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TW201908905A - 針對負載的切換控制器和方法 - Google Patents

針對負載的切換控制器和方法 Download PDF

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TW201908905A
TW201908905A TW106132482A TW106132482A TW201908905A TW 201908905 A TW201908905 A TW 201908905A TW 106132482 A TW106132482 A TW 106132482A TW 106132482 A TW106132482 A TW 106132482A TW 201908905 A TW201908905 A TW 201908905A
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李淼
羅強
方烈義
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昂寶電子（上海）有限公司
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Abstract

公開了針對負載的切換控制器和方法。例如，系統控制器包括被配置為接收輸入電壓的第一控制器端子。輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯。另外，系統控制器包括被配置為接收控制電壓的第二控制器端子、以及被配置為向負載輸出輸出電壓的第三控制器端子。另外，系統控制器包括被配置為從第一控制器端子接收輸入電壓並生成供電電壓的供電電壓生成器。供電電壓與供電電壓幅度相關聯。系統控制器還包括被配置為接收供電電壓並生成斜坡電壓的斜坡電壓生成器。

Description

針對負載的切換控制器和方法
本發明的某些實施例涉及積體電路。更具體地，本發明的一些實施例提供了針對負載的切換控制器和方法。
功率電晶體已經被廣泛使用在各種電子系統中。在這些系統中，通常對功率電晶體的啟動過程期間的電壓斜坡坡度和最大輸出電流有要求。如果啟動過程過快，則啟動過程期間的輸出電流會變大，使得電子系統的負載會由於功率電晶體的低導通電阻而被衝擊甚至損壞。
第1圖是示出包括用於控制輸出電壓的斜坡坡度的離散元件的傳統系統的簡化示意圖。系統100包括功率MOSFET 110、電晶體120、電阻130、132、134和136、電容140和142、電阻性負載150、以及電容性負載160。系統100依靠功率MOSFET 110的米勒平臺(Miller plateau)來控制輸出電壓的斜坡坡度。
通常，需要基於功率MOSFET 110的器件參數來調節電阻130、132、134和136、以及電容140和142的大小。如第1圖所示，系統100使用相對較大數量的電阻和電容。另外，系統100通常無法在系統100的啟動過程期間回應於負載的短路而有效地保護該系統的各種元件、或者避免對於這些元件的火損。
因此，非常期望改善與功率電晶體有關的技術。
本發明的某些實施例涉及積體電路。更具體地，本發明的一些實施例提供了針對負載的切換控制器和方法。僅通過示例，本發明 的一些實施例已經被應用於功率電晶體。但是將認識到，本發明具有更廣的應用範圍。
根據一個實施例，用於提供至少輸出電壓的系統控制器包括被配置為接收輸入電壓的第一控制器端子。輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯。另外，系統控制器包括被配置為接收控制電壓的第二控制器端子、以及被配置為向負載輸出輸出電壓的第三控制器端子。而且，系統控制器包括被配置為從第一控制器端子接收輸入電壓並生成供電電壓的供電電壓生成器。供電電壓與供電電壓幅度相關聯。並且，系統控制器包括被配置為接收供電電壓並生成斜坡電壓的斜坡電壓生成器。如果控制電壓處於第一邏輯位準，則在第一持續時間期間斜坡電壓以第一變化速率從零增大到供電電壓幅度，並且在第二持續時間期間輸出電壓以第二變化速率從零增大到輸入電壓幅度。第二變化速率等於第一變化速率乘以預定常數。
根據另一實施例，用於提供至少輸出電壓的系統控制器包括被配置為接收輸入電壓的第一控制器端子、被配置為接收控制電壓的第二控制器端子、被配置為輸出輸出電壓的第三控制器端子、以及被偏置到預定電壓的第四控制器端子。另外，系統控制器包括電晶體，該電晶體包括閘極端子、汲極端子、以及源極端子。汲極端子連接到第一控制器端子，並且源極端子連接到第三控制器端子。系統控制器還包括第一電阻，該第一電阻包括第一電阻端子和第二電阻端子。第一電阻端子連接到第三控制器端子。系統控制器還包括第二電阻，該第二電阻包括第三電阻端子和第四電阻端子。第三電阻端子連接到第二電阻端子，並且第四電阻端子連接到第四控制器端子。另外，系統控制器包括第三電阻，該第三電阻包括第五電阻端子和第六電阻端子。第五電阻端子被配置為接收與輸出電壓有關的第一電壓，並且第六電阻端子連接到電晶體的閘極端子。系統控制器還包括被配置為生成斜坡電壓的斜坡電壓生成器、以及包括第一放大器端子、第二放大器端子、以及第三放大器端子的跨導運算放大器。第一放大器端子被配置為從第二電阻端子和第三電阻端子接收第二電壓，第二放 大器端子被配置為從斜坡電壓生成器接收斜坡電壓，並且第三放大器端子連接到第六電阻端子和電晶體的閘極端子。
根據又一實施例，用於提供至少輸出電流的系統控制器包括被配置為接收輸入電壓的第一控制器端子、以及被配置為輸出輸出電流的第二控制器端子。另外，系統控制器還包括第一電晶體，該第一電晶體包括第一閘極端子、第一汲極端子、以及第一源極端子。第一汲極端子被配置為接收輸入電壓，並且第一源極端子連接到第二控制器端子。系統控制器還包括第二電晶體，該第二電晶體包括第二閘極端子、第二汲極端子、以及第二源極端子。第二源極端子連接到第二控制器端子。系統控制器還包括第一電阻，該第一電阻包括第一電阻端子和第二電阻端子。第一電阻端子被配置為接收輸入電壓，並且第二電阻端子與第一電壓相關聯並且連接到第二汲極端子。系統控制器還包括第二電阻，該第二電阻包括第三電阻端子和第四電阻端子。第三電阻端子被配置為接收第二電壓，並且第四電阻端子連接到第一電晶體的第一閘極端子和第二電晶體的第二閘極端子。系統控制器還包括跨導運算放大器，該跨導運算放大器包括第一放大器端子、第二放大器端子、以及第三放大器端子。第三放大器端子連接到第四電阻端子、第一電晶體的第一閘極端子、以及第二電晶體的第二閘極端子。跨導運算放大器被配置為：至少基於與輸入電壓和第一電壓相關聯的資訊，生成經放大的電流；以及回應於輸入電壓減去第一電壓大於預定偏移電壓，生成通過第三放大器端子流入跨導運算放大器的經放大的電流。
根據再一實施例，用於保護的系統控制器包括被配置為接收輸入電壓的第一控制器端子、被配置為接收控制電壓的第二控制器端子、被配置為輸出輸出電壓的第三控制器端子、以及被偏置到預定電壓的第四控制器端子。系統控制器還包括第一電晶體，該第一電晶體包括第一閘極端子、第一汲極端子、以及第一源極端子。第一汲極端子連接到第一控制器端子，並且第一源極端子連接到第三控制器端子。系統控制器還包 括第一電阻，該第一電阻包括第一電阻端子和第二電阻端子。第一電阻端子連接到第三控制器端子。系統控制器還包括第二電阻，該第二電阻包括第三電阻端子和第四電阻端子。第三電阻端子連接到第二電阻端子，並且第四電阻端子連接到第四控制器端子。系統控制器還包括比較器，該比較器包括第一比較器端子、第二比較器端子、以及第三比較器端子。第一比較器端子被配置為從第二電阻端子和第三電阻端子接收第一電壓，並且第二比較器端子被配置為接收參考電壓。第三比較器端子被配置為輸出比較信號。另外，系統控制器包括被配置為接收比較信號的邏輯控制器。邏輯控制器進一步被配置為，在比較信號指示在從系統控制器的啟動過程開始的預定持續時間之後第一電壓保持小於參考電壓的情況下，生成切斷第一電晶體並終止啟動過程的保護信號。
根據再一實施例，用於提供至少輸出電壓的方法包括接收輸入電壓。該輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯。另外，該方法包括接收控制電壓，輸出輸出電壓，並且至少部分地基於輸入電壓生成供電電壓。供電電壓與供電電壓幅度相關聯。另外，該方法包括接收供電電壓，並且至少部分地基於供電電壓生成斜坡電壓。如果控制電壓處於第一邏輯位準，則在第一持續時間期間斜坡電壓以第一變化速率從零增大到供電電壓幅度，並且在第二持續時間期間輸出電壓以第二變化速率從零增大到輸入電壓幅度。第二變化速率等於第一變化速率乘以預定常數。
取決於實施例，可以實現一個或多個益處。參考下面的詳細描述和附圖，將完全理解這些益處和本發明的各種附加目標、特徵和優點。
100‧‧‧系統
110‧‧‧功率MOSFET
VIN、310‧‧‧輸入電壓
VOUT、392‧‧‧輸出電壓
200‧‧‧切換控制器
230、232‧‧‧跨導運算放大器
234、Vsense‧‧‧電壓調節器
240‧‧‧電荷泵
242‧‧‧斜坡電壓生成器
243、340‧‧‧斜坡電壓
244‧‧‧比較器
246‧‧‧邏輯控制器
248‧‧‧電壓生成器
410‧‧‧電壓控制模組
420‧‧‧電流控制模組
430‧‧‧保護模組
440、450‧‧‧波形
1212、1218‧‧‧汲極端子
1214、1219‧‧‧源極端子
320、AVDD‧‧‧供電電壓
324、Vref‧‧‧參考電壓
326‧‧‧比較信號
330、332‧‧‧經放大的電流
334‧‧‧啟動過程的信號
342‧‧‧閘極電壓
352、382、386‧‧‧電流
390‧‧‧感測控制信號
394‧‧‧輸出電流
Rs、Rfb‧‧‧電阻值
VCP‧‧‧斜坡電壓340
Vramp‧‧‧斜坡電壓243
Ip_cv‧‧‧經放大的電流330
Ip_cc‧‧‧經放大的電流332
Tout、Tramp‧‧‧恒定持續時間
150、292、Rload‧‧‧電阻性負載
160、294、Cload‧‧‧電容性負載
1210、1216、Gate‧‧‧閘極端子
1244、1246、1248‧‧‧比較器端子
322、350、351、Vout_div‧‧‧電壓
120、210、212、N1、N2‧‧‧電晶體
202、204、206、208、GND、CTRL‧‧‧控制器端子
140、142、280、C1、C2、Cvin‧‧‧電容
1230、1232、1234、1236、1238、1240‧‧‧放大器端子
1220、1221、1222、1223、1224、1225、1226、1227‧‧‧電阻端子
130、132、134、136、220、222、224、R1、R2、R3、R4‧‧‧電阻
第1圖是示出包括用於控制輸出電壓的斜坡坡度的離散元件的傳統系統的簡化示意圖。
第2圖是示出根據本發明實施例的切換控制器的簡化示意圖。
第3圖是示出根據本發明實施例的第2圖中所示的切換控制器的電壓控制模組的簡化示意圖。
第4圖是示出根據本發明實施例的作為時間函數的、由第2圖和第3圖中所示的電壓控制模組生成的斜坡電壓和輸出電壓的變化的簡化示意圖。
第5圖是示出根據本發明實施例的第2圖中所示的切換控制器的電流控制模組的簡化示意圖。
第6圖是示出根據本發明實施例的第2圖中所示的切換控制器的保護模組的簡化示意圖。
本發明的某些實施例涉及積體電路。更具體地，本發明的一些實施例提供針對負載的切換控制器和方法。僅通過示例，本發明的一些實施例已經被應用於功率電晶體。但是將認識到，本發明具有更廣的應用範圍。
第2圖是示出根據本發明實施例的切換控制器的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，而不應該不適當地限制申請專利範圍。本領域普通技術人員將認識到很多變形、替換、和修改。切換控制器200包括控制器端子202、204、206和208。另外，切換控制器200包括電晶體210和212、電阻220、222、224和226、跨導運算放大器230和232、電壓調節器234、電荷泵240、斜坡電壓生成器242、比較器244、邏輯控制器246、以及電壓生成器248。
例如，切換控制器200是晶片，控制器端子202、204、206和208是引腳。在另一示例中，電晶體210(例如，功率MOSFET)包括閘極端子1210、汲極端子1212、以及源極端子1214，電晶體212包括閘極端子1216、汲極端子1218、以及源極端子1219。在又一示例中，電阻220包括電阻端子1220和1221，電阻222包括電阻端子1222和1223，電阻224包括電阻端子1224和1225，並且電阻226包括電阻端子 1226和1227。在又一示例中，跨導運算放大器230包括放大器端子1230、1232和1234，並且跨導運算放大器232包括放大器端子1236、1238和1240。在又一示例中，比較器244包括比較器端子1244、1246和1248。
如第2圖中所示，根據某些實施例，切換控制器200通過控制器端子202接收輸入電壓310，通過控制器端子208接收控制信號390，並且通過控制器端子204輸出輸出電壓392和輸出電流394。例如，輸入電壓310由電容280的一個端子接收，並且電容280的另一端子接地。在另一示例中，輸出電壓392等於電晶體210的源極電壓，並且還等於電晶體212的源極電壓。在又一示例中，輸出電壓392和輸出電流394由負載接收，該負載包括電阻性負載292和/或電容性負載294。在又一示例中，控制器端子206被偏置到接地電壓。
在一個實施例中，通過控制器端子202，輸入電壓310被電壓生成器248和電晶體210的汲極端子接收。例如，作為回應，電壓生成器248生成供電電壓320，該供電電壓被斜坡電壓生成器242接收。在另一實施例中，通過控制器端子208，控制電壓390被電荷泵240接收，電荷泵240還接收輸出電壓392。在又一實施例中，控制電壓390還被邏輯控制器246接收。
根據某些實施例，電荷泵240回應於控制電壓390而生成斜坡電壓340。在一個實施例中，如果控制電壓390處於邏輯高位準，則斜坡電壓340等於輸出電壓392與預定電壓變化之和，如以下等式所示：V cp =V out +△V c (等式1)
其中，Vcp表示斜坡電壓340，Vout表示輸出電壓392。另外，△Vc表示大於電晶體210的閾值電壓且大於電晶體212的閾值電壓的預定電壓變化。
例如，預定電壓變化大於零。在另一示例中，輸出電壓392等於電晶體210的源極電壓且等於電晶體212的源極電壓；因此，等式1變為：V cp -V source =△V c (等式2)
其中，Vsource表示電晶體210的源極電壓，並且表示電晶體212的源極電壓。另外，Vcp表示斜坡電壓340。另外，△Vc表示大於電晶體210的閾值電壓且大於電晶體212的閾值電壓的預定電壓變化。
在另一示例中，選擇大於電晶體210的閾值電壓且大於電晶體212的閾值電壓的預定電壓變化；因此，如果斜坡電壓340等於電晶體210的閘極電壓且等於電晶體212的閘極電壓，則電晶體210和電晶體212二者均導通。
在另一實施例中，如果控制電壓390處於邏輯低位準，則斜坡電壓340等於以下等式示出的輸出電壓392：V cp =V out (等式3)
其中，Vcp表示斜坡電壓340，Vout表示輸出電壓392。
例如，輸出電壓392等於電晶體210的源極電壓且等於電晶體212的源極電壓；因此，等式1變為：V cp -V source =0 (等式4)
其中，Vout表示電晶體210的源極電壓且表示電晶體212的源極電壓。另外，Vcp表示斜坡電壓340。
在另一示例中，電晶體210的閾值電壓和電晶體212的閾值電壓都大於零；因此，如果斜坡電壓340等於電晶體210的閘極電壓且等於電晶體212的閘極電壓，則電晶體210和電晶體212二者都切斷，輸出電壓392通過控制器端子206和電阻224和226偏置到接地電壓，並且輸出電流394等於零。
根據一個實施例，斜坡電壓生成器242生成斜坡電壓243。例如，斜坡電壓243在恒定持續時間(例如，Tramp)期間從零伏增大 到供電電壓320。在另一示例中，斜坡電壓243被跨導運算放大器232接收。
根據另一實施例，斜坡電壓生成器242使用恒定電流生成斜坡電壓243，以在斜坡電壓243增大時對大電容進行充電。在又一實施例中，斜坡電壓生成器242使用脈衝電流生成斜坡電壓243，以在斜坡電壓243增大時對小電容進行充電。例如，小電容的使用可以減小電容的物理尺寸從而節省成本。
在一個實施例中，電阻224和226形成分壓器，該分壓器接收輸出電壓392並輸出電壓322。例如，電壓322被跨導運算放大器232接收。在另一示例中，跨導運算放大器232至少部分地基於電壓322和斜坡電壓243生成經放大的電流330。在又一示例中，如果電壓322大於斜坡電壓243，則經放大的電流330流入跨導運算放大器232。在再一示例中，如果電壓322小於斜坡電壓243，則經放大的電流330流出跨導運算放大器232。
在另一實施例中，電流352流過電阻220和電晶體212。例如，電阻220包括處於輸入電壓310的一個電阻端子、以及處於電壓350的另一個電阻端子。在另一示例中，電壓350被電壓調節器234接收，作為回應，電壓調節器生成如下等式示出的電壓351：V 351=V 350+△V L (等式5)
其中，V351表示電壓351，V350表示電壓350。另外，△VL表示由電壓調節器234提供的預定偏移電壓。
在又一實施例中，輸入電壓310和電壓351被跨導運算放大器230接收，該跨導運算放大器230生成經放大的電流332。在又一示例中，如果輸入電壓310大於電壓351，則經放大的電流332流入跨導運算放大器230。在又一示例中，如果輸入電壓310小於電壓351，則經放大的電流332流出跨導運算放大器230。
根據一個實施例，流入跨導運算放大器232的經放大的電流330和流入跨導運算放大器230的經放大的電流332被用來通過電阻222調節閘極電壓342。例如，如果控制電壓390處於邏輯高位準並且斜坡電壓340是根據等式1確定的，則對閘極電壓342的這種調節確保了輸出電壓392以恒定變化速率增大，並且確保了輸出電流394的最大幅度不會超過預定閾值。在另一示例中，閘極電壓342被電晶體210的閘極端子1210接收，閘極電壓342還被電晶體212的閘極端子1216接收。在又一示例中，電晶體210的閘極端子1210和電晶體212的閘極端子1216直接連接。
根據另一實施例，比較器244接收電壓322和參考電壓324，並且生成比較信號326。例如，比較信號326被邏輯控制器246接收。在另一示例中，如果比較信號326指示在從切換控制器200的啟動過程開始的預定持續時間之後電壓322保持小於參考電壓324，則邏輯控制器246切斷電晶體210和212並且終止啟動過程。
根據一些實施例，切換控制器200包括電壓控制模組(例如，第3圖中所示的電壓控制模組410)、電流控制模組(例如，第5圖中所示的電流控制模組420)、以及保護模組(例如，第6圖中所示的保護模組430)。
第3圖是示出根據本發明實施例的第2圖中所示的切換控制器200的電壓控制模組的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應該不適當地限制申請專利範圍。本領域普通技術人員將認識到很多變形、替代、和修改。電壓控制模組410包括電晶體210和212、電阻222、224和226、跨導運算放大器232、電荷泵240、以及斜坡電壓生成器242。
在一個實施例中，斜坡電壓生成器242生成斜坡電壓243。例如，斜坡電壓243在恒定持續時間(例如，Tramp)期間從零伏增大到供電電壓320。在另一示例中，斜坡電壓243被跨導運算放大器232接收。
在另一實施例中，電阻224和226形成分壓器，該分壓器接收輸出電壓392並輸出電壓322。例如，電壓322被跨導運算放大器232接收。在另一示例中，跨導運算放大器232至少部分地基於電壓322和斜坡電壓243生成經放大的電流330。在又一示例中，如果電壓322大於斜坡電壓243，則經放大的電流330流入跨導運算放大器232。在再一示例中，如果電壓322小於斜坡電壓243，則經放大的電流330流出跨導運算放大器232。
根據一個實施例，電荷泵240回應於控制電壓390而生成斜坡電壓340。例如，如果控制電壓390處於邏輯低位準，則斜坡電壓340等於輸出電壓392。在另一示例中，如果控制電壓390處於邏輯高位準，則斜坡電壓340等於輸出電壓392和預定電壓之和。
根據另一實施例，流入跨導運算放大器232的經放大的電流330被用來通過電阻222調節閘極電壓342。例如，閘極電壓342被如下確定：V gate =V cp -I p_cv ×R fb (等式6)
其中，Vgate表示閘極電壓342，Vcp表示斜坡電壓340。另外，Ip_cv表示流入跨導運算放大器232的經放大的電流330，Rfb表示電阻222的電阻值。
根據又一實施例，閘極電壓342被電晶體210和212接收。例如，如果控制電壓390處於邏輯高位準並且斜坡電壓340等於輸出電壓392和預定電壓之和(根據等式1)，則閘極電壓342導通電晶體210和212。在另一示例中，如果控制電壓390處於邏輯高位準並且斜坡電壓340等於輸出電壓392與預定電壓之和(根據等式1)，則閘極電壓342使用負反饋控制環路來確保輸出電壓392以預定速率增大。
第4圖是示出根據本發明實施例的作為時間函數的、由第2圖和第3圖中所示的電壓控制模組410生成的斜坡電壓243和輸出電壓392的變化的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，而不應該不適當地限制 申請專利範圍。本領域普通技術人員將認識到很多變形、替代、和修改。波形440表示在控制電壓390處於邏輯高位準且斜坡電壓340等於輸出電壓392與預定電壓之和(根據等式1)的情況下作為時間函數的斜坡電壓243，波形450表示在控制電壓390處於邏輯高位準且斜坡電壓340等於輸出電壓392與預定電壓之和(根據等式1)的情況下作為時間函數的輸出電壓392。
在一個實施例中，在恒定持續時間(例如，Tramp)期間，斜坡電壓243從零伏增大到電壓320(例如，AVDD)。例如，如波形440所示，在恒定持續時間(例如，Tramp)期間，斜坡電壓243以恒定變化速率(例如，Sramp)增大。在另一實施例中，在恒定持續時間(例如，Tout)期間，輸出電壓392從零伏增大到輸入電壓310(例如，Vin)。例如，如波形450所示，在恒定持續時間(例如，Tout)期間，輸出電壓392以恒定變化速率(例如，Sout)增大。
根據一個實施例，在恒定持續時間(例如，Tout)期間，當輸出電壓392隨時間改變時，輸出電壓392和斜坡電壓243具有以下關係：
其中，Vout表示輸出電壓392，Vramp表示斜坡電壓243。另外，R1表示電阻224的電阻值，R2表示電阻226的電阻值。
根據另一實施例，在恒定持續時間(例如，Tout)期間，當輸出電壓392隨時間改變時，輸出電壓392的恒定變化速率和斜坡電壓243的恒定變化速率具有以下關係：S out =S ramp ×M R (等式8A)
其中，Sout表示輸出電壓392的恒定變化速率，Sramp表示斜坡電壓243的恒定變化速率。另外，MR表示預定常數。R1表示電阻224的電阻值，R2表示電阻226的電阻值。
根據又一實施例，如等式8A和8B中所示，在恒定持續時間(例如，Tout)期間，當輸出電壓392隨時間改變時，輸出電壓392的恒定變化速率(例如，Sout)由斜坡電壓243的恒定變化速率(例如，Sramp)、電阻224的電阻值(例如，R1)、以及電阻226的電阻值(例如，R2)決定。例如，輸出電壓392的恒定變化速率(例如，Sout)不隨著電阻性負載292的不同幅度和/或電容性負載294的不同幅度改變。在另一示例中，可以根據等式7調節輸出電壓392的恒定改變速率，使得輸出電壓392的恒定改變速率可以滿足系統要求。
第5圖是示出根據本發明實施例的第2圖中所示的切換控制器200的電流控制模組的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，而不應該不適當地限制申請專利範圍。本領域普通技術人員將認識到很多變形、替代、和修改。電流控制模組420包括電晶體210和212、電阻220和222、跨導運算放大器230、電壓調節器234、以及電荷泵240。
如第5圖中所示，根據一些實施例，電晶體210的源極和電晶體212的源極直接連接，電晶體210的汲極和電晶體212的汲極直接連接，並且電晶體210的閘極和電晶體212的閘極直接連接。
在一個實施例中，流過電晶體210的電流382和流過電晶體212的電流352具有以下關係：I 1=K×I 2 (等式9)
其中，I1表示電流382，I2表示電流352。另外，K表示電晶體210的寬度與電晶體212的寬度之間的比值。
在另一實施例中，如下確定輸出電流394：I out =I 1+I 2+I 3 (等式10)
其中，Iout表示輸出電流394。另外，I1表示電流382，I2表示電流352，I3表示流過電阻224和226的電流386。
例如，使用等式9，等式10變為：I out =(K+1)×I 2+I 3 (等式11)
在另一示例中，電阻224的電阻值和電阻226的電阻值大，電流386小，使得：I out =(K+1)×I 2+I 3 (K+1)×I 2 (等式12)
其中，Iout表示輸出電流394。另外，I2表示電流352，K表示電晶體210的寬度與電晶體212的寬度之間的比值。
在另一實施例中，電流352流過電阻220和電晶體212。例如，電阻220包括處於輸入電壓310的一個電阻端子、以及處於電壓350的另一個電阻端子。在另一示例中，電壓350被電壓調節器234接收，作為回應，電壓調節器234生成如等式5所示的電壓351。
在又一示例中，輸入電壓310和電壓351被跨導運算放大器230接收，該跨導運算放大器230生成經放大的電流332。在又一示例中，如果輸入電壓310大於電壓351，則經放大的電流332流入跨導運算放大器230。在另一示例中，如果輸入電壓310小於電壓351，則經放大的電流332流出跨導運算放大器230。
在又一實施例中，輸入電壓310比電壓350大以下電壓差：△V=R s ×I 2 (等式13)
其中，△V表示等於輸入電壓310減去電壓350的電壓差。另外，Rs表示電阻220的電阻值，I2表示電流352。
例如，基於等式5和13，如果滿足等式14，則經放大的電流332流入跨導運算放大器230：△V>△V L (等式14)
其中，△V表示等於輸入電壓310減去電壓350的電壓差，△VL表示由電壓調節器234提供的預定偏移電壓。
在另一示例中，基於等式5和13，如果滿足等式15，則經放大的電流332流出跨導運算放大器230：△V<△V L (等式15)
其中，△V表示等於輸入電壓310減去電壓350的電壓差，△VL表示由電壓調節器234提供的預定偏移電壓。
根據一個實施例，流入跨導運算放大器230的經放大的電流332被用來通過電阻222調節閘極電壓342。例如，如下確定閘極電壓342：V gate =V cp -I p_cc ×R fb (等式16)
其中，Vgate表示閘極電壓342，Vcp表示斜坡電壓340。另外，Ip_cc表示流入運算放大器239的經放大的電流332，Rfb表示電阻222的電阻值。
根據另一實施例，閘極電壓342被電晶體210和212接收。例如，如果控制電壓390處於邏輯高位準且斜坡電壓340等於輸出電壓392與預定電壓之和(根據等式1)，則閘極電壓342導通電晶體210和212。在另一示例中，如果控制電壓390處於邏輯高位準且斜坡電壓340等於輸出電壓392與預定電壓之和(根據等式1)，則閘極電壓342使用負反饋控制環路來確保輸出電流394的最大幅度不超過預定閾值(例如，Ithreshold)。在又一示例中，如下確定預定閾值(例如，Ithreshold)：
其中，Ithreshold表示輸出電流394的最大幅度的預定閾值。另外，△VL表示由電壓調節器234提供的預定偏移電壓，Rs表示電阻220的電阻值。而且，K表示電晶體210的寬度與電晶體212的寬度之間的比值。
第6圖是示出根據本發明實施例的第2圖中所示的切換控制器200的保護模組的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，而不應該不適當地限制申請專利範圍。本領域普通技術人員將認識到很多變形、替代、和修改。保護模組430包括電阻220和222、比較器244、以及邏輯控制器246。
根據一個實施例，如果輸入電壓310變得大於欠壓鎖定閾值，則切換控制器200開始感測控制信號390。例如，在輸入電壓310變得大於欠壓鎖定閾值後，如果控制信號390從邏輯低位準變為邏輯高位準，則切換控制器200的啟動過程開始。在另一示例中，邏輯控制器246感測控制信號390從邏輯低位準變為邏輯高位準，控制信號390從邏輯低位準變為邏輯高位準指示切換控制器200的啟動過程開始。
在一個實施例中，比較器244接收電壓322和參考電壓324，並且生成比較信號326。例如，比較信號326被邏輯控制器246接收。在另一示例中，如果比較信號326指示在從切換控制器200的啟動過程開始的預定持續時間之後電壓322保持小於參考電壓324，則邏輯控制器246生成切斷電晶體210和212並終止啟動過程的信號334。在另一實施例中，保護模組430被用來感測電阻性負載292和/或電容性負載294的異常情況，並且在感測到異常情況時保護該系統。例如，電阻性負載292和/或電容性負載294的異常情況是與電阻性負載292和/或電容性負載294有關的短路。
根據一些實施例，如第2圖中所示，為了考慮流入跨導運算放大器232的經放大的電流330、以及流入運算放大器239的經放大的電流332，修改等式6和16以使它們變為等式18：V gate =V cp -(I p_cv +I p_cc )×R fb (等式18)
其中，Vgate表示閘極電壓342，Vcp表示斜坡電壓340。另外，Ip_cv表示流入跨導運算放大器232的經放大的電流330，Ip_cc表示流入運算放大器239的經放大的電流332。Rfb表示電阻222的電阻值。
本發明的某些實施例提供了一種生成輸出電壓(例如，輸出電壓392)的系統控制器(例如，切換控制器200)，該輸出電壓以不隨電阻性負載(例如，電阻性負載292)和/或電容性負載(例如，電容性負載294)改變的速率增大。例如，輸出電壓(例如，輸出電壓392)以適應斜坡電壓(例如，斜坡電壓243)的改變速率的速率增大(例如， 如等式8A和8B所示)。在另一示例中，對斜坡電壓的改變速率的這種適應是在沒有使用外部電容的條件下實現的。
本發明的一些實施例提供了生成輸出電流(例如，輸出電流394)並且確保輸出電流(例如，輸出電流394)的最大幅度不超過預定閾值的系統控制器(例如，切換控制器200)。本發明的某些實施例提供了在系統的啟動過程期間出現異常負荷(例如，短路負荷)的情況下向系統提供保護的系統控制器(例如，切換控制器200)。
根據另一實施例，用於提供至少輸出電壓的系統控制器(例如，切換控制器200)包括被配置為接收輸入電壓(例如，輸入電壓310)的第一控制器端子(例如，控制器端子202)。輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯。系統控制器(例如，切換控制器200)還包括被配置為接收控制電壓(例如，控制電壓390)的第二控制器端子(例如，控制器端子208)、以及被配置為向負載輸出輸出電壓(例如，輸出電壓392)的第三控制器端子(例如，控制器端子204)。系統控制器(例如，切換控制器200)還包括被配置為從第一控制器端子接收輸入電壓並生成供電電壓(例如，供電電壓320)的供電電壓生成器(例如，電壓生成器248)。供電電壓與供電電壓幅度相關聯。系統控制器(例如，切換控制器200)還包括被配置為接收供電電壓並生成斜坡電壓(例如，斜坡電壓243)的斜坡電壓生成器(例如，斜坡電壓生成器242)。如果控制電壓處於第一邏輯位準，則在第一持續時間(例如，Tramp)期間斜坡電壓以第一改變速率(例如，Sramp)從零增大到供電電壓幅度，並且在第二持續時間(例如，Tout)期間輸出電壓以第二改變速率(例如，Sout)從零增大到輸入電壓幅度。第二改變速率等於第一改變速率乘以預定常數(例如，如等式8A和8B所示)。例如，系統控制器(例如，切換控制器200)是根據第2圖、第3圖、和/或第4圖實現的。
在另一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)還包括被偏置到預定電壓的第四控制器端子(例如，控制器端子206)。 在又一示例中，如果控制電壓處於第二邏輯位準，則輸出電壓等於預定電壓。在另一示例中，預定電壓是接地電壓。在再一示例中，第二改變速率不隨負載改變。在又一示例中，負載包括電阻性負載(例如，電阻性負載292)。在再一示例中，負載包括電容性負載(例如，電容性負載294)。在又一示例中，負載包括電容性負載(例如，電容性負載294)和電阻性負載(例如，電阻性負載292)。
根據又一實施例，用於提供至少輸出電壓的系統控制器(例如，切換控制器200)包括被配置為接收輸入電壓(例如，輸入電壓310)的第一控制器端子(例如，控制器端子202)、被配置為接收控制電壓(例如，控制電壓390)的第二控制器端子(例如，控制器端子208)、被配置為輸出輸出電壓(例如，輸出電壓392)的第三控制器端子(例如，控制器端子204)、以及被偏置到預定電壓的第四控制器端子(例如，控制器端子206)。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括電晶體(例如，電晶體210)，該電晶體包括閘極端子(例如，閘極端子1210)、汲極端子(例如，汲極端子1212)、以及源極端子(例如，源極端子1214)。汲極端子連接到第一控制器端子，源極端子連接到第三控制器端子。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第一電阻(例如，電阻224)，該第一電阻包括第一電阻端子(例如，電阻端子1224)和第二電阻端子(例如，電阻端子1225)。第一電阻端子連接到第三控制器端子。而且，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第二電阻(例如，電阻226)，該第二電阻包括第三電阻端子(例如，電阻端子1226)和第四電阻端子(例如，電阻端子1227)。第三電阻端子連接到第二電阻端子，第四電阻端子連接到第四控制器端子。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第三電阻(例如，電阻222)，該第三電阻包括第五電阻端子(例如，電阻端子1223)和第六電阻端子(例如，電阻端子1222)。第五電阻端子被配置為接收與輸出電壓有關的第一電壓(例如，斜坡電壓340)，第六電阻端子連接到電晶體的閘極端 子。再者，系統控制器(例如，切換控制器200)包括被配置為生成斜坡電壓(例如，斜坡電壓243)的斜坡電壓生成器(例如，斜坡電壓生成器242)、以及包括第一放大器端子(例如，放大器端子1238)、第二放大器端子(例如，放大器端子1240)、以及第三放大器端子(例如，放大器端子1236)的跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器232)。第一放大器端子被配置為從第二電阻端子和第三電阻端子接收第二電壓(例如，電壓322)，第二放大器端子被配置為從斜坡電壓生成器接收斜坡電壓，並且第三放大器端子連接到第六電阻端子和電晶體的閘極端子。例如，系統控制器(例如，切換控制器200)是根據第2圖和/或第5圖實現的。
在另一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)還包括被配置為接收控制電壓和輸出電壓並生成第一電壓的電荷泵(例如，電荷泵240)。在又一示例中，電荷泵(例如，電荷泵240)進一步被配置為：回應於控制電壓處於第一邏輯位準，生成等於輸出電壓與預定電壓變化(例如，預定電壓變化△Vc)之和的第一電壓，該預定電壓變化大於零；以及回應於控制電壓處於第二邏輯位準，生成等於輸出電壓的第一電壓。
在又一示例中，預定電壓是接地電壓。在又一示例中，第二電壓等於輸出電壓乘以預定常數(例如，預定常數MR)，該預定常數至少由第一電阻的第一電阻值(例如，電阻值R1)和第二電阻的第二電阻值(例如，電阻值R2)確定。在又一示例匯中，跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器232)被配置為，回應於第二電壓大於斜坡電壓，生成通過第三放大器端子流入跨導運算放大器的經放大的電流。在又一示例中，跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器232)進一步被配置為，回應於第二電壓小於斜坡電壓，生成通過第三放大器端子流出跨導運算放大器的經放大的電流。
根據又一實施例，用於提供至少輸出電流的系統控制器(例如，切換控制器200)包括被配置為接收輸入電壓(例如，輸入電壓 310)的第一控制器端子(例如，控制器端子202)、以及被配置為輸出輸出電流(例如，輸出電流394)的第二控制器端子(例如，控制器端子204)。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第一電晶體(例如，電晶體210)，該第一電晶體包括第一閘極端子(例如，閘極端子1210)、第一汲極端子(例如，汲極端子1212)、以及第一源極端子(例如，源極端子1214)。第一汲極端子被配置為接收輸入電壓，第一源極端子連接到第二控制器端子。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第二電晶體(例如，電晶體212)，該第二電晶體包括第二閘極端子(例如，閘極端子1216)、第二汲極端子(例如，汲極端子1218)、以及第二源極端子(例如，源極端子1219)。第二源極端子連接到第二控制器端子。系統控制器(例如，切換控制器200)還包括第一電阻(例如，電阻220)，該第一電阻包括第一電阻端子(例如，電阻端子1220)和第二電阻端子(例如，電阻端子1221)。第一電阻端子被配置為接收輸入電壓，第二電阻端子與第一電壓(例如，電壓350)相關聯並且連接到第二汲極端子。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第二電阻(例如，電阻222)，該第二電阻包括第三電阻端子(例如，電阻端子1223)和第四電阻端子(例如，電阻端子1222)。第三電阻端子被配置為接收第二電壓(例如，斜坡電壓340)，第四電阻端子連接到第一電晶體的第一閘極端子和第二電晶體的第二閘極端子。而且，系統控制器(例如，切換控制器200)包括跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器230)，該跨導運算放大器包括第一放大器端子(例如，放大器端子1232)、第二放大器端子(例如，放大器端子1234)、以及第三放大器端子(例如，放大器端子1230)。第三放大器端子連接到第四電阻端子、第一電晶體的第一閘極端子、以及第二電晶體的第二閘極端子。跨導運算放大器被配置為：至少基於與輸入電壓和第一電壓相關聯的資訊生成經放大的電流；以及回應於輸入電壓減去第一電流大於預定偏移電流(例如，預定偏移電流△VL)，生成通過第三放大器端子流入跨導運算放大器的經放 大的電流。例如，系統控制器(例如，切換控制器200)是根據第2圖和/或第5圖實現的。
在另一示例中，跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器230)進一步被配置為：回應於輸入電壓減去第一電壓小於預定偏移電壓，生成通過第三放大器端子流出跨導運算放大器的經放大的電流。在又一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)還包括：電壓調節器，被配置為從第二電阻端子和第二汲極端子接收第一電壓並生成第三電壓(例如，電壓351)。第三電壓等於第一電壓與預定偏移電壓之和。
在又一示例中，跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器230)進一步被配置為在第一放大器端子接收輸入電壓，並且在第二放大器端子接收第三電壓。在又一示例中，跨導運算放大器(例如，跨導運算放大器230)進一步被配置為：回應於輸入電壓大於第三電壓，生成通過第三放大器端子流入跨導運算放大器的經放大的電流；以及回應於輸入電壓小於第三電壓，生成通過第三放大器端子流出跨導運算放大器的經放大的電流。
在又一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)進一步包括被配置為接收控制電壓(例如，控制電壓390)的第三控制器端子(例如，控制器端子208)。在又一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)被配置為，在控制電壓處於第一邏輯位準的情況下，避免輸出電流的最大幅度超過預定閾值。在又一示例中，第二控制器端子(例如，控制器端子204)進一步被配置為輸出輸出電壓(例如，輸出電壓392)。
在又一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)還包括：電荷泵(例如，電荷泵240)，被配置為接收控制電壓和輸出電壓並生成第二電壓。在又一示例中，電荷泵(例如，電荷泵240)進一步被配置為：回應於控制電壓處於第一邏輯位準，生成等於輸出電壓與預定電壓變化(例如，預定電壓變化△Vc)之和的第二電壓，預定電壓變化大 於零；以及回應於控制電壓處於第二邏輯位準，生成等於輸出電壓的第二電壓。
根據又一實施例，用於保護的系統控制器(例如，切換控制器200)包括被配置為接收輸入電壓(例如，輸入電壓310)的第一控制器端子(例如，控制器端子202)、被配置為接收控制電壓(例如，控制電壓390)的第二控制器端子(例如，控制器端子208)、被配置為輸出輸出電壓(例如，輸出電壓392)的第三控制器端子(例如，控制器端子204)、以及被偏置到預定電壓的第四控制器端子(例如，控制器端子206)。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第一電晶體(例如，電晶體210)，該第一電晶體包括第一閘極端子(例如，閘極端子1210)、第一汲極端子(例如，汲極端子1212)、以及第一源極端子(例如，源極端子1214)。第一汲極端子連接到第三控制器端子，第一源極端子連接到第三控制器端子。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第一電阻(例如，電阻224)，該第一電阻包括第一電阻端子(例如，電阻端子1224)和第二電阻端子(例如，電阻端子1225)。第一電阻端子連接到第三控制器端子。另外，系統控制器(例如，切換控制器200)包括第二電阻(例如，電阻226)，該第二電阻包括第三電阻端子(例如，電阻端子1226)和第四電阻端子(例如，電阻端子1227)。第三電阻端子連接到第二電阻端子，第四電阻端子連接到第四控制器端子。系統控制器(例如，切換控制器200)還包括比較器(例如，比較器244)，該比較器包括第一比較器端子(例如，比較器端子1246)、第二比較器端子(例如，比較器端子1248)、以及第三比較器端子(例如，比較器端子1244)。第一比較器端子被配置為從第二電阻端子和第三電阻端子接收第一電壓(例如，電壓322)，並且第二比較器端子被配置為接收參考電壓(例如，參考電壓324)。第三比較器端子被配置為輸出比較信號(例如，比較信號326)。系統控制器(例如，切換控制器200)還包括被配置為接收比較信號的邏輯控制器(例如，邏輯控制器246)。邏輯 控制器(例如，邏輯控制器246)進一步被配置為：在比較信號指示在從系統控制器(例如，切換控制器200)的啟動過程開始的預定持續時間之後第一電壓保持小於參考電壓的情況下，生成切斷第一電晶體並終止啟動過程的保護信號。例如，系統控制器(例如，切換控制器200)是根據第2圖和/或第6圖實現的。
在另一示例中，第四控制器端子(例如，控制器端子206)被偏置到接地電壓。在又一示例中，系統控制器(例如，切換控制器200)還包括第二電晶體(例如，電晶體212)，該第二電晶體包括第二閘極端子(例如，閘極端子1216)、第二汲極端子(例如，汲極端子1218)、以及第二源極端子(例如，源極端子1219)。第二源極端子連接到第三控制器端子(例如，控制器端子204)，並且第二閘極端子連接到第一閘極端子(例如，閘極端子1210)。
在又一示例中，邏輯控制器(例如，邏輯控制器246)進一步被配置為：在比較信號指示在從系統控制器(例如，切換控制器200)的啟動過程開始的預定持續時間之後第一電壓保持小於參考電壓的情況下，生成切斷第二電晶體的保護信號。在又一示例中，比較器(例如，比較器244)被配置為：在參考電壓(例如，參考電壓324)在幅度上小於第一電壓(例如，電壓322)的情況下，生成第一邏輯位準的比較信號(例如，比較信號326)；以及在參考電壓(例如，參考電壓324)在幅度上大於第一電壓(例如，電壓322)的情況下，生成第二邏輯位準的比較信號(例如，比較信號326)。在又一示例中，第一邏輯位準是邏輯低位準，第二邏輯位準是邏輯高位準。
在又一示例中，邏輯控制器(例如，邏輯控制器246)進一步被配置為：接收控制電壓(例如，控制電壓390)；以及至少部分地基於控制信號感測系統控制器(例如，切換控制器200)的啟動過程的開始。在又一示例中，邏輯控制器(例如，邏輯控制器246)進一步被配置為：感測控制電壓(例如，控制電壓390)從第一邏輯位準變為第二邏 輯位準；以及回應於感測到控制電壓從第一邏輯位準變為第二邏輯位準，確定系統控制器(例如，切換控制器200)的啟動過程開始。在又一示例中，第一邏輯位準是邏輯低位準，第二邏輯位準是邏輯高位準。
根據又一實施例，用於提供至少輸出電壓的方法包括接收輸入電壓(例如，輸入電壓310)。輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯。另外，該方法包括：接收控制電壓(例如，控制電壓390)，輸出輸出電壓(例如，輸出電壓392)，並且至少部分地基於輸入電壓生成供電電壓(例如，供電電壓320)。供電電壓與供電電壓幅度相關聯。另外，該方法包括：接收供電電壓，並且至少部分地基於供電電壓生成斜坡電壓(例如，斜坡電壓243)。如果控制電壓處於第一邏輯位準，則在第一持續時間(例如，Tramp)期間斜坡電壓以第一改變速率(例如，Sramp)從零增大到供電電壓幅度，並且在第二持續時間(例如，Tout)期間輸出電壓以第二改變速率(例如，Sout)從零增大到輸入電壓幅度。第二改變速率等於第一改變速率乘以預定常數(例如，如等式8A和8B所示)。例如，該方法是根據第2圖、第3圖、和/或第4圖實現的。
在另一示例中，如果控制電壓處於第二邏輯位準，輸出電壓等於預定電壓。在又一示例中，預定電壓是接地電壓。
例如，本發明的各種實施例的一些或所有元件分別或者組合起來是使用一個或多個軟體元件、一個或多個硬體元件、和/或軟體和硬體元件的一個或多個組合實現的。在另一示例中，本發明的各種實施例的一些或所有元件分別或者與至少另一元件組合起來是由一個或多個電路(例如，一個或多個類比電路和/或一個或多個數位電路)實現的。在又一示例中，本發明的各種實施例和/或示例可以結合在一起。
儘管已經描述了本發明的具體實施例，但是本領域普通技術人員將理解的是，存在等同於所描述的實施例的其他實施例。因此，應該理解的是，本發明不限於具體闡述的實施例，而僅受所附申請專利範圍的限制。

Claims (37)

  1. 一種用於提供至少輸出電壓的系統控制器，該系統控制器包括：第一控制器端子，被配置為接收輸入電壓，該輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯；第二控制器端子，被配置為接收控制電壓；第三控制器端子，被配置為向負載輸出輸出電壓；供電電壓生成器，被配置為從所述第一控制器端子接收所述輸入電壓並生成供電電壓，該供電電壓與供電電壓幅度相關聯；以及斜坡電壓生成器，被配置為接收所述供電電壓並生成斜坡電壓，其中如果所述控制電壓處於第一邏輯位準，則在第一持續時間期間，所述斜坡電壓以第一變化速率從零增大到所述供電電壓幅度，並且在第二持續時間期間，所述輸出電壓以第二變化速率從零增大到所述輸入電壓幅度，其中，所述第二變化速率等於所述第一變化速率乘以預定常數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的系統控制器，還包括：被偏置到預定電壓的第四控制器端子。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的系統控制器，其中，如果所述控制電壓處於第二邏輯位準，則所述輸出電壓等於所述預定電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的系統控制器，其中，所述預定電壓是接地電壓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的系統控制器，其中，所述第二變化速率不隨所述負載改變。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的系統控制器，其中，所述負載包括電阻性負載。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的系統控制器，其中，所述負載包括電 容性負載。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的系統控制器，其中，所述負載還包括電阻性負載。
  9. 一種用於提供至少輸出電壓的系統控制器，該系統控制器包括：第一控制器端子，被配置為接收輸入電壓；第二控制器端子，被配置為接收控制電壓；第三控制器端子，被配置為輸出輸出電壓；第四控制器端子，被偏置到預定電壓；電晶體，包括閘極端子、汲極端子、以及源極端子，所述汲極端子連接到所述第一控制器端子，所述源極端子連接到所述第三控制器端子；第一電阻，包括第一電阻端子和第二電阻端子，所述第一電阻端子連接到所述第三控制器端子；第二電阻，包括第三電阻端子和第四電阻端子，所述第三電阻端子連接到所述第二電阻端子，所述第四電阻端子連接到所述第四控制器端子；第三電阻，包括第五電阻端子和第六電阻端子，所述第五電阻端子被配置為接收與所述輸出電壓有關的第一電壓，所述第六電阻端子連接到所述電晶體的所述閘極端子；斜坡電壓生成器，被配置為生成斜坡電壓；跨導運算放大器，包括第一放大器端子、第二放大器端子、以及第三放大器端子，所述第一放大器端子被配置為從所述第二電阻端子和所述第三電阻端子接收第二電壓，所述第二放大器端子被配置為從所述斜坡電壓生成器接收所述斜坡電壓，所述第三放大器端子連接到所述第六電阻端子和所述電晶體的所述閘極端子。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的系統控制器，還包括：電荷泵，被配置為接收所述控制電壓和所述輸出電壓並生成所述第一電壓。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的系統控制器，其中，所述電荷泵進 一步被配置為：回應於所述控制電壓處於第一邏輯位準，生成等於所述輸出電壓與預定電壓變化之和的所述第一電壓，所述預定電壓變化大於零；以及回應於所述控制電壓處於第二邏輯位準，生成等於所述輸出電壓的所述第一電壓。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的系統控制器，其中，所述預定電壓是接地電壓。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的系統控制器，其中，所述第二電壓等於所述輸出電壓乘以預定常數，所述預定常數至少取決於所述第一電阻的第一電阻值和所述第二電阻的第二電阻值。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的系統控制器，其中，所述跨導運算放大器被配置為，回應於所述第二電壓大於所述斜坡電壓，生成通過所述第三放大器端子流入所述跨導運算放大器的經放大的電流。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的系統控制器，其中，所述跨導運算放大器進一步被配置為，回應於所述第二電壓小於所述斜坡電壓，生成通過所述第三放大器端子流出所述跨導運算放大器的經放大的電流。
  16. 一種用於提供至少輸出電流的系統控制器，該系統控制器包括：第一控制器端子，被配置為接收輸入電壓；第二控制器端子，被配置為輸出輸出電流；第一電晶體，包括第一閘極端子、第一汲極端子、以及第一源極端子，所述第一汲極端子被配置為接收所述輸入電壓，所述第一源極端子連接到所述第二控制器端子；第二電晶體，包括第二閘極端子、第二汲極端子、以及第二源極端子，所述第二源極端子連接到所述第二控制器端子；第一電阻，包括第一電阻端子和第二電阻端子，所述第一電阻端子被配置為接收所述輸入電壓，所述第二電阻端子與第一電壓相關聯並且連接到所述第二汲極端子； 第二電阻，包括第三電阻端子和第四電阻端子，所述第三電阻端子被配置為接收第二電壓，所述第四電阻端子連接到所述第一電晶體的所述第一閘極端子和所述第二電晶體的所述第二閘極端子；跨導運算放大器，包括第一放大器端子、第二放大器端子、以及第三放大器端子，所述第三放大器端子連接到所述第四電阻端子、所述第一電晶體的所述第一閘極端子、以及所述第二電晶體的所述第二閘極端子；其中，所述跨導運算放大器被配置為：至少基於與所述輸入電壓和所述第一電壓相關聯的資訊，生成經放大的電流；以及回應於所述輸入電壓減去所述第一電壓大於預定偏移電壓，生成通過所述第三放大器端子流入所述跨導運算放大器的經放大的電流。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的系統控制器，其中，所述跨導運算放大器進一步被配置為，回應於所述輸入電壓減去所述第一電壓小於所述預定偏移電壓，生成通過所述第三放大器端子流出所述跨導運算放大器的經放大的電流。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的系統控制器，還包括：電壓調節器，被配置為從所述第二電阻端子和所述第二汲極端子接收所述第一電壓並生成第三電壓，所述第三電壓等於所述第一電壓與所述預定偏移電壓之和。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的系統控制器，其中，所述跨導運算放大器進一步被配置為：在所述第一放大器端子接收所述輸入電壓；以及在所述第二放大器端子接收所述第三電壓。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的系統控制器，其中，所述跨導運算放大器進一步被配置為：回應於所述輸入電壓大於所述第三電壓，生成通過所述第三放大器端子流入所述跨導運算放大器的經放大的電流；以及 回應於所述輸入電壓小於所述第三電壓，生成通過所述第三放大器端子流出所述跨導運算放大器的經放大的電流。
  21. 如申請專利範圍第16項所述的系統控制器，還包括：第三控制器端子，被配置為接收控制電壓。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的系統控制器，被配置為：在所述控制電壓處於第一邏輯位準的情況下，避免所述輸出電流的最大幅度超過預定閾值。
  23. 如申請專利範圍第21項所述的系統控制器，其中，所述第二控制器端子進一步被配置為輸出輸出電壓。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的系統控制器，還包括：電荷泵，被配置為接收所述控制電壓和所述輸出電壓並生成所述第二電壓。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的系統控制器，其中，所述電荷泵進一步被配置為：回應於所述控制電壓處於第一邏輯位準，生成等於所述輸出電壓與預定電壓變化之和的所述第二電壓，所述預定電壓變化大於零；以及回應於所述控制電壓處於第二邏輯位準，生成等於所述輸出電壓的所述第二電壓。
  26. 一種用於保護的系統控制器，該系統控制器包括：第一控制器端子，被配置為接收輸入電壓；第二控制器端子，被配置為接收控制電壓；第三控制器端子，被配置為輸出輸出電壓；第四控制器端子，被偏置到預定電壓；第一電晶體，包括第一閘極端子、第一汲極端子、以及第一源極端子，所述第一汲極端子連接到所述第一控制器端子，所述第一源極端子連接到所述第三控制器端子；第一電阻，包括第一電阻端子和第二電阻端子，所述第一電阻端子連 接到所述第三控制器端子；第二電阻，包括第三電阻端子和第四電阻端子，所述第三電阻端子連接到所述第二電阻端子，所述第四電阻端子連接到所述第四控制器端子；比較器，包括第一比較器端子、第二比較器端子、以及第三比較器端子，所述第一比較器端子被配置為從所述第二電阻端子和所述第三電阻端子接收第一電壓，所述第二比較器端子被配置為接收參考電壓，所述第三比較器端子被配置為輸出比較信號；邏輯控制器，被配置為接收所述比較信號；其中，所述邏輯控制器進一步被配置為，在所述比較信號指示在從所述系統控制器的啟動過程開始的預定持續時間之後所述第一電壓保持小於所述參考電壓的情況下，生成切斷所述第一電晶體並終止所述啟動過程的保護信號。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的系統控制器，其中，所述第四控制器端子被偏置到接地電壓。
  28. 如申請專利範圍第26項所述的系統控制器，還包括：第二電晶體，包括第二閘極端子、第二汲極端子、以及第二源極端子，其中，所述第二源極端子連接到所述第三控制器端子，並且所述第二閘極端子連接到所述第一閘極端子。
  29. 如申請專利範圍第28項所述的系統控制器，其中，所述邏輯控制器進一步被配置為，在所述比較信號指示在從所述系統控制器的所述啟動過程開始的所述預定持續時間之後所述第一電壓保持小於所述參考電壓的情況下，生成切斷所述第二電晶體的所述保護信號。
  30. 如申請專利範圍第26項所述的系統控制器，其中，所述比較器被配置為：如果所述參考電壓在幅度上小於所述第一電壓，則生成處於第一邏輯位準的所述比較信號；以及如果所述參考電壓在幅度上大於所述第一電壓，則生成處於第二邏輯 位準的所述比較信號。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的系統控制器，其中：所述第一邏輯位準是邏輯低位準；並且所述第二邏輯位準是邏輯高位準。
  32. 如申請專利範圍第26項所述的系統控制器，其中，所述邏輯控制器進一步被配置為：接收所述控制電壓；以及至少部分地基於所述控制信號，感測所述系統控制器的所述啟動過程的開始。
  33. 如申請專利範圍第32項所述的系統控制器，其中，所述邏輯控制器進一步被配置為：感測所述控制電壓從第一邏輯位準變到第二邏輯位準；以及響應於感測到所述控制電壓從所述第一邏輯位準變到所述第二邏輯位準，確定所述系統控制器的啟動過程開始。
  34. 如申請專利範圍第33項所述的系統控制器，其中：所述第一邏輯位準是邏輯低位準；並且所述第二邏輯位準是邏輯高位準。
  35. 一種用於提供至少輸出電壓的方法，該方法包括：接收輸入電壓，該輸入電壓與輸入電壓幅度相關聯；接收控制電壓；輸出輸出電壓；至少部分地基於所述輸入電壓生成供電電壓，該供電電壓與供電電壓幅度相關聯；接收所述供電電壓；以及至少部分地基於所述供電電壓生成斜坡電壓，其中如果所述控制電壓處於第一邏輯位準，則在第一持續時間期間，所述斜坡電壓以第一變化速率從零增大到所述 供電電壓幅度；並且在第二持續時間期間，所述輸出電壓以第二變化速率從零增大到所述輸入電壓幅度，其中，所述第二變化速率等於所述第一變化速率乘以預定常數。
  36. 如申請專利範圍第35項所述的方法，其中，在所述控制電壓處於第二邏輯位準的情況下，所述輸出電壓等於所述預定電壓。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的方法，其中，所述預定電壓是接地電壓。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107508462B (zh) 2017-07-10 2020-01-07 昂宝电子（上海）有限公司 针对负载的切换控制器和方法
US10432175B2 (en) * 2018-01-10 2019-10-01 Texas Instruments Incorporated Low quiescent current load switch
CN108227816B (zh) * 2018-01-26 2019-03-08 武汉新芯集成电路制造有限公司 低电压降落稳压器
US11444532B2 (en) * 2019-12-26 2022-09-13 Intel Corporation Non-linear clamp strength tuning method and apparatus
US11375451B2 (en) 2020-10-02 2022-06-28 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Target wake time synchronization across virtual access points
US11563430B2 (en) * 2020-10-30 2023-01-24 Texas Instruments Incorporated Transistor diagnostic circuit

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2556612B2 (ja) 1990-08-29 1996-11-20 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 バレルシフタ回路
US5714809A (en) * 1995-10-12 1998-02-03 International Business Machines Corporation Soft switching circuit with current-mode control
US6922044B2 (en) 2002-09-06 2005-07-26 Intersil Americas Inc. Synchronization of multiphase synthetic ripple voltage regulator
JP4678215B2 (ja) 2005-03-15 2011-04-27 サンケン電気株式会社 スイッチング電源装置
US7339425B2 (en) * 2006-08-03 2008-03-04 Elite Semiconductor Memory Technology, Inc. Class-D audio amplifier with half-swing pulse-width-modulation
CN102246220B (zh) 2008-12-09 2014-10-29 伊格尼斯创新公司 用于发射型显示器的低功率电路和驱动方法
TWI379499B (en) 2009-06-01 2012-12-11 Richtek Technology Corp Switching regulator and control circuit thereof, and method for determining on-time in switching regulator
US20120049826A1 (en) 2010-08-31 2012-03-01 Intersil Americas Inc. System and method of adaptive slope compensation for voltage regulator with constant on-time control
US8488338B2 (en) 2010-10-01 2013-07-16 System General Corporation Controller with valley switching and limited maximum frequency for quasi-resonant power converters
US8941365B2 (en) 2011-08-16 2015-01-27 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to improve power factor at light-load
US9190899B2 (en) 2011-09-28 2015-11-17 General Electric Company Power factor correction (PFC) circuit configured to control high pulse load current and inrush current
US8786377B2 (en) 2011-11-21 2014-07-22 Intersil Americas LLC System and method of maintaining gain linearity of variable frequency modulator
US9419527B2 (en) 2012-03-07 2016-08-16 Dialog Semiconductor Inc. Regulation for power supply mode transition to low-load operation
JP5966606B2 (ja) 2012-05-17 2016-08-10 富士電機株式会社 スイッチング電源装置
CN103683918B (zh) 2012-09-25 2017-09-01 富士电机株式会社 开关电源装置
US9312844B2 (en) * 2012-11-15 2016-04-12 Microchip Technology Incorporated Slope compensation module
US9244473B2 (en) * 2013-05-08 2016-01-26 Intersil Americas LLC Current ramping during multiphase current regulation
US9722490B2 (en) * 2013-09-05 2017-08-01 Intersil Americas LLC Smooth transition of a power supply from a first mode, such as a pulse-frequency-modulation (PFM) mode, to a second mode, such as a pulse-width-modulation (PWM) mode
CN104967328B (zh) * 2015-07-15 2017-12-15 昂宝电子（上海）有限公司 用于调节电源变换系统的输出电流的系统和方法
US9614444B2 (en) * 2014-09-11 2017-04-04 Infineon Technologies Austria Ag Dynamic voltage transition control in switched mode power converters
JP6679851B2 (ja) * 2015-07-17 2020-04-15 富士電機株式会社 力率改善コンバータ
CN105634279B (zh) * 2016-03-25 2018-03-20 东南大学 一种提高单电感多输出电源变换器负载瞬态响应的方法
CN107508462B (zh) 2017-07-10 2020-01-07 昂宝电子（上海）有限公司 针对负载的切换控制器和方法

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