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KR960026781A - 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 기억장치 Download PDF

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KR960026781A
KR960026781A KR1019950046691A KR19950046691A KR960026781A KR 960026781 A KR960026781 A KR 960026781A KR 1019950046691 A KR1019950046691 A KR 1019950046691A KR 19950046691 A KR19950046691 A KR 19950046691A KR 960026781 A KR960026781 A KR 960026781A
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다케히로 하세가와
유키히토 오와키
히토시 구야마
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은, 메모리셀 유니트내의 데이터를 낭비하는 시간 없이 독출할 수 있고, 소비전력의 감소 및 페이지길이의 확대를 도모할 수 있는 반도체 기억장치를 제공한다.
본 발명은, 복수의 메모리셀이 직렬로 접속된 NAND셀이 어레이상으로 배치되고, 동일 디코더로 워드선이 구동되는 메모리어레이(10)와, 2개의 비트선쌍마다 감지증폭기가 설치되고, 메모리셀로부터 데이터를 독출하기 위한 감지증폭기 어레이(12) 및, 감지증폭기로 독출된 데이터를 각각 준비하는 레지스터로 이루어진 레지스터 어레이(13)를 구비한 반도체 기억장치에 있어서, 감지증폭기 어레이(12) 및 레지스터 어레이(13)는 2개의 블록(A, B)으로 분할되면서, 분할된 블록(A, B)을 독립으로 제어하고, 각각의 블록(A, B)마다 레지스터로부터 독립으로 데이터를 독출하는 제어회로(20)를 갖춘 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 기억장치의 개략구성을 도시한 블록도, 제2도는 제1실시예에서의 메모리 어레이와 감지증폭기 및 레지스터의 구체적인 회로구성도.

Claims (6)

  1. 복수의 메모리셀이 직렬로 접속된 메모리셀 유니트가 어레이상으로 배치되고, 동일 디코더로 워드선이 구동되는 메모리 어레이 또는 동일의 행어드레스로 동작하는 복수의 디코더로 구동되는 복수의 메모리 어레이와, 한 쌍 또는 복수 쌍의 비트선마다 감지증폭기가 설치되어 상기 메모리셀로부터 데이터를 독출하기 위한 감지증폭기 어레이 및, 상기 감지증폭기로 독출된 데이터를 각각 저장하는 레지스터로 이루어진 레지스터 어레이를 구비하여 이루어지고, 상기 감지증폭기 어레이 및 레지스터 어레이는 복수의 블록으로 분할되고, 분할된 블록을 독립적으로 제어하여 각각의 블록마다상기 레지스터로부터 독립적으로 데이터를 독출하는 제어회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 복수의 메모리셀이 직렬로 접속된 메모리셀 유니트가 어레이상으로 배치되고, 동일 디코더로 워드선이 구동되는 메모리 어레이 또는 동일의 행어드레스로 동작하는 복수의 디코더로 구동되는 복수의 메모리 어레이와, 한 쌍 또는 복수 쌍의 비트선마다 감지증폭기가 설치되어 상기 메모리셀로부터 데이터를 독출하기 위한 감지증폭기 어레이 및, 상기 감지증폭기로서 독출된 데이터를 각각 저장하는 레지스터로 이루어진 레지스터 어레이를 구비하여 이루어지고, 상기감지증폭기 어레이 및 레지스터 어레이는 복수의 블록으로 분할되고, 행어드레스 및 열어드레스는 특히 상기 각 블록마다 레지스터를 선택하는 어드레스를 입력하는 수단을 갖추어 상기 각 블록의 레지스터로부터 독립적으로 데이터를 독출하는 제어회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레지스터는 독출된 메모리셀 유니트의 데이터를 일시적으로 기억하는 수단과 함께,상기 메모리셀 유니트에 데이터를 되돌리지 않고 데이터를 외부로 독출하는 수단으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 비트선과 워드선의 각 교차부에 메모리셀이 설치되고, 동일 디코드로 워드선이 구동되는 메모리 어레이 또는 동일의 행어드레스로 동작하는 복수의 디코더로 구동되는 복수의 메모리 어레이와, 상기 비트선의 복수쌍마다 하나의감지증폭기가 설치되어 상기 메모리셀로부터 데이터를 독출하기 위한 감지증폭기 어레이 및, 상기 각 비트선쌍과 해당 비트선쌍에 대응하는 감지증폭기어레이 및, 상기 각 비트선쌍과 해당 비트선쌍에 대응하는 감지증폭기 사이에 각각 스위치소자가 설치되고, 각각의 감지증폭기에 각각 한 쌍의 비트선을 접속하는 스위치 어레이를 구비하여 이루어지며, 상기 스위치 어레이 및 감지증폭기 어레이는 복수의 블록으로 분할되고, 분할된 각각의 블록을 독립적으로 제어하여 각각의 블록마다 데이터를 독립으로 독출하는 제어회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 비트선과 워드선의 각 교차부에 메모리셀이 설치되고, 동일 디코더로 워드선이 구동되는 메모리 어레이 또는 동일의 행디코더로 동작하는 복수의 디코더로 구동되는 복수의 메모리 어레이와, 상기 비트선의 복수쌍마다 하나의 감지증폭기가 설치되어 상기 메모리셀로부터 데이터를 독출하기 위한 감지증폭기, 상기 각 비트선쌍과 해당 비트선쌍에 대응하는 감지증폭기 사이에 각각 스위치소자가 설치되고, 각각의 감지증폭기에 각각 한 쌍의 비트선을 접속하는 스위치 어레이 및, 상기 감지증폭기로 독출된 데이터를 각각 저장하는 레지스터로 이루어진 레지스터 어레이를 구비하여 이루어지고, 상기 감지증폭기 어레이 및 레지스터 어레이는 복수의 블록으로 분할되고, 분할된 블록을 독립으로 제어하여 각각의블록마다 상기 레지스터로부터 데이터를 독립으로 독출하는 제어회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 레지스터는 독출된 메모리셀 유니트의 데이터를 일시적으로 기억하는 수단과 함께,상기 메모리셀 유니트에 데이터를 되돌리지 않고 데이터를 외부로 독출하는 수단으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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