KR20240166488A - 수지 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

(A) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과, (B) 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분과, (D) 열경화성 수지를 포함하고, (A) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 23체적% 이상 60체적% 이하이고, (B) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 5체적% 이상 30체적% 이하인, 수지 조성물.

Description

수지 조성물 및 이의 제조방법

본 발명은, 수지 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물, 수지 시트 및 이의 제조방법, 회로 기판 및 인덕터 기판에 관한 것이다.

최근의 전자 기기의 소형 경량화 및 휴대형 기기의 보급에 따라, 스위칭 전원 회로의 소형화 및 고성능화가 진행되고 있다. 스위칭 전원 회로는 통상, 인덕터를 구비하고 있다(특허문헌 1 내지 3).

일본 공개특허공보 특개2017-69523호 국제공개 제2006/54749호 일본 공개특허공보 특개2019-192920호

스위칭 전원의 소형화를 위해서는, 인덕터의 소형화가 요구된다(특허문헌 1). 이 때, 스위칭 주파수를 높게 하면, 인덕터의 소형화에 유리해진다. 그러나, 인덕터를 형성하기 위한 자성 재료는, 일반적으로 고주파수대에서는 자성분 내부의 와전류 손실에 의한 자성 손실이 커져, 결과적으로 스위칭 전원의 효율이 저하된다(특허문헌 2). 또한, 금속 자성분의 사이즈가 큰 경우, 금속 자성분의 내부에서의 와전류 손실이 커진다. 따라서, 50MHz로부터 100MHz와 같은 고속 스위칭 동작에서는 손실이 크고, 고주파 대응이 곤란하다(특허문헌 3).

이러한 배경에서, 최근에는, 종래보다도 상대적으로 낮은 10MHz 정도의 저주파대에서 동작 가능한 인덕터가 요망되고 있다. 따라서, 인덕터의 고기능화와 소형화를 동시에 달성하기 위해, 저주파대에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 달성 가능한 자성 재료가 요구되고 있다.

또한, 수지 조성물은, 이의 사용시에 도포를 행하는 경우가 있다. 예를 들면, 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비한 수지 시트를 제조하는 경우에는, 지지체 상에 수지 조성물을 도포하는 경우가 있다. 또한, 예를 들면, 기판에 형성된 홀에 수지 조성물을 충전하는 경우에는, 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 홀로의 충전을 행하는 경우가 있다. 따라서, 수지 조성물에는, 도포성이 우수한 것이 요구된다.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 저주파대에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 달성 가능한 경화물을 얻을 수 있고, 또한 도포성이 우수한 수지 조성물 및 이의 제조방법; 상기 수지 조성물의 경화물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트 및 이의 제조방법; 및 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 회로 기판 및 인덕터 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, 특정 범위의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과, 다른 특정 범위의 입자 직경을 갖는 자성분과, 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물이 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명자는, 특정 범위의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과, 다른 특정 범위의 평균 입자 직경을 갖는 자성분과, 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물이 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하였다. 본 발명은, 이러한 지견에 기초하여 완성된 것이다.

즉, 본 발명은 하기 것을 포함한다.

[1] (A) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,

(B) 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분과,

(D) 열경화성 수지를 포함하고,

(A) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 23체적% 이상 60체적% 이하이고,

(B) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 5체적% 이상 30체적% 이하인, 수지 조성물.

[2] (A) 성분과 (B) 성분의 체적비((A) 성분/(B) 성분)가 1 이상 12 이하인, [1]에 기재된 수지 조성물.

[3] (C) 자성분을 추가로 포함하고,

(C) 자성분은 2㎛보다 크고 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는, 상기 (A) 성분 이외의 자성분인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.

[4] (D) 성분이 에폭시 수지를 포함하는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[5] (E) 경화 촉진제를 추가로 포함하는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[6] (a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,

(b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분과,

(D) 열경화성 수지를 혼합하는 것을 포함하는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[7] (a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,

(b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분과,

(D) 열경화성 수지를 혼합하는 것을 포함하는, 수지 조성물의 제조방법.

[8] (a) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 30체적% 이상 80체적% 이하인, [6] 또는 [7]에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[9] (a) 성분의 10% 입자 직경 D₁₀이 2㎛보다도 큰, [6] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[10] (b) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 5체적% 이상 50체적% 이하인, [6] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[11] (b) 성분의 90% 입자 직경 D₉₀이 5.5㎛ 미만인, [6] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[12] (c) 자성분을 추가로 혼합하는 것을 포함하고,

(c) 자성분은, 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는, [6] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[13] (c) 자성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 34체적% 이하인, [12]에 기재된 수지 조성물의 제조방법.

[14] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물.

[15] 지지체와, 상기 지지체 상에 형성된 수지 조성물 층을 구비하고,

수지 조성물 층이, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 수지 시트.

[16] [6] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 제조방법에 의해 수지 조성물을 제조하는 공정과, 수지 조성물을 지지체 상에 도포하는 공정을 포함하는, 수지 시트의 제조방법.

[17] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 회로 기판.

[18] 스루홀이 형성된 기판과, 상기 스루홀에 충전된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, [17]에 기재된 회로 기판.

[19] [17] 또는 [18]에 기재된 회로 기판을 포함하는, 인덕터 기판.

본 발명에 의하면, 저주파대에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 달성 가능한 경화물을 얻을 수 있고, 또한 도포성이 우수한 수지 조성물 및 이의 제조방법; 상기 수지 조성물의 경화물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트 및 이의 제조방법; 및 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 회로 기판 및 인덕터 기판을 제공할 수 있다.

[도 1] 도 1은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서 준비되는 코어 기판을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
[도 2] 도 2는, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 스루홀이 형성된 코어 기판을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
[도 3] 도 3은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 스루홀 내에 도금층이 형성된 코어 기판을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
[도 4] 도 4는, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 코어 기판의 스루홀 내에 수지 조성물을 충전한 모습을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
[도 5] 도 5는, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (2)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 6] 도 6은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (3)을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 7] 도 7은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 8] 도 8은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도91] 도 9는, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (i)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 10] 도 10은, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (i)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 11] 도 11은, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (ii)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 12] 도 12는, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (iv)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 13] 도 13은, 인덕터 기판이 갖는 회로 기판을 이의 두께 방향의 한쪽에서 본 모식적인 평면도이다.
[도 14] 도 14는, 도 13에 도시하는 II-II 일점 쇄선으로 나타낸 위치에서 절단한 회로 기판의 절단 단면을 도시하는 모식적인 도면이다.
[도 15] 도 15는, 인덕터 기판이 포함하는 회로 기판의 제1 도체층의 구성을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.

이하, 본 발명을 이의 적합한 실시형태에 입각하여 상세히 설명한다. 단, 본 발명은, 하기 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 청구범위 및 이의 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시될 수 있다. 또한, 이하의 설명에서 「투자율」은, 달리 언급하지 않는 한, 「비투자율」을 나타낸다.

<제1 실시형태에 따른 수지 조성물의 개요>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, (A) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과, (B) 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분과, (D) 열경화성 수지를 포함한다. 이하의 설명에서는, 「(A) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분」을 「(A) 나노 결정 자성분」이라고 말하는 경우가 있다. 또한, 「(B) 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분」을 「(B) 소경 자성분」이라고 말하는 경우가 있다. 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, (A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분을 특정 범위의 양으로 포함한다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, (D) 열경화성 수지가 열경화함으로써 경화하여, 경화물을 제공할 수 있다. 이렇게 해서 얻어지는 경화물은, 저주파수대(예를 들면, 10MHz)에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은 통상, 우수한 도포성을 가질 수 있다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물에 의해 상기 효과가 얻어지는 메커니즘에 대하여, 본 발명자는 하기와 같이 추측한다. 단, 본 발명의 기술적 범위는 하기 메커니즘에 한정되는 것은 아니다.

(A) 나노 결정 자성분은, 수지 조성물의 경화물의 비투자율 및 자성 손실을 개선하는 작용을 갖는다. 구체적으로는, 5.5㎛ 이상의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분은 큰 비투자율을 가질 수 있고, 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분은 작은 자성 손실을 가질 수 있으므로, 상기 범위의 입자 직경을 갖는 (A) 나노 결정 자성분을 포함하는 수지 조성물의 경화물은, 양호한 비투자율 및 자성 손실을 얻을 수 있다.

또한, (B) 소경 자성분은, 수지 조성물의 도포성을 개선하고, 또한 수지 조성물의 경화물의 비투자율 및 자성 손실을 개선하는 작용을 갖는다. 구체적으로는, 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분은 수지 조성물의 점도를 저감시킬 수 있다. 또한, 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분은 자성 손실이 작다. 따라서, (B) 소경 자성분에 의하면, 수지 조성물 중의 자성분의 양을 많게 하여 비투자율을 향상시키면서, 상기 비투자율의 향상에 비해 자성 손실의 증대를 억제할 수 있다.

본 실시형태에 따른 효과가 얻어지는 메커니즘에는, 상기 (A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분의 조합의 작용이 포함된다고 생각된다.

<제1 실시형태에 따른 (A) 나노 결정 자성분>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, (A) 성분으로서, 특정 범위의 입자 직경을 갖는 (A) 나노 결정 자성분을 포함한다. 명세서에서, 용어 「나노 결정 자성분」이란, 입자 직경 100㎚ 이하의 결정립을 포함하는 자성분을 말한다. 결정립의 입자 직경의 하한은, 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 1㎚ 이상이다. 그 중에서도, 나노 결정 자성분은, 결정립의 최대 입자 직경이 100nm 이하인 것이 바람직하다. 통상, 나노 결정 자성분의 입자 1개에는 복수개의 결정립이 포함되어 있고, 따라서, 나노 결정 자성분의 입자는 다결정체일 수 있다. 결정립의 크기는, 예를 들면, TEM(투과형 전자 현미경)에 의해 관찰할 수 있다. 나노 결정 자성분은 결정립을 함유하므로, 일반적으로, X선 회절 패턴에서 결정성을 나타내는 피크를 나타낼 수 있다. 결정립이 갖는 결정 구조로서는, 예를 들면, bcc 결정 구조(체심 입방 격자 구조)를 들 수 있지만, 이 이외의 결정 구조라도 좋다.

(A) 나노 결정 자성분은 통상, 입자 상태로 수지 조성물에 포함된다. (A) 나노 결정 자성분은, 상기 입자의 적어도 일부에 결정립을 포함하는 것이라도 좋고, 입자의 표층에 결정립을 포함하는 것이 바람직하고, 입자 전체에 결정립을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 결정립만으로 이루어진 것이 특히 바람직하다.

(A) 나노 결정 자성분은, 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 범위의 입자 직경을 갖는다. (A) 나노 결정 자성분의 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, (A) 나노 결정 자성분의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 상기 입자 직경 분포로부터 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 자성분을 초음파에 의해 순수(純水) 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 마이크로트랙벨사 제조 「MT3000II」, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」, 시마즈 세사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 사용할 수 있다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 범위의 입자 직경을 갖는 (A) 나노 결정 자성분을 특정 범위의 양으로 포함한다. 구체적으로는, (A) 나노 결정 자성분의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 통상 23체적% 이상, 바람직하게는 25체적% 이상, 더욱 바람직하게는 28체적% 이상이고, 통상 60체적% 이하, 바람직하게는 50체적% 이하, 더욱 바람직하게는 40체적% 이하이다. 이러한 양의 (A) 나노 결정 자성분을 사용하는 경우에, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분은, 1보다 큰 비투자율을 갖는 자성 재료 입자일 수 있다. 이러한 자성 재료는, 통상은 무기 재료이고, 연자성 재료라도 좋고, 경자성 재료라도 좋다. 또한, 자성 재료는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, (A) 나노 결정 자성분의 편재화를 억제하는 관점에서, (A) 나노 결정 자성분에 포함되는 자성 재료로서는, 연자성 재료가 바람직하다.

(A) 나노 결정 자성분이 포함하는 자성 재료로서는, 예를 들면, 자성 금속 산화물, 자성 금속을 들 수 있다. 그 중에서도, (A) 나노 결정 자성분이 포함하는 자성 재료는 철(Fe)을 함유하는 것이 바람직하다. 따라서, (A) 나노 결정 자성분이 포함하는 자성 재료로서는, 결정성을 갖는 철 합금 자성 재료, 결정성을 갖는 페라이트 자성 재료 등을 들 수 있다. 본 발명의 효과를 현저하게 발휘하는 관점에서는, (A) 나노 결정 자성분이 포함하는 자성 재료는, Fe에 조합하여, Nb, Hf, Zr, Ta, Mo, W 및 V로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 추가로 함유하는 조성을 갖는 것이 바람직하다.

(A) 나노 결정 자성분에 포함되는 자성 재료의 바람직한 예로서는, 일본 공개특허공보 특개2021-158343호, 일본 공개특허공보 특개2021-141267호, 일본 공개특허공보 특개2019-31463호, 일본 공개특허공보 특개2021-11602호 등에 기재된 자성 재료를 들 수 있다.

상기 예 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, Fe-Si-Nb-B 합금분이 바람직하다. Fe-Si-Nb-B 합금분이란, Fe, Si, Nb 및 B를 함유하는 합금으로 형성된 자성분을 나타낸다.

(A) 나노 결정 자성분은, 상기 자성 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 자성 재료만을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (A) 나노 결정 자성분은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(A) 나노 결정 자성분은, 예를 들면, 아토마이즈법에 의해 제조할 수 있다. (A) 나노 결정 자성분의 제조방법의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 특개2021-141267호, 일본 공개특허공보 특개2021-158343호에 기재된 방법을 들 수 있다. 또한, (A) 나노 결정 자성분은 시판품을 사용해도 좋다. (A) 나노 결정 자성분을 포함하는 시판 자성분으로서는, 예를 들면, 엡손 아토믹스사 제조의 「KUAMET NC1-38um」, 「ATFINE-NC1 PF10FA」 등을 들 수 있다. 단, 시판 자성분은 일반적으로 입자 직경 분포가 넓고, 따라서 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하란 범위로부터 벗어난 입자 직경의 입자를 포함할 수 있다. 따라서, (A) 나노 결정 자성분을 시장에서 입수하는 경우, 필요에 따라서 시판 자성분을 분급하여 사용해도 좋다.

(A) 나노 결정 자성분은 구상인 것이 바람직하다. (A) 나노 결정 자성분의 입자의 장축의 길이를 단축의 길이로 나눈 값(종횡비)으로서는, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1.2 이하이고, 통상 1 이상, 바람직하게는 1보다 크고, 보다 바람직하게는 1.05 이상이다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, (A) 나노 결정 자성분의 양(체적%)을 「V(A)」로 나타내고, (B) 소경 자성분의 양(체적%)을 「V(B)」로 나타낸다. 이 경우, 수지 조성물에 포함되는 (A) 나노 결정 자성분과 (B) 소경 자성분의 체적비((A) 나노 결정 자성분/(B) 소경 자성분)는 「V(A)/V(B)」로 나타낼 수 있다. 상기 체적비 V(A)/V(B)는 통상 0.8 이상, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 1.2 이상, 특히 바람직하게는 1.4 이상이고, 통상 12 이하, 바람직하게는 8.4 이하, 보다 바람직하게는 7.0 이하, 더욱 바람직하게는 6.0 이하, 특히 바람직하게는 5.0 이하이다. 체적비 V(A)/V(B)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

또한, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 수지 조성물에 포함되는 (A) 나노 결정 자성분과 (B) 소경 자성분의 합계량(체적%)은 「V(A) + V(B)」로 나타낼 수 있다. 상기 합계량(체적%) V(A) + V(B)는 통상 28체적% 이상, 바람직하게는 34체적% 이상, 더욱 바람직하게는 38체적% 이상, 특히 바람직하게는 40체적% 이상이고, 바람직하게는 72체적% 이하, 보다 바람직하게는 68체적% 이하, 더욱 바람직하게는 64체적% 이하, 특히 바람직하게는 60체적% 이하이다. (A) 나노 결정 자성분과 (B) 소경 자성분의 합계량(체적%) V(A) + V(B)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물 중의 모든 자성분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 30체적% 이상, 보다 바람직하게는 40체적% 이상, 특히 바람직하게는 50체적% 이상이고, 바람직하게는 95체적% 이하, 보다 바람직하게는 90체적% 이하, 특히 바람직하게는 85체적% 이하이다. 자성분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물 중의 모든 자성분의 합계량 100체적%에 대하여, 바람직하게는 40체적% 이상, 보다 바람직하게는 50체적% 이상, 특히 바람직하게는 54체적% 이상이고, 예를 들면, 100체적% 이하, 90체적% 이하, 80체적% 이하 등일 수 있다. (A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 30질량% 이상, 더욱 바람직하게는 34질량% 이상, 특히 바람직하게는 38질량% 이상이고, 바람직하게는 60질량% 이하, 바람직하게는 56질량% 이하, 더욱 바람직하게는 52질량% 이하이다. (A) 나노 결정 자성분의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, (A) 나노 결정 자성분의 양(질량%)을 「M(A)」로 나타내고, (B) 소경 자성분의 양(질량%)을 「M(B)」로 나타낸다. 이 경우, 수지 조성물에 포함되는 (A) 나노 결정 자성분과 (B) 소경 자성분의 질량비((A) 나노 결정 자성분/(B) 소경 자성분)은 「M(A)/M(B)」로 나타낼 수 있다. 상기 질량비 M(A)/M(B)는, 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 1.2 이상, 특히 바람직하게는 1.4 이상이고, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 8 이하, 특히 바람직하게는 6 이하이다. 질량비 M(A)/M(B)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

또한, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 수지 조성물에 포함되는 (A) 나노 결정 자성분과 (B) 소경 자성분의 합계량(질량%)은 「M(A) + M(B)」로 나타낼 수 있다. 상기 합계량(질량%) M(A) + M(B)는, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 45질량% 이상, 더욱 바람직하게는 50질량% 이상, 특히 바람직하게는 53질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 특히 바람직하게는 70질량% 이하이다. 합계량(질량%) M(A) + M(B)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물 중의 모든 자성분의 합계량(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 바람직하게는 85질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이고, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 98질량% 이하, 특히 바람직하게는 97질량% 이하이다. 자성분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분의 합계량(질량%)은, 수지 조성물 중의 전체 자성분의 합계량 100질량%에 대하여, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 53질량% 이상, 특히 바람직하게는 55질량% 이상이고, 예를 들면, 100질량% 이하, 90질량% 이하, 80질량% 이하, 70질량% 이하 등일 수 있다. (A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

<제1 실시형태에 따른 (B) 소경 자성분>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, (B) 성분으로서, 특정 범위의 입자 직경을 갖는 (B) 소경 자성분을 포함한다. (B) 소경 자성분은 통상, 입자 상태로 수지 조성물에 포함된다. 이러한 (B) 소경 자성분은 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는다. (B) 소경 자성분의 입자 직경은 (A) 나노 결정 자성분의 입자 직경과 동일한 방법으로 측정할 수 있다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 범위의 입자 직경을 갖는 (B) 소경 자성분을 특정 범위의 양으로 포함한다. 구체적으로는, (B) 소경 자성분의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 통상 5체적% 이상, 바람직하게는 6체적% 이상, 더욱 바람직하게는 7체적% 이상이고, 통상 30체적% 이하, 바람직하게는 26체적% 이하, 더욱 바람직하게는 22체적% 이하이다. 이러한 양의 (B) 소경 자성분을 사용한 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 양호하게 할 수 있다.

(B) 소경 자성분은, 결정립을 포함하는 나노 결정 자성분이라도 좋고, 결정립을 포함하지 않는 아몰퍼스 자성분이라도 좋고, 나노 결정 자성분 이외의 결정 자성분이라도 좋고, 이들의 조합이라도 좋다. 나노 결정 자성분은, (A) 나노 결정 자성분 항에서 설명한 바와 같다. 다른 한편, 아몰퍼스 자성 재료는 비정질이므로, 통상, X선 회절 패턴에서는 결정성을 나타내는 특정의 피크를 나타내지 않는다. 일반적으로는, 아몰퍼스 자성분의 X선 회절 패턴에는 결정성을 나타내는 피크가 없는 넓은 패턴이 나타난다.

(B) 소경 자성분은, 1보다 큰 비투자율을 갖는 자성 재료 입자일 수 있다. 이러한 자성 재료는, 통상은 무기 재료이고, 연자성 재료라도 좋고, 경자성 재료라도 좋다. 또한, 자성 재료는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, (B) 소경 자성분의 편재화를 억제하는 관점에서, (B) 소경 자성분에 포함되는 자성 재료로서는 연자성 재료가 바람직하다.

(B) 소경 자성분이 포함하는 자성 재료로서는, 예를 들면, 자성 금속 산화물 재료, 자성 금속 재료를 들 수 있다.

자성 금속 산화물 재료로서는, 예를 들면, 페라이트계 자성 재료 및 산화철분(III), 사산화삼철분 등의 산화철 재료 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 페라이트계 자성 재료가 바람직하다. 페라이트계 자성 재료는 통상 산화철을 주성분으로 하는 복합 산화물이고, 화학적으로 안정되어 있다. 따라서, 페라이트계 자성 재료를 사용하는 경우, 내식성이 높고, 발화의 위험성이 낮고, 감자하기 어려운 등의 이점을 얻을 수 있다.

페라이트계 자성 재료로서는, 예를 들면, Fe-Mn계 페라이트, Fe-Mn-Mg계 페라이트, Fe-Mn-Mg-Sr계 페라이트, Fe-Mg-Zn계 페라이트, Fe-Mg-Sr계 페라이트, Fe-Zn-Mn계 페라이트, Fe-Cu-Zn계 페라이트, Fe-Ni-Zn계 페라이트, Fe-Ni-Zn-Cu계 페라이트, Fe-Ba-Zn계 페라이트, Fe-Ba-Mg계 페라이트, Fe-Ba-Ni계 페라이트, Fe-Ba-Co계 페라이트, Fe-Ba-Ni-Co계 페라이트, Fe-Y계 페라이트 등을 들 수 있다.

페라이트계 자성 재료 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, Mn, Zn, Ni 및 Cu로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 페라이트가 바람직하고, Mn을 포함하는 페라이트가 특히 바람직하다. 따라서, 바람직한 페라이트계 자성 재료로서는, 예를 들면, Fe-Mn계 페라이트, Fe-Mn-Mg계 페라이트, Fe-Mn-Mg-Sr계 페라이트, Fe-Mg-Zn계 페라이트, Fe-Zn-Mn계 페라이트, Fe-Cu-Zn계 페라이트, Fe-Ni-Zn계 페라이트, Fe-Ni-Zn-Cu계 페라이트, Fe-Ba-Zn계 페라이트, Fe-Ba-Ni계 페라이트, Fe-Ba-Ni-Co계 페라이트를 들 수 있다. 그 중에서도, Fe-Mn계 페라이트, Fe-Mn-Mg계 페라이트, Fe-Mn-Mg-Sr계 페라이트 및 Fe-Zn-Mn계 페라이트가 바람직하고, Fe-Mn계 페라이트가 특히 바람직하다. Fe-Mn 페라이트는 Fe 및 Mn을 함유하는 페라이트를 나타낸다.

자성 금속 재료로서는, 예를 들면, 순철; Fe-Si계 합금, Fe-Si-Al계 합금, Fe-Cr계 합금, Fe-Cr-Si계 합금, Fe-Ni-Cr계 합금, Fe-Cr-Al계 합금, Fe-Ni계 합금, Fe-Ni-B계 합금, Fe-Ni-Mo계 합금, Fe-Ni-Mo-Cu계 합금, Fe-Co계 합금, Fe-Ni-Co계 합금, Co기 아몰퍼스 합금 등의, 결정질 또는 비정질의 합금 자성 재료 등을 들 수 있다. 자성 금속 재료 중에서도 철 합금계 자성 재료가 보다 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, Fe과, Si, Cr, Al, Ni 및 Co로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 철 합금계 자성 재료가 바람직하고, Fe-Si-Cr계 합금이 특히 바람직하다. Fe-Si-Cr계 합금 재료는, Fe, Si 및 Cr을 함유하는 합금을 나타낸다.

(B) 소경 자성분이 포함하는 자성 재료로서, (A) 나노 결정 자성분의 자성 재료로서 설명한 자성 재료를 사용해도 좋다. (B) 소경 자성분이 포함하는 자성 재료와 (A) 나노 결정 자성분의 자성 재료는 동일해도 좋고, 달라도 좋다.

(B) 소경 자성분은, 상기 자성 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 자성 재료만을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (B) 소경 자성분은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(B) 소경 자성분으로서는 시판 자성분을 사용해도 좋다. 시판 자성분의 구체예로서는, 파우더테크사 제조 「MZ03S」, 「M05S」, 「M001」 「MZ05S」; 산요 토쿠슈 세코사 제조 「PST-S」; 엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08」, 「AW2-08PF20F」, 「AW2-08PF10F」, 「AW2-08PF3F」, 「Fe-3.5Si-4.5CrPF20F」, 「Fe-50NiPF20F」, 「Fe-80Ni-4MoPF20F」, 「ATFINE-NC1 PF5FA」, 「ATFINE-NC1 PF3FA」; JFE 케미컬사 제조 「CVD 철분(0.7㎛)」, 「LD-M」, 「LD-MH」, 「KNI-106」, 「KNI-106GSM」, 「KNI-106GS」, 「KNI-109」, 「KNI-109GSM」, 「KNI-109GS」; 토다 코교사 제조 「BSN-415」, 「BSF-547」, 「BSF-029」, 「BSN-125」, 「BSN-714」, 「BSN-828」, 「S-1281」, 「S-1641」, 「S-1651」, 「S-1470」, 「S-1511」, 「S-2430」; 닛폰 쥬카가쿠 코교사 제조 「JR09P2」; CIK 나노텍사 제조 「Nanotek」; 킨세이마텍사 제조 「JEMK-S」, 「JEMK-H」; ALDRICH사 제조 「Yttrium iron oxide」; DOWA 일렉트로닉스사 제조 「MA-RCO-5」 등을 들 수 있다. 단, 시판 자성분은 일반적으로 입자 직경 분포가 넓고, 따라서 2㎛ 이하란 범위에서 벗어난 입자 직경의 입자를 포함할 수 있다. 따라서, (B) 소경 자성분을 시장에서 입수하는 경우, 필요에 따라서 시판 자성분을 분급하여 사용해도 좋다.

(B) 소경 자성분은 구상인 것이 바람직하다. (B) 소경 자성분의 입자의 종횡비의 범위는 (A) 나노 결정 자성분의 종횡비의 범위와 동일할 수 있다. (B) 소경 자성분의 종횡비와 (A) 나노 결정 자성분의 종횡비는 동일해도 좋고, 달라도 좋다.

(B) 소경 자성분의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 7질량% 이상, 특히 바람직하게는 9질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 바람직하게는 35질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하이다. (B) 소경 자성분의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

<제1 실시형태에 따른 (C) 중간 자성분>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 임의의 성분으로서, (C) 자성분을 추가로 포함하고 있어도 좋다. (C) 성분으로서의 (C) 자성분은, 2㎛보다 크고 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 (A) 나노 결정 자성분 이외의 자성분을 나타낸다. 이러한 (C) 자성분을 「(C) 중간 자성분」이라고 말하는 경우가 있다. (C) 중간 자성분의 입자 직경은, (A) 나노 결정 자성분의 입자 직경과 동일한 방법으로 측정할 수 있다. (C) 중간 자성분에는 (A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분은 포함되지 않는다. 정리하면, 상기 (C) 중간 자성분에는 하기 (C1) 및 (C2)의 자성분이 포함된다.

(C1) 나노 결정 자성분이고, 또한, 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성분.

(C2) 나노 결정 자성분 이외의 자성분이고, 또한, 2㎛보다 크고 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분.

(C) 중간 자성분에 의하면, 수지 조성물 중의 자성분의 비율을 크게 할 수 있으므로, 수지 조성물의 경화물의 비투자율을 크게 할 수 있다. 통상, 자성분에 의하면 경화물의 자성 손실이 증대될 수 있지만, (C) 중간 자성분이 작은 입자 직경을 가지므로, 이의 자성 손실의 증대의 정도는 억제할 수 있다. 따라서, (C) 중간 자성분에 의하면 통상, 자성 손실의 증대를 억제하면서 비투자율을 향상시킬 수 있다.

(C) 중간 자성분은, 결정립을 포함하는 나노 결정 자성분이라도 좋고, 결정립을 포함하지 않는 아몰퍼스 자성분이라도 좋고, 나노 결정 자성분 이외의 결정 자성분이라도 좋고, 이들의 조합이라도 좋다. 상기 (C) 중간 자성분은, 1보다 큰 비투자율을 갖는 자성 재료 입자일 수 있다. (C) 중간 자성분이 포함하는 자성 재료로서는, (B) 소경 자성분의 자성 재료로서 설명한 자성 재료를 사용해도 좋다. (C) 중간 자성분이 포함하는 자성 재료와 (B) 소경 자성분의 자성 재료는, 동일해도 좋고, 달라도 좋다. (C) 중간 자성분은, 상기 자성 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 자성 재료만을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (C) 중간 자성분은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(C) 중간 자성분으로서는 시판 자성분을 사용해도 좋다. 시판 자성분의 구체예로서는, (B) 소경 자성분과 동일한 예를 들 수 있다. 단, 시판 자성분은 일반적으로 입자 직경 분포가 넓고, 따라서 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만이라는 범위 또는 2㎛보다 크고 20㎛ 이하라는 범위에서 벗어난 입자 직경의 입자를 포함할 수 있다. 따라서, (C) 중간 자성분을 시장에서 입수하는 경우, 필요에 따라서 시판 자성분을 분급하여 사용해도 좋다.

(C) 중간 자성분은 구상인 것이 바람직하다. (C) 중간 자성분의 입자의 종횡비의 범위는 (A) 나노 결정 자성분의 종횡비의 범위와 동일할 수 있다. (C) 중간 자성분의 종횡비와 (A) 나노 결정 자성분의 종횡비는, 동일해도 좋고, 달라도 좋다. 또한, (C) 중간 자성분의 종횡비와 (B) 소경 자성분의 종횡비는, 동일해도 좋고, 달라도 좋다.

(C) 중간 자성분의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 0체적%라도 좋고, 0체적%보다 커도 좋고, 바람직하게는 1체적% 이상, 보다 바람직하게는 3체적% 이상, 특히 바람직하게는 5체적% 이상이고, 바람직하게는 25체적% 이하, 보다 바람직하게는 15체적% 이하, 특히 바람직하게는 13체적% 이하이다. (C) 중간 자성분의 양(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, (C) 중간 자성분의 양(체적%)을 「V(C)」로 나타낸다. 이 경우, 수지 조성물에 포함되는 (A) 나노 결정 자성분과 (C) 중간 자성분의 체적비((C) 중간 자성분/(A) 나노 결정 자성분)는 「V(C)/V(A)」로 나타낼 수 있다. 이러한 체적비 V(C)/V(A)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상이고, 바람직하게는 1.0 이하, 보다 바람직하게는 0.9 이하, 특히 바람직하게는 0.8 이하이다. 체적비 V(C)/V(A)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

또한, 수지 조성물에 포함되는 (B) 소경 자성분과 (C) 중간 자성분의 체적비((C) 중간 자성분/(B) 소경 자성분)는 「V(C)/V(B)」로 나타낼 수 있다. 이러한 체적비 V(C)/V(B)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상이고, 바람직하게는 8 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 특히 바람직하게는 2 이하이다. 체적비 V(C)/V(B)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 30체적% 이상, 바람직하게는 40체적% 이상, 특히 바람직하게는 50체적% 이상이고, 바람직하게는 90체적% 이하, 보다 바람직하게는 80체적% 이하, 특히 바람직하게는 70체적% 이하이다. (A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물 중의 전체 자성분의 합계량 100체적%에 대하여, 바람직하게는 50체적% 이상, 보다 바람직하게는 60체적% 이상, 특히 바람직하게는 70체적% 이상이고, 통상 100체적% 이하이다. 상기 수치가 큰 것은, 수지 조성물 중의 입자 직경이 20㎛보다 큰 거대 자성분이 적은 것을 나타낸다. (A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(C) 중간 자성분의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 커도 좋고, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 35질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하이다. (C) 중간 자성분의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, (C) 중간 자성분의 양(질량%)을 「M(C)」로 나타낸다. 이 경우, 수지 조성물에 포함되는 (A) 나노 결정 자성분과 (C) 중간 자성분의 질량비((C) 중간 자성분/(A) 나노 결정 자성분)는 「M(C)/M(A)」로 나타낼 수 있다. 이러한 질량비 M(C)/M(A)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상이고, 바람직하게는 1.0 이하, 보다 바람직하게는 0.9 이하, 특히 바람직하게는 0.8 이하이다. 질량비 M(C)/M(A)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

또한, 수지 조성물에 포함되는 (B) 소경 자성분과 (C) 중간 자성분의 질량비((C) 중간 자성분/(B) 소경 자성분)는 「M(C)/M(B)」로 나타낼 수 있다. 상기 질량비 M(C)/M(B)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상이고, 바람직하게는 8 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 특히 바람직하게는 2 이하이다. 질량비 M(C)/M(B)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 40질량% 이상, 바람직하게는 50질량% 이상, 특히 바람직하게는 60질량% 이상이고, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 98질량% 이하이다. (A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(질량%)은, 수지 조성물 중의 전체 자성분의 합계량 100질량%에 대하여, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이고, 통상 100질량% 이하이다. 이러한 수치가 큰 것은, 수지 조성물 중의 입자 직경이 20㎛보다 큰 거대 자성분이 적은 것을 나타낸다. (A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

<제1 실시형태에 따른 (D) 열경화성 수지>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, (D) 성분으로서의 (D) 열경화성 수지를 포함한다. (D) 열경화성 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀계 수지, 티올계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트 에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지, 에폭시 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 또한, (D) 열경화성 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(D) 열경화성 수지는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지란 에폭시기를 갖는 수지를 의미한다. (D) 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는 경우, 수지 조성물의 도포성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한, 경화물의 비투자율 및 자성 손실을 특히 우수한 것으로 할 수 있다.

에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 글리시딜 에테르형 지방족 에폭시 수지, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

수지 조성물은, 에폭시 수지로서 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 양의 범위는, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.

에폭시 수지는 방향족 구조를 갖는 것이 바람직하다. 2종 이상의 에폭시 수지를 사용하는 경우, 1종류 이상의 에폭시 수지가 방향족 구조를 갖는 것이 바람직하다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다.

에폭시 수지에는, 온도 25℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음.)와, 온도 25℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음.)가 있다. 수지 조성물은, 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 또는 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다. 그 중에서도, 바람직하게는, 에폭시 수지는 액상 에폭시 수지만을 포함한다.

액상 에폭시 수지의 양의 범위는, 전체 에폭시 수지 100질량%에 대하여, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 80질량% 이상, 더욱 바람직하게는 90질량% 이상, 특히 바람직하게는 100질량%이다.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.

액상 에폭시 수지로서는, 글리시롤형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜 에테르형 지방족 에폭시 수지, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지, 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 글리시딜 에테르형 지방족 에폭시 수지 및 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지가 보다 바람직하다.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지(아데카글리시롤)), 「EP-3980S」(글리시딜 아민형 에폭시 수지), 「EP-4088S」(글리시딜 에테르형 지방족 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX-1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜 에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지), 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산) 등을 들 수 있다.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지, 페놀프탈레인형 에폭시 수지가 바람직하다.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200L」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌 에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3000FH」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN375」(디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YX4000HK」, 「YL7890」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(페놀 아르알킬형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「WHR991S」(페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

에폭시 수지로서, 고체상 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 액상 에폭시 수지에 대한 고체상 에폭시 수지의 질량비(고체상 에폭시 수지/액상 에폭시 수지)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1 이하, 보다 바람직하게는 0.5 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 이하, 보다 더 바람직하게는 0.05 이하, 특히 바람직하게는 0.01 이하이다.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 보다 더 바람직하게는 110g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당 수지의 질량이다. 상기 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.

에폭시 수지의 양(체적%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 2.5체적% 이상, 보다 바람직하게는 4.0체적% 이상, 특히 바람직하게는 4.5체적% 이상이고, 바람직하게는 10.0체적% 이하, 보다 바람직하게는 9.0체적% 이하, 특히 바람직하게는 8.0체적% 이하이다. 에폭시 수지의 양(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

에폭시 수지의 양(질량%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1.0질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. 에폭시 수지의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(D) 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는 경우, (D) 열경화성 수지는 에폭시 경화제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 에폭시 경화제는, 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시킬 수 있는 열경화성 수지를 나타낸다. 에폭시 경화제로서는, 예를 들면, 페놀계 수지, 카보디이미드계 수지, 산 무수물계 수지, 아민계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트 에스테르계 수지, 티올계 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 경화제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

페놀계 수지로서는, 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향환에 결합된 수산기를 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 수지를 사용할 수 있다. 페놀계 수지로서는, 비페닐형 수지, 나프탈렌형 수지, 페놀 노볼락형 수지, 나프틸렌 에테르형 수지, 트리아진 골격 함유 페놀계 수지가 바람직하다. 구체예로서는, 비페닐형 수지인 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」(메이와 카세이사 제조), 나프탈렌형 수지인 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」(닛폰 카야쿠사 제조), 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN375」, 「SN395」(신닛테츠 카가쿠사 제조), 「EXB9500」(DIC사 제조), 페놀 노볼락형 수지인 「TD2090」(DIC사 제조), 나프틸렌 에테르형 수지인 「EXB-6000」(DIC사 제조) 등을 들 수 있다. 트리아진 골격 함유 페놀계 수지의 구체예로서는, 「LA3018」, 「LA7052」, 「LA7054」, 「LA1356」(DIC사 제조) 등을 들 수 있다. 특히, 나프탈렌형 수지, 트리아진 골격 함유 페놀계 수지가 보다 적합하다.

카보디이미드계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 카보디이미드 구조를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 카보디이미드계 수지로서는, 예를 들면, 테트라메틸렌-비스(t-부틸카보디이미드), 사이클로헥산비스(메틸렌-t-부틸카보디이미드) 등의 지방족 비스카보디이미드; 페닐렌-비스(크실릴카보디이미드) 등의 방향족 비스카보디이미드 등의 비스카보디이미드; 폴리헥사메틸렌카보디이미드, 폴리트리메틸헥사메틸렌카보디이미드, 폴리사이클로헥실렌카보디이미드, 폴리(메틸렌비스사이클로헥실렌카보디이미드), 폴리(이소포론카보디이미드) 등의 지방족 폴리카보디이미드; 폴리(페닐렌카보디이미드), 폴리(나프틸렌카보디이미드), 폴리(톨릴렌카보디이미드), 폴리(메틸디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(트리에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(디에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(트리이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(크실릴렌카보디이미드), 폴리(테트라메틸크실릴렌카보디이미드), 폴리(메틸렌디페닐렌카보디이미드), 폴리[메틸렌비스(메틸페닐렌)카보디이미드] 등의 방향족 폴리카보디이미드 등의 폴리카보디이미드를 들 수 있다. 카보디이미드계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 닛신보 케미컬사 제조의 「카보디라이트 V-02B」, 「카보디라이트 V-03」, 「카보디라이트 V-04K」, 「카보디라이트 V-07」 및 「카보디라이트 V-09」; 라인 케미사 제조의 「스타바쿠졸 P」, 「스타바쿠졸 P400」, 「하이카딜 510」 등을 들 수 있다.

산 무수물계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 사용해도 좋고, 1분자내 중에 2개 이상의 산 무수물기를 갖는 수지가 바람직하다. 산 무수물계 수지의 구체예로서는, 예를 들면, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합된 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛폰 리카사 제조의 「HNA-100」, 「MH-700」, 「MTA-15」, 「DDSA」, 「OSA」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YH-306」, 「YH-307」, 히타치 카세이사 제조의 「HN-2200」, 「HN-5500」 등을 들 수 있다.

아민계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 아미노기를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 아민계 수지로서는, 예를 들면, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 수지는 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 수지의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 수지는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 세이카사 제조 「SEIKACURE-S」, 닛폰 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.

벤조옥사진계 수지의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」; 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a'」 등을 들 수 있다.

활성 에스테르계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 수지로서는, 페놀 에스테르류, 티오페놀 에스테르류, N-하이드록시아민 에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 수지가 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 수지는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.

구체적으로는, 활성 에스테르계 수지로서는, 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 수지, 나프탈렌 구조를 포함하는 나프탈렌형 활성 에스테르계 수지, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지가 바람직하다. 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 수지로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지가 바람직하다. 활성 에스테르계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」, 「HPC-8000L-65TM」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000H-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「HP-B-8151-62T」, 「HP-C-8151-62T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150-60T」, 「EXB-8150-62T」, 「EXB-9416-70BK」, 「HPC-8150-60T」, 「HPC-8150-62T」, 「EXB-8」(DIC사 제조); 인 함유 활성 에스테르계 수지로서, 「EXB9401」(DIC사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」, 「YLH1030」, 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조); 스티릴기 및 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「PC1300-02-65MA」(에어워터사 제조) 등을 들 수 있다.

시아네이트 에스테르계 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트 에스테르계 수지의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트 에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.

티올계 수지로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.

에폭시 경화제의 반응기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1,000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq., 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 반응기 당량은, 반응기 1당량당 에폭시 경화제의 질량을 나타낸다.

에폭시 경화제의 양의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다. 하한은, 예를 들면, 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 0.1질량% 이상 등일 수 있다.

(D) 열경화성 수지의 양(체적%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 2.5체적% 이상, 보다 바람직하게는 4.0체적% 이상, 특히 바람직하게는 4.5체적% 이상이고, 바람직하게는 10.0체적% 이하, 보다 바람직하게는 9.0체적% 이하, 특히 바람직하게는 8.0체적% 이하이다. (D) 열경화성 수지의 양(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(D) 열경화성 수지의 양(질량%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1.0질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. (D) 열경화성 수지의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(D) 열경화성 수지의 양의 범위는, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이고, 바람직하게는 100질량% 이하, 보다 바람직하게는 95질량% 이하, 특히 바람직하게는 90질량% 이하이다. (D) 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다. 수지 조성물의 수지 성분이란, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 중 자성분 등의 무기 충전재 이외의 성분을 나타낸다.

<제1 실시형태에 따른 (E) 경화 촉진제>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 임의의 성분으로서, (E) 경화 촉진제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. (E) 성분으로서의 (E) 경화 촉진제에는 상기 (A) 내지 (D) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다. (E) 경화 촉진제는 (D) 열경화성 수지의 반응의 촉매로서의 기능을 가지므로, 수지 조성물의 경화를 촉진할 수 있다. 예를 들면, (D) 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는 경우, (E) 경화 촉진제는, 바람직하게는 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 기능을 갖는다.

(E) 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 이미다졸계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 우레아계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (E) 경화 촉진제는, 이미다졸계 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. (E) 경화 촉진제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「1B2PZ」, 「2MZA-PW」, 「2PHZ-PW」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라부틸포스포늄클로라이드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄데카노에이트, 테트라부틸포스포늄라우레이트, 비스(테트라부틸포스포늄)피로멜리테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠헥사하이드로프탈레이트, 테트라부틸포스포늄 2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀레이트, 디-tert-부틸메틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 지방족 포스포늄염; 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 프로필트리페닐포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, p-톨릴트리페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라p-톨릴보레이트, 트리페닐에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(3-메틸페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(2-메톡시페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등의 방향족 포스포늄염; 트리페닐포스핀·트리페닐보란 등의 방향족 포스핀·보란 복합체; 트리페닐포스핀·p-벤조퀴논 부가 반응물 등의 방향족 포스핀·퀴논 부가 반응물; 트리부틸포스핀, 트리-tert-부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 디-tert-부틸(2-부테닐)포스핀, 디-tert-부틸(3-메틸-2-부테닐)포스핀, 트리사이클로헥실포스핀 등의 지방족 포스핀; 디부틸페닐포스핀, 디-tert-부틸페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 부틸디페닐포스핀, 디페닐사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리-p-톨릴포스핀, 트리스(4-에틸페닐)포스핀, 트리스(4-프로필페닐)포스핀, 트리스(4-이소프로필페닐)포스핀, 트리스(4-부틸페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부틸페닐)포스핀, 트리스(2,4-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸페닐)포스핀, 트리스(3,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,4,6-트리메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸-4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(2-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부톡시페닐)포스핀, 디페닐-2-피리딜포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,2-비스(디페닐포스피노)아세틸렌, 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐에테르 등의 방향족 포스핀 등을 들 수 있다.

우레아계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 1,1-디메틸요소; 1,1,3-트리메틸요소, 3-에틸-1,1-디메틸요소, 3-사이클로헥실-1,1-디메틸요소, 3-사이클로옥틸-1,1-디메틸요소 등의 지방족 디메틸우레아; 3-페닐-1,1-디메틸요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3-클로로-4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(2-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-이소프로필페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메톡시페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-니트로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-메톡시페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-클로로페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[3-(트리플루오로메틸)페닐]-1,1-디메틸요소, N,N-(1,4-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소), N,N-(4-메틸-1,3-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소)〔톨루엔비스디메틸우레아〕 등의 방향족 디메틸우레아 등을 들 수 있다.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 동(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 동 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있다. 아민계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 아지노모토 파인테크노사 제조의 「MY-25」 등을 들 수 있다.

(E) 경화 촉진제의 양(체적%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 0체적%라도 좋고, 0체적%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.1체적% 이상, 보다 바람직하게는 0.2체적% 이상, 특히 바람직하게는 0.3체적% 이상이고, 바람직하게는 2.0체적% 이하, 보다 바람직하게는 1.0체적% 이하, 특히 바람직하게는 0.7체적% 이하이다.

(E) 경화 촉진제의 양(질량%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이상이며, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다.

(E) 경화 촉진제의 양(질량%)의 범위는, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다.

<제1 실시형태에 따른 (F) 분산제>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 임의의 성분으로서, (F) 분산제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. (F) 성분으로서의 (F) 분산제에는 상기 (A) 내지 (E) 성분에 해당하는 것은 포함되지 않는다. (F) 분산제에 의하면, (A) 나노 결정 자성분, (B) 소경 자성분 및 (C) 중간 자성분 등의 자성분의 분산성을 높일 수 있다.

(F) 분산제의 종류에 제한은 없다. 예를 들면, (F) 분산제로서는, 자성분에 대하여 흡착능을 갖는 관능기를 함유하고, 또한, 자성분에 흡착된 경우에 (F) 분산제끼리의 반발(예를 들면, 정전 반발, 입체 반발 등)에 의해 자성분을 분산시키는 것을 사용할 수 있다. 이러한 (F) 분산제로서는, 예를 들면, 산성 분산제, 염기성 분산제 등을 들 수 있다.

산성 분산제는 통상, 카복실기, 설포기(-SO₃H), 황산기(-OSO₃H), 포스포노기(-PO(OH)₂), 포스포노옥시기(-OPO(OH)₂), 하이드록시포스포릴기(-PO(OH)-), 설파닐기(-SH) 등의 산성 관능기를 함유한다. 산성 관능기는 통상, 해리성 프로톤을 갖고 있고, 아민, 수산화물 이온 등의 염기에 의해 중화되어 있어도 좋다. 바람직한 산성 분산제로서는, 예를 들면, 폴리옥시알킬렌쇄, 폴리에테르쇄 등의 고분자쇄를 함유하는 산성 고분자 분산제를 들 수 있다. 산성 분산제의 바람직한 예로서는, 니치유사 제조의 「C-2093I」, 「SC-1015F(주쇄에 이온성 기, 그래프트쇄에 폴리옥시알킬렌쇄를 갖는 다관능 빗(櫛)형 기능성 폴리머); 구스모토 카세이사 제조의 「ED152」, 「ED153」, 「ED154」, 「ED118」, 「ED174」, 「ED251」, 「DA-375」(폴리에테르형 인산 에스테르계 분산제); 토호 카가쿠 코교사 제조 「포스파놀」 시리즈의 「RS-410」, 「RS-610」, 「RS-710」(pH는 1.9)(인산 에스테르계 분산제); 니치유사 제조 「마리아림」 시리즈의 「AKM-0531」, 「AFB-1521」, 「SC-0505K」, 「SC-0708A」를 들 수 있다.

염기성 분산제는 통상, 1급, 2급 및 3급 아미노기; 암모늄기; 이미노기; 및 피리딘, 피리미딘, 피라진, 이미다졸, 트리아졸 등의 함질소 헤테로환기 등의 염기성 관능기를 함유한다. 염기성 관능기는, 유기산, 무기산 등의 산에 의해 중화되어 있어도 좋다. 바람직한 염기성 분산제로서는, 예를 들면, 폴리에스테르쇄 등의 고분자쇄를 함유하는 염기성 고분자 분산제를 들 수 있다. 염기성 분산제의 바람직한 예로서는, 아지노모토 파인테크노사 제조의 「PB-881」(폴리에스테르쇄를 함유하는 분산제) 등을 들 수 있다.

(F) 분산제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(F) 분산제의 양(체적%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 0체적%라도 좋고, 0체적%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.3체적% 이상, 보다 바람직하게는 0.6체적% 이상, 특히 바람직하게는 1.2체적% 이상이고, 바람직하게는 6체적% 이하, 보다 바람직하게는 4체적% 이하, 특히 바람직하게는 3체적% 이하이다.

(F) 분산제의 양(질량%)의 범위는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다.

(F) 분산제의 양(질량%)의 범위는, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 많아도 좋고, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다.

<제1 실시형태에 따른 (G) 임의의 첨가제>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 성분에 조합하여, (G) 임의의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. (G) 임의의 첨가제로서는, 예를 들면, 과산화물계 라디칼 중합 개시제, 아조계 라디칼 중합 개시제 등의 라디칼 중합 개시제; 고무 입자 등의 유기 충전재; 유기 동 화합물, 유기 아연 화합물 등의 유기 금속 화합물; 하이드로퀴논, 카테콜, 피로갈롤, 페노티아진 등의 중합 금지제; 실리콘계 레벨링제, 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소 실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드 페놀계 산화 방지제, 힌더드 아민계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제; 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제; 인계 난연제(예를 들면, 인산 에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적인), 질소계 난연제(예를 들면, 황산 멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들면, 삼산화 안티몬) 등의 난연제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제 등을 들 수 있다. (G) 임의의 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

<제1 실시형태에 따른 (H) 용제>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (G) 성분 등의 불휘발 성분 이외에, 휘발성 성분으로서 임의의 (H) 용제를 추가로 포함할 수 있다.

(H) 용제로서는, 통상 유기 용제를 사용한다. 이러한 유기 용제로서는, 불휘발 성분에 포함되는 수지 성분을 용해 가능한 것이 바람직하다. 유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 메틸, 프로피온산 에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산 2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산 메틸 등의 에테르에스테르계 용제; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 2-하이드록시이소부티르산 메틸 등의 에스테르 알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카비톨) 등의 에테르알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. 또한, (H) 용제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.

(H) 용제의 양의 범위는, 페이스트상 수지 조성물로 하는 경우에는 적은 것이 바람직하다. 예를 들면, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, (H) 용제의 양은, 5.5질량% 이하, 4질량% 이하, 3질량% 이하, 2질량% 이하 또는 1질량% 이하일 수 있다. 그 중에서도, 수지 조성물이 (H) 용제를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 즉, (H) 용제의 양은 0질량%가 바람직하다. 수지 조성물 중의 (H) 용제의 함유량이 적은 경우 및 (H) 용제를 포함하지 않는 경우에는, (H) 용제의 휘발에 의한 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 또한 취급성, 작업성도 우수한 것으로 할 수 있다.

<제1 실시형태에 따른 수지 조성물의 특성>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은 열에 의해 경화될 수 있다. 따라서, 수지 조성물을 열경화시킴으로써, 수지 조성물의 경화물을 얻을 수 있다. 통상, 수지 조성물에 포함되는 성분 중 (H) 용제 등의 휘발성 성분은 열경화시의 열에 의해 휘발될 수 있지만, (A) 내지 (G) 성분과 같은 불휘발 성분은 열경화시의 열에 의해 휘발되지 않는다. 따라서, 수지 조성물의 경화물은, 수지 조성물의 불휘발 성분 또는 이의 반응 생성물을 포함할 수 있다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 비투자율 및 자성 손실이 개선된 경화물을 얻을 수 있다. 상세하게는, 상기 수지 조성물의 경화물은 저주파수대(예를 들면, 10MHz)에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 가질 수 있다.

일례에서, 수지 조성물의 경화물의 비투자율을 측정 주파수 10MHz, 실온 23℃의 조건으로 측정한 경우, 상기 비투자율의 범위는, 바람직하게는 25 이상, 보다 바람직하게는 30 이상, 특히 바람직하게는 35 이상이다. 상한은, 특단의 제한은 없고, 예를 들면, 80 이하, 75 이하, 70 이하 등일 수 있다. 수지 조성물의 경화물의 비투자율은, 후술하는 실시예의 <시험예 2: 비투자율의 측정 및 평가>에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.

일례에서, 수지 조성물의 경화물의 손실 계수(tanδ)를 측정 주파수 10MHz, 실온 23℃의 조건으로 측정한 경우, 상기 손실 계수의 범위는, 바람직하게는 0.13 이상, 보다 바람직하게는 0.10 이하, 특히 바람직하게는 0.07 이하이다. 하한은, 예를 들면, 0.000 이상, 0.001 이상 등일 수 있다. 일반적으로, 손실 계수(tanδ)가 작을 수록 자성 손실을 낮게 할 수 있다. 수지 조성물의 경화물의 손실 계수(tanδ)는 후술하는 실시예의 <시험예 3: 손실 계수(tanδ)의 측정 및 평가>에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은 우수한 도포성을 가질 수 있다. 상세하게는, 용제의 양이 적은 경우라도, 수지 조성물은 높은 유동성을 가질 수 있으므로, 원활한 도포가 가능하다. 따라서, 수지 조성물은, 바람직하게는 용제의 함유량을 작게 할 수 있고, 보다 바람직하게는 용제를 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 용제에 의한 보이드의 형성을 억제할 수 있으므로, 통상 기계적 강도 및 균일성이 우수한 경화물을 얻는 것이 가능하다.

수지 조성물의 성상에 특단의 제한은 없지만, 유동성을 갖는 페이스트상인 것이 바람직하다. 예를 들면, 수지 조성물은, 용제를 사용하여 페이스트상 수지 조성물로 해도 좋다. 또한, 예를 들면, 수지 조성물은, 액상 에폭시 수지 등의 액상 열경화성 수지를 사용함으로써, 용제를 포함하지 않는 페이스트상 수지 조성물로 해도 좋다. 수지 조성물 중의 용제의 함유량이 적은 경우 및 용제를 포함하지 않는 경우에는, 용제의 휘발에 의한 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 또한 취급성, 작업성도 우수한 것으로 할 수 있다.

상기 우수한 특성을 활용하여, 수지 조성물은, 인덕터 제조용 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 수지 조성물은, 회로 기판이 구비하는 기판의 홀에 충전되기 위한 홀 충전용 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들면, 상기 수지 조성물은, 회로 기판에 경화물 층을 형성하기 위해 사용하는 것도 바람직하다. 이러한 용도로의 적용을 용이하게 하기 위해, 수지 조성물은, 페이스트상 형태로 사용해도 좋고, 상기 수지 조성물의 층을 포함하는 수지 시트 형태로 사용해도 좋다.

<제1 실시형태에 따른 수지 조성물의 제조방법>

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 예를 들면, 상기 성분을 혼합하는 것을 포함하는 제조방법에 의해 제조해도 좋다. 상기 성분은, 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고, 차례로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서 온도를 적절히 조정해도 좋고, 따라서, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에서 교반 또는 진탕을 행하여도 좋다. 또한, 진공 하 등의 저압 조건 하에 탈포를 행하여도 좋다. 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은, 후술하는 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 제조방법에 의해 제조해도 좋다.

<제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 제조방법의 개요>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 제조방법은,

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,

(b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분과,

(D) 열경화성 수지를 혼합하는 것을 포함한다.

이하의 설명에서는 「(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분」을 「(a) 나노 결정 자성 원료분」이라고 말하는 경우가 있다. 또한, 「(b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분」을 「(b) 소경 자성 원료분」이라고 말하는 경우가 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조되는 수지 조성물은, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 동일한 효과를 발휘할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조되는 수지 조성물은, (D) 열경화성 수지가 열경화함으로써 경화하여 경화물을 제공할 수 있다. 이렇게 하여 얻어진 경화물은 저주파수대(예를 들면, 10MHz)에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 가질 수 있다. 또한, 상기 수지 조성물은 통상 우수한 도포성을 가질 수 있다.

평균 입자 직경의 범위로부터 알 수 있는 바와 같이, (a) 나노 결정 자성 원료분에는, 제1 실시형태에서 설명한 (A) 나노 결정 자성분이 포함되고, (b) 소경 자성 원료분에는, 제1 실시형태에서 설명한 (B) 소경 자성분이 포함될 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 효과가 얻어지는 메커니즘에는, 제1 실시형태에서 설명한 (A) 나노 결정 자성분 및 (B) 소경 자성분의 조합의 작용이 포함된다고 본 발명자는 추측한다. 단, 본 발명의 기술적 범위는, 여기에 설명한 메커니즘에 한정되는 것은 아니다.

<제2 실시형태에 따른 (a) 나노 결정 자성 원료분>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법은, (a) 성분으로서의 (a) 나노 결정 자성 원료분을 (b) 소경 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지와 혼합하는 것을 포함한다. (a) 나노 결정 자성 원료분은, 특정 범위의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분이다. 나노 결정 자성분의 범위는 제1 실시형태에서 설명한 바와 같다.

(a) 나노 결정 자성 원료분은 통상 입자 상태로 혼합에 제공된다. (a) 나노 결정 자성 원료분은, 이의 입자의 적어도 일부에 결정립을 포함하는 것이라도 좋고, 입자의 표층에 결정립을 포함하는 것이 바람직하고, 입자 전체에 결정립을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 결정립만으로 이루어진 것이 특히 바람직하다.

(a) 나노 결정 자성 원료분은, 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 범위로 평균 입자 직경 D₅₀을 갖는다. 보다 상세하게는, (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀은 통상 5.5㎛ 이상, 바람직하게는 5.7㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5.9㎛ 이상이고, 통상 20㎛ 이하, 바람직하게는 18㎛ 이하, 보다 바람직하게는 16㎛ 이하이다. 이러한 범위의 평균 입자 직경 D₅₀을 갖는 (a) 나노 결정 자성 원료분을 (b) 소경 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지와 혼합하는 것을 포함하는 제조방법에 의해, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 개선할 수 있고, 또한, 도포성이 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀은 체적 기준의 중간 직경을 나타낸다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, (a) 나노 결정 자성 원료분의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간 직경을 평균 입자 직경 D₅₀으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 자성분을 초음파에 의해 물에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 마이크로트랙벨사 제조 「MT3000II」, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」, 시마즈 세사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 사용할 수 있다.

통상, (a) 나노 결정 자성 원료분의 체적 기준의 입자 직경 분포는 정규 분포에 따른다. 따라서, (a) 나노 결정 자성 원료분은, 상기 (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀보다 작은 10% 입자 직경 D₁₀ 및 상기 (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀보다 큰 90% 입자 직경 D₉₀을 가질 수 있다. 여기서, 10% 입자 직경 D₁₀이란, 체적 기준의 입자 직경 분포에서, 입자 직경이 작은 측으로부터 누적된 체적의 적산량이 10%가 될 때의 입자 직경을 나타낸다. 또한, 90% 입자 직경 D₉₀이란, 체적 기준의 입자 직경 분포에서, 입자 직경이 작은 측으로부터 누적된 체적의 적산량이 90%가 될 때의 입자 직경을 나타낸다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀ 및 90% 입자 직경 D₉₀은, 상기 레이저 회절·산란법으로 측정된 체적 기준의 입자 직경 분포로부터 측정할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀은, 바람직하게는 2.0㎛보다도 크고, 보다 바람직하게는 2.4㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2.8㎛ 이상이다. 상한은, 평균 입자 직경 D₅₀ 이하이고, 예를 들면, 10㎛ 이하, 8㎛ 이하, 6㎛ 이하 등일 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분의 90% 입자 직경 D₉₀은, 바람직하게는 60㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 40㎛ 이하이다. 하한은, 평균 입자 직경 D₅₀ 이상이고, 예를 들면, 6㎛ 이상, 8㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 90% 입자 직경 D₉₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파 수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀과 90% 입자 직경 D₉₀의 차이 D₉₀ - D₁₀ 은, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 5㎛ 이상이고, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 35㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 차이 D₉₀ - D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀과 90% 입자 직경 D₉₀의 비D₉₀/D₁₀은, 바람직하게는 1.1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상, 특히 바람직하게는 3 이상이고, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 8 이하, 특히 바람직하게는 6 이하이다. 비 D₉₀/D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분은, 1보다 큰 비투자율을 갖는 자성 재료 입자일 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분이 포함하는 자성 재료로서는, (A) 나노 결정 자성분의 자성 재료로서 설명한 자성 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

(a) 나노 결정 자성 원료분은, 상기 자성 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 자성 재료만을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (a) 나노 결정 자성 원료분은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(a) 나노 결정 자성 원료분은, 예를 들면, 아토마이즈법에 의해 제조할 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 제조방법의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 특개2021-141267호, 일본 공개특허공보 특개2021-158343호에 기재된 방법을 들 수 있다. 또한, (a) 나노 결정 자성 원료분은 시판품을 사용해도 좋다. (a) 나노 결정 자성 원료분을 포함하는 시판 자성분으로서는, 예를 들면, 엡손 아토믹스사 제조의 「KUAMET NC1-38um」, 「ATFINE-NC1 PF10FA」 등을 들 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분을 시장에서 입수하는 경우, 필요에 따라서, 시판 자성분을 분급하여 사용해도 좋다. 예를 들면, 상기 범위로 평균 입자 직경 D₅₀을 갖지 않는 시판 자성분을 분급하고, 평균 입자 직경 D₅₀의 값을 적절히 조정하여 사용해도 좋다.

(a) 나노 결정 자성 원료분은 구상인 것이 바람직하다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 입자의 종횡비는, (A) 나노 결정 자성분의 종횡비의 범위와 동일할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (a) 나노 결정 자성 원료분의 양(체적%)은, 제조되는 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 30체적% 이상, 보다 바람직하게는 40체적% 이상, 특히 바람직하게는 50체적% 이상이고, 바람직하게는 80체적% 이하, 보다 바람직하게는 75체적% 이하, 특히 바람직하게는 70체적% 이하이다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 양(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, (a) 나노 결정 자성 원료분의 양(체적%)을 「V(a)」로 나타내고, (b) 소경 자성 원료분의 양(체적%)을 「V(b)」로 나타낸다. 이 경우, (a) 나노 결정 자성 원료분과 (b) 소경 자성 원료분의 체적비((a) 나노 결정 자성 원료분/(b) 소경 자성 원료분)은 「V(a)/V(b)」로 나타낼 수 있다. 상기 체적비 V(a)/V(b)는, 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 더욱 바람직하게는 2.0 이상, 특히 바람직하게는 2.5 이상이고, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 16 이하, 더욱 바람직하게는 12 이하, 특히 바람직하게는 8 이하이다. 체적비 V(a)/V(b)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

또한, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, (a) 나노 결정 자성 원료분과 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(체적%)은 「V(a) + V(b)」로 나타낼 수 있다. 상기 합계량(체적%) V(a) + V(b)는, 바람직하게는 40체적% 이상, 보다 바람직하게는 50체적% 이상, 특히 바람직하게는 60체적% 이상이고, 바람직하게는 90체적% 이하, 보다 바람직하게는 86체적% 이하, 특히 바람직하게는 82체적% 이하이다. (a) 나노 결정 자성 원료분과 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(체적%) V(a) + V(b)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

수지 조성물의 제조를 위해 혼합되는 전체 자성분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 40체적% 이상, 보다 바람직하게는 50체적% 이상, 특히 바람직하게는 60체적% 이상이고, 바람직하게는 95체적% 이하, 보다 바람직하게는 90체적% 이하, 특히 바람직하게는 85체적% 이하이다. 자성분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분 및 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물의 제조를 위해 혼합되는 전체 자성분의 합계량 100체적%에 대하여, 바람직하게는 80체적% 이상, 보다 바람직하게는 85체적% 이상, 특히 바람직하게는 90체적% 이상이고, 예를 들면, 100체적% 이하, 98체적% 이하, 95체적% 이하 등일 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분 및 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (a) 나노 결정 자성 원료분의 양(질량%)은, 제조되는 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 86질량% 이하, 특히 바람직하게는 82질량% 이하이다. (a) 나노 결정 자성 원료분의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, (a) 나노 결정 자성 원료분의 양(질량%)을 「M(a)」로 나타내고, (b) 소경 자성 원료분의 양(질량%)을 「M(b)」로 나타낸다. 이 경우, (a) 나노 결정 자성 원료분과 (b) 소경 자성 원료분의 질량비((a) 나노 결정 자성 원료분/(b) 소경 자성 원료분)은 「M(a)/M(b)」로 나타낼 수 있다. 상기 질량비 M(a)/M(b)는, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상, 더욱 바람직하게는 3 이상이고, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 15 이하, 더욱 바람직하게는 10 이하이다. 질량비 M(a)/M(b)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

또한, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, (a) 나노 결정 자성 원료분과 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(질량%)은 「M(a) + M(b)」로 나타낼 수 있다. 상기 합계량(질량%) M(a) + M(b)는, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 80질량% 이상이고, 바람직하게는 98질량% 이하, 보다 바람직하게는 97질량% 이하, 특히 바람직하게는 96질량% 이하이다. (a) 나노 결정 자성 원료분과 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(질량%) M(a) + M(b)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

수지 조성물의 제조를 위해 혼합되는 전체 자성분의 합계량(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 바람직하게는 85질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이고, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 98질량% 이하, 특히 바람직하게는 97질량% 이하이다. 자성분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분 및 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(질량%)은, 수지 수지 조성물의 제조를 위해 혼합되는 전체 자성분의 합계량 100질량%에 대하여, 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 바람직하게는 85질량% 이상, 특히 바람직하게는 89.8질량% 이상이고, 예를 들면, 100질량% 이하, 98질량% 이하, 95질량% 이하 등일 수 있다. (a) 나노 결정 자성 원료분 및 (b) 소경 자성 원료분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (b) 소경 자성 원료분>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 수지 조성물은, (b) 성분으로서의 (b) 소경 자성 원료분을 (a) 나노 결정 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지와 혼합하는 것을 포함한다. (b) 소경 자성 원료분은 통상 입자 상태로 혼합에 제공된다.

(b) 소경 자성 원료분은 2㎛ 이하의 평균 입자 직경 D₅₀을 갖는다. 구체적으로는, (b) 소경 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀은, 통상 2㎛ 이하, 바람직하게는 1.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하이다. 하한은, 예를 들면, 0.01㎛ 이상, 0.1㎛ 이상 등일 수 있다. 이러한 범위의 평균 입자 직경 D₅₀을 갖는 (b) 소경 자성 원료분을 (a) 나노 결정 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지와 혼합하는 것을 포함하는 제조방법에 의해, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 개선할 수 있고, 또한, 도포성이 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다. (b) 소경 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀은 체적 기준의 중간 직경을 나타내고, (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀과 동일한 방법에 의해 측정할 수 있다.

통상, (b) 소경 자성 원료분의 체적 기준의 입자 직경 분포는 정규 분포에 따른다. 따라서, (b) 소경 자성 원료분은, 상기 (b) 소경 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀보다 작은 10% 입자 직경 D₁₀ 및 상기 (b) 소경 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀보다 큰 90% 입자 직경 D₉₀을 가질 수 있다. (b) 소경 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀ 및 90% 입자 직경 D₉₀은, (a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀ 및 90% 입자 직경 D₉₀과 동일한 방법으로 측정할 수 있다.

(b) 소경 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.02㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.03㎛ 이상이다. 상한은, 평균 입자 직경 D₅₀ 이하이고, 예를 들면, 1㎛ 이하, 0.7㎛ 이하, 0.5㎛ 이하 등일 수 있다. (b) 소경 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(b) 소경 자성 원료분의 90% 입자 직경 D₉₀은, 바람직하게는 5.5㎛ 미만, 보다 바람직하게는 4㎛ 이하, 특히 바람직하게는 2㎛ 이하이다. 하한은, 평균 입자 직경 D₅₀ 이상이고, 예를 들면, 0.5㎛ 이상, 0.8㎛ 이상, 1㎛ 이상 등일 수 있다. (b) 소경 자성 원료분의 90% 입자 직경 D₉₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(b) 소경 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀과 90% 입자 직경 D₉₀ 과의 차이 D₉₀ - D₁₀ 은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.5㎛ 이상이고, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 4㎛ 이하, 특히 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 차이 D₉₀ - D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(b) 소경 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀과 90% 입자 직경 D₉₀의 비 D₉₀/D₁₀은, 바람직하게는 1.1 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 특히 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 50 이하, 보다 바람직하게는 40 이하, 특히 바람직하게는 30 이하이다. 비 D₉₀/D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(b) 소경 자성 원료분은, 나노 결정 자성분이라도 좋고, 아몰퍼스 자성분이라도 좋고, 나노 결정 자성분 이외의 결정 자성분이라도 좋고, 이들을 조합해도 좋다.

(b) 소경 자성 원료분은, 1보다 큰 비투자율을 갖는 자성 재료 입자일 수 있다. (b) 소경 자성 원료분이 포함하는 자성 재료로서는, (B) 소경 자성분의 자성 재료로서 설명한 자성 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

(b) 소경 자성 원료분은, 상기 자성 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 자성 재료만을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (b) 소경 자성 원료분은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(b) 소경 자성 원료분으로서는 시판 자성분을 사용해도 좋다. 시판 자성분의 구체예로서는 (B) 소경 자성분과 동일한 예를 들 수 있다. (b) 소경 자성 원료분을 시장에서 입수하는 경우, 필요에 따라서, 시판 자성분을 분급하여 사용해도 좋다. 예를 들면, 상기 범위에 평균 입자 직경 D₅₀을 갖지 않는 시판 자성분을 분급하고, 평균 입자 직경 D₅₀의 값을 적절히 조정하여 사용해도 좋다.

(b) 소경 자성 원료분은 구상인 것이 바람직하다. (b) 소경 자성 원료분의 입자의 종횡비의 범위는 (B) 소경 자성분의 종횡비의 범위와 동일할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (b) 소경 자성 원료분의 양(체적%)은, 제조되는 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 5체적% 이상, 보다 바람직하게는 6체적% 이상, 특히 바람직하게는 7체적% 이상이고, 바람직하게는 50체적% 이하, 보다 바람직하게는 40체적% 이하, 특히 바람직하게는 30체적% 이하이다. (b) 소경 자성 원료분의 양(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (b) 소경 자성 원료분의 양(질량%)은, 제조되는 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 6질량% 이상, 특히 바람직하게는 7질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하이다. (b) 소경 자성 원료분의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (c) 중간 자성 원료분>

본 발명의 제2 실시형태에 다른 제조방법은, (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지에 조합하여, 임의의 성분으로서 추가로 (c) 자성분을 추가로 혼합하는 것을 포함하고 있어도 좋다. (c) 성분으로서의 (c) 자성분은, 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분을 나타낸다. 이러한 (c) 자성분을 「(c) 중간 자성 원료분」이라고 말하는 경우가 있다. (c) 중간 자성 원료분에는, (a) 나노 결정 자성 원료분 및 (b) 소경 자성 원료분은 포함되지 않는다. 정리하면, 상기 (c) 중간 자성 원료분에는 하기 (c1) 및 (c2)의 자성분이 포함된다.

(c1) 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분.

(c2) 나노 결정 자성분 이외의 자성분으로서, 2㎛보다 크고 또한 (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분.

평균 입자 직경의 범위로부터 알 수 있는 바와 같이, (c) 중간 자성 원료분에는 제1 실시형태에서 설명한 (C) 중간 자성분이 포함될 수 있다. 따라서, (c) 중간 자성 원료분에 의하면 통상, (C) 중간 자성분과 마찬가지로, 자성 손실의 증대를 억제하면서 비투자율을 향상시킬 수 있다.

(c) 중간 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀은 구체적으로는, 통상 2㎛보다 크고, 바람직하게는 2.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 통상 (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 미만, 바람직하게는 5.5㎛ 미만, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 이와 같은 범위의 평균 입자 직경 D₅₀을 갖는 (c) 중간 자성 원료분을 사용하는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다. (c) 중간 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀ 은 체적 기준의 중간 직경을 나타내고, (a) 나노 결정 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀과 동일한 방법에 의해 측정할 수 있다.

통상, (c) 중간 자성 원료분의 체적 기준의 입자 직경 분포는 정규 분포에 따른다. 따라서, (c) 중간 자성 원료분은, 상기 (c) 중간 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀보다 작은 10% 입자 직경 D₁₀ 및 상기 (c) 중간 자성 원료분의 평균 입자 직경 D₅₀보다 큰 90% 입자 직경 D₉₀을 가질 수 있다. (c) 중간 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀ 및 90% 입자 직경 D₉₀은, (a) 나노 결정 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀ 및 90% 입자 직경 D₉₀과 동일한 방법으로 측정할 수 있다.

(c) 중간 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀은, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1.3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 1.5㎛ 이상이다. 상한은, 평균 입자 직경 D₅₀ 이하이고, 예를 들면, 5㎛ 이하, 4㎛ 이하, 3㎛ 이하 등일 수 있다. (c) 중간 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(c) 중간 자성 원료분의 90% 입자 직경 D₉₀은, 바람직하게는 10㎛ 미만, 보다 바람직하게는 9㎛ 이하, 특히 바람직하게는 8㎛ 이하이다. 하한은, 평균 입자 직경 D₅₀ 이상이고, 예를 들면, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상 등일 수 있다. (c) 중간 자성 원료분의 90% 입자 직경 D₉₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(c) 중간 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀과 90% 입자 직경 D₉₀과의 차이 D₉₀ - D₁₀은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2㎛ 이상이고, 바람직하게는 9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 차이 D₉₀ - D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(c) 중간 자성 원료분의 10% 입자 직경 D₁₀과 90% 입자 직경 D₉₀의 비 D₉₀/D₁₀은, 바람직하게는 1.1 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 특히 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 8 이하, 특히 바람직하게는 6 이하이다. 비 D₉₀/D₁₀이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(c) 중간 자성 원료분은, 나노 결정 자성분이라도 좋고, 아몰퍼스 자성분이라도 좋고, 나노 결정 자성분 이외의 결정 자성분이라도 좋고, 이들을 조합해도 좋다. (c) 중간 자성 원료분은, 1보다 큰 비투자율을 갖는 자성 재료 입자일 수 있다. (c) 중간 자성 원료분이 포함하는 자성 재료로서는, (C) 중간 자성분의 자성 재료로서 설명한 자성 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

(c) 중간 자성 원료분은, 상기 자성 재료를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 자성 재료만을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (c) 중간 자성 원료분은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(c) 중간 자성 원료분으로서는 시판 자성분을 사용해도 좋다. 시판 자성분의 구체예로서는 (C) 중간 자성분과 동일한 예를 들 수 있다. (c) 중간 자성 원료분을 시장에서 입수하는 경우, 필요에 따라서, 시판 자성분을 분급하여 사용해도 좋다. 예를 들면, 상기 범위로 평균 입자 직경 D₅₀을 갖지 않는 시판 자성분을 분급하고, 평균 입자 직경 D₅₀의 값을 적절히 조정하여 사용해도 좋다.

(c) 중간 자성 원료분은 구상인 것이 바람직하다. (c) 중간 자성 원료분의 입자의 종횡비의 범위는, (C) 중간 자성분의 종횡비의 범위와 동일할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (c) 중간 자성 원료분의 양(체적%)은, 제조되는 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 0체적%라도 좋고, 0체적%보다 커도 좋고, 바람직하게는 1체적% 이상, 보다 바람직하게는 3체적% 이상, 특히 바람직하게는 5체적% 이상이고, 바람직하게는 34체적% 이하, 보다 바람직하게는 30체적% 이하, 특히 바람직하게는 20체적% 이하이다. (c) 중간 자성 원료분의 양(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, (c) 중간 자성 원료분의 양(체적%)을 「V(c)」로 나타낸다. 이 경우, (a) 나노 결정 자성 원료분과 (c) 중간 자성 원료분의 체적비((c) 중간 자성 원료분/(a) 나노 결정 자성 원료분)은 「V(c)/V(a)」로 나타낼 수 있다. 상기 체적비 V(c)/V(a)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상, 특히 바람직하게는 0.1 이상이고, 바람직하게는 0.8 이하, 보다 바람직하게는 0.6 이하, 특히 바람직하게는 0.4 이하이다. 체적비 V(c)/V(a)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

또한, 수지 조성물에 포함되는 (b) 소경 자성 원료분과 (c) 중간 자성 원료분의 체적비((c) 중간 자성 원료분/(b) 소경 자성 원료분)는 「V(c)/V(b)」로 나타낼 수 있다. 상기 체적비 V(c)/V(b)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상, 특히 바람직하게는 0.2 이상이고, 바람직하게는 9 이하, 보다 바람직하게는 7 이하, 특히 바람직하게는 5 이하이다. 체적비 V(c)/V(b)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 40체적% 이상, 보다 바람직하게는 50체적% 이상, 특히 바람직하게는 60체적% 이상이고, 바람직하게는 95체적% 이하, 보다 바람직하게는 90체적% 이하, 특히 바람직하게는 85체적% 이하이다. (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(체적%)은, 수지 조성물의 제조를 위해 혼합되는 전체 자성분의 합계량 100체적%에 대하여, 바람직하게는 90체적% 이상, 보다 바람직하게는 94체적% 이상, 특히 바람직하게는 98체적% 이상이고, 통상 100체적% 이하이다. 상기 수치가 큰 것은 평균 입자 직경이 20㎛보다 큰 거대 자성분이 적은 것을 나타낸다. (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(체적%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (c) 중간 자성 원료분의 양(질량%)은, 제조되는 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 0질량%라도 좋고, 0질량%보다 커도 좋고, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 45질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 15질량% 이하이다. (c) 중간 자성 원료분의 양(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, (c) 중간 자성 원료분의 양(질량%)을 「M(c)」로 나타낸다. 이 경우, (a) 나노 결정 자성 원료분과 (c) 중간 자성 원료분의 질량비((c) 중간 자성 원료분/(a) 나노 결정 자성 원료분)는 「M(c)/M(a)」로 나타낼 수 있다. 상기 질량비 M(c)/M(a)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상, 특히 바람직하게는 0.1 이상이고, 바람직하게는 0.8 이하, 보다 바람직하게는 0.6 이하, 특히 바람직하게는 0.4 이하이다. 질량비 M(c)/M(a)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

또한, 수지 조성물에 포함되는 (b) 소경 자성 원료분과 (c) 중간 자성 원료분의 질량비((c) 중간 자성 원료분/(b) 소경 자성 원료분)는 「M(c)/M(b)」로 나타낼 수 있다. 상기 질량비 M(c)/M(b)는, 0이라도 좋고, 0보다 커도 좋고, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상, 특히 바람직하게는 0.2 이상이고, 바람직하게는 9 이하, 보다 바람직하게는 7 이하, 특히 바람직하게는 5 이하이다. 질량비 M(c)/M(b)가 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 도포성이 특히 우수한 수지 조성물을 제조할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 바람직하게는 85질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이고, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 98질량% 이하, 특히 바람직하게는 97질량% 이하이다. (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

(a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(질량%)은, 수지 수지 조성물의 제조를 위해 혼합되는 전체 자성분의 합계량 100질량%에 대하여, 바람직하게는 90질량% 이상, 보다 바람직하게는 94질량% 이상, 특히 바람직하게는 98질량% 이상이고, 통상 100질량% 이하이다. 상기 수치가 큰 것은 평균 입자 직경이 20㎛보다 큰 거대 자성분이 적은 것을 나타낸다. (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (c) 중간 자성 원료분의 합계량(질량%)이 상기 범위에 있는 경우, 저주파수대에서 비투자율 및 자성 손실 양쪽을 효과적으로 개선할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 도포성을 더욱 양호하게 할 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (D) 열경화성 수지>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법은, (D) 성분으로서의 (D) 열경화성 수지를 (a) 나노 결정 자성 원료분 및 (b) 소경 자성 원료분과 혼합하는 것을 포함한다. 제2 실시형태에 따른 (D) 열경화성 수지로서는, 제1 실시형태에 따른 (D) 열경화성 수지와 동일한 것을 사용할 수 있다. 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (D) 열경화성 수지의 양의 범위는 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 범위일 수 있다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 제조방법에서, 예를 들면, 액상 에폭시 수지의 양, 에폭시 수지의 양 및 (D) 열경화성 수지의 양의 범위는, 제1 실시형태에서 설명한 범위와 동일할 수 있고, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (E) 경화 촉진제>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서는, 상기 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서 (E) 경화 촉진제를 추가로 혼합해도 좋다. 제2 실시형태에 따른 (E) 성분으로서의 (E) 경화 촉진제로서는, 제1 실시형태에 따른 (E) 경화 촉진제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (E) 경화 촉진제의 양의 범위는 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 범위일 수 있다. (E) 경화 촉진제에 의하면, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (F) 분산제>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서는, 상기 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서 (F) 분산제를 추가로 혼합해도 좋다. 제2 실시형태에 따른 (F) 성분으로서의 (F) 분산제로서는, 제1 실시형태에 따른 (F) 분산제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (F) 분산제의 양의 범위는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 범위일 수 있다. (F) 분산제에 의하면, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (G) 임의의 첨가제>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에서는, 상기 성분에 조합하여, (G) 임의의 첨가제를 추가로 혼합해도 좋다. 제2 실시형태에 따른 (G) 임의의 첨가제로서는, 제1 실시형태에 따른 (G) 임의의 첨가제와 동일한 것을 사용할 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 (H) 용제>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (a) 내지 (c) 성분 및 (D) 내지 (G) 성분 등의 불휘발 성분 이외에, 휘발성 성분으로서 임의의 (H) 용제를 추가로 포함할 수 있다. 제2 실시형태에 따른 (H) 용제로서는, 제1 실시형태에 따른 (H) 용제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 또한, 제2 실시형태에 따른 제조방법에서 사용하는 (H) 용제의 양의 범위는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 범위일 수 있다.

<제2 실시형태에 따른 제조방법의 조작>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법은, 상기 (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지를 혼합하는 것을 포함한다. 또한, 필요에 따라서, (c) 중간 자성 원료분, (E) 경화 촉진제, (F) 분산제, (G) 임의의 첨가제 및 (H) 용제 등의 임의의 성분의 일부 및 전부를, (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지에 조합하여 혼합해도 좋다.

상기 성분은, 이의 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고, 차례로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서 온도를 적절히 설정해도 좋다. 따라서, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에서 교반 또는 진탕을 행하여도 좋다. 또한, 진공 하 등의 저압 조건 하에 탈포를 행하여도 좋다.

<제2 실시형태에 따른 제조방법에 의해 제조되는 수지 조성물>

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에 의해 제조되는 수지 조성물은, 혼합된 상기 성분을 포함할 수 있다. 따라서, 수지 조성물은, (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분 및 (D) 열경화성 수지를 포함하고, 필요에 따라서 (c) 중간 자성 원료분, (E) 경화 촉진제, (F) 분산제, (G) 임의의 첨가제 및 (H) 용제를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 수지 조성물은, 상기 각 성분을 이들의 혼합된 양으로 포함할 수 있다. 따라서, 수지 조성물에 포함되는 (a) 나노 결정 자성 원료분, (b) 소경 자성 원료분, (c) 중간 자성 원료분, (D) 열경화성 수지, (E) 경화 촉진제, (F) 분산제, (G) 임의의 첨가제 및 (H) 용제의 양의 범위는 상기한 바와 같을 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법에 의해, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물을 제조해도 좋다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물은 열에 의해 경화될 수 있다. 따라서, 수지 조성물을 열경화시킴으로써, 수지 조성물의 경화물을 얻을 수 있다. 통상, 수지 조성물에 포함되는 성분 중 (H) 용제 등의 휘발성 성분은 열경화시의 열에 의해 휘발될 수 있지만, (a) 내지 (c) 성분 및 (D) 내지 (G) 성분과 같은 불휘발 성분은 열경화시의 열에 의해서는 휘발되지 않는다. 따라서, 수지 조성물의 경화물은, 수지 조성물의 불휘발 성분 또는 이의 반응 생성물을 포함할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물에 의하면, 비투자율 및 자성 손실이 개선된 경화물을 얻을 수 있다. 상세하게는, 상기 수지 조성물의 경화물은, 저주파수대(예를 들면, 10MHz)에서 높은 비투자율과 낮은 자성 손실을 가질 수 있다. 일례에서, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물의 경화물의 비투자율의 범위는, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물의 비투자율과 동일한 범위에 있을 수 있다. 또한, 일례에서, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물의 경화물의 손실 계수의 범위는, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물의 손실 계수와 동일한 범위에 있을 수 있다. 비투자율 및 손실 계수는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 방법으로 측정할 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물은, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 마찬가지로 우수한 도포성을 가질 수 있다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물의 성상에 특단의 제한은 없지만, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 마찬가지로, 유동성을 갖는 페이스트상인 것이 바람직하다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물은, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 동일한 이점을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물은, 예를 들면, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 동일한 용도로 사용할 수 있다.

<제3 실시형태에 따른 수지 시트>

본 발명의 제3 실시형태에 따른 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 상에 형성된 수지 조성물 층을 구비한다. 수지 조성물 층은, 수지 조성물을 포함하고, 바람직하게는 수지 조성물만을 포함한다. 상기 수지 조성물로서는, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 및 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물 중 한쪽 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.

수지 조성물 층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 250㎛ 이하, 보다 바람직하게는 200㎛ 이하이다. 수지 조성물 층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료의 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료의 필름, 금속박이 바람직하다.

지지체로서 플라스틱 재료의 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴 폴리머, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸 셀룰로오스(TAC), 폴리에테르 설파이드(PES), 폴리에테르 케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 특히 바람직하다.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동과 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.

지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리 등의 표면 처리를 실시해도 좋다.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드계 이형제, 폴리올레핀계 이형제, 우레탄계 이형제 및 실리콘계 이형제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 실리콘계 이형제 또는 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인 린텍사 제조의 「PET501010」, 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」; 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.

지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.

수지 시트에서, 수지 조성물 층의 지지체와 접합되어 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 제공되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지의 부착 및 흠집을 억제할 수 있다.

수지 시트는, 예를 들면, 수지 조성물을 지지체 상에 도포하는 공정을 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다. 수지 시트의 제조방법은, 제1 실시형태 또는 제2 실시형태에서 설명한 제조방법에 의해 수지 조성물을 제조하는 공정과, 상기 수지 조성물을 지지체 상에 도포하는 공정을 포함하는 제조방법에 의해 제조해도 좋다. 수지 조성물의 도포는, 예를 들면, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 행할 수 있다. 수지 조성물의 도포에 의해 지지체 상에 수지 조성물 층을 형성할 수 있으므로, 수지 시트를 얻을 수 있다.

필요에 따라, 수지 조성물에 유기 용제를 혼합하고 나서 지지체 상에 도포해도 좋다. 유기 용제로서는, 예를 들면, 제1 실시형태에서 설명한 (H) 용제를 사용할 수 있다. 유기 용제를 사용하는 경우, 필요에 따라서 도포 후에 건조를 행하여도 좋다. 건조는, 가열, 열풍 분사 등의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 층 중의 유기 용제의 함유량이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 조성물 중에 포함되는 성분에 따라서도 다르지만, 예를 들면, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써 수지 조성물 층을 형성할 수 있다.

수지 시트는 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 통상 보호 필름을 박리함으로써 사용 가능해진다.

<제4 실시형태에 따른 회로 기판>

본 발명의 제4 실시형태에 따른 회로 기판은 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 수지 조성물로서는, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 및 제2 실시형태에 따른 제조방법으로 제조된 수지 조성물 중 한쪽 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.

회로 기판의 구체적인 구조는, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 한 제한은 없다. 제1 예에 따른 회로 기판은, 홀이 형성된 기판과, 상기 홀에 충전된 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 또한, 제2 예에 따른 회로 기판은, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물 층을 포함한다. 이하, 이들 제1 예 및 제2 예에 따른 회로 기판에 대하여 설명한다.

(제1 예에 따른 회로 기판)

제1 예에 따른 회로 기판은, 홀이 형성된 기판과, 상기 홀에 충전된 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 회로 기판은, 예를 들면,

(1) 기판의 홀에 수지 조성물을 충전하는 공정 및

(2) 수지 조성물을 열경화시켜 경화물을 얻는 공정을 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다.

또한, 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법은

(3) 경화물 또는 수지 조성물의 표면을 연마하는 공정,

(4) 경화물을 조화 처리하는 공정 및

(5) 경화물을 조화 처리한 면에 도체층을 형성하는 공정을 추가로 포함하고 있어도 좋다.

통상, 상기 공정 (1) 내지 (5)는, 공정 (1), 공정 (2), 공정 (3), 공정 (4) 및 공정 (5)의 순서로 행해지지만, 공정 (3) 후에 공정 (2)를 행하여도 좋다. 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서는, 페이스트상 수지 조성물을 사용하여 경화물을 형성하는 것이 바람직하다. 이하의 설명에서는, 기판을 두께 방향으로 관통하는 홀로서의 스루홀이 형성된 기판을 사용한 예를 나타내어 설명한다.

-공정 (1)-

공정 (1)은 통상, 스루홀이 형성된 기판을 준비하는 공정을 포함한다. 기판은 시장에서 구입하여 준비해도 좋다. 또한, 기판은 적절한 재료를 사용하여 제조해서 준비해도 좋다. 이하, 일례에 따른 기판의 제조방법을 설명한다.

도 1은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서 준비되는 코어 기판(10)을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 기판을 준비하는 공정은, 도 1에 나타내는 예와 같이, 코어 기판(10)을 준비하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 코어 기판(10)은 통상 지지 기판(11)을 포함한다. 지지 기판(11)으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌 에테르 기판 등의 절연성 기재를 들 수 있다. 또한, 상기 지지 기판(11) 상에는 금속층이 제공되어 있어도 좋다. 금속층은, 지지 기판(11)의 한면에 제공되어 있어도 좋고, 양면에 제공되어 있어도 좋다. 여기서는, 지지 기판(11)의 양 표면에 제1 금속층(12) 및 제2 금속층(13)이 제공된 예를 나타낸다. 제1 금속층(12) 및 제2 금속층(13)으로서는, 동 등의 금속에 의해 형성된 층을 들 수 있다. 제1 금속층(12) 및 제2 금속층(13)은, 예를 들면, 캐리어 부착 동박 등의 동박이라도 좋고, 후술하는 도체층의 재료로 형성된 금속층이라도 좋다.

도 2는, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 스루홀(14)이 형성된 코어 기판(10)을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 기판을 준비하는 공정은, 도 2에 나타내는 예와 같이, 코어 기판(10)에 스루홀(14)을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 스루홀(14)은, 예를 들면, 드릴 가공, 레이저 조사, 플라즈마 조사 등의 방법에 의해 형성할 수 있다. 통상은, 코어 기판(10)에 관통 구멍을 형성함으로써 스루홀(14)을 형성할 수 있다. 구체예를 들면, 스루홀(14)의 형성은 시판되고 있는 드릴 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 시판되고 있는 드릴 장치로서는, 예를 들면, 히타치 비아메카닉스사 제조 「ND-1S211」 등을 들 수 있다.

도 3은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 스루홀(14) 내에 도금층(20)이 형성된 코어 기판(10)을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 기판을 준비하는 공정은, 필요에 따라서 코어 기판(10)에 조화 처리를 실시한 후, 도 3에 나타내는 바와 같이 도금층(20)을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 상기 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 조화 처리를 행하여도 좋다. 건식 조화 처리의 예로서는 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 행하는 방법을 들 수 있다. 도금층(20)은 도금법에 의해 형성될 수 있다. 도금법에 의해 도금층(20)이 형성되는 순서는, 후술하는 공정 (5)에서의 도체층의 형성과 동일할 수 있다. 여기서는, 스루홀(14) 내, 제1 금속층(12)의 표면 및 제2 금속층(13)의 표면에 도금층(20)을 형성한 예를 나타내어 설명한다.

도 4는, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 코어 기판(10)의 스루홀(14) 내에 수지 조성물(30a)을 충전한 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 공정 (1)은, 상기와 같이 스루홀(14)이 형성된 코어 기판(10)을 준비한 후에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 코어 기판(10)의 스루홀(14)에 수지 조성물(30a)을 충전하는 것을 포함한다. 충전은, 예를 들면, 인쇄법으로 행할 수 있다. 인쇄법으로서는, 예를 들면, 스퀴지를 개재하여 스루홀(14)로 수지 조성물(30a)을 인쇄하는 방법, 카트리지를 개재하여 수지 조성물(30a)을 인쇄하는 방법, 마스크 인쇄하여 수지 조성물(30a)을 인쇄하는 방법, 롤 코트법, 잉크젯법 등을 들 수 있다. 통상은, 잉여의 수지 조성물(30a)이 스루홀(14) 밖으로 돌출 또는 부착된다. 따라서, 수지 조성물(30a)은, 스루홀(14) 내뿐만 아니라, 스루 홀(14) 밖에도 제공될 수 있다.

-공정 (2)-

도 5는, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (2)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (2)는, 스루홀(14) 내에 수지 조성물(30a)을 충전한 후에, 수지 조성물(30a)을 경화하여, 도 5에 나타내는 바와 같이 경화물(30)을 형성하는 것을 포함한다.

수지 조성물(30a)의 경화는 통상 열경화에 의해 행한다. 수지 조성물(30a)의 열경화 조건은, 수지 조성물(30a)의 경화가 진행되는 범위에서 적절하게 설정할 수 있다. 경화 온도는, 바람직하게는 120℃ 이상, 보다 바람직하게는 130℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이고, 바람직하게는 245℃ 이하, 보다 바람직하게는 220℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 경화 시간은, 바람직하게는 5분 이상, 보다 바람직하게는 10분 이상, 더욱 바람직하게는 15분 이상이고, 바람직하게는 120분 이하, 보다 바람직하게는 110분 이하, 더욱 바람직하게는 100분 이하이다.

공정 (2)에서 얻어지는 경화물(30)의 경화도는, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 경화도는, 예를 들면, 시차 주사 열량 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다.

제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법은, 수지 조성물(30a)을 스루홀(14)에 충전한 후, 수지 조성물(30a)을 경화시키기 전에, 수지 조성물(30a)을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 공정(예비 가열 공정)을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물(30a)을 경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서 수지 조성물(30a)을 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.

-공정 (3)-

도 6은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (3)을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (3)은, 코어 기판(10)으로부터 돌출 또는 부착되어 있는 잉여의 경화물(30)을 도 6에 나타내는 바와 같이 연마하는 것을 포함한다. 연마에 의해 잉여의 경화물(30)이 제거되므로, 경화물(30)의 표면을 평탄화할 수 있다. 연마에 의해 평탄화된 경화물(30)의 표면(연마면)(31)은 통상, 상기 연마면(31)의 주위의 면(21)(예를 들면, 코어 기판(10)의 표면, 도금층(20)의 표면)과 동일한 평면을 형성할 수 있다.

연마 방법으로서는, 코어 기판(10)으로부터 돌출 또는 부착되어 있는 잉여의 경화물(30)을 제거할 수 있는 방법을 채용할 수 있다. 이러한 연마 방법으로서는, 예를 들면, 버프 연마, 벨트 연마, 세라믹 연마 등을 들 수 있다. 시판되고 있는 버프 연마 장치로서는, 예를 들면, 이시이 효키사 제조 「NT-700IM」 등을 들 수 있다.

경화물(30)의 연마면(경화물 층의 열경화 후)(31)의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 도체층과의 사이의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 350nm 이상, 더욱 바람직하게는 400nm 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,000nm 이하, 보다 바람직하게는 900nm 이하, 더욱 바람직하게는 800nm 이하이다. 표면 거칠기(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.

공정 (2) 후에 공정 (3)을 행하는 경우, 회로 기판의 제조방법은, 공정 (2) 후 공정 (3) 전에, 경화물(30)의 경화도를 더욱 높일 목적으로, 경화물(30)에 열처리를 실시하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 상기 열처리에서의 온도는, 상기 경화 온도에 준할 수 있다. 구체적인 열처리 온도는, 바람직하게는 120℃ 이상, 보다 바람직하게는 130℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이고, 바람직하게는 245℃ 이하, 보다 바람직하게는 220℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 열처리 시간은, 바람직하게는 5분 이상, 보다 바람직하게는 10분 이상, 더욱 바람직하게는 15분 이상이고, 바람직하게는 90분 이하, 보다 바람직하게는 70분 이하, 더욱 바람직하게는 60분 이하이다.

또한, 공정 (2) 전에 공정 (3)을 행하는 경우, 회로 기판의 제조방법은, 공정 (3) 전에, 수지 조성물의 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 수지 조성물 층에 실시하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 상기 예비 가열 처리에서의 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 110℃ 이상, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상이고, 바람직하게는 245℃ 이하, 보다 바람직하게는 220℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 열처리 시간은, 바람직하게는 5분 이상, 보다 바람직하게는 10분 이상, 더욱 바람직하게는 15분 이상이고, 바람직하게는 90분 이하, 보다 바람직하게는 70분 이하, 더욱 바람직하게는 60분 이하이다.

-공정 (4)-

공정 (4)는, 경화물(30)의 표면에 조화 처리(디스미어 처리)를 실시하는 것을 포함한다. 조화 처리에 의해 경화물(30)의 표면이 조화된다. 경화물(30)의 표면이 연마되어 있는 경우에는 통상, 상기 연마면(31)에 조화 처리(디스미어 처리)를 실시하는 것을 포함한다. 조화 공정의 순서, 조건은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다층 프린트 배선판의 제조방법에서 사용되는 순서, 조건을 채용할 수 있다. 조화 공정으로서, 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시함으로써 경화물(30)의 표면에 조화 처리해도 좋다.

조화 공정에 사용될 수 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이다. 팽윤액인 알칼리 용액으로서는, 수산화 나트륨 용액, 수산화 칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍 재팬사 제조 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 경화물(30)을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 경화물(30)을 구성하는 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 경화물(30)을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.

산화제에 의한 조화 처리에 사용될 수 있는 산화제로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨 또는 과망간산 나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제의 용액에 경화물(30)을 10분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%로 하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍 재팬사 제조 「컨센트레이트 컴팩트 P」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.

중화 처리에 사용될 수 있는 중화액으로서는, 산성 수용액이 바람직하다. 중화액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍 재팬사 제조 「리덕션 솔루션 세큐리건스 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 경화물(30)을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.

경화물(30)의 표면의 조화 처리 후의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 도체층과의 사이의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 350nm 이상, 더욱 바람직하게는 400nm 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,500nm 이하, 보다 바람직하게는 1,200nm 이하, 더욱 바람직하게는 1,000nm 이하이다. 표면 거칠기(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.

-공정 (5)-

도 7은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (5)는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 경화물(30)의 연마면(31) 상에 도체층(40)을 형성하는 것을 포함한다. 여기서는, 경화물(30)의 연마면(31)뿐만 아니라, 그 주위의 면(21)(예를 들면, 코어 기판(10)의 표면, 도금층(20)의 표면)에도 도체층(40)을 형성한 예를 나타낸다. 또한, 도 7에서는, 코어 기판(10)의 양측에 도체층(40)을 형성한 예를 나타내지만, 도체층(40)은 코어 기판(10)의 한쪽에만 형성해도 좋다.

