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JPH02142183A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents

固体撮像素子の駆動方法

Info

Publication number
JPH02142183A
JPH02142183A JP63296660A JP29666088A JPH02142183A JP H02142183 A JPH02142183 A JP H02142183A JP 63296660 A JP63296660 A JP 63296660A JP 29666088 A JP29666088 A JP 29666088A JP H02142183 A JPH02142183 A JP H02142183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
transfer register
photoelectric conversion
conversion element
state image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63296660A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Yaji
谷治 行夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63296660A priority Critical patent/JPH02142183A/ja
Priority to US07/440,167 priority patent/US4985776A/en
Publication of JPH02142183A publication Critical patent/JPH02142183A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/153Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53Control of the integration time

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はCCD等の固体撮像素子の駆動方法に関し、特
に固体撮像素子を用いた固体撮像装置の露光量の制御方
法に関する。
〔従来の技術〕
固体撮像装置に限らず、露光量の制御方法は、日米より
レンズの絞りとシャッタースピードを組合せることによ
り実現されている。ビデオカメラの場合、シャッタース
ピードは、そのテレビジョンフォーマットのフィールド
周波数により決定され、例えばNTSCフォーマットで
は1760秒となっている9従って、入射光量の変化に
従って絞りを調節し露光量の最適化を行っていた。また
、さらに露光量の調節を行うべくカメラの利得を変化さ
せたりレンズにNDフィルターを挿入する等の対策も行
われている。しかし、近年、固体撮像素子が実用化され
ることもない、様々な駆動方法が開発され、特に電子シ
ャッターは、光電変換された電荷の一部をドレインに掃
き出すことにより動解像度を高めたもので露光量の制御
をも同時に実現している。
第4図に電子シャッターを実現するデバイスの構造と、
第5図に1回のシャッター動作時に光電変換素子1に蓄
積された電荷量の時間の変化を示す。入射した光は光電
変換素子1によって光電変換され、電荷が蓄積される。
すなわち、■フィールド間同じ強度の光が入射すれば第
5図のように、to”=t2まで直線的に増加すること
になる。しかし、ある時点t、においてオーバーフロー
制御ゲート電極にパルスを印加し、光電変換素子1の電
荷をオーバーフロードレイン7に掃き出し、クリアする
ことにより垂直転送レジスタ2に読み出す時点、すなわ
ちt2のタイミングにおける出力を通常−動作時の(t
2  tl)/(t2  to)にすることができる。
すなわち、蓄積時間を等制約にtlからt2までとする
ことにより、動解像後を向上させシャッター動作を実現
するとともに露光量の調節を可能としていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このシャッター動作による露光量の制御
は動解像度は向上するものの、テレビジョンフォーマッ
トの制約から1760秒毎の間欠映像となるために特に
シャッタースピードを高速に設定した場合動作が不連続
となり異和感を伴うという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は同一半導体基板上に光電変換素子とこれに隣接
する読み出しゲートと垂直転送レジスタとオーバーフロ
ードレインとを有する撮像領域と、垂直転送レジスタと
水平転送レジスタとを有する蓄積領域とを備え前記撮像
領域と前記蓄積領域の垂直転送レジスタがそれぞれ個別
の印加パルスにより独立に駆動可能であり、かつ撮像領
域に設けられたオーバーフロードレインにより瞬時に電
荷のクリア動作が可能な固体撮像素子において、1フィ
ールド期間中に光電変換素子から撮像領域の垂直転送レ
ジスタへ電荷を読み出す動作及びオーバーフロードレイ
ンへの電荷のクリア動作を複数回行う固体撮像素子の駆
動方法を得る。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)は本発明の駆動方法が可能な固体撮像素子
の一構成図である。第1図(b)は第1図(a)の構造
における本発明の駆動タイミングチャートである。第1
図(a)は一般的なフレームインターライン型の固体撮
像素子である。この素子に第1図(b)のφVl、φv
2のように撮像部の垂直転送レジスタをToからT1の
開動作させた後、停止させておけば、その後φROのパ
ルスにより複数回読み出された電荷は垂直転送レジスタ
