SU391712A1 - Быстродействующий мультивибратор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора пр моугольных импульсов в устройствах вычислительной техники и автоматики.

Известен быстродействующий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми св з ми, содержащий один врем задающий резистор , подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода.

Цель изобретени  - повыщение надежности и сокращение схемных элементов. Дл  этого другой вывод врем задающего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.

Иа чертеже изображена принципиальна  электрическа  схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора.

Он содержит транзисторы / и 2, врем задающий резистор 3, один вывод которого через диоды 4 н 5 подсоединен к базам транзисторов . Второй вывод резистора 3 подключен к коллекторам транзисторов через диоды 6 к 7. Диод 4 и база транзистора 2 через конденсатор 8 соединены с коллектором транзистора /. Диод 5 и база транзистора 1 через конденсатор 9 соединены с коллектором транзистора 2. В коллекторные цепи транзисторов У и 2 включены резисторы 10 и //.

В одном из квазиустойчивых состо ний транзистор / находитс  в режиме насыщени , транзистор 2 - в режиме отсечки, конденсатор 8 разр жаетс  через диод 4, резистор 3, диод 7, резистор Jij источник питани  и эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора /. В течение времени разр да конденсатора 8 диоды 5 и б наход тс  в закрытом состо нии, так как их р- -переходы смещены в обратном

направлении. Транзистор / находитс  в насыщении под действием тока зар да конденсатора 9, который протекает через резистор /У, источник питани , переход эмиттер-база насыщенного транзистора /.

По мере разр да конденсатора 8 потенциал база-эмиттер транзистора 2 понижаетс  и как только станет равным потенциалу отпирани  транзистор 2 открываетс . К этому времени зар жаетс  конденсатор 9, ток в базе транзистора / прекращаетс , и транзистор / закрываетс .

Транзистор 2 открываетс  под действием- тока зар да конденсатора 8, который протекает по цепи резистор 10, источник питани , переход эмиттер-база транзистора 2. Конденсатор 9 разр жаетс  по цепи диод 5, резистор 3, диод 6, резистор 10, источник питани , эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора 2. Далее процессы повтор ютс .

Схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора позвол ет значительно уменьшить величину резистора 3 (до 6-7 ком при величине сопротивлени  резисторов 10 и 11 1 ком, ОСтавив сравнительно большими величины емкостей конденсаторов 5 и 9 (до 500 пф.

При этом сохран етс  достаточно больша  крутизна переднего фронта имнульса и обеспечиваетс  высока  частота автоколебаний в режиме м гкого самовозбуждени  (до 250 кгц на транзисторах МП16Б).

Амплитуда выходного импульса мультивибратора близка к величине напр жени  питани  при соотношении величин резисторов 3, 10 и // 3 3,, (, 10 и -величины сопротивлений резисторов 3, 10 и //).

Предмет изобретени 

Быстродействуюш;ий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми св з ми , содержаш,ий один врем задаюший резистор , подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности и сокрашени  схемных элементов, другой вывод врем задаюшего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.

70

//