KR20030021383A - A method for manufacturing liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
본 발명은 개구율 저하를 방지할 수 있는 액정 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 어레이 기판상에 일방향으로 복수개의 게이트 라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 복수개의 데이터 라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 결과물 상부에 보호막을 증착하고, 상기 박막 트랜지스터가 소정부분 노출되도록 상기 보호막을 제거하여 콘택홀을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인이 선택적으로 노출되도록 상기 보호막을 제거하는 단계와, 상기 결과물 상부에 유기 절연막을 증착하고, 상기 콘택홀이 노출되도록 유기 절연막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함하고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인 일측상에 복수개의 픽셀전극을 형성하는 단계를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of preventing a decrease in aperture ratio. Forming a thin film transistor at an intersection of the gate line and the data line, depositing a passivation layer on the resultant, and removing the passivation layer to expose a predetermined portion of the thin film transistor to form a contact hole. And removing the passivation layer to selectively expose the data line, depositing an organic insulating layer on the resultant, selectively removing the organic insulating layer to expose the contact hole, and including the contact hole. A plurality of pixel electrodes on one side of the gate line and the data line And forming.
Description
본 발명은 액정 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 개구율 저하를 방지할 수 있는 액정 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a liquid crystal display device which can prevent a decrease in aperture ratio.
일반적으로, 투과형 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display : TFT LCD)는 소비전력의 감소 및 휘도를 향상시키기 위해 개구율(Aperture Ratio)을 증가시키기 위한 많은 방법들이 제시되어 왔다.In general, a thin film transistor liquid crystal display (TFT LCD) has been proposed to increase the aperture ratio in order to reduce power consumption and improve brightness.
그 중 가장 대표적인 방법으로는, 저유전상수를 갖는 유기 절연막을 화소전극과 데이터 라인 사이에 적용하여 상호 전극간의 기생 용량을 줄이고, 화소전극을 데이터 라인상에 형성하므로 전계 차단 효과를 이용하여 개구율을 증가시키는 기술이 있다.The most representative method is to apply an organic insulating film having a low dielectric constant between the pixel electrode and the data line to reduce the parasitic capacitance between the electrodes, and to form the pixel electrode on the data line to increase the aperture ratio by using the field blocking effect There is a technique to let.
상기와 같은 저유전상수를 적용하여 고개구율 판넬을 제작하는 방법은 5마스크 공정에서 9마스크 공정까지 여러 방법에 의해 제조되며, 그 방법의 다양성을 갖는다.The method of manufacturing a high-aperture-rate panel by applying the low dielectric constant as described above is manufactured by various methods from a 5 mask process to a 9 mask process, and has a variety of methods.
이러한 관점에서, 종래기술에 따른 액정 표시 장치의 제조방법에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.In this regard, a method of manufacturing a liquid crystal display according to the related art will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
도 1은 종래의 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A선에 따른 단면도이다.1 is a plan view illustrating a conventional liquid crystal display, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 1.
종래기술에 따른 액정 표시 장치의 제조방법은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 어레이 유리기판(10)상에 일방향으로 복수개의 게이트 라인(11)을 형성하고, 상기 게이트 라인(11)상에 게이트 절연막(12)을 형성한 후, 상기 게이트 라인(11)과 수직한 방향으로 복수개의 데이터 라인(13)을 형성한다.In the method of manufacturing a liquid crystal display according to the related art, as illustrated in FIGS. 1 and 2, a plurality of gate lines 11 are formed in one direction on an array glass substrate 10, and the gate lines 11 are formed. After the gate insulating layer 12 is formed on the substrate, a plurality of data lines 13 are formed in a direction perpendicular to the gate line 11.
이때, TFT(17)는 상기 게이트 라인(11)의 일부분에 게이트 라인(11)과 수직한 방향으로 게이트 전극(11a)을 형성한다. 또한, 상기 데이터 라인(13)의 일부분 및 상기 게이트 전극(11a)의 일측상에 일방향으로 드레인 전극(13a)을 형성한 후, 상기 드레인 전극(13a)과 소정간격 이격된 거리 및 상기 게이트 라인(11a)의 다른측상에 소오스 전극(13b)을 형성한다.At this time, the TFT 17 forms a gate electrode 11a on a portion of the gate line 11 in a direction perpendicular to the gate line 11. In addition, after the drain electrode 13a is formed on one portion of the data line 13 and one side of the gate electrode 11a in one direction, the distance and the gate line (a predetermined distance from the drain electrode 13a are formed). The source electrode 13b is formed on the other side of 11a).
그다음, 상기 데이터 라인(13)을 포함한 전면에 보호막(15)을 형성하고, 상기 드레인 전극(13a)이 소정부분 노출되도록 상기 보호막(15)을 식각 제거하여 콘택홀(14)을 형성한다.Next, the passivation layer 15 is formed on the entire surface including the data line 13, and the contact layer 14 is formed by etching the passivation layer 15 to expose a portion of the drain electrode 13a.
이어서, 상기 결과물 상부에 유기 절연막(16)을 증착하고, 상기 콘택홀(14)이 노출되도록 상기 유기 절연막(16)을 선택적으로 식각한다.Subsequently, an organic insulating layer 16 is deposited on the resultant, and the organic insulating layer 16 is selectively etched to expose the contact hole 14.
그다음, 상기 콘택홀(14)을 포함하고, 상기 게이트 라인(11) 및 데이터 라인(13) 일측상에 복수개의 픽셀전극(17)을 형성한다.Next, a plurality of pixel electrodes 17 are formed on the side of the gate line 11 and the data line 13 including the contact hole 14.
그러나 상기와 같은 종래의 액정 표시 장치의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the above-described conventional manufacturing method of the liquid crystal display device has the following problems.
종래기술에 의하면, 유기 절연막을 적용한 고개구율용 판넬의 공통적인 특징으로는 픽셀전극과 데이터 라인의 오버랩을 위하여 일반적인 판넬에 비해 데이터 라인을 넓게 형성시킨다. 상기 데이터 라인은 적정 오버랩 및 화소전극 간격 유지를 위해 약 10∼13㎛ 정도로 형성시킨다.According to the related art, a common feature of the high-aperture-rate panel to which the organic insulating layer is applied is to form a wider data line than a general panel for overlapping the pixel electrode and the data line. The data line is formed to about 10 to 13㎛ for proper overlap and maintaining the pixel electrode spacing.
따라서, 넓게 형성된 데이터 라인에 의한 메탈 반사가 일반적인 판넬에 비해크게 형성된다. 이러한 데이터 라인에 의한 메탈 반사를 방지하기 위해 일반적으로 고개구율 판넬에서는 적용하지 않아도 되는 블랙 매트릭스층을 컬러 필터 기판에 형성하게 된다.Therefore, the metal reflection by the widely formed data lines is larger than that of the general panel. In order to prevent metal reflection by such data lines, a black matrix layer is generally formed on the color filter substrate, which does not need to be applied in a high aperture panel.
즉, 도 3과 같이, 외부 빛의 반사를 막기 위해 컬러 필터 기판(20)에 블랙 매트릭스층(21)을 형성한다. 이때, 상기 블랙 매트릭스층(21)의 폭은 공정 안료의 마진 등을 고려할 때, 현재 최소 6∼8㎛가 최소 형성 가능한 폭이다.That is, as shown in FIG. 3, the black matrix layer 21 is formed on the color filter substrate 20 to prevent reflection of external light. At this time, the width of the black matrix layer 21 is at least 6 to 8㎛ present minimum width, considering the margin of the process pigment.
따라서, 상기 블랙 매트릭스층(21)이 8㎛로 형성된 경우, 컬러 필터 기판 (20)과 어레이 기판(10) 합착시 발생되는 합착 마진에 의해 개구율의 변화가 일어난다. 즉, 어레이 기판과 컬러 필터 기판을 합착하는 공정에서 틀어짐에 의해 개구율 저하가 나타난다.Therefore, when the black matrix layer 21 is formed to 8 μm, the change of the aperture ratio occurs due to the bonding margin generated when the color filter substrate 20 and the array substrate 10 are bonded together. In other words, the opening ratio decreases due to distortion in the process of bonding the array substrate and the color filter substrate together.
이에 , 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 데이터 라인으로 사용되는 금속막의 표면을 거칠게 처리하여 메탈 반사를 제거함으로써 합착 공정에서 틀어짐에 의한 개구율 저하를 방지할 수 있는 액정 표시 장치의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, the liquid crystal display that can prevent the opening ratio decrease due to distortion in the bonding process by removing the metal reflection by roughening the surface of the metal film used as a data line It is an object to provide a method of manufacturing the device.
도 1은 종래의 액정 표시 장치를 나타낸 평면도1 is a plan view showing a conventional liquid crystal display device
도 2는 도 1의 A-A선에 따른 단면도2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 3은 종래의 메탈 반사 및 합착 틀어짐을 나타낸 단면도Figure 3 is a cross-sectional view showing a conventional metal reflection and bonding distortion
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도4 is a plan view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 도 4의 B-B선에 따른 단면도5 is a cross-sectional view taken along the line B-B of FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 어레이 유리 기판 101 : 게이트 라인100: array glass substrate 101: gate line
101a : 게이트 전극 102 : 게이트 절연막101a: gate electrode 102: gate insulating film
103 : 데이터 라인 103a : 드레인 전극103: data line 103a: drain electrode
103b : 소오스 전극 104 : 콘택홀103b: source electrode 104: contact hole
105 : 보호막 106 : 유기 절연막105: protective film 106: organic insulating film
108 : 픽셀 전극108: pixel electrode
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치의 제조방법은, 어레이 기판상에 일방향으로 복수개의 게이트 라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 복수개의 데이터 라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 결과물 상부에 보호막을 증착하고, 상기 박막 트랜지스터가 소정부분 노출되도록 상기 보호막을 제거하여 콘택홀을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인이 선택적으로 노출되도록 상기 보호막을 제거하는 단계와, 상기 결과물 상부에 유기 절연막을 증착하고, 상기 콘택홀이 노출되도록 유기 절연막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함하고, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인 일측상에 복수개의 픽셀전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display, including: forming a plurality of gate lines in one direction on an array substrate, and forming a plurality of data lines in a direction perpendicular to the gate line; And forming a thin film transistor at a portion where the gate line and the data line cross each other, depositing a passivation layer on the resultant, and removing the passivation layer to expose a predetermined portion of the thin film transistor to form a contact hole. Removing the passivation layer to selectively expose a data line, depositing an organic insulating layer on the resultant, selectively removing the organic insulating layer to expose the contact hole, and including the contact hole, and the gate Forming a plurality of pixel electrodes on one side of the line and the data line Characterized in that it comprises a.
또한, 상기 데이터 라인이 선택적으로 노출되도록 상기 보호막을 제거시 건식식각 공정을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use a dry etching process when removing the protective film so that the data line is selectively exposed.
그리고, 상기 데이터 라인이 선택적으로 노출되도록 상기 보호막을 제거시 노출된 데이터 라인의 표면이 거칠게되는 것이 바람직하다.The surface of the exposed data line may be roughened when the protective layer is removed to selectively expose the data line.
이하, 본 발명의 액정 표시 장치의 제조방법은 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal display of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 5는 도 4의 B-B선에 따른 단면도이다.4 is a plan view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 4.
본 발명의 액정 표시 장치의 제조방법은, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 어레이 유리기판(100)상에 일방향으로 복수개의 게이트 라인(101)을 형성하고, 상기 게이트 라인(101)상에 게이트 절연막(102)을 형성한 후, 상기 게이트 라인(101)과 수직한 방향으로 복수개의 데이터 라인(103)을 형성한다.In the method of manufacturing the liquid crystal display of the present invention, as shown in FIGS. 4 and 5, a plurality of gate lines 101 are formed in one direction on the array glass substrate 100, and on the gate lines 101. After the gate insulating layer 102 is formed on the substrate, a plurality of data lines 103 are formed in a direction perpendicular to the gate line 101.
여기서, 상기 게이트 라인(101)과 데이터 라인(103)이 교차하는 부분에 TFT(117)가 형성된다. 즉, 상기 TFT(117)는 상기 게이트 라인(101)의 일부분에 게이트 라인(101)과 수직한 방향으로 게이트 전극(101a)을 형성한다.Here, the TFT 117 is formed at a portion where the gate line 101 and the data line 103 cross each other. In other words, the TFT 117 forms a gate electrode 101a on a portion of the gate line 101 in a direction perpendicular to the gate line 101.
그다음, 상기 데이터 라인(103)의 일부분 및 상기 게이트 전극(101a)의 일측상에 일방향으로 드레인 전극(103a)을 형성한 후, 상기 드레인 전극(103a)과 소정간격 이격된 거리 및 상기 게이트 라인(101a)의 다른측상에 소오스 전극(103b)을 형성한다.Next, after forming the drain electrode 103a in one direction on a portion of the data line 103 and on one side of the gate electrode 101a, the gate line (the distance and the distance spaced apart from the drain electrode 103a by a predetermined distance) The source electrode 103b is formed on the other side of 101a.
이어서, 상기 데이터 라인(103)을 포함한 전면에 보호막(105)을 형성하고, 상기 드레인 전극(103a)이 소정부분 노출되도록 상기 보호막(104)을 식각 제거하여 콘택홀(104)을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인(103)이 소정부분 노출되도록 상기 보호막(105)을 선택적으로 제거한다. 이때, 상기 보호막(105) 제거시 건식식각 공정을 이용한다.Subsequently, a passivation layer 105 is formed on the entire surface including the data line 103, and the passivation layer 104 is etched away so that the drain electrode 103a is exposed to a predetermined portion, thereby forming a contact hole 104. The protective layer 105 is selectively removed so that the data line 103 is partially exposed. In this case, a dry etching process is used to remove the protective film 105.
따라서, 상기 노출된 데이터 라인(103)의 표면의 거칠기가 증가하게 되므로 외부에서 입사된 빛이 표면에서 난반사를 일으켜 반사되는 빛이 여러 방향으로 퍼지게 되며, 그 빛의 세기가 줄어들게 된다.Therefore, since the roughness of the exposed surface of the data line 103 is increased, the light incident from the outside causes diffuse reflection on the surface, and the reflected light spreads in various directions, and the intensity of the light is reduced.
그러므로 컬러 필터 기판에 블랙 매트릭스층을 사용하지 않고도 판넬 외부에서 입사되는 빛이 약 10㎛이상으로 형성된 데이터 라인(103)위에서 반사되어 콘트라스트(contrast)를 저하시키는 현상을 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent a phenomenon in which light incident from the outside of the panel is reflected on the data line 103 formed to be about 10 μm or more without reducing the contrast without using the black matrix layer in the color filter substrate.
이어서, 상기 결과물 상부에 유기 절연막(106)을 증착하고, 상기 콘택홀 (104)이 노출되도록 상기 유기 절연막(106)을 선택적으로 식각한 후, 상기 콘택홀 (104)을 포함하고, 상기 게이트 라인(101) 및 데이터 라인(103) 일측상에 복수개의 픽셀전극(108)을 형성한다.Subsequently, an organic insulating layer 106 is deposited on the resultant, the organic insulating layer 106 is selectively etched to expose the contact hole 104, and then the contact hole 104 is included. A plurality of pixel electrodes 108 are formed on one side of the 101 and the data line 103.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 액정 표시 장치의 제조방법에 의하면, 컬러 필터 기판에 형성되는 블랙 매트릭스층의 영역을 최소화하여 어레이 기판과 컬러 필터 기판 합착시 합착 마진에 의한 개구율 저하를 방지할 수 있다.As described above, according to the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to minimize the area of the black matrix layer formed on the color filter substrate to prevent the decrease in the aperture ratio due to the bonding margin when the array substrate and the color filter substrate are bonded together. have.
따라서, 메탈 반사에 의한 콘트라스트 저하를 방지할 수 있다.Therefore, the fall of contrast by metal reflection can be prevented.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101331901B1 (en) * | 2006-06-30 | 2013-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1031228A (en) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| KR100303348B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-06-20 | 박종섭 | Data line formation method of liquid crystal display device |
| KR100292049B1 (en) * | 1999-04-15 | 2001-06-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | Liquid crystal display |
| KR100675088B1 (en) * | 2000-02-16 | 2007-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Liquid crystal display and liquid crystal display manufacturing method |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101331901B1 (en) * | 2006-06-30 | 2013-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
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