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KR940007873A - 반도체 메모리장치의 플레시 라이트 회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 플레시 라이트 회로 Download PDF

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KR940007873A
KR940007873A KR1019930017619A KR930017619A KR940007873A KR 940007873 A KR940007873 A KR 940007873A KR 1019930017619 A KR1019930017619 A KR 1019930017619A KR 930017619 A KR930017619 A KR 930017619A KR 940007873 A KR940007873 A KR 940007873A
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South Korea
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memory device
semiconductor memory
signal
column select
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이장규
김민태
정성욱
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리장치에 관한 것으로, 특히 플레시라이트 기능을 가지는 반도체 메모리장치에 관한 것으로서, 메모리셀 어레이를 복수개의 메모리블록으로 분할하고, 상기 각 메모리블록마다 플레시라이트 인에이블 제어회로를 구비하고, 상기 플레시라이트 인에이블 제어회로에 메모리블록 선택용 로우 어드레스신호 및 라이트 마스크신호를 인가하여, 선택된 메모리블록만 플레시라이트 동작이 수행되도록하여, 플레시라이트 동작시 발생하는 피크치 전류를 줄여 오동작을 방지하고 전력소비가 줄어든 플레시라이트 회로를 제공한다.

Description

반도체 메모리장치의 플레시 라이트 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 플레시라이트 회로도.

Claims (3)

  1. 칼럼선택신호를 출력하는 칼럼디코더를 공유하는 다수개의 메모리블럭을 가지는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 메모리블럭에 일대일 대응하며 플레시라이트 제어신호와 메모리블럭 선택신호를 논리합하여 플레시라이트 인에이블신호를 출력하는 플레시라이트 인에이블 신호 발생수단과, 상기 플레시라이트 인에이블신호와 칼럼선택신호를 논리합하여 상기 메모리블럭의 비트라인과 데이타 입/출선 사이에 접속된 칼럼선택게이트의 제어단자에 출력하는 논리합회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플레시라이트 인에이블신호 발생수단이 메모리장치내에 미리설정되어 있는 라이트마스크신호를 더 입력하며, 그에 따라 플레시라이트 인에이블신호의 활성화가 제어됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 반도체 메모리장치에 있어서, 비트라인과 데이타 입출선을 상호 연결하며 제어단자에 칼럼선택신호가 인가되는 제1칼럼선택게이트와, 상기 제1칼럼선택게이트와 병렬접속되고 제어단자에 플레시라이트 인에이블신호가 인가되는 제2칼럼선택게이트를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930017619A 1992-09-04 1993-09-03 반도체 메모리장치의 플레시라이트 회로 KR960006272B1 (ko)

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