도 8은, 본 발명의 제4 실시형태의 제1 예에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 공정 (5)는, 도체층(40)을 형성한 후, 에칭 등의 처리에 의해 도체층(40), 제1 금속층(12), 제2 금속층(13) 및 도금층(20)의 일부를 제거하여, 패턴 도체층(41)을 형성하는 것을 포함하고 있어도 좋다.

도체층(40)의 형성 방법은, 예를 들면, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있고, 그 중에서도 도금법이 바람직하다. 적합한 실시형태에서는, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 적절한 방법에 의해 경화물(30)(및 도금층(20))의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 패턴 도체층(41)을 형성할 수 있다. 도체층(40)의 재료로서는, 예를 들면, 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석, 인듐 등의 단금속; 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금을 들 수 있다. 그 중에서도, 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동; 또는 니켈 크롬 합금, 동 니켈 합금, 동 티탄 합금을 사용하는 것이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동; 또는 니켈 크롬 합금을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 동을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

여기서, 경화물(30)의 연마면(31) 상에 패턴 도체층(41)을 형성하는 방법의 예를 상세히 설명한다. 경화물(30)의 연마면(31)에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 그 다음에, 형성된 도금 시드층 상에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한다. 그 후, 필요에 따라서, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등의 처리에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 패턴 도체층(41)을 형성할 수 있다. 패턴 도체층(41)의 형성 후, 패턴 도체층(41)의 밀착 강도를 향상시키기 위해, 필요에 따라 어닐 처리를 행하여도 좋다. 어닐 처리는, 예를 들면, 150℃ 내지 200℃에서 20분 내지 90분간 가열함으로써 행할 수 있다.

패턴 도체층(41)의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 70㎛ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하, 20㎛ 이하, 15㎛ 이하 또는 10㎛ 이하이다. 하한은 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이다.

이상의 방법에 의해, 수지 조성물(30a)의 경화물(30)을 포함하는 회로 기판(1)을 제조할 수 있다.

(제2 예에 따른 회로 기판)

제2 예에 따른 회로 기판은, 수지 조성물의 경화를 포함하는 경화물 층을 포함한다. 경화물 층은, 바람직하게는, 수지 조성물의 경화물만을 포함한다. 경화물 층은, 수지 시트를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 회로 기판은, 예를 들면,

(i) 내층 기판 상에 경화물 층을 형성하는 공정,

(ii) 경화물 층에 천공 가공을 행하는 공정,

(iii) 경화물 층의 표면을 조화 처리하는 공정 및

(iv) 경화물 층의 면에 도체층을 형성하는 공정을 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다.

-공정 (i)-

공정 (i)는 내층 기판 상에 경화물 층을 형성하는 것을 포함한다. 바람직하게는, 공정 (i)는, 수지 시트를, 수지 조성물 층이 내층 기판과 접합하도록 내층 기판에 적층하고, 경화물 층을 형성하는 것을 포함한다. 예를 들면, 수지 시트를, 수지 조성물 층이 내층 기판과 접합하도록 내층 기판에 적층하고, 수지 조성물 층을 열경화하여 경화물 층을 형성한다.

도 9는, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (i)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 지지체(330)와, 상기 지지체(330) 상에 제공된 수지 조성물 층(320a)을 포함하는 수지 시트(310)를 준비한다. 그리고, 수지 조성물 층(320a)이 내층 기판(200)과 접합하도록, 수지 시트(310)와 내층 기판(200)을 적층한다.

내층 기판(200)으로서는 절연성 기판을 사용할 수 있다. 내층 기판(200)으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌 에테르 기판 등의 절연성 기재를 들 수 있다. 내층 기판(200)은, 이의 두께 내에 배선 등을 만들어 넣은 내층 회로 기판이라도 좋다.

본 예에 나타내는 내층 기판(200)은, 제1 주표면(200a) 상에 제공된 제1 도체층(420)과, 제2 주표면(200b) 상에 제공된 외부 단자(240)를 구비한다. 제1 도체층(420)은 복수의 배선을 포함하고 있어도 좋다. 단, 도 9에 나타내는 예에서는, 인덕터 소자의 코일상 도전성 구조체(400)(도 12 참조)를 구성하는 배선만이 도시되어 있다. 외부 단자(240)는, 도시되어 있지 않은 외부의 장치 등과 전기적으로 접속하기 위한 단자일 수 있다. 외부 단자(240)는, 제2 주표면(200b)에 제공되는 도체층의 일부로서 구성할 수 있다.

제1 도체층(420) 및 외부 단자(240)를 구성할 수 있는 도체 재료로서는, 예를 들면, 제1 예에서 설명한 도체층의 재료와 동일한 것을 들 수 있다.

제1 도체층(420) 및 외부 단자(240)는, 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 또한, 제1 도체층(420), 외부 단자(240)의 두께는, 후술하는 제2 도체층(440)과 동일할 수 있다.

제1 도체층(420) 및 외부 단자(240)의 라인(L)/스페이스(S)비는 특별히 제한되지 않지만, 표면의 요철을 감소시켜서 평활성이 우수한 경화물 층을 얻는 관점에서, 통상 900/900㎛ 이하, 바람직하게는 700/700㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500/500㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 300/300㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 200/200㎛ 이하이다. 라인/스페이스비의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 스페이스로의 수지 조성물 층의 매립을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1/1㎛ 이상이다.

내층 기판(200)은 제1 주표면(200a)으로부터 제2 주표면(200b)에 이르도록 내층 기판(200)을 관통하는 복수의 스루홀(220)을 갖고 있어도 좋다. 스루홀(220)에는 스루홀 내 배선(220a)이 제공되어 있다. 스루홀 내 배선(220a)은, 제1 도체층(420)과 외부 단자(240)를 전기적으로 접속하고 있다.

수지 조성물 층(320a)과 내층 기판(200)과의 접합은, 예를 들면, 지지체(330)측으로부터, 수지 시트(310)를 내층 기판(200)에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트(310)를 내층 기판(200)에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(스테인리스(SUS) 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등)을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트(310)에 직접 접촉시켜서 프레스하는 것이 아니라, 내층 기판(200)의 표면의 요철에 수지 시트(310)가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재로 이루어진 시트 등을 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.

가열 압착할 때의 온도는, 바람직하게는 80℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 90℃ 내지 140℃, 더욱 바람직하게는 100℃ 내지 120℃의 범위이다. 가열 압착할 때의 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착할 때의 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 수지 시트와 내층 기판의 접합은, 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에 실시하는 것이 바람직하다.

수지 시트(310)의 수지 조성물 층(320a)과 내층 기판(200)의 접합은, 시판 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키 세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터 등을 들 수 있다.

수지 시트(310)와 내층 기판(200)의 접합 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체(330)측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트(310)의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기 시판 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.

도 10은, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (i)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 수지 시트(310)를 내층 기판(200)에 적층한 후, 수지 조성물 층(320a)을 열경화하여 경화물 층을 형성한다. 본 예에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 내층 기판(200)에 접합시킨 수지 조성물 층(320a)을 열경화하여 제1 경화물 층(320)을 형성한다.

수지 조성물 층(320a)의 열경화 조건은, 수지 조성물의 경화가 진행되는 범위에서 적절하게 설정할 수 있다. 경화 온도는, 바람직하게는 120℃ 이상, 보다 바람직하게는 130℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이고, 바람직하게는 245℃ 이하, 보다 바람직하게는 220℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 경화 시간은, 바람직하게는 5분 이상, 보다 바람직하게는 10분 이상, 더욱 바람직하게는 15분 이상이고, 바람직하게는 120분 이하, 보다 바람직하게는 110분 이하, 더욱 바람직하게는 100분 이하이다.

지지체(330)는, 공정 (i)의 열경화 후와 공정 (ii) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (ii) 후에 박리해도 좋다.

경화물 층의 조화 처리 전의 산술 평균 거칠기(Ra)로서는, 도금과의 사이의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 350nm 이상, 더욱 바람직하게는 400nm 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,000nm 이하, 보다 바람직하게는 900nm 이하, 더욱 바람직하게는 800nm 이하이다. 표면 거칠기(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.

공정 (i)은, 수지 시트 대신에 수지 조성물을, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 내층 기판(200) 상에 도포하고, 열경화시킴으로써 경화물 층을 형성하는 것을 포함하고 있어도 좋다.

-공정 (ii)-

도 11은, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (ii)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (ii)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제1 경화물 층(320)에 천공 가공을 하고 비아홀(360)을 형성하는 것을 포함한다. 비아홀(360)은, 제1 도체층(420)과, 후술하는 제2 도체층(440)을 전기적으로 접속하기 위한 경로가 될 수 있다. 비아홀(360)의 형성은, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시해도 좋다. 홀의 치수나 형상은, 프린트 배선판의 설계에 따라서 적절하게 결정해도 좋다.

-공정 (iii)-

공정 (iii)에서, 비아홀을 형성한 경화물 층의 표면을 조화 처리한다. 공정 (iii)에서의 조화 처리는, 제1 예의 공정 (4)에서 설명한 것과 동일한 방법으로 행할 수 있다.

경화물 층의 조화 처리 후의 산술 평균 거칠기(Ra)로서는, 도금과의 사이의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 350nm 이상, 더욱 바람직하게는 400nm 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,500nm 이하, 보다 바람직하게는 1,200nm 이하, 더욱 바람직하게는 1,000nm 이하이다. 표면 거칠기(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.

-공정 (iv)-

도 12는, 본 발명의 제4 실시형태의 제2 예에 따른 회로 기판의 제조방법에서, 공정 (iv)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 공정 (iv)에서는, 제1 경화물 층(320) 상에 제2 도체층(440)을 형성한다.

제2 도체층(440)을 구성할 수 있는 도체 재료로서는, 제1 예에서 설명한 도체층의 재료와 동일한 것을 들 수 있다.

제2 도체층(440)의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 70㎛ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하, 20㎛ 이하, 15㎛ 이하 또는 10㎛ 이하이다. 하한은, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이다.

제2 도체층(440)은 도금에 의해 형성할 수 있다. 제2 도체층(440)은, 예를 들면, 무전해 도금 공정, 마스크 패턴 형성 공정, 전해 도금 공정, 플래시 에칭 공정을 포함하는 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 습식 도금법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 습식 도금법을 사용하여 제2 도체층(440)을 형성함으로써, 원하는 배선 패턴을 포함하는 제2 도체층(440)을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 상기 공정에 의해, 비아홀(360) 내에 비아홀 내 배선(360a)이 함께 형성된다.

제1 도체층(420) 및 제2 도체층(440)은, 예를 들면, 후술하는 도 13 내지 도 15에 일례를 나타내는 바와 같이, 나선형으로 제공되어 있어도 좋다. 일례에서, 제2 도체층(440)의 나선상 배선부 중 중심측의 일단은, 비아홀 내 배선(360a)에 의해, 제1 도체층(420)의 나선상 배선부 중의 중심측의 일단에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 도체층(440)의 나선상 배선부 중의 외주측의 타단은, 비아홀 내 배선(360a)에 의해 제1 도체층(420)의 랜드(420a)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제2 도체층(440)의 나선상 배선부 중의 외주측의 타단은, 비아홀 내 배선(360a), 랜드(420a) 및 스루홀 내 배선(220a)을 거쳐 외부 단자 (240)에 전기적으로 접속된다.

코일상 도전성 구조체(400)는, 제1 도체층(420)의 일부분인 나선상 배선부, 제2 도체층(440)의 일부분인 나선상 배선부, 제1 도체층(420)의 나선상 배선부와 제2 도체층(440)의 나선상 배선부를 전기적으로 접속하고 있는 비아홀 내 배선(360a)으로 구성되어 있다.

공정 (iv) 후, 추가로 도체층 상에 경화물 층을 형성하는 공정을 행하여도 좋다. 상세하게는, 도 14에 일례를 나타내는 바와 같이, 제2 도체층(440) 및 비아홀 내 배선(360a)이 형성된 제1 경화물 층(320) 상에 제2 경화물 층(340)을 형성한다. 제2 경화물 층(340)은, 이미 설명한 공정과 동일한 공정에 의해 형성해도 좋다. 이상의 방법에 의해, 수지 조성물의 경화물로 형성된 제1 경화물 층(320) 및 제2 경화물 층(340)을 포함하는 회로 기판(100)을 제조할 수 있다.

<제5 실시형태에 따른 인덕터 기판>

본 발명의 제5 실시형태에 따른 인덕터 기판은, 상기 제4 실시형태에 따른 회로 기판을 포함한다. 이러한 인덕터 기판은, 상기 제1 예에 따른 회로 기판을 포함하는 경우, 수지 조성물의 경화물의 주위의 적어도 일부에 도체에 의해 형성된 인덕터 패턴을 가질 수 있다. 이 경우, 인덕터 기판은, 예를 들면, 제1 금속층(12), 제2 금속층(13), 도금층(20) 및 패턴 도체층(41)의 적어도 일부로 형성된 인덕터 패턴과, 상기 인덕터 패턴으로 둘러싸인 경화물(30)로 형성된 코어부로 구성되는 인덕터 소자를 포함할 수 있다. 이러한 인덕터 기판은, 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2016-197624호에 기재된 것을 적용할 수 있다.

제2 예에 따른 회로 기판을 포함하는 경우, 인덕터 기판은, 경화물 층과, 상기 경화물 층에 적어도 일부분이 매립된 도전성 구조체를 가질 수 있다. 그리고, 상기 인덕터 기판은, 도전성 구조체와, 경화물 층의 두께 방향으로 연장되고, 또한 도전성 구조체에 둘러싸인 경화물 층 중의 일부분으로 구성되는 인덕터 소자를 포함할 수 있다.

도 13은, 인덕터 기판이 갖는 회로 기판(100)을 이의 두께 방향의 한쪽에서 본 모식적인 평면도이다. 도 14는, 도 13에 도시하는 II-II 일점 쇄선으로 나타낸 위치에서 절단한 회로 기판(100)의 절단 단면을 나타내는 모식적인 도면이다. 도 15는, 인덕터 기판이 포함하는 회로 기판(100)의 제1 도체층(420)의 구성을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.

회로 기판(100)은, 도 13 및 도 14에 일례로서 도시되는 바와 같이, 복수의 경화물 층(제1 경화물 층(320), 제2 경화물 층(340)) 및 복수의 도체층(제1 도체층(420), 제2 도체층(440))을 갖는 기판일 수 있다. 따라서, 여기에 나타내는 예에서, 회로 기판(100)은, 빌드업 경화물 층 및 빌드업 도체층을 갖는 빌드업 배선판일 수 있다. 또한, 회로 기판(100)은 내층 기판(200)을 구비하고 있다.

도 14에 도시되는 바와 같이, 제1 경화물 층(320) 및 제2 경화물 층(340)은 일체적인 경화물 층으로 볼 수 있는 자성부(300)를 구성하고 있다. 따라서, 코일상 도전성 구조체(400)는, 자성부(300)에 적어도 일부가 매립되도록 제공되어 있다. 즉, 이러한 예에 나타내는 회로 기판(100)에서, 인덕터 소자는, 코일상 도전성 구조체(400)와, 자성부(300)의 두께 방향으로 연장되고, 또한 코일상 도전성 구조체(400)에 둘러싸인 자성부(300) 중 일부분인 코어부로 구성되어 있다.

도 15에 일례로서 도시되는 바와 같이, 제1 도체층(420)은, 코일상 도전성 구조체(400)를 구성하기 위한 나선상 배선부와, 스루홀 내 배선(220a)과 전기적으로 접속되는 직사각형상 랜드(420a)를 포함하고 있다. 여기에 나타내는 예에서는, 나선상 배선부는, 직선상부과 직각으로 굴곡하는 굴곡부와 랜드(420a)를 우회하는 우회부를 포함하고 있다. 또한, 제1 도체층(420)의 나선상 배선부는, 전체의 윤곽이 대략 직사각형상이며, 중심측으로부터 이의 외측을 향함에 있어 반시계 방향으로 감겨 있는 형상을 갖고 있다.

마찬가지로, 제1 경화물 층(320) 상에는 제2 도체층(440)이 제공되어 있다. 제2 도체층(440)은, 코일상 도전성 구조체(400)를 구성하기 위한 나선상 배선부를 포함하고 있다. 도 13 또는 도 14에서는, 나선상 배선부는, 직선상부와 직각으로 굴곡하는 굴곡부를 포함하고 있다. 도 13 또는 도 14에서는, 제2 도체층(440)의 나선상 배선부는, 전체의 윤곽이 대략 직사각형 형상이며, 중심측으로부터 이의 외측을 향함에서 시계 방향으로 감겨 있는 형상을 갖고 있다.

상기 인덕터 기판은, 반도체 칩 등의 전자 부품을 탑재하기 위한 배선판으로서 사용할 수 있고, 이러한 배선판을 내층 기판으로서 사용한 (다층) 프린트 배선판으로서 사용할 수도 있다. 또한, 이러한 배선판을 개편화한 칩 인덕터 부품으로서 사용할 수도 있고, 상기 칩 인덕터 부품을 표면 실장한 프린트 배선판으로서 사용할 수도 있다.

또한 이러한 배선판을 사용하여, 다양한 형태의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 이러한 배선판을 포함하는 반도체 장치는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전철, 선박 및 항공기 등) 등에 적합하게 사용할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에서, 양을 나타내는 「%」 및 「부」는, 별도 명시가 없는 한, 「질량%」 및 「질량부」를 의미한다. 특히 온도의 지정이 없는 경우의 온도 조건은 실온(23℃)이다. 특히 압력의 지정이 없는 경우의 압력 조건은 상압(1atm)이다.

<(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분>

· 엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」, Fe-Si-Nb-B 합금으로 이루어진 나노 결정 자성분, 10% 입자 직경(D₁₀) 5.8㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 15.1㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 34.7㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 8.6vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 56.4Vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 35.0vol%.

· 엡손 아토믹스사 제조 「ATFINE-NC1 PF10FA」, Fe-Si-Nb-B 합금으로 이루어진 나노 결정 자성분, 10% 입자 직경(D₁₀) 3.0㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 6.0㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 10.7㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 2.5vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 40.2vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 57.3vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%.

<(a') 20㎛를 초과하는 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분>

· 엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-53um」, Fe-Si-Nb-B 합금으로 이루어진 나노 결정, 10% 입자 직경(D₁₀) 9.8㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 27.3㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 59.7㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 2.5vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 35.4vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 62.1vol%.

<(b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분>

· 파우더텍사 제조 「M001」, Fe-Mn 페라이트분(나노 결정 자성분 이외의 결정 자성분), 10% 입자 직경(D₁₀) 0.05㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 0.12㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 1.1㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 97.0vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 3.0vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%.

· JFE 미네랄사 제조 「CVD 철분(0.7㎛)」, Fe-Si-Cr 합금분(나노 결정 자성분 이외의 결정 자성분), 10% 입자 직경(D₁₀) 0.46㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 0.75㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 1.12㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 100.0vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%.

<(c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분보다 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분>

· 엡손 아토믹스사 제조 「ATFINE-NC1 PF5FA」, Fe-Si-Nb-B 합금분(5.5㎛ 미만의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분), 10% 입자 직경(D₁₀) 2.3㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 4.3㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 7.1㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 6.9vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 77.1vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 16.0vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%.

· 엡손 아토믹스사 제조 「ATFINE-NC1 PF3FA」, Fe-Si-Nb-B 합금분(5.5㎛ 미만의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분), 10% 입자 직경(D₁₀) 2.0㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 3.5㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 5.8㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 10.4vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 73.6vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 16.0vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%.

· 엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」, Fe-Si-Cr 합금분(아몰퍼스분), 10% 입자 직경(D₁₀) 1.7㎛, 평균 입자 직경(D₅₀) 3.1㎛, 90% 입자 직경(D₉₀) 5.2㎛, 본 자성분 중 2㎛ 이하의 입자 직경의 입자의 체적 비율 13.9vol%, 본 자성분 중 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경의 입자의 체적 비율 72.1vol%, 본 자성분 중 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하인 입자 직경의 입자의 체적 비율 14.0vol%, 본 자성분 중 20㎛보다 큰 입자 직경의 입자의 체적 비율 0.0vol%.

<실시예 1>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」, 평균 입자 직경(D₅₀) 15.1㎛)을 103.5질량부, (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분(파우더테크사 제조 「M001」, 평균 입자 직경(D₅₀) 0.12㎛)을 24.6질량부, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경(D₅₀) 3.1㎛)을 11.8질량부, (D) 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품)을 0.9질량부, (D) 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630」, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지)를 0.9질량부, (E) 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MZA-PW」, 이미다졸계 경화 촉진제)를 0.2질량부, (F) 분산제(니치유사 제조 「SC-1015F」, 폴리옥시알킬렌계 분산제)를 0.5질량부 및 (H) 용제(토쿄 카세이 코교사 제조 「부틸카비톨아세테이트」, 용제)를 38질량부 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 2>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」)의 사용량을 103.5질량부에서 120.8질량부로 변경하였다. 또한, (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분(파우더테크사 제조 「M001」)의 사용량을 24.6질량부에서 21.3질량부로 변경하였다. 또한, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」) 11.8질량부를 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 3>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」)의 사용량을 103.5질량부에서 120.8질량부로 변경하였다. 또한, (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분을, 파우더테크사 제조 「M001」 24.6질량부에서, JFE 미네랄사 제조 「CVD 철분(0.7㎛)」(평균 입자 직경(D₅₀) 0.75㎛) 14.4질량부로 변경하였다. 또한, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 사용량을 11.8질량부에서 14.4질량부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 4>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「ATFINE-NC1 PF10FA」, 평균 입자 직경(D₅₀) 6.0㎛)을 56.0질량부, (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분(JFE 미네랄사 제조 「CVD 철분(0.7㎛)」)을 18.2질량부, (D) 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」)를 0.8질량부, (D) 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630」, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지)를 0.8질량부, (E) 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MZA-PW」, 이미다졸계 경화 촉진제)를 0.2질량부, (F) 분산제(니치유사 제조 「SC-1015F」, 폴리옥시알킬렌계 분산제)를 0.4질량부 및 (H) 용제(토쿄 카세이 코교사 제조 「부틸카비톨 아세테이트」, 용제)를 3.1질량부 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 5>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」)을 53.1질량부, (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분(JFE 미네랄사 제조 「CVD 철분(0.7㎛)」) 6.3질량부, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「ATFINE-NC1 PF5FA」, 평균 입자 직경(D₅₀) 4.3㎛, 평균 입자 직경 5.5㎛ 미만의 나노 결정 자성분)을 6.7질량부, (D) 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」)를 0.8질량부, (D) 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630」, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지)를 0.8질량부, (E) 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MZA-PW」, 이미다졸계 경화 촉진제)를 0.1질량부, (F) 분산제(니치유사 제조 「SC-1015F」, 폴리옥시알킬렌계 분산제)를 0.4질량부 및 (H) 용제(토쿄 카세이 코교사 제조 「부틸카비톨 아세테이트」, 용제)를 2.0질량부 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 6>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」)을 49.1질량부, (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분(JFE 미네랄사 제조 「CVD 철분(0.7㎛)」)을 10.1질량부, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 구상 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)을 6.3질량부, (D) 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」)를 0.8질량부, (D) 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630」, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지)를 0.8질량부, (E) 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MZA-PW」, 이미다졸계 경화 촉진제)를 0.1질량부, (F) 분산제(니치유사 제조 「SC-1015F」, 폴리옥시알킬렌계 분산제)를 0.4질량부 및 (H) 용제(토쿄 카세이 코교사 제조 「부틸카비톨 아세테이트」, 용제)를 1.8질량부 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 1>

(b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분(파우더테크사 제조 「M001」) 24.6질량부를 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 2>

(a') 20㎛를 초과하는 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-53um」, 평균 입자 직경(D₅₀) 27.3㎛)을 105.1질량부, (b) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하 및 (A)보다 평균 입자 직경이 작은 자성분(파우더테크사 제조 「M001」)을 13.1질량부, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 구상 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)을 13.1질량부, (D) 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」)를 1.0질량부, (D) 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「630」, 글리시딜 에테르형 방향족 에폭시 수지)를 1.0질량부, (E) 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MZA-PW」, 이미다졸계 경화 촉진제)를 0.2질량부, (F) 분산제(니치유사 제조 「SC-1015F」, 폴리옥시알킬렌계 분산제)를 0.5질량부 및 (H) 용제(토쿄 카세이 코교사 제조 「부틸카비톨 아세테이트」, 용제)를 4.0질량부 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 3>

(a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「KUAMET NC1-38um」) 103.5질량부를 사용하지 않고, (c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「ATFINE-NC1PF3FA」, 평균 입자 직경(D₅₀) 3.5㎛, 5.5㎛ 미만의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분)을 103.5질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 4>

(c) 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는 자성분(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 사용량을 11.8질량부에서 23.0질량부로 변경한 것 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 입자의 체적 비율, 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분의 체적 비율, 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경을 갖는 입자의 체적 비율, 20㎛보다 큰 입자 직경을 갖는 입자의 체적 비율, 10% 입자 직경(D₁₀), 평균 입자 직경(D₅₀) 및 90% 입자 직경(D₉₀)의 산출>

자성분을 초음파에 의해 순수 중에 분산시킨 것을 측정 샘플로 하고, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치(호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」)에 의해 자성분의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하였다. 상기 입자 직경 분포로부터, 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분의 체적 비율, 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분의 체적 비율, 2㎛보다 크고 5.5㎛ 미만인 입자 직경을 갖는 입자의 체적 비율, 20㎛보다 큰 입자 직경을 갖는 입자의 체적 비율, 10% 입자 직경(D₁₀), 50% 입자 직경(평균 입자 직경)(D₅₀) 및 90% 입자 직경(D₉₀)을 산출하였다.

<시험예 1: 수지 조성물의 도포성의 평가>

실시예 및 비교예에서 조제한 수지 조성물에 대하여 도포성의 평가를 행하였다. 지지체로서, 실리콘계 이형제 처리를 실시한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(린텍사 제조 「PET501010」, 두께 50㎛)을 준비하였다. 각 수지 조성물을 상기 PET 필름의 이형면 상에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 100㎛가 되도록 닥터 블레이드로 균일하게 도포하여, 수지 시트를 얻었다. 수지 조성물의 유동성을 확인하고, 도포성의 유무를 이하의 평가 기준으로 평가하였다.

(도포성의 평가 기준)

「○」: 수지 조성물이 유동성을 갖는 페이스트상으로, 도포성 있음.

「×」: 수지 조성물에 유동성이 없고, 도포 불가.

<시험예 2: 비투자율의 측정 및 평가>

비교예 1 이외의 실시예 및 비교예에서는, 하기 방법에 의해 비투자율(μ')을 측정하였다.

시험예 1에서 얻은 수지 시트를 190℃에서 90분간 가열함으로써, 수지 조성물 층을 열경화하고, 지지체를 박리함으로써 시트상 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물을, 폭 5mm, 길이 18mm의 시험편으로 절단하여 평가 샘플을 얻었다. 상기 평가 샘플을, 측정 장치(Agilent Technologies사 제조, 「HP8362B」)를 사용하여, 3턴 코일법으로 측정 주파수를 10MHz로 하고, 실온 23℃에서 비투자율(μ')을 측정하였다. 비투자율을 이하의 평가 기준으로 평가하였다.

비교예 1에서 얻은 수지 조성물은 도포성이 불량했으므로, 다른 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로는 수지 시트를 제조할 수 없었다. 그래서, 비교예 1에서는 하기 방법에 의해 비투자율(μ')을 측정하였다.

비교예 1에서 조제한 수지 조성물에, 용제(토쿄 카세이 코교사 제조 「부틸카비톨 아세테이트」, 용제)를 3중량% 첨가하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 바니시를 얻었다. 지지체로서, 실리콘계 이형제 처리를 실시한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(린텍사 제조 「PET501010」, 두께 50㎛)을 준비하였다. 상기 바니시를 상기 PET 필름의 이형면 상에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 100㎛가 되도록 닥터 블레이드로 균일하게 도포하여, 수지 시트를 얻었다. 상기 수지 시트를 사용하여, 비교예 1 이외의 실시예 및 비교예와 동일한 방법에 의해 시트상 경화물을 제작하고, 비투자율(μ')을 측정하였다. 비투자율을 이하의 평가 기준으로 평가하였다.

(비투자율의 평가 기준)

「○」: 비투자율이 25 이상.

「×」: 비투자율이 25 미만.

<시험예 3: 손실 계수(tanδ)의 측정 및 평가>

시험예 2에서 얻은 시트상 경화물을 폭 5mm, 길이 18mm의 시험편으로 절단하여 평가 샘플을 얻었다. 상기 평가 샘플을, 측정 장치(Agilent Technologies사 제조, 「HP8362B」)를 사용하여, 3턴 코일법으로 측정 주파수를 10MHz로 하고, 실온 23℃에서 자성 손실(μ")을 얻었다. 손실 계수 tanδ는, 식 「tanδ = μ"/μ'」로부터 계산하였다. 손실 계수(tanδ)를 이하의 평가 기준으로 평가하였다.

(손실 계수(tanδ)의 평가 기준)

「○」: 손실 계수(tanδ)가 0.1 이하.

「×」: 손실 계수(tanδ)가 0.1을 초과한다.

<결과>

실시예 및 비교예의 수지 조성물의 성분 및 이의 함유량, 및 시험예의 측정 결과 및 평가 결과를 하기 표에 나타낸다. 하기 표에서, (a) 내지 (c) 성분, (A) 내지 (C) 성분 및 자성분의 전량의 함유율(질량% 및 체적%)은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100%로 할 경우의 값을 나타낸다.

1 회로 기판
10 코어 기판
11 지지 기판
12 제1 금속층
13 제2 금속층
14 스루홀
20 도금층
21 연마면 주위의 면
30 경화물
30a 수지 조성물
31 연마된 경화물의 면(연마면)
40 도체층
41 패턴 도체층
100 회로 기판
200 내층 기판
200a 제1 주표면
200b 제2 주표면
220 스루홀
220a 스루홀 내 배선
240 외부 단자
310 수지 시트
320 제1 경화물 층
320a 수지 조성물 층
330 지지체
360 비아홀
360a 비아홀 내 배선
400 코일상 도전성 구조체
420 제1 도체층
420a 랜드
440 제2 도체층

Claims (19)

1. (A) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,
   (B) 2㎛ 이하의 입자 직경을 갖는 자성분과,
   (D) 열경화성 수지를 포함하고,
   (A) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 23체적% 이상 60체적% 이하이고,
   (B) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 5체적% 이상 30체적% 이하인, 수지 조성물.
2. 제1항에 있어서, (A) 성분과 (B) 성분의 체적비((A) 성분/(B) 성분)가 1 이상 12 이하인, 수지 조성물.
3. 제1항에 있어서, (C) 자성분을 추가로 포함하고,
   (C) 자성분은 2㎛보다 크고 20㎛ 이하의 입자 직경을 갖는, 상기 (A) 성분 이외의 자성분인, 수지 조성물.
4. 제1항에 있어서, (D) 성분이 에폭시 수지를 포함하는, 수지 조성물.
5. 제1항에 있어서, (E) 경화 촉진제를 추가로 포함하는, 수지 조성물.
6. (a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,
   (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분과,
   (D) 열경화성 수지를 혼합하는 것을 포함하는, 제1항에 기재된 수지 조성물의 제조방법.
7. (a) 5.5㎛ 이상 20㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정 자성분과,
   (b) 2㎛ 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자성분과,
   (D) 열경화성 수지를 혼합하는 것을 포함하는, 수지 조성물의 제조방법.
8. 제6항 또는 제7항에 있어서, (a) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 30체적% 이상 80체적% 이하인, 수지 조성물의 제조방법.
9. 제6항 또는 제7항에 있어서, (a) 성분의 10% 입자 직경 D₁₀이 2㎛보다도 큰, 수지 조성물의 제조방법.
10. 제6항 또는 제7항에 있어서, (b) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 5체적% 이상 50체적% 이하인, 수지 조성물의 제조방법.
11. 제6항 또는 제7항에 있어서, (b) 성분의 90% 입자 직경 D₉₀이 5.5㎛ 미만인, 수지 조성물의 제조방법.
12. 제6항 또는 제7항에 있어서, (c) 자성분을 추가로 혼합하는 것을 포함하고,
    (c) 자성분은, 2㎛보다 크고 20㎛ 이하이고, 또한 (a) 성분의 평균 입자 직경보다도 작은 평균 입자 직경을 갖는, 수지 조성물의 제조방법.
13. 제12항에 있어서, (c) 자성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 34체적% 이하인, 수지 조성물의 제조방법.
14. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물.
15. 지지체와, 상기 지지체 상에 형성된 수지 조성물 층을 구비하고,
    수지 조성물 층이, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 수지 시트.
16. 제6항 또는 제7항에 기재된 제조방법에 의해 수지 조성물을 제조하는 공정과,
    수지 조성물을 지지체 상에 도포하는 공정을 포함하는, 수지 시트의 제조방법.
17. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 회로 기판.
18. 제17항에 있어서, 스루홀이 형성된 기판과, 상기 스루홀에 충전된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 회로 기판.
19. 제17항에 기재된 회로 기판을 포함하는, 인덕터 기판.

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