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KR20010031317A - 회전 기판을 가진 빠른 열적 가공(ｒｔｐ) 장치 - Google Patents

회전 기판을 가진 빠른 열적 가공(ｒｔｐ) 장치 Download PDF

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KR20010031317A
KR20010031317A KR1020007004311A KR20007004311A KR20010031317A KR 20010031317 A KR20010031317 A KR 20010031317A KR 1020007004311 A KR1020007004311 A KR 1020007004311A KR 20007004311 A KR20007004311 A KR 20007004311A KR 20010031317 A KR20010031317 A KR 20010031317A
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미하엘 마우러
헬무트 메르클레
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하인리히 발크
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헬무트 좀머, 베르너 바이안트
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Abstract

본 발명은 빠른 열적 가공(RTP) 챔버에 관한 것으로, RTP 챔버내에서 처리되는 기판이 기판을 가열하는 램프에 대해 회전하도록 기판을 지지하는 챔버의 하나의 벽이 챔버의 나머지에 대해 회전한다.

Description

회전 기판을 가진 빠른 열적 가공(ＲＴＰ) 장치 {RAPID THERMAL PROCESSING(RTP) SYSTEM WITH ROTATING SUBSTRATE}
빠른 열적 가공(rapid thermal processing:RTP)은 반도체 가공에 사용될 수 있을 뿐만 아니라 얇은 시트, 슬랩(slab) 또는 디스크 형태의 물체 또는 웨이퍼를 가열하기 위한 일반적인 잘 조절된 다용도 광학 가열 방법이다. 물체는 일반적으로 강한 가열 램프로부터의 방사선을 투과시키는 투명한 챔버 벽의 적어도 일부를 가진 챔버 내부로 동시에 유입된다. 벽의 투명한 부분은 일반적으로 석영이고, 이는 3 내지 4 미크론의 파장에 이르는 방사선을 투과시킨다. 이러한 램프는 일반적으로 텅스텐-할로겐 램프이지만, 아크 램프 또는 어떠한 다른 가시광 및/또는 근 적외선이 사용될 수 있다. 램프로부터의 방사선은 벽의 투명 부분을 통해 가열될 물체의 표면상으로 인도된다. 물체가 벽의 투명 부분에 의해 투과된 근적외선 또는 가시광 스펙트럼 영역에서 광을 흡수하는 한은, RTP 기술은 다른 재료 처리 및 조건에 대한 온도 및 처리 기체의 빠른 변화를 가능케 한다. RTP는 여러 반도체 가공의 ″열용량″이 감소될 수 있도록 하고, 또한 재료가 빠르게 냉각될 때 ″결빙″될 수 있는 여러 준안정 상태의 발생될 수 있도록 한다.
RTP 장치는 비교적 새로운 장치이다. 지난 10 또는 15년 동안, 이러한 장치는 연구 및 개선을 위해서만 사용되어져 왔다. 이러한 연구에 대한 몰두는 온도 균일성을 증가시켜 왔고, 열용량을 감소시키는 가열 싸이클 및 처리를 개선시켜 왔다. 종래 기술의 RTP 장치는 평판 또는 디스크 형태의 구조를 갖지 않는 균질의 재료를 가열할 수 있고, 반도체 가공에 적합한 판에 대한 온도 균일성을 제공한다.
현재의 RTP 장치내에서의 온도 조절은 대부분 반도체 웨이퍼의 비교적 구조를 갖지 않고 특징을 가지지 않은 후면의 온도를 측정하는 단색성(또는 좁은 파장 대역) 고온계에 의해 수행된다. 온도 측정의 결과는 일반적으로 가열 램프 파워를 조절하는 피드백에서 사용된다. 가변 방사율을 가진 후면 코팅된 웨이퍼는 이러한 방식으로 사용될 수 없지만, 후면 층은 일반적으로 에칭되어 제거되거나 또는 온도가 접촉 열전쌍을 사용하여 측정된다.
온도 조절의 새로운 방법은 미국 특허번호 제 5,359,693호에 개시된 파워 조정된 개방형 루프 가열법이고, 이는 참조를 위해 인용된다.
독일 특허번호 42 23 133 C2는 참조를 위해 인용되며, RTP 장치내 비교적으로 결함이 없는 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다. 열적 비균질성을 유도한 장치는 더욱 균일한 가공을 위한 요구 때문에 최근 몇년 동안 감소되어 왔다. 사용된 이러한 기술중에서, 개별 램프 파워, 원형 램프의 사용 및 개별 파워 조절을 가진 반도체 웨이퍼의 회전이 있다.
대부분의 RTP 장치는 하나의 개방 단부를 가진 얇은 직사각형 석영 챔버를 가진다. 진공을 사용하는 챔버는 종종 평평한 타원형 단면을 가진다. 챔버는 평면 원통형 팬케이크로서 제조될 수도 있다. 일반적으로, 챔버는 가열될 얇은 물체가 수평으로 유지되도록 사용되지만, 이들은 수직 또는 어떠한 통상적인 방향으로도 유지될 수 있다. 반응 챔버는 일반적으로 얇기 때문에 램프를 가열될 물체에 가깝게 위치시키도록 한다. 반응 챔버는 웨이퍼 처리 장치가 동작할 때 공기압으로 동작하는 문을 가진 일단부에서 개방 또는 폐쇄된다. 문은 일반적으로 스테인레스 스틸로 구성되고, 내부에 석영판이 부착될 수도 있다. 처리 기체는 문과 반대쪽 면상에서 챔버로 유입되고 문쪽으로 배출된다. 처리 기체는 공지된 방식으로 여러 분기관에 결합된 컴퓨터 조절된 밸브에 의해 조절된다.
관련 사항
RTP 원리에 기초한 반응로는 종종 웨이퍼 처리 동안 개방된 반응 챔버의 일단부의 전체 단면을 가진다. 이러한 구성은 웨이퍼보다 상당히 더 크고 더 두꺼운 여러 웨이퍼 홀더, 가드 링 및 기체 분배판이 챔버 내부로 유입되어야 하며, 처리가 변하거나 또는 예를 들면, 다른 웨이퍼 크기가 사용될 때 용이하고 빠르게 변화될 수 있어야 하기 때문에 구성된 것이다. 반응 챔버 크기는 이러한 부속품들을 염두에 두고 설계된다. 본 출원의 양수인에게 양도된 미국 특허번호 제 5,580,830은 기체 유입의 중요성과 기체 유입을 조정하고 처리 챔버내 불순물을 조절하도록 문내에 구경을 사용하는 것에 관해 개시하고 있고, 이는 참조를 위해 인용된다.
통상적인 RTP 장치내에서 가열될 웨이퍼는 전형적으로 장치의 반사벽에 정확하게 평행한 웨이퍼를 지지하는 다수의 석영 핀상에 안착한다. 종래 기술의 장치는 구비된 서셉터상에 웨이퍼를 안착시키고, 이러한 웨이퍼는 전형적으로 균일한 실리콘 웨이퍼이다. 본 출원의 양수인에게 양도된 공동 계류중인 미국 특허출원번호 08/537,409에는 웨이퍼로부터 서셉터판을 분리시키는 것에 관해 개시하고 있고, 이는 참조를 위해 인용된다.
III-IV 반도체를 빠른 열적 가공하는 것은 실리콘의 RTP로서 성공적이지 않다. 그 이유중 하나는 표면이 비교적 높은 증기압 예를 들면, 갈륨 비소(GaAs)의 경우 비소(As)의 증기압을 가지기 때문이다. 표면 영역은 As가 공핍되고, 재료 품질은 저하된다. 본 출원의 양수인에게 양도된 공동 계류중인 미국 특허출원번호 08/631,265호에는 이러한 문제점을 극복하기 위한 방법 및 장치가 제공되고, 이는 참조를 위해 인용된다.
본 발명은 반도체 기판과 같이 섬세한 재료의 빠른 열적 가공에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판이 회전하는 동안 양측면으로부터 반도체 웨이퍼를 균일하게 조사(irradiate)하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술의 가열 램프의 두 뱅크(bank)를 가진 개방형 단부를 가진 석영 반응 챔버 RTP 장치의 도면.
도 2는 본 발명의 가장 바람직한 실시예의 RTP 챔버의 도면.
도 3은 본 발명의 RTP 챔버의 일부의 확대도.
도 4는 본 발명의 챔버의 절단 투시도.
도 5는 본 발명의 챔버의 절단 투시도.
도 6은 본 발명의 챔버의 절단 투시도.
본 발명의 목적은 빠른 열적 가공 장치내에서 기판을 균일하게 가열하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 또한 기판이 빠른 열적 가공 장치내에서 회전하는 동안 양측면으로부터 기판을 균일하게 조사하는 것이다.
빠른 열적 가공 장치에서, 웨이퍼는 처리 챔버의 하나의 벽에 의해 지지된다. 하나의 벽의 적어도 일부는 처리 챔버의 나머지에 대해 회전하고, 그 결과 기판이 처리 챔버에 대해 그리고 RTP장치의 방사선 소스에 대해 회전된다.
도 1은 램프 세트(16, 18)로부터의 방사선에 의해 가열되기 위한 위치로 석영 핀(14)에 의해 지지되는 웨이퍼(12)를 가진 종래 기술의 RTP 챔버(10)의 단면도를 도시한다. 챔버(10)는 매우 잘 연마된 내벽(22)을 가진 하우징(20)에 의해 지지된다. 챔버(10)를 기밀 방식으로 밀봉하기 위해 문(24)이 사용된다. 웨이퍼(10)의 온도는 고온계(26)에 의해 측정된다. 컴퓨터 또는 다른 조절 수단(32)이 고온계로부터 온도 판독을 수신하고 미리 프로그래밍된 설계에 따라 웨이퍼(12)를 가열하도록 램프(16, 18)를 제어한다. 컴퓨터(32)는 또한 챔버(10) 내부로 처리 기체(28)를 유입시키는 기체 유입 조절기(30)를 조절하는 역할을 한다.
서셉터 베어링 웨이퍼의 회전은 반도체 처리내 막의 균일한 가열과 성장을 보장하는 수단으로서 공지되어 있다. 하지만, 종래 기술의 장치는 서셉터와 웨이퍼를 지지하는 챔버를 관통하는 회전 샤프트를 사용한다. 이러한 회전 샤프트는 램프의 하부 세트로부터 서셉터 또는 웨이퍼로 유입되는 열을 방지한다.
본 발명의 가장 바람직한 장치가 도 2의 단면도로 도시된다. 반도체 웨이퍼(12)는 램프(16, 18)에 의해 RTP를 위한 위치로 석영 핀(14)에 의해 지지된다. 램프(16)로부터의 방사선이 챔버(10)의 상부 석영 벽(52)을 통과하고, 램프(18)로부터의 방사선은 하부 석영 벽(54)을 통과한다. 하부 석영 벽(54)은 상부 석영 벽(52)에 대해 자신의 축 주위를 회전한다. 회전하는 하부 석영 벽(54)을 지지하는 지지부재는 도 2에 빗금쳐져 있다. 상부 석영 벽(52)과 그 지지부재는 고정되는 반면 회전 부품을 지지하는 비회전 하부 지지부재, 비회전 램프(18) 및 비회전 기체 라인(이후 설명됨)은 도 2에 도시된 위치로부터 내려져서 웨이퍼(12)의 제거와 새로운 웨이퍼의 도입을 가능케 한다. 가드 링(56)이 챔버(10)의 비회전 및 비병진(non translating) 부품에 고정되는 지지부(58)에 의해 지지된다. 웨이퍼(12)가 핀(14)상에 위치하고 하부 석영판(54)이 상기 위치로 올려질 때, 웨이퍼(12)는 가드 링(56)의 중간 위치로 올려지고 이는 실질적으로 가드 링(56)과 동일 평면상에 위치한다.
처리 기체 라인(28), 퍼지(purge) 기체 라인(60) 및 배출 라인(62)이 챔버(10)의 상부에 대래 고정된 위치로 도시된다. 회전 드라이브 샤프트(64)와 기어 드라이브(66)가 상부 석영 윈도우(52)에 대해 상부 석영 윈도우(54)의 회전을 위한 수단을 도시하도록 도시되어 있다. 드라이브 샤프트(64)는 비회전 및 비병진 지지부재를 지지하는 고정된 베이스(68)를 통해 병진이동 가능하게 통과한다. 냉각수 라인(70)과 냉각공기 라인(72) 또한 베이스(68)를 통해 병진이동 가능하게 통과하는 것으로 표시되어 있다. 라인(70, 72)의 실제 결합은 도시되지 않는다. 상부 비병진 부재를 위한 냉각수와 냉각 공기 라인은 도시되지 않는다. 볼 베어링 레이스(74)가 하부 가동 부재를 지지하는 병진 베이스(76)로부터 회전 부재를 지지하는 것으로 도시된다. 열 기체 유입이 화살표로 도시되며, 이는 이후에 상세히 설명될 것이다.
도 2의 A로 표시된 원의 내부의 밀봉 메카니즘이 도 3에 확대도로 도시된다. 처리 챔버(10)는 반도체 가공을 위해 가능한 한 깨끗한 것이 극히 중요하다. 본 발명에서, 챔버(10) 내부로 특정 물질을 유입시키는 어떠한 슬라이딩 밀봉부도 없다. 모든 밀봉부는 기체 밀봉부이다. 처리 기체(28)는 도 3에 도시된 바와 같이 챔버(10) 내부로 유입되고, 회전 가능 석영판(54)과 고정 석영판(52)으로부터 매달린 석영 부재(78) 사이의 100미크론의 갭을 통해 새어 나간다. 처리 기체는 확장 공간(80)으로 확장되고, 다음으로 도시된 바와 같이 고정 및 회전 지지부재 사이로 유입되어 배출부(62)로 나간다. 퍼지 기체(60)는 처리 기체(28)가 RTP 챔버를 둘러싸는 분위기로 들어가지 않도록 한다. 선택적인 구불구불한 기체 경로(82)가 퍼지 기체가 처리 챔버(10)로 들어가지 않도록 하는 것으로 도시된다.
도 4는 RTP를 위한 위치의 웨이퍼를 가진 장치의 절단 투시도를 도시한다. (램프, 냉각 라인 등은 도시 안됨.) 회전 부품은 빗금으로 도시된다.
도 5는 챔버의 하부가 내려진 것으로 도시하고, 웨이퍼(12)는 장치내 문(84)을 통해 챔버(12)로 삽입 또는 챔버로부터 배출된다.
도 6은 핀(14)상의 웨이퍼(12)를 지지하는 석영 상부판(52) 및 하부판(54)의 절단 투시도를 도시한다. 핀(14)을 지지하는 석영 베이스는 도시되지 않는다. 석영판(52, 54)의 에지부와 부재(78)는 불투명 석영(86)인 것으로 도시된다. 이러한 불투명 석영 재료는 석영의 열 저항을 더욱 높이는 석영 전체 마이크로스코픽 보이드(void)이고 석영판(52, 54)의 중심으로부터 둘러싸고 있는 금속 지지부로의 열 전도를 차단한다. ″불투명″ 석영은 또한 석영(광 파이프와 같이)내에 갇힌 광을 산란하고 광 에너지가 금속 벽 및 지지부재에 도달하기 전에 석영을 빠져 나가도록 한다.
도 7은 제조중인 웨이퍼(12)가 유입될 수 있도록 내려진 상부 석영판(52)과 하부 석영판(54)의 정면도를 도시한다. 본 발명은 챔버의 일측면으로부터 웨이퍼가 유입됨과 동시에 미리 처리된 웨이퍼가 다른 면으로부터 배출될 수 있도록 하는 혁신적인 방법을 제공한다. 전체 처리는 수용 카세트 내부에 배출 웨이퍼를 삽입하도록 웨이퍼(12)를 지지하는 진공 팬(90)을 배출하고 챔버 내부로 유입하기 위해 처리되지 않은 웨이퍼를 집어 올리는 로보트 암(도시 안됨)에 대해 일반적으로 소용되는 시간을 감축시킨다. 도 7은 또한 웨이퍼의 상부 및 하부에서 보조 가열판(86, 88)의 위치를 도시한다.

Claims (16)

  1. 제 1 벽; 및
    상기 제 1 벽에 평행한 제 2 벽을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 벽중 적어도 하나는 RTP 장치의 방사선 소스로부터의 방사선을 투과하는 일부를 가지고, 상기 제 1 벽의 일부는 상기 제 1 벽에 수직인 축 주위에서 상기 제 2 벽에 대해 회전 가능한 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 벽은 상기 챔버를 개방 및 폐쇄하도록 상기 제 1 및 제 2 벽에 수직인 방행으로 병진 이동 가능한 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서, 가드 링이 상기 제 2 벽에 대해 고정적으로 지지되고, 반도체 웨이퍼는 상기 제 1 벽의 회전 가능한 부분에 의해 지지되는데, 상기 가드 링과 반도체 웨이퍼는 상기 웨이퍼가 동일 평면상에 위치하도록 병진 이동 가능하고 상기 챔버가 폐쇄될 때 상기 가드 링 내부에서 회전하는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 벽은 모두 상기 RTP 장치의 상기 방사선 소스로부터의 방사선에 투과적인 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 벽은 상기 챔버를 개방 및 폐쇄하도록 상기 제 1 및 제 2 벽에 수직인 방향으로 병진 이동 가능한 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  6. 제 5 항에 있어서, 가드 링이 상기 제 2 벽에 대해 고정적으로 지지되고, 반도체 웨이퍼는 상기 제 1 벽의 회전 가능한 부분에 의해 지지되는데, 상기 가드 링과 반도체 웨이퍼는 상기 웨이퍼가 동일 평면상에 위치하도록 병진 이동 가능하고 상기 챔버가 폐쇄될 때 상기 가드 링 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 내부로의 기체 유입을 방지하기 위해 상기 제 1 및 제 2 벽의 회전하는 일부를 밀봉하는 구불구불한 기체 밀봉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  8. 방사선 소스;
    챔버를 포함하는데, 상기 챔버는
    제 1 벽; 및
    상기 제 1 벽에 평행한 제 2 벽을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 벽중 적어도 하나는 방사선 소스로부터의 방사선을 투과하는 일부를 가지고, 상기 제 1 벽의 일부는 상기 제 1 벽에 수직인 축 주위에서 상기 제 2 벽에 대해 회전 가능하며;
    상기 챔버 내부로 기체를 유입하기 위한 수단; 및
    상기 방사선 소스와 상기 챔버 내부로 기체를 유입하기 위한 수단을 조절하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 가드 링이 상기 제 2 벽에 대해 고정적으로 지지되고, 반도체 웨이퍼는 상기 제 1 벽의 회전 가능한 부분에 의해 지지되는데, 상기 가드 링과 반도체 웨이퍼는 상기 웨이퍼가 동일 평면상에 위치하도록 병진 이동 가능하고 상기 챔버가 폐쇄될 때 상기 가드 링 내부에서 회전하는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 장치.
  10. 물체를 밀폐하기 위한 다수의 밀폐벽을 포함하며, 상기 밀폐벽중 적어도 하나의 일부는 RTP 장치의 방사선 소스로부터의 방사선에 투과적이며, 상기 챔버가 폐쇄될 때 적어도 제 1 밀폐벽의 적어도 일부는 상기 챔버에 대해 회전 가능하고, 상기 제 1 벽의 회전 가능한 일부의 회전축은 상기 제 1 벽에 수직인 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 회전 가능한 부분은 상기 RTP 장치의 방사선 소스로부터의 방사선에 투과적인 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 회전 가능한 부분은 상기 RTP 장치의 방사선 소스로부터의 방사선에 투과적인 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  13. 제 12 항에 있어서, 가드 링이 상기 챔버의 비회전 부분에 대해 고정적으로 지지되고, 반도체 웨이퍼가 상기 회전 부분에 의해 지지되는데, 상기 가드 링과 상기 반도체 웨이퍼는 밀폐부가 폐쇄될 때 상기 웨이퍼가 가드 링과 동일한 평면상에 그리고 가드 링 내부에 위치하도록 병진이동 가능한 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 회전 가능한 부분은 상기 RTP 장치의 방사선 소스로부터의 방사선에 투과적인 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 회전 가능한 부분은 상기 RTP 장치의 방사선 소스로부터의 방사선에 투과적인 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
  16. 제 10항에 있어서, 상기 챔버 내부로의 기체 유입을 방지하기 위해 회전 부분을 밀봉하는 구불구불한 기체 밀봉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빠른 열적 가공(RTP) 챔버.
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TW (1) TW493216B (ko)
WO (1) WO1999022402A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009066905A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Kornic Systems Corp. Substrate oscillating apparatus for rapid thermal process

