KR100599958B1 - Manufacturing method of high opening ratio and high transmittance liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 데이터 라인의 오픈 불량을 방지할 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법은, 투명성 절연기판 상에 게이트 라인 및 공통전극 라인을 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 및 공통전극 라인을 덮도록, 상기 투명성 절연기판의 전면 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 상부의 상기 게이트 절연막 부분 상에 채널층을 형성하는 단계; 화소영역에 대응하는 상기 게이트 절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 이루어진 카운터 전극을 형성함과 동시에, 데이터 라인이 형성될 게이트 절연막 부분 상에 더미 ITO 라인을 형성하는 단계; 상기 채널층을 포함한 게이트 절연막 부분 상에 소오스/드레인 전극을 형성하고, 상기 더미 ITO 라인을 포함한 게이트 절연막 부분 상에 데이터 라인을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 상기 공통전극 라인을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및 화소영역에 대응하는 상기 보호막 부분 상에 상기 노출된 공통전극 라인과 콘택되면서, 수 개의 빗살부를 갖는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다. The present invention relates to a method for manufacturing a high opening ratio and high transmittance liquid crystal display device capable of preventing open defects of a data line. The method for manufacturing a high opening ratio and high transmittance liquid crystal display device according to the present invention includes a gate on a transparent insulating substrate. Forming a line and a common electrode line; Forming a gate insulating film on an entire surface of the transparent insulating substrate so as to cover the gate line and the common electrode line; Forming a channel layer on a portion of the gate insulating layer above the gate line; Forming a counter electrode made of an ITO metal film on the gate insulating film portion corresponding to the pixel region, and simultaneously forming a dummy ITO line on the gate insulating film portion on which a data line is to be formed; Forming a source / drain electrode on the gate insulating film portion including the channel layer, and forming a data line on the gate insulating film portion including the dummy ITO line; Forming a protective layer having a contact hole exposing the common electrode line on the resultant product; And forming a pixel electrode having a plurality of comb portions while contacting the exposed common electrode line on the portion of the passivation layer corresponding to the pixel region.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 하부기판을 도시한 단면도. 1 is a cross-sectional view showing a lower substrate of a high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display device according to the prior art;
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
11 : 유리기판 12 : 게이트 라인11: glass substrate 12: gate line
13 : 공통신전극 라인 14 : 게이트 절연막13
15 : 채널층 16 : 오믹 콘택층15: channel layer 16: ohmic contact layer
17 : 카운터 전극 17a : 더미 ITO 라인 17:
18 : 데이터 라인 18a : 소오스/드레인 전극18:
19 : 보호막 20 : 화소전극19: protective film 20: pixel electrode
본 발명은 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 데이터 라인의 오픈 불량을 방지할 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a high aperture and high transmittance liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display device capable of preventing open defects of data lines.
프린지 필드(fringe field)에 의해 동작되는 고개구율 및 고투과율 액정표시장치는 인-플레인 스위칭(In Plain Switching) 모드 액정표시장치의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 위하여 제안되었고, 이러한 고개구율 및 고투과율 액정표시장치는 대한민국 특허출원 98-9243호로 출원되었다.A high aperture and high transmittance liquid crystal display operated by a fringe field has been proposed to improve the low aperture and transmittance of an In Plain Switching mode liquid crystal display. The liquid crystal display device has been filed in Korean Patent Application No. 98-9243.
상기 고개구율 및 고투과율 액정표시장치는 카운터 전극과 화소 전극을 투명 전도체로 형성하면서, 카운터 전극과 화소 전극 사이의 간격을 상·하 기판 사이의 간격보다 좁게 형성하여, 상기 카운터 전극과 화소 전극 사이에서 프린지 필드가 형성되도록 함으로써, 상기 전극들 상부에 존재하는 액정 분자들이 모두 동작되도록 한다. The high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display device forms a counter electrode and a pixel electrode with a transparent conductor, and forms a gap between the counter electrode and the pixel electrode to be narrower than a gap between the upper and lower substrates, and thus, between the counter electrode and the pixel electrode. By forming a fringe field at, all of the liquid crystal molecules present on the electrodes are operated.
도 1은 종래의 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 하부기판을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 그 제조방법을 설명하면 다음과 같다. FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a lower substrate of a conventional high aperture and high transmittance liquid crystal display, and a manufacturing method thereof will be described below with reference to the figure.
도시된 바와 같이, 투명성 절연기판, 예컨데, 유리기판(1) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 금속막을 증착하고, 그런다음, 상기 ITO 금속막을 패터닝하여, 빗살 형태 또는 플레이트(plate) 형태의 카운터 전극(2)을 형성한다. 이어서, 상기 카운터 전극(2)이 형성된 유리기판(1)의 전면 상에 소정의 불투명 금속막, 예컨데, MoW 금속막을 증착하고, 그런다음, 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 라인(3)과 공통전극 라인(4)을 형성한다. As shown, an indium tin oxide (ITO) metal film is deposited on a transparent insulating substrate, for example, a glass substrate 1, and then the ITO metal film is patterned to form a counter electrode in the form of a comb teeth or a plate. (2) is formed. Subsequently, a predetermined opaque metal film, for example, a MoW metal film, is deposited on the entire surface of the glass substrate 1 on which the
다음으로, 상기 게이트 라인(3) 및 공통전극 라인(4)이 형성된 유리기판(1) 의 전면 상에 게이트 절연막(5)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(5) 상에 도핑되지 않은 비정질실리콘막과 도핑된 비정질실리콘막을 차례로 증착한 후, 상기 적층막을 패터닝하여 오믹 콘택층(7) 및 채널층(6)을 형성한다. 이때, 데이터 라인이 형성될 영역(도면에서, 데이터 라인부)에 상기한 적층막으로 이루어진 액티브 라인을 형성한다. Next, a gate insulating film 5 is formed on the entire surface of the glass substrate 1 on which the gate line 3 and the
그 다음, 상기 결과물 상에 데이터 라인용 금속막을 증착하고, 그런다음, 상기 데이터 라인용 금속막을 패터닝하여 소오스/드레인 전극(8a)을 포함한 데이터 라인(8)을 형성한다. 이 결과, 유리기판(1)의 소정부(도면에서, 박막 트랜지스터부)에 박막 트랜지스터(이하, TFT라 칭함)가 형성된다. A metal film for data line is then deposited on the resultant, and then the metal film for data line is patterned to form a
계속해서, 상기 TFT를 보호하기 위하여, 상기 결과물의 전면 상에, 예컨데, SiN막으로 이루어지는 보호막(9)을 도포하고, 그런다음, 상기 보호막(9)의 일부분을 선택적으로 식각하여, 상기 TFT의 소오스/드레인 전극(8a)과 공통전극 라인의 일부분을 노출시킨다. 그리고나서, 상기 보호막(9) 상에 ITO 금속막을 증착한 후, 상기 ITO 금속막을 패터닝하여 화소영역에 대응하는 보호막 부분 상에 다수개의 빗살부를 갖는 화소 전극(10)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극은 소오스/드레인 전극(8a)은 물론, 공통전극 라인(4)과 콘택되도록 형성한다. Subsequently, in order to protect the TFT, a
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 따른 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법은, 보호막의 식각 공정 및 화소전극을 형성하기 위한 ITO 금속막의 식각시에 데이터 라인의 손상이 발생되며, 심한 경우에는 상기 데이터 라인의 오픈이 발생될 수 있으며, 이로 인하여, 제조수율이 저하되는 문제점이 있다. However, in the method of manufacturing the high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display device according to the prior art as described above, the damage of the data line occurs during the etching process of the protective film and the etching of the ITO metal film for forming the pixel electrode. Opening of the data line may occur, and as a result, a manufacturing yield may be degraded.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 카운터 전극의 형성 단계를 변경하여 데이터 라인의 하부에 그의 리던던시 라인으로서 기능할 수 있는 더미 ITO 라인을 형성시킴으로써, 상기 데이터 라인의 오픈 불량을 방지할 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데, 그 목적이 있다. Therefore, the present invention devised to solve the above problems, by changing the formation step of the counter electrode to form a dummy ITO line that can function as its redundancy line at the bottom of the data line, the open failure of the data line It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a high aperture ratio and a high transmittance liquid crystal display device which can prevent the problem.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법은, 투명성 절연기판 상에 게이트 라인 및 공통전극 라인을 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 및 공통전극 라인을 덮도록, 상기 투명성 절연기판의 전면 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 상부의 상기 게이트 절연막 부분 상에 채널층을 형성하는 단계; 화소영역에 대응하는 상기 게이트 절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 이루어진 카운터 전극을 형성함과 동시에, 데이터 라인이 형성될 게이트 절연막 부분 상에 더미 ITO 라인을 형성하는 단계; 상기 채널층을 포함한 게이트 절연막 부분 상에 소오스/드레인 전극을 형성하고, 상기 더미 ITO 라인을 포함한 게이트 절연막 부분 상에 데이터 라인을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 상기 공통전극 라인을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및 화소영역에 대응하는 상기 보호막 부분 상에 상기 노출된 공통전극 라인과 콘택되면서, 수 개의 빗살부를 갖는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display device, the method including: forming a gate line and a common electrode line on a transparent insulating substrate; Forming a gate insulating film on an entire surface of the transparent insulating substrate so as to cover the gate line and the common electrode line; Forming a channel layer on a portion of the gate insulating layer above the gate line; Forming a counter electrode made of an ITO metal film on the gate insulating film portion corresponding to the pixel region, and simultaneously forming a dummy ITO line on the gate insulating film portion on which a data line is to be formed; Forming a source / drain electrode on the gate insulating film portion including the channel layer, and forming a data line on the gate insulating film portion including the dummy ITO line; Forming a protective layer having a contact hole exposing the common electrode line on the resultant product; And forming a pixel electrode having a plurality of comb portions while contacting the exposed common electrode line on the portion of the passivation layer corresponding to the pixel region.
본 발명에 따르면, 데이터 라인의 하부에 더미 ITO 라인을 형성시켜, 상기 더미 ITO 라인이 데이터 라인의 오픈에 대한 리던던시 라인으로 이용할 수 있도록 함으로써, 상기 데이터 라인의 오픈에 기인된 제조수율의 저하를 방지할 수 있다. According to the present invention, a dummy ITO line is formed below the data line, so that the dummy ITO line can be used as a redundancy line for opening the data line, thereby preventing a decrease in manufacturing yield due to the opening of the data line. can do.
(실시예)(Example)
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 투명성 절연기판, 예컨데, 유리기판(11) 상에 MoW 금속막과 같은 불투명 금속막을 증착한 후, 상기 불투명 금속막을 패터닝하여 게이트 라인(12) 및 공통전극 라인(13)을 형성한다. 그런다음, 상기 게이트 라인(12) 및 공통전극 라인(13)을 덮도록, 상기 유리기판(11)의 전면 상에 게이트 절연막(14)을 증착한다. 이어서, 상기 게이트 절연막(14) 상에 도핑되지 않은 비정질실리콘막과 도핑된 비정질실리콘막을 차례로 증착한 후, 상기 적층막을 패터닝하여 TFT부에 대응하는 상기 게이트 절연막 부분 상에 오믹 콘택층(16) 및 채널층(15)을 형성한다. 이때, 데이터 라인부에도 상기 적층막으로 이루어진 액티브 라인을 형성시킨다. 또한, 상기 액티브 라인은 형성시키지 않는 것도 가능하다. First, as illustrated in FIG. 2A, an opaque metal film, such as a MoW metal film, is deposited on a transparent insulating substrate, for example, a
그 다음, 상기 결과물 상에 ITO 금속막을 증착하고, 그런다음, 상기 ITO 금속막을 패터닝하여 화소부에 대응하는 상기 게이트 절연막 부분 상에 카운터 전극(17)을 형성한다. 이때, 데이터 라인부 상에 후속에서 형성될 데이터 라인의 하부에 배치되도록 더미 ITO 라인(17a)을 동시에 형성하며, 아울러, 상기 게이트 절연막(14)의 소정 부분을 선택적으로 식각하여 상기 공통전극(13)의 일부분을 노출시킨다. Then, an ITO metal film is deposited on the resultant, and then the ITO metal film is patterned to form a
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 결과물의 전면 상에 데이터 라인용 금속막을 증착하고, 그런다음, 상기 금속막을 패터닝하여 소오스/드레인 전극(18a)을 포함한 데이터 라인(18)을 형성함으로써, TFT를 완성한다. 상기 데이터 라인(18)은 이전 공정에서 형성시킨 상기 더미 ITO 라인(17a)을 덮도록 형성한다. Next, as shown in FIG. 2B, a metal film for data line is deposited on the entire surface of the resultant, and then the metal film is patterned to form a
계속해서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 결과물의 전면 상에 상기 TFT를 보호하기 위한 보호막(19)을 형성하고, 그런다음, 상기 보호막(19)의 일부분을 선택적으로 식각하여 상기 공통전극 라인(13)을 노출시킨 상태에서, 상기 보호막(19) 상에 ITO 금속막을 증착한 후, 이를 패터닝하여 수 개의 빗살부를 갖는 화소전극(20)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(20)의 일부분은 상기 공통전극 라인(13)과 콘택되도록 형성한다.
상기와 같은 공정을 통해 형성되는 본 발명의 실시예에 따른 고개구율 및 고투과율 액정표시장치는 보호막의 식각 공정 및 ITO 금속막의 식각시에 사용되는 에천트에 의해 데이터 라인의 손상이 발생되더라도, 상기 데이터 라인의 하부에 배치된 더미 ITO 라인이 리던던시 라인의 역할을 할 수 있으므로, 상기 데이타 라인의 오픈 불량을 방지할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, a
In the high aperture ratio and high transmittance liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention formed through the above process, even if the data line is damaged by the etchant used during the etching of the protective film and the etching of the ITO metal film, Since the dummy ITO line disposed below the data line may serve as a redundancy line, open failure of the data line can be prevented.
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이상에서와 같이, 본 발명은 카운터 전극의 형성 단계를 변경하여 데이터 라인의 하부에 리던던시 라인으로서 기능하는 더미 ITO 라인을 형성시킴으로써, 데이터 라인의 손상이 발생되더라도, 더미 ITO 라인이 리던던시 라인의 역할을 하므로, 상기 데이터 라인의 오픈 불량을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 액정표시장치의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. As described above, the present invention changes the step of forming the counter electrode to form a dummy ITO line functioning as a redundancy line under the data line, so that even if the data line is damaged, the dummy ITO line acts as a redundancy line. Therefore, the open failure of the data line can be prevented, thereby improving the manufacturing yield of the liquid crystal display.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.
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| KR960038453A (en) * | 1995-04-24 | 1996-11-21 | 김광호 | Thin film transistor substrate array and its manufacturing method |
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- 1999-12-24 KR KR1019990061693A patent/KR100599958B1/en not_active Expired - Lifetime
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