KR20240090200A - 수지 조성물 - Google Patents

Abstract

(A) 자성 분체 및 (B) 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물로서,
수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대한 (A) 자성 분체의 양이 65체적% 이상이며,
(A) 자성 분체가 (A-1) 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성 분체를 10체적% 이상 50체적% 이하 포함하는, 수지 조성물.

Description

수지 조성물

본 발명은, 수지 조성물, 수지 시트, 회로 기판 및 이의 제조방법, 및 인덕터 부품에 관한 것이다.

전자 기기에 사용되는 회로 기판의 하나로서, 기재의 스루 홀을 액상 수지 페이스트 등의 구멍 메움제로 충전하고, 상기 구멍 메움제를 경화하는 방법이 있다. 또한, 인덕터 부품용 회로 기판의 스루 홀을 충전하기 위한 구멍 메움제로서, 자성 분체를 포함하는 수지 페이스트로서의 자성 페이스트가 사용되는 경우가 있었다(특허문헌 1). 또한, 회로 기판의 제조방법으로서, 특허문헌 2에 기재된 기술도 알려져 있었다.

국제공개 제2020/105704호 일본 공개특허공보 특개2004-149758호

자성 페이스트에 포함되는 자성 분체의 재료로서의 자성 재료는 일반적으로 비중이 크다. 따라서, 자성 페이스트로 스루 홀을 충전하면, 자성 페이스트의 일부가 액 흘러내림(液ダレ)을 일으켜, 스루 홀의 외부로 유출되는 경우가 있었다. 여기서, 「액 흘러내림」이란, 자성 페이스트 등의 액상 재료가 자중(自重)에 의해 늘어지는 현상을 말한다.

상기 액 흘러내림을 억제하기 위해서, 본 발명자는, 자성 페이스트가 포함하는 자성 분체의 양을 늘림으로써 자성 페이스트의 틱소성을 높이는 것을 검토했다. 그러나, 자성 페이스트의 틱소성이 높아지면 자성 페이스트의 점도가 높아져, 구멍 매립성이 저하되기 때문에, 자성 페이스트를 스루 홀에 원활하게 충전하는 것이 곤란해질 수 있다. 따라서, 스루 홀 충전용 자성 페이스트가 포함할 수 있는 자성 분체의 양에는 제약이 있었기 때문에, 종래의 자성 페이스트는 많은 자성 분체를 포함할 수 없었다. 따라서, 스루 홀 중에 자성 페이스트의 경화물에 의해 형성되는 자성층은 높은 비투자율을 갖는 것이 곤란했다.

그래서, 본 발명자는, 액상 자성 페이스트가 아닌, 자성 분체를 포함하는 수지 조성물에 의해 형성된 수지 조성물 층을 구비한 수지 시트를 사용하여 스루 홀을 충전하는 것을 시도했다. 사용시에는, 수지 시트는, 압력이 가해지면서 수지 조성물 층이 기재에 접합하도록 적층된다. 따라서, 수지 조성물에 포함되는 자성 분체가 많은 경우에도, 수지 조성물 층의 일부를 상기 압력에 의해 스루 홀에 용이하게 충전할 수 있다. 따라서, 스루 홀 내에, 수지 조성물의 경화물에 의해 원활하게 자성층을 형성할 수 있다. 또한, 압력을 가할 수 없는 상태에서는 수지 조성물 층에 포함되는 수지 조성물은 용이하게는 유동하지 않기 때문에, 상기 수지 조성물 층을 구비한 수지 시트를 사용하는 경우, 액 흘러내림을 억제할 수 있다.

단, 수지 시트와 기재를 적층한 경우, 통상은, 스루 홀 안 뿐만 아니라, 기재의 표면의 넓은 범위에 수지 조성물 층이 제공된다. 따라서, 상기 수지 조성물 층을 경화시키면, 기재 표면의 넓은 범위에 자성층이 형성될 수 있다. 그래서, 일반적으로는, 불필요한 자성층을 제거하기 위해 연마가 행해진다. 구체적으로는, 수지 조성물 층을 경화하여 자성층을 형성한 후에 자성층을 연마하여, 자성층의 불필요한 부분을 제거한다. 자성층의 불필요한 부분으로서는, 예를 들면, 스루 홀 밖에 있는 부분을 들 수 있다.

그러나, 수지 조성물이 많은 자성 분체를 포함하는 경우, 자성층은, 연마성이 떨어지는 경향이 있었다. 그 때문에, 상기 자성층을 연마하기 위해 많은 시간을 요하거나, 연마에 의해 자성층이 균열 및 깨짐 등의 파손을 일으키거나 하는 경우가 있었다.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 자성 분체를 많이 포함하면서 연마성이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비한 수지 시트; 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 자성층을 구비한 회로 기판 및 이의 제조방법; 및 상기 회로 기판을 구비한 인덕터 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토했다. 그 결과, 본 발명자는, 특정 범위의 양의 (A) 자성 분체 및 (B) 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물에서, (A) 자성 분체가 (A-1) 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성 분체를 특정 범위의 양 포함하는 경우에 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은, 하기 것을 포함한다.

〔1〕 (A) 자성 분체 및 (B) 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물로서,

수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대한 (A) 자성 분체의 양이 65체적% 이상이며,

(A) 자성 분체가 (A-1) 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성 분체를 10체적% 이상 50체적% 이하 포함하는, 수지 조성물.

〔2〕 (B) 열경화성 수지가 (B-1) 에폭시 수지를 포함하는, 〔1〕에 기재된 수지 조성물.

〔3〕 (C) 열가소성 수지를 포함하는, 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 수지 조성물.

〔4〕 스루 홀 충전용인, 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

〔5〕 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비하는, 수지 시트.

〔6〕 지지체를 구비하는, 〔5〕에 기재된 수지 시트.

〔7〕 스루 홀을 형성한 기재와, 〔5〕 또는 〔6〕에 기재된 수지 시트를, 수지 조성물 층의 일부가 스루 홀에 충전되도록 적층하는 공정과,

상기 수지 조성물 층을 경화시켜 자성층을 형성하는 공정과,

상기 자성층을 연마하는 공정을 이러한 순서로 포함하는, 회로 기판의 제조방법.

〔8〕 스루 홀을 형성한 기재와, 상기 스루 홀에 충전된 자성층을 구비하고,

상기 자성층이, 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 회로 기판.

〔9〕〔8〕에 기재된 회로 기판을 구비한, 인덕터 부품.

본 발명에 의하면, 자성 분체를 많이 포함하면서 연마성이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비한 수지 시트; 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 자성층을 구비한 회로 기판 및 이의 제조방법; 및 상기 회로 기판을 구비한 인덕터 부품을 제공할 수 있다.

[도 1] 도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 스루 홀을 형성하기 전의 코어 기재를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 2] 도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 스루 홀을 형성한 코어 기재를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 3] 도 3은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 스루 홀 내에 도금층이 형성된 코어 기재를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 4] 도 4는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 코어 기재와 수지 시트를 적층하는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 5] 도 5는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 코어 기재와 수지 시트를 적층한 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 6] 도 6은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (2)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 7] 도 7은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (3)을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 8] 도 8은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
[도 9] 도 9는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태 및 예시물을 나타내어 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 하기 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니며, 청구의 범위 및 그 균등의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.

이하의 설명에 있어서, 수지 조성물의 수지 성분이란, 특별히 언급하지 않는 한, 수지 조성물의 불휘발 성분 중 자성 분체 등의 무기 입자를 제외한 성분을 나타낸다.

[1. 수지 조성물의 개요]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 특정 범위의 양의 (A) 자성 분체 및 (B) 열경화성 수지를 포함한다. 또한, (A) 자성 분체는 (A-1) 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성 분체를 특정 범위의 양으로 포함한다. 이하의 설명에 있어서, 「(A-1) 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성 분체」를 「(A-1) 소경(小徑) 자성 분체」라고 하는 경우가 있다. 이러한 수지 조성물은, (A) 자성 분체를 많이 포함하면서, 연마성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.

상기 수지 조성물은, 수지 시트의 수지 조성물 층의 재료로서 사용할 수 있다. 통상, 수지 시트는, 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비한다. 이러한 수지 시트는, 스루 홀을 형성한 기재와 적층함으로써 상기 스루 홀의 충전에 사용할 수 있다. 「스루 홀을 형성한 기재」를, 이하 「코어 기재」라고 하는 경우가 있다. 구체적으로는, 코어 기재와 수지 시트를 적층한 경우에, 수지 조성물 층의 일부를 스루 홀에 진입시켜 스루 홀을 충전할 수 있다. 이때, 수지 조성물 층은, 액상 자성 페이스트와는 달리, 자중에 의한 스루 홀로부터의 유출을 억제할 수 있기 때문에, 액 흘러내림의 억제가 가능하다.

수지 조성물은 (A) 자성 분체를 많이 포함하기 때문에, 상기 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물은 우수한 자성 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 수지 조성물의 경화물에 의해 비투자율, 자성 손실 등의 자성 특성이 우수한 자성층을 형성할 수 있다.

또한, 수지 조성물의 경화물은 연마성이 우수할 수 있다. 따라서, 코어 기재에 제공된 자성층을 신속하고 또한 원활하게 연마할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 코어 기재와 수지 시트의 적층에 의해 코어 기재 표면의 넓은 범위에 수지 조성물 층이 부착되고, 상기 수지 조성물 층을 경화시켜 자성층이 형성된 경우에, 이와 같이 광범위하게 형성된 자성층을 연마에 의해 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 균열 및 깨짐 등의 파손을 억제하면서 연마를 행할 수 있기 때문에, 자성층의 연마면을 안정적으로 평활하게 할 수 있다. 여기서, 「연마면」이란, 연마 처리를 실시한 면을 말한다.

상기와 같이 우수한 연마성이 얻어지는 구조를, 본 발명자는, 하기와 같이 추찰한다. 즉, (A) 자성 분체는 일반적으로 높은 강성을 갖기 때문에, 상기 (A) 자성 분체의 입자는 연마에 의해 깎이기 어렵다. 따라서, 연마시에는, 일부 또는 전부의 (A) 자성 분체의 입자가 수지 조성물의 경화물로부터 떨어짐으로써, 상기 경화물의 연마가 진행될 수 있다. 이때, (A) 자성 분체가 (A-1) 소경 자성 분체를 포함하면, (A-1) 소경 자성 분체의 입자는, 입자 직경이 큰 입자보다도 작은 힘에 의해 경화물로부터 떨어질 수 있다. 따라서, (A-1) 소경 자성 분체가 포함됨으로써 경화물의 연마의 진행 속도를 빠르게 할 수 있다. 또한, 상기와 같이 연마의 진행 속도를 빠르게 할 수 있으면, 수지 성분에 가해지는 부하를 작게 할 수 있기 때문에, 연마에 의한 수지 성분으로의 데미지를 억제할 수 있다. 또한, 상기 수지 조성물과 같이 (A-1) 소경 자성 분체의 양이 적절한 범위에 있는 경우, 경화물로부터 (A-1) 소경 자성 분체가 떨어지는 것의 발생 빈도가 과잉이 되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 경화물의 깨짐 및 균열 등의 파손을 억제 할 수 있다. 따라서, 상기 수지 조성물의 경화물은, 파손을 억제하면서 효율적으로 연마할 수 있고, 따라서, 우수한 연마성을 가질 수 있다.

[2. (A) 자성 분체]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, (A) 성분으로서 (A) 자성 분체를 포함한다. (A) 자성 분체로서는, 1보다 큰 비투자율을 갖는 재료의 입자를 사용할 수 있다. (A) 자성 분체의 재료는, 통상은 무기 재료이며, 연자성 재료라도 좋고, 경자성 재료라도 좋다. 또한, (A) 자성 분체의 재료는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 따라서, (A) 자성 분체는, 연자성 분체라도 좋고, 경자성 분체라도 좋고, 연자성 분체 및 경자성 분체의 조합이라도 좋다. 또한, (A) 자성 분체는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 자성 분체는 연자성 분체를 포함하는 것이 바람직하고, 연자성 분체만을 포함하는 것이 보다 바람직하다.

(A) 자성 분체로서는, 예를 들면, 자성 금속 산화물 분체, 자성 금속 분체를 들 수 있다.

자성 금속 산화물 분체로서는, 예를 들면, Fe-Mn계 페라이트 분체, Fe-Mn-Mg계 페라이트 분체, Fe-Mn-Mg-Sr계 페라이트 분체, Fe-Mg-Zn계 페라이트 분체, Fe-Mg-Sr계 페라이트 분체, Fe-Zn-Mn계 페라이트 분체, Fe-Cu-Zn계 페라이트 분체, Fe-Ni-Zn계 페라이트 분체, Fe-Ni-Zn-Cu계 페라이트 분체, Fe-Ba-Zn계 페라이트 분체, Fe-Ba-Mg계 페라이트 분체, Fe-Ba-Ni계 페라이트 분체, Fe-Ba-Co계 페라이트 분체, Fe-Ba-Ni-Co계 페라이트 분체, Fe-Y계 페라이트 분체 등의 페라이트 분체; 산화철분(III), 사산화삼철분 등의 산화철 분체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 페라이트 분체가 바람직하다. 페라이트 분체는, 통상, 산화철을 주성분으로 하는 복합 산화물로 이루어지고, 화학적으로 안정되어 있다. 따라서, 페라이트 분체에 의하면, 내식성이 높고, 발화의 위험성이 낮고, 감자하기 어려운 등의 이점이 얻어진다. 그 중에서도, Mn 및 Zn으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 페라이트 분체가 바람직하고, Mn을 포함하는 페라이트 분체가 보다 바람직하고, Fe-Mn계 페라이트 분체 및 Fe-Zn-Mn계 페라이트 분체가 특히 바람직하다. Fe-Mn계 페라이트 분체는 Fe 및 Mn을 포함하는 페라이트 분체를 나타내고, Fe-Zn-Mn계 페라이트 분체는 Fe, Zn 및 Mn을 포함하는 페라이트 분체를 나타낸다.

자성 금속 분체로서는, 예를 들면, 순철 분체; Fe-Si계 합금 분체, Fe-Si-Al계 합금 분체, Fe-Cr계 합금 분체, Fe-Cr-Si계 합금 분체, Fe-Ni-Cr계 합금 분체, Fe-Cr-Al계 합금 분체, Fe-Ni계 합금 분체, Fe-Ni-Si계 합금 분체, Fe-Ni-B계 합금 분체, Fe-Ni-Mo계 합금 분체, Fe-Ni-Mo-Cu계 합금 분체, Fe-Co계 합금 분체, Fe-Ni-Co계 합금 분체, Co기 아몰퍼스 합금 분체 등의 결정질 또는 비정질 합금 분체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 합금 분체가 바람직하고, 철 합금계 분체가 보다 바람직하다. 철 합금계 분체로서는, Fe와, Si, Cr 및 Ni로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 철 합금계 분체가 바람직하고, Fe-Cr-Si계 합금 분체 및 Fe-Ni계 합금 분체가 특히 바람직하다. Fe-Cr-Si계 합금 분체는 Fe, Cr 및 Si를 포함하는 합금 분체를 나타내고, Fe-Ni계 합금 분체는 Fe 및 Ni를 포함하는 합금 분체를 나타낸다.

수지 조성물에 포함되는 (A) 자성 분체의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 통상 65체적% 이상, 바람직하게는 67체적% 이상, 특히 바람직하게는 70체적% 이상이다. 수지 조성물이 상기 범위의 양의 (A) 자성 분체를 포함하는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성을 양호하게 할 수 있다. 또한, 일반적으로, 상기와 같이 많은 자성 분체를 포함하는 수지 조성물은 인쇄법에 의한 스루 홀로의 충전성이 떨어지지만, 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비한 수지 시트를, 스루 홀을 구비하는 코어 기재에 적층하는 방법에 의하면, 수지 조성물에 의한 스루 홀의 충전을 원활하게 행할 수 있다. 또한, 일반적으로, 상기와 같이 많은 자성 분체를 포함하는 수지 조성물의 경화물은 연마성이 떨어지는 경향이 있지만, 본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 상기 수지 조성물의 경화물의 연마성을 양호하게 할 수 있다. (A) 자성 분체의 양의 상한에 특별히 제한은 없지만, 스루 홀에 대한 충전성 및 수지 조성물의 경화물의 연마성을 특히 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 95체적% 이하, 보다 바람직하게는 90체적% 이하, 특히 바람직하게는 85체적% 이하이다.

수지 조성물에 포함되는 각 성분의 체적 함유율(체적%)은, 수지 조성물에 포함되는 성분의 질량으로부터 계산에 의해 구해진다. 구체적으로는, 질량을 비중으로 나누어 각 성분의 체적을 구하고, 그렇게 하여 구한 각 성분의 체적으로부터 계산에 의해 체적 함유율(체적%)을 구할 수 있다.

(A) 자성 분체는, 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 (A-1) 소경 자성 분체를 특정 범위의 양으로 포함한다. 구체적으로는, (A) 자성 분체의 총량 100체적%에 대하여, (A-1) 소경 자성 분체의 양(체적%)은, 통상 10체적% 이상, 바람직하게는 13체적% 이상, 특히 바람직하게는 16체적% 이상이고, 바람직하게는 50체적% 이하, 보다 바람직하게는 47체적% 이하, 특히 바람직하게는 44체적% 이하이다. (A) 자성 분체에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 양이 상기 범위에 있는 경우에, 수지 조성물의 경화물은 연마성이 우수할 수 있다.

(A) 자성 분체에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 양은, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해 (A) 자성 분체의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 입자 직경 분포로부터 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 (A-1) 소경 자성 분체의 양을 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 분체를 초음파에 의해 물에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-500」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 사용할 수 있다.

상기한 바와 같이 특정 범위의 양의 (A-1) 소경 자성 분체를 포함하는 (A) 자성 분체는, 예를 들면, 적절한 입자 직경 분포를 갖는 복수 종류의 자성 분체를 혼합함으로써 제조할 수 있다. 구체예를 들면, 1㎛ 미만의 평균 입자 직경을 갖는 제1 자성 분체와, 1㎛ 이상의 평균 입자 직경을 갖는 제2 자성 분체를 적절한 양비로 혼합하여 (A) 자성 분체를 얻을 수 있다. 단, 제1 자성 분체 및 제2 자성 분체 등의 자성 분체는, 각각 1㎛ 미만의 입자 직경의 입자와 1㎛ 이상의 입자 직경의 입자를 포함할 수 있다. 따라서, 제1 자성 분체의 양은, 일반적으로, (A-1) 소경 자성 분체의 양과 일치하지 않는다. 따라서, 특정 범위의 양의 (A-1) 소경 자성 분체를 포함하는 (A) 자성 분체를 얻기 위해서는, 통상, 제1 자성 분체 및 제2 자성 분체의 양비는, 제1 자성 분체 및 제2 자성 분체 각각의 입자 직경 분포를 파악한 후에, 이러한 입자 직경 분포에 기초하여 설정하는 것이 요구된다.

(A) 자성 분체는, (A-1) 소경 자성 분체에 조합하여, (A-2) 1㎛ 이상의 입자 직경을 갖는 자성 분체를 포함한다. 이하의 설명에 있어서, 「(A-2) 1㎛ 이상의 입자 직경을 갖는 자성 분체」를 「(A-2) 대경(大徑) 자성 분체」라고 하는 경우가 있다. (A) 자성 분체는, 체적 기준으로 (A-1) 소경 자성 분체와 동일하거나 또는 보다 많은 양의 (A-2) 대경 자성 분체를 포함하므로, 1㎛ 이상의 평균 입자 직경을 가질 수 있다. (A) 자성 분체의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1.4㎛ 이상, 특히 바람직하게는 1.6㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5.0m 이하이다.

평균 입자 직경은, 달리 언급하지 않는 한, 체적 기준의 메디안 직경을 나타낸다. 상기 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로서 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 분체를 초음파에 의해 물에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-500」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 사용할 수 있다.

(A) 자성 분체의 비표면적은, 비투자율을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 0.05m²/g 이상, 보다 바람직하게는 0.1m²/g 이상, 더욱 바람직하게는 0.3m²/g 이상이고, 바람직하게는 10m²/g 이하, 보다 바람직하게는 8m²/g 이하, 더욱 바람직하게는 5m²/g 이하이다. (A) 자성 분체의 비표면적은 BET법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 비표면적은, BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 「Macsorb HM Model 1210」)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시켜, BET 다점법을 사용하여 측정할 수 있다.

(A) 자성 분체의 입자는, 구상 또는 타원체상 입자인 것이 바람직하다. (A) 자성 분체의 입자의 장축의 길이를 단축의 길이로 나눈 비(종횡비)는, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1.2 이하이며, 통상 1.0 이상이다. 일반적으로, 자성 분체의 입자의 형상이 구상이 아닌 편평한 형상이면, 비투자율을 향상시키기 쉽다. 한편, 자성 분체의 입자의 형상이 구상에 가까우면, 자기 손실을 낮게 하기 쉽다.

(A) 자성 분체의 진비중은, 예를 들면, 4g/cm³ 내지 10g/cm³일 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A) 자성 분체의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 75질량% 이상, 보다 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게 85질량% 이상이고, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 98질량% 이하, 특히 바람직하게는 96질량% 이하이다. (A) 자성 분체의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성을 양호하게 하면서, 그 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

(A) 자성 분체의 총량 100질량%에 대하여, (A-1) 소경 자성 분체의 양(질량%)은, 바람직하게는 8질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 특히 바람직하게는 12질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. (A) 자성 분체에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성을 양호하게 하면서, 그 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

[3. (B) 열경화성 수지]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, (B) 성분으로서 (B) 열경화성 수지를 포함한다. (B) 열경화성 수지는 통상, (A) 자성 분체를 결착할 수 있다. 또한, (B) 열경화성 수지는 통상, 열에 의해 반응하여 결합을 일으켜, 수지 조성물을 경화시킬 수 있다. 따라서, (A) 자성 분체 및 (B) 열경화성 수지를 조합하여 포함하는 수지 조성물은, 경화하여 자성층을 형성할 수 있다.

(B) 열경화성 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀계 수지, 활성 에스테르계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지, 벤조옥사진계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지 등을 들 수 있다. (B) 열경화성 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(B) 열경화성 수지는 (B-1) 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (B-1) 에폭시 수지는 분자 중에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 수지를 나타낸다. (B) 열경화성 수지가 (B-1) 에폭시 수지를 포함하는 경우, 스루 홀에 대한 충전성 및 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

(B-1) 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지; 비스페놀 F형 에폭시 수지; 비스페놀 S형 에폭시 수지; 비스페놀 AF형 에폭시 수지; 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지; 트리스페놀형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지; 글리시딜아민형 에폭시 수지; 글리시딜에스테르형 에폭시 수지; 크레졸노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 선상 지방족 에폭시 수지; 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지; 지환식 에폭시 수지; 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지; 복소환식 에폭시 수지; 스피로환 함유 에폭시 수지; 사이클로헥산형 에폭시 수지; 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지; 트리메틸올형 에폭시 수지; 테트라페닐에탄형 에폭시 수지; 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지 등의 축합환 골격을 함유하는 에폭시 수지; 이소시아누레이트형 에폭시 수지; 알킬렌옥시 골격 및 부타디엔 골격 함유 에폭시 수지; 플루오렌 구조 함유 에폭시 수지 등을 들 수 있다. (B-1) 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(B-1) 에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (B-1) 에폭시 수지의 총량 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.

(B-1) 에폭시 수지는 방향족 구조를 갖는 것이 바람직하다. 2종 이상의 에폭시 수지를 사용하는 경우, 1종 이상의 에폭시 수지가 방향족 구조를 갖는 것이 바람직하다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다.

(B-1) 에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다.)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」 라고 하는 경우가 있다.)가 있다. (B-1) 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지만이라도 좋고, 고체상 에폭시 수지만이라도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 조합이라도 좋다. 그 중에서도, (B-1) 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 액상 에폭시 수지만을 포함하는 것이 특히 바람직하다.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다. 액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 알킬렌옥시 골격 및 부타디엔 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 구조 함유 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지가 바람직하다. 그 중에서도, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지 및 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지가 특히 바람직하다.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조 「YX7400」； DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-991L」(알킬렌옥시 골격 함유 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」, 「셀록사이드 2081」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 니혼 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「EG-280」(플루오렌 구조 함유 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 액상 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(크실렌 구조 함유 노볼락형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 고체상 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 질량비(액상 에폭시 수지/개체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 0.5 이상, 보다 바람직하게는 1 이상, 더욱 바람직하게는 5 이상, 특히 바람직하게는 10 이상이다.

(B-1) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 보다 더 바람직하게는 110g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다. 이러한 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.

(B-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (B-1) 에폭시 수지의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1질량% 이상이며, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이다. (B-1) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (B-1) 에폭시 수지의 양(질량%)은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 특히 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 특히 바람직하게는 60질량% 이하이다. (B-1) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 질량 M(A-1)과 (B-1) 에폭시 수지의 질량 M(B-1)의 질량비 M(B-1)/M(A-1)은 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 질량비 M(B-1)/M(A-1)의 범위는, 바람직하게는 0.07 이상, 보다 바람직하게는 0.08 이상이며, 바람직하게는 0.35 이하, 보다 바람직하게는 0.32 이하, 특히 바람직하게는 0.30 이하이다. 질량비 M(B-1)/M(A-1)이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 체적 V(A-1)과 (B-1) 에폭시 수지의 체적 V(B-1)의 체적비 V(B-1)/V(A-1)은 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 체적비 V(B-1)/V(A-1)의 범위는, 바람직하게는 0.30 이상, 보다 바람직하게는 0.32 이상, 특히 바람직하게는 0.35 이상이며, 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 1.4 이하, 특히 바람직하게는 1.3 이하이다. 체적비 V(B-1)/V(A-1)이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

(B) 열경화성 수지가 (B-1) 에폭시 수지를 포함하는 경우, (B) 열경화성 수지는, (B-1) 에폭시 수지와 반응하여 결합할 수 있는 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (B-1) 에폭시 수지와 반응하여 결합할 수 있는 수지를, 이하 「(B-2) 경화제」라고 하는 경우가 있다. (B-2) 경화제로서는, 예를 들면, 페놀계 수지, 활성 에스테르계 수지, 아민계 수지, 카보디이미드계 수지, 산 무수물계 수지, 벤조옥사진계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 티올계 수지 등을 들 수 있다. (B-2) 경화제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 하는 관점에서는, 페놀계 수지가 바람직하다.

페놀계 수지로서는, 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향환에 결합한 수산기를 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 수지를 사용할 수 있다. 내열성 및 내수성의 관점에서는, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 수지가 바람직하다. 또한, 밀착성의 관점에서는, 함질소 페놀계 수지가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 수지가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성 및 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지가 바람직하다.

페놀계 수지의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000H」; 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-495V」, 「SN-375」, 「SN-395」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「TD-2090-60M」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」; 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」, 「ELPC75」 등을 들 수 있다.

활성 에스테르계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 수지로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 상기 활성 에스테르 수지는, 카복실산 화합물 및/또는 티오 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합되어 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.

활성 에스테르계 수지의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어지는 2가 구조 단위를 나타낸다.

활성 에스테르계 수지의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「EXB-9416-70BK」, 「EXB-8150-65T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150L-65T」(DIC사 제조); 페노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.

아민계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 아미노기를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 아민계 수지로서는, 예를 들면, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 수지는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 수지의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 수지는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 니혼 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.

카보디이미드계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 카보디이미드 구조를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 카보디이미드계 수지의 구체예로서는, 테트라메틸렌-비스(t-부틸카보디이미드), 사이클로헥산비스(메틸렌-t-부틸카보디이미드) 등의 지방족 비스카보디이미드; 페닐렌-비스(크실릴카보디이미드) 등의 방향족 비스카보디이미드 등의 비스카보디이미드; 폴리헥사메틸렌카보디이미드, 폴리트리메틸헥사메틸렌카보디이미드, 폴리사이클로헥실렌카보디이미드, 폴리(메틸렌비스사이클로헥실렌카보디이미드), 폴리(이소포론카보디이미드) 등의 지방족 폴리카보디이미드; 폴리(페닐렌카보디이미드), 폴리(나프틸렌카보디이미드), 폴리(톨릴렌카보디이미드), 폴리(메틸디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(트리에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(디에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(트리이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(크실릴렌카보디이미드), 폴리(테트라메틸크실릴렌카보디이미드), 폴리(메틸렌디페닐렌카보디이미드), 폴리[메틸렌비스(메틸페닐렌)카보디이미드] 등의 방향족 폴리카보디이미드 등의 폴리카보디이미드를 들 수 있다. 카보디이미드계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 닛신보 케미컬사 제조의 「카보디라이트 V-02B」, 「카보디라이트 V-03」, 「카보디라이트 V-04K」, 「카보디라이트 V-07」 및 「카보디라이트 V-09」; 라인케미사 제조의 「스타박졸 P」, 「스타박졸 P400」, 「하이카질 510」 등을 들 수 있다.

산 무수물계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 수지를 사용할 수 있고, 1분자 중에 2개 이상의 산 무수물기를 갖는 수지가 바람직하다. 산 무수물계 수지의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤소페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 신니혼 리카사 제조의 「HNA-100」, 「MH-700」, 「MTA-15」, 「DDSA」, 「OSA」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YH-306」, 「YH-307」; 히타치 카세이사 제조의 「HN-2200」, 「HN-5500」; 클레이 밸리사 제조 「EF-30」, 「EF-40」, 「EF-60」, 「EF-80」 등을 들 수 있다.

벤조옥사진계 수지의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OD100」, 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」 등을 들 수 있다.

시아네이트에스테르계 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 수지의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.

티올계 수지로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.

(B-2) 경화제의 활성기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1,000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 활성기 당량은, 활성기 1당량당 (B-2) 경화제의 질량을 나타낸다.

(B-1) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우, (B-2) 경화제의 활성기 수는, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상, 특히 바람직하게는 0.5 이상이며, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 특히 바람직하게는 3 이하이다. (B-2) 경화제의 활성기란 활성 수산기 등이며, 경화제의 종류에 따라 상이하다. 또한, (B-1) 에폭시 수지의 에폭시기 수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대해 합계한 값이다. 또한, (B-2) 경화제의 활성기 수란, 각 경화제의 고형분 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 대해 합계한 값이다.

수지 조성물에 포함되는 (B-2) 경화제의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1질량% 이상이며, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이다. (B-2) 경화제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (B-2) 경화제의 양(질량%)은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 특히 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (B-2) 경화제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

(B) 열경화성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)의 범위는 통상, 상기 (B-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 범위와 동일할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (B) 열경화성 수지의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 2질량% 이상이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 13질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다. (B) 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (B) 열경화성 수지의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 5체적% 이상, 보다 바람직하게는 9체적% 이상, 특히 바람직하게는 14체적% 이상이고, 바람직하게는 35체적% 이하, 보다 바람직하게는 30체적% 이하, 특히 바람직하게는 25체적% 이하이다. (B) 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (B) 열경화성 수지의 양(질량%)은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 특히 바람직하게는 85질량% 이하이다. (B) 열경화성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

[4. (C) 열가소성 수지]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 및 (B) 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서, (C) 열가소성 수지를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 상기 (C) 성분으로서의 (C) 열가소성 수지에는, 상기 (A) 및 (B) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다. (C) 열가소성 수지에 의하면, 수지 조성물의 경화물의 기계 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.

(C) 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. (C) 열가소성 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「FX280」 및 「FX293」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」, 「YL7482」 및 「YL7891BH30」 등을 들 수 있다.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SLK-6100」, 신니혼 리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」 등을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 선상 폴리이미드(특개2006-37083호 공보 기재의 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(특개2002-12667호 공보 및 특개2000-319386호 공보 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키 카가쿠 코교사 제조의 「덴카부티랄 4000-2」, 「덴카부티랄 5000-A」, 「덴카부티랄 6000-C」, 「덴카부티랄 6000-EP」; 세키스이 카가쿠 코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들면, BX-5Z), KS 시리즈(예를 들면, KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.

폴리올레핀 수지로서는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 등의 에틸렌계 공중합 수지; 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 등의 폴리올레핀계 중합체 등을 들 수 있다.

폴리부타디엔 수지로서는, 예를 들면, 수소화폴리부타디엔 골격 함유 수지, 하이드록시기 함유 폴리부타디엔 수지, 페놀성 수산기 함유 폴리부타디엔 수지, 카복시기 함유 폴리부타디엔 수지, 산 무수물기 함유 폴리부타디엔 수지, 에폭시기 함유 폴리부타디엔 수지, 이소시아네이트기 함유 폴리부타디엔 수지, 우레탄기 함유 폴리부타디엔 수지, 폴리페닐렌에테르-폴리부타디엔 수지 등을 들 수 있다.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보사 제조의 「바이로맥스 HR11NN」 및 「바이로맥스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.

폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, SABIC 제조 「NORYL SA90」 등을 들 수 있다. 폴리에테르이미드 수지의 구체예로서는, GE사 제조의 「울템」 등을 들 수 있다.

폴리카보네이트 수지로서는, 예를 들면, 하이드록시기 함유 카보네이트 수지, 페놀성 수산기 함유 카보네이트 수지, 카복시기 함유 카보네이트 수지, 산 무수물기 함유 카보네이트 수지, 이소시아네이트기 함유 카보네이트 수지, 우레탄기 함유 카보네이트 수지 등을 들 수 있다. 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 「FPC0220」, 아사히 카세이 케미컬즈사 제조의 「T6002」, 「T6001」(폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올) 등을 들 수 있다. 폴리에테르에테르케톤 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「스미프로이 K」 등을 들 수 있다.

폴리에스테르 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌나프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌나프탈레이트 수지, 폴리사이클로헥산디메틸테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다.

(C) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 5,000보다 크고, 보다 바람직하게는 8,000 이상, 더욱 바람직하게는 10,000 이상, 특히 바람직하게는 20,000 이상이다. 상한은, 특단의 제한은 없고, 예를 들면, 100만 이하, 50만 이하, 10만 이하 등일 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (C) 열가소성 수지의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 특히 바람직하게는 2질량% 이하이다. (C) 열가소성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (C) 열가소성 수지의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 0.1체적% 이상, 보다 바람직하게는 1체적% 이상, 특히 바람직하게는 2체적% 이상이고, 바람직하게는 20체적% 이하, 보다 바람직하게는 10체적% 이하, 특히 바람직하게는 5체적% 이하이다. (C) 열가소성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (C) 열가소성 수지의 양(질량%)은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다. (C) 열가소성 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 질량 M(A-1)과 (C) 열가소성 수지의 질량 M(C)의 질량비 M(C)/M(A-1)는 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 질량비 M(C)/M(A-1)의 범위는, 바람직하게는 0.019 이상, 보다 바람직하게는 0.020 이상, 특히 바람직하게는 0.021 이상이며, 바람직하게는 0.095 이하, 보다 바람직하게는 0.090 이하, 특히 바람직하게는 0.080 이하이다. 질량비 M(C)/M(A-1)이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 체적 V(A-1)과 (C) 열가소성 수지의 체적 V(C)의 체적비 V(C)/V(A-1)는 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 체적비 V(C)/V(A-1)의 범위는, 바람직하게는 0.080 이상, 보다 바람직하게는 0.085 이상, 특히 바람직하게는 0.090 이상이며, 바람직하게는 0.40 이하, 보다 바람직하게는 0.38 이하, 특히 바람직하게는 0.35 이하이다. 체적비 V(C)/V(A-1)이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

[5. (D) 분산제]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (C) 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서, (D) 분산제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 상기 (D) 성분으로서의 (D) 분산제에는, 상기 (A) 내지 (C) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다. (D) 분산제에 의하면, (A) 자성 분체의 분산성을 효과적으로 높일 수 있기 때문에, 수지 조성물의 스루 홀에 대한 매립성을 특히 양호하게 할 수 있다.

(D) 분산제로서는, 수지 조성물의 점도를 저하시킬 수 있는 화합물을 사용할 수 있다. (D) 분산제로서는, 예를 들면, 인산에스테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌계 분산제, 아세틸렌계 분산제, 실리콘계 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등을 들 수 있다. (E) 분산제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 인산에스테르계 분산제가 바람직하다.

인산에스테르계 분산제 중에서도, 폴리에테르형 인산에스테르계 분산제가 바람직하다. 폴리에테르형 인산에스테르계 분산제는, 분자 중에 폴리(알킬렌옥시) 구조를 포함하는 인산에스테르계 분산제이다. 폴리에테르형 인산에스테르계 분산제로서는, 예를 들면, 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르인산에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르가 바람직하다.

폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르는, 알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기가, 인산염의 인 원자에 1 내지 3개 결합하고 있는 구조를 가질 수 있다. 알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기에서의 폴리(알킬렌옥시) 부위의 알킬렌옥시 단위의 수(반복 단위 수)는 2 내지 30이 바람직하고, 3 내지 20이 보다 바람직하다. 또한, 폴리(알킬렌옥시) 부위에서의 알킬렌기는, 탄소 원자수가 2 내지 4인 알킬렌기인 것이 바람직하다. 이러한 알킬렌기로서는, 예를 들면, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 부틸렌기, 이소부틸기 등을 들 수 있다. 또한, 알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기에서의 알킬기는, 탄소 원자수가 6 내지 30인 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수가 8 내지 20인 알킬기가 보다 바람직하다. 이러한 알킬기로서는, 예를 들면, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. 또한, 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르가 복수의 알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기를 갖고 있는 경우, 복수의 알킬기는 동일해도 좋고, 상이해도 좋다. 또한, 복수의 알킬렌기는 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.

폴리에테르형 인산에스테르계 분산제의 산가는, 바람직하게는 10 이상, 보다 바람직하게는 15 이상이며, 또한, 바람직하게는 200 이하, 보다 바람직하게는 150 이하이다. 산가는, 중화 적정법에 의해 측정할 수 있다.

인산에스테르계 분산제의 시판품의 예로서는, 쿠스모토 카세이사의 폴리에테르형 인산에스테르계 분산제(예를 들면, HIPLAAD 시리즈의 「ED152」, 「ED153」, 「ED154」, 「ED118」, 「ED174」, 「ED251」 등); 토호 카가쿠 코교사 제조의 포스파놀 시리즈의 「RS-410」, 「RS-610」, 「RS-710」 등을 들 수 있다.

폴리옥시알킬렌계 분산제로서는, 예를 들면, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드 등을 들 수 있다. 폴리옥시알킬렌계 분산제의 시판품의 예로서는, 니치유사 제조 「마리아림」 시리즈의 「AKM-0531」, 「AFB-1521」, 「SC-0505K」, 「SC-1015F」 및 「SC-0708A」 및 「HKM-50A」 등을 들 수 있다.

아세틸렌계 분산제로서는, 예를 들면, 아세틸렌글리콜을 들 수 있다. 아세틸렌계 분산제의 시판품의 예로서는, Air Products and Chemicals Inc. 제조 「사피놀」 시리즈의 「82」, 「104」, 「440」, 「465」 및 「485」 및 「올레핀 Y」 등을 들 수 있다.

실리콘계 분산제로서는, 예를 들면, 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에테르 변성 실록산, 폴리에스테르 변성 폴리디메틸실록산 등을 들 수 있다. 실리콘계 분산제의 시판품의 예로서는, 빅케미사 제조 「BYK347」, 「BYK348」 등을 들 수 있다.

음이온성 분산제로서는, 예를 들면, 폴리아크릴산나트륨, 도데실벤젤설폰산나트륨, 라우릴산나트륨, 폴리옥시에틸렌알킬에테르설페이트암모늄, 카복시메틸셀룰로오스나트륨염 등을 들 수 있다. 음이온성 분산제의 시판품의 예로서는, 아지노모토 파인 테크노사 제조 「PN-411」, 「PA-111」; 라이온사 제조 「A-550」, 「PS-1900」 등을 들 수 있다.

양이온성 분산제로서는, 예를 들면, 아미노기 함유 폴리아크릴레이트계 수지, 아미노기 함유 폴리스티렌계 수지 등을 들 수 있다. 양이온성 분산제의 시판품의 예로서는, 빅케미사 제조 「161」, 「162」, 「164」, 「182」, 「2000」, 「2001」; 아지노모토 파인 테크노사 제조 「PB-821」, 「PB-822」, 「PB-824」; 아이에스피 재팬사 제조 「V-216」, 「V-220」; 루브리졸사 제조 「솔스퍼스 13940」, 「솔스퍼스 24000」, 「솔스퍼스 32000」 등을 들 수 있다.

(D) 분산제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

수지 조성물에 포함되는 (D) 분산제의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.2질량% 이상이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 특히 바람직하게는 2질량% 이하이다. (D) 분산제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (D) 분산제의 양(체적%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대하여, 바람직하게는 0.1체적% 이상, 보다 바람직하게는 0.5체적% 이상, 특히 바람직하게는 1체적% 이상이고, 바람직하게는 20체적% 이하, 보다 바람직하게는 10체적% 이하, 특히 바람직하게는 5체적% 이하이다. (D) 분산제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (D) 분산제의 양(질량%)은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다. (D) 분산제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 질량 M(A-1)과 (D) 분산제의 질량 M(D)의 질량비 M(D)/M(A-1)는 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 질량비 M(D)/M(A-1)의 범위는, 바람직하게는 0.016 이상, 보다 바람직하게는 0.017 이상, 특히 바람직하게는 0.018 이상이며, 바람직하게는 0.080 이하, 보다 바람직하게는 0.070 이하, 특히 바람직하게는 0.065 이하이다. 질량비 M(D)/M(A-1)이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (A-1) 소경 자성 분체의 체적 V(A-1)과 (D) 분산제의 체적 V(D)의 체적비 V(D)/V(A-1)는 특정 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 체적비 V(D)/V(A-1)의 범위는, 바람직하게는 0.080 이상, 보다 바람직하게는 0.085 이상, 특히 바람직하게는 0.090 이상이며, 바람직하게는 0.42 이하, 보다 바람직하게는 0.38 이하, 특히 바람직하게는 0.35 이하이다. 체적비 V(D)/V(A-1)이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 자성 특성 및 연마성을 특히 양호하게 할 수 있다.

[6. (E) 경화 촉진제]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (D) 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서, (E) 경화 촉진제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 상기 (E) 성분으로서의 (E) 경화 촉진제에는, 상기 (A) 내지 (D) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다. (E) 경화 촉진제는 (B-1) 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 촉매로서의 기능을 갖기 때문에, 수지 조성물의 경화를 촉진할 수 있다.

(E) 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. (E) 경화 촉진제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다. 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「큐어졸 2MZ」, 「2E4MZ」, 「Cl1Z」, 「Cl1Z-CN」, 「Cl1Z-CNS」, 「Cl1Z-A」, 「2MZ-OK」, 「2MA-OK」, 「2MA-OK-PW」, 「2PHZ」 등을 들 수 있다.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센, 1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]운데센-7,4-디메틸아미노피리딘, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘이 바람직하다.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II) 아세틸아세토네이트, 코발트(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.

수지 조성물에 포함되는 (E) 경화 촉진제의 양(질량%)은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.005질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.01질량% 이상이고, 바람직하게는 1질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이하이다.

수지 조성물에 포함되는 (E) 경화 촉진제의 양(질량%)은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 2.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 1.0질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.

[7. (F) 임의의 첨가제]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (E) 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서, (F) 임의의 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 상기 (F) 성분으로서의 (F) 임의의 첨가제에는, 상기 (A) 내지 (E) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다.

(F) 임의의 첨가제로서는, 예를 들면, 말레이미드계 라디칼 중합성 화합물, 비닐페닐계 라디칼 중합성 화합물, (메타)아크릴계 라디칼 중합성 화합물, 알릴계 라디칼 중합성 화합물, 폴리부타디엔계 라디칼 중합성 화합물 등의 라디칼 중합성 화합물; 과산화물계 라디칼 중합 개시제, 아조계 라디칼 중합 개시제 등의 라디칼 중합 개시제; 실리카 입자 등의 무기 충전재; 고무 입자 등의 유기 충전재; 유기 구리 화합물; 유기 아연 화합물 등의 유기 금속 화합물; 하이드로퀴논, 카테콜, 피로갈롤, 페노티아진 등의 중합 금지제; 실리콘계 레벨링제, 아크릴폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소 실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드페놀계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 인계 난연제(예를 들면, 인산에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적린), 질소계 난연제(예를 들면, 황산멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들면, 삼산화안티몬) 등의 난연제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제 등을 들 수 있다. (F) 임의의 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

[8. (G) 용제]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (F) 성분과 같은 불휘발 성분에 조합하여, 휘발성 성분으로서 (G) 용제를 추가로 포함하고 있어도 좋다.

(G) 용제로서는 통상, 유기 용제를 사용한다. 유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산이소아밀, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산 2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산메틸 등의 에테르에스테르계 용제; 락트산메틸, 락트산에틸, 2-하이드록시이소부티르산메틸 등의 에스테르알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카비톨) 등의 에테르알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. (G) 용제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(G) 용제의 양은, 수지 조성물 또는 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층의 용융 점도를 적절한 범위로 조정할 수 있도록 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 조성물은 (G) 용제를 포함하지 않아도 좋다.

[9. 수지 조성물의 특성]

상기 수지 조성물은 열에 의해 경화될 수 있다. 따라서, 수지 조성물을 열경화시킴으로써 수지 조성물의 경화물을 얻을 수 있다. 통상, 수지 조성물에 포함되는 성분 중 (G) 용제 등의 휘발 성분은, 열경화시의 열에 의해 휘발할 수 있지만, (A) 내지 (F) 성분과 같은 불휘발 성분은, 열경화시의 열에 의해서는 휘발되지 않는다. 따라서, 수지 조성물의 경화물은, 수지 조성물의 불휘발 성분 또는 이의 반응 생성물을 포함할 수 있다.

상기 수지 조성물의 경화물은 우수한 연마성을 갖는다. 따라서, 상기 경화물을 포함하는 자성층도 우수한 연마성을 가질 수 있다. 예를 들면, 수지 조성물을 열경화하여 얻어지는 경화물은 통상, 단위 시간당 연마량을 많게 할 수 있다. 따라서, 수지 조성물 층을 열경화하여 자성층을 얻은 경우, 상기 자성층의 연마에 의한 단위 시간당 두께의 감소량을 크게 할 수 있다. 또한, 수지 조성물의 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 자성층은, 상기와 같이 연마를 행하는 경우에, 통상, 균열 및 깨짐 등의 파손을 억제할 수 있다. 연마성은, 예를 들면, 후술하는 실시예에서 설명하는 방법에 의해 자성층의 형성 및 연마를 행하고, 이의 연마량의 측정 및 파손의 관찰을 행함으로써 평가할 수 있다.

상기 수지 조성물의 경화물은 우수한 자성 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 경화물을 포함하는 자성층도 우수한 자성 특성을 가질 수 있다. 구체적으로는, 수지 조성물의 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 자성층은 통상, 높은 비투자율을 가질 수 있고, 또한, 낮은 자성 손실을 가질 수 있다.

예를 들면, 190℃, 90분의 열경화 조건으로 수지 조성물을 열경화하여 얻어지는 경화물은 특정 범위의 비투자율을 가질 수 있다. 따라서, 수지 조성물 층을 상기 열경화 조건으로 열경화하여 얻어지는 자성층도 특정 범위의 비투자율을 가질 수 있다. 상기 경화물 및 자성층의 비투자율의 특정 범위는, 측정 주파수 20MHz, 실온 23℃에서, 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 7 이상, 더욱 바람직하게는 9 이상, 특히 바람직하게는 11 이상이다. 상한은 특단의 제한은 없고, 예를 들면, 30 이하일 수 있다. 비투자율의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 실시예에서 설명하는 방법을 채용할 수 있다.

또한, 예를 들면, 190℃, 90분의 열경화 조건으로 수지 조성물을 열경화하여 얻어지는 경화물은 특정 범위의 자성 손실을 가질 수 있다. 따라서, 수지 조성물 층을 상기 열경화 조건으로 열경화하여 얻어지는 자성층도 특정 범위의 자성 손실을 가질 수 있다. 상기 경화물 및 자성층의 자성 손실의 특정 범위는, 측정 주파수 20MHz, 실온 23℃에서, 바람직하게는 0.10 이하, 보다 바람직하게는 0.08 이하, 더욱 바람직하게는 0.06 이하, 특히 바람직하게는 0.05 이하이다. 하한은, 이상적으로는 0.00 이상이지만, 통상은 0.01 이상이다. 자성 손실의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 실시예에서 설명하는 방법을 채용할 수 있다.

수지 조성물은, 상기 이점을 활용하는 관점에서, 코어 기재의 스루 홀 충전용 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 수지 조성물은, 스루 홀 충전용 수지 시트의 수지 조성물 층의 재료로서 사용하는 것이 바람직하다. 코어 기재와 수지 시트를 적층하는 경우, 수지 조성물 층의 일부를 스루 홀에 진입시켜, 상기 스루 홀을 수지 조성물에 의해 충전할 수 있다. 그리고, 상기 수지 조성물을 경화시킴으로써 스루 홀 내에 자성층을 형성할 수 있다.

[10. 수지 조성물의 제조방법]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, 예를 들면, 상기 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 상기 성분은, 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고, 순서대로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서 온도를 적절히 설정해도 좋고, 따라서, 일시적으로 또는 종시에 걸쳐서 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에서 교반 또는 진탕을 행해도 좋다.

[11. 수지 시트]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트는 수지 조성물 층을 구비한다. 수지 조성물 층은, 상기 수지 조성물을 포함하고, 바람직하게는 수지 조성물만을 포함한다. 수지 조성물 층은, 코어 기재의 스루 홀을 충전할 수 있는 두께를 갖는 것이 바람직하다. 수지 조성물 층의 구체적인 두께는, 코어 기재의 두께 및 스루 홀의 치수에도 따르지만, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 특히 바람직하게는 50㎛ 이상이며, 바람직하게는 600㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하, 특히 바람직하게는 200㎛ 이하이다.

수지 조성물 층은 통상, 우수한 충전성을 갖는다. 따라서, 스루 홀이 형성된 코어 기재와 수지 조성물 층을 구비하는 수지 시트를 적층한 경우에, 수지 조성물 층은 스루 홀을 원활하게 충전할 수 있다. 보다 상세하게는, 코어 기재와 수지 시트의 적층은, 통상 열 및 압력을 가한 상태에서 실시되기 때문에, 열에 의해 유동성을 더한 수지 조성물 층이, 압력에 의해 스루 홀 안에 진입하여, 상기 스루 홀을 원활하게 충전할 수 있다. 또한, 코어 기재와 수지 시트의 적층에 의해 스루 홀을 충전한 경우, 상기 스루 홀로부터의 수지 조성물의 액 흘러내림을 억제할 수 있다. 또한, 수지 조성물 층을 경화시킴으로써, 상기한 바와 같이 연마성 및 자성 특성이 우수한 자성층을 얻을 수 있다.

수지 조성물 층은, 예를 들면, 수지 조성물을 지지면에 도포하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 수지 조성물 층은, 예를 들면, 용제에 수지 조성물을 용해 또는 분산한 수지 바니시를 준비하는 것, 수지 바니시를 지지면에 도포하는 것 및 도포된 수지 바니시를 건조하는 것을 이러한 순서로 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 지지면으로서는, 예를 들면, 후술하는 지지체의 표면을 사용할 수 있다. 또한, 용제로서는, 상기 (G) 용제를 사용할 수 있다.

도포는, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또한, 건조는, 예를 들면, 가열, 열풍 분사 등의 건조 방법에 의해 실시할 수 있다. 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 층 중의 용제의 양이 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 용제의 비점에 따라서도 상이할 수 있지만, 건조는, 예를 들면, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간의 조건으로 행할 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트는, 수지 조성물 층에 조합하여, 지지체를 구비하고 있어도 좋다. 통상은, 지지체 상에 수지 조성물 층이 제공되기 때문에, 지지체와 수지 조성물 층은, 사이에 다른 부재를 개재하지 않고 직접 접합하고 있다. 지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 그 중에서도, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」로 약칭하는 경우가 있다.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」으로 약칭하는 경우가 있다.) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하, 「PC」로 약칭하는 경우가 있다.); 폴리메틸메타크릴레이트(이하, 「PMMA」로 약칭하는 경우가 있다.) 등의 아크릴 폴리머; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하, 「TAC」로 약칭하는 경우가 있다.); 폴리에테르설파이드(이하, 「PES」로 약칭하는 경우가 있다.); 폴리에테르케톤; 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.

지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.

지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들면, 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니티카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.

지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상이며, 바람직하게는 75㎛ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 40㎛ 이하이다.

수지 시트는, 필요에 따라, 임의의 부재를 추가로 구비하고 있어도 좋다. 임의의 부재로서는, 예를 들면, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 제공된 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 구비하는 경우, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지의 부착 및 흠집을 억제할 수 있다. 수지 시트가 보호 필름을 구비하는 경우, 통상, 보호 필름을 벗김으로써 수지 시트는 사용 가능하게 된다. 또한, 수지 시트는, 롤상으로 귄취하여 보존하는 것이 가능하다.

수지 시트는, 예를 들면, 지지체 상에 수지 조성물 층을 형성하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 수지 조성물 층은, 상기 수지 조성물 층의 제조방법에 의해 형성할 수 있다.

수지 시트는 코어 기재의 스루 홀의 충전용으로 사용하는 것이 바람직하다. 스루 홀을 형성한 코어 기재와 수지 시트를 적층하고, 수지 조성물 층의 일부를 스루 홀에 진입시킨 경우, 상기 스루 홀을 수지 조성물에 의해 충전할 수 있다. 그리고, 상기 수지 조성물을 경화시킴으로써 스루 홀 내에 자성층을 형성할 수 있다. 형성되는 자성층은, 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하기 때문에, 우수한 연마성 및 자성 특성을 가질 수 있다. 따라서, 수지 시트에 의하면, 자성 특성이 우수한 자성층을 구비하는 회로 기판을 원활하게 제조할 수 있다.

[12. 회로 기판]

본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판은 자성층을 포함한다. 이러한 자성층은, 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하고, 바람직하게는 상기 수지 조성물의 경화물만을 포함한다. 회로 기판의 구체적인 구조는, 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 자성층을 구비하는 한 제한은 없다. 액 흘러내림을 억제하면서 스루 홀을 충전할 수 있다는 이점을 유효하게 활용하는 관점에서는, 회로 기판의 바람직한 예로서는, 스루 홀을 형성한 기재로서의 코어 기재와, 상기 스루 홀에 충전된 자성층을 구비하는 회로 기판을 들 수 있다. 이러한 회로 기판에 있어서, 자성층은 수지 조성물 층을 경화한 층일 수 있다.

상기한 바람직한 예에 따른 회로 기판은, 스루 홀을 형성한 코어 기재와, 상기 스루 홀에 충전된 자성층을 구비한다. 이러한 회로 기판은, 예를 들면,

(1) 스루 홀을 형성한 코어 기재와 수지 시트를, 수지 조성물 층의 일부가 스루 홀에 충전되도록 적층하는 공정과,

(2) 수지 조성물 층을 경화시켜 자성층을 형성하는 공정과,

(3) 자성층을 연마하는 공정을 이러한 순서로 포함한다.

또한, 회로 기판의 제조방법은, 상기 공정 (1) 내지 (3)에 조합하여 임의의 공정을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들면, 회로 기판의 제조방법은,

(4) 자성층에 소화 처리를 실시하는 공정 및

(5) 자성층 상에 도체층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

공정 (4) 및 공정 (5) 모두를 행하는 경우, 통상은, 공정 (4) 후에 공정 (5)가 행해진다.

<공정 (1)>

공정 (1)은, 통상, 스루 홀이 형성된 코어 기재를 준비하는 공정을 포함한다. 코어 기재는 시장에서 구입하여 준비해도 좋다. 또한, 코어 기재는, 적절한 재료를 사용하여 제조하여 준비해도 좋다. 이하, 일례에 따른 코어 기재의 제조방법을 설명한다.

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 스루 홀을 형성하기 전의 코어 기재(10)를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 코어 기재(10)를 준비하는 공정은, 도 1에 나타내는 예와 같이, 자성층이 충전될 스루 홀을 형성하고 있지 않은 코어 기재(10)를 준비하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 상기 코어 기재(10)는 스루 홀을 형성하기 전의 기재이며, 판 형상 부재일 수 있다.

코어 기재(10)는 통상 지지 기판(11)을 포함한다. 지지 기판(11)으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 절연성 기재를 들 수 있다. 또한, 상기 지지 기판(11) 상에는 금속층이 제공되어 있어도 좋다. 금속층은, 지지 기판(11)의 편면에 제공되어 있어도 좋고, 양면에 제공되어 있어도 좋다. 여기에서는, 지지 기판(11)의 양 표면에 금속층(12 및 13)이 제공된 예를 나타낸다. 금속층(12 및 13)으로서는, 예를 들면, 구리 등의 금속에 의해 형성된 층을 들 수 있다. 금속층(12 및 13)은, 예를 들면, 캐리어 부착 동박 등의 동박이라도 좋고, 후술하는 도체층의 재료로 형성된 금속층이라도 좋다.

도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 스루 홀(14)을 형성한 코어 기재(10)를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 코어 기재(10)를 준비하는 공정은, 도 2에 나타내는 예와 같이, 코어 기재(10)에 스루 홀(14)을 형성하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 스루 홀(14)은, 예를 들면, 드릴 가공, 레이저 조사, 플라즈마 조사 등의 방법에 의해 형성할 수 있다. 통상은, 코어 기재(10)에 관통 구멍을 형성함으로써, 스루 홀(14)을 형성할 수 있다. 구체예를 들면, 스루 홀(14)의 형성은, 시판되고 있는 드릴 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 시판되고 있는 드릴 장치로서는, 예를 들면, 히타치 비아 메카닉스사 제조 「ND-1S211」 등을 들 수 있다.

도 3은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 스루 홀(14) 내에 도금층(20)을 형성한 코어 기재(10)를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 코어 기재(10)를 준비하는 공정은, 필요에 따라 코어 기재(10)에 조화 처리를 실시한 후, 도 3에 나타내는 바와 같이 도금층(20)을 형성하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 상기 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 조화 처리를 행해도 좋다. 건식 조화 처리의 예로서는, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 행하는 방법을 들 수 있다. 도금층(20)은 도금법에 의해 형성될 수 있다. 도금법에 의해 도금층(20)이 형성되는 순서는, 후술하는 공정 (5)에서의 도체층의 형성과 동일할 수 있다. 여기서, 스루 홀(14) 내, 금속층(12)의 표면 및 금속층(13)의 표면에 도금층(20)을 형성한 예를 나타낸다. 또한, 본 예에서는, 도금층(20)을 구비하는 코어 기재를, 도금층(20)을 형성하기 전의 코어 기재(10)와 동일한 부호 「10」을 붙여서 설명한다.

도 4는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 코어 기재(10)와 수지 시트(30)를 적층하는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 공정 (1)은, 스루 홀(14)을 형성한 코어 기재(10)를 준비한 후에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 코어 기재(10)와 수지 시트(30)를 적층하는 것을 포함한다. 본 실시형태에서는, 수지 조성물 층(31) 및 지지체(32)를 구비하는 수지 시트(30)를, 코어 기재(10)의 한쪽의 면(10U)에 적층하는 예를 나타내어 설명한다. 이하의 설명에서는, 코어 기재(10)의 면 중, 수지 시트(30)와 접합되는 면(10U)을 「제1 면(10U)」으로 부르고, 그 반대측의 면을 「제2 면(10D)」으로 부르는 경우가 있다.

코어 기재(10)와 수지 시트(30)의 적층은, 수지 조성물 층(31)의 일부가 스루 홀(14)에 충전되도록 행해진다. 따라서, 적층은 통상 수지 조성물 층(31)과 코어 기재(10)가 접합하도록 행해진다. 구체적으로는, 상기 적층은, 수지 시트(30)를 코어 기재(10)에 가열 압착함으로써, 코어 기재(10)에 수지 조성물 층(31)을 첩합함으로써 행할 수 있다. 도 4에 나타내는 예와 같이 수지 시트(30)가 지지체(32)를 구비하는 경우, 상기 적층은, 지지체(32)측으로부터 수지 시트(30)를 코어 기재(10)에 압압함으로써 행할 수 있다. 가열 압착에 사용하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 하는 경우가 있다. 도시하지 않음.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등) 등을 들 수 있다. 가열 압착 부재를 수지 시트(30)에 직접 프레스해도 좋지만, 코어 기재(10)의 표면 요철에 수지 시트(30)가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 사이에 두고 프레스하는 것이 바람직하다.

코어 기재(10)와 수지 시트(30)의 적층은, 예를 들면, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 적층 조건(가열 압착 조건)은, 예를 들면, 하기와 같을 수 있다. 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건 하에 실시한다.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체(32)측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트(30)의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건일 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.

도 5는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법에 있어서, 코어 기재(10)와 수지 시트(30)를 적층한 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 코어 기재(10)와 수지 시트(30)의 적층에 의해, 도 5에 나타내는 바와 같이, 수지 시트(30)의 수지 조성물 층(31)의 일부가 스루 홀(14)에 진입하기 때문에, 스루 홀(14)은 수지 조성물 층(31)에 의해 충전된다. 또한, 통상은, 수지 조성물 층(31)의 다른 일부는 스루 홀(14)에 진입하지 않기 때문에, 코어 기재(10)의 제1 면(10U)에 부착된다. 따라서, 코어 기재(10)의 제1 면(10U)에는 수지 조성물 층(31)이 형성될 수 있다. 또한, 스루 홀(14)에 진입한 수지 조성물 층(31)의 또 다른 일부는 스루 홀(14)을 빠져나가, 코어 기재(10)의 제2 면(10D)측의 개구로부터 토출될 수 있다. 따라서, 코어 기재(10)의 제2 면(10D)에 수지 조성물 층(31)이 형성되는 경우가 있을 수 있다.

통상, 지지체(32)는, 코어 기재(10)와 수지 시트(30)의 적층 후에 박리된다. 본 실시형태에서는, 코어 기재(10)와 수지 시트(30)의 적층 후, 공정 (2) 전에 지지체(32)를 박리하는 예를 나타내어 설명한다. 단, 지지체(32)의 박리는, 공정 (2)보다 후에 행해도 좋다.

<공정 (2)>

도 6은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (2)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (2)는, 코어 기재(10)와 수지 시트 (30)를 적층한 후에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물 층(31)을 경화시키는 것을 포함한다. 수지 조성물 층(31)을 경화시킴으로써, 상기 수지 조성물의 경화물을 포함하는 자성층(40)을 형성할 수 있다. 자성층(40)은, 스루 홀(14) 내에 형성되고, 추가로 통상은 코어 기재(10)의 제1 면(10U) 및 제2 면(10D)에도 형성될 수 있다.

수지 조성물 층(31)의 경화는 통상 열경화에 의해 행한다. 수지 조성물 층(31)의 열경화 조건은, 수지 조성물 층(31)의 경화가 진행되는 범위에서, 적절하게 설정할 수 있다. 경화 온도는, 바람직하게는 60℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이며, 바람직하게는 245℃ 이하, 보다 바람직하게는 220℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 경화 시간은, 바람직하게는 5분 이상, 보다 바람직하게는 10분 이상, 더욱 바람직하게는 15분 이상, 바람직하게는 120분 이하, 보다 바람직하게는 110분 이하, 더욱 바람직하게는 100분 이하이다.

공정 (2)에서 얻어지는 자성층(40)의 경화도는, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 경화도는, 예를 들면, 시차 주사 열량 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다.

회로 기판의 제조방법은, 코어 기재(10)와 수지 시트(30)를 적층한 후, 수지 조성물 층(31)을 경화시키기 전에, 수지 조성물 층(31)을 경화 온도보다도 낮은 온도로 가열하는 공정(예비 가열 공정)을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물 층(31)을 경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물 층(31)을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.

<공정 (3)>

도 7은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판의 제조방법의 공정 (3)을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (3)은 자성층(40)을 연마하는 것을 포함한다. 상세하게는, 공정 (3)은, 스루 홀(14) 밖에 있는 부분의 자성층(40)을 연마하는 것을 포함한다. 본 실시형태에 나타내는 예에서는, 코어 기재(10)의 제1 면(10U) 및 제2 면(10D)에 자성층(40)이 형성되어 있기 때문에, 이들 제1 면(10U) 및 제2 면(10D)에 있는 부분의 자성층(40)을 연마할 수 있다. 스루 홀(14) 밖에 있는 부분의 자성층(40)은, 일반적으로 최종 제품에는 불필요한 잉여 부분이다. 상기 연마에 의해, 도 7에 나타내는 바와 같이, 상기 잉여 부분을 제거할 수 있다. 또한, 연마에 의해, 자성층(40)의 표면으로서의 연마면(40U 및 40D)을 평탄화할 수 있다.

연마 방법으로서는, 자성층(40)의 불필요한 부분을 제거할 수 있는 방법을 채용할 수 있다. 이러한 연마 방법으로서는, 예를 들면, 버프 연마, 벨트 연마, 세라믹 연마 등을 들 수 있다. 시판되고 있는 버프 연마 장치로서는, 예를 들면, 이시이 효키사 제조 「NT-700IM」 등을 들 수 있다.

자성층(40)의 연마면(40U 및 40D)의 산술 평균 거칠기(Ra)로서는, 도체층(도 7에서는 도시하지 않음.)과의 사이의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 350nm 이상, 더욱 바람직하게는 400nm 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,000nm 이하, 보다 바람직하게는 900nm 이하, 더욱 바람직하게는 800nm 이하이다. 표면 거칠기(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.

공정 (2) 후 공정 (3) 전에, 자성층(40)의 경화도를 더욱 높이기 위해, 자성층(40)에 열처리를 실시해도 좋다. 상기 열처리에서의 온도는 상기 경화 온도에 준할 수 있다. 구체적인 열처리 온도는, 바람직하게는 120℃ 이상, 보다 바람직하게는 130℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이며, 바람직하게는 245℃ 이하, 보다 바람직하게는 220℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다. 열처리 시간은, 바람직하게는 5분 이상, 보다 바람직하게는 10분 이상, 더욱 바람직하게는 15분 이상이며, 바람직하게는 150분 이하, 보다 바람직하게는 120분 이하, 더욱 바람직하게는 100분 이하이다.

상기 공정 (1) 내지 (3)을 행함으로써, 코어 기재(10) 및 상기 코어 기재(10)의 스루 홀(14)을 충전하는 자성층(40)을 구비하는 회로 기판(100)을 얻을 수 있다. 이렇게 하여 얻어진 회로 기판(100)에는, 필요에 따라서, 공정 (4) 및 공정 (5)를 행하여 도체층을 형성하고 있어도 좋다.

<공정 (4)>

공정 (4)는 자성층에 조화 처리를 실시하는 것을 포함한다. 통상은, 자성층의 연마면에 소화 처리가 실시된다. 또한, 공정 (4)에서는, 자성층의 연마면뿐만 아니라, 코어 기재(10)의 표면(10U 및 10D)에도 소화 처리가 실시되어 있어도 좋다.

조화 처리의 순서 및 조건은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다층 프린트 배선판의 제조방법에서 사용되는 순서 및 조건을 채용해도 좋다. 구체예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 포함하는 방법에 의해 소화 처리를 행해도 좋다.

방순(芳醇) 처리에 사용되는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이다. 팽윤액인 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍 재팬사 제조 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다.

팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 자성층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 자성층에 포함되는 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 자성층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.

소화 처리에 사용되는 산화제로서는, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제의 용액에 자성층을 10분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는, 5질량% 내지 10질량%로 하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍 재팬사 제조 「콘센트레이트 컴팩트 P」, 「도징솔루션 세큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.

중화 처리에 사용될 수 있는 중화액으로서는 산성 수용액이 바람직하다. 중화액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍 재팬사 제조 「리덕션솔루션 세큐리간스 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 자성층을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.

자성층의 표면의 조화 처리 후의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 도체층과의 사이의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 300nm 이상, 보다 바람직하게는 350nm 이상, 더욱 바람직하게는 400nm 이상이다. 상한은, 바람직하게는 1,500nm 이하, 보다 바람직하게는 1,200nm 이하, 더욱 바람직하게는 1,000nm 이하이다. 표면 조도(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.

<공정 (5)>

도 8은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판(100)의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 공정 (5)는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 자성층(40)의 연마면(40U 및 40D) 상에 도체층(50)을 형성하는 것을 포함한다. 본 실시형태에서는, 자성층(40)의 연마면(40U 및 40D)뿐만 아니라, 그 주위의 면(예를 들면, 코어 기재(10)의 제1 면(10U) 및 제2 면(10D))에도 도체층(50)을 형성한 예를 나타낸다. 또한, 도 8에서는, 코어 기재(10)의 양측에 도체층(50)을 형성한 예를 나타내지만, 도체층(50)은, 코어 기재(10)의 편측에만 형성해도 좋다.

도 9는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판(100)의 제조방법의 공정 (5)를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 공정 (5)는, 도체층(50)을 형성한 후, 에칭 등의 처리에 의해 도체층(50), 금속층(12 및 13) 및 도금층(20)의 일부를 제거하여, 패턴 도체층(51)을 형성하는 것을 포함하고 있어도 좋다.

도체층(50)의 형성 방법은, 예를 들면, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있고, 그 중에서도 도금법이 바람직하다. 적합한 실시형태에서는, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 등의 적절한 방법에 의해 자성층(40)(및 필요에 따라 코어 기재(10))의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 패턴 도체층(51)을 형성할 수 있다. 도체층(50)의 재료로서는, 예를 들면, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석, 인듐 등의 단금속; 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금을 들 수 있다. 그 중에서도, 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리, 또는 니켈크롬 합금, 구리니켈 합금, 구리티탄 합금을 사용하는 것이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리, 또는 니켈크롬 합금을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 구리를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

여기서, 패턴 도체층(51)을 형성하는 방법의 예를 상세하게 설명한다. 자성층(40)의 연마면(40U 및 40D)에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 상에, 필요에 따라 마스크 패턴을 형성한 후, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한다. 그 후, 필요에 따라, 마스크 패턴을 제거하고, 추가로 불필요한 도금 시드층을 에칭 등의 처리에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 패턴 도체층(51)을 형성할 수 있다. 패턴 도체층(51)의 형성 후, 패턴 도체층(51)의 밀착 강도를 향상시키기 위해, 필요에 따라 어닐 처리를 행해도 좋다. 어닐 처리는, 예를 들면, 150℃ 내지 200℃에서 20분 내지 90분간 가열함으로써 행할 수 있다.

패턴 도체층(51)의 두께는, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이며, 바람직하게는 70㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 10㎛ 이하이다.

이상의 방법에 의해, 자성층(40)을 구비하는 회로 기판(100)이 얻어진다. 자성층(40)은, 수지 조성물 층(31)을 경화하여 얻어지므로, 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 따라서, 자성층(40)은, 자성 분체(도시하지 않음)를 많이 포함할 수 있기 때문에, 우수한 자성 특성을 가질 수 있다. 또한, 자성층(40)은, 자성 분체를 많이 포함하면서 우수한 연마성을 갖기 때문에, 공정 (3)에서의 자성층(40)의 연마를 신속하고 또한 원활하게 행할 수 있다. 따라서, 회로 기판(100)은, 단시간에 또한 안정적으로 제조하는 것이 가능하다.

[13. 인덕터 부품]

본 발명의 일 실시형태에 따른 인덕터 부품은 상기 회로 기판을 포함한다. 이러한 인덕터 부품은, 통상, 상기 자성층 주위의 적어도 일부에 도체에 의해 형성된 인덕터 패턴을 갖는다. 이러한 인덕터 부품은, 예를 들면, 특개2016-197624호 공보에 기재된 것을 적용할 수 있다.

인덕터 부품은, 반도체 칩 등의 전자 부품을 탑재하기 위한 배선판으로서 사용할 수 있고, 이러한 배선판을 내층 기판으로서 사용한 (다층) 프린트 배선판으로서 사용할 수도 있다. 또한, 이러한 배선판을 개편화한 칩 인덕터 부품으로서 사용할 수도 있고, 상기 칩 인덕터 부품을 표면 실장한 프린트 배선판으로서 사용할 수도 있다.

또한, 이러한 배선판을 사용하여, 다양한 형태의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 이러한 배선판을 포함하는 반도체 장치는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 적합하게 사용할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 달리 언급하지 않는 한, 이하에 나타내는 조작은 상온 상압(23℃, 1기압)에서 행했다. 또한, 체적 함유량은, 질량 및 비중을 사용하여 계산에 의해 구했다. 또한, 용제에 대해서는, 체적 함유율의 계산에 포함하지 않았다. 또한, 이하의 설명에서 「MEK」란, 달리 언급하지 않는 한 메틸에틸케톤을 나타낸다.

<실시예 1: 자성 바니시 1의 제조>

에폭시 수지(닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조 「ZX-1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품, 에폭시 당량 약 165g/eq., 비중 1.18g/cm³) 2.6질량부, 트리아진 골격 함유 페놀 수지(DIC사 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 약 125g/eq. 고형분의 비중 1.31g/cm³, 고형분 60%의 MEK 용액) 2.9질량부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분의 비중 1.18g/cm³, 고형분 30%의 MEK와 사이클로헥사논의 1:1 용액) 2.2질량부, 분산제(쿠스모토 카세이사 제조 「ED-152」, 폴리에테르인산에스테르, 비중 1.00g/cm³) 0.6질량부, 용제(사이클로헥사논) 3.5질량부, 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「2E4MZ」, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 비중 0.97g/cm³) 0.02질량부, 평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」, Fe-Mn계 페라이트, 평균 입자 직경 0.2㎛, 비중 5.1m²/g, 입자 직경 1㎛ 미만의 필러의 비율 86.1%) 24.3질량부 및 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」, Fe-Cr-Si계 합금(아몰퍼스), 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 6.9m²/g, 입자 직경 1㎛ 미만의 필러의 비율 1.5%) 65.6질량부를 혼합하여, 자성 바니시 1을 제조했다.

<실시예 2: 자성 바니시 2의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 17.8질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 74.5질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 2를 제조했다.

<실시예 3: 자성 바니시 3의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 14.6질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 78.6질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 3을 제조했다.

<실시예 4: 자성 바니시 4의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 34.8질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 51.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 4를 제조했다.

<실시예 5: 자성 바니시 5의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 13.0질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 81.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 5를 제조했다.

<실시예 6: 자성 바니시 6의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」) 24.3질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a3(파우더테크사 제조 「MZ03S」, Fe-Zn-Mn계 페라이트, 평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 5.3m²/g, 입자 직경 1㎛ 미만의 필러의 비율 86.1%) 26.0질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 105.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 6을 제조했다.

<실시예 7: 자성 바니시 7의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」) 24.3질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a3(파우더테크사 제조 「MZ03S」) 30.0질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」) 65.6질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A2(DOWA 일렉트로닉스사 제조 「MA-RCO-24」, Fe-Ni계 합금, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 8.0m²/g, 입자 직경 1㎛ 미만의 필러의 비율 4.3%) 100.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 7을 제조했다.

<실시예 8: 자성 바니시 8의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」) 24.3질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a2(JFE 미네랄사 제조의 미분 합금, Fe-Cr-Si계 합금, 평균 입자 직경 0.7㎛, 비중 6.9m²/g, 입자 직경 1㎛ 미만의 필러의 비율 72.4%) 35질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부를 90.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 8을 제조했다.

<실시예 9: 자성 바니시 9의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」) 24.3질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a2(JFE 미네랄사 제조의 미분 합금, Fe-Cr-Si계 합금) 19.0질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」) 65.6질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A2(DOWA 일렉트로닉스사 제조 「MA-RCO-24」) 87.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 9를 제조했다.

<실시예 10: 자성 바니시 10의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」) 24.3질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a3(파우더테크사 제조 「MZ03S」) 10.0질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」) 65.6질량부를, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A3(파우더테크사 제조 「M05S」, Fe-Mn계 페라이트, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 5.0m²/g, 입자 직경 1㎛ 미만의 필러의 비율 1.2%) 40.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 10을 제조했다.

<비교예 1: 자성 바니시 11의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 43.0질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 40.0질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 11을 제조했다.

<비교예 2: 자성 바니시 12의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 57.5질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 20.4질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 12를 제조했다.

<비교예 3: 자성 바니시 13의 제조>

평균 입자 직경 1㎛ 미만의 자성 분체 a1(파우더테크사 제조 「M001」)의 양을, 24.3질량부에서 6.5질량부로 변경했다. 또한, 평균 입자 직경 1㎛ 이상의 자성 분체 A1(엡손 아토믹스사 제조 「AW2-08PF3F」)의 양을, 65.6질량부에서 89.9질량부로 변경했다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 자성 바니시 13을 제조했다.

<수지 시트의 제조>

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃)을 준비했다. 실시예 및 비교예에서 제조한 수지 바니시를, 지지체 상에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 100㎛가 되도록 다이 코터로 도포하고, 65℃ 내지 115℃(평균 100℃)에서 7분간 건조하여, 수지 시트를 얻었다.

<비투자율, 자성 손실의 측정>

수지 시트를 200mm각(角)으로 잘라냈다. 잘라낸 수지 시트(200mm각)를, 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코 머테리얼즈사 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물 층이 폴리이미드 필름(우베 코산사 제조 「유피렉스 25S」, 25㎛ 두께, 240mm각)의 평활면의 중앙과 접하도록, 폴리이미드 필름의 편면에 라미네이트했다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시했다. 이에 의해, 지지체/수지 조성물 층/폴리이미드 필름의 층 구성을 갖는 복층 필름을 얻었다.

지지체를 박리한 후에, 190℃에서 90분간 가열함으로써 수지 조성물 층을 열경화했다. 그 후, 폴리이미드 필름을 박리하여, 수지 조성물의 시트상 경화물을 얻었다. 얻어진 시트상 경화물을 절단하여, 폭 5mm, 길이 18mm의 평가 샘플을 얻었다. 이 평가 샘플을, 애질런트 테크놀로지즈(Agilent Technologies사 제조, 「HP8362B」)를 사용하여, 3턴 코일법으로, 측정 주파수 20MHz, 실온 23℃에서, 비투자율(μ') 및 자성 손실(μ'')을 측정했다. 자성 손실은, 이하의 식 「tanδ=μ''/μ'」에 의해 산출했다.

<연마량의 측정>

(1) 내층 회로 기판의 하지 처리

내층 회로 기판으로서, 내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판 두께 0.8mm, 파나소닉사 제조, R1515A)을 준비했다. 이 내층 회로 기판의 양면을 에칭제(멕사 제조 「CZ8101」)로 1㎛ 에칭하여, 구리 표면의 조화 처리를 행했다.

(2) 수지 시트의 라미네이트

수지 시트를 100mm각으로 잘라냈다. 잘라낸 수지 시트를, 배취식 진공 가압 라미네이터(니코 머테리얼즈사 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물 층이 내층 회로 기판의 중앙과 접하도록, 내장 회로 기판의 편면에 라미네이트했다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시했다.

(3) 수지 조성물의 열경화

수지 시트로부터 지지체를 박리했다. 그 후, 130℃, 30분, 계속해서 190℃, 60분의 경화 조건으로 수지 조성물 층을 열경화함으로써, 수지 조성물의 경화물로 형성된 자성층과 내층 회로 기판을 구비하는 시료 적층체를 얻었다.

(4) 연마 전의 두께의 측정

자성층의 두께(연마 전 두께)를 마이크로 미터를 사용하여 측정했다.

(5) 자성층의 연마 처리

시료 적층체의 자성층을, 편면 2축 연마기(이시이 효키사 제조 「NT-700IM」)를 사용하여 연마를 행했다. 연마 롤에는, 이시이 효키사 제조 세라믹 연마 롤 #800을 사용했다. 또한, 어떤 실시예 및 비교예에 있어서도, 연마는 어느 일정한 연마 조건으로 실시했다.

(6) 연마량의 산출

연마 후의 시료 적층체의 자성층의 두께(연마 후 두께)를 마이크로 미터를 사용하여 측정했다. 그 후, 연마 전 두께에서 연마 후 두께를 감산함으로써, 연마량을 산출했다.

[결과]

상기 실시예 및 비교예의 결과를 하기 표에 나타낸다. 하기 표에서, 약칭의 의미는 이하와 같다.

혼합비(소경; vol%): (A) 자성 분체의 총량 100체적%에 대한, 평균 입자 직경이 1㎛ 미만인 자성 분체의 비율(체적%).

소경 분체 비율(vol%): (A) 자성 분체의 총량 100체적%에 대한 (A-1) 소경 자성 분체의 비율(체적%).

10 코어 기재
10U 제1 면
10D 제2 면
11 지지 기판
12 금속층
13 금속층
14 스루 홀
20 도금층
30 수지 시트
31 수지 조성물 층
32 지지체
40 자성층
40U 연마면
40D 연마면
50 도체층
51 패턴 도체층
100 회로 기판

Claims (9)

1. (A) 자성 분체 및 (B) 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물로서,
   수지 조성물의 불휘발 성분 100체적%에 대한 (A) 자성 분체의 양이 65체적% 이상이며,
   (A) 자성 분체가 (A-1) 1㎛ 미만의 입자 직경을 갖는 자성 분체를 10체적% 이상 50체적% 이하 포함하는, 수지 조성물.
2. 제1항에 있어서, (B) 열경화성 수지가 (B-1) 에폭시 수지를 포함하는, 수지 조성물.
3. 제1항에 있어서, (C) 열가소성 수지를 포함하는, 수지 조성물.
4. 제1항에 있어서, 스루 홀 충전용인, 수지 조성물.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비하는, 수지 시트.
6. 제5항에 있어서, 지지체를 구비하는, 수지 시트.
7. 스루 홀을 형성한 기재와, 제5항에 기재된 수지 시트를, 수지 조성물 층의 일부가 스루 홀에 충전되도록 적층하는 공정과,
   상기 수지 조성물 층을 경화시켜 자성층을 형성하는 공정과,
   상기 자성층을 연마하는 공정을 이러한 순서로 포함하는, 회로 기판의 제조방법.
8. 스루 홀을 형성한 기재와, 상기 스루 홀에 충전된 자성층을 구비하고,
   상기 자성층이, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 회로 기판.
9. 제8항에 기재된 회로 기판을 구비한, 인덕터 부품.

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