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KR20190114064A - 표시 장치 및 이의 구동 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 구동 방법 Download PDF

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KR20190114064A
KR20190114064A KR1020180035329A KR20180035329A KR20190114064A KR 20190114064 A KR20190114064 A KR 20190114064A KR 1020180035329 A KR1020180035329 A KR 1020180035329A KR 20180035329 A KR20180035329 A KR 20180035329A KR 20190114064 A KR20190114064 A KR 20190114064A
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light emitting
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김태영
김효중
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 제1 화소, 제2 화소 및 반사 부재를 포함할 수 있다. 제1 화소는 제1 트랜지스터 및 제1 트랜지스터 상에 배치되어 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 발광 소자를 포함할 수 있다. 제2 화소는 제1 화소에 인접하고, 제2 트랜지스터 및 제2 트랜지스터 상에 배치되어 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 발광 소자를 포함할 수 있다. 반사 부재는 제1 화소 및 제2 화소 상에 배치되고, 제2 발광 소자에서 방출된 광을 반사시켜 제1 트랜지스터에 조사할 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 구동 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 복수의 화소들을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 상기 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 통상적으로 정공 주입층, 전자 주입층 및 이들 사이에 형성되는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비할 수 있다. 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 정공 주입층에서 주입되는 정공 및 상기 전자 주입층에서 주입되는 전자가 상기 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 광을 발생시킬 수 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하여 저전력으로 구동이 가능하고, 경량의 박형으로 제조될 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 명암비, 빠른 응답 속도 등의 우수한 품위 특성들을 가질 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에 전류를 공급하여 유기 발광 소자를 구동하기 위한 트랜지스터를 포함할 수 있다. 한편, 유기 발광 소자의 구동에 따라 이러한 트랜지스터의 특성이 변할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 트랜지스터의 특성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적은 트랜지스터의 특성을 개선시키는 표시 장치의 구동 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 발광 소자를 포함하는 제1 화소, 상기 제1 화소에 인접하고, 제2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 발광 소자를 포함하는 제2 화소, 그리고 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 상에 배치되고, 상기 제2 발광 소자에서 방출된 광을 반사시켜 상기 제1 트랜지스터에 조사하는 반사 부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 부재는 상기 제2 화소와 평면상 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소는 화상을 표시하는 표시 화소이고, 상기 제2 화소는 화상을 표시하지 않는 더미 화소일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소는 청색광 및 백색광 중에서 어느 하나를 방출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소는 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 부재는 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 사이의 비발광 영역과 평면상 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 각각 화상을 표시하는 표시 화소일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소는 청색광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 발광 소자에서 방출된 광은 상기 반사 부재에 의해 반사되어 상기 제2 트랜지스터에 조사될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 부재는 금속 및 금속 산화물 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 부재의 하면은 엠보싱 패턴을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자를 구획하는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막의 상면은 엠보싱 패턴을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 각각의 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 기판 상에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연되어 상기 게이트 전극 상에 배치되는 반도체층, 그리고 상기 반도체층과 전기적으로 연결되어 상기 반도체층 상에 배치되는 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 제1 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 발광 소자를 포함하는 제1 화소, 상기 제1 화소에 인접하고 제2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 발광 소자를 포함하는 제2 화소, 및 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 상에 배치되는 반사 부재를 포함하는 표시 장치에 있어서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법은 상기 제1 트랜지스터를 구동하여 상기 제1 발광 소자에서 광을 방출하는 단계 및 상기 제2 트랜지스터를 구동하여 상기 제2 발광 소자에서 방출된 광을 상기 반사 부재에 반사시켜 상기 제1 트랜지스터에 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 트랜지스터가 구동된 시간이 소정의 시간보다 큰 경우에 상기 제2 트랜지스터를 구동할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 소정의 시간은 약 30분일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 트랜지스터가 구동된 시간이 상기 소정의 시간보다 큰 제1 시간인 경우에 상기 제2 트랜지스터를 제2 시간 동안 구동할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 시간은 약 30분 내지 약 2시간이고, 상기 제2 시간은 약 1분일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 트랜지스터가 구동된 시간이 상기 제1 시간보다 큰 제3 시간인 경우에 상기 제2 트랜지스터를 상기 제2 시간보다 큰 제4 시간 동안 구동할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 시간은 약 2시간 내지 약 6시간이고, 상기 제4 시간은 약 10분일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 및 제2 화소들 상에 배치되고, 제2 화소의 발광 소자에서 방출된 광을 반사시켜 제1 화소의 트랜지스터에 조사하는 반사 부재를 포함함으로써, 제1 화소의 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 일정 시간 구동된 제1 화소의 트랜지스터에 제2 화소의 발광 소자에서 방출된 광을 반사 부재에 반사시켜 조사함으로써, 제1 화소의 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 표시 장치의 광의 조사를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 표시 장치를 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 5의 표시 장치의 광의 조사를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 표시 장치의 광의 조사를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10은 제1 트랜지스터의 전압-전류 관계를 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 구동 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 복수의 화소들(DP1, DP2, DP3, DMP) 및 반사 부재(190)를 포함할 수 있다.
화소들(DP1, DP2, DP3, DMP)은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 화소들(DP1, DP2, DP3, DMP)은 표시 화소들(DP1, DP2, DP3) 및 더미 화소(DMP)를 포함할 수 있다.
각각의 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 화상을 표시하는 화소일 수 있다. 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 표시 장치(100)의 전면으로 광들을 방출하고, 사용자는 상기 광들이 조합된 화상을 시인할 수 있다. 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 제1 표시 화소(DP1), 제2 표시 화소(DP2) 및 제3 표시 화소(DP3)를 포함할 수 있다.
제1 표시 화소(DP1), 제2 표시 화소(DP2) 및 제3 표시 화소(DP3)는 서로 다른 색의 가시 광들을 방출할 수 있다. 예를 들면, 제1 표시 화소(DP1), 제2 표시 화소(DP2) 및 제3 표시 화소(DP3)는 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있다.
더미 화소(DMP)는 화상을 표시하지 않는 화소일 수 있다. 더미 화소(DMP)는 표시 장치(100)의 전면 방향으로 광을 방출하고, 상기 광은 반사 부재(190)에 의해 반사될 수 있다. 이에 따라, 사용자는 더미 화소(DMP)에서 방출된 광을 시인하지 못할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 더미 화소(DMP)는 청색광 및 백색광 중에서 어느 하나를 방출할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 더미 화소(DMP)는 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 더미 화소(DMP)는 약 400nm 보다 작은 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다.
세 개의 표시 화소들(DP1, DP2, DP3) 및 하나의 더미 화소(DMP)는 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 아니하고, 하나의 단위 화소는 두 개 또는 네 개 이상의 표시 화소들을 포함하고, 두 개 이상의 더미 화소들을 포함할 수도 있다.
화소들(DP1, DP2, DP3, DMP) 상에는 반사 부재(190)가 배치될 수 있다. 반사 부재(190)는 더미 화소(DMP)와 평면상 중첩할 수 있다. 이에 따라, 전술한 바와 같이, 더미 화소(DMP)에서 방출된 광은 반사 부재(190)에 의해 반사될 수 있다. 반사 부재(190)는 더미 화소(DMP) 별로 패터닝될 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 반사 부재(190)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 유리, 석영, 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼막(111)이 배치될 수 있다. 버퍼막(111)은 기판(110)을 통한 불순물의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼막(111)은 이의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 선택적으로, 버퍼막(111)은 생략될 수도 있다.
기판(110) 상에는 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)가 배치될 수 있다. 제1 화소(PX1)는 제1 트랜지스터(TR1) 및 제1 발광 소자(OLED1)를 포함하고, 제2 화소(PX2)는 제2 트랜지스터(TR2) 및 제2 발광 소자(OLED2)를 포함할 수 있다.
제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 각각 제1 표시 화소(도 1의 DP1) 및 더미 화소(도 1의 DMP)에 상응할 수 있다. 도 2에는 제1 화소(PX1)가 제1 표시 화소(DP1)에 상응하는 것으로 예시되어 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 화소(PX1)는 제2 표시 화소(도 1의 DP2) 또는 제3 표시 화소(도 1의 DP3)에 상응할 수도 있다.
버퍼막(111) 상에는 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)가 배치될 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 제1 게이트 전극(121), 제1 반도체층(131), 제1 소스 전극(141) 및 제1 드레인 전극(151)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(TR2)는 제2 게이트 전극(122), 제2 반도체층(132), 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152)을 포함할 수 있다.
제1 게이트 전극(121) 및 제2 게이트 전극(122)은 버퍼막(111) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(121) 및 제2 게이트 전극(122)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.
제1 게이트 전극(121) 및 제2 게이트 전극(122) 상에는 게이트 절연막(112)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(112)은 제1 게이트 전극(121)과 제2 게이트 전극(122)을 덮으며 버퍼막(111) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(112)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132)은 게이트 절연막(112) 상에 배치될 수 있다. 제1 반도체층(131)의 일부는 제1 게이트 전극(121)과 중첩하고, 제2 반도체층(132)의 일부는 제2 게이트 전극(122)과 중첩할 수 있다. 제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132)은 각각 게이트 절연막(112)에 의해 제1 게이트 전극(121) 및 제2 게이트 전극(122)과 절연될 수 있다. 제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132)은 비정질 실리콘, 다결정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132)은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
제1 반도체층(131) 및 제2 반도체층(132) 상에는 층간 절연막(113)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(113)은 제1 반도체층(131)과 제2 반도체층(132)을 덮으며 게이트 절연막(112) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연막(113)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등을 포함할 수 있다.
제1 소스 전극(141), 제1 드레인 전극(151), 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152)은 층간 절연막(113) 상에 배치될 수 있다. 제1 소스 전극(141) 및 제1 드레인 전극(151)은 제1 반도체층(131)과 전기적으로 연결되고, 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152)은 제2 반도체층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 소스 전극(141) 및 제1 드레인 전극(151)은 층간 절연막(113)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 제1 반도체층(131)과 접촉하고, 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152)은 층간 절연막(113)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 제2 반도체층(132)과 접촉할 수 있다.
제1 소스 전극(141), 제1 드레인 전극(151), 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo 또는 Ti를 포함할 수 있다. 예를 들면, 각각의 제1 소스 전극(141), 제1 드레인 전극(151), 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152)은 Mo/Al/Mo 또는 Ti/Al/Ti와 같은 다층막으로 형성될 수 있다.
도 2에는 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)가 바텀 게이트(bottom-gate) 구조를 갖는 것으로 예시되어 있으나, 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)는 탑 게이트(top-gate) 구조를 가질 수도 있다.
제1 소스 전극(141), 제1 드레인 전극(151), 제2 소스 전극(142) 및 제2 드레인 전극(152) 상에는 평탄화막(114)이 배치될 수 있다. 평탄화막(114)은 제1 트랜지스터(TR1)와 제2 트랜지스터(TR2)를 덮으며 층간 절연막(113) 상에 형성될 수 있다. 평탄화막(114)은 이의 상부에 평탄한 면을 제공할 수 있다. 평탄화막(114)은 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막(114)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등으로 형성될 수 있다.
평탄화막(114) 상에는 제1 발광 소자(OLED1) 및 제2 발광 소자(OLED2)가 배치될 수 있다. 제1 발광 소자(OLED1)는 제1 화소 전극(161), 제1 중간층(171) 및 제1 대향 전극(181)을 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(OLED2)는 제2 화소 전극(162), 제2 중간층(172) 및 제2 대향 전극(182)을 포함할 수 있다.
제1 발광 소자(OLED1) 및 제2 발광 소자(OLED2)는 각각 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 발광 소자(OLED1) 및 제2 발광 소자(OLED2)는 각각 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)가 공급하는 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 본 실시예에 따른 제1 발광 소자(OLED1) 및 제2 발광 소자(OLED2)는 유기 발광 소자인 것으로 예시되어 있으나, 액정 소자 등일 수도 있다.
제1 화소 전극(161) 및 제2 화소 전극(162)은 평탄화막(114) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(161) 및 제2 화소 전극(162)은 화소 별로 패터닝될 수 있다. 제1 화소 전극(161)은 제1 드레인 전극(151)과 접촉하고, 제2 화소 전극(162)은 제2 드레인 전극(152)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 전극(161)은 평탄화막(114)에 형성된 접촉 구멍을 통해 제1 드레인 전극(151)과 접촉하고, 제2 화소 전극(162)은 평탄화막(114)에 형성된 접촉 구멍을 통해 제2 드레인 전극(152)과 접촉할 수 있다. 제1 화소 전극(161) 및 제2 화소 전극(162)은 반사 전극일 수 있다. 각각의 제1 화소 전극(161) 및 제2 화소 전극(162)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 등으로 형성되는 반사층 및 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3) 등으로 형성되는 투과층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 각각의 제1 화소 전극(161) 및 제2 화소 전극(162)은 ITO/Ag/ITO와 같은 다층막으로 형성될 수 있다.
제1 화소 전극(161) 및 제2 화소 전극(162) 상에는 화소 정의막(115)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(115)은 제1 화소 전극(161)의 일부 및 제2 화소 전극(162)의 일부를 각각 노출시키는 개구들을 포함할 수 있다. 화소 정의막(115)은 제1 발광 소자(OLED1)와 제2 발광 소자(OLED2)를 구획할 수 있다.
화소 정의막(115)은 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(115)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 화소 정의막(115)의 상면은 엠보싱 패턴을 가질 수 있다. 상기 엠보싱 패턴은 화소 정의막(115)의 상부로 돌출된 형상을 가질 수 있다.
제1 중간층(171)은 제1 화소 전극(161) 상에 배치되고, 제2 중간층(172)은 제2 화소 전극(162) 상에 배치될 수 있다. 각각의 제1 중간층(171) 및 제2 중간층(172)은 유기 발광층을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층은 화소 별로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 각각의 제1 중간층(171) 및 제2 중간층(172)은 상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 주입층(HIL) 및/또는 정공 수송층(HTL)을 더 포함할 수 있다. 또한, 각각의 제1 중간층(171) 및 제2 중간층(172)은 상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층(ETL) 및/또는 전자 주입층(EIL)을 더 포함할 수 있다. 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층은 화소들에 공통으로 제공될 수 있다.
제1 중간층(171)은 적색광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 중간층(171)은 녹색광 또는 청색광을 방출할 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 중간층(172)은 청색광 및 백색광 중에서 어느 하나를 방출할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제2 중간층(172)은 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 제2 중간층(172)은 약 400nm 보다 작은 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 제2 중간층(172)은 상대적으로 높은 에너지를 가지는 광을 방출할 수 있다.
제1 대향 전극(181)은 제1 중간층(171) 상에 배치되고, 제2 대향 전극(182)은 제2 중간층(172) 상에 배치될 수 있다. 제1 대향 전극(181) 및 제2 대향 전극(182)은 화소들에 공통으로 제공될 수 있다. 제1 대향 전극(181) 및 제2 대향 전극(182)은 투과 전극일 수 있다. 예를 들면, 제1 대향 전극(181) 및 제2 대향 전극(182)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2) 상에는 반사 부재(190)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 반사 부재(190)는 제2 대향 전극(182) 상에 배치될 수 있다. 반사 부재(190)는 제2 화소(PX2)와 평면상 중첩할 수 있다.
반사 부재(190)는 금속 및 금속 산화물 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 반사 부재(190)는 은(Ag) 등과 같은 금속 또는 알루미늄 산화물(AlOx), 크롬 산화물(CrOx) 등과 같은 금속 산화물로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 반사 부재(190)의 하면은 엠보싱 패턴을 가질 수 있다. 상기 엠보싱 패턴은 반사 부재(190)의 상부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 화소들에 공통으로 제공되는 중간층들(171, 172) 및 대향 전극들(181, 182)은 엠보싱 패턴이 형성된 화소 정의막(115)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라, 상면에 엠보싱 패턴이 형성된 화소 정의막(115) 상에 위치하는 반사 부재(190)의 하면에는 엠보싱 패턴이 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 표시 장치의 광의 조사를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제1 화소(PX1)의 제1 발광 소자(OLED1)는 제1 트랜지스터(TR1)에서 인가된 전류에 기초하여 제1 광(L1)을 방출할 수 있다. 제1 광(L1)은 적색광, 녹색광 또는 청색광일 수 있다. 제1 광(L1)은 표시 장치(100)의 전면으로 방출되어, 사용자는 화상을 시인할 수 있다.
제2 화소(PX2)의 제2 발광 소자(OLED2)는 제2 트랜지스터(TR2)에서 인가된 전류에 기초하여 제2 광(L2)을 방출할 수 있다. 제2 광(L2)은 표시 장치(100)의 전면 방향으로 방출되고, 반사 부재(190)에 의해 반사될 수 있다. 반사된 제2 광(L2)은 제1 트랜지스터(TR1)에 조사될 수 있다. 제2 광(L2)은 청색광, 백색광 또는 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광일 수 있다. 제2 광(L2)은 제1 광(L1)보다 실질적으로 짧은 파장을 가질 수 있고, 이에 따라, 제2 광(L2)은 제1 광(L1) 보다 높은 에너지를 가질 수 있다.
제2 광(L2)이 반사 부재(190)의 하면에 형성된 엠보싱 패턴에 의해 반사되는 경우에 반사각이 증가하거나 감소할 수 있다. 이에 따라, 반사된 제2 광(L2)이 조사되는 범위가 확장될 수 있다.
제1 화소(PX1)가 일정 시간 이상 광을 방출하는 경우에 제1 트랜지스터(TR1)의 특성이 변하여 제1 트랜지스터(TR1)의 구동 범위가 증가할 수 있다. 이 경우, 상대적으로 높은 에너지를 가지는 제2 광(L2)이 반사 부재(190)에 의해 반사되어 제1 트랜지스터(TR1)에 조사됨으로써, 제1 트랜지스터(TR1)의 구동 범위를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(TR1)의 특성이 개선될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(200)는 복수의 표시 화소들(DP1, DP2, DP3) 및 반사 부재(290)를 포함할 수 있다.
표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 각각의 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 화상을 표시하는 화소일 수 있다. 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 표시 장치(200)의 전면으로 광들을 방출하고, 사용자는 상기 광들이 조합된 화상을 시인할 수 있다. 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)은 제1 표시 화소(DP1), 제2 표시 화소(DP2) 및 제3 표시 화소(DP3)를 포함할 수 있다.
제1 표시 화소(DP1), 제2 표시 화소(DP2) 및 제3 표시 화소(DP3)는 서로 다른 색의 가시 광들을 방출할 수 있다. 예를 들면, 제1 표시 화소(DP1), 제2 표시 화소(DP2) 및 제3 표시 화소(DP3)는 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 표시 화소들(DP1, DP2, DP3)이 배치되는 영역은 발광 영역(EA)으로 정의되고, 표시 화소들(DP1, DP2, DP3) 사이의 광이 방출되지 않는 영역은 비발광 영역(NEA)으로 정의될 수 있다.
세 개의 표시 화소들(DP1~DP3)은 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 아니하고, 하나의 단위 화소는 두 개 또는 네 개 이상의 표시 화소들을 포함할 수도 있다.
표시 화소들(DP1, DP2, DP3) 상에는 반사 부재(290)가 배치될 수 있다. 반사 부재(290)는 비발광 영역(NEA)과 평면상 중첩할 수 있다. 구체적으로, 반사 부재(290)는 비발광 영역(NEA)의 제3 표시 화소(DP3)에 인접한 부분에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제3 표시 화소(DP3)에서 방출된 광은 반사 부재(290)에 의해 반사될 수 있다. 도 4에는 4 개의 반사 부재들(290)이 제3 표시 화소(DP3)를 둘러싸며 배치되는 것으로 예시되어 있으나, 반사 부재들(290)의 개수 및 배치는 이에 한정되지 아니한다.
도 5는 도 4의 표시 장치를 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(200)는 기판(210), 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 반사 부재(290)를 포함할 수 있다. 도 5를 참조하여 설명하는 일 실시예에 따른 표시 장치(200)에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 구성들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
기판(210)은 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다.
기판(210) 상의 발광 영역(EA)에는 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)가 배치될 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)의 사이에 위치할 수 있다. 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)는 각각 제1 표시 화소(도 4의 DP1) 및 제3 표시 화소(도 4의 DP3)에 상응할 수 있다. 도 5에는 제1 화소(PX1)가 제1 표시 화소(DP1)에 상응하는 것으로 예시되어 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 화소(PX1)는 제2 표시 화소(도 4의 DP2)에 상응할 수도 있다.
제1 발광 소자(OLED1)의 제1 중간층(271)은 적색광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 제1 중간층(271)은 녹색광을 방출할 수도 있다.
제2 발광 소자(OLED2)의 제2 중간층(272)은 청색광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 제2 중간층(272)은 제1 중간층(271)보다 높은 에너지를 가지는 광을 방출할 수 있다.
제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2) 상에는 반사 부재(290)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 반사 부재(290)는 화소들에 공통으로 형성되는 대향 전극들(281, 282) 상에 배치될 수 있다. 반사 부재(290)는 비발광 영역(NEA)과 평면상 중첩할 수 있다.
도 6은 도 5의 표시 장치의 광의 조사를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 제1 화소(PX1)의 제1 발광 소자(OLED1)는 제1 트랜지스터(TR1)에서 인가된 전류에 기초하여 제1 광(L1)을 방출할 수 있다. 제1 광(L1)은 적색광 또는 녹색광일 수 있다. 제1 광(L1)은 표시 장치(200)의 전면으로 방출되어, 사용자는 화상을 시인할 수 있다.
제2 화소(PX2)의 제2 발광 소자(OLED2)는 제2 트랜지스터(TR2)에서 인가된 전류에 기초하여 제2 광(L2), 제3 광(L3) 및 제4 광(L4)을 방출할 수 있다. 제2 광(L2), 제3 광(L3) 및 제4 광(L4)은 청색광일 수 있다. 제3 광(L3)은 표시 장치(200)의 전면으로 방출되어, 사용자는 화상을 시인할 수 있다. 제2 광(L2) 및 제4 광(L4)은 표시 장치(200)의 전면 방향으로 방출되고, 반사 부재(290)에 의해 반사될 수 있다. 반사된 제2 광(L2)은 제1 트랜지스터(TR1)에 조사되고, 반사된 제4 광(L4)은 제2 트랜지스터(TR2)에 조사될 수 있다. 제2 광(L2) 및 제4 광(L4)이 반사 부재(290)의 하면에 형성된 엠보싱 패턴에 의해 반사되는 경우에 반사각이 증가하거나 감소할 수 있다. 이에 따라, 반사된 제2 광(L2) 및 제4 광(L4)이 조사되는 범위가 확장될 수 있다.
제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)가 일정 시간 이상 광을 방출하는 경우에 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 특성이 변하여 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 구동 범위가 증가할 수 있다. 이 경우, 상대적으로 높은 에너지를 가지는 제2 광(L2) 및 제4 광(L4)이 반사 부재(290)에 의해 반사되어 각각 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)에 조사됨으로써, 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 구동 범위를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(TR1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 특성이 개선될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(300)는 표시 패널(310), 윈도우 부재(320), 광조사 부재(330) 및 기능 부재(340)를 포함할 수 있다.
표시 패널(310)은 영상을 표시할 수 있다. 본 실시예에서, 표시 패널(310)은 유기 발광 표시(organic light emitting display, OLED) 패널일 수 있다.
윈도우 부재(320)는 표시 패널(310)의 전면에 위치할 수 있다. 표시 패널(310)에서 표시되는 영상은 윈도우 부재(320)를 통해 사용자에게 제공될 수 있다.
광조사 부재(330)는 표시 패널(310)의 배면에 위치할 수 있다. 광조사 부재(330)는 표시 패널(310)에 광을 조사할 수 있다. 광조사 부재(330)는 청색광보다 짧은 파장을 가지는 비가시광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 광조사 부재(330)는 약 400nm 이하의 파장을 가지는 비가시광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 광조사 부재(330)는 상대적으로 높은 에너지를 가지는 광을 표시 패널(310)에 조사할 수 있다. 광조사 부재(330)는 광원, 도광판 등을 포함할 수 있다.
기능 부재(340)는 광조사 부재(330)의 배면에 위치할 수 있다. 기능 부재(340)는 표시 패널(310)의 충격을 완화시키는 쿠션층, 소자들이 사용자에게 시인되는 것을 방지하는 블랙층, 표시 패널(310)로부터 전달된 열을 외부로 방출시키는 방열층 등을 포함할 수 있다.
도 8은 도 7의 표시 장치의 광의 조사를 나타내는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 표시 패널(310)은 트랜지스터를 포함하는 구동부(311) 및 발광 소자를 포함하는 표시부(312)를 포함할 수 있다. 표시부(312)는 구동부(311)에 의해 구동되어 제1 광(L1)을 방출할 수 있다. 제1 광(L1)은 적색광, 녹색광 또는 청색광일 수 있다. 제1 광(L1)은 윈도우 부재(320)를 통해 표시 장치(300)의 전면으로 방출되어, 사용자는 화상을 시인할 수 있다.
광조사 부재(330)는 표시 패널(310)의 구동부(311)에 제2 광(L2)을 방출할 수 있다. 구체적으로, 제2 광(L2)은 구동부(311)에 포함된 트랜지스터에 조사될 수 있다. 제2 광(L2)은 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광일 수 있다. 제2 광(L2)은 제1 광(L1)보다 실질적으로 짧은 파장을 가질 수 있고, 이에 따라, 제2 광(L2)은 제1 광(L1) 보다 높은 에너지를 가질 수 있다.
표시부(312)가 일정 시간 이상 광을 방출하는 경우에 구동부(311)에 포함된 트랜지스터의 특성이 변하여 트랜지스터의 구동 범위가 증가할 수 있다. 이 경우, 상대적으로 높은 에너지를 가지는 제2 광(L2)이 광조사 부재(330)에서 방출되어 구동부(311)의 트랜지스터에 조사됨으로써, 트랜지스터의 구동 범위를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터의 특성이 개선될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9는 도 2의 표시 장치(100)의 구동 방법을 나타내는 순서도일 수 있다. 그러나, 도 9의 구동 방법은 수정 및 변경을 통해 도 5의 표시 장치(200) 및 도 7의 표시 장치(300)에도 적용될 수 있다.
도 2 및 도 9를 참조하면, 먼저 제1 화소(PX1)를 구동할 수 있다(S100). 구체적으로, 제1 트랜지스터(TR1)를 구동하여 제1 발광 소자(OLED1)에서 광을 방출할 수 있다. 제1 발광 소자(OLED1)에서 방출된 광은 적색광, 녹색광 또는 청색광이고, 표시 장치(100)의 전면으로 방출되어, 사용자는 화상을 시인할 수 있다.
그 다음, 제1 화소(PX)가 구동 중인지를 확인할 수 있다(S120). 제1 화소(PX)가 구동 중인 경우에는 일정 시간이 경과한 후에 다시 제1 화소(PX1)의 구동 여부를 확인할 수 있다. 제1 화소(PX1)가 구동 중이 아닌 경우에는 제1 화소(PX1)가 구동된 시간을 확인하는 단계로 넘어갈 수 있다.
그 다음, 제1 화소(PX1)의 구동 시간을 확인할 수 있다(S130). 제1 화소(PX1)의 구동 시간이 소정의 시간보다 큰 경우에는 제2 화소(PX2)를 구동시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 소정의 시간은 약 30분일 수 있다.
구체적으로, 제2 트랜지스터(TR2)를 구동하여 제2 발광 소자(OLED2)에서 광을 방출할 수 있다. 제2 발광 소자(OLED2)에서 방출된 광은 표시 장치(100)의 전면 방향으로 방출되고, 반사 부재(190)에 의해 반사될 수 있다. 반사 부재(190)에 의해 반사된 광은 제1 트랜지스터(TR1)에 조사될 수 있다. 제2 발광 소자(OLED2)에서 방출된 광은 청색광, 백색광 또는 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광일 수 있다. 제2 발광 소자(OLED2)에서 방출된 광은 제1 발광 소자(OLED1)에서 방출된 광보다 실질적으로 짧은 파장을 가질 수 있고, 제1 발광 소자(OLED1)에서 방출된 광보다 높은 에너지를 가질 수 있다. 제1 화소(PX1)의 구동 시간이 상기 소정의 시간보다 작은 (예를 들면, 약 30분 미만) 경우에는 제2 화소(PX2)를 구동시키지 않을 수 있다.
제1 화소(PX1)의 구동 시간이 상기 소정의 시간보다 큰 제1 시간인 경우에 제2 화소(PX2)를 제2 시간 동안 구동할 수 있다. 구체적으로, 제1 트랜지스터(TR1)가 구동된 시간이 상기 제1 시간인 경우에 제2 트랜지스터(TR2)를 상기 제2 시간 동안 구동할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 시간은 약 30분 내지 약 2시간이고, 상기 제2 시간은 약 1분일 수 있다.
제1 화소(PX1)의 구동 시간이 상기 제1 시간보다 큰 제3 시간인 경우에 제2 화소(PX2)를 상기 제2 시간보다 큰 제4 시간 동안 구동할 수 있다. 구체적으로, 제1 트랜지스터(TR1)가 구동된 시간이 상기 제3 시간인 경우에 제2 트랜지스터(TR2)를 상기 제4 시간 동안 구동할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 시간은 약 2시간 내지 약 6시간이고, 상기 제4 시간은 약 10분일 수 있다. 제1 화소(PX1)의 구동 시간의 크기에 따라 제2 화소(PX2)의 구동 시간의 크기를 조절함으로써, 제1 트랜지스터(TR1)의 특성을 적정하게 개선할 수 있다.
도 10은 제1 트랜지스터의 전압-전류 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10을 참조하면, 제1 화소(PX1)가 상기 소정의 시간 이상 광을 방출하는 경우(다시 말해, 제2 화소(PX2)가 구동되기 전)에 제1 트랜지스터(TR1)의 특성이 변할 수 있다. 즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 트랜지스터(TR1)의 전압-전류 곡선의 기울기가 작아지고, 이에 따라, 제1 트랜지스터(TR1)의 구동 범위가 증가할 수 있다. 제2 화소(PX2)가 구동되는 경우에 제2 화소(PX2)에서 방출된 광이 반사 부재(190)에 의해 반사되어 제1 트랜지스터(TR1)에 조사됨으로써, 제1 트랜지스터(TR1)의 전압-전류 곡선의 기울기가 커지고, 제1 트랜지스터(TR1)의 구동 범위를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 구동 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 기판 115: 화소 정의막
121, 122: 게이트 전극 131, 132: 반도체층
141, 142: 소스 전극 151, 152: 드레인 전극
190: 반사 부재 PX1: 제1 화소
PX2: 제2 화소 OLED1: 제1 발광 소자
OLED2: 제2 발광 소자 TR1: 제1 트랜지스터
TR2: 제2 트랜지스터

Claims (20)

  1. 제1 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 발광 소자를 포함하는 제1 화소;
    상기 제1 화소에 인접하고, 제2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 발광 소자를 포함하는 제2 화소; 및
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 상에 배치되고, 상기 제2 발광 소자에서 방출된 광을 반사시켜 상기 제1 트랜지스터에 조사하는 반사 부재를 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 제2 화소와 평면상 중첩하는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 화소는 화상을 표시하는 표시 화소이고,
    상기 제2 화소는 화상을 표시하지 않는 더미 화소인, 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 화소는 청색광 및 백색광 중에서 어느 하나를 방출하는, 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2 화소는 청색광보다 짧은 파장을 가지는 광을 방출하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 사이의 비발광 영역과 평면상 중첩하는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 각각 화상을 표시하는 표시 화소인, 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제2 화소는 청색광을 방출하는, 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제2 발광 소자에서 방출된 광은 상기 반사 부재에 의해 반사되어 상기 제2 트랜지스터에 조사되는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반사 부재는 금속 및 금속 산화물 중에서 어느 하나를 포함하는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 반사 부재의 하면은 엠보싱 패턴을 가지는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자를 구획하는 화소 정의막을 더 포함하고,
    상기 화소 정의막의 상면은 엠보싱 패턴을 가지는, 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는:
    기판 상에 배치되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극과 절연되어 상기 게이트 전극 상에 배치되는 반도체층; 및
    상기 반도체층과 전기적으로 연결되어 상기 반도체층 상에 배치되는 소스/드레인 전극을 포함하는, 표시 장치.
  14. 제1 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 발광 소자를 포함하는 제1 화소, 상기 제1 화소에 인접하고 제2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 상에 배치되어 상기 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 발광 소자를 포함하는 제2 화소, 그리고 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 상에 배치되는 반사 부재를 포함하는 표시 장치에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터를 구동하여 상기 제1 발광 소자에서 광을 방출하는 단계; 및
    상기 제2 트랜지스터를 구동하여 상기 제2 발광 소자에서 방출된 광을 상기 반사 부재에 반사시켜 상기 제1 트랜지스터에 조사하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 구동 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터가 구동된 시간이 소정의 시간보다 큰 경우에 상기 제2 트랜지스터를 구동하는, 표시 장치의 구동 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 소정의 시간은 30분인, 표시 장치의 구동 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터가 구동된 시간이 상기 소정의 시간보다 큰 제1 시간인 경우에 상기 제2 트랜지스터를 제2 시간 동안 구동하는, 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 시간은 30분 내지 2시간이고,
    상기 제2 시간은 1분인, 표시 장치의 구동 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터가 구동된 시간이 상기 제1 시간보다 큰 제3 시간인 경우에 상기 제2 트랜지스터를 상기 제2 시간보다 큰 제4 시간 동안 구동하는, 표시 장치의 구동 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제3 시간은 2시간 내지 6시간이고,
    상기 제4 시간은 10분인, 표시 장치의 구동 방법.
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