間で順次加算されることになる。したがって、この順次
加算される電荷量がφRO印加されるパルス間隔に相当
する期間内で制御できれば、この制御量が直接露光量を
決定できる。本例では、このパルス間隔を5ライン分と
して、この間にφCRのパルスを印加しφROのパルス
が印加されてから後蓄積された電荷量をクリアし制御を
行っている(第1図(b))。すなわちT、からT、ま
での5ラインの間のT4のタイミングにおいてφCRの
パルスを印加し、実効的な露光期間をT、からT、まで
の期間としている。これからφCRのパルス印加タイミ
ングを前後に移動することによって露光量を自由に調整
できることになる。
第2図に光電変換素子の蓄積電荷量と垂直転送レジスタ
の蓄積電荷量の時間変化を実線と点線で示す。T3. 
T5・・・・・・によりαづつ電荷量が増加してゆく。
この−回当りの電荷量がφROのパルス間隔に対するφ
ROとφCRのパルス間隔の比で決定されていることが
わかる。
この方法によれば5ライン周期で何らかの映像情報が得
られるところからシャッター動作で露光制御するような
間欠画像にはならずテレビジョンフォーマットにのっと
ったシャッタースピードでの適切な露光制御が可能とな
る。
また本例では制御間隔を5ラインとしたがカメラの使用
目的等によりこれを変更することや画像へのパルスの飛
び込み等のためパルスを水平ブランキング期間内で印加
する、また1フィールド内での全露光量が一定に制御で
きればよいので1回当りの露光量を等しくする必要がな
いことは言うまでもない。
第3図(a)は本発明の駆動方法を適用可能な光電変換
素子の構造断面図である。光電変換素子1はn基板14
の上のPウェル13に形成されてお1[型オーバーフロ
ードレイン構造となっている。
Pウェル13に光電変換素子lと垂直転送レジスタ2と
が設けられており、基板14上には垂直転送レジスタの
転送電極4と遮光層6とが設けられている。転送電極4
下の領域3は読出しゲート部である。この構造では第3
図(b)のようにn基板14に通常のブルーミング制御
電圧VBにV。Rまでのパルスを印加することにより光
電変換素子の蓄積電荷量をクリアすることができる。従
って第1図(a)と同様本発明の露光制御が可能となる
本例の場合はオーバーフロードレイン7が不要となるた
め感度向上等の利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はオーバーフロードレイン
構造を有するフレームインターライン転送型固体撮像素
子において垂直レジスタへの電荷の読み出し動作及び光
電変換素子の電荷のクリア動作を複数回行うことにより
シャッター動作と比較し異和感のない露光制御を実現で
きるといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の一実施例による固体撮像素子の
駆動方法に用いる固体撮像素子の平面図、同図(b)は
その駆動タイミングチャート、第2図は本発明の一実施
例による駆動方法における蓄積電荷量の変化を示す図、
第3図は本発明の他の実施例に適用可能な光電変換素子
の構造断面図、第4図はオーバーフロードレイン構造を
もつ通常の光電変換素子の構造断面図、第5図は従来の
シャッター動作を説明するための蓄積電荷量の変化を示
す図である。 l・・・・・・光電変換素子、2,8・・・・・・垂直
転送レジスタ、3・・・・・・読出しゲート、4・・・
・・・転送電極、5・・・・・・オーバーフロー制御電
極、6・・・・・・遮光層、7・・・・・オーバーフロ
ードレイン、9・・・・・・水平転送レジスタ、lO・
・・・・・出力部、13・・・・・・Pウェル、14・
・・・・n基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一半導体基板上に光電変換素子とこれに隣接する読み
    出しゲートと垂直転送レジスタとオーバーフロードレイ
    ンを有する撮像領域と垂直転送レジスタと水平転送レジ
    スタとを有する蓄積領域とを備え、前記撮像領域と前記
    蓄積領域の垂直レジスタがそれぞれ個別の印加パルスに
    より独立に駆動可能であり、かつ、前記撮像領域に設け
    られた前記オーバーフロードレインにより、瞬時に電荷
    のクリア動作が可能な固体撮像素子において、1フィー
    ルド期間中に前記光電変換素子から前記撮像領域の垂直
    転送レジスタへ電荷を読み出す動作及び前記オーバーフ
    ロードレインへの電荷のクリア動作を複数回行うことを
    特徴とした固体撮像素子の駆動方法。
JP63296660A 1988-11-22 1988-11-22 固体撮像素子の駆動方法 Pending JPH02142183A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63296660A JPH02142183A (ja) 1988-11-22 1988-11-22 固体撮像素子の駆動方法
US07/440,167 US4985776A (en) 1988-11-22 1989-11-22 Method of driving solid-state imaging element

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JP63296660A JPH02142183A (ja) 1988-11-22 1988-11-22 固体撮像素子の駆動方法

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JPH02142183A true JPH02142183A (ja) 1990-05-31

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JP (1) JPH02142183A (ja)

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