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KR20050006052A - 반도체 집적 회로 장치 - Google Patents

반도체 집적 회로 장치 Download PDF

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Abstract

노이즈 발생을 방지할 수 있고, 오동작의 발생을 억제할 수 있는 반도체 집적 회로 장치를 제공하기 위한 것으로, 차지 펌프 회로의 출력 단자에 흐르는 전류가 감지 저항기로 감지되어 전류 검출 회로에 의하여 검출됨으로써, 입력 전류가 출력 전류보다 대략 2배 더 큰 양으로 차지 펌프 회로의 입력 단자에 일정하게 흐르도록 하여, 전류가 일정하게 유지되어 피크 전류를 억제하고, 노이즈 발생을 방지하는 전류 제한 회로가 제공된다. 결과적으로, 차지 펌프 회로와 공유된 입력 전원에 접속된 다른 회로들이 오동작하는 것이 방지된다.

Description

반도체 집적 회로 장치{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE}
본 발명은 반도체 집적 회로 장치에 관한 것이며, 보다 자세하게는 반도체 집적 회로 장치에서 차지 펌프 회로의 노이즈 발생을 제한하는, 차지 펌프 회로의 노이즈 감소용 전류 제한 메카니즘에 관한 것이다.
도 2는 종래의 차지 펌프 회로를 도시한다. 이 차지 펌프 회로에서, 펌프 커패시터는 입력 전원에 의하여 일시적으로 차지된 후, 펌프 커패시터의 전압이 출력 커패시터를 차지하기 위하여 더 상승(step-up)된다. 차지 펌프 회로는 전류가 펌프 커패시터로 그리고 출력 커패시터로 직접 흐르게 하므로, 큰 피크 전류가 순간적으로 흐르게 된다(예컨대, US 제5550728호 참조).
그러나, 종래의 차지 펌프 회로에서 전류는 입력 전원에서 펌프 커패시터로 그리고 출력 커패시터로 직접 흐른다. 이는, 커패시터의 차지시 큰 피크 전류가 순간적으로 흐르게 한다. 그 결과, 입력 전원의 전압이 가변하여 노이즈를 발생시켜, 차지 펌프 회로와 공유된 입력 전원에 접속된 다른 회로들이 오동작하는 가능성에 직면한다.
본 발명의 목적은, 차지 펌프 회로에서 입력 전원으로부터 펌프 커패시터로 그리로 출력 커패시터로 흐르는 피크 전류를 억제하여, 노이즈 발생을 방지하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 도시한다.
도 2는 종래의 차지 펌프 회로를 도시하는 회로도이다.
도 3은 본 발명에 따른 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 도시한다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
101 : 2배 스텝-업 차지 펌프 회로 102 : 출력 전류 감지 저항기
103 : 전류 검출 회로 104 : 전류 제한 회로
301, 306 : 비교기 302, 304 : 저항기 소자
303, 307 : PMOS 트랜지스터 305 : 감지 저항기
상술된 목적을 달성하기 위하여, 차지 펌프 회로의 출력 단자에 흐르는 전류가 감지 저항기로 감지되어 전류 검출 회로에 의하여 검출되어, 입력 전류가 차지 펌프 회로의 입력 단자에서 출력 전류보다 대략 2배 더 큰 양으로 일정하게 흐르도록 함으로써, 전류가 일정하게 유지되어 피크 전류를 억제하고 노이즈 발생을 방지하는 전류 제한 회로가 제공된다. 결과적으로, 차지 펌프 회로와 공유된 입력 전원에 접속된 다른 회로들이 오동작하는 것이 방지된다.
본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치는, n배 스텝-업 차지 펌프 회로의 출력 단자에서 부하 전류를 검출하는 감지 저항기; 상기 감지 저항기에 흐르는 전류를 검출하는 전류 검출 회로; 및 전류가 상기 전류 검출 회로에 의하여 검출된 전류의 전류값에 따라 상기 감지 저항기에 흐르는 전류보다 n배 더 큰 양으로 n배 스텝-업 차지 펌프 회로의 입력 단자에 흐르도록 전류값을 조정하는 전류 제한 회로를 포함하여, n배 스텝-업 차지 펌프 회로의 입력 단자에 흐르는 전류가 출력 단자에 흐르는 전류의 전류값보다 n배 더 큰 전류값에 유지된다.
본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치를 이용함으로써, 입력 전원으로부터 흐르는 전류가, 전류값이 출력 부하 전류보다 약 n배 더 크도록 일정하게 유지되도록 하고, 입력 전원의 전압을 안정화하여, 입력 전원에서 발생되는 노이즈를 억제하여 차지 펌프 회로와 공유된 입력 전원에 접속된 다른 회로들의 오동작을 방지한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 2배 스텝-업 차지 펌프 회로를 사용하는 경우를 설명할 것이나, 3배 또는 4배 스텝-업 차지 펌프 회로에도 동일하게 적용된다.
(실시예)
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명할 것이다. 도 1은 본 발명에 따른 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 도시한다.
우선, 도 1을 참조하여, 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 설명한다. 메카니즘은, 2배 스텝-업 차지 펌프 회로(101), 출력 전류 감지 저항기(102), 상기 감지 저항기에 흐르는 전류를 검출하는 전류 검출 회로(103), 및 입력 전류를 제한하는 전류 제한 회로(104)로 구성된다.
차지 펌프 회로의 입력 단자에 흐르는 전류는 이에 따라 구성된 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 사용함으로써 출력 전류에 따라 조정될 수 있다. 원리상, 2배 스텝-업 차지 펌프 회로는 출력 전류의 2배인 입력 전류를 흐르게 함으로써 입력 전압 레벨의 2배인 레벨로 출력 전압을 상승시킬 수 있다. 상기 가정 하에, 출력 전류의 2배인 전류가, 출력 전류가 가변하여도 입력 전류로서 일정하게 공급될 수 있으면, 전압을 2배 상승시킬 수 있다. 이 목적으로, 다음의 조정이 달성된다. 즉, 출력 단자에 흐르는 전류는 출력 전류 감지 저항기(102)로 감지된다. 전류 검출 회로(103)는 저항기의 양 단에서의 전위들을 비교하여 전위차를 검출한다. 전위차에 대응하는 전류를 입력 단자에 공급하는 전류 제한 회로(104)는 출력 전류의 2배인 전류가 입력 전류로서 흐르게 한다. 따라서, 2배 스텝-업 차지 펌프 회로에는 출력 전류값에 상관없이 출력 전류의 2배인 입력 전류가 일정하게 공급되어, 전압을 상승시킨다. 그러므로, 입력 전류는 일정한 값에 유지되어 노이즈 발생을 억제한다.
도 3은 본 발명에 따른 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 도시한다. 도 3을 참조하여, 이제 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 논의한다. 도 1에 도시된 바와 같이 구성된 메카니즘에서, 전류 검출 회로(103)는 감지 저항기(102)의 양 단의 전위들을 비교하는 비교기(301), PMOS 트랜지스터(303), 및 저항기 소자(302)를 포함하여, 증폭기 회로를 구성한다. 또한, 전류 제한 회로(104)는, 감지 저항기(305)의 양 단의 전위들을 비교하는 비교기(306), PMOS 트랜지스터(307), 및 저항기 소자(304)를 포함하여, 증폭기 회로를 구성한다.
이렇게 구성된 차지 펌프 회로에서의 노이즈 감소를 위한 전류 제한 메카니즘을 이용함으로써 출력 전류에 따라 차지 펌프 회로의 입력 단자에 흐르는 전류를 조정할 수 있다. 전류 검출 회로(103)는 비교기(301), PMOS 트랜지스터(303), 및 저항기 소자(302)를 포함하여, 증폭기 회로를 구성한다. 따라서, 감지 저항기(102)에 걸친 전압과 동일한 전압은 저항기 소자(302)에 걸친 전압에 대응한다. 전류 제한 회로(104)는 비교기(306), PMOS 트랜지스터(307), 및 저항기 소자(304)를 포함하여, 증폭기 회로를 구성한다. 감지 저항기(305)에 걸친 전압과 동일한 전압은 저항기 소자(304)에 걸친 전압에 대응한다. 이 때, 감지 저항기(305)는 감지 저항기(305)의 저항값의 절반으로 설정되어, 저항기 소자들(302, 304)이 동일한 저항값을 가진다면, 감지 저항기(102)에서보다 2배 더 큰 양의 전류가 감지 저항기(305)에 흐르게 된다. 이 회로 구성으로, 2배 스텝-업 차지 펌프 회로에는 출력 전류값에 따라 출력 전류보다 약 2배 더 큰 양의 입력 전류가 공급되어, 전압을 상승시킨다. 그 결과, 입력 전류가 일정값에 유지되어, 노이즈 발생을 억제한다.
상술된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 차지 펌프 회로의 출력 단자에 흐르는전류가 감지 저항기로 감지되어 전류 검출 회로에 의하여 검출됨으로써, 입력 전류가 출력 전류보다 대략 2배 더 큰 양으로 차지 펌프 회로의 입력 단자에 일정하게 흐르도록 하여, 전류가 일정하게 유지되어 피크 전류를 억제하고, 노이즈 발생을 방지하는 전류 제한 회로가 제공된다. 결과적으로, 차지 펌프 회로와 공유된 입력 전원에 접속된 다른 회로들이 오동작하는 것이 방지된다.

Claims (2)

  1. 반도체 집적 회로 장치에 있어서,
    n배 스텝-업 차지 펌프 회로의 출력 단자에서 부하 전류를 검출하는 감지 저항기;
    상기 감지 저항기에 흐르는 전류를 검출하는 전류 검출 회로; 및
    상기 n배 스텝-업 차지 펌프 회로의 입력 단자에, 상기 전류 검출 회로에 의하여 검출된 전류의 전류값에 따라 상기 감지 저항기에 흐르는 전류보다 n배 더 큰 양의 전류가 흐르도록 전류값을 조정하는 전류 제한 회로를 포함하고,
    상기 n배 스텝-업 차지 펌프 회로의 입력 단자에 흐르는 전류가 출력 단자에 흐르는 전류의 전류값보다 n배 더 큰 전류값에 유지되는 반도체 집적 회로 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 검출 회로는, 비교기 회로, PMOS 트랜지스터, 및 저항기 소자를 포함하고,
    상기 전류 제한 회로는, 비교기 회로, PMOS 트랜지스터, 저항기 소자, 및 입력 전류 감지 저항기를 포함하는 반도체 집적 회로 장치.
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