KR102605384B1 - 광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 및 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 - Google Patents
광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 및 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102605384B1 KR102605384B1 KR1020177010481A KR20177010481A KR102605384B1 KR 102605384 B1 KR102605384 B1 KR 102605384B1 KR 1020177010481 A KR1020177010481 A KR 1020177010481A KR 20177010481 A KR20177010481 A KR 20177010481A KR 102605384 B1 KR102605384 B1 KR 102605384B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- optical waveguide
- epoxy resin
- core layer
- resin composition
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 113
- 239000012792 core layer Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 80
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 58
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 59
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 15
- -1 organosiloxane compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 45
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 12
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 9
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- KFSJVNNERGJJEB-UHFFFAOYSA-N (4-chlorophenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KFSJVNNERGJJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMFSJRHPFYVJSP-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetramethylfuran Chemical compound CC=1OC(C)=C(C)C=1C OMFSJRHPFYVJSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N methyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound COC(C)=O.CC(O)CO CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N [4-(4-diphenylsulfoniophenyl)sulfanylphenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1SC(C=C1)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/182—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing using pre-adducts of epoxy compounds with curing agents
- C08G59/186—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing using pre-adducts of epoxy compounds with curing agents with acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/226—Mixtures of di-epoxy compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
- G02B1/045—Light guides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
- G02B1/045—Light guides
- G02B1/046—Light guides characterised by the core material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
- G02B1/045—Light guides
- G02B1/048—Light guides characterised by the cladding material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0108—Transparent
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0514—Photodevelopable thick film, e.g. conductive or insulating paste
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0525—Patterning by phototackifying or by photopatterning adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
본 발명은 수지 성분 및 광산 발생제를 함유하는 광도파로용 감광성 수지 조성물이다. 그리고, 상기 수지 성분이, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 둘 다를 포함하는 에폭시 수지 성분에 의해 구성되고, 또한 상기 방향족 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체의 55 중량% 이상 80 중량% 미만이며, 지방족 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체의 20 중량%를 초과하고 45 중량% 이하인 광도파로용 감광성 수지 조성물이다. 이 때문에, 본 발명의 광도파로용 감광성 수지 조성물을 이용하여, 예컨대, 광도파로의 코어층을 형성한 경우, 양호한 롤·투·롤(R-to-R) 적합성 및 고해상 패터닝성을 유지하면서, 양호한 저택성(low tackiness)을 가지며, 또한 고투명성도 구비한 광도파로의 코어층을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 광통신, 광정보 처리, 그 외에 일반 광학에서 널리 이용되는 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판에 있어서의 광도파로를 구성하는 코어층 등의 형성 재료로서 이용되는 광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 및 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판에 관한 것이다.
종래, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판용의 광도파로 코어층 형성 재료에는 각종 감광성 수지 조성물이 이용되고, 이것을 이용한 코어층의 패턴 형성 시에는, 예컨대, 포토마스크를 통해 자외선(UV) 조사를 행함으로써 원하는 코어 패턴을 제작하고 있다.
그리고, 상기 광도파로 코어층 형성 재료의 배합 설계에 있어서는, 클래드층 형성 재료보다 높은 굴절률이 요구되기 때문에, 방향족성이 높은 수지를 이용한 배합 설계가 이루어지는 것이 일반적이다. 광도파로 코어층 형성 재료에 있어서의 파장 850 ㎚에서의 광손실의 개선 방법으로서는, 주로 그 단파장 영역의 흡수 피크가 파장 850 ㎚까지 미치는 것을 저감시키는 것을 목적으로 원료 수지의 순도를 올려 투명성을 개선하는 방법을 들 수 있다. 나아가서는, 광경화계 수지 조성물을 사용하는 경우, 배합되는 광중합 개시제의 양을 저감하는 것이 설계 이론으로 되어 있다(특허문헌 1, 2).
그러나, 파장 850 ㎚의 광을 전파광으로서 이용하는 광도파로에 있어서, 유기 수지에는 골격 유래의 C-H 결합의 진동 흡수의 4배음 흡수(방향족 4vCH)의 피크가 파장 850 ㎚에까지 미치기 때문에, 아무리 수지 재료의 투명성을 담보해도 손실 저감에는 한계가 있어, 장거리 전송을 목적으로 한 용도에서는 한층 더한 저손실화가 요구되고 있다.
예컨대, 수지 성분을 지방족계 수지만으로 구성함으로써 파장 850 ㎚에 있어서의 4vCH 유래의 진동 흡수의 영향을 거의 전무하게 하는 것이 가능하지만, 그 때, 지방족계 수지의 굴절률이 일반적으로 1.51 정도이기 때문에, 그것보다 저굴절률이 되는 수지 재료를 주로 이용한 배합 설계로 클래드층 형성 재료를 설계할 필요가 있다. 그러나, 일반적으로 저굴절률 재료로서는, 예컨대, 실리콘계 수지나 불소계 수지 등이 이용되며, 그 적합한 수지계 재료는 한정되어 버린다.
그런데, 전기·전자 재료 용도에 다용되는 광도파로에 있어서, 상기 실리콘계 수지는 가열에 의한 환상(環狀) 실록산 화합물의 아웃가스 발생의 관점에서, 또한, 상기 불소계 수지는 매우 고비용인 것, 및 다른 지방족계 수지와의 상용성이 현저히 낮기 때문에, 배합 설계 및 가공성의 관점에서, 상기 각 수지의 사용을 선택하는 것은 회피하고 싶은 것이었다. 즉, 저렴한 값이 요구되는 일반 공업 용도에 있어서, 사용할 수 있는 저굴절률계의 수지 재료는 없다고 해도 과언이 아닌 것이 현재 상황이다.
이와 같이, 코어층 형성 재료로서 고굴절률을 유지한 채 파장 850 ㎚에 있어서의 4vCH 진동 흡수가 낮은 재료가 강하게 요구되고 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 광도파로 형성용 재료, 특히 코어층 형성 재료로서, 양호한 R-to-R(롤·투·롤: roll-to-roll) 적합성 및 고해상 패터닝성을 유지하면서, 양호한 저택성(low tackiness)을 가지며, 또한 고투명성 및 저손실도 구비한 저비용이 되는 광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 및 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판의 제공을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 수지 성분과, 광산 발생제를 함유하는 광도파로용 감광성 수지 조성물로서, 상기 수지 성분이, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 둘 다를 포함하는 에폭시 수지 성분에 의해 구성되고, 상기 방향족 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체의 55 중량% 이상 80 중량% 미만이며, 상기 지방족 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체의 20 중량%를 초과하고 45 중량% 이하인 광도파로용 감광성 수지 조성물을 제1 요지로 한다.
또한, 본 발명은 상기 제1 요지인 광도파로용 감광성 수지 조성물이 필름형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름을 제2 요지로 한다.
또한, 본 발명은 기재(基材)와, 그 기재 상에 형성된 클래드층과, 상기 클래드층 중에 소정 패턴으로 형성된, 광신호를 전파하는 코어층을 구비한 광도파로로서, 상기 코어층이, 상기 제1 요지의 광도파로용 감광성 수지 조성물, 또는 상기 제2 요지의 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름을 경화시킴으로써 형성되어 있는 광도파로를 제3 요지로 한다.
그리고, 본 발명은 상기 제3 요지의 광도파로를 구비하는 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판을 제4 요지로 한다.
본 발명자는, 양호한 R-to-R 적합성 및 고해상 패터닝성을 유지하면서, 저비용이고, 또한 고투명성 및 저손실도 구비한 광도파로의 코어층 형성 재료가 되는 감광성 수지 조성물을 얻기 위해서 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 상기한 바와 같이, 수지 성분이, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 둘 다를 포함하는 에폭시 수지 성분에 의해 구성되고, 또한 양자의 배합 비율이 특정 범위가 되도록 설정된 감광성 에폭시 수지 조성물을 이용하면, 소기의 목적이 달성되는 것을 발견하고 본 발명에 도달하였다.
즉, [1] 택성에 대해서는, 도공 건조 후에 존재하는 액상 성분량에 의존하기 때문에, 수지 성분을 고형 수지 성분만으로 구성함으로써 저택성을 부여할 수 있다. [2] R-to-R 적합성(미경화 필름 유연성)에 대해서는, 도공 건조 후의 도막의 상온 하의 유연성에 의존하기 때문에, 상기 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 병용할 때의 배합 비율을 특정 범위로 함으로써, 다른 요구 특성을 저해하지 않을 정도의 배합 밸런스가 되어, 막(층) 형성 시의 미경화 시에 있어서의 비정질 필름에 있어서 유연성이 부여되게 된다. [3] 직선 손실에 대해서는, 사용 원료로서 저색상의 재료를 이용하는 것, 노광 후 가열(PEB) 시의 가열 황변이 없는 재료를 이용하는 것이라고 하는 관점에서, 파장 850 ㎚ 근방에 있어서 C-H 결합 유래의 4배음 흡수(4vCH)의 영향이 낮은 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 특정한 배합 비율로 배합 설계함으로써 낮은 직선 손실을 부여하는 것이 가능해진다. [4] 굴곡 손실에 대해서는, 코어층 중의 광의 가둠성에서 유래하기 때문에, 코어층/클래드층 간의 비굴절률차를 크게 함으로써 가둠성은 강해지는 경향이 되지만, 방향족성을 지나치게 높이면 방향족 C-H 결합 진동 흡수(방향족 4vCH)가 커져 직선 손실에 영향을 미치기 때문에, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지의 양자의 밸런스가 잡히는 배합 설계로 함으로써 낮은 굴곡 손실을 부여하는 것이 가능해진다.
이러한 점에서, 상기 배합 조성으로 설정하여 이루어지는 광도파로용 감광성 수지 조성물을 이용함으로써, 양호한 R-to-R 적합성 및 고해상 패터닝성을 유지하면서, 양호한 저택성과 함께, 고투명성(저손실)이 얻어지게 되어, 본 발명에 도달한 것이다.
한편, 상기 고투명성(저손실)에 대해서는, 사용하는 수지 골격에 기인하는 것이고, 종래의 코어층 형성 재료에는 클래드층보다 높은 굴절률이 요구되기 때문에, 그 설계상, 방향족 골격 함유 수지를 사용하고 있다. 그러나, 이 방향족 골격의 존재에 의해 전파광 850 ㎚의 파장대가 방향환 C-H 결합에서 유래하는 진동 흡수의 4배음 흡수(4vCH)의 테일링에 겹쳐짐으로써 일정 이상의 손실 저감에 대해 한계가 있었다. 본 발명에서는, 코어층 형성 재료에 있어서, 방향족 에폭시 수지와 지방족 에폭시 수지를 병용하고, 그 배합 비율을 특정 범위로 하는 배합 설계로 함으로써, 상기 방향환 C-H 결합 유래의 4배음 흡수(4vCH)의 영향을 배제하는 재료 설계를 도모한 것이다.
이와 같이, 본 발명은 수지 성분이, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 특정 비율이 되도록 배합된 에폭시 수지 성분에 의해 구성되고, 또한 액상 수지가 수지 성분 중 특정 비율이 되도록 설정되어 이루어지는 광도파로용 감광성 수지 조성물이다. 이 때문에, 이 광도파로용 감광성 수지 조성물을 이용하여, 예컨대, 광도파로의 코어층을 형성한 경우, 고투명성 및 저손실을 구비한 코어층을 형성하는 것이 가능해진다.
다음으로, 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이 실시형태에 한정되는 것이 아니다.
《광도파로용 감광성 수지 조성물》
본 발명의 광도파로용 감광성 수지 조성물(이하, 간단히 「감광성 수지 조성물」이라고 하는 경우가 있다.)은, 특정한 수지 성분, 및 광중합 개시제를 이용하여 얻어지는 것이다. 그리고, 본 발명에서는, 상기 특정한 수지 성분이, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 둘 다를 포함하는 에폭시 수지 성분에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 한편, 본 발명에 있어서, 「액상」, 혹은 「고형」이란, 상온(25℃)의 온도 하에 있어서 「액상」 또는 「고체」 상태를 나타내는 것을 의미한다.
이하, 각종 성분에 대해 순서대로 설명한다.
<방향족 에폭시 수지>
상기 방향족 에폭시 수지로서는, 상온(25℃)에서 고체 상태를 나타내는 것이 바람직하고, 예컨대, 고형의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 구체적으로는, YDCN-700-10, YDCN-700-7, YDCN-700-5, YDCN-700-3(모두 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 등을 들 수 있다. 그 외에, 장쇄 이작용 방향족 비스페놀 A형 에폭시 수지인 JER1002, JER1004, JER1007, JER1010(모두 미쓰비시 가가쿠사 제조) 등도 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다.
상기 방향족 에폭시 수지의 함유 비율은, 에폭시 수지 성분 전체의 55 중량% 이상 80 중량% 미만이고, 보다 바람직하게는 60 중량% 이상 75 중량% 이하이다. 즉, 함유 비율이 지나치게 많으면, 방향환 유래의 C-H 결합의 4배음 흡수(4vCH)에서 유래하는 광손실이 악화되고, 함유 비율이 지나치게 적으면, 클래드층 형성 재료와의 비굴절률차의 저하에 의해 굴곡 손실이 악화된다.
<지방족 에폭시 수지>
상기 지방족 에폭시 수지로서는, 상온(25℃)에서 고체 상태를 나타내는 것, 상온(25℃)에서 액상을 나타내는 것 등이 이용되며, 예컨대, 액상 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그리고, 적어도 고체 상태를 나타내는 지방족 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하며, 이 경우, 지방족 에폭시 수지로서 고체 상태를 나타내는 지방족 에폭시 수지만으로 이루어지는 양태여도 좋고, 고체 상태를 나타내는 지방족 에폭시 수지와 함께 액상을 나타내는 지방족 에폭시 수지를 병용한 양태여도 좋다. 구체적으로는, YX-8034, YX-8000, YL-7410(모두 미쓰비시 가가쿠사 제조), 에포고세(EPOGOSEY) PT(욧카이치 고세이사 제조), 데나콜(DENACOL) EX-321(나가세 켐텍스사 제조), EP-4080E(ADEKA사 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다. 한편, 본 발명에 있어서, 지방족 에폭시 수지란, 분자 중에 방향환(벤젠환)을 포함하지 않는 환식 또는 비환식의 비방향족계 에폭시 수지를 말하며, 예컨대, 지환식 에폭시 수지와 같은 환상 지방족 에폭시 수지를 포함하는 취지이다.
또한, 상기 지방족 에폭시 수지로서는, 2,2-비스(하이드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지 등의 지방족 에폭시 수지를 들 수 있다. 구체적으로는, EHPE-3150(다이셀 가가쿠사 제조), YX-8034(미쓰비시 가가쿠사 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용할 수 있다.
상기 지방족 에폭시 수지의 함유 비율은, 에폭시 수지 성분 전체의 20 중량%를 초과하고 45 중량% 이하이며, 보다 바람직하게는 25~40 중량%이다. 즉, 함유 비율이 지나치게 많으면, 클래드층 형성 재료와의 비굴절률차의 저하에 의해 굴곡 손실이 악화되고, 함유 비율이 지나치게 적으면, 상대적으로 방향족 에폭시 수지의 비율이 증가하기 때문에 방향족성이 증가하게 되어, 방향환 C-H 결합 유래의 4배음 흡수(4vCH)의 증가에 의해 파장 850 ㎚에 있어서의 전파 손실이 악화된다.
나아가서는, 상기 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 둘 다를 포함하는 에폭시 수지 성분에 의해 구성되어 이루어지는 수지 성분에 있어서 미경화 유연성이 부족한 경우, 액상 수지 성분을 첨가함으로써 유연성을 보충하는 것이 가능해진다. 그 때, 액상 수지의 함유 비율은 수지 성분 전체의 10 중량%를 초과하고 25 중량% 미만으로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 15~22 중량%이다. 즉, 액상 수지의 함유 비율이 지나치게 적으면, 제작한 미경화 필름의 유연성이 저하되어, 결과, R-to-R 적합성이 악화되는 경향이 보여지고, 함유 비율이 지나치게 많으면, 형성되는 코어층에 있어서 표면 거칠음이 발생하여, 택성이 악화되는 경향이 보여진다.
<광산 발생제>
상기 광산 발생제는, 감광성 수지 조성물에 대해 광조사에 의한 경화성을 부여하기 위해서, 예컨대, 자외선 경화성을 부여하기 위해서 이용되는 것이다.
상기 광산 발생제로서는, 예컨대, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, p-(페닐티오)페닐디페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-(페닐티오)페닐디페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-클로로페닐디페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-클로로페닐디페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드비스헥사플루오로포스페이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드비스헥사플루오로안티모네이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe-헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트 등이 이용된다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상 함께 이용된다.
또한, 광산 발생제의 구체예로서, 트리페닐술포늄염계 헥사플루오로안티모네이트 타입의 SP-170(ADEKA사 제조), CPI-101A(산아프로사 제조), WPAG-1056(와코 쥰야쿠 고교사 제조), 디페닐요오도늄염계 헥사플루오로안티모네이트 타입의 WPI-116(와코 쥰야쿠 고교사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 광산 발생제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 수지 성분 100 중량부에 대해 0.1~3 중량부로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.25~1 중량부이다. 즉, 광산 발생제의 함유량이 지나치게 적으면, 만족스러운 광조사(자외선 조사)에 의한 광경화성이 얻어지기 어렵고, 지나치게 많으면, 광감도가 올라가, 패터닝 시에 형상 이상을 초래하는 경향이 보여지며, 또 초기 손실의 요구 물성이 악화되는 경향이 보여진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 상기 수지 성분 및 광산 발생제 이외에, 필요에 따라, 예컨대, 접착성을 높이기 위해서 실란계 혹은 티탄계의 커플링제, 올레핀계 올리고머나 노르보르넨계 폴리머 등의 시클로올레핀계 올리고머나 폴리머, 합성 고무, 실리콘 화합물 등의 밀착 부여제, 힌더드 페놀계 산화 방지제나 인계 산화 방지제 등의 각종 산화 방지제, 레벨링제, 소포제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제는, 본 발명에서의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 적절히 배합된다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상 병용하여 이용할 수 있다.
상기 산화 방지제의 배합량은, 수지 성분 100 중량부에 대해 3 중량부 미만으로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 1 중량부 이하이다. 즉, 산화 방지제의 함유량이 지나치게 많으면, 초기 손실의 요구 물성이 악화되는 경향이 보여진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 수지 성분 및 광산 발생제, 나아가서는 필요에 따라 다른 첨가제를, 소정의 배합 비율로 하여 교반 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 도공용 바니시로서 조제하기 위해서, 가열 하(예컨대, 60~90℃ 정도), 유기 용제에 교반 용해시켜도 좋다. 상기 유기 용제의 사용량은, 적절히 조정되는 것이지만, 예컨대, 감광성 수지 조성물의 수지 성분 100 중량부에 대해 20~80 중량부로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 30~50 중량부이다. 즉, 유기 용제의 사용량이 지나치게 적으면, 도공용 바니시로서 조제했을 때에 고점도가 되어 도공성이 저하되는 경향이 보여지고, 유기 용제의 사용량이 지나치게 많으면, 도공용 바니시를 이용하여 후막으로 도공 형성하는 것이 곤란해지는 경향이 보여진다.
상기 도공용 바니시를 조제할 때에 이용되는 유기 용제로서는, 예컨대, 젖산에틸, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-부타논, N,N-디메틸아세트아미드, 디글라임, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라메틸푸란, 디메톡시에탄 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는, 단독으로 또는 2종류 이상 병용하여, 도공에 적합한 점도가 되도록, 예컨대, 상기 범위 내에서 소정량 이용된다.
《광도파로》
다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 코어층 형성 재료로서 이용하여 이루어지는 광도파로에 대해 설명한다.
본 발명에 의해 얻어지는 광도파로는, 예컨대, 기재와, 그 기재 상에, 소정 패턴으로 형성된 클래드층(언더클래드층)과, 상기 클래드층 상에, 광신호를 전파하는, 소정 패턴으로 형성된 코어층과, 또한, 상기 코어층 상에 형성된 클래드층(오버클래드층)을 구비한 구성으로 이루어진다. 그리고, 본 발명에 의해 얻어지는 광도파로에서는, 상기 코어층이, 전술한 감광성 수지 조성물에 의해 형성되어 이루어진다. 또한, 상기 언더클래드층 형성 재료 및 오버클래드층 형성 재료에 대해서는, 동일한 성분 조성으로 이루어지는 클래드층 형성용 수지 조성물을 이용해도 좋고, 상이한 성분 조성의 수지 조성물을 이용해도 좋다. 한편, 본 발명에 의해 얻어지는 광도파로에 있어서, 상기 클래드층은, 코어층보다 굴절률이 작아지도록 형성할 필요가 있다.
본 발명에 있어서, 광도파로는, 예컨대, 다음과 같은 공정을 경유함으로써 제조할 수 있다. 즉, 기재를 준비하고, 그 기재 상에, 클래드층 형성 재료인 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 바니시를 도공한다. 이 바니시 도공면에 대해 자외선 등의 광조사를 행하고, 또한 필요에 따라 가열 처리를 행함으로써 감광성 바니시를 경화시킨다. 이와 같이 하여 언더클래드층(클래드층의 하방 부분)을 형성한다.
이어서, 상기 언더클래드층 상에, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 유기 용제에 용해시켜 이루어지는 코어층 형성 재료(감광성 바니시)를 도공함으로써 코어층 형성용의 미경화층을 형성한다. 이 때, 상기 코어층 형성 재료(감광성 바니시)를 도공한 후, 유기 용제를 가열 건조하여 제거함으로써 미경화의 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름이 되는 필름 형상으로 형성되게 된다. 그리고, 이 코어 형성용 미경화층면 상에, 소정 패턴(광도파로 패턴)을 노광시키기 위한 포토마스크를 배치하고, 이 포토마스크를 통해 자외선 등의 광조사를 행하며, 또한 필요에 따라 가열 처리를 행한다. 그 후, 상기 코어 형성용 미경화층의 미노광 부분을, 현상액을 이용하여 용해 제거함으로써, 소정 패턴의 코어층을 형성한다.
다음으로, 상기 코어층 상에, 전술한 클래드층 형성 재료인 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 바니시를 도공한 후, 자외선 조사 등의 광조사를 행하고, 또한 필요에 따라 가열 처리를 행함으로써, 오버클래드층(클래드층의 상방 부분)을 형성한다. 이러한 공정을 경유함으로써, 목적으로 하는 광도파로를 제조할 수 있다.
상기 기재 재료로서는, 예컨대, 실리콘 웨이퍼, 금속제 기판, 고분자 필름, 유리 기판 등을 들 수 있다. 그리고, 상기 금속제 기판으로서는, SUS 등의 스테인리스판 등을 들 수 있다. 또한, 상기 고분자 필름으로서는, 구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리이미드 필름 등을 들 수 있다. 그리고, 그 두께는, 통상, 10 ㎛~3 ㎜의 범위 내로 설정된다.
상기 광조사에서는, 구체적으로는 자외선 조사가 행해진다. 상기 자외선 조사에서의 자외선의 광원으로서는, 예컨대, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등 등을 들 수 있다. 또한, 자외선의 조사량은, 통상, 10~20000 mJ/㎠, 바람직하게는 100~15000 mJ/㎠, 보다 바람직하게는 500~10000 mJ/㎠ 정도를 들 수 있다.
또한, 상기 자외선 조사 등의 광조사에 의한 노광 후, 광반응에 의한 경화를 완결시키기 위해서 가열 처리를 실시해도 좋다. 또한, 상기 가열 처리 조건으로서는, 통상, 80~250℃, 바람직하게는, 100~150℃에서, 10초~2시간, 바람직하게는, 5분~1시간의 범위 내에서 행해진다.
또한, 상기 클래드층 형성 재료로서는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 불소화 에폭시 수지, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 각종 액상 에폭시 수지, 고형 에폭시 수지, 나아가서는, 전술한 각종 광산 발생제를 적절히 함유하는 수지 조성물을 들 수 있고, 코어층 형성 재료와 비교하여 적절히, 저굴절률이 되는 배합 설계가 행해진다. 또한, 필요에 따라 클래드층 형성 재료를 바니시로서 조제하여 도공하기 위해서, 도공에 적합한 점도가 얻어지도록 종래 공지의 각종 유기 용제, 또한, 상기 코어층 형성 재료를 이용한 광도파로로서의 기능을 저하시키지 않을 정도의 각종 첨가제(산화 방지제, 밀착 부여제, 레벨링제, UV 흡수제)를 적량 이용해도 좋다.
상기 바니시 조제용에 이용되는 유기 용제로서는, 전술과 마찬가지로, 예컨대, 젖산에틸, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-부타논, N,N-디메틸아세트아미드, 디글라임, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라메틸푸란, 디메톡시에탄 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는, 단독으로 또는 2종류 이상 병용하여, 도포에 적합한 점도가 얻어지도록, 적량 이용된다.
한편, 상기 기재 상에 있어서의, 각 층의 형성 재료를 이용한 도공 방법으로서는, 예컨대, 스핀 코터, 코터, 원 코터, 바 코터 등의 도공에 의한 방법이나, 스크린 인쇄, 스페이서를 이용하여 갭을 형성하고, 그 안에 모세관 현상에 의해 주입하는 방법, 멀티 코터 등의 도공기에 의해 R-to-R로 연속적으로 도공하는 방법 등을 이용할 수 있다. 또한, 상기 광도파로는, 상기 기재를 박리 제거함으로써, 필름형 광도파로로 하는 것도 가능하다.
이와 같이 하여 얻어진 광도파로는, 예컨대, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판용의 광도파로로서 이용할 수 있다.
[실시예]
다음으로, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 한편, 예 중, 「부」라고 기재되어 있는 것은, 언급이 없는 한 중량 기준을 의미한다.
[실시예 1]
먼저, 실시예가 되는 광도파로의 제작에 앞서, 클래드층 형성 재료 및 코어층 형성 재료인 각 감광성 바니시를 조제하였다.
<언더클래드층 형성 재료의 조제>
차광 조건 하에서, 고형 다작용 지방족 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 67부, 고형 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8040, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 33부, 광산 발생제(CPI-101A, 산아프로사 제조) 1부, 힌더드 페놀계 산화 방지제(Songnox1010, 교도 야쿠힌사 제조) 0.5부, 인계 산화 방지제(HCA, 산코사 제조) 0.5부를, 젖산에틸 55부에 혼합하고, 85℃ 가열 하에서 교반하여 완전히 용해시키며, 그 후 실온(25℃)까지 냉각한 후, 직경 1.0 ㎛의 멤브레인 필터를 이용하여 가열 가압 여과를 행함으로써, 언더클래드층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하였다.
<코어층 형성 재료의 조제>
차광 조건 하에서, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 75부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 25부, 광산 발생제(WPAG-1056, 와코 쥰야쿠 고교사 제조) 1부, 힌더드 페놀계 산화 방지제(Songnox1010, 교도 야쿠힌사 제조) 0.5부, 인산에스테르계 산화 방지제(HCA, 산코사 제조) 0.5부를, 젖산에틸 50부에 혼합하고, 85℃ 가열 하에서 교반하여 완전히 용해시키며, 그 후 실온(25℃)까지 냉각한 후, 직경 1.0 ㎛의 멤브레인 필터를 이용하여 가열 가압 여과를 행함으로써, 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하였다.
<오버클래드층 형성 재료의 조제>
차광 조건 하에서, 고형 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8040, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 60부, 고형 다작용 지방족 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 30부, 액상 지방족 에폭시 수지(YL-7410, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 10부, 광산 발생제(CPI-101A, 산아프로사 제조) 1부, 힌더드 페놀계 산화 방지제(Songnox1010, 교도 야쿠힌사 제조) 0.5부, 인계 산화 방지제(HCA, 산코사 제조) 0.5부를, 젖산에틸 50부에 혼합하고, 85℃ 가열 하에서 교반하여 완전히 용해시키며, 그 후 실온(25℃)까지 냉각한 후, 직경 1.0 ㎛의 멤브레인 필터를 이용하여 가열 가압 여과를 행함으로써, 오버클래드층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하였다.
《광도파로의 제작》
<언더클래드층의 제작>
스핀 코터를 이용하여, 상기 언더클래드층 형성 재료인 감광성 바니시를 두께 약 500 ㎛의 실리콘 웨이퍼 상에 도공한 후, 핫플레이트 상에서 유기 용제를 건조(130℃×10분간)에 의해 제거시켰다. 이어서, UV 조사기〔5000 mJ/㎠(I선 필터)〕에 의해 전면(全面) 노광을 행하고, 또한 후가열(130℃×10분간)을 행함으로써, 실리콘 웨이퍼 상에 언더클래드층(두께: 15 ㎛)을 제작하였다.
<코어층의 제작>
상기한 바와 같이 하여 형성된 언더클래드층 상에, 스핀 코터를 이용하여, 코어층 형성 재료인 감광성 바니시를 도공한 후, 핫플레이트 상에서 유기 용제(젖산에틸)를 건조(130℃×10분간)에 의해 제거시킴으로써, 미경화 필름 상태의 미경화층(코어 형성층)을 형성하였다. 형성된 미경화층(코어 형성층)에 대해, UV 조사기〔혼선(밴드 필터 없음)〕로 9000 mJ/㎠(파장 365 ㎚ 적산)의 마스크 패턴 노광〔패턴 폭/패턴 간격(L/S)=50 ㎛/200 ㎛〕을 행하고, 후가열(130℃×10분간)을 행하였다. 그 후, γ-부티로락톤 중에서 현상(실온(25℃) 하, 4분간)한 후, 수세(水洗)하고, 핫플레이트 상에서 수분을 건조(120℃×10분간)에 의해 제거시킴으로써, 소정 패턴의 코어층(두께 50 ㎛)을 제작하였다.
<오버클래드층의 제작>
상기한 바와 같이 하여 형성된 코어층 상에, 스핀 코터를 이용하여, 오버클래드층 형성 재료인 감광성 바니시를 도공한 후, 핫플레이트 상에서 유기 용제(젖산에틸)를 건조(130℃×5분간)에 의해 제거시켰다. 그 후, 5000 mJ/㎠(I선 필터)의 노광, 130℃×10분간의 노광 후 가열 처리(PEB 처리)를 행함으로써, 오버클래드층(코어층 상의 오버클래드층 두께 10 ㎛)을 제작하였다.
이와 같이 하여, 실리콘 웨이퍼 상에, 언더클래드층이 형성되고, 이 언더클래드층 상에 소정 패턴의 코어층이 형성되며, 또한 이 코어층 상에 오버클래드층이 형성된 광도파로(광도파로 총 두께 75 ㎛)를 제작하였다.
[실시예 2]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 70부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 30부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[실시예 3]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 65부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 35부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[실시예 4]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 60부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 40부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[실시예 5]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 55부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 45부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[실시예 6]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-10, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 75부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 13부, 액상 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8034, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 12부, 젖산에틸 40부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[실시예 7]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-10, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 55부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 25부, 액상 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8034, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 20부, 젖산에틸 40부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[비교예 1]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 80부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 20부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[비교예 2]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-7, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 50부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 50부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[비교예 3]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-10, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 80부, 액상 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8034, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 20부, 젖산에틸 40부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[비교예 4]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-10, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 50부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 25부, 액상 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8034, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 25부, 젖산에틸 40부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
[비교예 5]
코어층 형성 재료인 감광성 바니시의 조제에 있어서, 수지 성분의 배합 조성을, 고형 크레졸 노볼락형 고형 에폭시 수지(YDCN-700-10, 신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조) 50부, 고형 지방족 다작용 지환식 에폭시 수지(EHPE-3150, 다이셀사 제조) 40부, 액상 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지(YX-8034, 미쓰비시 가가쿠사 제조) 10부, 젖산에틸 40부로 변경하였다. 그 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를 조제하고, 광도파로를 제작하였다.
이와 같이 하여 얻어진 각 코어층 형성 재료인 감광성 바니시, 및 각 광도파로를 이용하여, 광도파로의 손실 평가(직선 손실) 및 r=1.5 ㎜ 굴곡 손실, 택성 평가, 미경화 필름 유연성 평가에 대해 하기에 나타내는 방법에 따라 측정·평가하였다. 이들 결과를 코어층 형성 재료의 배합 조성과 함께 후기하는 표 1~표 2에 아울러 나타낸다.
[광도파로의 손실 평가(직선 손실)]
상기 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 광도파로를 샘플로서 이용하고, 광원(850 ㎚ VCSEL 광원 OP250, 미키사 제조)으로부터 발진된 광을 멀티 모드 파이버〔FFP-G120-0500, 미키사 제조(직경 50 ㎛ MMF, NA=0.2)〕로 집광하여, 상기 샘플에 입사하였다. 그리고, 샘플로부터 출사된 광을 렌즈〔FH14-11, 세이와 고가쿠 세이사쿠쇼사 제조(배율 20, NA=0.4)〕로 집광하고, 광계측 시스템(옵티컬 멀티파워 미터 Q8221, 어드밴테스트사 제조)으로 6채널을 평가하였다. 6채널의 평균 전체 손실로부터 직선 손실을 산출하고, 하기의 기준에 기초하여 평가하였다.
○: 전체 직선 손실이 0.05 ㏈/㎝ 미만이었다.
×: 전체 직선 손실이 0.05 ㏈/㎝ 이상이었다.
[r=1.5 ㎜ 굴곡 손실 평가]
상기 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 광도파로를, 기재인 실리콘 웨이퍼로부터 박리하고, 직경 1.5 ㎜의 금속 막대에 360° 휘감았을 때의 과잉 손실값을, 상기 직선 손실과 동일하게 하여 측정, 평가하였다. 그 결과를, 하기의 기준에 기초하여 평가하였다.
○: 과잉 손실이 0.1 ㏈/㎝ 이하였다.
×: 과잉 손실이 0.1 ㏈/㎝를 초과하는 값이었다.
[택성 평가]
상기 실시예 및 비교예에 있어서 조제한 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를, 두께 약 500 ㎛의 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코터를 이용하여 도공하고, 핫플레이트 상에서 건조(130℃×5분간의 프리베이크)를 행함으로써 미경화 필름층(두께 약 50 ㎛)을 제작하였다. 얻어진 미경화 필름층의 표면의 택성 및 표면 거칠음의 유무를 손가락 접촉에 의해 확인하고, 그 결과, 하기의 기준에 기초하여 평가하였다.
○: 택이 없고, 또한 표면 거칠음이 발생하지 않았다.
×: 택을 갖고 있고, 또한 표면 거칠음이 발생하였다.
[미경화 필름 유연성(R-to-R 적합성 평가)]
상기 실시예 및 비교예에 있어서 조제한 코어층 형성 재료가 되는 감광성 바니시를, 두께 50 ㎛의 SUS 기재 상에 스핀 코터로 도공하고, 건조(130℃×5분간)를 행함으로써 두께 약 50 ㎛의 미경화 필름을 제작하였다. 상기 SUS 기재 상에 형성된 미경화 필름(비정질 필름)을, 직경 8 ㎝의 권취심(winding core)을 따라 권취하고, 필름에 발생한 크랙의 유무를 육안에 의해 확인하였다. 그 결과, 하기의 기준에 기초하여 평가하였다.
