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KR920001533A - 반도체 집적회로 - Google Patents

반도체 집적회로 Download PDF

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Publication number
KR920001533A
KR920001533A KR1019910010338A KR910010338A KR920001533A KR 920001533 A KR920001533 A KR 920001533A KR 1019910010338 A KR1019910010338 A KR 1019910010338A KR 910010338 A KR910010338 A KR 910010338A KR 920001533 A KR920001533 A KR 920001533A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
transistor
line connected
capacitor
gate electrode
Prior art date
Application number
KR1019910010338A
Other languages
English (en)
Inventor
나오토 이노우에
모토오 토오야마
히로시 타카하시
마사히코 컨바라
Original Assignee
하라 레이노스케
세이코 덴시 고오교오 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하라 레이노스케, 세이코 덴시 고오교오 가부시기가이샤 filed Critical 하라 레이노스케
Publication of KR920001533A publication Critical patent/KR920001533A/ko

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
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    • G—PHYSICS
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    • G11C14/00—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 D램 셀 유니트 및 비휘발성 셀 유니트를 가진 반도체 집적회로의 일실시예를 나타낸 회로도.
제2도는 본 발명의 D램 셀유니트 및 비휘발성 셀 유니트를 가진 반도체 집적회로의 다른 실시예를 나타낸 회로도.

Claims (2)

  1. 게이트전극, 드레인 전극 및 소오스 전극을 가지며 게이트전극을 제외한 하나의 주전극에 비트라인을 접속한 제1트랜지스터와; 상기 제1트랜지스터의 다른 주전극에 하나의 전극이 접속된 제1커패시터와; 상기 제1커패시터의 다른 전극에 접속된 제1라인과; 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 워드라인과; 게이트 전극을 제외한 하나의 주전극에 상기 제1트랜지스터의 제2주전극을 접속한 제2트랜지스터와; 강유전성 물질로 이루어지고 일측전극이 상기 제2트랜지스터의 다른 주전극에 접속된 제2커패시터와; 상기 제2트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제2라인과; 상기 제2커패시터의 다른 전극에 접속된 제3라인으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 게이트전극, 드레인전극 및 소오스전극을 가지며 게이트전극을 제외한 하나의 주전극에 비트라인을 접속한 제1트랜지스터와; 상기 제1트랜지스터의 다른 주전극에 하나의 전극이 접속된 제1커패시터와; 상기 제1커패시터의 다른 전극에 접속된 제1라인과; 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 워드라인과; 게이트 전극을 제외한 하나의 주전극에 비트라인을 접속한 제2트랜지스터와; 강유전성 물질로 이루어지며 일측전극이 상기 제2트랜지스터의 다른 주전극에 접속된 제2커패시터와; 상기 제2트랜지스터의 게이트전극에 접속된 제2라인과; 상기 제2커패시터의 다른 전극에 접속된 제3라인으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임
KR1019910010338A 1990-06-21 1991-06-21 반도체 집적회로 KR920001533A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90-163673 1990-06-21
JP16367390 1990-06-21
JP22948090 1990-08-29
JP2-229480 1990-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920001533A true KR920001533A (ko) 1992-01-30

Family

ID=26489054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910010338A KR920001533A (ko) 1990-06-21 1991-06-21 반도체 집적회로

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US (1) US5250827A (ko)
KR (1) KR920001533A (ko)
DE (1) DE4119248A1 (ko)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE4119248A1 (de) 1992-01-02
US5250827A (en) 1993-10-05

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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19910621

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid