KR20110129428A - 기판 및 유기 ｅｌ 발광 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 높은 광 취출 효율을 실현할 수 있는 기판을 제공하고, 상기 기판을 사용함으로써 높은 발광 효율의 유기 EL 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 투명 기판 (10) 및 집광 구조체층 (30)을 갖는 기판 (1)이며, 상기 집광 구조체층 (30)은 복수개의 추 형상 또는 반구상의 구조체 (25)를 함유하고, 상기 복수개의 추 형상 또는 반구상 구조체 (25)의 저면은 동일한 평면 상에 있는 기판 (1)을 제공한다. 상기 구조체 (25)는, 원추, 사각추 또는 삼각추 형상의 구조체인 것이 바람직하다.

Description

기판 및 유기 ＥＬ 발광 장치{SUBSTRATE AND ORGANIC EL DEVICE}

본 발명은, 유기 전계 발광(유기 EL) 발광 장치 등에 사용되는 기판에 관한 것이다.

유기 전계 발광(유기 EL) 발광 장치는 시야각 의존성이 적다는 것, 소비 전력이 작다는 것, 매우 얇게 할 수 있다는 것 등의 우수한 특성을 갖고, 평면 표시 장치의 수요가 높아짐에 따라 새롭게 주목받고 있는 발광 장치이다. 이 유기 EL 발광 장치의 실용화를 위한 문제점 중 하나로서, 그 발광 수명이 짧다는 것이 문제가 되고 있다. 이 문제점을 해결하기 위해, 지금까지 유기 EL 발광 장치에 구비된 유기 EL 소자의 발광층 재료 등의 개량이 활발하게 진행되어 왔다.

한편, 발광 수명을 개량하기 위해서는, 상기 유기 EL 소자의 외부 에너지 효율을 개량하는 시도가 있다. 이 외부 에너지 효율은, 소자의 내부 에너지 효율과 광 취출 효율의 곱으로 나타낼 수 있다고 알려져 있다. 즉, 유기 EL 소자의 외부 에너지 효율을 향상시키기 위해서는, 내부 에너지 효율을 향상시킬 뿐만 아니라 광 취출 효율도 향상시키는 방법이 있다.

광 취출 효율이란, 유기 EL 소자의 발광층으로부터 출사한 광량에 대한 유기 EL 발광 장치의 정면으로부터 대기 중에 방출되는 광량의 비율을 말한다. 발광층으로부터 출사한 광이 대기 중에 방출되기 위해서는 몇 개의 굴절률이 상이한 매질의 계면을 통과할 필요가 있지만, 스넬의 굴절의 법칙(Snell's law)에 따르면, 각 계면에 그 임계각 이상의 각도로 입사한 광은, 계면에서 전반사되어 층 중을 도파하여 소실되거나 층 측면으로부터 방출되어, 그만큼 유기 EL 발광 장치 정면으로부터 방출되는 광량이 감소된다. 종래의 유기 EL 소자의 발광층의 광 취출 효율은 약 18 ％였으며, 발광층에서 발생한 광의 82 ％ 정도는 발광 장치 중에 봉쇄되어 소실되거나 발광 장치 측면으로부터 방출되게 된다.

그 때문에, 광 취출 효율을 향상시키는 것이 중요한 과제이며, 다양한 시도가 행해지고 있다. 예를 들면, 투명 기판으로서 한쪽 표면을 연마제로 문지름 등을 행하여 조면화한 유리 기판을 사용하여 발광을 산란시키는 기판(특허문헌 1: 일본 특허 공개 (소)61-156691호 공보), 발광층을 한 쌍의 투명 전극층 사이에 끼우고, 상기 투명 전극층의 발광층과의 계면 근방에 산란 영역을 설치한 기판(특허문헌 2: 일본 특허 공개 (평)09-129375호 공보)이 제안되어 있다.

그러나, 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 개시되어 있는 시도는 모두 유기 EL 소자 각 층의 막 두께를 혼란시켜, 절연 파괴 및 발광의 불균일성을 발생시키는 원인이 될 우려가 있으며, 유기 EL 발광 장치의 품질을 저하시키기 쉽다는 난점을 갖고 있었다. 또한, 그의 광 취출 효율도 충분하다고 할 수 있는 것이 아니었다.

본 발명의 목적은, 높은 광 취출 효율을 실현할 수 있는 기판을 제공하고, 상기 기판을 사용함으로써 높은 발광 효율의 유기 EL 발광 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명은 이하의 <1>을 제공한다.

<1> 투명 기판 및 집광 구조체층을 갖는 기판이며, 상기 집광 구조체는 복수개의 추 형상 또는 반구상의 구조체를 함유하고, 상기 복수개의 추 형상 또는 반구상 구조체의 저면은 동일한 평면 상에 있는 기판.

또한, 본 발명은 상기 <1>에 관한 구체적인 실시 양태로서 이하의 <2> 내지 <9>를 제공한다.

<2> 상기 <1>에 있어서, 상기 구조체가 원추, 사각추 또는 삼각추 형상의 구조체인 기판.

<3> 상기 <2>에 있어서, 상기 구조체 저면의 최장 직경 A와 상기 구조체의 높이 B로부터 구해지는 종횡비(B/A)가 0.2 내지 3.0인 기판.

<4> 상기 <2> 또는 <3>에 있어서, 상기 구조체의 저면 면적의 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 10 면적％ 내지 100 면적％인 기판.

<5> 상기 <2> 또는 <3>에 있어서, 상기 구조체의 저면 면적의 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 40 면적％ 내지 90 면적％인 기판.

<6> 상기 <1>에 있어서, 상기 구조체가 반구상의 구조체인 기판.

<7> 상기 <6>에 있어서, 상기 구조체의 저면 면적의 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 40 면적％ 이상인 기판.

<8> 상기 <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구조체가 파장 550 nm에서의 광선 투과도가 80 ％ 이상인 투명 수지를 포함하는 기판.

<9> 상기 <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구조체가 산화티탄 및 투명 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 기판.

