JP2024125720A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】比透磁率が高く、損失係数が低く、剥離性に優れる硬化物を得ることができる樹脂組成物等の提供。【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、及び（Ｃ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、樹脂組成物、及び当該樹脂組成物を使用した樹脂シート、回路基板、及びインダクタ部品に関する。

プリント配線板等の回路基板にインダクタを内蔵するインダクタ内蔵基板は、インダクタンスを大きくするために、一般に磁性粉体を含有する樹脂組成物の硬化物である磁性層を用いて形成される。

例えば、特許文献１には、支持体及び樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む樹脂シートを用いて、インダクタ内蔵基板を形成することが記載されている。

特開２０２２－１２０４５２号公報

樹脂シートを製造する場合、シート化する観点から、樹脂組成物には、一般に、重量平均分子量が３００００程度の高分子化合物を含有させることが求められていた。

しかしながら、高分子化合物を樹脂組成物に含有させると、樹脂シートにおける樹脂組成物層の硬化物の比透磁率が低下することがある。

また、前記の高分子化合物を樹脂組成物に含有させないことで、硬化物の比透磁率の低下を抑制させる方法が考えられるが、この場合、支持体を樹脂組成物層から剥離すると、樹脂組成物層のすべて又は一部が支持体とともに剥離されてしまうので、剥離を円滑に行えないことがある。以下、支持体を樹脂組成物層から円滑に剥離できる性質を「剥離性」ということがある。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、比透磁率が高く、損失係数が低く、剥離性に優れる硬化物を得ることができる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる樹脂シート、回路基板、及びインダクタ基板を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究をした結果、重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、前記樹脂オリゴマーを除くエポキシ樹脂、及び磁性粉体を組み合わせて含有させた樹脂組成物を用いることにより、樹脂組成物層の硬化物の比透磁率が高く、損失係数が低く、さらに剥離性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、
（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、及び
（Ｃ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
［２］ （Ａ）成分が、エポキシ基含有オリゴマーを含む、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ さらに、（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物を含む、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｄ）成分の含有量（体積％）が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、７０体積％以上である、［３］に記載の樹脂組成物。
［５］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｄ）成分の含有量をＤｍとしたとき、Ｄｍ／（Ａｍ＋Ｄｍ）が、０以上０．７以下である、［３］又は［４］に記載の樹脂組成物。
［６］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｂ）成分の含有量をＢｍとし、（Ｄ）成分の含有量をＤｍとしたとき、（Ａｍ＋Ｄｍ））／（Ａｍ＋Ｂｍ＋Ｄｍ）が、０．１以上０．８以下である、［３］～［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ さらに、（Ｅ）溶剤を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
［９］ スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
［１０］ ［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
［１１］ ［９］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
［１２］ ［１０］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。

本発明によれば、比透磁率が高く、損失係数が低く、剥離性に優れる硬化物を得ることができる樹脂シート、及び当該樹脂シートを使用した回路基板、インダクタ部品を提供することができる。

図１は、第１実施形態の回路基板の製造方法において、スルーホールを形成される前のコア基材を模式的に示す断面図である。 図２は、第１実施形態の回路基板の製造方法において、スルーホールを形成されたコア基材を模式的に示す断面図である。 図３は、第１実施形態の回路基板の製造方法において、スルーホール内にめっき層を形成されたコア基材を模式的に示す断面図である。 図４は、第１実施形態の回路基板の製造方法において、コア基材と樹脂シートとを積層する様子を模式的に示す断面図である。 図５は、第１実施形態の回路基板の製造方法において、コア基材と樹脂シートとを積層した様子を模式的に示す断面図である。 図６は、第１実施形態の回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。 図７は、第１実施形態の回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。 図８は、第１実施形態の回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。 図９は、第１実施形態の回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、第２実施形態の回路基板の製造方法の（Ａ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、第２実施形態の回路基板の製造方法の（Ａ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１２は、第２実施形態の回路基板の製造方法の（Ｂ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１３は、第２実施形態の回路基板の製造方法の（Ｄ）工程を説明するための模式的な断面図である。 図１４は、第２実施形態の回路基板の製造方法により得た回路基板を含むインダクタ部品をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。 図１５は、ＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した第２実施形態の回路基板の製造方法により得た回路基板を含むインダクタ部品の切断端面を示す模式的な図である。 図１６は、第２実施形態の回路基板の製造方法により得た回路基板を含むインダクタ部品のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、及び（Ｃ）磁性粉体を含む。このような樹脂組成物を用いることによって、比透磁率が高く、損失係数が低く、剥離性に優れる硬化物を得ることが可能にある。また、通常は、溶融粘度が低い樹脂組成物を得ることも可能である。

樹脂組成物は、更に必要に応じて、（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物、（Ｅ）溶剤、（Ｆ）硬化剤、（Ｇ）分散剤、及び（Ｈ）その他の添加剤などの任意の成分を含んでいてもよい。

以下、樹脂組成物に含まれ得る各成分について説明する。なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値であり、不揮発成分とは、樹脂組成物中の溶剤を除く不揮発成分全体を意味する。

＜（Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー＞
樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを含有する。（Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを樹脂組成物に含有させることで、比透磁率が高く、損失係数が低く、剥離性に優れる樹脂組成物の硬化物を得ることができる。（Ａ）成分は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ａ）成分は、従来用いられてきた高分子化合物よりも分子長が短いので、樹脂組成物中に含まれる（Ｃ）磁性粉体間の距離が短くなる。その結果、磁気モーメントが多くなり、硬化物の比透磁率が向上すると推定される。

（Ａ）成分の重量平均分子量は、６００以上であり、好ましくは７００以上、より好ましくは８００以上である。上限は、好ましくは８０００未満であり、好ましくは７５００以下、より好ましくは７０００以下である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

（Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーとしては、エポキシ基等の熱硬化性の官能基を有する熱硬化性樹脂オリゴマー及び熱可塑性樹脂オリゴマーのいずれかが好ましく、熱硬化性樹脂オリゴマーがより好ましい。熱硬化性樹脂オリゴマーとしては、例えば、エポキシ基含有オリゴマー、フェノール樹脂オリゴマー等が挙げられる。ここで「エポキシ基含有オリゴマー」とは、エポキシ基を有するオリゴマーを表す。中でも、（Ａ）成分としては、エポキシ基含有オリゴマーが好ましい。

エポキシ基含有オリゴマーは、１分子中に２個以上のエポキシ基を含むことが好ましい。また、エポキシ基含有オリゴマーは、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ基含有オリゴマーを用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ基含有オリゴマーの割合は、エポキシ基含有オリゴマーの不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ基含有オリゴマーとしては、ビスフェノール型エポキシ基含有オリゴマーが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ基含有オリゴマー、ビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマー、ビスフェノールＡＦ型エポキシ基含有オリゴマーが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ基含有オリゴマー、及びビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマーのいずれかがより好ましい。エポキシ基含有オリゴマーの具体例としては、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１００１」（ビスフェノールＡ型エポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ４００５Ｐ」（ビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ１００４ＡＦ」（ビスフェノールより製造されるポリエーテルタイプのエポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ４００５Ｐ」（ビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ１０１０」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－４８５０－１５０」（変性ビスフェノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ基含有オリゴマーのエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

フェノール樹脂オリゴマーとしては、市販品を用いることができる。フェノール樹脂オリゴマーの市販品としては、丸善石油化学社製の「Ｓ－１Ｐ」、「Ｓ－１Ｐ」等が挙げられる。

（Ａ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．２５質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。

＜（Ｂ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有する。この（Ｂ）成分としての（Ｂ）エポキシ樹脂には、上述した（Ａ）成分に該当するものは含めない。（Ｂ）エポキシ樹脂を樹脂組成物に含有させることで、剥離性に優れる樹脂組成物の硬化物を得ることが可能になる。（Ｂ）エポキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；環状脂肪族ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ）エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。

（Ｂ）エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、（Ｂ）エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、（Ｂ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂及び固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよいが、樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環状脂肪族グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環状脂肪族グリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ－５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、「ＥＸ－２０１」（環状脂肪族グリシジルエーテル型エポキシ樹脂）、「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（環状脂肪族ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１～１：４の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３～１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６～１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８～１：２．５の範囲であることが特に好ましい。

（Ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

（Ｂ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは６００未満、より好ましくは５００以下、さらに好ましくは４００以下である。下限は特に制限されないが、１００以上、より好ましくは１５０以上、さらに好ましくは２００以上である。

（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量（質量％）は、良好な機械的強度を示す磁性層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上、更に好ましくは１質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。

（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。

＜（Ｃ）磁性粉体＞
樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、（Ｃ）磁性粉体を含有する。（Ｃ）磁性粉体を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を高め、損失係数を低減させることができる。（Ｃ）磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

（Ｃ）磁性粉体は、比透磁率が１より大きい材料の粒子を用いることができる。（Ｃ）磁性粉体の一実施形態として、ナノ結晶磁性粉、及び小径磁性粉のいずれかを含むことが好ましく、ナノ結晶磁性粉を含むことがより好ましい。

用語「ナノ結晶磁性粉」とは、粒径１００ｎｍ以下の結晶粒を含む磁性粉をいう。結晶粒の粒径の下限は、特に制限はないが、好ましくは１ｎｍ以上である。中でも、ナノ結晶磁性粉は、結晶粒の最大粒径が１００ｎｍ以下であることが好ましい。通常、ナノ結晶磁性粉の粒子１個には、複数個の結晶粒が含まれており、よって、ナノ結晶磁性粉の粒子は多結晶体でありうる。結晶粒の大きさは、例えば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察しうる。ナノ結晶磁性粉は、結晶粒を含有するので、一般に、Ｘ線回折パターンにおいて結晶性を示すピークを示しうる。結晶粒が有する結晶構造としては、例えばｂｃｃ結晶構造（体心立方格子構造）が挙げられるが、これ以外の結晶構造であってもよい。

ナノ結晶磁性粉は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。ナノ結晶磁性粉は、その粒子の少なくとも一部に結晶粒を含むものであってもよく、粒子の表層に結晶粒を含むものが好ましく、粒子の全体に結晶粒を含むものがより好ましく、結晶粒のみからなるものが特に好ましい。

ナノ結晶磁性粉は、通常、５．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲の粒径を有する。ナノ結晶磁性粉の粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、ナノ結晶磁性粉の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布から測定できる。測定サンプルは、磁性粉を超音波により純水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」、堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。

ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ_５０は、通常５．５μｍ以上、好ましくは５．７μｍ以上、より好ましくは５．９μｍ以上であり、通常２０μｍ以下、好ましくは１８μｍ以下、より好ましくは１６μｍ以下である。このような範囲の平均粒径Ｄ_５０を有するナノ結晶磁性粉を用いることで、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ_５０は、体積基準のメジアン径を表し、前記のレーザー回折・散乱法で測定された体積基準の粒径分布から測定できる。

ナノ結晶磁性粉の体積基準の粒径分布は、通常、正規分布に従う。よって、ナノ結晶磁性粉は、当該ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ_５０より小さい１０％粒径Ｄ_１０、及び、当該ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ_５０より大きい９０％粒径Ｄ_９０を有しうる。ここで、１０％粒径Ｄ_１０とは、体積基準の粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が１０％となるときの粒径を表す。また、９０％粒径Ｄ_９０とは、体積基準の粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が９０％となるときの粒径を表す。ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０は、前記のレーザー回折・散乱法で測定された体積基準の粒径分布から測定できる。

ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０は、好ましくは２．０μｍよりも大きく、より好ましくは２．４μｍ以上、特に好ましくは２．８μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ_５０以下であり、例えば、１０μｍ以下、８μｍ以下、６μｍ以下等であり得る。ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉の９０％粒径Ｄ_９０は、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは４０μｍ以下ある。下限は、平均粒径Ｄ_５０以上であり、例えば、６μｍ以上、８μｍ以上、１０μｍ以上等であり得る。ナノ結晶磁性粉の９０％粒径Ｄ_９０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との差Ｄ_９０－Ｄ_１０は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下である。差Ｄ_９０－Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との比Ｄ_９０／Ｄ_１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは２以上、特に好ましくは３以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。比Ｄ_９０／Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。この磁性材料は、通常は無機材料であり、軟磁性材料であってもよく、硬磁性材料であってもよい。また、磁性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、ナノ結晶磁性粉の偏在化を抑制する観点から、ナノ結晶磁性粉に含まれる磁性材料としては、軟磁性材料が好ましい。

ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料としては、例えば、磁性金属酸化物、磁性金属が挙げられる。中でも、ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料は、鉄（Ｆｅ）を含有することが好ましい。よって、ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料としては、結晶性を有する鉄合金磁性材料、結晶性を有するフェライト磁性材料などが挙げられる。比透磁率および損失係数の観点では、ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料は、Ｆｅに組み合わせて、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及びＶからなる群から選択される１つ以上の元素を更に含有する組成を有することが好ましい。

ナノ結晶磁性粉に含まれる磁性材料の好ましい例としては、特開２０２１－１５８３４３号公報、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０１９－３１４６３号公報、特開２０２１－１１６０２号公報等に記載の磁性材料が挙げられる。

前記の例の中でも、比透磁率および損失係数の観点から、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉が好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉とは、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｎｂ及びＢを含有する合金で形成された磁性粉を表す。

ナノ結晶磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、ナノ結晶磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

ナノ結晶磁性粉は、例えば、アトマイズ法によって製造しうる。ナノ結晶磁性粉の製造方法の具体例としては、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０２１－１５８３４３号公報に記載の方法が挙げられる。

また、ナノ結晶磁性粉は、市販品を用いてもよい。ナノ結晶磁性粉を含む市販の磁性粉としては、例えば、エプソンアトミックス社製の「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－５３μｍ」、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－３８μｍ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ１０ＦＡ」などが挙げられる。なお、ナノ結晶磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。

ナノ結晶磁性粉は、球状であることが好ましい。ナノ結晶磁性粉の粒子の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下であり、通常１以上、好ましくは１より大きく、より好ましくは１．０５以上である。

ナノ結晶磁性粉の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下である。ナノ結晶磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは２３体積％以上、より好ましくは２５体積％以上、さらに好ましくは２８体積％以上であり、好ましくは６０体積％以下、より好ましくは５０体積％以下、さらに好ましくは４０体積％以下である。ナノ結晶磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

小径磁性粉は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。この小径磁性粉は、通常２μｍ以下の粒径を有する。小径磁性粉の粒径は、ナノ結晶磁性粉の粒径と同じ方法によって測定しうる。

小径磁性粉の平均粒径Ｄ_５０は、通常２μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。下限は、例えば、０．０１μｍ以上、０．１μｍ以上などでありうる。このような範囲の平均粒径Ｄ_５０を有する小径磁性粉を用いることで、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。小径磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、体積基準のメジアン径を表し、ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ_５０と同じ方法によって測定できる。

小径磁性粉の体積基準の粒径分布は、通常、正規分布に従う。よって、小径磁性粉は、当該小径磁性粉の平均粒径Ｄ_５０より小さい１０％粒径Ｄ_１０、及び、当該小径磁性粉の平均粒径Ｄ_５０より大きい９０％粒径Ｄ_９０を有しうる。小径磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０は、ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０と同じ方法で測定できる。

小径磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、特に好ましくは０．０３μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ_５０以下であり、例えば、１μｍ以下、０．７μｍ以下、０．５μｍ以下などでありうる。小径磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

小径磁性粉の９０％粒径Ｄ_９０は、好ましくは５．５μｍ未満、より好ましくは４μｍ以下、特に好ましくは２μｍ以下である。下限は、平均粒径Ｄ_５０以上であり、例えば、０．５μｍ以上、０．８μｍ以上、１μｍ以上などでありうる。小径磁性粉の９０％粒径Ｄ_９０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

小径磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との差Ｄ_９０－Ｄ_１０は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上、特に好ましくは０．５μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。差Ｄ_９０－Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

小径磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との比Ｄ_９０／Ｄ_１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは２以上であり、好ましくは５０以下、より好ましくは４０以下、特に好ましくは３０以下である。比Ｄ_９０／Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

小径磁性粉は、結晶粒を含むナノ結晶磁性粉であってもよく、結晶粒を含まないアモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。ナノ結晶磁性粉は上記したとおりである。他方、アモルファス磁性材料は、非晶質であるので、通常、Ｘ線回折パターンでは結晶性を示す特定のピークを示さない。一般には、アモルファス磁性粉のＸ線回折パターンには、結晶性を示すピークのないブロードなパターンが現れる。

小径磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。この磁性材料は、通常は無機材料であり、軟磁性材料であってもよく、硬磁性材料であってもよい。また、磁性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、小径磁性粉の偏在化を抑制する観点から、小径磁性粉に含まれる磁性材料としては、軟磁性材料が好ましい。

小径磁性粉が含む磁性材料としては、例えば、磁性金属酸化物材料、磁性金属材料が挙げられる。

磁性金属酸化物材料としては、例えば、フェライト系の磁性材料；並びに、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄粉などの酸化鉄材料；などが挙げられる。中でも、フェライト系の磁性材料が好ましい。フェライト系の磁性材料は、通常、酸化鉄を主成分とする複合酸化物であり、化学的に安定している。よって、フェライト系の磁性材料を用いる場合、耐食性が高く、発火の危険性が低く、減磁し難い等の利点が得られる。

フェライト系の磁性材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｃｏ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライト、Ｆｅ－Ｙ系フェライト等が挙げられる。

フェライト系の磁性材料の中でも、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むフェライトが好ましく、Ｍｎを含むフェライトが特に好ましい。よって、好ましいフェライト系の磁性材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライトが挙げられる。その中でも、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、及びＦｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライトが好ましく、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライトが特に好ましい。Ｆｅ－Ｍｎフェライトは、Ｆｅ及びＭｎを含有するフェライトを表す。

磁性金属材料としては、例えば、純鉄；Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金、Ｃｏ基アモルファス合金等の、結晶質又は非晶質の合金磁性材料；などが挙げられる。磁性金属材料の中でも、鉄合金系磁性材料がより好ましい。比透磁率および損失係数の観点から、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系磁性材料が好ましく、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金が特に好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金材料は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｒを含有する合金を表す。

小径磁性粉が含む磁性材料として、ナノ結晶磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いてもよい。小径磁性粉が含む磁性材料と、ナノ結晶磁性粉の磁性材料とは、同じでもよく、異なっていてもよい。

小径磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、小径磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

小径磁性粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、パウダーテック社製「ＭＺ０３Ｓ」、「Ｍ０５Ｓ」、「Ｍ００１」「ＭＺ０５Ｓ」；山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ－Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８」、「ＡＷ２－０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ－３．５Ｓｉ－４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－８０Ｎｉ－４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ５ＦＡ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ３ＦＡ」；ＪＦＥケミカル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」、「ＬＤ－Ｍ」、「ＬＤ－ＭＨ」、「ＫＮＩ－１０６」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ－１０９」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ－４１５」、「ＢＳＦ－５４７」、「ＢＳＦ－０２９」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－７１４」、「ＢＳＮ－８２８」、「Ｓ－１２８１」、「Ｓ－１６４１」、「Ｓ－１６５１」、「Ｓ－１４７０」、「Ｓ－１５１１」、「Ｓ－２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ－Ｓ」、「ＪＥＭＫ－Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ」；ＤＯＷＡエレクトロニクス社製「ＭＡ－ＲＣＯ－５」；等が挙げられる。小径磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。

小径磁性粉は、球状であることが好ましい。小径磁性粉の粒子のアスペクト比の範囲は、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。小径磁性粉のアスペクト比と、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。

小径磁性粉の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、更に好ましくは５質量％以上、特に好ましくは８質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、好ましくは４０質量％以下、更に好ましくは３５質量％以下である。小径磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

小径磁性粉の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは５体積％以上、より好ましくは６体積％以上、さらに好ましくは７体積％以上であり、好ましくは３０体積％以下、より好ましくは２６体積％以下、さらに好ましくは２２体積％以下である。このような含有量の小径磁性粉を用いた場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、ナノ結晶磁性粉の含有量（体積％）を「Ｖ（Ａ）」で表し、小径磁性粉の含有量（体積％）を「Ｖ（Ｂ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との体積比（ナノ結晶磁性粉／小径磁性粉）は、「Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）は、通常０．８以上、好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上、特に好ましくは１．４以上であり、通常１２以下、好ましくは８．４以下、より好ましくは７．０以下、更に好ましくは６．０以下、特に好ましくは５．０以下である。体積比Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）が前記の範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

また、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との合計量（体積％）は、「Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この合計量（体積％）Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）は、通常２８体積％以上、好ましくは３４体積％以上、更に好ましくは３８体積％以上、特に好ましくは４０体積％以上であり、好ましくは７２体積％以下、より好ましくは６８体積％以下、更に好ましくは６４体積％以下、特に好ましくは６０体積％以下である。ナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との合計量（体積％）Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）が前記の範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、ナノ結晶磁性粉の含有量（質量％）を「Ｍ（Ａ）」で表し、小径磁性粉の含有量（質量％）を「Ｍ（Ｂ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との質量比（（Ａ）ナノ結晶磁性粉／（Ｂ）小径磁性粉）は、「Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）は、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、特に好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは９以下である。質量比Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

また、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との合計量（質量％）は、「Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この合計量（質量％）Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、更に好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは５３質量％以上であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、特に好ましくは８８質量％以下である。合計量（質量％）Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

（Ｃ）磁性粉体は、ナノ結晶磁性粉及び小径磁性粉とは異なる磁性粉をさらに含んでいてもよい。ナノ結晶磁性粉及び小径磁性粉とは異なる磁性粉を、「中間磁性粉」ということがある。

中間磁性粉は、下記（Ｃ１）及び（Ｃ２）の磁性粉が包含される。
（Ｃ１）ナノ結晶磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径を有する磁性粉。
（Ｃ２）ナノ結晶磁性粉以外の磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する磁性粉。

中間磁性粉を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物中の磁性粉体の割合を大きくできるので、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を大きくできる。通常、中間磁性粉によれば硬化物の損失係数が増大しうるが、中間磁性粉が小さい粒径を有するので、その損失係数の増大の程度は抑制できる。よって、中間磁性粉によれば、通常、損失係数の増大を抑制しながら比透磁率を向上させることができる。

中間磁性粉の平均粒径Ｄ_５０は、具体的には、通常２μｍより大きく、好ましくは２．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上であり、通常ナノ結晶磁性粉の平均粒径未満、好ましくは５．５μｍ未満、より好ましくは５μｍ以下である。このような範囲の平均粒径Ｄ_５０を有する中間磁性粉を用いる場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。中間磁性粉の平均粒径Ｄ_５０は、体積基準のメジアン径を表し、ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ_５０と同じ方法によって測定できる。

中間磁性粉の体積基準の粒径分布は、通常、正規分布に従う。よって、中間磁性粉は、当該中間磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より小さい１０％粒径Ｄ_１０、及び、当該中間磁性粉の平均粒径Ｄ_５０より大きい９０％粒径Ｄ_９０を有しうる。中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０は、ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０と同じ方法で測定できる。

中間磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．３μｍ以上、さらに好ましくは１．５μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ_５０以下であり、例えば、５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下等であり得る。中間磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

中間磁性粉の９０％粒径Ｄ_９０は、好ましくは１０μｍ未満、より好ましくは９μｍ以下、特に好ましくは８μｍ以下ある。下限は、平均粒径Ｄ_５０以上であり、例えば、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上等であり得る。中間磁性粉の９０％粒径Ｄ_９０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

中間磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との差Ｄ_９０－Ｄ_１０は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは９μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。差Ｄ_９０－Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

中間磁性粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との比Ｄ_９０／Ｄ_１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは２以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。比Ｄ_９０／Ｄ_１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

中間磁性粉は、結晶粒を含むナノ結晶磁性粉であってもよく、結晶粒を含まないアモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。この中間磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。中間磁性粉が含む磁性材料としては、小径磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いてもよい。中間磁性粉が含む磁性材料と、小径磁性粉の磁性材料とは、同じでもよく、異なっていてもよい。中間磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、中間磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

中間磁性粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、小径磁性粉と同様の例が挙げられる。中間磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。

中間磁性粉は、球状であることが好ましい。中間磁性粉の粒子のアスペクト比の範囲は、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。中間磁性粉のアスペクト比と、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。また、中間磁性粉のアスペクト比と、小径磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。

中間磁性粉の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、０体積％であってもよく、０体積％より大きくてもよく、好ましくは１体積％以上、より好ましくは３体積％以上、特に好ましくは５体積％以上であり、好ましくは２５体積％以下、より好ましくは１５体積％以下、特に好ましくは１３体積％以下である。中間磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

中間磁性粉の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、０質量％であってもよく、０質量％より大きくてもよく、好ましくは１質量％以上、更に好ましくは５質量％以上、特に好ましくは８質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、好ましくは１５質量％以下、更に好ましくは１０質量％以下である。中間磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、中間磁性粉の量（体積％）を「Ｖ（Ｃ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と中間磁性粉との体積比（中間磁性粉／ナノ結晶磁性粉）は、「Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９以下、特に好ましくは０．８以下である。体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

また、樹脂組成物に含まれる小径磁性粉と中間磁性粉との体積比（中間磁性粉／小径磁性粉）は、「Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、特に好ましくは２以下である。体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは７０体積％以上、好ましくは７５体積％以上、特に好ましくは８０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉体の合計量１００体積％に対して、好ましくは５０体積％以上、より好ましくは６０体積％以上、特に好ましくは７０体積％以上であり、通常１００体積％以下である。この数値が大きいことは、樹脂組成物中の粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉体が少ないことを表す。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、中間磁性粉の含有量（質量％）を「Ｍ（Ｃ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と中間磁性粉との質量比（中間磁性粉／ナノ結晶磁性粉）は、「Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、特に好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは９以下である。質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

また、樹脂組成物に含まれる小径磁性粉と中間磁性粉との質量比（中間磁性粉／小径磁性粉）は、「Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上、さらに好ましくは０．５以上であり、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、特に好ましくは１．５以下である。質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下である。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉体の合計量１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上であり、通常１００質量％以下である。この数値が大きいことは、樹脂組成物中の粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉体が少ないことを表す。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

（Ｃ）磁性粉体の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは７０体積％以上、好ましくは７５体積％以上、特に好ましくは８０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。（Ｃ）磁性粉体の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

（Ｃ）磁性粉体の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下である。（Ｃ）磁性粉体の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び剥離性を改善することができる。

＜（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物＞
樹脂組成物は、（Ａ）～（Ｃ）成分に組み合わせて、（Ｄ）成分として、（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物を含んでいてもよい。この（Ｄ）成分としての（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物には、上述した（Ａ）～（Ｃ）成分に該当するものは含めない。（Ｄ）成分を樹脂組成物に含有させることで、剥離性にすぐれた樹脂組成物の硬化物を得ることができる（Ｄ）成分は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｄ）成分の重量平均分子量は、８０００以上であり、好ましくは９０００以上、より好ましくは１００００以上である。上限は、好ましくは１０００００以下、より好ましくは５００００以下、さらに好ましくは４００００以下である。

（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれかが好ましく、熱可塑性樹脂がより好ましい。熱可塑性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７４８２」及び「ＹＬ７８９１ＢＨ３０」；等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」；積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ；等が挙げられる。

ポリオレフィン樹脂としては、例えば低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体等のエチレン系共重合樹脂；ポリプロピレン、エチレン－プロピレンブロック共重合体等のポリオレフィン系重合体等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、信越化学工業社製「ＳＬＫ－６１００」、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」等が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリブタジエン樹脂としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ポリブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ポリブタジエン樹脂、酸無水物基含有ポリブタジエン樹脂、エポキシ基含有ポリブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ポリブタジエン樹脂、ウレタン基含有ポリブタジエン樹脂、ポリフェニレンエーテル－ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、ＳＡＢＩＣ製「ＮＯＲＹＬ ＳＡ９０」等が挙げられる。ポリエーテルイミド樹脂の具体例としては、ＧＥ社製の「ウルテム」等が挙げられる。

ポリカーボネート樹脂としては、例えば、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂、ウレタン基含有カーボネート樹脂等が挙げられる。ポリカーボネート樹脂の具体例としては、三菱瓦斯化学社製の「ＦＰＣ０２２０」、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。ポリエーテルエーテルケトン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「スミプロイＫ」等が挙げられる。

ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンナフタレート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂、ポリトリメチレンナフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンジメチルテレフタレート樹脂等が挙げられる。

（Ｄ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。下限は、０質量％以上、又は０．５質量％以上等であり、含まないことが特に好ましい。

樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｄ）成分の含有量をＤｍとしたとき、本発明の効果を顕著に得る観点から、Ｄｍ／（Ａｍ＋Ｄｍ）が、好ましくは０以上、より好ましくは０．１以上、さらに好ましくは０．２以上であり、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下、さらに好ましくは０．５５以下である。

樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｂ）成分の含有量をＢｍとし、（Ｄ）成分の含有量をＤｍとしたとき、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａｍ＋Ｄｍ））／（Ａｍ＋Ｂｍ＋Ｄｍ）が、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１５以上、さらに好ましくは０．２以上であり、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下である。

＜（Ｅ）溶剤＞
樹脂組成物は、上述した（Ａ）～（Ｄ）成分といった不揮発成分に組み合わせて、更に、揮発性成分として（Ｅ）溶剤を含んでいてもよい。

（Ｅ）溶剤としては、通常、有機溶剤を用いる。有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ－ブチロラクトン、ブチルカルビトールアセテート等のエステル系溶剤；テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤；酢酸２－エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤；乳酸メチル、乳酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤；２－メトキシプロパノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のエーテルアルコール系溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。中でも、（Ｅ）溶剤としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤が好ましい。（Ｅ）溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｅ）溶剤の量は、樹脂シートにおける支持体との間の剥離性を向上させ、樹脂組成物層のタック性を低下させる観点から、樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは０．８質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上である。上限は、樹脂シートの製造において、樹脂ワニスの粘度を下げて塗工しやすくする観点から、好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．４質量％以下、さらに好ましくは１．３質量％以下である。

＜（Ｆ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ａ）～（Ｃ）成分に組み合わせて、（Ｆ）成分として、（Ｆ）硬化剤を含んでいてもよい。この（Ｆ）成分としての（Ｆ）硬化剤には、上述した（Ａ）～（Ｅ）成分に該当するものは含めない。（Ｆ）硬化剤には、（Ｂ）エポキシ樹脂を硬化する機能を有するエポキシ樹脂硬化剤と、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化速度を促進させる機能を有する硬化促進剤とがある。硬化促進剤は、通常、エポキシ樹脂硬化剤と併用して用いる。樹脂組成物は、（Ｆ）硬化剤として、エポキシ樹脂硬化剤を含むことが好ましい。

（エポキシ樹脂硬化剤）
エポキシ樹脂硬化剤は、通常、（Ｂ）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させ得る。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、ナフトール系エポキシ樹脂硬化剤、活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤、シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤、及びイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤から選択される１種以上が好ましく、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。エポキシ樹脂硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

フェノール系エポキシ樹脂硬化剤及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系エポキシ樹脂硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。フェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、含窒素フェノール系エポキシ樹脂硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましく、トリアジン骨格含有フェノールノボラックエポキシ樹脂硬化剤がさらに好ましい。

フェノール系エポキシ樹脂硬化剤及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」等が挙げられる。

活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造を表す。

活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として、ＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＤＣ８０８」；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＹＬＨ１０２６」、「ＹＬＨ１０３０」、「ＹＬＨ１０４８」；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＤＣ８０８」、等が挙げられる。

酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有するエポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」、「ＭＨ－７００」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「２ＭＺＡ－ＰＷ」、「２ＰＨＺ－ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。

エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２～１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３～１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４～１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、エポキシ樹脂硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、エポキシ樹脂硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数とは、各エポキシ樹脂硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化物としたときの耐熱性がより向上する。

エポキシ樹脂硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、上限は、好ましくは８質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。

（硬化促進剤）
硬化促進剤は、通常、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化反応に触媒として作用して、硬化反応を促進しうる。硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤は一般的にエポキシ樹脂硬化剤と併用して用いられる。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＰＮ－５０」、「ＰＮ－２３」、「ＭＹ－２５」等が挙げられる。

イミダゾール系硬化促進剤としては、前記のイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤と同様である。前記イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤は、他のエポキシ樹脂硬化剤と併用して用いる場合、硬化促進剤として機能する場合がある。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

リン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、北興化学工業社製の「ＴＢＰ－ＤＡ」等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上であり、上限は、好ましくは２質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０５質量％以下である。

（Ｆ）硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、上限は、好ましくは８質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。

＜（Ｇ）分散剤＞
樹脂組成物は、（Ａ）～（Ｆ）成分に組み合わせて、（Ｇ）成分として、（Ｇ）分散剤を含んでいてもよい。この（Ｇ）成分としての（Ｇ）分散剤には、上述した（Ａ）～（Ｆ）成分に該当するものは含めない。（Ｇ）分散剤によれば、（Ｃ）磁性粉体の分散性を効果的に高めることができるので、樹脂組成物の粘度を効果的に低減でき、その結果、剥離性を改善することが可能になる。（Ｇ）分散剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｇ）分散剤の種類に制限はない。例えば、（Ｇ）分散剤としては、（Ｃ）磁性粉体に対して吸着能を有する官能基を含有し、且つ、（Ｃ）磁性粉体に吸着した場合に（Ｇ）分散剤同士の反発（例えば、静電反発、立体反発、等）により（Ｃ）磁性粉体を分散させるものを用いうる。このような（Ｇ）分散剤としては、例えば、酸性分散剤、塩基性分散剤などが挙げられる。

酸性分散剤は、通常、カルボキシル基、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）、硫酸基（－ＯＳＯ_３Ｈ）、ホスホノ基（－ＰＯ（ＯＨ）_２）、ホスホノオキシ基（－ＯＰＯ（ＯＨ）_２）、ヒドロキシホスホリル基（－ＰＯ（ＯＨ）－）、スルファニル基（－ＳＨ）等の酸性官能基を含有する。酸性官能基は、通常、解離性のプロトンを有しており、アミン、水酸化物イオン等の塩基により中和されていてもよい。好ましい酸性分散剤としては、例えば、ポリオキシアルキレン鎖、ポリエーテル鎖等の高分子鎖を含有する酸性高分子分散剤が挙げられる。酸性分散剤の好ましい例としては、日油社製の「Ｃ－２０９３Ｉ」、「ＳＣ－１０１５Ｆ（主鎖にイオン性基、グラフト鎖にポリオキシアルキレン鎖を有する多官能櫛型の機能性ポリマー）」；楠本化成社製の「ＤＡ―３７５（ポリエーテル燐酸エステル化合物系分散剤）」；東邦化学工業社製「フォスファノール」シリーズの「ＲＳ－４１０」、「ＲＳ－６１０」、「ＲＳ－７１０」（ｐＨは１．９）（リン酸エステル系分散剤）；日油社製「マリアリム」シリーズの「ＡＫＭ－０５３１」、「ＡＦＢ－１５２１」、「ＳＣ－０５０５Ｋ」、「ＳＣ－０７０８Ａ」；が挙げられる。

塩基性分散剤は、通常、一級、二級及び三級アミノ基；アンモニウム基；イミノ基；並びに、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、トリアゾール等の含窒素ヘテロ環基；等の塩基性官能基を含有する。塩基性官能基は、有機酸、無機酸等の酸により中和されていてもよい。好ましい塩基性分散剤としては、例えば、ポリエステル鎖等の高分子鎖を含有する塩基性高分子分散剤が挙げられる。塩基性分散剤の好ましい例としては、味の素ファインテクノ社製の「アジスパーＰＢ８８１」（ポリエステル鎖を含有するポリアミン系分散剤）などが挙げられる。

（Ｇ）分散剤の含有量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、０質量％でもよく、０質量％より大きくてもよく、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。（Ｇ）分散剤の量が前記範囲にある場合、樹脂組成物の粘度を低くでき、剥離性を改善することができる。

＜（Ｈ）その他の添加剤＞
樹脂組成物は、任意の不揮発成分として、（Ｈ）その他の添加剤を含んでいてもよい。（Ｈ）その他の添加剤としては、例えば、ラジカル重合性化合物；重合開始剤；有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン系難燃剤（例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン）、窒素系難燃剤（例えば硫酸メラミン）、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤（例えば三酸化アンチモン）等の難燃剤；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤；第三級アミン類等の光重合開始助剤；ピラリゾン類、アントラセン類、クマリン類、キサントン類、チオキサントン類等の光増感剤；が挙げられる。（Ｈ）その他の添加剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

＜樹脂組成物の物性等＞
樹脂組成物は、（Ａ）成分を含むので、剥離性に優れるという特性を示す。よって、樹脂組成物を含む樹脂シートにおいて、支持体を樹脂組成物層から剥離する際に、樹脂組成物層が支持体とともに剥離されてしまうことが抑制される。例えば、樹脂シートを支持体から剥離すると、樹脂組成物層の全てが支持体から剥離でき、樹脂組成物層のすべて又は一部が支持体とともに剥離されていない。剥離性の評価は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。よって、前記硬化物は、比透磁率が高い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは２９以上、より好ましくは３０以上である。また、上限は特に限定されないが１００以下等とし得る。比透磁率は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、周波数１０ＭＨｚにおける損失係数が低いという特性を示す。よって、前記硬化物は、損失係数が低い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける損失係数は、好ましくは０．４以下、より好ましくは０．３以下、さらに好ましくは０．２以下である。下限は特に限定されないが０．００１以上等とし得る。損失係数は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。

樹脂組成物は、通常、溶融粘度が低いという特性を示す。溶融粘度としては、好ましくは１０^２ｐｏｉｓｅ以上、より好ましくは１０^３ｐｏｉｓｅ以上、さらに好ましくは１０^４ｐｏｉｓｅ以上であり、好ましくは１０^７ｐｏｉｓｅ以下、より好ましくは１０^６ｐｏｉｓｅ以下、さらに好ましくは１０^５ｐｏｉｓｅ以下である。溶融粘度は、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。

樹脂組成物は、上述した利点を活用する観点から、回路基板の磁性層形成用として用いることが好ましい。また、樹脂組成物は、上述した利点を活用する観点から、コア基材のスルーホール充填用として用いることも好ましい。

［樹脂シート］
樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、特に好ましくは５０μｍ以上であり、好ましくは６００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下である。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。必要に応じて溶剤に溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを支持体上に塗布してもよい。溶剤を用いる場合、必要に応じて塗布後に乾燥を行ってもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂組成物中に含まれる成分によっても異なるが、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

［回路基板及びその製造方法］
本発明の一実施形態に係る回路基板は、磁性層を含む。この磁性層は、上述した樹脂組成物、又は樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含み、好ましくは上述した樹脂組成物の硬化物のみを含む。回路基板の具体的な構造は、上述した樹脂組成物の硬化物を含む磁性層を備える限り制限は無い。第１実施形態の回路基板は、スルーホールを形成された基材としてのコア基材と、このスルーホールに充填された磁性層とを備える回路基板である。また、第２実施形態の回路基板は、樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む回路基板である。これら回路基板において、磁性層は、樹脂組成物層を硬化した層でありえ、樹脂組成物を硬化した層であってもよい。以下、回路基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。

＜第１実施形態＞
第１実施形態の回路基板は、スルーホールを形成されたコア基材と、このスルーホールに充填された磁性層と、を備える。この回路基板は、例えば、
（１）スルーホールを形成されたコア基材と、樹脂シートとを、樹脂組成物層がスルーホールに充填されるように、積層する工程と、
（２）樹脂組成物層を硬化させて、磁性層を形成する工程と、
をこの順に含む。

また、第１実施形態の回路基板の製造方法は、前記の工程（１）～（２）に組み合わせて任意の工程を含んでいてもよい。例えば、回路基板の製造方法は、
（３）磁性層を研磨する工程、
（４）磁性層に粗化処理を施す工程、及び、
（５）磁性層上に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。通常は、工程（３）、工程（４）及び工程（５）はこの順に行われる。

＜工程（１）＞
工程（１）は、通常、スルーホールが形成されたコア基材を用意する工程を含む。コア基材は、市場から購入して用意してもよい。また、コア基材は、適切な材料を用いて製造して用意してもよい。以下、一例に係るコア基材の製造方法を説明する。

図１は、本発明の第１実施形態係る回路基板の製造方法において、スルーホールを形成される前のコア基材１０を模式的に示す断面図である。コア基材１０を用意する工程は、図１に示す例のように、磁性層が充填されるべきスルーホールが形成されていないコア基材１０を用意することを含んでいてもよい。このコア基材１０は、スルーホールを形成される前の基材であり、板状の部材でありうる。

コア基材１０は、通常、支持基板１１を含む。支持基板１１としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。また、該支持基板１１上には、金属層が設けられていてもよい。金属層は、支持基板１１の片面に設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。ここでは、支持基板１１の両表面に金属層１２及び１３が設けられた例を示す。金属層１２及び１３としては、例えば、銅等の金属によって形成された層が挙げられる。金属層１２及び１３は、例えば、キャリア付銅箔等の銅箔であってもよく、後述する導体層の材料で形成された金属層であってもよい。

図２は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４を形成されたコア基材１０を模式的に示す断面図である。コア基材１０を用意する工程は、図２に示す例のように、コア基材１０にスルーホール１４を形成することを含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル加工、レーザー照射、プラズマ照射等の方法により形成することができる。通常は、コア基材１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。具体例を挙げると、スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ－１Ｓ２１１」等が挙げられる。

図３は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基材１０を模式的に示す断面図である。コア基材１０を用意する工程は、必要に応じてコア基材１０に粗化処理を施した後、図３に示すようにめっき層２０を形成することを含んでいてもよい。前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。めっき層２０は、めっき法により形成されうる。めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（５）における導体層の形成と同じでありうる。ここでは、スルーホール１４内、金属層１２の表面、及び、金属層１３の表面にめっき層２０を形成した例を示す。また、本例では、めっき層２０を備えるコア基材を、めっき層２０を形成される前のコア基材１０と同じ符号「１０」を付して説明する。

図４は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層する様子を模式的に示す断面図である。工程（１）は、スルーホール１４を形成されたコア基材１０を用意した後で、図４に示すように、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層することを含む。本実施形態では、樹脂組成物層３１及び支持体３２を備える樹脂シート３０を、コア基材１０の片方の面１０Ｕに積層する例を示して説明する。以下の説明では、コア基材１０の面のうち、樹脂シート３０と接合される面１０Ｕを「第一面１０Ｕ」と呼び、その反対側の面を「第二面１０Ｄ」と呼ぶことがある。

コア基材１０と樹脂シート３０との積層は、樹脂組成物層３１の一部又は全部がスルーホール１４に充填されるように行われる。よって、積層は、通常、樹脂組成物層３１とコア基材１０とが接合するように行われる。具体的には、前記の積層は、樹脂シート３０をコア基材１０に加熱圧着することにより、コア基材１０に樹脂組成物層３１を貼り合わせることで、行うことができる。図４に示す例のように樹脂シート３０が支持体３２を備える場合、前記の積層は、支持体３２側から樹脂シート３０をコア基材１０に押圧することで行いうる。加熱圧着に用いる部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。図示せず。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。加熱圧着部材を樹脂シート３０に直接プレスしてもよいが、コア基材１０の表面凹凸に樹脂シート３０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスすることが好ましい。

コア基材１０と樹脂シート３０との積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。積層条件は、例えば、下記の通りでありうる。加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体３２側からプレスすることにより、積層された樹脂シート３０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件でありうる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

図５は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した様子を模式的に示す断面図である。コア基材１０と樹脂シート３０との積層により、図５に示すように、樹脂シート３０の樹脂組成物層３１がスルーホール１４に進入するので、スルーホール１４は樹脂組成物層３１によって充填される。ここでは、樹脂組成物層３１の一部がスルーホール１４に進入し、別の一部はスルーホール１４に進入しないでコア基材１０の第一面１０Ｕに付着する例を示して説明する。よって、コア基材１０の第一面１０Ｕには、樹脂組成物層３１が形成されうる。さらに、スルーホール１４に進入した樹脂組成物層３１の更に別の一部はスルーホール１４を通り抜けて、コア基材１０の第二面１０Ｄ側の開口から吐出されうる。よって、コア基材１０の第二面１０Ｄに、樹脂組成物層３１が形成されることがありうる。

通常、支持体３２は、コア基材１０と樹脂シート３０との積層の後に剥離される。本実施形態では、コア基材１０と樹脂シート３０との積層後、工程（２）の前に支持体３２を剥離する例を示して説明する。ただし、支持体３２の剥離は、工程（２）より後に行ってもよい。

＜工程（２）＞
図６は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。工程（２）は、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した後で、図６に示すように、樹脂組成物層３１を硬化させることを含む。樹脂組成物層３１を硬化させることによって、その樹脂組成物の硬化物を含む磁性層４０を形成できる。磁性層４０は、スルーホール１４内に形成され、更に通常はコア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄにも形成されうる。

樹脂組成物層３１の硬化は、通常、熱硬化によって行う。樹脂組成物層３１の熱硬化条件は、樹脂組成物層３１の硬化が進行する範囲で、適切に設定しうる。硬化温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、さらに好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１１０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。

工程（２）で得られる磁性層４０の硬化度は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定できる。

回路基板の製造方法は、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した後、樹脂組成物層３１を硬化させる前に、樹脂組成物層３１を硬化温度よりも低い温度で加熱する工程（予備加熱工程）を含んでいてもよい。例えば、樹脂組成物層３１を硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層３１を、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。

＜工程（３）＞
図７は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。工程（３）は、磁性層４０を研磨することを含んでいてもよい。詳細には、工程（３）は、スルーホール１４の外にある部分の磁性層４０を研磨することを含んでいてもよい。本実施形態に示す例では、コア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄに磁性層４０が形成されているので、それら第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄにある部分の磁性層４０を研磨しうる。スルーホール１４の外にある部分の磁性層４０は、一般的には最終製品には不要な余剰部分である。前記の研磨により、図７に示すように、その余剰部分を除去できる。また、研磨により、磁性層４０の表面としての研磨面４０Ｕ及び４０Ｄを平坦化することができる。

研磨方法としては、磁性層４０の不要部分を除去できる方法を採用しうる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨、セラミック研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては、例えば、石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。

磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層（図７では図示せず。）との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

工程（２）後工程（３）前に、磁性層４０の硬化度を更に高めるために、磁性層４０に熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は、上記した硬化温度に準じうる。具体的な熱処理温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１５０分以下、より好ましくは１２０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。

上述した工程（１）～（２）を行い、更に必要に応じて工程（３）を行うことにより、コア基材１０及び当該コア基材１０のスルーホール１４を充填する磁性層４０を備える回路基板１００を得ることができる。こうして得られた回路基板１００には、必要に応じて、工程（４）及び工程（５）を行って導体層を形成していてもよい。

＜工程（４）＞
工程（４）は、磁性層に粗化処理を施すことを含む。通常は、磁性層の研磨面に疎化処理が施される。また、工程（４）では、磁性層の研磨面だけでなく、コア基材１０の表面１０Ｕ及び１０Ｄにも粗化処理が施されてもよい。

粗化処理の手順及び条件は、特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の製造方法に際して使用される手順及び条件を採用してもよい。具体例を挙げると、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に含む方法によって、疎化処理を行ってもよい。

膨潤処理に用いられる膨潤液としては、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。

膨潤液による膨潤処理は、例えば、３０℃～９０℃の膨潤液に磁性層を１分間～２０分間浸漬することにより行うことができる。磁性層に含まれる樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃～８０℃の膨潤液に磁性層を５分間～１５分間浸漬させることが好ましい。

粗化処理に用いられる酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤の溶液に磁性層を１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は、５質量％～１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。

中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましい。中和液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃～８０℃の中和液に５分間～３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた磁性層を、４０℃～７０℃の中和液に５分間～２０分間浸漬する方法が好ましい。

磁性層の表面の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）は、導体層との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

＜工程（５）＞
図８は、本発明の第１実施形態に係る回路基板１００の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。工程（５）は、図８に示すように、磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄ上に導体層５０を形成することを含む。本実施形態では、磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄだけでなく、その周囲の面（例えば、コア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄ）にも導体層５０を形成した例を示す。また、図８では、コア基材１０の両側に導体層５０を形成した例を示すが、導体層５０は、コア基材１０の片側のみに形成してもよい。

図９は、本発明の第１実施形態の係る回路基板１００の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。図９に示すように、工程（５）は、導体層５０を形成した後、エッチング等の処理により、導体層５０、金属層１２及び１３、並びにめっき層２０の一部を除去して、パターン導体層５１を形成することを含んでいてもよい。

導体層５０の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって磁性層４０（及び、必要に応じてコア基板１０）の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層５１を形成しうる。導体層５０の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

ここで、パターン導体層５１を形成する方法の例を、詳細に説明する。磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄに、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、必要に応じてマスクパターンを形成した後、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その後、必要に応じて、マスクパターンを除去し、更に不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有するパターン導体層５１を形成できる。パターン導体層５１の形成後、パターン導体層５１の密着強度を向上させるために、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、１５０℃～２００℃で２０分～９０分間加熱することにより行うことができる。

パターン導体層５１の厚さは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。

以上の方法により、磁性層４０を備える回路基板１００が得られる。磁性層４０は、樹脂組成物層３１を硬化して得られるので、樹脂組成物の硬化物を含む。よって、磁性層４０は、磁性粉体（図示せず）を多く含むことができるので、優れた磁性特性を有することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態の回路基板は、樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む。この回路基板は、例えば、
（Ａ）樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程、
を含む。

また、第２実施形態の回路基板の製造方法は、工程（Ａ）に加えて、任意の工程を含んでいてもよい。例えば、回路基板の製造方法は、
（Ｂ）磁性層に穴あけ加工を行う工程、
（Ｃ）磁性層に粗化処理を施す工程、及び
（Ｄ）磁性層上に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。この製造方法は、工程（Ａ）～（Ｄ）をこの順で含むことが好ましい。

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程である。工程（Ａ）の一実施形態として、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。

図１０は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ａ）を説明するための模式的な断面図である。工程（Ａ）は、支持体３３０と、該支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む樹脂シート３１０を、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、内層基板２００に積層させる。

内層基板２００は、絶縁性の基板である。内層基板２００の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。

図１０に一例を示すように、内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられる第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられる外部端子２４０とを有している。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいてもよい。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４００を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。

第１導体層４２０、及び外部端子２４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。

第１導体層４２０、及び外部端子２４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０の厚さは、後述する第２導体層４４０と同様である。

第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。

内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有していてもよい。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。

樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、第１実施形態の「＜工程（１）＞」欄において説明したコア基材と樹脂シートとの積層方法と同様である。

樹脂シートを内層基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。図１１に一例を示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１磁性層３２０を形成する。

樹脂組成物層３２０ａの熱硬化条件は、第１実施形態の「＜工程（２）＞」欄において説明した樹脂組成物層の熱硬化条件と同様である。

支持体３３０は、工程（Ａ）の熱硬化後と工程（Ｂ）との間に除去してもよく、工程（Ｂ）の後に剥離してもよい。

＜工程（Ｂ）＞
図１２は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ｂ）を説明するための模式的な断面図である。工程（Ｂ）は、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。

ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は、磁性層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ビアホールの寸法や形状は、回路基板のデザインに応じて適宜決定してよい。

＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、ビアホールを形成した磁性層に粗化処理を施すことを含む。工程（Ｃ）における粗化処理の方法としては、第１実施形態の「＜工程（４）＞」欄に置いて説明したものと同様の方法により行うことができる。

工程（Ｃ）における粗化処理は、絶縁層の表面を研磨する処理であってもよい。研磨方法としては、第１実施形態の「＜工程（３）＞」欄において説明したものと同様の研磨により行うことができる。

磁性層の粗化処理を施した面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

＜工程（Ｄ）＞
図１３は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ｄ）を説明するために模式的な断面図である。工程（Ｄ）では、図１３に一例を示すように、第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成することを含む。

第２導体層４４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。

第２導体層４４０の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。

第２導体層４４０は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４０は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４０を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４０として形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。

第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１４～１６に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。

コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。

工程（Ｄ）後、さらに導体層上に磁性層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１５に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１磁性層３２０上に第２磁性層３４０を形成する。第２磁性層は既に説明した工程と同様の工程により形成してもよい。

［インダクタ基板］
インダクタ基板は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ部品は、第１実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、前記の樹脂組成物層の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。

また、第２実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、インダクタ基板は、磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。ここで図１４は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１５は、図１４に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ基板の切断端面を示す模式的な図である。図１６は、インダクタ基板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

回路基板１００は、図１４及び図１５に一例として示されるように、複数の磁性層（第１磁性層３２０、第２磁性層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ磁性層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板である。また、インダクタ基板１００は、内層基板２００を備えている。

図１５より、第１磁性層３２０及び第２磁性層３４０は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ基板１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。

図１６に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。

同様に、第１磁性層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１４又は図１５では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１４又は図１５では第２導体層４４０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。

このようなインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ基板として用いることもでき、該チップインダクタ基板を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。

またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

＜実施例１＞
重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２９部、エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）０．９１部、フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５ｇ／ｅｑ．の固形分６０％のＭＥＫ溶液）を１．１７部、磁性粉体（エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ１０ＦＡ」、平均粒径（Ｄ_５０）６．０μｍ）４０．５０部、磁性粉体（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」）１６．２０部、磁性粉体（パウダーテック社製「Ｍ００１」、平均粒径（Ｄ_５０）０．１２μｍ）５．１０部、分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）０．２５部、及び溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」）３．４８部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例２＞
実施例１において、重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」）０．２９部を、重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００４ＡＦ」、ビスフェノール類より製造されるポリエーテルタイプのエポキシ樹脂、重量平均分子量１６５０）０．２９部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物を調製した。

＜実施例３＞
実施例１において、重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」）０．２９部を、重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１０１０」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、重量平均分子量５５００）０．２９部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物を調製した。

＜実施例４＞
実施例１において、重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」）０．２９部を、重量平均分子量６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ、重量平均分子量６２００）を０．２９部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物を調製した。

＜実施例５＞
実施例１において、重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」）０．２９部を０．１３部に変え、重量平均分子量が８０００以上の樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３Ｈ３０」、特殊骨格フェノキシ樹脂、ＭＥＫ：シクロヘキサノン＝１：１の３０％溶液、重量平均分子量：３５０００）０．５２部加えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物を調製した。

＜比較例１＞
エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」）０．９１部、フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」）１．１７部、磁性粉体（エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ１０ＦＡ」）３５．００部、磁性粉体（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」）１４．０８部、磁性粉体（パウダーテック社製「Ｍ００１」）４．４３部、分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」）０．２５部、及び溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」）３．４８部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜比較例２＞
実施例１において、
１）重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」）０．２９部を、重量平均分子量が８０００以上の樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ９１０１Ｈ４０」、重量平均分子量：９０５０）０．７３部に変え、
２）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」）の量を、３．４８部から３．０４部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物を調製した。

＜比較例３＞
実施例１において、
１）重量平均分子量が６００以上８０００未満のオリゴマー樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」）０．２９部を、重量平均分子量が８０００以上の樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３Ｈ３０」）０．９６部に変え、
２）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」）の量を、３．４８部から２．８１部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物を調製した。

＜樹脂シートＡの作製＞
支持体として、シリコーン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートＡを得た。

＜溶融粘度の評価＞
樹脂シートの支持体を剥離した後、樹脂組成物層を金型で圧縮することにより、測定用ペレット（直径１８ｍｍ、１．２ｇ～１．３ｇ）を作製した。その後、この測定用ペレットについて、動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム社製「Ｒｈｅｏｓｏｌ－Ｇ３０００」）を用いて、最低溶融粘度の測定を行った。具体的には、測定用ペレット１ｇについて、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用して、開始温度６０℃から２００℃までの温度範囲で昇温して動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度（ｐｏｉｓｅ）を算出した。測定条件は、昇温速度５℃／分、測定温度間隔２．５℃、振動数１Ｈｚ、ひずみ１ｄｅｇとした。

＜剥離性の評価＞
樹脂シートＡのＰＥＴフィルムから手で樹脂組成物層を剥離できるかを確認し、剥離性の有無を、以下の評価基準で評価した。
〇：樹脂組成物層の全てがＰＥＴフィルムから剥離できた。
×：樹脂組成物層の全てがＰＥＴフィルムから剥離できなかった。

＜比透磁率及び損失係数の測定＞
樹脂シートＡを１９０℃で９０分間加熱することにより、樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。得られたシート状の硬化物を切断して、外径１９．２ｍｍ、内径８．２ｍｍのドーナツ状の評価サンプルを得た。この評価サンプルの比透磁率（μ’）、複素透磁率の虚数成分（μ’’）及び損失係数（ｔａｎδ）を、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製磁性材料テストフィクスチャ「１６４５４Ａ」及びＫｅｙｓｉｇｈｔ社製インピーダンスアナライザー「Ｅ４９９１Ｂ」を用いて、測定周波数１０ＭＨｚ、室温２３℃にて測定した。損失係数ｔａｎδは、以下の式「ｔａｎδ＝μ’’／μ’」により算出した。
〇：比透磁率が２９以上。
×：比透磁率が２９未満。

＊表中、（Ｃ）成分の含有量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合の含有量を表す。

１０ コア基材
１０Ｕ 第一面
１０Ｄ 第二面
１１ 支持基板
１２ 金属層
１３ 金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ 樹脂シート
３１ 樹脂組成物層
３２ 支持体
４０ 磁性層
４０Ｕ 研磨面
４０Ｄ 研磨面
５０ 導体層
５１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 樹脂シート
３２０ａ 樹脂組成物層
３２０ 第１絶縁層
３３０ 支持体
３４０ 第２絶縁層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層

Claims (12)

1. （Ａ）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、
   （Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、及び
   （Ｃ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
2. （Ａ）成分が、エポキシ基含有オリゴマーを含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. さらに、（Ｄ）重量平均分子量が８０００以上の高分子化合物を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
4. （Ｄ）成分の含有量（体積％）が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、７０体積％以上である、請求項３に記載の樹脂組成物。
5. 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｄ）成分の含有量をＤｍとしたとき、Ｄｍ／（Ａｍ＋Ｄｍ）が、０以上０．７以下である、請求項３に記載の樹脂組成物。
6. 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｂ）成分の含有量をＢｍとし、（Ｄ）成分の含有量をＤｍとしたとき、（Ａｍ＋Ｄｍ）／（Ａｍ＋Ｂｍ＋Ｄｍ）が、０．１以上０．８以下である、請求項３に記載の樹脂組成物。
7. さらに、（Ｅ）溶剤を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
8. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
9. スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
10. 請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
11. 請求項９に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
12. 請求項１０に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。

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