на уровне напр жени основного источника 13 питани . При выборе резистора 7 из услови насыщени транзистора 3, последний будет насыщен . В его коллекторной цепи протекает ток, несколько больший пикового тока туннельного диода 12. Последний будет включен. Врем задающий конденсатор 10 зар жен до напр жени основного источника 13 питани . С приходом отрицательного запускаюп1его импульса, транзисторы 1 и 2 переключаютс . Транзистор 1 н:асышаетс на врем формировани выходного импульса на ;соллекторе транзистора 2. Конденсатор 10 перезар жаетс через резистор 8 на основной источник 13 пита1ш . После насыщени транзистора 1 потенциал эмиттера тран зистора 3 будет близок к потенциалу кор пуса . Потенциал базы транзистора 3 остаетс отрицательным и равным напр жению основного источника 13, Поэтому транзистор У на врем разр да конденсатора 10 запираетс . Его колле1 торный ток падает до величины обратногоТ1эка Эко меньшей тока выключени туннельного диода 12. Туннельный диод лавинно выключаетс , и напр жение на его катоде принимает ниэкий , близкий к нулевому, уровень. Когда напр жение на конденсаторе Ю переходит через нулевой уровень, транзисторы 1 и 2 переключаютс . Формирование напр жени на коллекторе транзистора 2 заканчиваетс . Конденсатор 1О начинает восстанавливать исходный уровень напр жени , зар жа сь от источника 14 через резистор 4 и эмиттерный переход транзистора 2. Напр н жение на коллекторе транзистора 1 по мере зар да конденсатора 10 по абсолютной величине увеличиваетс . Однако транзистор 3 остает с запертым, поскольку напр жение на коллекторе транзистора 1 и на SNuiTTepe транзистора 3 все еш- меньше напр жени источника 13, Лишь когда на „ пр жение на .конденсаторе 1О переидет уро вень напр жени источника 13 питани , транзистор 3 откроетс и по витс его кол лекторный ток. Когда этот ток превысит пнкоБый ток туннельного диода 12, последНИИ включитс и на его катоде по витс высокий ypoBeiib выходного напр жени . Фо мирование выходного напр жени закончитс Однозременно с окончанием выходного кмгпульса заканчиваетс и процесс восстановлени мультивибратора, т.е. схема готова к повторному запуску. Выходнык и точками устройства вл ютс : а) Выход Д , соответствующий катоду туннельного диода L2. На этом вы;:оде формируетс импульс длительностью Тх tp tgTi fle tp - врем перезар да конденсатора 10 через резистор S.tg врем восстановлени исходного напр жени на конденсаторе 10. Напр жение на выходе Л имеет амплитуду, равную перепаду напр жени на туннельном диоде 12 при переключении. Оба фронта выходного импульса на выходе А вл ютс регенеративными, длительность их очень мала. б) Выход Б I соответствующий KOJ лектору транзистора 3. Длительность этого импульса практически та же, что и на выходе Д , однако задний фронт выходного импульса не вл етс регенеративным и имеет большую длительность. Амплитуда импульса на выходе 5 близка к напр же- нию источника 13, т.е. существенно больше , чем на выходе л . в) Выход В , соответствующий коллектору транзистора 2. Длительность импульса на этом выходе короче, чем на выходах АИ 2 , и составл ет величи- ну tp 0,7 ftg ,где и Jg - номиналы конденсатора 10 и резистора 8. Выход Л схемы в данном случае вл етс основным. к достоинствам схемы относитс : - возможность получени импульсов разной длительности на выходах А и В регенеративный характер формирсзани переднего и заднего фронта выходного импульса на каждом из ЕТИХ выходов схемы - малое врем восстановлени , которое сведено практически до нул и не зависит от нагрузки и параметров ключевого каскада , - хороша повтор емость параметров мультивибратора, так как коэффициент усилени дополнительного ключевого транзистора 3 на длительность выходного импульса не вли е Предмет изобретени Ждущий гультивибратор, формирующий импульсы двух различных длительностей, содержащий два основных транзистора с коллекторно-базовыми св з ми, дополните- льный транзистор противоположного типа проводимости и источник питани , отличающийс тем, что, с целью устранени вли ни коэффициента усилени дополнительного транзистора на величину длительности одного из выходных :;СОВ и уменьшени длительности (понтов выходных импульсов, база дополнительного тра 1зигтора подключена к клемме источника питани , коллектор через последовательно соединенные резистор и туннельный диодк обшей шине, эмиттер - к коллектору закрытого в исходном состо нии .основного транзистора, коллекторный резистор которого подключен к допол1штельному источнику питани .
1--Ц Выжо Б п П
Ж . , П« D