○: 크랙이 발생하지 않았다.
×: 크랙이 발생하였다.
상기 결과로부터, 방향족 에폭시 수지와 지방족 에폭시 수지를 특정 범위로 배합하여 이루어지는 감광성 수지 조성물(실시예품) 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 코어층을 구비한 광도파로는, 광도파로의 손실 평가(직선 손실), r=1.5 ㎜ 굴곡 손실, 택성 평가, 미경화 필름 유연성 평가 모두에 있어서 양호한 평가 결과가 얻어졌다.
이에 비해, 방향족 에폭시 수지의 배합 비율이 수지 성분 중 80 중량%가 되는 비교예 1, 3품은 직선 손실에 대해 뒤떨어지는 결과가 되고, 방향족 에폭시 수지의 배합 비율이 수지 성분 중 50 중량%가 되는 비교예 2, 4, 5품은 r=1.5 ㎜ 굴곡 손실 평가가 뒤떨어지는 결과가 되었다. 또한, 미경화 필름 유연성이 부족한 YDCN-700-10을 사용한 비교예 중에서도 비교예 4, 5품의 경우, 액상 수지가 차지하는 비율이 수지 성분 중 25 중량%가 되는 비교예 4품에서는, 택성이 뒤떨어지는 결과가 되고, 액상 수지가 차지하는 비율이 수지 성분 중 10 중량%가 되는 비교예 5품은, 미경화 필름 유연성이 뒤떨어지는 결과가 되었다.
상기 실시예에서는, 본 발명에서의 구체적인 형태에 대해 나타내었으나, 상기 실시예는 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석되는 것이 아니다. 당업자에게 명백한 여러 가지 변형은, 본 발명의 범위 내인 것이 기도되고 있다.
본 발명의 광도파로용 감광성 수지 조성물은, 광도파로를 구성하는 코어층의 형성 재료로서 유용하다. 그리고, 상기 광도파로용 감광성 수지 조성물을 이용하여 제작되는 광도파로는, 예컨대, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 등에 이용된다.
Claims (9)
- 수지 성분과, 광산 발생제를 함유하는 광도파로용 감광성 수지 조성물로서,
상기 광도파로용 감광성 수지 조성물은 하기 평균 조성식으로 표시되는 오르가노실록산 화합물을 함유하지 않고,
상기 수지 성분이, 방향족 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 둘 다를 포함하는 에폭시 수지 성분에 의해 구성되고,
상기 방향족 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체의 55 중량% 이상 80 중량% 미만이며,
상기 지방족 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체의 20 중량%를 초과하고 45 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 광도파로용 감광성 수지 조성물.
[평균 조성식]
R1 aR2 bYcSiOd
(식 중, R1은 포화 지방족 탄화수소기를 나타낸다. R2는 아릴기 및 아랄킬기로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. Y는 RO기, 수산기, 할로겐 원자 및 수소 원자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. R은 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기 및 아랄킬기로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. a, b, c 및 d는 0≤a＜3, 0≤b＜3, 0≤c＜3, 0＜a＋b＋c＜3, 0＜a＋b＜3, 및 a＋b＋c＋2d=4를 만족한다.) - 제1항에 있어서, 방향족 에폭시 수지가 고형인 광도파로용 감광성 수지 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 지방족 에폭시 수지가, 적어도 고형 지방족 에폭시 수지를 포함하는 것인 광도파로용 감광성 수지 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 광도파로용 감광성 수지 조성물이, 기재와, 그 기재 상에 형성된 클래드층과, 상기 클래드층 중에 소정 패턴으로 형성된, 광신호를 전파하는 코어층을 구비한 광도파로에 있어서의 코어층 형성 재료인 광도파로용 감광성 수지 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 광도파로용 감광성 수지 조성물이 필름형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름.
- 기재와, 그 기재 상에 형성된 클래드층과, 상기 클래드층 중에 소정 패턴으로 형성된, 광신호를 전파하는 코어층을 구비한 광도파로로서, 상기 코어층이, 제1항 또는 제2항에 기재된 광도파로용 감광성 수지 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로.
- 제6항에 기재된 광도파로를 구비하는 것을 특징으로 하는 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판.
- 기재와, 그 기재 상에 형성된 클래드층과, 상기 클래드층 중에 소정 패턴으로 형성된, 광신호를 전파하는 코어층을 구비한 광도파로로서, 상기 코어층이, 제5항에 기재된 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름을 경화시킴으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로.
