JP6976571B2 - 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル - Google Patents
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Description
この有機EL表示パネルでは、一般に各有機EL素子の発光層と、隣接する有機EL素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。カラー表示用の有機EL表示パネルにおいては、このような有機EL素子が、RGB各色の画素を形成し、隣り合うRGBの画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。各有機EL素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層等の機能膜が配設された素子構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。
代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置した状態で基板表面に対してインクジェットヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下し、その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。例えば、特許文献1では、Y方向の隔壁間に同一濃度の有機材料溶液を滴下し、隔壁内容積に応じた溶液量を塗布することによって成膜することで、簡単で且つ容易なプロセスで均質な有機発光層の形成が可能となることが記載されている。
本実施の形態に係る有機EL表示パネルは、基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルであって、基板と、前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第1の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第2の有機発光層と、前記有機発光層上方に形成された対向電極層とを備え、前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きいことを特徴とする。
係る構成により、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示素子配列領域10eの列方向端部付近での有機発光層の膜厚変動の大きさの第1の有機発光層と第2の有機発光層との間での差を縮小することができる。その結果、表示素子配列領域10eの列方向端部付近での各色の列方向端部付近の輝度ムラの第1の有機発光層と第2の有機発光層との間での差を縮小し、列方向端部付近での発光特性のムラを抑制することができる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第1間隙先端領域の列方向の長さが、前記第2間隙先端領域の列方向の長さよりも長い構成としてもよい。
係る構成により、基板100xにおける列方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースを有効に活用して、領域10eにおける間隙522zの列方向端部と、間隙522zの列方向端522zendとの距離を、第1間隙先端領域>第2間隙先端領域にすることができる。
係る構成により、間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積を、第1間隙先端領域>第2間隙先端領域にすることができ、発光層の形成工程において、第1間隙先端領域、第2間隙先端領域上にそれぞれ貯留される有機発光材料を含むインクの体積を大きくできる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設されており、前記第2間隙先端領域における前記行バンクの総数は、前記第1間隙先端領域における前記行バンクの総数よりも多い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第2間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第1間隙とは異なる第3間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第3の有機発光層を備え、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第3の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、前記基板の平面視において、前記第2間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積が、前記第3間隙の列方向端部から前記基準位置までの第3間隙先端領域に形成される前記第3の有機発光層の体積よりも大きい構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第2の有機発光層が発する光の波長は、前記第3の有機発光層が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、列方向における同一位置にある前記第1の有機発光層、前記第2の有機発光層、及び前記第3の有機発光層は、同一の画素に含まれる構成としてもよい。
係る構成により、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスを用いて、列状の機能層が並設されたパネル構造において、表示素子配列領域10eの列方向端部付近での有機発光層123の膜厚変動の大きさの第1の有機発光層と第2の有機発光層との間での差を縮小することができる表示パネル10を製造できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第1の有機発光材料が発する光の波長は、前記第2の有機発光材料が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記列バンク形成工程では、前記第1間隙先端領域の列方向の長さが、前記第2間隙先端領域の列方向の長さよりも長くなるように前記複数の列バンクを形成する構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記準備工程では、前記第1間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積が、前記第2間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積よりも大きくなるように、前記基板上面における少なくとも前記第1間隙先端領域及び前記第2間隙先端領域の何れか一方に対応する部分が凹陥基板を準備する構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、発光層形成工程では、さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され前記第2間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第1間隙とは異なる第3間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第3の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、前記基板の平面視において、前記第2間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積が、前記第3間隙の列方向端部から前記基準位置までの第3間隙先端領域に形成される有機発光層の体積よりも大きくなるよう第3の有機発光層を形成する構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第2の有機発光層が発する光の波長は、前記第3の有機発光層が発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、列方向における同一位置にある前記第1の有機発光層、前記第2の有機発光層、及び前記第3の有機発光層は、同一の画素に含まれる構成としてもよい。
1 表示装置1の回路構成
以下では、実施の形態1に係る有機EL表示装置1(以後、「表示装置1」と称する)の回路構成について、図1を用い説明する。
図1に示すように、表示装置1は、有機EL表示パネル10(以後、「表示パネル10」と称する)と、これに接続された駆動制御回路部20とを有して構成されている。
2 表示パネル10の回路構成
表示パネル10においては、複数の単位画素100eが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素100eは、3個の有機EL素子、つまり、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色に発光する3個の副画素100seから構成される。各副画素100seの回路構成について、図2を用い説明する。
図2に示すように、本実施の形態に係る表示パネル10では、各副画素100seが2つのトランジスタTr1、Tr2と一つのキャパシタC、及び発光部としての有機EL素子部ELとを有し構成されている。トランジスタTr1は、駆動トランジスタであり、トランジスタTr2は、スイッチングトランジスタである。
駆動トランジスタTr1のドレインD1は、電源ラインVaに接続されており、ソースS1 は、有機EL素子部ELの画素電極(アノード)に接続されている。有機EL素子部ELにおける共通電極層(カソード)は、接地ラインVcatに接続されている。
表示パネル10においては、隣接する複数の副画素100se(例えば、赤色(R)と緑色(G)と青色(B)の発光色の3つの副画素100se)を組み合せて1つの単位画素100eを構成し、各単位画素100eが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素100seのゲートG2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル10の外部から接続される走査ラインVscnに接続されている。同様に、各副画素100seのソースS2からソースラインが各々引き出され表示パネル10の外部から接続されるデータラインVdatに接続されている。
3.表示パネル10の全体構成
3.1 概要
本実施の形態に係る表示パネル10について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
