроме того, к коллектору п-р-п транзистора через диод подключен источник регулирующего напр жени , что обеспечивает возможность управлени  частотой генерируемых импульсов .

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема предлагаемого мультивибратора .

Он выполнен на транзисторах 1 и 2 р-п-р и п-р-п типов нроводимости и имеет источник 3 управл ющего напр жени , источник 4 входного тока, соединенный с базой транзистора 2 через последовательно соединенные конденсатор 5 и резистор 6, полупроводниковые диоды 7 и 8, резистор 9, служащий нагрузкой транзистора 2, и источник 10 питающего напр жени .

Источник 3 управл ющего напр жени  через полупроводниковый диод 8, а источник 3 входного тока непосредственно подключены к коллектору транзистора 1, включенного по

схеме с общей базой. Эмиттер транзистора 2 соединен с эмиттером транзистора 1, коллектор транзистора 2 через нагрузочный резистор 9 подключен к источнику 10 питающего напр жени .

Предлагаемый мультивибратор работает следующим образом. Конденсатор 5 от источника 4 входного тока зар жаетс  через резистор 6 и полупроводниковый диод 7. Отрицательное смещение, приложенное к базе

транзистора 2 и равное по величине падению напр жени  на диоде 7, надежно запирает транзистор 2. При достижении напр жени  па конденсаторе 5 величины, приблизительно равной величине напр жени  управлени  от

источника 3 управл ющего напр жени , открываетс  полупроводниковый диод 8 и через него начинает протекать ток от источника 4 входного тока. Ток зар да через конденсатор 5 прекращаетс  и через базово-эмиттерный

переход транзистора 1 пачинает протекать неуправл емый ток от источника 10 питающего напр жени . Этот ток вызывает протекание тока через коллектор транзистора 1 и разр д конденсатора 5, ток разр да которого, протека  через базу транзистора 2, усиливаетс  и вызывает еще больщий ток через коллектор транзистора 1, т. е. происходит лавинообразный процесс, при котором транзисторы 1 н 2 насыщаютс , и на резисторе 9 образуетс  падение напр жени , равное по величине напр жению источника 10 питани .

После полного разр да конденсатора 5 транзисторы 1 и 2 регенеративно закрываютс  и конденсатор 5 вновь начинает зар жатьс . Процесс повтор етс .

Конденсатор 5 может зар жатьс  в течение длительного времени, величина которого зависит от тока источника 4 и емкости конденсатора 5. Разр жаетс  конденсатор 5 за короткий промежуток времени. Это зависит от величины сопротивлени  резистора 6. Следовательно , скважность импульсов, генерируемых мультивибратором, может быть доведена до нескольких тыс ч.

Предмет изобретени 

1.Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости, содержащий врем задающую цепь в виде последовательно соединенных конденсатора и резистора, включенных между коллектором п-р-п и базой р-п-р транзисторов, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  скважности генерируемых импульсов, п-р-п транзистор включен по схеме с общей базой, эмиттеры транзисторов

соединены пр мой гальванической св зью, а коллектор п-р-л транзистора подключен к источнику тока.

2.Мультивибратор по н. 1, отличающийс  тем, что, с целью управлени  частотой генерируемых импульсов, к коллектору п-р-п транзистора через диод подключен источник регулирующего напр жени .