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KR20110083713A - 에지 필드 나노임프린팅을 위한 정렬 - Google Patents

에지 필드 나노임프린팅을 위한 정렬 Download PDF

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KR20110083713A
KR20110083713A KR1020117012921A KR20117012921A KR20110083713A KR 20110083713 A KR20110083713 A KR 20110083713A KR 1020117012921 A KR1020117012921 A KR 1020117012921A KR 20117012921 A KR20117012921 A KR 20117012921A KR 20110083713 A KR20110083713 A KR 20110083713A
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KR101681506B1 (ko
Inventor
병진 최
파완 쿠마르 님마카얄라
필립 디. 슈메이커
Original Assignee
몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
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Abstract

기판의 에지에서 템플레이트와 기판의 정렬을 위한 시스템 및 방법을 기술한다.

Description

에지 필드 나노임프린팅을 위한 정렬{ALIGNMENT FOR EDGE FIELD NANO-IMPRINTING}
관련출원 참조
이 출원은 2008년 11월 4일에 출원된 미국 가특허출원 No. 61/111,102, 및 2009년 10월 27일에 출원된 미국 특허 출원 No. 12/606,274의 이익을 주장하며, 이들은 모두 그 전체가 여기에 참고로 포함된다.
나노제작은 100 나노미터 이하의 크기의 피처(feature)들을 갖는 매우 작은 구조물의 제작을 포함한다. 나노제작이 꽤 큰 영향을 준 한가지 이용분야는 집적회로의 가공처리에서이다. 반도체 가공처리 산업은 기판 위에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 노력하기를 계속하며, 따라서 나노제작은 더욱더 중요해지고 있다. 나노제작은 형성된 구조물의 최소 피처 치수의 계속된 감소를 허용하면서 더 큰 공정제어를 제공한다. 나노제작이 사용된 다른 개발 영역은 생명공학, 광학기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
오늘날 사용 중인 예가 되는 나노제작 기술은 통상 임프린트 리소그래피로 언급된다. 예가 되는 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065976, 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065252, 및 미국 특허 No. 6,936,194와 같은 수많은 간행물에 상세히 기술되어 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다.
상기한 미국 특허출원 공개 및 특허의 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 성형성 층(중합성)에 양각 패턴의 형성과 양각 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 원하는 위치를 얻기 위해 모션 스테이지에 결합시켜 패턴형성 공정을 용이하게 할 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 템플레이트 그리고 템플레이트와 기판 사이에 가해진 성형성 액체를 사용한다. 성형성 액체는 고화되어 성형성 액체와 접촉하는 템플레이트의 표면의 형상에 일치하는 패턴을 갖는 단단한 층(고화된 층)을 형성한다. 고화 후, 템플레이트는 단단한 층으로부터 분리되어 템플레이트와 기판이 이격된다. 다음에 기판과 고화된 층은 고화된 층의 패턴에 대응하는 양각 이미지를 기판에 전사하기 위한 추가의 공정을 거치게 된다.
본 발명이 더욱 상세히 이해될 수 있도록, 본 발명의 구체예의 설명을 첨부 도면에 예시된 구체예를 참고하여 제공한다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 단지 대표적인 구체예를 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 생각되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명의 구체예에 따르는 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성된 층이 위에 위치된, 도 1에 나타낸 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3은 필드에 대해 다수의 정렬 측정 장치를 갖는 정렬 시스템의 단순화된 위에서 본 도면을 예시한다.
도 4는 기판의 단순화된 위에서 본 도면을 예시한다.
도 5a 내지 도 5e는 예시적인 재설정가능한(reconfigurable) 정렬 시스템을 예시한다.
도 6은 템플레이트와 기판을 정렬하는 예시적 방법의 흐름도를 예시한다.
도 7은 기판의 일부의 단순화된 위에서 본 도면을 예시한다.
도 8은 템플레이트와 기판을 정렬하는 예시적 방법의 흐름도를 예시한다.
도 9는 기판의 일부의 단순화된 위에서 본 도면을 예시한다.
도면, 특히 도 1을 참고하면, 기판(12) 위에 양각 패턴을 형성하기 위해 사용된 리소그래피 시스템(10)이 예시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수도 있다. 예시하는 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 기타를 포함하나, 이에 제한되지 않는 어떤 척도 될 수 있다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 6,873,087에 기술되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x-, y-, 및 z-축에 따라 모션을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시않음)에 위치될 수도 있다.
기판(12)으로부터 이격되어 템플레이트(18)가 있다. 템플레이트(18)는 일반적으로 그로부터 기판(12)을 향하여 연장되는 메사(20)를 포함하고, 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 갖는다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)로도 언급된다. 패턴형성 표면(22)은 여기서 기술된 바와 같은 단계-및-반복 공정을 사용하여 템플레이트(18) 위의 단일 필드를 패턴형성하기 위해 사용될 수 있다. 템플레이트(18) 및/또는 몰드(20)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하며 이들에 제한되지 않는 이러한 재료로부터 형성될 수 있다. 예시한 바와 같이, 패턴형성 표면(22)은 복수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 규정된 피처를 포함하나, 본 발명의 구체예는 이러한 구성들에 제한되지 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12)에 형성시킬 패턴의 토대를 형성하는 어떤 원래의 패턴도 규정할 수 있다.
템플레이트(18)는 척(28)에 결합될 수도 있다. 척(28)은 진공, 핀형, 홈형, 정전기, 전자기, 및/또는 다른 유사한 척 유형들로서 구성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 6,873,087에 더 기술되어 있다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합되어 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플레이트(18)의 이동을 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함한다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 위에 중합성 재료(34)를 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 중합성 재료(34)는 드롭 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막 부착, 후막 부착 및/또는 기타와 같은 기술들을 사용하여 기판(12)에 위치될 수 있다. 중합성 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 몰드(20)와 기판(12) 사이에 원하는 공간이 규정되기 전 및/또는 후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 중합성 재료(34)는, 모두 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 7,157,036 및 미국 특허출원 공개 No. 2005/0187339에 기술된 것과 같은 중합성 재료를 포함할 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 향하게 하도록 결합된 에너지원(38)을 더 포함한다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 경로(42)와 겹쳐서 템플레이트(18)와 기판(12)을 위치시키도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 및/또는 에너지원(38)과 통신되어 있는 프로세서(54)에 의해 조정될 수 있고, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 작동될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 둘다는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변동시켜 그것들 사이에 중합성 재료(34)가 채워지는 원하는 공간을 규정한다. 예를 들면, 임프린트 헤드(30)는 템플레이트(18)에 힘을 가하여 몰드(20)가 중합성 재료(34)와 접촉하도록 할 수도 있다. 원하는 공간이 중합성 재료(34)로 채워진 후에, 에너지원(38)은 에너지(40), 예를 들면, 자외선 복사선을 내어, 중합성 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합되도록 일으켜 기판(12)의 표면(44)과 패턴형성 표면(22)의 형상에 일치하게 하여 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)을 규정한다. 패턴형성된 층(46)은 잔류 층(48)과, 돌출부(50)와 오목부(52)로서 나타낸 복수의 피처를 포함할 수 있고, 돌출부(50)는 두께(t₁)를 갖고 잔류층(48)은 두께(t₂)를 갖는다. 템플레이트(18)는 패턴형성된 층(46)으로부터 분리되고 단계-및-반복 공정에서 또 다른 필드를 패턴형성하기 위해 사용될 수 있다.
상기한 시스템 및 방법은 미국 특허 No. 6,932,934, 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0124566, 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0188381 및 미국 특허 출원 공개 No. 2004/0211754에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에서 또한 사용될 수 있고, 이들 각각은 여기에 참고문헌으로 포함된다.
템플레이트(18)와 기판(12)의 필드 사이의 원하는 정렬을 확인하는 것은 템플레이트(18)와 기판(12) 간의 패턴 전사를 용이하게 하는 데에 도움이 된다. 정렬을 용이하게 하기 위해, 템플레이트(18) 및/또는 기판(12) 위의 정렬 마크를 이용하는 정렬 시스템을 사용할 수 있는데 그 쌍 중 하나의 정렬 마크는 템플레이트(18) 위에 배치되어 있고, 나머지 정렬 마크는 기판(12) 위에 배치되어 있다. 도 3은 다수의 정렬 측정 장치(62)(예를 들면, 현미경)를 갖는 정렬 시스템(60)의 단순화된 도면을 예시한다. 임프린트 리소그래피 공정에서 사용하기 위한 정렬 마크 및 정렬 시스템(60)의 예들은 미국 특허 No. 7,136,150, 및 미국 특허 No. 7,070,405, 미국 특허 No. 6,916,584, 및 미국 특허출원 공개 No. 2007/0231421에 자세히 기재되어 있고, 이들은 여기에 참고문헌으로 포함된다.
정렬 시스템(60)은 필드별(field-by-field) 정렬 공정을 위해 사용될 수 있다. 도 1, 3, 및 4에 예시된 바와 같이, 임프린팅 동안에, 스테이지(16)는 템플레이트(18)가 메모리(54)에 저장된 좌표를 기준으로 기판(12)의 원하는 필드 위에 배향되도록 이동될 수 있다. 기판의 각 필드(70)는 템플레이트(18) 위의 정렬 마크에 대응하는 두개 이상의 정렬 마크(72)를 포함할 수 있다. 템플레이트(18) 위의 정렬 마크는 그 다음 기판(12) 위에 임프린팅되는 특정 필드(70)에서 정렬 마크(72)로 정렬될 수 있다. 일단 필드(70)가 임프린팅되면, 스테이지(16)는 기판(12) 위의 또 다른 필드(70) 위에서 템플레이트(18)를 배향하도록 이동될 수 있다. 이런 이유로, 정렬은 기판(12)의 개개의 필드(70) 내에서 행해질 수 있다. 그러나, 기판(12)의 에지(74)에서, 필드(70)의 부분(76)은 기판(12)의 영역 밖에 있을 수 있고, 기판(12)의 에지(74)에서 정렬 오차를 가져오고, 이런 이유로 다이 수득률의 감소를 가져온다.
재설정가능한 정렬 시스템
도 5a 및 도 5b는 예시적인 재설정가능한 정렬 시스템(90)을 예시한다. 일반적으로, 시스템(90)에서, 정렬 마크(72a)는 필드(70a)의 코너에서 존재할 수 있을 뿐만 아니라, 필드(70a)의 각 서브필드(92) 내에서 존재할 수도 있다.
필드(70a)는 필드(70a) 내의 서브필드(92)의 수에 따라 분할될 수 있다. 예를 들면, 도 5a에서, 필드(70a)는 8개의 가능한 서브필드(92)를 포함하나, 그러나, 어떤 수의 서브필드(92)도 설계 고려사항에 따라 필드(70a) 내에 있을 수 있다. 각 서브필드(92)는 하나 이상의 잠재적으로 구부러지는 다이를 포함할 수 있다.
또한, 각 서브필드(92)는 다수의 정렬 마크(72a)를 함유할 수 있다. 필드(70a) 및/또는 서브필드(92) 내의 정렬 마크(72a)의 배치는 기판(12) 위의 정렬 마크(72a)에 할당된 표면적을 제한하도록 설계될 수 있다. 한 실시예에서, 정렬 마크(72a)는 서브필드(92)의 각 코너 내에 있을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 정렬 마크(72a)는 서브필드(92)들 간의 갭에 놓일 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 정렬 마크(72a)는 잠재적으로 구부러지는 다이들 사이의 갭에 놓일 수도 있다.
기판(12)의 에지에서, 모든 서브필드(92)가 상기한 바와 같이 구부러지는 다이를 제공하지는 않는다. 도 5a에 예시된 바와 같이, 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)는 빗금친 상자로 표시되어 있다. 이 실시예에서, 열 R1은 잠재적으로 구부러지지 않는 서브필드(92)를 제공한다. 에지(74a) 상의 필드(70a)의 확대에서, 8개의 서브필드(92) 중 단지 4개가 잠재적으로 구부러지는 서브필드인 것이 고려될 수 있다.
한 실시예에서, 정렬 측정 시스템(90)은 필드(70)의 정렬 마크(72)에 부가하여 또는 그 대신에 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)에서 정렬 마크(72a)를 검출하기 위해 재설정될 수 있다. 일반적으로, 정렬 측정 시스템(90)은 필드(90)의 하나 이상의 코너 내에서 정렬 마크(72)를 검출하기 위해 구성될 뿐만 아니라, 서브필드(92) 내의 정렬 마크(72a)를 검출하기 위해서도 구성된다. 도 5b에 예시된 바와 같이, 영역(94) 내의 정렬 측정 장치(62)는, 필드(90)의 정렬 마크(70)에 부가하여 또는 그 대신에 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92) 내의 정렬 마크(72a)를 검출하기 위해 재설정될 수 있다. 예를 들면, 정렬 측정 장치(62)는 이동가능하게 위치될 수 있고(예를 들면, 검출을 위해 적합한 적어도 하나의 정렬 마크(72a)와 광통신되어 있도록 물리적으로 재배치하기 위해 x, y 또는 z 방향으로의 이동) 및/또는 재설정될 수 있다(예를 들면, 검출을 위해 적합한 적어도 하나의 정렬 마크(72a)와 광통신을 제공하기 위해 추가의 하드웨어와 함께 구성될 수 있다).
또 다른 실시예에서, 도 5b-5d에 예시된 바와 같이, 정렬 측정 시스템(90)의 재설정은 하나 이상의 서브필드(92)의 검출을 위해 제공하는 패턴(208)으로 될 수 있다. 예를 들면, 도 5c에서, 필드(70a)는 4개의 4분면, Q1 , Q2, Q3, 및 Q4로 분할 될 수 있다. 각 4분면 Q는 적어도 2개의 서브필드(92)로 형성될 수 있다. 정렬 측정 시스템(90)은 4분면 Q의 검출을 제공하는 패턴(208)으로 재설정될 수 있다. 정렬 측정 시스템(90)은 그 다음 각 서브필드(92) 내의 정렬 마크를 검출하기 위해 각 4분면 Q1-4으로 이동될 수 있다.
입자 발생을 증가시키지 않고 이동을 용이하게 하기 위해서 및/또는 처리량을 증가시키기 위해, 정렬 측정 시스템(90)은 도 5d에 예시된 바와 같이 주사(scanning) 스테이지(200)에 의해 구동될 수 있다. 정렬 측정 시스템(90) 또는 정렬 측정 시스템(90)의 부분들은 주사 스테이지(200)에 고정가능하게 연결된다.
주사 스테이지(200)는 제 2 방향 스테이지(204)(예를 들면, Y 스테이지)에 인접한 제 1 방향 스테이지(202)(예를 들면, X 스테이지)를 포함할 수 있다. X 스테이지(202)는 복수의 측부(206)를 포함할 수 있다. 측부(206)는 개방 영역(208)에 대해 위치될 수 있다. 측부(206)는 정사각형, 직사각형, 육각형, 원형, 및/또는 어떤 기발한 형상도 포함하나 이에 제한되지 않는 어떤 형태의 형성물도 형성할 수 있다. Y 스테이지(204)는 복수의 측부(210)를 포함할 수 있다. 측부(210)는 개방 영역(208)에 대해 위치될 수 있다. 측부(210)는 정사각형, 직사각형, 육각형, 원형, 및/또는 어떤 기발한 형상도 포함하나 이에 제한되지 않는 어떤 형상의 형성물도 형성할 수 있다. 측부(210)의 형상 형성은 측부(206)의 형상과 유사할 수도 있고 또는 측부(206)의 형상과 다를 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 도 5e에 예시된 바와 같이, 하나 이상의 추가의 정렬 측정 장치(62x)가 도 3에 나타낸 정렬 측정 시스템(60)에 추가될 수 있다. 정렬 측정 장치(62)의 전형적인 수 및 배치는 미국 특허 No. 7,292,326 및 미국 출원 No. 11/000,321에 더 기술되어 있고, 이들은 모두 그 전체가 여기에 참고문헌으로 포함된다. 추가의 정렬 측정 장치(62x)는 이들 참고문헌에 기술된 시스템에 도입될 수 있고 서브필드(92) 내에 위치된 정렬 마크(72a)를 검출하기 위해 구성된다. 예를 들면, 도 5e에 예시된 바와 같이, 영역(95) 내의 정렬 측정 장치(62 및 62x)는 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)에서 정렬 마크(72a)를 검출하기 위해 구성될 수 있다.
도 6은 템플레이트(18) 및 기판(12)을 정렬하기 위한 예시적 방법(100)의 흐름도를 예시한다. 단계 102에서, 기판(12)의 에지(74a) 위에 다수의 서브필드(92)를 갖는 필드(70)를 제공한다. 정렬 시스템(90)은 필드(70)의 정렬 마크(72)와 광통신되어 있도록 구성될 수 있다. 정렬 마크(72)는 필드(70)의 외부 경계에서 위치될 수 있다. 각 서브필드(92)는 다수의 정렬 마크(72a)를 포함할 수 있다. 단계 104에서, 적어도 하나의 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)를 확인한다. 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)는 하나 이상의 잠재적으로 구부러지는 다이를 가질 수 있다. 단계 106에서, 정렬 측정 시스템(90)은 정렬 측정 장치(62)가 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92) 또는 하나 이상의 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)의 조합 내의 정렬 마크(72a)를 포착하도록 재설정된다. 예를 들면, 정렬 측정 시스템(90)은 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)의 정렬 마크(72a)와 광통신되도록 재위치될 수 있다. 한 구체예에서, 정렬 측정 시스템(90)은 정렬 마크(72a)와 광통신되나 중합성 재료(34)의 고화를 위해 템플레이트(18)를 통해 집중된 에너지원으로부터의 빔 경로의 밖에 재위치될 수 있다. 단계 108에서, 잠재적으로 구부러지는 필드(70a)는 적합한 정렬을 갖는 하나 이상의 구부러지는 다이를 제공하도록 임프린팅될 수 있다. 예를 들면, 기판(12)의 서브필드의 정렬 마크(72a)와 위에 놓이는 템플레이트 정렬 마크를 사용하여 상(phase) 정보로부터의 정렬 데이터가 수집될 수 있다. 이미지(예를 들면, 물결모양 1차 현미경 이미지)는 정렬 마크(72a) 또는 템플레이트 정렬 마크 중 하나로부터 광을 회절시킴으로써 포착될 수 있다. 정렬 마크(72a)와 템플레이트 정렬 마크 사이의 수직 거리는 변경될 수 있다(예를 들면, 100 미크론 내지 10nm 미만). 기판(12)과 템플레이트(18) 간의 상대적인 공간 파라미터(예를 들면, 정렬, 배율, 비틀림 파라미터, 및 기타)가 이미지를 사용하여 결정될 수 있다. 상대적인 공간 파라미터를 사용하여, 템플레이트(18)는 기판(12)의 서브필드(92)와 정렬된다. 중합성 재료(34)는 기판의 서브필드(92)와 겹쳐있는 영역 상에 부착된다. 템플레이트(18)는 중합성 재료(34)와 접촉하여 위치될 수 있고 중합성 재료(34)는 템플레이트(18)와 기판(12) 사이와 일치한다. 중합성 재료(34)는 고화되어 패턴형성된 층(46)을 형성한다. 템플레이트(18)는 중합성 재료(34)로부터 분리되어 서브필드(92)에서 잠재적으로 구부러지는 다이를 형성한다.
독립적인 세타(theta) 측정
도 1, 3 및 7을 참고하면, 기판(12)의 에지(74)에서 템플레이트(18)와 기판(12) 사이의 정렬은 정렬 시스템(60 또는 90)과 세타 측정 장치(120)의 사용을 포함할 수 있다. 예시적 세타 측정 장치(120)는 레이저 간섭계, 커패시턴스 센서, 및/또는 정해진 정확도를 갖는 어떤 다른 정밀 센서를 포함한다. 일반적으로, 각각의 필드(70) 또는 서브필드(92) 내의 적어도 2개의 정렬 마크(72) 및/또는 정렬 마크(72a)는 정렬을 위한 X 및 Y 값을 제공할 수 있다. 예를 들면, 도면에서 나타낸 바와 같이, 정렬 마크(72)는 필드(70b)에 대한 X 및 Y 값을 제공할 수 있다. 세타 측정 장치(120)로부터 얻은 데이터는 X 및 Y 값과 조합하여 x, y, 및 세타의 정렬을 위한 충분한 데이터를 제공할 수 있다. 단지 x, y, 및 세타를 사용함으로써, 배율 검출은 서브필드(92) 정렬에서 제거될 수 있음을 주목하여야 한다.
도 8은 세타 측정 장치(120)를 사용하여 템플레이트(18)와 기판(12)을 정렬하는 예시적 방법(140)을 예시한다. 단계 142에서, 적어도 2개의 정렬 마크(72)를 갖는 적어도 하나의 필드(70b)가 제공될 수 있다. 단계 144에서, 정렬 시스템(60 또는 90)은 정렬 마크(72)를 사용하여 X 및 Y 값을 제공할 수 있다. 단계 146에서, 세타 측정 장치(120)는 세타 값을 제공할 수 있다. 단계 148에서, X, Y, 및 세타 값을 조합하여 템플레이트(18)와 기판(12)의 정렬을 제공할 수 있다. 단계 150에서, 기판을 임프린팅한다.
이웃 필드 정렬
도 1, 3 및 9를 참고하면, 기판(12)의 에지(74) 상에서 템플레이트(18)와 기판(12) 사이의 정렬은 인접 필드(70) 상에서 정렬 마크(72)의 사용을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 9에 예시된 바와 같이, 기판(12)의 에지(74) 상의 정렬은 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)를 갖는 필드(7Od)를 함유할 수 있다. 잠재적으로 구부러지는 서브필드(92)는 하나의 실행가능 정렬 마크(72)만을 함유하기 때문에, 인접 필드(7Oe, 7Of, 및/또는 7Og)로부터의 정렬 마크(72)가, 잠재적으로 구부러지는 필드(7Od)를 임프린팅하기 위한 템플레이트(18)와 기판(12) 간의 정렬을 용이하게 하기 위해 사용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 정렬 측정 장치를 기판의 제 1 필드 상의 제 1 세트의 정렬 마크와 광통신되도록 위치시키는 단계로서, 제 1 필드는 복수의 서브필드를 가지며 각 서브필드는 제 2 세트의 정렬 마크를 갖는 단계;
    잠재적으로 구부러지는 서브 필드를 확인하는 단계; 그리고,
    하나 이상의 정렬 측정 장치를 잠재적으로 구부러지는 서브필드의 제 2 세트의 정렬 마크와 광통신되어 있도록 재위치시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 세트의 정렬 마크는 필드의 외부 경계 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 2 세트의 정렬 마크는 서브필드의 외부 경계 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 정렬 측정 장치는 기판을 통해 집중된 에너지원으로부터 빔 통로의 외부에 재위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 세트의 정렬 마크와, 임프린트 리소그래피 템플레이트 상에 위치된 위에 놓이는 템플레이트 정렬 마크를 사용하여 상 정보로부터 정렬 데이터를 수집하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 제 2 세트의 정렬 마크 또는 위에 놓이는 템플레이트 정렬 마크 중 하나로부터 광을 회절시킴으로써 이미지를 포착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 제 2 세트의 정렬 마크와 템플레이트가 위에 놓이는 템플레이트 정렬 마크 사이의 수직 거리는 100 미크론 내지 10nm 미만으로 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 이미지를 사용하여 기판과 임프린트 리소그래피 템플레이트 간의 상대적인 공간 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 공간 파라미터는 정렬 파라미터를 포함하고 배율 파라미터를 제외하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 세트의 정렬 마크는 정렬을 위한 X 및 Y 값을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 세타 측정 장치를 사용하여 세타 값을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 정렬 측정 장치를, 제 1 필드에 인접하여 위치된 제 2 필드의 제 3 세트의 정렬 마크와 광통신되어 있도록 재위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 정렬 측정 장치는 주사 스테이지 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 주사 스테이지는 제 1 방향 스테이지와 제 2 방향 스테이지를 포함하고, 제 1 방향 스테이지와 제 2 방향 스테이지는 각각 개방 영역을 갖고, 개방 영역은 기판을 통해 집중된 에너지원에 대한 빔 경로를 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 제 1 방향 스테이지는 정렬 측정 장치를 x-방향으로 재위치시키기에 적합하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 방향 스테이지는 정렬 측정 장치를 y-방향으로 재위치시키기에 적합하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 세트의 정렬 마크와 광통신되어 있는 하나 이상의 추가의 정렬 측정 장치를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 복수의 정렬 측정 장치를 제 1 위치로 제공하는 단계로서, 제 1 위치는 각 장치가 기판의 필드의 적어도 하나의 정렬 마크와 광통신되어 있는 단계; 그리고,
    정렬 측정 장치를 제 2 위치로 제공하는 단계로서, 제 2 위치는 각 장치가 필드의 서브필드의 적어도 하나의 정렬 마크와 광통신되어 있는 단계를 포함하며,
    제 1 위치는 제 2 위치와 다른 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 서브필드의 정렬 마크와, 임프린트 리소그래피 템플레이트 상에 위치된 위에 놓이는 템플레이트 정렬 마크를 사용하여 상 정보로부터 정렬 데이터를 수집하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 기판의 제 1 필드 상에 위치된 정렬 마크와, 임프린트 리소그래피 템플레이트 상에 위치된 위에 놓이는 정렬 마크를 사용하여 상 정보로부터 정렬 데이터를 수집하는 단계를 포함하고; 그리고
    기판의 제 2 필드의 서브필드 상에 위치된 정렬 마크와, 임프린트 리소그래피 템플레이트 상에 위치된 위에 놓이는 정렬 마크를 사용하여 상 정보로부터 정렬 데이터를 수집하는 단계를 포함하고, 제 1 필드의 치수는 제 2 필드의 치수와 유사한 것을 특징으로 하는 방법.
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