表示パネル10は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機EL表示パネルであり、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が形成された基板100x(TFT基板)に、各々が画素を構成する複数の有機EL素子100が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図3におけるX方向、Y方向、Z方向を、それぞれ表示パネル10における、行方向、Y方向、厚み方向とする。
図4は、図3におけるX0部の拡大平面図である。図5は、有機EL素子100の副画素100seに相当する絶縁層の部分を斜め上方から視した斜視図である。
表示パネル10の表示素子配列領域(表示用領域)10e(以後、「領域10e」とする)には、有機EL素子100に対応する単位画素100eが行列状に配されている。各単位画素100eには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する100aR、緑色に発光する100aG、青色に発光する100aB(以後、100aR、100aG、100aBを区別しない場合は、「100a」と略称する)の3種類の自己発光領域100aが形成されている。すなわち、図4に示すように行方向に並んだ自己発光領域100aR、100aG、100aBのそれぞれに対応する3つの副画素100seが1組となりカラー表示における単位画素100eを構成している。
3.3 非発光領域(周辺領域)10neの構成
図6は、図3におけるX1部の拡大平面図である。表示パネル10では、上述のとおり、基板100x上の区画領域10aの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機EL素子100が形成されていない非発光領域(周辺領域)10ne(以後、「領域10ne」とする)が形成されている。本実施の形態では、領域10ne内において、基板100x上の各区画にダミー電極119Eが配設されている。ダミー電極119Eは、平坦化層118のコンタクト孔が形成されておらず、駆動トランジスタTr1のソースS1 に接続されておらずトランジスタにより駆動されない点で、画素電極119と機能が相違する。なお、ダミー電極119Eは、表面が画素電極119と共通であればよい。ダミー電極119Eは、駆動トランジスタTr1からの電流を流す必要は無いので、上述のようにコンタクト孔が形成されない形態の他、下部配線をダミー電極119Eの駆動トランジスタTr1に接続させない形態や、ダミー電極119Eを含むダミーの画素には駆動トランジスタTr1を形成しない形態等であってもよい。
そのため、赤色間隙522zRの列方向端522zRendから基板100xの内方に所定長さLpl離れ領域10neに存在する位置を基準位置Yrfと定義するとき、赤色間隙522zRの列方向端522zRendから基準位置Yrfまでの赤色間隙先端領域522zRtp(以後、「赤先端領域522zRtp」とする)の列方向長さは、緑色間隙522zGの列方向端522zGendから基準位置Yrfの緑色間隙先端領域522zGtp(以後、「緑先端領域522zGtp」とする)の列方向長さよりも長く、緑先端領域522zGtpの列方向長さは、青色間隙522zBの列方向端522zBendから基準位置121X1の青色間隙先端領域522zBtp(以後、「青先端領域522zBtp」とする)の列方向長さよりも長い。(青色間隙先端領域の色の区別を要しないときは、「間隙先端領域522ztp」とする)
また、図6に示すように、赤先端領域522zRtpには、ダミー電極119REtp、発光層123REtpが積層形成され、緑先端領域522zGtpには、ダミー電極119REtp、発光層123GEtpが積層形成され、青先端領域522zBtpには、ダミー電極119REtp、発光層123BEtpが積層形成されている。
4 表示パネル10の各部構成
表示パネル10における有機EL素子100の構成について、図7を用いて説明する。図7は、図4におけるA1−A1で切断した模式断面図である。
4.1 有機EL素子100の各部構成
(1)基板100x
基板100xは表示パネル10の支持部材であり、基材(不図示)と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層(不図示)とを有する。
TFT層は、基材上面に形成された複数のTFT及び配線(TFTのソースS1 と、対応する画素電極119を接続する)を含む複数の配線からなる。TFTは、表示パネル10の外部回路からの駆動信号に応じ、対応する画素電極119と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、TFT、画素電極119、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
基材上及びTFT層の上面には平坦化層118が設けられている。基板100xの上面に位置する平坦化層118は、TFT層によって凹凸が存在する基板100xの上面を平坦化するものである。また、平坦化層118は、配線及びTFTの間を埋め、配線及びTFTの間を電気的に絶縁している。
4.2 有機EL素子部
(1)画素電極119
基板100xにおける領域10e上面に位置する平坦化層118上には、図6に示すように、副画素100se単位で画素電極119が設けられている。
基板100xにおける領域10ne上面に位置する平坦化層118上には、図6に示すように、列バンク522Yと行バンク122Xとが規定する区画毎にダミー電極119Eが設けられている。
ダミー電極119Eの形状は、画素電極119と同様に、例えば、概矩形形状をした平板状である。画素電極119と異なる点は、平坦化層118のコンタクト孔が形成されておらず、ダミー電極119Eが対応する画素のソースS1 に接続されていない点である。
画素電極119及びダミー電極119E上には、図7に示すように、ホール注入層120が積層されている。ホール注入層120は、画素電極119から注入されたホールをホール輸送層121へ輸送する機能を有する。
ホール注入層120は、基板100x側から順に、画素電極119及びダミー電極119E上に形成された金属酸化物からなるホール注入層120Aと、後述する間隙522zR、間隙522zG、間隙522zB内のホール注入層120A上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層120Bとを含む。
図6に示すように、画素電極119及びダミー電極119E、ホール注入層120の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク522Yと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク122Xとがある。図4に示すように、列バンク522Yは、行バンク122Xと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク522Yと行バンク122Xとで格子状をなしている(以後、行バンク122X、列バンク522Yを区別しない場合は「バンク122」と称する)。
列バンク522Yの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク522Yは、発光層123の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層123の行方向外縁を規定するものである。
列バンク522Yはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
(5)ホール輸送層121
図7に示すように、間隙522zR、522zG、522zB内におけるホール注入層120上には、ホール輸送層121が積層される。また、行バンク122Xにおけるホール注入層120上にも、ホール輸送層121が積層される(不図示)。ホール輸送層121は、ホール注入層120Bに接触している。ホール輸送層121は、ホール注入層120から注入されたホールを発光層123へ輸送する機能を有する。
(6)発光層123
図7に示すように、ホール輸送層121上には、発光層123が積層されている。発光層123は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク522Yにより規定された間隙522zR、間隙522zG、間隙522zB内では、発光層123は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素100seR内の自己発光領域100aRに対応する赤色間隙522zR、緑色副画素100seG内の自己発光領域100aGに対応する緑色間隙522zG、青色副画素100seB内の自己発光領域100aBに対応する青色間隙522zBには、それぞれ各色に発光する発光層123R、123G、123Bが形成されている。
発光層123は、画素電極119からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク122Xが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層123は、行バンク122Xがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域100aとなり、自己発光領域100aの列方向における外縁は、行バンク122Xの列方向外縁により規定される。
なお、発光層123は、自己発光領域100aだけでなく、列方向に隣接する非自己発光領域100bまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層123の形成時に、自己発光領域100aに塗布されたインクが、非自己発光領域100bに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域100bでは、行バンク122Xによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
図4、図7に示すように、列バンク522Y及び列バンク522Yにより規定された間隙522zを被覆するように電子輸送層124が積層して形成されている。電子輸送層124については、表示パネル10の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層124は、基板100x側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層124Aと、電子輸送層124A上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層124Bとを含む(以後において、電子輸送層124A、124Bを総称する場合は「電子輸送層124」と表記する)。
(8)共通電極層125(対向電極層)