또한, 본 발명은 상기 <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 기판과 유기 EL 소자를 갖는 유기 EL 발광 장치를 제공한다.

본 발명에 따르면, 유기 EL 소자의 외부 에너지 효율을 개량할 수 있는 높은 광 취출 효율을 실현할 수 있는 기판을 얻을 수 있다. 상기 기판은 높은 발광 효율의 유기 EL 발광 장치를 제공할 수 있기 때문에 산업상 매우 유용하다.

도 1은 추 형상 구조체의 형상을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 2는 사각추 형상 구조체가 집광 구조체 면적비 100 면적％가 될 때의 구조체의 배열을 도시한 상면 모식도(2-a), 및 원추 형상 구조체가 최밀(最密)하게 충전되었을 때의 구조체의 배열을 도시한 상면 모식도(2-b)이다.
도 3은 본 발명의 기판을 구비한 소자 구성과 본 발명의 기판을 구비하지 않는 소자 구성을 모식적으로 도시한 모식 단면도이다.
도 4는 본 발명의 기판을 구비한 소자 구성의 일례를 도시한 모식 단면도이다.
도 5는 반구상 구조체의 형상을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 6은 집광 구조체 면적비가 최대가 될 때의 반구상 구조체의 배열을 도시한 상면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 기판을 구비한 소자 구성과 본 발명의 기판을 구비하지 않는 소자 구성을 모식적으로 도시한 모식 단면도이다.
도 8은 본 발명의 기판을 구비한 소자 구성의 일례를 도시한 모식 단면도이다.

본 발명의 기판은 투명 기판 및 집광 구조체층을 갖는 기판이며, 상기 집광 구조체층은 복수개의 추 형상 또는 반구상의 구조체를 함유하고, 상기 구조체의 저면은 동일한 평면에 있는 기판이다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 필요에 따라 도면을 참작하지만, 동일한 요소에는 동일한 부호를 사용하는 것으로 하고, 중복된 설명은 생략한다. 또한, 도면에 기재된 치수 등은 보기 쉽게 하기 위해 임의로 한 것이다.

<투명 기판>

본 발명에 사용되는 투명 기판으로서는, 파장 550 nm의 광선 투과율이 80 ％ 이상인 것이 바람직하다. 이러한 투명 기판은, 유리, 투명 수지 또는 이들을 조합한 재료로 형성될 수 있다. 유기 EL 발광 장치용의 기판으로서, 적합한 플렉시블성을 얻을 수 있는 것이면 상기 투명 수지로서도 굴곡성이 우수한 것이 바람직하고,구체적으로는 환상 폴리올레핀, 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아미드이미드(PAI), 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카르보네이트(PC), 폴리술폰(PSF), 폴리메틸펜텐(PMP) 등의 투명 수지를 포함하는 투명 기판이 바람직하다.

본 발명에 사용되는 투명 기판의 두께는, 상술한 광선 투과율을 만족하도록 하여 결정된다. 상기 투명 기판이 바람직한 투명 수지를 포함하는 것인 경우, 그 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛가 바람직하고, 50 ㎛ 내지 150 ㎛가 보다 바람직하다.

이러한 투명 수지를 포함하는 투명 기판은, 예를 들면 상기 투명 수지를 압출 성형이나 용매 캐스팅법 등의 공지된 제막 방법에 의해 제막함으로써 얻을 수 있다.

본 발명에서 사용되는 투명 기판은 굴절률이 1.1 이상인 것이 바람직하고, 1.4 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 굴절률은 통상 2.0 미만이다.

<집광 구조체>

상기 집광 구조체층은, 복수개의 추 형상 또는 반구상의 구조체(집광 구조체라고 하는 경우가 있음)를 함유한다. 상기 구조체를 형성하는 재료로서는 굴절률이 1.7 이상인 것이 바람직하다. 상기 굴절률은 보다 바람직하게는 1.8 이상이고, 특히 바람직하게는 2.0 이상이다. 상기 굴절률의 상한으로서 바람직하게는 2.2이다. 이러한 재료는, 적당한 수지를 결합제(이하, "결합제 수지"라고 함)로서 사용하고, 상기 결합제 수지에 고굴절률 무기 재료를 분산시킨 것이 바람직하다. 여기서 말하는 고굴절 무기 재료로서는, 예를 들면 산화아연, 황화아연, 연백, 텔루르화아연, 아연황, 티탄산연, 연단, 크롬녹, 산화크롬, 산화지르코니아, 산화카드뮴, 황화카드뮴, 산화제2철, 삼산화제2철, 산화티탄, 티탄산바륨, 황화바륨, 티탄산스트론튬, 황화스트론튬, 황화수은, 게르마늄, 염화탈륨, 브롬화탈륨, 셀렌화비소 등의 고굴절률 무기 재료의 입자(이하, "고굴절률 무기 입자"라고 함)가 사용 가능하다. 이들 중에서도, 바람직하게는 산화티탄[루틸형 산화티탄(굴절률: 2.7), 아나타제형 산화티탄(굴절률: 2.5)] 또는 산화지르코늄(굴절률: 2.4)을 포함하는 고굴절률 무기 입자가 바람직하다. 또한, 상기 집광 구조체의 투명성을 높이기 위해서는 상기 고굴절률 무기 입자의 평균 입경이 200 nm 이하인 것이 바람직하고, 100 nm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50 nm 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 고굴절률 무기 입자의 평균 입경이 200 nm를 초과하면, 상기 집광 구조체의 투명성이 저하되기 쉬워지는 경향이 있다. 상기에 예시한 고굴절률 무기 입자 중에서도, 평균 입경 50 nm 이하의 산화티탄이 보다 투명성이 우수한 집광 구조체를 형성할 수 있으며, 굴절률이 높기 때문에 특히 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 평균 입경이란, 동적 광산란법을 이용하여 상기 고굴절률 무기 입자의 균일 분산 용액을 측정했을 때의 부피 평균 입경을 말한다.

상기 결합제 수지로서는, 투명성을 갖는 수지(투명 수지)인 것이 특히 바람직하다. 이러한 투명 수지로서는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 시아노아크릴레이트계 수지, 에폭시계 아크릴레이트 수지, 폴리에스테르계 아크릴레이트 수지, 폴리우레탄계 아크릴레이트 수지, 다가 알코올계 아크릴레이트 수지, 폴리티올폴리엔 수지 등의 경화성 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리카르보네이트계 수지 등의 열가소성 수지를 들 수 있다. 또한, 상기 결합제 수지로서는 상기 결합제 수지만으로 상기 집광 구조체를 형성시켰을 때, 이 집광 구조체의 가시광(파장 550 nm)의 광선 투과도가 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.

상기 결합제 수지로서 바람직한 것으로서는, 상기 집광 구조체를 복수개 형성하여 집광 구조체층을 제조하는 것이 용이하다는 점에서, 광 조사, 전자선 조사, 가열, 건조, 가압 등의 조작에 의해 경화할 수 있는 수지가 바람직하다. 바꾸어 말하면, 경화성 수지를 결합제 수지로서 사용하는 것이 바람직하고, 상기 경화성 수지로서는 열 경화성 수지, 광 경화성 수지 또는 수분 경화성 수지가 바람직하다.

상기 결합제 수지에는, 필요에 따라 계면활성제, 밀착 증강제, 가교제, 증감제, 감광제를 첨가하는 것도 가능하다.

집광 구조체를 형성하기 위해서는, 상기 결합제 수지 및 상기 고굴절률 무기 입자를 포함하는 수지 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. 이 수지 조성물에는, 상기 집광 구조체를 형성하기 쉽게 하기 위해 적당한 유기 용제나 증점제를 함유시킬 수도 있다. 이 수지 조성물에 함유되는 고굴절률 무기 입자와 결합제 수지의 부피비는, 고굴절률 무기 입자/결합제 수지로 나타내어 20/80 내지 60/40의 범위가 바람직하다. 고굴절률 무기 입자의 부피 분율이 20 부피％ 미만이면 집광 구조체의 굴절률을 높이기 어렵고, 60 부피％를 초과하면 집광 구조체 중에서의 고굴절률 무기 입자의 분산성이 저하되어, 결과로서 투명성이 저하되기 쉬운 경향이 있다. 또한, 상기 고굴절률 무기 입자의 상기 결합제 수지에 대한 분산성을 향상시키기 위해서는, 상기 수지 조성물을 제조할 때 고압 분산법, 제트밀법, 비드밀법 등의 방법을 이용할 수도 있다. 또한, 여기서 말하는 부피비는, 상기 결합제 수지로서 경화성 수지를 사용한 경우에는 상기 경화성 수지의 경화 후의 부피로 산출되는 것이다.

상기 집광 구조체의 형상은 추 형상이거나 반구상이다. 상기 추 형상으로서 보다 바람직하게는 원추, 사각추 또는 삼각추이고, 특히 바람직하게는 사각추 또는 삼각추이다. 집광 구조체는 동일한 평면 상에 배치되어 있으며, 상기 동일한 평면 상에 있는 집광 구조체의 면을 "집광 구조체의 저면"이라고 한다. 원추의 집광 구조체의 저면은 원형이고, 사각추의 집광 구조체의 저면은 사각형이고, 삼각추의 집광 구조체의 저면은 삼각형이다. 상기 집광 구조체층이 함유하는 복수개의 집광 구조체는 원추인 것, 사각추인 것, 삼각추인 것이 조합되어 있을 수도 있지만, 원추의 집광 구조체만, 삼각추의 집광 구조체만 또는 사각추의 집광 구조체만을 함유하는 집광 구조체층인 것이 바람직하다.

도 1은 추 형상의 집광 구조체의 형상을 모식적으로 나타내는 도면이며, 도 1 (1-a)는 원추의 집광 구조체의 형상을, 도 1 (1-b)는 사각추의 집광 구조체의 형상을, 도 1 (1-c)는 삼각추의 집광 구조체의 형상을 각각 모식적으로 나타내고 있다.

추 형상의 집광 구조체는 그 저면의 최장 직경 A와 그 높이 B로부터 구해지는 종횡비(B/A)가 0.2 내지 3.0인 것이 바람직하고, 0.3 내지 2.0인 것이 더욱 바람직하다. 종횡비가 이 범위이면, 후술하는 형성 방법에 의해 집광 구조체를 형성하기 쉽다는 점과 보다 광 취출 효율이 양호해진다는 점에서 우수하다. 여기서, 다시 도 1을 참조하여 이 종횡비를 설명한다. 도 1 (1-a)에 도시한 바와 같이, 원추의 집광 구조체에서는 그 저면의 원에 있어서 중심점을 통하는 복수의 선을 그었을 때, 상기 복수의 선 중에서 가장 긴 것이 최장 직경 A가 된다. 도 1 (1-b)에 도시한 바와 같이, 사각추의 집광 구조체에서는 그 저면의 사각형에 있어서 2개의 대각선 중 긴 쪽이 최장 직경 A가 된다. 또한, 도 1 (1-c)에 도시한 바와 같이, 삼각추의 집광 구조체에서는 그 저면의 삼각형에 있어서 상기 삼각형을 구성하는 변 중 가장 긴 것이 최장 직경 A가 된다. 또한, 집광 구조체의 저면으로부터 집광 구조체의 가장 높은 부위까지의 거리가 집광 구조체의 높이 B이다. 상기 종횡비(B/A)는, 상기 높이 B를 상기 최장 직경 A로 나눈 값이다. 또한, 추 형상의 집광 구조체로서는 이 최장 직경 A가 2 ㎛ 내지 130 ㎛인 것이 바람직하고, 6 ㎛ 내지 24 ㎛인 것이 보다 바람직하다.

반구상의 집광 구조체는 볼록 렌즈 형상의 마이크로 렌즈이며, 그 저면의 최장 직경 A와 그 높이 B로부터 구해지는 종횡비(B/A)가 0.2 내지 1.5인 것이 바람직하고, 0.2 내지 0.8인 것이 더욱 바람직하다. 종횡비가 이 범위인 반구상의 집광 구조체는, 광 취출 효율이 높다는 점에서 유리하다. 여기서, 도 5를 참조하여 이 종횡비를 설명한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 반구상의 집광 구조체에서는 그 저면의 원에 있어서 중심점을 통하는 복수의 선을 그었을 때, 상기 복수의 선 중에서 가장 긴 것이 최장 직경 A가 된다. 또한, 집광 구조체의 저면으로부터 집광 구조체의 가장 높은 부위까지의 거리가 집광 구조체의 높이 B이다. 상기 종횡비(B/A)는, 상기 높이 B를 상기 최장 직경 A로 나눈 값이다. 또한, 반구상의 집광 구조체로서는 이 최장 직경 A가 2 ㎛ 내지 130 ㎛인 것이 바람직하고, 6 ㎛ 내지 24 ㎛인 것이 더욱 바람직하다.

<집광 구조체층>

본 발명에서의 집광 구조체층은 복수개의 집광 구조체를 함유한다. 상기 복수개의 집광 구조체의 저면은 동일한 평면 상에 있다.

상기 집광 구조체층은, 상기 복수개의 집광 구조체 사이를 매립하는 충전 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 충전 수지로서는, 상기 집광 구조체보다 낮은 굴절률을 갖는 투명 수지가 바람직하다. 상기 투명 수지로서는, 상기 결합제 수지로서 예시한 투명 수지와 동일한 것이 예시된다. 또한, 상기 충전 수지에는, 필요에 따라 계면활성제, 밀착 증강제, 가교제, 증감제, 감광제를 함유시킬 수도 있다. 또한, 집광 구조체를 형성하고 있는 결합제 수지와 충전 수지는 서로 동일한 것을 사용할 수도 있고, 상이한 것을 사용할 수도 있다.

복수개의 집광 구조체를 함유하는 집광 구조체층을 얻기 위해서는, 예를 들면 이하와 같이 할 수 있다.

우선, 상기 투명 기판 상에 상기 집광 구조체를 형성할 수 있는 재료를 도공한다. 이러한 도공에는, 예를 들면 나이프 코터, 다이 코터, 캐필러리 코터, 롤 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 스프레이 코터 등의 도공 방법이 이용된다. 이들 중에서도, 도공 방법은 나이프 코터, 다이 코터 또는 캐필러리 코터인 것이 바람직하다. 이어서, 상기 투명 기판 상에 도공된 상기 재료를 그 형상을 가공할 수 있을 정도로 유연성을 유지한 상태로 한다. 그를 위해서는, 상기 재료에 함유되는 결합제 수지가 열가소성 수지인 경우에는 상기 열가소성 수지가 가소성을 가질 정도로 가열 등을 행하여 가소 상태로 할 수 있으며, 상기 재료에 함유되는 결합제 수지가 경화성 수지인 경우에는 적절히 경화되어 있는 상태, 소위 반경화된 상태를 유지하도록 할 수 있다. 이어서, 원하는 형상의 집광 구조체를 형성할 수 있는 오목부가 복수개 설치된 스탬퍼를 준비하고, 상기 투명 기판 상에 있는 가소 상태 또는 반경화 상태의 재료에 이 스탬퍼를 압박함으로써 스탬퍼에 설치된 오목부의 형상을 전사할 수 있으며, 복수개의 집광 구조체가 상기 투명 기판 상에 형성된다. 이와 같이 하여 형성된 집광 구조체는, 필요에 따라 냉각하거나 반경화 상태의 경화성 수지를 더욱 경화시킴으로써 형상을 고정화할 수 있다. 예를 들면, 상기 결합제 수지로서 아크릴 수지 등의 자외선 경화성 수지를 사용한 경우, 상기 아크릴 수지 등을 함유하는 수지 조성물을 상기 투명 기판 상에 도공한 후, 도공 후의 수지 조성물에 약하게 UV 조사를 행하여 반경화시키고, 반경화 후의 수지 조성물에 원하는 집광 구조체를 형성할 수 있는 오목부가 설치된 스탬퍼를 압박함으로써 상기 투명 기판 상에 집광 구조체를 형성시키고, UV 조사를 행하여 반경화 상태의 아크릴 수지를 경화시킴으로써 형상이 고정화된 집광 구조체가 얻어진다. 이와 같이 하여 얻어진 집광 구조체 사이를 매립하기 위해, 상술한 충전 수지의 층을 형성하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 미경화된 경화성 투명 수지를 포함하는 액상 조성물을 집광 구조체 (25) 상에 도포한 후, 필요에 따라 건조 처리 등을 행한 후, 광 조사, 전자선 조사, 가열, 가압 등의 조작에 의해 경화시킨다. 도 3 (3-a)의 기판 (1)이나 도 7 (7-a)의 기판 (1)은, 이와 같이 하여 얻어진다.

이하에 설명하는 방법은, 복수개의 집광 구조체를 함유하는 집광 구조체층을 얻는 별도의 방법이다. 우선, 상기 투명 기판 상에 충전 수지의 재료를 도공한다. 이러한 도공에는, 예를 들면 나이프 코터, 다이 코터, 캐필러리 코터, 롤 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 스프레이 코터 등의 도공 방법이 이용된다. 이들 중에서도, 도공 방법은 나이프 코터, 다이 코터 또는 캐필러리 코터인 것이 바람직하다. 이어서, 상기 투명 기판 상에 도공된 상기 재료를 특정 형상을 부여할 수 있을 정도로 유연성을 유지한 상태로 한다. 그를 위해서는, 상기 재료가 열가소성 수지인 경우에는 상기 열가소성 수지가 가소성을 가질 정도로 가열 등을 행하여 가소 상태로 할 수 있으며, 상기 재료가 경화성 수지인 경우에는 적절히 경화되어 있는 상태, 소위 반경화된 상태를 유지하도록 할 수 있다. 이어서, 원하는 집광 구조체의 형상이 복수개 설치된 스탬퍼를 준비하고, 상기 투명 기판 상에 있는 가소 상태 또는 반경화 상태의 재료에 이 스탬퍼를 압박함으로써 집광 구조체 형상의 오목부를 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 오목부는, 필요에 따라 냉각하거나 반경화성의 경화성 수지를 더욱 경화시킴으로써 형상을 고정화할 수 있다. 이어서, 집광 구조체를 형성할 수 있는 재료를 이와 같이 하여 형성된 오목부에 넣어 집광 구조체를 형성한다. 이 방법에서 사용하는 집광 구조체를 형성하는 재료로서는, 상술한 경화성 수지가 바람직하다. 예를 들면, 상기 결합제 수지로서 아크릴 수지 등의 자외선 경화성 수지를 사용한 경우, 상기 아크릴 수지 등을 함유하는 수지 조성물을 집광 구조체 형상의 오목부가 있는 면에 도공한 후, 도공 후의 수지 조성물에 UV 조사를 행하여 아크릴 수지를 경화시킴으로써 형상이 고정화된 집광 구조체가 얻어진다. 도 4의 기판 (1)이나 도 8의 기판 (1)은 이와 같이 하여 얻어진다.

또한, 별도의 방법으로서는 다음의 방법도 들 수 있다. 우선, 상기 투명 기판을 특정 형상을 부여할 수 있을 정도로 유연성을 유지한 상태로 한다. 그를 위해서는, 상기 재료가 열가소성 수지인 경우에는 상기 열가소성 수지가 가소성을 가질 정도로 가열 등을 행하여 가소 상태로 할 수 있다. 이어서, 원하는 집광 구조체의 형상이 복수개 설치된 스탬퍼를 준비하고, 가소 상태의 상기 투명 기판에 이 스탬퍼를 압박함으로써 집광 구조체 형상의 오목부를 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 오목부는, 필요에 따라 냉각함으로써 형상을 고정화할 수 있다. 이어서, 집광 구조체를 형성할 수 있는 재료를 이와 같이 하여 형성된 오목부에 넣어 집광 구조체를 형성한다.

상기 집광 구조체층이 함유하는 집광 구조체의 개수는, 상기 집광 구조체의 형상 및 치수(특히 저면의 최장 직경 A), 투명 기판의 면적 및 목적으로 하는 광 취출 효율에 따라 결정된다. 본 발명의 기판의 광 취출 효율을 보다 높게 하기 위해서는, 상기 집광 구조체의 저면 면적의 총 합계, 즉 집광 구조체층이 함유하는 집광 구조체 저면의 면적을 합계한 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 10 면적％ 내지 100 면적％인 것이 바람직하고, 40 면적％ 내지 90 면적％인 것이 특히 바람직하다. 이러한 집광 구조체 저면 면적의 총 합계(Sa)의 투명 기판의 면적(St)에 대한 면적비(Sa/St)를 이하, "집광 구조체 면적비"라고 한다. 이러한 집광 구조체 면적비를 만족하는 기판은, 보다 광 취출 효율이 우수하기 때문에 바람직하다. 도 2의 (2-a)는, 복수개의 집광 구조체가 모두 사각추의 형상인 집광 구조체층의 구성의 일례를 나타내는 상면 모식도이며, 그 집광 구조체 면적비는 실질적으로 100 면적％이다. 또한, 도 2의 (2-b)는, 복수개의 집광 구조체가 모두 원추 형상인 집광 구조체층의 구성의 일례를 도시하는 상면 모식도이다. 집광 구조체가 원추인 경우 집광 구조체 면적비를 100 면적％로 할 수 없으며, 집광 구조체 면적비는 최대(최밀 충전) 72 면적％ 정도가 된다. 도 6은 복수개의 집광 구조체가 반구상이며, 집광 구조체 면적비가 최대인 경우를 도시하는 상면 모식도이다. 도 6의 경우, 그 집광 구조체 면적비는 72 면적％ 정도가 된다.

<유기 EL 발광 장치>

본 발명의 기판은, 특히 유기 EL 소자를 발광원으로 하는 발광 장치에 바람직하게 사용할 수 있다. 도 3의 (3-a) 및 도 7의 (7-a)는, 본 발명의 기판과 유기 EL 소자를 조합한 소자 구성 (100)의 개요를 도시하는 모식 단면도이다. 본 발명의 기판 (1)은, 상술한 바와 같이 투명 기판 (10) 및 집광 구조체층 (30)으로 형성되어 있다. 또한, 소자 구성 (100)은, 기판 (1)의 집광 구조체층 (30)이 설치되어 있지 않는 면에 유기 EL 소자 (50)이 설치되어 있다.

유기 EL 소자 (50)은, 발광층을 포함하는 유기층 및 해당 유기층을 협지하도록 하여 설치된 한 쌍의 전극층으로 형성되어 있다. 또한, 목적에 따라 전하 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 등이 설치되어 있는 경우도 있다.

여기서, 유기 EL 소자 (50)을 구성하는 층에 대하여 간단히 설명한다.

유기 EL 소자 (50)에 있는 한 쌍의 전극은 적어도 한쪽이 투명 전극이다. 상기 투명 전극의 재료로서는, 투명 전극이 양극인 경우에는 일함수가 큰 재료가 바람직하고, 도전성의 금속 산화물막, 반투명한 금속 박막 등이 사용된다. 구체적으로는 산화인듐, 산화아연 또는 산화주석, 또는 이들의 복합체인 인듐ㆍ주석ㆍ옥사이드(ITO) 또는 인듐ㆍ아연ㆍ옥사이드 등을 포함하는 도전성 재료를 사용하여 제조된 것을 들 수 있다. 상기 투명 전극의 막 두께는 통상 50 nm 내지 400 nm이다.

한편, 투명 전극이 음극인 경우에는, 상기 투명 전극의 재료로서는 일함수가 작은 재료가 바람직하다. 예를 들면 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 이들 중 2개 이상의 합금, 이들 중 1개 이상과 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티탄, 코발트, 니켈, 텅스텐 및 주석 중 1개 이상의 합금, 그래파이트 또는 그래파이트 층간 화합물 등이 사용된다. 합금의 예로서는 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등을 들 수 있다.

다른쪽 전극, 즉 투명성을 필요로 하지 않는 쪽의 전극은, 통상 알칼리 금속의 할로겐화물(예를 들면, 불화리튬 등)을 포함하는 층(할로겐화알칼리 금속층)을 갖고 있다. 또한, 이 할로겐화알칼리 금속층에 금속(알루미늄)을 포함하는 층을 더 적층시켜 사용하는 경우도 있다. 이 경우의 다른쪽 전극의 막 두께도 통상 50 nm 내지 400 nm이다.

본 발명의 기판에서는, 상술한 투명 전극을 투명 기판으로서 사용하는 것도 가능하다.

상기 유기 EL 소자에서의 발광층은, 유기 EL 발광 재료로 구성된다. 이러한 발광 재료는, 예를 들면 문헌 [토키토 시즈오 외 저, "유기 EL 디스플레이", (주)오옴사, 2004년 8월 20일 발행의 제6장(101 내지 116페이지)]에 기재된 재료 등의 공지된 것을 사용할 수 있다.

도 3의 (3-b) 및 도 7의 (7-b)는, 상기 집광 구조체층을 구비하지 않는 기판을 사용한 소자 구성 (200)을 도시하는 모식 단면도이다. 집광 구조체층을 구비하지 않는 투명 기판 (10)에 유기 EL 소자 (50)이 설치되어 있다. 도 3 (3-b)나 도 7 (7-b)에 도시하는 소자 구성 (200)은 집광 구조체층이 설치되어 있지 않기 때문에, 상기 배경기술에 기재한 바와 같이 광 취출 효율은 낮고, 발광층에서 발생한 광의 대부분은 소자 중에 봉쇄되어 소실되거나 소자 구성의 측면으로부터 방출되게 된다.

<광 취출 배율>

이어서, 본 발명의 기판을 사용한 유기 EL 발광 장치에서의 광 취출 효율을 나타내는 광 취출 배율의 평가 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 기판 (1)을 구비한 소자 구성 (100)(도 3 (3-a)나 도 4, 도 7 (7-a), 도 8)과, 집광 구조체를 구비하지 않는 소자 구성 (200)(도 3 (3-b)나 도 7 (7-b))의 광 강도를 이하에 나타낸 바와 같은 계산 방법에 의해 계산하여 상기 광 취출 배율을 구할 수 있다.

[광 취출 배율을 구하기 위한 계산 방법]

광선 추적법을 이용함으로써, 본 발명의 기판에서의 광의 전파를 시뮬레이트할 수 있다. 여기서 말하는 광선 추적법이란, 광의 진행ㆍ반사ㆍ굴절을 기하 광학적으로 추적함으로써 광의 거동을 계산하는 방법이다. 광선 추적법에서는 굴절률이 상이한 매질 계면에서의 반사ㆍ굴절을 계산할 필요가 있지만, 통상 반사 및 굴절각은 스넬의 법칙을 이용한 계산에 의해, 반사ㆍ굴절의 광 강도는 프레넬 법칙(Fresnel's law)을 이용한 계산에 의해 시뮬레이션이 행해진다. 상기 시뮬레이션에서는, 상이한 굴절률의 매질이 인접하는 계면에서 프레넬 법칙에 의해 얻어지는 강도비로 반사ㆍ굴절광이 분지될 수도 있고, 몬테ㆍ카를로법(Monte Carlo method)을 이용하여 프레넬 법칙에 의해 얻어지는 강도비로 부여되는 확률로 반사광과 굴절광의 선택을 행할 수도 있다. 특정 방향으로 전파된 광의 강도는, 그 방향으로 전파된 광선 1개당의 강도와 광선 개수의 곱으로 구할 수 있다. 또한, 본 발명에서의 광 취출 배율은, 도 3 (3-b)나 도 7 (7-b)에 도시한 소자 구성 (200)의 발광 강도를 1로 했을 때의 본 발명의 집광 구조체층을 구비한 소자 구성 (100)의 발광 강도로 나타낸다.

상술한 광 취출 배율로 나타낸 경우, 본 발명의 기판 (1)을 구비하는 소자 구성 (100)은 상기 소자 구성 (200)을 기준으로 한 광 취출 배율이 2.0배 이상이라는 우수한 광 취출 효율을 발휘하는 것도 가능하고, 삼각추의 집광 구조체를 구비한 경우에는 상기 광 취출 배율을 2.3배 이상으로 하는 것도 가능하다. 따라서, 본 발명의 기판을 구비한 유기 EL 발광 장치는 발광층에서 발생한 광을 효율적으로 취출할 수 있기 때문에, 적은 전류로 사용할 수 있으며, 발광 수명이 우수한 유기 EL 발광 장치를 실현할 수 있다.

[실시예]

<시뮬레이션의 설명>

본 실시예에서는, 람다 리서치사의 TracePro(ver.4.1.7)를 사용하여 굴절률이 상이한 계면에서의 광의 분지 방법으로서 몬테ㆍ카를로법에 의한 선택을 이용하여 시뮬레이션을 행함으로써, 광 취출 배율을 구하였다.

시뮬레이션시에 사용한 소자 구성 모델은, 도 4나 도 8과 같이 발광층, 투명 전극층, 집광 구조체층, 투명 기판의 순으로 적층한 것으로 하고, 집광 구조체와 투명 기판 사이의 공간에는 투명 기판과 동일한 굴절률의 물질이 채워져 있다. 발광층의 두께를 100 ㎛로 하고, 투명 전극층의 두께도 100 ㎛로 하였다. 집광 구조체층의 두께는 종횡비로부터 결정하고, 집광 구조체층과 투명 기판의 두께의 총 합계를 1.8 mm로 하였다. 광은 발광층으로부터 발하여 소자 구성 모델의 각 층을 통과하여 투명 기판으로부터 출사하는 것으로 하고, 상기 모델에서의 출사면 이외의 외벽(투명 기판의 측면도 포함됨)은 모두 광을 완전히 반사하는 경면으로 하였다. 상기 출사면으로부터 방출되는 광 강도(광량)를 계산하였다.

저면 반경 290 mm, 높이 16 mm의 원주상의 검출기를 가정하고, 상기 검출기의 중심에 상기 검출기의 측면에 광이 입사하도록 소자 구성 모델을 배치하였다. 상기 검출기는 원주의 상하 저면을 반사 경계로 하고, 측면을 관측면으로 설정하였다. 광은 발광층 중앙부에 소자 저면과 평행하게 설정한 면으로부터 방사되며, 1회의 시뮬레이션에서 10000개의 광선수를 상정하여 20회 계산을 실시하고, 그 평균 출력을 발광 강도로 하였다. 또한, 하나의 광선은 1000회 반사한 경우 그 광선이 소실된 것으로 간주하여, 그 계산을 중단하는 것으로 하였다.

실시예 1 내지 3

발광층(굴절률 1.7)/투명 전극(굴절률 2.0)/집광 구조체/투명 기판(굴절률1.5)이 이 순서대로 적층된 소자 구성 모델[이 소자 구성 모델에서는 발광층/투명 전극이 유기 EL 소자에 해당함]을 가정하여, 해당 소자 구성 모델에서 발광층으로부터 투명 기판 외로 출사된 광선수(출사 광선수 1)를 시뮬레이션에 의해 구하였다.

또한, 집광 구조체가 없는 비교 소자 구성 모델, 즉 발광층(굴절률 1.7)/투명 전극(굴절률 2.0)/투명 기판(굴절률 1.5)도 동일하게 하여 기준이 되는 출사 광선수(출사 광선수 2)를 구하였다. 또한, 출사 광선수 1을 출사 광선수 2로 나누어 광 취출 배율을 구하였다. 여기서, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 굴절률 2.0의 재료로 형성된 원추상인 것으로 하고, 상기 원추상 집광 구조체 저면의 최장 직경 A는 24 ㎛로 하였다. 또한, 집광 구조체 면적비는 집광 구조체의 저면이 최밀 충전되어 있는 것으로 가정하고, 72 면적％로 하였다. 집광 구조체의 종횡비는 각각 0.5(실시예 1), 1.0(실시예 2), 2.0(실시예 3)으로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은, 모두 변 길이가 120 ㎛인 정사각형으로 하였다.

실시예 4 내지 6

실시예 1 내지 3과 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 사각추상으로 하고, 이 사각추상 집광 구조체 저면의 최장 직경 A는 24 ㎛로 하였다. 또한, 집광 구조체 면적비는 100 면적％로 하였다. 집광 구조체의 종횡비는 각각 0.5(실시예 4), 1.0(실시예 5), 2.0(실시예 6)으로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은, 모두 변 길이가 120 ㎛인 정사각형으로 하였다.

실시예 7 내지 9

실시예 1 내지 3과 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 삼각추상으로 하고, 이 삼각추상 집광 구조체 저면의 최장 직경 A는 24 ㎛로 하였다. 또한, 집광 구조체 면적비는 100 면적％로 하였다. 집광 구조체의 종횡비는 각각 0.5(실시예 7), 1.0(실시예 8), 2.0(실시예 9)으로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은, 모두 변 길이가 120 ㎛인 정사각형으로 하였다.

실시예 10 내지 12

실시예 1 내지 3과 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 삼각추상으로 하고, 상기 집광 구조체는 굴절률 1.8의 재료로 형성되어 있는 것으로 하였다. 이 삼각추상 집광 구조체 저면의 최장 직경 A는 24 ㎛로 하였다. 또한, 집광 구조체 면적비는 100 면적％로 하였다. 집광 구조체의 종횡비는 각각 0.5(실시예 10), 1.0(실시예 11), 2.0(실시예 12)으로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은, 모두 변 길이가 120 ㎛인 정사각형으로 하였다.

실시예 13 내지 16

실시예 1 내지 3과 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 삼각추상으로 하고, 상기 집광 구조체는 굴절률 1.8의 재료로 형성되어 있는 것으로 하였다. 이 삼각추상 집광 구조체 저면의 최장 직경 A는 24 ㎛로 하고, 종횡비는 0.5로 하였다. 또한, 집광 구조체 면적비는 각각 80 면적％(실시예 13), 60 면적％(실시예 14), 40 면적％(실시예 15), 20 면적％(실시예 16)로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은, 각각 변 길이가 136 ㎛(실시예 13), 156 ㎛(실시예 14), 190 ㎛(실시예 15), 270 ㎛(실시예 16)인 정사각형으로 하였다.

실시예 17, 18

실시예 1 내지 3과 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 삼각추상으로 하고, 상기 집광 구조체는 굴절률 1.8의 재료로 형성되어 있는 것으로 하였다. 집광 구조체 면적비는 100 면적％로 하고, 종횡비는 0.5로 하였다. 이 삼각추상 집광 구조체 저면의 최장 직경 A를 각각 12 ㎛(실시예 17), 6 ㎛(실시예 18)로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은, 각각 변 길이가 60 ㎛(실시예 17), 30 ㎛(실시예 18)인 정사각형으로 하였다.

실시예 1 내지 9의 결과에 따라 집광 구조체 형상의 영향을 비교한 바, 그 형상이 삼각추일 때 광 취출 배율이 2.9배로 가장 높고, 형상이 원추 또는 사각추일 때보다 우수하다는 것이 판명되었다. 또한, 삼각추의 집광 구조체에서 재료의 굴절률이 1.8인 경우의 종횡비의 영향을 비교한 바(실시예 10 내지 12), 종횡비 0.5일 때 광 취출 배율이 2.9배가 되어 가장 높고, 재료의 굴절률이 2.0인 경우와 동등하였다. 또한, 삼각추의 집광 구조체에서 집광 구조체 면적비의 영향을 비교한 바(실시예 13 내지 16), 80 면적％ 이상일 때 광 취출 배율 2.9배로 100 면적％일 때와 거의 상이하지 않고, 20 면적％일 때에도 2.5배로 높은 광 취출 배율이라는 것이 판명되었다.

실시예 21 내지 25

발광층(굴절률 1.7)/투명 전극(굴절률 2.0)/집광 구조체층/투명 기판(굴절률 1.5)이 이 순서대로 적층된 소자 구성 모델[이 소자 구성 모델에서는 발광층/투명성 전극이 유기 EL 소자에 해당함]을 가정하여, 해당 소자 구성 모델에서 발광층으로부터 투명 기판 외로 출사된 광선수(출사 광선수 1)를 시뮬레이션에 의해 구하였다.

또한, 집광 구조체가 없는 비교 소자 구성 모델, 즉 발광층(굴절률 1.7)/투명 전극(굴절률 2.0)/투명 기판(굴절률 1.5)도 동일하게 하여 기준이 되는 출사 광선수(출사 광선수 2)를 구하였다. 또한, 출사 광선수 1을 출사 광선수 2로 나누어 광 취출 배율을 구하였다.

여기서, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체는 굴절률 2.0의 재료로 형성된 반구상 마이크로 렌즈를 포함하는 것으로 하고, 그 최장 직경 A는 24 ㎛로 하였다. 또한, 반구상 마이크로 렌즈의 종횡비는 0.5로 하고, 집광 구조체 면적비는 72 면적％(최밀 충전, 실시예 21), 60 면적％(실시예 22), 40 면적％(실시예 23), 20 면적％(실시예 24), 10 면적％(실시예 25)로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은 정사각형으로 하고, 각각 변의 길이는 120 ㎛(실시예 21), 131.69 ㎛(실시예 22), 161.28 ㎛(실시예 23), 228.09 ㎛(실시예 24), 322.57 ㎛(실시예 25)로 하였다.

실시예 26 내지 27

실시예 21 내지 25와 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체를 구성하는 반구상 마이크로 렌즈는 굴절률 2.0의 재료로 형성된 것으로 하고, 이 반구상 마이크로 렌즈의 종횡비는 0.5로 하고, 집광 구조체 면적비는 그의 최대인 72 면적％로 하였다. 최장 직경 A는 각각 12 ㎛(실시예 26), 6 ㎛(실시예 27)로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은 각각 변의 길이가 60 ㎛(실시예 26), 30 ㎛(실시예 27)인 정사각형으로 하였다.

실시예 28 내지 30

실시예 21 내지 25와 동일한 방법에 의해 광 취출 배율을 구하였다. 단, 소자 구성 모델에 있는 집광 구조체를 구성하는 반구상 마이크로 렌즈는 굴절률 1.8의 재료로 형성된 것으로 하고, 이 반구상 마이크로 렌즈의 종횡비는 0.5로 하고, 집광 구조체 면적비는 그의 최대인 72 면적％로 하였다. 최장 직경 A는 각각 24 ㎛(실시예 28), 12 ㎛(실시예 29), 6 ㎛(실시예 30)로 하였다. 소자 구성 모델의 저면은 각각 변의 길이가 120 ㎛(실시예 28), 60 ㎛(실시예 29), 30 ㎛(실시예 30)인 정사각형으로 하였다.

실시예 21 내지 25에 의해 집광 구조체 면적비의 영향을 비교한 바, 상기 면적비가 40 ％ 이상일 때 광 취출 배율 2.2 내지 2.3으로 최밀 충전(집광 구조체 면적비; 72 면적％)과 상이하지 않고, 높은 광 취출 배율이라는 것이 판명되었다. 반구상 마이크로 렌즈에서 최장 직경 A의 영향을 비교한 바(실시예 21, 26, 27), 6 내지 24 ㎛의 범위에서 광 취출 배율 2.3 내지 2.4로 최장 직경 A의 크기에 상관없이 거의 일정하였다. 또한, 굴절률의 영향을 비교한 바(실시예 21, 28, 29, 30), 굴절률의 저하에 따라 광 취출 배율은 감소되었지만, 굴절률 1.8에서도 2.0배의 높은 광 취출 배율이 얻어졌다. 또한, 최장 직경 A에 의한 광 취출 배율의 저하도 관찰되지 않았다. 본 발명에서는, 낮은 집광 구조체 면적비여도 높은 광 취출 배율이 기대된다고 할 수 있다.

1: 기판
10: 투명 기판
20: 충전 수지
25: 집광 구조체
30: 집광 구조체층
40: 투명 전극
45: 발광층 등
50: 유기 EL 소자

Claims (10)

1. 투명 기판 및 집광 구조체층을 갖는 기판이며, 상기 집광 구조체층은 복수개의 추 형상 또는 반구상의 구조체를 함유하고, 상기 복수개의 추 형상 또는 반구상 구조체의 저면은 동일한 평면 상에 있는 기판.
2. 제1항에 있어서, 상기 구조체가 원추, 사각추 또는 삼각추 형상의 구조체인 기판.
3. 제2항에 있어서, 상기 구조체 저면의 최장 직경 A와 상기 구조체의 높이 B로부터 구해지는 종횡비(B/A)가 0.2 내지 3.0인 기판.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 구조체의 저면 면적의 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 10 면적％ 내지 100 면적％인 기판.
5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 구조체의 저면 면적의 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 40 면적％ 내지 90 면적％인 기판.
6. 제1항에 있어서, 상기 구조체가 반구상의 구조체인 기판.
7. 제6항에 있어서, 상기 구조체의 저면 면적의 총 합계가 상기 투명 기판의 면적에 대하여 40 면적％ 이상인 기판.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조체가 파장 550 nm에서의 광선 투과도가 80 ％ 이상인 투명 수지를 포함하는 기판.
9. 제1항 내지 제7항에 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조체가 산화티탄 및 투명 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 기판.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 기판과
    유기 EL 소자
    를 갖는 유기 EL 발광 장치.

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