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4625183B2 (ja) 1998-11-20 2011-02-02 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
JP3923696B2 (ja) 1999-07-19 2007-06-06 株式会社荏原製作所 基板回転装置
US6221166B1 (en) * 2000-06-07 2001-04-24 Simplus Systems Corporation Multi-thermal zone shielding apparatus
US6303524B1 (en) 2001-02-20 2001-10-16 Mattson Thermal Products Inc. High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques
EP1393355A2 (de) * 2001-05-18 2004-03-03 Mattson Thermal Products GmbH Vorrichtung zur aufnahme von scheibenförmigen objekten
JP2003022982A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US20030173346A1 (en) * 2002-03-18 2003-09-18 Renken Wayne Glenn System and method for heating and cooling wafer at accelerated rates
US20030209326A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
JP3877157B2 (ja) * 2002-09-24 2007-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US7585371B2 (en) * 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
DE102004025150B4 (de) * 2004-05-21 2019-05-09 Mattson Technology, Inc. Lagebestimmung eines Halbleitersubstrats auf einer Rotationsvorrichtung
DE102004039443B4 (de) 2004-08-13 2023-05-25 Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
UA91029C2 (uk) 2004-09-09 2010-06-25 Тева Фармасьютікл Індастріз Лтд. Спосіб отримання сумішей поліпептидів з використанням очищеної бромоводневої кислоти
US20060249079A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Ping-Hua Yao Wafer heater and wafer chuck including the same
DE102005024118B4 (de) * 2005-05-25 2009-05-07 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Reduktion von Partikeln bei der thermischen Behandlung rotierender Substrate
US20060291833A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-28 Mattson Techonology, Inc. Switchable reflector wall concept
US7977258B2 (en) * 2007-04-06 2011-07-12 Mattson Technology, Inc. Method and system for thermally processing a plurality of wafer-shaped objects
US9640412B2 (en) * 2009-11-20 2017-05-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for enhancing the cool down of radiatively heated substrates
JP2013055141A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US9355883B2 (en) 2011-09-09 2016-05-31 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9316443B2 (en) * 2012-08-23 2016-04-19 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9093482B2 (en) * 2012-10-12 2015-07-28 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9748120B2 (en) 2013-07-01 2017-08-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
US9245777B2 (en) * 2013-05-15 2016-01-26 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus
US10410890B2 (en) 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
CN109923659B (zh) 2016-11-09 2024-03-12 东京毅力科创Fsi公司 用于在处理室中处理微电子衬底的磁悬浮且旋转的卡盘
TWI765936B (zh) * 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
KR20190085148A (ko) 2016-12-07 2019-07-17 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 반도체 디바이스를 제조하기 위한 웨이퍼 에지 리프트 핀
JP7177069B2 (ja) 2017-01-27 2022-11-22 ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ，インコーポレイテッド 基板をプロセスチャンバ内で回転及び並進するためのシステム及び方法
CN111937128A (zh) 2018-02-19 2020-11-13 东京毅力科创美国制造与工程公司 具有可控射束大小的处理喷雾的微电子处理系统
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber
KR102652014B1 (ko) * 2020-05-12 2024-03-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US12324061B2 (en) * 2021-04-06 2025-06-03 Applied Materials, Inc. Epitaxial deposition chamber

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2700243B2 (ja) * 1987-12-10 1998-01-19 三菱電機株式会社 加熱装置
JPH0693440B2 (ja) * 1990-01-19 1994-11-16 ジー スクウェアード セミコンダクター コーポレイション 急速加熱装置及び方法
US5108792A (en) * 1990-03-09 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Double-dome reactor for semiconductor processing
JP2697250B2 (ja) * 1990-05-28 1998-01-14 富士電機株式会社 熱ｃｖｄ装置
JPH05243166A (ja) * 1992-02-26 1993-09-21 Nec Corp 半導体基板の気相成長装置
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US5551982A (en) * 1994-03-31 1996-09-03 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating
US5715361A (en) * 1995-04-13 1998-02-03 Cvc Products, Inc. Rapid thermal processing high-performance multizone illuminator for wafer backside heating
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
US5814365A (en) * 1997-08-15 1998-09-29 Micro C Technologies, Inc. Reactor and method of processing a semiconductor substate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009066905A1 (en) * 2007-11-22 2009-05-28 Kornic Systems Corp. Substrate oscillating apparatus for rapid thermal process

Also Published As

Publication number Publication date
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