- 제8항에 기재된 광도파로를 구비하는 것을 특징으로 하는 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014219300A JP6537061B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 光導波路用感光性樹脂組成物および光導波路コア層形成用光硬化性フィルム、ならびにそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 |
| JPJP-P-2014-219300 | 2014-10-28 | ||
| PCT/JP2015/079912 WO2016068025A1 (ja) | 2014-10-28 | 2015-10-23 | 光導波路用感光性樹脂組成物および光導波路コア層形成用光硬化性フィルム、ならびにそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170074872A KR20170074872A (ko) | 2017-06-30 |
| KR102605384B1 true KR102605384B1 (ko) | 2023-11-23 |
Family
ID=55857364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177010481A Active KR102605384B1 (ko) | 2014-10-28 | 2015-10-23 | 광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 및 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10858475B2 (ko) |
| JP (1) | JP6537061B2 (ko) |
| KR (1) | KR102605384B1 (ko) |
| CN (1) | CN107075081B (ko) |
| TW (1) | TWI691785B (ko) |
| WO (1) | WO2016068025A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6748878B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2020-09-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光導波路用組成物、光導波路用ドライフィルム、及び光導波路 |
| JP6830808B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2021-02-17 | 日東電工株式会社 | 光導波路形成用感光性エポキシ樹脂組成物、光導波路形成用硬化性フィルムおよびそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 |
| JP7224802B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-02-20 | 日東電工株式会社 | 光導波路形成用感光性エポキシ樹脂組成物、光導波路形成用感光性フィルムおよびそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 |
| JP7173852B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-11-16 | 日東電工株式会社 | 光導波路用エポキシ樹脂感光性組成物、光導波路用感光性フィルム、光導波路、および、光電気混載基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008133442A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Nippon Shokubai Co Ltd | 樹脂組成物、光学材料、及び、該光学材料の制御方法 |
| JP2008287014A (ja) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光導波路 |
| JP2014102348A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光伝送用フレキシブルプリント基板、およびその光導波路の製法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4474929A (en) * | 1983-09-30 | 1984-10-02 | The Dow Chemical Company | Polyglycidyl ethers of branched novolacs |
| US4882245A (en) * | 1985-10-28 | 1989-11-21 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith |
| TWI396698B (zh) | 2004-10-07 | 2013-05-21 | A resin composition for an optical material, a resin film for an optical material, and an optical waveguide using the same | |
| CN101035855B (zh) | 2004-10-07 | 2011-06-15 | 日立化成工业株式会社 | 光学材料用树脂组合物、光学材料用树脂薄膜及使用其的光导 |
| JP5598254B2 (ja) | 2004-12-13 | 2014-10-01 | 日立化成株式会社 | 光導波路材料用樹脂組成物、光導波路材料用樹脂フィルム及びこれらを用いた光導波路 |
| EP2067824A1 (en) | 2006-09-29 | 2009-06-10 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Curable resin composition, optical material, and method of regulating optical material |
| JP5448358B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2014-03-19 | 株式会社日本触媒 | 樹脂組成物、光学材料、及び、光学部材 |
| JP5465453B2 (ja) | 2009-03-26 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 光導波路形成用エポキシ樹脂組成物、光導波路形成用硬化性フィルム、光伝送用フレキシブルプリント配線板、及び電子情報機器 |
| WO2011136084A1 (ja) * | 2010-04-29 | 2011-11-03 | ダイセル化学工業株式会社 | スクリーン印刷用硬化性樹脂組成物及びプリント配線板 |
| JP5754127B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-07-29 | 日立化成株式会社 | 光学材料用樹脂組成物、光学材料用樹脂フィルム及び光学材料用ワニス並びにこれらを用いた光導波路 |
| JP5306315B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2013-10-02 | 日東電工株式会社 | 光硬化性樹脂組成物および光学材料 |
| JP5905303B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-04-20 | 日東電工株式会社 | 光導波路形成用エポキシ樹脂組成物およびそれより得られる光導波路形成用硬化性フィルム並びに光伝送用フレキシブルプリント基板 |
-
2014
- 2014-10-28 JP JP2014219300A patent/JP6537061B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-10-23 CN CN201580056632.2A patent/CN107075081B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-23 TW TW104134922A patent/TWI691785B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-10-23 US US15/516,967 patent/US10858475B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-23 KR KR1020177010481A patent/KR102605384B1/ko active Active
- 2015-10-23 WO PCT/JP2015/079912 patent/WO2016068025A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008133442A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Nippon Shokubai Co Ltd | 樹脂組成物、光学材料、及び、該光学材料の制御方法 |
| JP2008287014A (ja) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光導波路 |
| JP2014102348A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光伝送用フレキシブルプリント基板、およびその光導波路の製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016084440A (ja) | 2016-05-19 |
| JP6537061B2 (ja) | 2019-07-03 |
| TW201619701A (zh) | 2016-06-01 |
| US20170291984A1 (en) | 2017-10-12 |
| KR20170074872A (ko) | 2017-06-30 |
| US10858475B2 (en) | 2020-12-08 |
| TWI691785B (zh) | 2020-04-21 |
| CN107075081B (zh) | 2021-02-09 |
| WO2016068025A1 (ja) | 2016-05-06 |
| CN107075081A (zh) | 2017-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102115637B1 (ko) | 광도파로용 감광성 에폭시 수지 조성물, 광도파로 형성용 경화성 필름, 및 감광성 에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조한 광도파로 및 광ㆍ전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판, 및 그 광도파로의 제법 | |
| KR20130105399A (ko) | 광도파로 형성용 에폭시 수지 조성물 및 그것으로부터 얻어지는 광도파로 형성용 경화성 필름 및 광전송용 플렉시블 프린트 기판 | |
| KR102641200B1 (ko) | 광 도파로 형성용 감광성 에폭시 수지 조성물 및 광 도파로 형성용 감광성 필름, 및 상기 에폭시 수지 조성물 또는 감광성 필름을 사용하여 제조된 광 도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 | |
| KR102605384B1 (ko) | 광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 및 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 | |
| KR20130120384A (ko) | 광도파로 형성용 에폭시 수지 조성물 및 광도파로 형성용 경화성 필름, 그리고 광전송용 플렉시블 프린트 기판, 및 그 제법 | |
| WO2020026970A1 (ja) | 光導波路形成用感光性エポキシ樹脂組成物、光導波路形成用感光性フィルムおよびそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 | |
| JP6830808B2 (ja) | 光導波路形成用感光性エポキシ樹脂組成物、光導波路形成用硬化性フィルムおよびそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 | |
| US9857504B2 (en) | Optical waveguide photosensitive resin composition, photocurable film for forming optical waveguide core layer, optical waveguide using same, and mixed flexible printed circuit board for optical/electrical transmission | |
| KR20160083853A (ko) | 광도파로용 감광성 수지 조성물, 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 그것을 이용한 광도파로, 및 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 | |
| KR102312851B1 (ko) | 광도파로용 감광성 수지 조성물 및 광도파로 코어층 형성용 광경화성 필름, 그리고 그것을 이용한 광도파로, 광·전기 전송용 혼재 플렉시블 프린트 배선판 | |
| US10324255B2 (en) | Photosensitive epoxy resin composition for formation of optical waveguide | |
| JP6332619B2 (ja) | 光導波路用感光性樹脂組成物および光導波路コア層形成用光硬化性フィルム、ならびにそれを用いた光導波路、光・電気伝送用混載フレキシブルプリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20170418 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20201020 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20230405 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20231004 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20231120 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20231120 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |