SU983987A1 - Одновибратор - Google Patents

Description

(54) ОДНОВИБРАТОР

1

Изобретение относитс  к. вычислитель но технике и может быть использовано в различных устройствах автоматики, телемеханики и вычислительной техники в качестве , например, формировател  импульсов , элемента задержки, реле времени и т.д.

Известны оановибраторы, вьшолненные на полупроводниковых элементах с использованием врем задаюшей R С-цепи fl 3 to

.иС23.

Недостаток таких одновибраторов заключаетс  в низком КПД, обусловленном малой амплитудой выходных импульсов, составл ющей часть напр жени  источника 15 питани .

Наиболее близким к предлагаемо чг техническому решению  вл етс  одновибратор , сс ержащий врем задаюшую RC цепь и два транзистора разного типа про-ЭО водимости СЗ J .

Недостаток известного устройства низкий КПД, обусловленный малым отношением величины напр жени  выходных импульсов к величине напр жени  питани .

Цель изобретени  - повышение КПД.

Цель достигаетс  за счет того, что в одновибраторе, содержащем подключенную между шиной питани  и обшей шиной вре М задаюшую Rc-цепь и два транзистора разной проводимости, включенные по схеме эквивалента двухбазового диода, причем эмиттер р-п-р транзистора подсоединен к вьгкоду RС-цепи, а коллектор транзистора, подсоединенного ром к обшей шине, подключен к выходу устройства и через резистор - к шине питани , в качестве р-п-р транзистора использован двухэмиттерный транзистор, подключенный вторым эмиттером через резистор к шине питани  и, кроме того, введен стабилитрон, подключенный анодом к коллектору р-п-р транзистора, а катодом - к выходу R с.-цепи,

Claims (3)

1. На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема одновибратора. Оановибратор соде рк иг п-р-п транзиотор 1, база и коллектор которого соедине- ни соответственно с коллектором и базой р-п-р транзистора 2. Эмиттер транзистора 1 соед1фен с общей шиной, первый эмиттер транзистора 2, через конденсатор 3 врем  задаюшей 1 С-цепи соединен с обшей шиной и через резистор 4 RC-цепи соединен с Шиной 5 питани . Точка соединени  коллектора транзистора 1 с базой транзис тора 2 подключена к выходу 6 устройства и через резистор 7 нагрузки - к шине 5 питани . Анод стабилитрона 8 подключе к точке соединени  первого эмиттера транзистора 2 с конденсатором 3 и резистором 4, второй эмиттер транзистора 2соединен с входом 9 запуска и через резистор Ю подключен к шине 5 питани  Одновибратор работает следующим образом . После подклвэчени  питани  конденсатор 3разр жен и транзисторы 1 и 2 нахо- д тс  в зак1н 1том состо нии. Конденсатор 3 зар жаетс  через резистор 4 от шины 5 питани . Когда напр жение на коНгденсаторе 3 превысит напр жение стабилизации стабилитрона 8, последний откроетс . Ток стабилитрона 8 проходит через переход база - эмчттер транзистора 1, что пp feoдит к возникновению тока коллектора транзистора 1, который сместит переход база - второй эмиттер транзистора 2 в направлении и приведет к возникновеншо тока коллектора транзистора 2 и к еше большему открыванию транзистора 1, в результате чего возникнет лавинообразный процесс открывани  и насьш1ени  обоих транзисторов. Конден« сатор 3 разр дитс  чераз первый эмиттер транзистора 2 и через насьшхенные тран- зисторы 1 и 2. Данный процесс приведет к исходному состо нию рцновибратора, в котором оба транзистора открыты и удерживаютс  в насыщенном состо нии током через резис- тор 10, причем на выходе 6 поддеркива етс  низкий потенциал. При подаче на вход 9 запуска отрицательного импульса (или закорачивани  входа 9 на общую шину) ток второго эмиттера транзистора 2 уменьшаетс  до нул , а тока, протекающего через резистор 4 и первый эмиттер транзистора 2, недостаточно дл  удержани  транзисторов 1 в 2 в насыщенном состо нии (дл  это. го велич1ша резистора 4 должна быть дос таточно большой), транзисторы закроютс  и на выхопе 6 возникнет высокий потенциал . Конденсатор 3 начнет зар ж&тьс  через резистор 4 от шины 5 питани , через некоторое врем , определ емое величиной резистора 4 и конденсатора 3, напр жение на конденсаторе 3 превысит напр жение стабилизации стабилитрона 8, и ток, возникший через стабилитрси, приведет к лавинообразному процессу включени  транзисторов 1 и 2, в результате чего на выходе 6 исчезнет высокий потенциал, закончитс  формирование выходп ного импульса, Таким образом, стабилитрон определ ет порог включени  эквивалента двух- базового диода, делает его независимым от напр жени  питани  устройства, и благодар  отсутствию резисторного делител  дл  задани  порога достигаетс  увеличение амплитуды выходных импульсов до напр жени  питани  и повышаетс  КПД устройства . Формула изобретени  , Одновибратор, содержащий подключенную между шиной питани  и общей шиной врем зад ющую Rc-Mienb и два транзист:р ра разной проводимости, включенные по схеме эквивалента двухбазового диода, причем эмиттер р-п-р транзистора подсоединен к выходу RC-цепи, а коллектор п-р-п транзистора, подсоединенного эмит те ром к общей шине, подключен к выходу .устройства Е через резистор - к шине питани , отличающийс  тем, что, с целью повьщ1ени  КПД, в качестве транзистора использован двухэмит- те pHbrif транзистор, подключенный вторым эмиттером через резистор к. шине питани  и, кроме того, введен стабилитрон, подключенный анодом к коллектору транзистора, а катодом - к выходу RC-. цепи. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 39612О7, кл. Н ОЗ К 3/284, опублик. 1967,
2. 2.Авторское свидетельство СССР № 832710, р. Н 03 К 3/284, 1979.
3. 3.Авторское свидетельство СССР Ьй 739715, кл, И 03 К 3/017. 1976 (прототип).

   А

   izfs

   х