図7に示すように、電子輸送層124上に、共通電極層125が形成されている。共通電極層125は、各発光層123に共通の電極となっている。共通電極層125は、基板100x側から順に金属酸化物からなる共通電極層125Aと、共通電極層125A上に積層された金属を主成分とする共通電極層125Bとを含む(以後において、共通電極層125A、125Bを総称する場合は「共通電極層125」と表記する)。
他方、共通電極層125Bは、図7に示すように、主として共通電極層125Aの上面にのみ形成される。
共通電極層125を被覆するように、封止層126が積層形成されている。封止層126は、発光層123が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層126は、共通電極層125の上面を覆うように設けられている。
(10)接合層127
封止層126のZ軸方向上方には、上部基板130のZ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層128が形成されたカラーフィルタ基板131が配されており、接合層127により接合されている。接合層127は、基板100xから封止層126までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板131とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
(1)上部基板130
接合層127の上に、上部基板130にカラーフィルタ層128が形成されたカラーフィルタ基板131が設置・接合されている。上部基板130には、表示パネル10がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板130により、表示パネル10、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
上部基板130には画素の各色自己発光領域100aに対応する位置にカラーフィルタ層128が形成されている。カラーフィルタ層128は、R、G、Bに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙522zR内の自己発光領域100aR、緑色間隙522zG内の自己発光領域100aG、青色間隙522zB内の自己発光領域100aBの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層128R、128G、128Bが各々形成されている。
上部基板130には、各画素の発光領域100a間の境界に対応する位置に遮光層129が形成されている。遮光層129は、R、G、Bに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
図4、図7に示す各部の構成材料について、一例を示す。
(1)基板100x(TFT基板)
基材100pとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
基板100xの上面に位置する平坦化層118の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
画素電極119は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル10の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極119の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル10では、画素電極119は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀(Ag)又はアルミニウム(Al)を含む金属材料から構成することができる。例えば、アルミニウム(Al)合金では、反射率が80〜95%と高く、電気抵抗率が、2.82×10-8(10 nΩm)小さく、画素電極119の材料として好適である。
ダミー電極119Eは、画素電極119と同じ材料から構成されている。
ホール注入層120Aは、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物からなる層である。ホール注入層120Aを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
(4)バンク122
バンク122は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク122の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク122は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
さらに、バンク122は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
(5)ホール輸送層121
ホール輸送層121は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、TFB(poly(9、9−di−n−octylfluorene−alt−(1、4−phenylene−((4−sec−butylphenyl)imino)−1、4−phenylene))などを用いることができる。
発光層123は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層123の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報(日本国・特開平5−163488号公報)に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
電子輸送層124には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層124Aは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層124Bに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
(8)共通電極層125
共通電極層125Aは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ(ITO)若しくは酸化インジウム亜鉛(IZO)などを用い形成される。
(9)封止層126
封止層126は、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
(10)接合層127
接合層127の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層127は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
上部基板130としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
(12)カラーフィルタ層128
カラーフィルタ層128としては、公知の樹脂材料(例えば市販製品として、JSR株式会社製カラーレジスト)等を採用することができる。
遮光層129としては、紫外線硬化樹脂(例えば紫外線硬化アクリル樹脂)材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
表示パネル10の製造方法について、図8〜13を用いて説明する。図8〜図13における各図は、表示パネル10の製造における各工程での状態を示す図4におけるA1−A1と同じ位置で切断した模式断面図である。
(1)基板100xの準備
複数のTFTや配線が形成された基板100xを準備する。基板100xは、公知のTFTの製造方法により製造することができる(図8(a))。
基板100xを被覆するように、上述の平坦化層118の構成材料(感光性の樹脂材料)をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層118を形成する(図8(b))。
(3)、画素電極119及びダミー電極119E、ホール注入層120Aの形成
スパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
次に、平坦化層118の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極119を形成するための第2金属層119Xを気相成長法により平坦化層118の表面に製膜する(図8(c))。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層FRを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクPMを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する(図8(d))。次に、フォトレジスト層FRを現像によってパターニングする。
最後に、フォトレジスト層FRを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極119及びホール注入層120Aの積層体を形成する(図9(a))。
基板100xの領域10eにおける画素電極119の形成と、領域10neにおけるダミー電極119Eの形成とは、同様の方法により同時に行う。
ホール注入層120のホール注入層120Aを形成した後、ホール注入層120Aを覆うようにバンク122を形成する。バンク122の形成では、先ず行バンク122Xを形成し、その後、間隙522zを形成するように列バンク522Yを形成する(図9(b))。
行バンク122Xのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程(約230℃、約60分)をすることによりなされる。
ここで、ホール注入層120Aは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属(例えば、タングステン)からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク122X、列バンク522Yに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層120Aとして完成する。
ここでも、基板100x上の領域10neにおいて、基板100xの列方向の外縁付近には、行方向に隣接する2つの列バンク522Yの間隙に、図6に示す形状の赤先端領域522zRtp、緑先端領域522zGtp、青先端領域522zBtpが開設されるように複数の列バンク522Yを形成する。このとき、先端領域522zRtp、緑先端領域522zGtp、青先端領域522zBtpの底には、先に形成された、ダミー電極119REtp、ダミー電極119REtp、ダミー電極119REtpがそれぞれ敷設された構成となる。
行バンク122X上を含む列バンク522Yにより規定される間隙522z内に形成されたホール注入層120のホール注入層120A上に対して、ホール注入層120のホール注入層120B、ホール輸送層121、発光層123を順に積層形成する(図9(c))。
また、基板100x上の領域10neにおいて、基板100xの列方向の外縁付近には、行方向に隣接する2つの列バンク522Yの間隙に形成された赤先端領域522zRtp、緑先端領域522zGtp、青先端領域522zBtpに、R、G、Bいずれかの有機発光層の材料を含むインク123RI、123GI、123BIをそれぞれ充填する。これにより、赤先端領域522zRtp内のダミー電極119REtp上に発光層123REtpを積層形成し、緑先端領域522zGtp内のダミー電極119GEtp上に発光層123GEtpを積層形成し、青先端領域522zBtp内のダミー電極119BEtp上に発光層123BEtpを積層形成する。
インクジェット法を用いて、発光層123のインクを間隙522z内に塗布する方法の詳細について説明する。図11は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、隣接する列バンク522Y間の堀状の間隙522zに一様に発光層形成用のインクを塗布する工程を示す模式平面図である。
RGB3色の発光層123を形成する場合に、例えば、ノズルから吐出するインクの量を第1の条件に設定して基板上の複数の第1色目の間隙にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第2の条件に設定してその基板上の複数の第2色目の間隙にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第3の条件に設定してその基板上の複数の第3色目の間隙にインクを塗布する方法で、3色全部の間隙にインクを順次塗布する。
なお、ホール注入層120のホール注入層120B、ホール輸送層121、発光層123の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
発光層123を形成した後、表示パネル10の発光エリア(表示領域)全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層124を形成する(図10(b))。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層123に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層124Aは、発光層123の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、1nm以上10nm以下の膜厚で成膜する。電子輸送層124Aの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層124Bを、例えば10nm以上50nm以下の膜厚で成膜する。なお、電子輸送層124A、124Bの膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
電子輸送層124を形成した後、電子輸送層124を被覆するように、共通電極層125を形成する。共通電極層125は、基板100x側から順に金属酸化物からなる共通電極層125Aと、共通電極層125A上に積層された金属を主成分とする共通電極層125Bとを含む。
次に、共通電極層125Bは、共通電極層125A上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する(図10(c))。本例では、共通電極層125Bを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。
共通電極層125を形成した後、共通電極層125を被覆するように、封止層126を形成する(図10(d))。封止層126は、CVD法、スパッタリング法などを用い形成できる。
(9)カラーフィルタ基板131の形成
次に、カラーフィルタ基板131の製造工程を例示する。
塗布した遮光層129の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクPMを重ね、その上から紫外線照射を行う(図12(b))。
次に、遮光層129を形成した上部基板130表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層128(例えば、G)の材料128Gを塗布し(図12(d))、所定のパターンマスクPMを載置し、紫外線照射を行う(図12(e))。
この図12(d)、(e)、(f)の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層128(R)、128(B)を形成する(図12(g))。なお、ペースト128Rを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。以上でカラーフィルタ基板131が形成される。
次に、基板100xから封止層126までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層127の材料を塗布する(図13(a))。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板131との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル10が完成する(図13(b))。
以下、表示パネル10における、領域10eの列方向端部付近での有機発光層123の膜厚変動について説明する。
6.1 試験方法
発明者は、表示パネル10の実施例及び比較例における領域10e内の発光層123の膜厚の分布を測定した。実施例は、図6に示したものと同じ仕様である。図14は、表示パネルの比較例の態様を示す模式平面図である。比較例では、基板100x上の領域10neに存在する間隙522zの列方向端522zendの列方向における位置が、間隙522zに配される発光層123の発光色にかかわらず等価とした仕様である。実施例と比較例の基板を用いて、インクヘッドIのノズル列をY方向に平行にした状態でインクヘッドIを基板100xに対し相対的にX方向に移動させて発光層123を形成して表示パネルを完成した。
図16(a)は、表示パネル10の実施例における領域10eの列バンク端部付近の有機発光層123R、123G、123Bの膜厚の測定結果であり、(b)は比較例における同様の測定結果である。領域10eの列バンク端部付近の有機発光層123R、123G、123Bの膜厚と、間隙522z内における有機発光層123R、123G、123Bの領域10e内の平均膜厚との差を求め、規格化して示したものである。図17(a)は、表示パネル10の実施例における領域10eの列バンク端部付近の有機発光層123R、123G、123Bの膜厚差であり、(b)は比較例における同様の膜厚差である。領域10eの列バンク端部付近の有機発光層123R、123G、123間の膜厚差と、間隙522z内における有機発光層123R、123G、123Bの領域10e内の平均膜厚間の差との差を求め、規格化して示したものである。
6.2 膜厚測定結果について
表示パネル10から得られた発光層123の膜厚測定結果について考察する。
図16(b)に示すように、比較例において、領域10eの列方向端部付近の発光層の膜厚の領域10eにおける平均膜厚との差は、領域10eの列方向端付近である1画素から3画素の範囲においては、RGB各色とも増加している。その理由は、間隙端部の方が、間隙中央部よりも、乾燥時間が短く固形分が短時間で堆積して有機発光材料からなる層が形成されることに基づくと考えられる。
図16(a)に示すように、発光層の平均膜厚との差は、領域10eの列方向端付近である1画素から3画素の範囲においては、発光層123Rの膜厚差は約3.5%〜約5.3%、発光層123Gの膜厚差は約0.6%〜約3%、発光層123Bの膜厚差は約1.3%〜約2.6%となり、比較例の結果と比較すると、発光層123R、発光層123Gにおいて発光層の平均膜厚からの増加量が減少していることがわかる。すなわち、図16(a)では、比較例において見られた、領域10eの列方向端付近である1画素から3画素の範囲における発光層123R、及び発光層123Gの膜厚が、発光層123Bの膜厚よりもより顕著に増加するという傾向は見られない。
7.小 括
以上、説明したように、実施の形態に係る表示パネル10は、基板100x上に行列状に配された複数の個別電極119、119Eと、少なくとも個別電極119、119Eの行方向外縁間に位置する基板100x上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンク522Yと、行方向に隣接する列バンク522Y間の間隙522zから選択される第1間隙522zRに、列方向に連続して配された第1の有機発光層123Rと、行方向に隣接する列バンク522Y間の間隙522zから選択され第1間隙522zRと列バンク522Yを挟んで行方向に隣接する第2間隙522zG、522zBに、列方向に連続して配された第2の有機発光層123G、123Bと、有機発光層123上方に形成された対向電極層125とを備え、個別電極119、119Eは、基板100xの平面視において、基板100x内方に位置する表示用領域10eに配された複数の画素電極119と、表示用領域10eの外周を取り囲む周辺領域10neに配された複数のダミー電極119Eからなり、第1の有機発光層123Rの表示用領域10eにおける平均膜厚は、第2の有機発光層123G、123Bの表示用領域10e表示用領域における平均膜厚よりも厚く、基板100xの平面視において、第1間隙522zRの列方向端522zRendから基板内方へ所定長さLpl離れ、周辺領域10ne内に存する基準位置Yrfまでの第1間隙先端領域522zRtpに形成される第1の有機発光層123Rtpの体積が、第2間隙522zG、522zBの列方向端部522zGend、522zBendから基準位置Yrfまでの第2間隙先端領域522zGtp、522zBtpに形成される第2の有機発光層123Gtp、123Btpの体積よりも大きいことを特徴とする。
また、別の態様では、第1の有機発光層123Rが発する光の波長は、第2の有機発光層123G、123Bが発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
また、別の態様では、基板100xの平面視において、第1間隙先端領域522zRtpに形成される第1の有機発光層123Rtpの体積の第1の有機発光層123Rの表示用領域10eにおける平均膜厚に対する比率(表示用領域の平均膜厚で規格化した先端領域の有機発光層の体積の値(体積/平均膜厚))は、第2間隙先端領域522zGtp、522zBtpに形成される第2の有機発光層123Gtp、123Btpの体積の第2の有機発光層123G、123Bの表示用領域10eにおける平均膜厚に対する比率よりも大きい構成としてもよい。このとき、第2の有機発光層123Gが発する光の波長は、第3の有機発光層123Bが発する光の波長よりも長い構成としてもよい。
8.変形例
実施の形態に係る表示パネル10を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル10の変形例を説明する。
変形例1に係る表示パネル10Aについて説明する。図18は、変形例1に係る表示パネル10Aにおける、図3におけるX1部と同じ部分を示した拡大平面図である。変形例1に係る表示パネル10Aは、基板100xの平面視において、少なくとも第1間隙先端領域522zRtp及び第2間隙先端領域522zGtpが行方向に屈曲している構成を採る。そして、第1間隙先端領域522zRtpにはダミー電極119REtp1、119REtp2(屈曲部分)、また、第2間隙先端領域522zGtpにはダミー電極119REtp1、119REtp2(屈曲部分)がそれぞれ敷設されている。これらの点で実施の形態に係る表示パネル10と相違し、それ以外の構成で表示パネル10と共通する。係る表示パネル10Aでは、表示パネル10に比べて基板100xにおける列方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースの中で、領域10eにおける間隙522zの列方向端部と、間隙522zの列方向端522zendとの距離を、間隙522zR>間隙522zG>間隙522zBにすることができる。その結果、表示パネル10Aでは、領域10neが狭い場合でも、R>G>Bの大きさの順に、領域10eの列方向端部にある発光層123の部分における間隙522zの列方向端522zendの膜厚増加の影響を小さくすることができ、実施の形態に係る表示パネル10と同様の効果が得られる。
変形例2に係る表示パネル10Bについて説明する。図19は、変形例2に係る表示パネル10Bにおける、図3におけるX1部と同じ部分を示した拡大平面図であり、図20は、表示パネル10Bを図19におけるA2−A2で切断した模式断面図である。変形例2に係る表示パネル10Bは、基板100xの平面視において、基板100x上の領域10neに存在する間隙522zの列方向端522zendの列方向における位置が、間隙522zに配される発光層123の発光色にかかわらず等価である点で実施の形態に係る表示パネル10と相違する。加えて、第1間隙先端領域522zRtp上であって列バンク522Yに挟まれた部分の容積が、第2間隙先端領域522zGtp上であって列バンク522Yに挟まれた部分の容積よりも大きい構成を採る点でも実施の形態に係る表示パネル10と相違する。さらに、第2間隙先端領域522zGtp上であって列バンク522Yに挟まれた部分の容積が、第3間隙先端領域522zBtp上であって列バンク522Yに挟まれた部分の容積よりも大きい構成としてもよい。表示パネル10Bは、それ以外の構成で表示パネル10と共通する。
係る構成により、表示パネル10Bでは、間隙先端領域522ztp上であって列バンク522Yに挟まれた部分の容積を、第1間隙先端領域522zRtp>第2間隙先端領域522zGtp>第3間隙先端領域522zBtpに構成することができる。そのため、発光層123の形成工程において、第1間隙先端領域522zRtp、第2間隙先端領域522zGtp、第3間隙先端領域522zBtp上にそれぞれ貯留されるR、G、Bの有機発光材料を含むインク123RI、123GI、123BIの体積を大きくできる。
変形例3に係る表示パネル10Cについて説明する。図21は、変形例3に係る表示パネル10Cにおける、図3におけるX1部と同じ部分を示した拡大平面図であり、図22は、表示パネル10Cを図21におけるA3−A3で切断した模式断面図である。表示パネル10Cは、基板100xの平面視において、基板100x上の領域10neに存在する間隙522zの列方向端522zendの列方向における位置が、間隙522zに配される発光層123の発光色にかかわらず等価である構成で実施の形態に係る表示パネル10と相違する。加えて、第1間隙先端領域522zRtp及び第2間隙先端領域522zGtpのうち、少なくとも第2間隙先端領域522zGtpには、ダミー電極がなく基板100x上面の平坦化層118の上面に発光層123が存在している発光層存在領域が存在し、基板100xの平面視において、第2間隙先端領域522zGtpにおける発光層存在領域の総面積は、発光層存在領域がない第1間隙先端領域522zRtpよりも大きい構成を採る点で実施の形態に係る表示パネル10と相違する。さらに、少なくとも第3間隙先端領域522zBtpには、ダミー電極がなく基板100x上面の平坦化層118の上面に発光層123が存在している発光層存在領域が存在し、基板100xの平面視において、第3間隙先端領域522zBtpにおける発光層存在領域の総面積は、第1間隙先端領域522zGtpにおける発光層存在領域の総面積よりも大きい構成としてもよい。表示パネル10Cは、それ以外の構成で表示パネル10と共通する。
変形例4に係る表示パネル10Dについて説明する。図23は、変形例4に係る表示パネル10Dにおける、図3におけるX1部と同じ部分を示した拡大平面図である。表示パネル10Dは、基板100xの平面視において、基板100x上の領域10neに存在する間隙522zの列方向端522zendの列方向における位置が、間隙522zに配される発光層123の発光色にかかわらず等価である構成で実施の形態に係る表示パネル10と相違する。加えて、少なくともダミー電極119Eの列方向外縁間に位置する基板100x上方に複数の行バンク122xが並設されており、第2間隙先端領域522zGtpにおける行バンク122xの総数は、第1間隙先端領域522zRtpにおける行バンク122xの総数よりも多い構成を採る点で実施の形態に係る表示パネル10と相違する。さらに、少なくとも第3間隙先端領域522zBtpにおける行バンク122xの総数は、第2間隙先端領域522zGtpにおける行バンク122xの総数よりも多い構成としてもよい。表示パネル10Dは、それ以外の構成で表示パネル10と共通する。
これにより、表示パネル10Bでは、間隙先端領域522ztp上に塗布されるインクの量の多さを、第1間隙先端領域522zRtp>第2間隙先端領域522zGtp>第3間隙先端領域522zBtpにすることができる。そのため、発光層123の形成工程において、第1間隙先端領域522zRtp、第2間隙先端領域522zGtp、第3間隙先端領域522zBtp上にそれぞれ貯留されるR、G、Bの有機発光材料を含むインク123RI、123GI、123BIの体積を、R、G、Bの順に大きくできる。
(5) その他の変形例
実施の形態に係る表示パネル10では、行方向に隣接する列バンク522Y間の間隙522zに配された副画素100seの発光層123が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク122X間の間隙に配された副画素100seの発光層123が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素100seの発光層123が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素100seの発光層123が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素100eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を1ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上(あるいは千鳥状)に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のEL表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
10 有機EL表示パネル
10e 表示素子配列領域(表示用領域)
10ne 非発光領域(周辺領域)
100 有機EL素子
100e 単位画素
100se 副画素
100a 自己発光領域
100b 非自己発光領域
100x 基板(TFT基板)
118 層間絶縁層
119(119R、119G、119B) 画素電極
119E(119RE、119GE、119BE) ダミー電極
119Etp(119REtp、119GEtp、119BEtp)ダミー電極(先端部)
120、120A、120B ホール注入層
121 ホール輸送層
122 バンク
122X 行バンク(行絶縁層)
522Y 列バンク(列絶縁層)
522z(522zR、522zG、522zB) 間隙
522zend(522zRend、522zGend、522zBend)列方向端
522ztp(522zRtp、522zGtp、522zBtp)間隙先端領域
522zRtpv、522zGtpv 凹陥部
522zBtpw、522zGtpw 発光層存在領域
123(123R、123G、123B) 発光層
123tp(123Rtp、123Gtp、123Btp) 発光層(先端部)
124、124A、124B 電子輸送層
125、125A、125B 共通電極層(対向電極層)
126 封止層
127 接合層
128 カラーフィルタ層
130 上部基板
131 カラーフィルタ基板
Claims (24)
- 基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第1の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第2の有機発光層と、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層の上方に形成された対向電極層と、を備え、
前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、
前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きく、
前記基板の平面視において、前記第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積の前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率は、
前記第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積の前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率よりも大きく、
前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚い
有機EL表示パネル。 - 前記第1の有機発光層が発する光の波長は、前記第2の有機発光層が発する光の波長よりも長い
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1間隙先端領域の列方向の長さが、前記第2間隙先端領域の列方向の長さよりも長い
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第1の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第2の有機発光層と、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層の上方に形成された対向電極層と、を備え、
前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、
前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きく、
前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、
前記基板の平面視において、前記第1間隙先端領域及び前記第2間隙先端領域のうち、少なくとも前記第1間隙先端領域が行方向に屈曲している
有機EL表示パネル。 - 基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に行列状に配された複数の個別電極と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に並設された複数の列バンクと、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第1の有機発光層と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第2の有機発光層と、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層の上方に形成された対向電極層と、を備え、
前記個別電極は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に配された複数の画素電極と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に配された複数のダミー電極からなり、
前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きく、
前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、
前記基板上面における前記第1間隙先端領域及び前記第2間隙先端領域に対応する部分のうち、少なくとも前記第1間隙先端領域に対応する部分が凹陥している
有機EL表示パネル。 - 前記第1間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積が、前記第2間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積よりも大きい
請求項5に記載の有機EL表示パネル。 - 少なくとも前記第2間隙先端領域及び前記第1間隙先端領域の何れか一方には、前記個別電極と共通する層構造を有する前記ダミー電極がなく前記第2間隙先端領域における前記基板上面に前記第2の有機発光層、又は、前記第1間隙先端領域における前記基板上面に前記第1の有機発光層が存在している発光層存在領域が存在し、
前記基板の平面視において、前記第2間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積は、前記第1間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積よりも大きい
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - さらに、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設されており、
前記第2間隙先端領域における前記行バンクの総数は、前記第1間隙先端領域における前記行バンクの総数よりも多い
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 列方向における同一位置にある前記第1の有機発光層、及び前記第2の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項1から8の何れか1項に記載の有機EL表示パネル。 - さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される前記第2間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第1間隙とは異なる第3間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して配された第3の有機発光層を備え、
前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第3の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、
前記基板の平面視において、前記第2間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積が、前記第3間隙の列方向端部から前記基準位置までの第3間隙先端領域に形成される前記第3の有機発光層の体積よりも大きい
請求項1から9の何れか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第2の有機発光層が発する光の波長は、前記第3の有機発光層が発する光の波長よりも長い
請求項10に記載の有機EL表示パネル。 - 列方向における同一位置にある前記第1の有機発光層、前記第2の有機発光層、及び前記第3の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項10又は11に記載の有機EL表示パネル。 - 基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルの製造方法であって、
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板上に行列状に複数の個別電極を形成する電極形成工程と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する列バンク形成工程と、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第1の有機発光材料を含む第1のインクを塗布し、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され、前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する前記第1間隙とは異なる第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第1の有機発光材料とは異なる第2の有機発光材料を含む第2のインクを塗布する塗布工程と、
前記第1のインク及び前記第2のインクを乾燥させて、第1の有機発光層及び第2の有機発光層をそれぞれ形成する発光層形成工程と、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層の上方に対向電極層を形成する工程とを含み、
前記電極形成工程は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に複数の画素電極を行列状に形成する工程と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に複数のダミー電極を行列状に形成する工程を含み、
前記発光層形成工程では、前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層は、前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きく形成され、
前記塗布工程では、列方向に沿ってライン状に配置された複数のノズル孔を行方向に前記基板に対し相対的に移動しながら、複数の前記ノズル孔から前記第1間隙内に前記第1のインク又は前記第2間隙に前記第2のインクを塗布することによって行い、
前記第1のインクの濃度は、前記第2のインクの濃度よりも高く、
前記発光層形成工程では、前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層は、前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く形成され、
前記基板の平面視において、前記第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積の前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率は、
前記第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積の前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚に対する比率よりも大きく形成される
有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記第1の有機発光材料が発光可能な光の波長は、前記第2の有機発光材料が発光可能な光の波長よりも長い
請求項13に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記列バンク形成工程では、前記第1間隙先端領域の列方向の長さが、前記第2間隙先端領域の列方向の長さよりも長くなるように前記複数の列バンクを形成する
請求項13に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルの製造方法であって、
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板上に行列状に複数の個別電極を形成する電極形成工程と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する列バンク形成工程と、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第1の有機発光材料を含む第1のインクを塗布し、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され、前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する前記第1間隙とは異なる第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第1の有機発光材料とは異なる第2の有機発光材料を含む第2のインクを塗布する塗布工程と、
前記第1のインク及び前記第2のインクを乾燥させて、第1の有機発光層及び第2の有機発光層をそれぞれ形成する発光層形成工程と、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層の上方に対向電極層を形成する工程とを含み、
前記電極形成工程は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に複数の画素電極を行列状に形成する工程と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に複数のダミー電極を行列状に形成する工程を含み、
前記発光層形成工程では、前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層は、前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きく形成され、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層は、前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く形成され、
前記列バンク形成工程では、前記基板の平面視において、前記第1間隙先端領域及び前記第2間隙先端領域のうち、少なくとも前記第1間隙先端領域が行方向に屈曲するよう、前記複数の列バンクを形成する
有機EL表示パネルの製造方法。 - 基板上に複数の画素が行列状に配された有機EL表示パネルの製造方法であって、
前記基板を準備する準備工程と、
前記基板上に行列状に複数の個別電極を形成する電極形成工程と、
少なくとも前記個別電極の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する列バンク形成工程と、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される第1間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して第1の有機発光材料を含む第1のインクを塗布し、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択され、前記第1間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接する前記第1間隙とは異なる第2間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第1の有機発光材料とは異なる第2の有機発光材料を含む第2のインクを塗布する塗布工程と、
前記第1のインク及び前記第2のインクを乾燥させて、第1の有機発光層及び第2の有機発光層をそれぞれ形成する発光層形成工程と、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層の上方に対向電極層を形成する工程とを含み、
前記電極形成工程は、前記基板の平面視において、前記基板内方に位置する表示用領域に複数の画素電極を行列状に形成する工程と、前記表示用領域の外周を取り囲む周辺領域に複数のダミー電極を行列状に形成する工程を含み、
前記発光層形成工程では、前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層は、前記基板の平面視において、前記第1間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第1間隙先端領域に形成される前記第1の有機発光層の体積が、前記第2間隙の列方向端部から前記基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積よりも大きく形成され、
前記第1の有機発光層及び前記第2の有機発光層は、前記第1の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く形成され、
前記準備工程では、前記第1間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積が、前記第2間隙先端領域上であって列バンクに挟まれた部分の容積よりも大きくなるように、前記基板上面における前記第1間隙先端領域及び前記第2間隙先端領域に対応する部分のうち、少なくとも前記第1間隙先端領域に対応する部分が凹陥している基板を準備する
有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記電極形成工程では、少なくとも前記第2間隙先端領域及び前記第1間隙先端領域の何れか一方には、前記ダミー電極がなく前記第2間隙先端領域における前記基板上面に前記第2の有機発光層、又は、前記第1間隙先端領域における前記基板上面に前記第1の有機発光層が存在している発光層存在領域が存在し、前記基板の平面視において、前記第2間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積は、前記第1間隙先端領域における前記発光層存在領域の総面積よりも大きくなるよう前記ダミー電極を形成する
請求項13に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記電極形成工程の後に、少なくとも前記個別電極の列方向外縁間に位置する前記基板上方に複数の行バンクが並設する行バンク形成工程を有し、
前記行バンク形成工程では、前記第2間隙先端領域における形成される前記行バンクの総数が、前記第1間隙先端領域における形成される前記行バンクの総数よりも多い
請求項13に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 列方向における同一位置にある前記第1の有機発光層、及び前記第2の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項13から19の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記発光層形成工程では、さらに、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙から選択される前記第2間隙と列バンクを挟んで行方向に隣接し、前記第1間隙とは異なる第3間隙に、
前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して、第3の有機発光層を形成し、
前記第2の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚は、前記第3の有機発光層の前記表示用領域における平均膜厚よりも厚く、
前記基板の平面視において、前記第2間隙の列方向端から基板内方へ所定長さ離れ、前記周辺領域内に存する基準位置までの第2間隙先端領域に形成される前記第2の有機発光層の体積が、前記第3間隙の列方向端部から前記基準位置までの第3間隙先端領域に形成される有機発光層の体積よりも大きくなるよう前記第3の有機発光層を形成する
請求項13から19の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記塗布工程では、前記第3間隙に、前記列バンクの列方向端部の間にわたり列方向に連続して前記第1の有機発光材料及び前記第2の有機発光材料とは異なる第3の有機発光材料を含む第3のインクを塗布し、
前記発光層形成工程では、前記第3のインクを乾燥させて、前記第3の有機発光層をそれぞれ形成し、
前記塗布工程において、前記第2のインクの濃度は、前記第3のインクの濃度よりも高い
請求項21に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記第2の有機発光層が発する光の波長は、前記第3の有機発光層が発する光の波長よりも長い
請求項21又は22に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 列方向における同一位置にある前記第1の有機発光層、前記第2の有機発光層、及び前記第3の有機発光層は、同一の画素に含まれる
請求項21から23の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018030948A JP6976571B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-02-23 | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル |
US16/282,602 US10714549B2 (en) | 2018-02-23 | 2019-02-22 | Organic EL display panel manufacturing method and organic EL display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018030948A JP6976571B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-02-23 | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019145464A JP2019145464A (ja) | 2019-08-29 |
JP6976571B2 true JP6976571B2 (ja) | 2021-12-08 |
Family
ID=67686117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018030948A Active JP6976571B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-02-23 | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10714549B2 (ja) |
JP (1) | JP6976571B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6685675B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2020-04-22 | 株式会社Joled | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
JP6976571B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2021-12-08 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル |
KR102769361B1 (ko) * | 2019-04-01 | 2025-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20210073199A (ko) * | 2019-12-10 | 2021-06-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR20210086042A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111180490B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-12-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏及电子装置 |
KR20210107215A (ko) * | 2020-02-21 | 2021-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 영상신호 처리방법 |
KR20220023918A (ko) * | 2020-08-21 | 2022-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR20220090667A (ko) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 |
CN113054124A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件、显示装置、制作方法以及存储介质 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443922A (en) * | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3059678B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2000-07-04 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び製造装置 |
JP4042763B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2007234232A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
US8722437B2 (en) * | 2007-11-01 | 2014-05-13 | Mogul Solutions Llc | Method of component assembly on a substrate |
JP2010277944A (ja) | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Panasonic Corp | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP4775493B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-21 | 住友化学株式会社 | 発光装置 |
KR101883128B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-07-27 | 카티바, 인크. | Oled 마이크로 공동 및 버퍼 층을 위한 물질과 그 생산 방법 |
CN104094670B (zh) * | 2012-02-10 | 2016-12-21 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el面板及其制造方法 |
KR102072077B1 (ko) * | 2013-04-15 | 2020-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6358510B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2018-07-18 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ装置、及びそれを用いた表示装置 |
KR102280423B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-07-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
JP6685675B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2020-04-22 | 株式会社Joled | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
JP6741431B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-08-19 | 株式会社Joled | 表示パネル及びその製造方法 |
CN109156065B (zh) * | 2016-05-18 | 2020-12-11 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板及其制造方法 |
WO2017204150A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 |
JP6688701B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2020-04-28 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
US10468623B2 (en) * | 2017-02-16 | 2019-11-05 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel |
JP2018206710A (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-27 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 |
JP2019008962A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 |
JP6976571B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2021-12-08 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法、及び有機el表示パネル |
KR20190114064A (ko) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
JP6807350B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2021-01-06 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、有機el表示パネルの製造方法 |
-
2018
- 2018-02-23 JP JP2018030948A patent/JP6976571B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-22 US US16/282,602 patent/US10714549B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019145464A (ja) | 2019-08-29 |
US20190267438A1 (en) | 2019-08-29 |
US10714549B2 (en) | 2020-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210210 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210210 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210218 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210302 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210312 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210316 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210413 |
|
C30 | Protocol of an oral hearing |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C30 Effective date: 20210517 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20210525 |
|
C302 | Record of communication |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C302 Effective date: 20210614 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210715 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20210824 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
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|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20211005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211102 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6976571 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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