[go: up one dir, main page]

KR930022570A - 고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법 - Google Patents

고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930022570A
KR930022570A KR1019930005215A KR930005215A KR930022570A KR 930022570 A KR930022570 A KR 930022570A KR 1019930005215 A KR1019930005215 A KR 1019930005215A KR 930005215 A KR930005215 A KR 930005215A KR 930022570 A KR930022570 A KR 930022570A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light receiving
read
solid state
imaging device
charge
Prior art date
Application number
KR1019930005215A
Other languages
English (en)
Inventor
히사노리 미우라
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오가 노리오, 소니 가부시기가이샤 filed Critical 오가 노리오
Publication of KR930022570A publication Critical patent/KR930022570A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/701—Line sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

수평부에 축적되어 있는 신호전하를 전하전송부에 독출하는 시간, 즉 전하독출신간을 대폭으로 단축시킨다. 각 화소에 대응한 수광부(5)가 한 방향으로 배열되어 구성된 수광부열(1)의 양측에, 각 수광부(5)에 대해 공통으로 형성된 독출게이트(2a)및 (2b)의 수광부열(1)과 반대측에 각각 수평시프트레지스트(3a)및(3b)가 형성하고, 이들 독출게이터(2a) 및 (2b)의 수광부열(1)과 반대측에 각각 수평시프트레지스트 (3a) 및 (3b)가 형성된 CCD리니어센서에 있어서, 수광부열(1)의 중앙에 한 방향으로 뻗는 채널스토퍼영역(6)을 형성하여, 동일화소에 있어서의 수광부(5)를 각각2개의 수광영역에(5a)및 (5a)로 분리하여 구성한다. 그리고, 독출기간에 있어서, 각 독출게이트(2a)및 (2a)에 독출펄스를 인가함으로써, 동일화소에 관한 수광부(5)에 축적되어 있는 신호전하e를 각각 양측의 독출게이트(2a)및 (2b)를 통해 양쪽의 수평시프트레지스터(3a)및 (3b)에 전송한다.

Description

고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 실시예에 관한 CCD리니어센서의 전하독출방법을 도시한 개략구성도.
제2도는 본 실시예에 관한 CCD리이너센서의 수광부 주변의 구성을 도시한 평면도.
제3도는 비교예에 관한 CCD리니어센서의 수광부 주변의 구성을 도시한 평면도.

Claims (2)

  1. 각 화소에 대응한 수광부가 한 방향으로 배열된 수광부열의 양측에, 각 수광부에 대해 공통으로 형성된 독출게이트 및 전하전송부를 각각 가지고, 상기 수광부에서 축적된 신호전하를 독출기간에 상기 독출게이트를 통해 상기 전하전송부에 전송하고 고체촬상소자에 있어서, 상기 수광부열의 중앙에 한 방향으로 뻗는 분리층이 형성되고, 동일 화소에 있어서의 수광부가 각각 2개로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 각 화소에 대응한 수광부가 한 방향으로 배열된 수광부열의 양측에 각 수광부에 대해 공통으로 형성된 독출 게이트 및 전하전송부를 각각 가지고, 상기 수광부에서 축적된 신호전하를 독출기간에 상기독출게이트를 통해 상기 전하전송부에 독출하는 고체촬상소자의 전하독출방법에 있어서,상기 독출기간에 동일화소에 있어서의 수광부의 신호전하를 양측의 상기 독출게이트를 통해 상기 전하전송부에 독출하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 전하독출방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930005215A 1992-04-03 1993-03-31 고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법 KR930022570A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-82,262 1992-04-03
JP4082262A JPH05283670A (ja) 1992-04-03 1992-04-03 固体撮像素子及び固体撮像素子の電荷読出し方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930022570A true KR930022570A (ko) 1993-11-24

Family

ID=13769556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930005215A KR930022570A (ko) 1992-04-03 1993-03-31 고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5379067A (ko)
JP (1) JPH05283670A (ko)
KR (1) KR930022570A (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2555981B2 (ja) * 1994-06-06 1996-11-20 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
US5517043A (en) * 1994-10-25 1996-05-14 Dalsa, Inc. Split pixel interline transfer imaging device
US5705836A (en) * 1995-05-22 1998-01-06 Dalsa, Inc. Efficient charge transfer structure in large pitch charge coupled device
JP2870454B2 (ja) * 1995-06-16 1999-03-17 日本電気株式会社 カラーリニアイメージセンサ
JPH11155103A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP3899627B2 (ja) * 1998-01-06 2007-03-28 富士ゼロックス株式会社 リニアイメージセンサおよび画像読み取り装置および電荷転送方法
US7015966B1 (en) 1999-03-15 2006-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Reducing discontinuities in segmented imaging sensors
US6731338B1 (en) 2000-01-10 2004-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Reducing discontinuities in segmented SSAs
US6770860B1 (en) 2000-02-14 2004-08-03 Dalsa, Inc. Dual line integrating line scan sensor
JP2002217399A (ja) * 2001-01-22 2002-08-02 Fuji Photo Film Co Ltd 電荷読出方法および固体撮像装置
JP2002232640A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置
JP2002231926A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置
JP4711322B2 (ja) * 2002-11-29 2011-06-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｃｃｄイメージセンサ
US20070210343A1 (en) * 2004-03-31 2007-09-13 Hideki Soya Image Sensor And An Apparatus For An Image Sensor Using Same
US7791638B2 (en) * 2004-09-29 2010-09-07 Immersive Media Co. Rotating scan camera
JP5283216B2 (ja) 2008-07-31 2013-09-04 国立大学法人静岡大学 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置
JP5439975B2 (ja) * 2009-06-23 2014-03-12 富士ゼロックス株式会社 イメージセンサおよび画像読取装置
JP2011054596A (ja) 2009-08-31 2011-03-17 Renesas Electronics Corp Ｃｃｄイメージセンサ
JP5485919B2 (ja) * 2011-01-14 2014-05-07 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
EP3365916B1 (en) 2015-10-21 2020-12-09 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Demodulation pixel devices, arrays of pixel devices and optoelectronic devices incorporating the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS606147B2 (ja) * 1979-12-07 1985-02-15 株式会社東芝 固体撮像装置
DE3750347T2 (de) * 1986-04-07 1994-12-08 Fuji Photo Film Co Ltd Festkörper-Farbbildaufnahmegerät.
JPH01214059A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Ntt Technol Transfer Corp Ｃｃｄ受光デバイス
JPH02142183A (ja) * 1988-11-22 1990-05-31 Nec Corp 固体撮像素子の駆動方法
US5182622A (en) * 1989-02-14 1993-01-26 Sony Corporation Charge coupled device imager having multichannel readout structure
KR930009132A (ko) * 1991-10-04 1993-05-22 김광호 고체 촬영 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US5379067A (en) 1995-01-03
JPH05283670A (ja) 1993-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930022570A (ko) 고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법
KR970054279A (ko) 고체촬상장치
KR920009201A (ko) 고체촬상장치
KR900004180A (ko) 고체촬상소자
KR920022542A (ko) 고체촬상장치
KR900019481A (ko) 고체 촬상 소자의 스미어 제거회로
KR850006818A (ko) 고체 촬상소자
EP0547697A3 (en) Solid state imaging device and camera provided with such an imaging device
KR960043789A (ko) 고 전하 전달율을 갖는 ccd형 고상 이미지 픽업 소자
KR930009132A (ko) 고체 촬영 소자
KR930003411A (ko) 전하 결합 영상 소자 및 그 영상 소자를 가지는 카메라
KR910004042A (ko) 전하전송장치와 고체촬상장치
KR920020733A (ko) 고체촬상소자
KR950022814A (ko) 전하전송장치
KR930003407A (ko) Ccd 촬상소자
KR930024179A (ko) 정상상 및 거울상을 위한 고체촬영소자
JPS57181274A (en) Solid-state image pickup element
KR920022848A (ko) Ccd 고체촬상장치
KR920011232A (ko) 고체 촬상장치
JPS57136873A (en) Charge-transfer type solid-state image pickup device
KR940013157A (ko) 고체 촬상 장치
EP0851497A3 (en) Focal plane array and driving method therefor
KR100235982B1 (ko) Ccd 영상소자
KR900019247A (ko) 전하결합 장치와 영상센서 장치를 포함하고 있는 카메라
JPS6453686A (en) Solid-state image pick-up device

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19930331

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid