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KR970067837A - 인텔리전트 파워 장치 - Google Patents

인텔리전트 파워 장치 Download PDF

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KR970067837A
KR970067837A KR1019970009896A KR19970009896A KR970067837A KR 970067837 A KR970067837 A KR 970067837A KR 1019970009896 A KR1019970009896 A KR 1019970009896A KR 19970009896 A KR19970009896 A KR 19970009896A KR 970067837 A KR970067837 A KR 970067837A
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KR
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thickness
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KR1019970009896A
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Inventor
요시히로 고탄다
Original Assignee
하나와 요시카즈
닛산지도샤 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 따른 인텔리전트 파워장치에 있어서, 출력단 파워 MOSFET의 소오스 및 드레인 전극의 각각은 제1레벨금속층으로 작용하는 제1전극층과, 제2레벨금속층으로 작용하며 상기 제1레벨금속층상에 형성된 제2전극층을 가지는 적층 구조로 되어 있다. 이러한 인텔리전트 파워장치는 파워MOSFET과 동일 기판상에 집적되어 이를 제어하는 제어용 반도체 소자들의 각각의 전극이 제1전극층과 동시에 형성된 제1레벨금속층으로 이루어지며, 제어용 반도체 소자들의 주요 전극들이 제2레벨금속층인 배선층과 상호연결되어 소정의 제어회로를 구성하는 다수 레벨 상호연결성을 이용한다. 제1레벨 및 제2레벨의 금속층은 소정의 층간절연막에 의해서 서로 떨어져 형성된다.

Description

인텔리전트 파워 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1실시예에 대한 인텔리전트 파워 장치의 구성을 도시한 단면도.

Claims (11)

  1. 파워장치 및 제어용 소자들을 동일 반도체 기판상에 모노리식으로 집적시킨 인텔리전트 파워 장치에 있어서, 상기 파워장치의 각각의 주요 전극은 제1레벨금속층으로 작용하는 제1전극층 및 상기 제1전극층에 접속되어 제2레벨금속층으로 작용하는 제2전극층을 가지는 적층 구조로 형성되어 있고, 상기 제어용 반도체 소자들은 제1레벨금속층으로 작용하는 각각의 주요 전극 및 상기 주요 전극에 접속되어 제2 레벨금속층으로 작용하는 배선층을 가지며, 상기 제1레벨금속층으로 작용하는 상기 제어용 반도체 소자들의 각 주요전극 및 상기 파워장치의 제1전극층은 동시에 형성된 제1금속층으로 구성되며, 상기 제2레벨금속층으로 작용하는 상기 제어용 반도체 소자들의 배선층 및 상기 파워장치의 제2 전극층은 동시에 형성된 제2금속층으로 구성된 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파워장치는 다수의 MOSFET으로 이루어지며, 각각의 MOSFET는 제1도전형 반도체기판상에 형성된 제2도전형 매립 드레인 영역과; 상기 매립 드레인 영역의 상부에 형성된 제2도전형 드리프트 영역과; 상기 드리프트영역의 표면 근방에 형성된 제1도전형 베이스 영역과; 상기 제1도전형 베이스 영역의 표면 근방에 형성된 제2도전형 소오스 영역과; 상기 소오스 영역과 상기 드리프트 영역사이의 적어도 베이스 영역의 표면상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막의 상부에 형성된 게이트 전극과; 상기 소오스 영역에 접속된 제1 및 제2전극층으로 이루어진 상기 파워장치의 주요 전극들중의 하나로 작용하는 적층의 소오스 전극과; 상기 영역을 거쳐 상기 매립 드레인 영역까지 접속된 상기 제1 및 제2전극층으로 이루어진 상기 파워장치의 또다른 주요전극으로 작용하는 적층의 드레인 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 파워장치의 게이트 전극과 상기 파워장치의 제1전극층사이와 상기 제어용 반도체 소자들의 각각의 주요 전극과 상기 제어용 반도체 소자들의 게이트 전극사이에 형성된 제1층간절연막과; 상기 제1전극층과 상기 제2전극층사이와, 상기 제어용 반도체 소자들의 각각의 주요 전극과 상기 배선층사이에 형성된 제2층간절연막과; 상기 제2전극층과 상기 배선층상에 형성된 제3층간절연막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극층이 상기 제2층간절연막에 형성된 제1 스루 홀을 통해서 서로 전기적으로 접속되는 인텔리전트 파워장치에 있어서, 상기 제3층간절연막내에 형성된 제2스루 홀을 통해서 상기 제2전극층에 접속되고, 상기 다수의 수직MOSFET과 평행하게 상호 접속되는 제3레벨금속층으로 작용하도록 제3층간절연막의 상부에 형성된 출력금속전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제3층간절연막위에 형성된 제3레벨금속층으로 작용하며, 상기 제3층간절연막에 형성된 다른 제2스루 홀을 통해서 상기 제2레벨금속층인 배선층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전극층 및 상기 제어용 반도체 소자들의 각각의 주요 전극으로 이루어진 제1금속층의 두께는 0.2∼1.0 마이크론이며, 상기 제2전극층 및 상기 배선층으로 이루어진 제2금속층의 두께는 0.2∼1.2 마이크론인 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1전극층의 각각의 주요 전극 및 상기 제어용 반도체 소자로 이루어진 제1금속층의 두께는 0.2∼1.0 마이크론이며, 상기 제2전극층 및 상기 배선층으로 이루어진 제2금속층의 두께는 0.2∼1.2 마이크론인 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제1전극층 및 상기 제어용 반도체 소자들의 각각의 주요 전극으로 이루어진 제1금속층의 두께는 0.2∼1.0 마이크론이며, 상기 제2전극층 및 상기 배선층으로 이루어진 제2금속층의 두께는 0.2∼1.0 마이크론인 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1금속층의 두께는 0.7 마이크론이고, 상기 제2금속층의 두께는 0.8 마이크론인 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1금속층의 두께는 0.7 마이크론이고, 상기 제2금속층의 두께는 0.8 마이크론인 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1금속층의 두께는 0.7 마이크론이고, 상기 제2금속층의 두께는 0.8 마이크론인 것을 특징으로 하는 인텔리전트 파워 장치.
KR1019970009896A 1996-03-21 1997-03-21 인텔리전트 파워 장치 KR970067837A (ko)

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