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KR102551657B1 - 전자파 차폐구조 및 그 제조방법 - Google Patents

전자파 차폐구조 및 그 제조방법 Download PDF

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KR102551657B1
KR102551657B1 KR1020160168341A KR20160168341A KR102551657B1 KR 102551657 B1 KR102551657 B1 KR 102551657B1 KR 1020160168341 A KR1020160168341 A KR 1020160168341A KR 20160168341 A KR20160168341 A KR 20160168341A KR 102551657 B1 KR102551657 B1 KR 102551657B1
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Abstract

전자파 차폐구조 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전자파 차폐구조는 다수의 소자가 실장된 인쇄회로기판; 다수의 소자 중 일부를 덮는 절연 댐; 상기 절연 댐의 내측에 주입하여 다수의 소자 중 나머지를 덮는 절연 부재; 및 상기 절연 댐과 상기 절연 부재의 외측면을 덮는 차폐 막;을 포함할 수 있다.

Description

전자파 차폐구조 및 그 제조방법{EMI shielding structure and manufacturing method for the same}
본 발명은 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 패키지에 포함된 반도체 칩이나 수동 소자 등을 외부 환경으로부터 보호함과 동시에 전자파를 차폐할 수 있는 전자파 차폐 부재를 구비하는 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 전자제품 시장에서는 휴대용 디바이스의 수요가 급격하게 증가하고 있으며, 이와 함께 휴대가 용이하도록 휴대용 디바이스의 소형화 및 경량화가 지속적으로 요구되고 있다. 휴대용 디바이스의 소형화 및 경량화를 구현하기 위해서는 휴대용 디바이스에 구비된 전자 부품의 개별 사이즈를 감소시키는 기술뿐만 아니라, 인쇄회로기판에 실장된 다수의 회로 소자들을 하나의 패키지로 집적하는 패키징 기술이 요구된다. 특히, 고주파 신호를 취급하는 반도체 패키지는 소형화가 요구될 뿐만 아니라 전자파 간섭 또는 전자파 내성 특성을 우수하게 구현하기 위한 전자파 차폐구조가 요구되고 있다.
종래의 전자파 차폐 구조는 프레스 가공된 금속재질의 쉴드 캔(shield can)으로 인쇄회로기판에 실장된 회로 소자들을 커버하는 구조이다.
쉴드 캔을 이용하여 인접한 차폐영역을 덮어 차폐하는 경우, 각 차폐영역 당 하나씩 쉴드 캔을 사용하게 된다. 이때 쉴드 캔들은 인쇄회로기판에 장착 시 소정 간격을 두고 배치되는데 서로 인접한 각 쉴드 캔의 측부는 소정의 간격을 유지하게 된다. 이러한 간격은 각 쉴드 캔을 인쇄회로기판에 고정하기 위해 불가피하게 요구되는 거리이다. 따라서 인쇄회로기판에 각 쉴드 캔을 인접하게 설치하기 위해 확보된 간격만큼 회로 소자들을 실장하기 위한 영역이 줄어들게 된다. 따라서 종래의 쉴드 캔을 적용하는 전자파 차폐구조는 회로 소자들의 고집적율을 저하시키는 문제가 있다.
또한, 종래의 전자파 차폐구조는 쉴드 캔을 제작하기 위해 별도의 프레스 가공을 거처야 하고 쉴드 캔을 이루는 재료가 고가이므로 제품의 단가 상승을 초래하는 문제가 있다.
본 발명은 고집적 회로에 적합한 전자파 차폐구조 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다수의 소자가 실장된 인쇄회로기판; 다수의 소자 중 일부를 덮는 절연 댐; 상기 절연 댐의 내측에 주입하여 다수의 소자 중 나머지를 덮는 절연 부재; 및 상기 절연 댐과 상기 절연 부재의 외측면을 덮는 차폐 막;을 포함하는, 전자파 차폐구조를 제공한다.
상기 절연 댐은 외측면이 경사지게 형성될 수 있다. 상기 절연 댐의 외측면은 계단 형상으로 단차 형성될 수 있다. 상기 절연 댐의 상단 모서리 부분이 곡면 형성될 수 있다.
상기 절연 댐을 이루는 소재의 점도와 상기 절연 부재를 이루는 소재의 점도는 서로 상이할 수 있다.
상기 절연 댐을 이루는 소재의 점도는 상기 절연 부재를 이루는 소재의 점도보다 클 수 있다. 상기 절연 댐을 이루는 소재의 점도는 20,000cps~5,000,000cps이고,상기 절연 부재를 이루는 소재의 점도는 100cps~30,000cps일 수 있다.
상기 절연 댐 및 상기 절연 부재를 이루는 절연 소재는 유동성을 갖는 요변성(Thixotropy) 소재 또는 상변화(열가소성, 열경화성) 소재일 수 있다. 상기 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 상변화 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 차폐 막을 이루는 소재의 점도는 1,000cps~100,000cps 일 수 있다.
상기 절연 댐은 상단에서 하단으로 갈수록 폭이 점차 넓게 형성될 수 있다. 상기 절연 댐의 상면은 평탄하게 형성될 수 있다. 상기 절연 부재의 상면은 상기 절연 댐의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
상기 차폐 막은 전기 전도성 소재가 분무 형태로 분사되어 미리 설정된 두께로 형성될 수 있다. 상기 차폐 막은 일부가 차폐 필름으로 이루어질 수 있다. 상기 차폐 막은, 상기 절연 댐의 외측면과 상면의 일 부분을 덮는 제1 부분; 및 상기 절연 댐의 상면의 나머지 부분과 상기 절연 부재의 상면을 덮는 제2 부분;을 포함할 수 있다.
상기 차폐 막의 제1 및 제2 부분의 경계부는 서로 접하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 차폐 막의 제1 및 제2 부분의 경계부는 상호 오버랩될 수 있다.
인회로기판에 실장된 각 소자 간의 간격은 0.8㎜일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 다수의 소자가 실장된 인쇄회로기판의 차폐 영역의 외곽을 따라 절연 댐을 형성하는 단계; 상기 절연 댐 내측으로 절연 소재를 주입하여 절연 부재를 형성하는 단계; 및 상기 절연 댐의 측면 및 상면과, 상기 절연 부재의 상면에 전기 전도성 소재로 덮어 차폐 막을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공할 수 있다.
상기 차폐 막 형성 단계는 상기 차폐 막이 미리 설정된 두께를 갖도록 상기 전기 전도성 소재를 분무 형태 또는 미세한 액적 형태로 토출될 수 있다.
상기 차폐 막 형성 단계는, 상기 절연 댐의 외측면과 상면의 일 부분을 덮는 제1 부분을 형성하는 단계; 및 상기 절연 댐의 상면의 나머지 부분과 상기 절연 부재의 상면을 덮는 제2 부분을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 절연 댐을 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 4는 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 제1 노즐의 이동경로를 나타내는 도면이다.
도 5는 소재 토출 장치의 제1 노즐을 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 노즐에 의해 절연 댐을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 차폐 영역에 형성된 절연 댐을 나타내는 평면도이다.
도 8은 절연 댐으로 둘러 싸인 공간에 소재 토출 장치의 제2 노즐을 통해 절연 부재를 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 절연 댐 및 절연 몰딩 부재를 형성한 상태에서 차폐 막을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 11 및 도 12는 절연구조의 측부를 따라 정밀조형 방식인 콘 젯 모드(cone-jet mode) 및 틸팅 젯 모드(tilting-jet mode)로 차폐 막을 형성하는 예를 각각 나타내는 도면들이다.
도 13a 내지 도 13d는 차폐 막의 측부를 틸팅 젯 모드로 형성하기 위한 다양한 EHD 잉크젯 프린팅 장치들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 14 및 도 15는 절연구조의 상면에 고속조형 방식인 젯팅 모드(jetting mode) 및 스프레잉 모드(spraying mode)로 차폐 막을 형성하는 예를 각각 나타내는 도면들이다.
도 16a 내지 도 16c는 모서리가 라운드 형성된 절연 댐의 단면과, 이 절연 댐을 형성하기 위한 노즐과, 절연 댐의 측부 및 상면 일부에 차폐 막을 형성한 예를 각각 나타나는 도면들이다.
도 17a 내지 도 17c는 측면이 경사진 절연 댐의 단면과, 이 절연 댐을 형성하기 위한 노즐과, 절연 댐의 측부 및 상면 일부에 차폐 막을 형성한 예를 각각 나타나는 도면들이다.
도 18a 내지 도 18c는 측면이 계단 형상을 갖는 절연 댐의 단면과, 이 절연 댐을 형성하기 위한 노즐과, 절연 댐의 측부 및 상면 일부에 차폐 막을 형성한 예를 각각 나타나는 도면들이다.
도 19는 노즐의 하단 일부가 막힌 예를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은` 과장되거나 축소될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 스마트 폰, 디스플레이 장치, 웨어러블 디바이스(wearable device) 등에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 복수의 회로 소자를 차폐하는 것으로 설명하지만, 이에 한정되지 않고 단일 회로 소자만을 차폐하도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 2단계 공정에 걸쳐 절연구조를 형성한다. 즉, 절연구조는 차폐 영역의 외곽을 따라 절연 댐을 형성하는 1단계 공정과, 절연 댐 내측에 소정 점도를 갖는 절연 소재를 주입하여 절연 몰딩 부재를 형성하는 2단계 공정으로 이루어진다. 절연구조가 2단계 공정으로 이루어지는 경우, 절연 댐을 형성하는 절연 소재는 노즐에서 토출된 후 흘러 내리지 않고 절연 댐의 형상을 거의 그대로 유지될 수 있는 점도를 가질 수 있다. 절연 부재는 절연 댐에 의해 둘러싸인 공간을 채울 수 있게 높은 유동성을 갖도록 절연 댐을 위한 절연 소재보다 낮은 점도를 가질 수 있다.
또한, 절연 댐을 형성하기 위한 노즐은 토출구의 일측과 상측에서 토출구로부터 토출되는 절연 소재의 토출 방향을 가이드하는 측면 가이드부 및 상면 가이드부를 구비할 수 있다. 측면 가이드부는 절연 소재를 차폐 영역의 내측을 향해 토출되도록 가이드 할 수 있다. 상측 가이드부는 절연 소재를 인쇄회로기판을 향해 토출되도록 가이드 하면서 동시에 절연 댐의 상부가 평탄하게 형성되도록 가이드할 수 있다. 절연 댐의 상면은 평탄하게 형성함에 따라, 절연 댐에 의해 둘러 싸인 공간으로 주입되는 절연 부재의 상면과 절연 댐의 상면이 대략 동일 평면 상에 형성할 수 있다. 이와 같이 절연 댐의 상면과 절연 부재의 상면이 단차 없이 대략 동일 평면상에 있게 되면, 추후 공정에서 절연구조의 외측을 덮는 차폐 막 역시 평탄하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 절연 댐 및 절연 몰딩 부재로 이루어진 절연구조의 외측을 전기 전도성을 갖는 차폐 소재로 코팅하여 얇은 두께의 차폐 막을 형성할 수 있다. 이와 같은 차폐 막은 차폐 소재를 분무 형태로 분사하여 절연구조의 외측면 전체를 덮는 단일 공정으로 이루어질 수 있다.
또한, 차폐 막은 EHD 잉크젯 프린팅(Electrohydrodynamic injet printing) 방식으로 형성될 수도 있다. 차폐 소재는 미세한 액적(droplet) 형태로 노즐에서 토출되어 절연구조 상에 낙하됨에 따라 절연구조를 덮는다. 이 경우, 하나의 노즐을 이용하여 절연구조의 측면과 상면에 대해 각각 다른 모드로 차폐 소재를 토출하여 차폐 막을 형성할 수 있다. 즉, 절연구조의 측면에 형성되는 차폐 막은 느린 속도로 진행되는 정밀조형(콘 젯 모드(Cone-jet mode), 틸팅 젯 모드(Tilting-jet mode) 등)을 통해 형성하고, 절연구조의 상면에 형성되는 차폐 막은 정밀조형보다 빠른 속도로 진행하는 고속조형(젯팅 모드(jetting mode), 스프레잉 모드(spraying mode) 등)을 통해 형성할 수 있다. 정밀조형과 고속조형은 동일한 노즐을 통해 토출되는 차폐 소재의 토출 방식과 토출 량을 조절함에 따라 이루어질 수 있다.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 본 발명의 실시예에 따른 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 전자파 차폐구조(100)는 인쇄회로기판(110)과, 인쇄회로기판(110)에 실장된 복수의 회로 소자(115,117,119)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 회로 소자는 이종(異種)의 회로 소자들로, IC 칩(Integrated Circuit), 수동 소자 및 이형 부품일 수 있다. 예를 들어, IC 칩은 AP(Application Processor), 메모리, RF(Radio Frequency) 칩 등 일 수 있고, 수동 소자는 저항, 콘덴서, 코일 등을 일 수 있고, 상기 이형 부품은 커넥터, 카드 소켓, 전자파 차폐 부품 등 일 수 있다
인쇄회로기판(110)은 접지 패드(114)가 패터닝(patterning)될 수 있다. 접지 패드(114)는 인쇄회로기판(110)의 상면으로 돌출되지 않으면서 접지 패드(114)의 상면이 노출된 상태로 인쇄회로기판(110)에 형성될 수 있다. 이 경우, 접지 패드(114)는 인쇄회로기판(110) 내부에 형성된 접지층(미도시)에 일체로 형성될 수 있다.
접지 패드(114)는 절연구조(120)의 외측면 전체를 덮는 차폐 막(150)의 하단이 접지될 수 있다. 또한, 접지 패드(114)는 복수의 회로 소자(115,117,119)의 접지 단자가 접지될 수 있다.
회로 소자(115)는 인쇄회로기판(110)의 제1 접속 패드(111)에 전기적으로 접속되는 복수의 접속 단자(116)를 포함할 수 있다. 복수의 접속 단자(116)는 예를 들면 솔더볼과 같은 BGA(ball grid array) 방식으로 형성될 수 있다. 하지만 이러한 접속 단자(116)는 BGA 방식에 제한되지 않고, 회로 소자(115)의 리드 형태에 따라 다양한 방식 예를 들면, QFN(Quad Flat No Lead), PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier), QFP(Quad Flat Package), SOP (Small Out Line Package), TSOP/SSOP/TSSOP(Thin/Shrink/Thin Shrink SOP) 등의 다양한 방식으로 이루어질 수 있음은 물론이다.
나머지 회로 소자(117,119)는 인쇄회로기판(110)의 제2 접속 패드(112)에 전기적으로 접속되는 적어도 하나의 접속 단자(미도시)를 포함할 수 있다. 회로 소자(117,119)는 인쇄회로기판(110)에 실장 시 그 높이가 전술한 회로 소자(115)보다 작거나 클 수 있다. 각 회로 소자들(115,117,119) 간의 간격은 0.8㎜ 이하로 좁게 디자인될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 복수의 회로 소자들(115,117,119)을 덮는 절연구조(120)와, 절연구조(120)의 측면과 상면을 덮는 차폐 막(150)을 포함할 수 있다.
절연구조(120)는 인쇄회로기판(110) 상에 미리 설정된 차폐 영역의 외곽을 따라 형성된 절연 댐(121)과, 절연 댐(121)에 의해 둘러 싸인 공간에 형성되는 절연 부재(125)를 포함할 수 있다. 여기서, 차폐 영역의 외곽은 도 7에 도시된 절연 댐(121)의 외곽과 일치하거나 절연 댐(121)의 외곽 내측으로 위치할 수 있다.
절연 댐(121)은 소재 토출 장치(200)에 구비된 제1 노즐(216, 도 3 참조)에 의해 형성된다. 제1 노즐(216)에서 토출되는 절연 소재는 전기 절연성(electric insulation)을 가지면서 소정의 점도를 가질 수 있다. 절연 댐(121)을 이루는 절연 소재의 점도는 제1 노즐(216)로부터 토출된 절연 소재가 토출 후 소정의 댐 형상을 유지할 수 있도록 20,000cps~5,000,000cps이면 족하다.
절연 부재(125)는 소재 토출 장치(200)에 구비된 제2 노즐(217, 도 4 참조)에 의해 형성된다. 절연 부재(125)를 이루는 절연 소재는 전술한 절연 댐(121)을 이루는 절연 소재와 동일한 물성을 가질 수 있다. 다만, 절연 부재(125)는 절연 댐(121)에 의해 둘러싸인 공간(이 공간은 차폐 영역 중 절연 댐(121)이 형성되지 않은 부분에 대응한다)에 절연 소재를 채워 넣어야 하므로, 절연 댐(121)을 이루는 절연 소재보다 유동성이 큰 것이 바람직하다. 이를 위해 절연 부재(125)를 이루는 절연 소재의 점도는 100cps~30,000cps인 것이 바람직하다.
절연 댐(121) 및 절연 부재(125)를 이루는 절연 소재는 유동성을 갖는 요변성(Thixotropy) 소재 또는 상변화(열가소성, 열경화성) 소재일 수 있다.
요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 석검계는 알루미늄 스테아레이트(Aluminum Stearate)를 포함할 수 있다.
상변화 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate)를 포함할 수 있다.
차폐 막(150)은 별도의 소재 분사 장치(미도시)의 제3 노즐(218, 도 9 참조)에 의해 차폐 소재가 분무 상태로 분사되면서 절연구조(120)의 외측면 전체를 덮는다. 이 경우, 차폐 막(150)은 일부가 접지 패턴(114)에 접지되도록 접지 패턴(114)을 덮는다.
차폐 막(150)을 이루는 전기 전도성 소재는 전기 전도성 물질(electroconductive material)로 이루어질 수 있다. 이와 같은 전기 전도성 물질은 전기 전도성 필러(electroconductive filler)와 바인더 수지(binder resin)를 포함할 수 있다.
전기 전도성 필러로는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 등의 금속(metal)을 사용하거나, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)등의 전도성 카본을 사용하거나, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 등의 금속 코팅 물질(Metal coated materials)을 사용하거나, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline) 등의 전도성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전기 전도성 필러는 플래이크 타입(Flake type), 스피어 타입(Sphere type), 막대 타입(Rod type) 및 덴드라이트 타입(Dendrite type) 중 어느 하나 또는 혼합으로 이루어질 수 있다.
바인더 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지 등을 사용할 수 있다. 차폐 막(150)을 이루는 소재는 기타 성능 개선을 위한 첨가제(중점제, 산화방지제, 고분자 계면활성제 등) 및 용제(물, 알코올 등) 등을 추가 함유할 수도 있다.
이하, 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)의 제조 공정을 순차적으로 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
먼저, 도 2의 (a)와 같이, 복수의 회로 소자(115,117,119)가 실장된 인쇄회로기판(110)을 작업 위치로 배치한다.
이 상태에서 인쇄회로기판(110)에 미리 설정된 차폐 영역에 하기와 같이 절연구조(120)를 형성한 후, 차폐 막(150)을 형성한다. 절연구조(120)는 절연 댐(121)과 절연 부재(125)를 포함하며, 절연 댐(121)을 먼저 형성한 후 절연 부재(125)를 형성할 수 있다.
도 2의 (b)와 같이, 제1 노즐(216)이 차폐 영역의 외곽을 따라 이동할 수 있도록 미리 설정된 노즐 이동 경로(도 6 참조)를 따라 제1 노즐(216)을 이동시키면서 절연 소재를 토출하여 절연 댐(121)을 형성한다. 이 경우 절연 소재는 20,000cps~5,000,000cps의 고점도를 가지므로 제1 노즐(216)로부터 토출된 후 소정의 댐 형상을 유지한다. 또한, 절연 댐(121)은 차폐 영역의 외곽에 인접한 복수의 회로 소자를 덮는다.
절연 댐(121)을 형성한 후, 절연 댐(121)에 의해 둘러 싸인 공간(S, 도 7 참조)에 제2 노즐(217)을 이동시켜 절연 소재를 주입한다(도 8 참조). 이에 따라 도 2의 (c)와 같이, 절연 댐(121)에 의해 점유된 차폐 영역의 나머지 부분에 절연 부재(125)가 형성된다. 절연 부재(125)를 이루는 절연 소재는 절연 댐(121)을 이루는 절연 소재와 동일한 물성으로 이루어지며 다만, 절연 부재(125)를 이루는 절연 소재의 점도는 높은 유동성을 갖도록 절연 댐(121)을 이루는 절연 소재의 점도보다 낮은 100cps~30,000cps 정도의 점도로 이루어질 수 있다. 이 경우, 절연 부재(125)는 제2 노즐(217)로부터 토출되는 절연 소재의 토출량을 조절하여 절연 부재(125)의 상면(125a)이 절연 댐(121)의 상면(121a)과 대략 동일 평면상에 위치하도록 한다. 절연 댐(121)의 상면(121a)은 제1 노즐(216)로부터 토출 시 제1 노즐(216)의 상측 가이드부(216e)에 의해 대략 평탄하게 형성될 수 있다. 이에 따라 차폐 막(150) 형성 공정에서 절연구조(120)의 상부를 덮는 차폐 막(150)이 평탄하게 제작될 수 있다.
한편, 동일한 물성의 절연 소재로 이루어진 절연 댐(121)과 절연 부재(125)는 소정의 시간 차를 두고 형성되므로 절연 댐(121)과 절연 부재(125) 사이에는 경계 면이 형성될 수 있다.
절연구조(120)를 형성한 후, 제3 노즐(218)를 이동시키면서 절연구조(120)를 향해 대략 분무 형태의 차폐 소재를 분사한다(도 9 참조). 이에 따라 절연구조(120)의 외측면 전체에는 차폐 막(150)이 소정 두께로 형성된다.
제3 노즐(218)을 통해 절연 댐(121)의 측부를 향해 차폐 소재를 분사할 때 차폐 부재가 접지 패드(114)를 덮어 차폐 막(150)의 하단부(150a)가 접지 패드(114)에 전기적으로 연결되도록, 제3 노즐(218)은 각도를 적절히 조절할 필요가 있다.
이와 같이 제작된 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 제1 노즐(216)이 노즐 이동 경로를 따라 이동 시 제1 노즐(216)의 측면 가이드부(216b)가 회로 소자들에 의해 간섭되지 않고, 차폐 막(150) 형성을 위한 제3 노즐(218)이 회로 소자들 사이를 이동하지 않기 때문에, 회로 소자들 간의 간격이 0.8㎜로 매우 좁게 설장된 인쇄회로기판(110)에 용이하게 전자파 차폐구조(100)를 제작할 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)를 제작하기 위한 장치들을 설명한다.
도 3은 절연 댐을 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이다.
소재 토출 장치(200)는 소정 량의 절연 소재를 토출하기 위한 디스펜서(212)를 포함할 수 있다. 디스펜서(212)는 절연 소재를 저장하기 위한 제1 및 제2 저장챔버(211a,211b)와, 각 저장챔버(211a,211b)로부터 공급되는 소재를 토출하기 위한 제1 및 제2 노즐(216,217)을 포함할 수 있다.
디스펜서(212)는 제1 노즐(216)을 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동시키기 위한 X-Y-Z축 이동부(231)와, 제1 노즐(216)을 시계 방향 및 반 시계 방향으로 회전하거나 회전을 멈출 수 있는 회전 구동부(219)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)는 제1 노즐(216)을 X축, Y축, Z축으로 각각 이동시키기 위한 복수의 스텝 모터(미도시)를 구비할 수 있다. 이 스텝 모터들은, 구동력을 제1 노즐(216)로 전달하기 위해 제1 노즐(216)이 장착되는 노즐 장착부(미도시)에 연결된다. 회전 구동부(219)는 회전 동력을 제공하는 모터(미도시)와, 이 모터의 회전 수를 감지하여 노즐(216)의 회전 각도를 제어하기 위한 엔코더(미도시)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)는 제어부(250)에 전기적으로 연결되어 있어 제어부(250)에 의해 제어된다.
제2 노즐(217)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 절연 댐(121) 형성 후 절연 댐(121)에 의해 둘러 싸인 공간(S)의 상측을 이동하면서 절연 소재를 상기 공간(S)으로 토출한다.
소재 토출 장치(200)는 노즐(216)의 토출구를 세척하거나 새로운 교체하는 경우, 소재가 토출되는 노즐의 단부가 미리 설정된 세팅 위치에 정확하게 일치되지 않는 경우가 종종 발생한다. 따라서 제1 노즐(216)을 세팅 위치로 설정할 수 있도록 노즐위치검출센서(232)를 구비한다.
노즐 위치측정센서(232)는 비전 카메라가 사용될 수 있으며 노즐(216)의 하측에 소정 간격을 두고 배치된다. 노즐의 캘리브레이션은 노즐 위치측정센서(232)에 의해 촬영된 영상을 통해 노즐의 단부 위치를 판독하여 메모리(251)에 미리 저장된 노즐 원점 값과 비교하여 차이가 발생하는 X, Y 값만큼 제1 노즐(216)을 이동시켜 제1 노즐의 단부를 노즐 원점에 일치시킬 수 있다. 이 경우 제1 노즐(216)의 이동은 X-Y-Z 이동부(231)의 구동에 따라 노즐 장착부(미도시)가 이동함으로써 이루어진다.
또한, 소재 토출 장치(200)는 절연 댐을 형성하기 위한 위치로 인쇄회로기판이 로딩될 때, 인쇄회로기판이 놓여 진 X-Y 평면 상태에서 자세를 검출하여 소재 토출을 위한 제1 노즐(216)의 시작점(Ap)을 설정할 수 있다. 이와 같이 인쇄회로기판의 로딩 후 자세를 검출하기 위해, 소재 토출 장치(200)는 PCB 기준위치측정센서(233) 및 PCB 높이측정센서(234)를 포함할 수 있다.
PCB 기준위치측정센서(233)는 PCB 로딩 정위치를 판별하는 센서로 비전 카메라가 사용될 수 있다. PCB 기준위치측정센서(233)는 차폐구조를 형성하기 위해 작업 공간에 로딩된 인쇄회로기판이 미리 설정된 위치에 있는 지 또는 미리 설정된 위치로부터 어느 정도 차가 있는 지를 검출한다. 예를 들어, 작업 위치로 인쇄회로기판이 로딩되면, 제어부(250)는 PCB 기준위치측정센서(233)를 미리 설정된 제1 레퍼런스 마크의 좌표로 이동시켜 현재 인쇄회로기판의 제1 레퍼런스 마크를 촬영한 후, 현재 촬영된 제1 레퍼런스 마크와 미리 설정된 제1 레퍼런스 마크의 모양을 비교하여 PCB 기준위치측정센서(233)가 제 위치에 있는 지 판단한다.
PCB 기준위치측정센서(233)가 제 위치에 있다고 판단되면, 제어부(250)는 현재의 제1 레퍼런스 마크의 좌표와 미리 설정된 제1 레퍼런스 마크의 좌표의 위치 차를 산출한다. 이어서, 제어부(250)는 제1 레퍼런스 마크의 좌표를 산출하는 방법과 동일하게 현재의 제2 레퍼런스 마크의 좌표와 미리 설정된 제2 레퍼런스 마크의 좌표의 위치 차를 산출한다.
소재 토출 장치(200)는 인쇄회로기판에 절연 댐을 형성하기 위해 인쇄회로기판을 작업 위치로 로딩하고 차폐 댐 형성 완료 후 언로딩 하기 위한 PCB 공급 및 배출부(235)를 구비할 수 있다.
소재 토출 장치(200)는 형성된 절연 댐(121)의 건조 시간을 단축하기위해 인쇄회로기판을 소정 온도로 상승시키기 위한 PCB 가열용 히터(236)가 구비될 수 있다.
소재 토출 장치(200)는 제1 및 제2 노즐(216,217)의 이동 경로를 사용자가 직접 입력할 수 있는 입력부(253)를 포함할 수 있다.
입력부(253)는 터치 입력이 가능한 터치 스크린으로 형성되거나 통상의 키 패드로 이루어질 수 있다. 사용자는 입력부(253)를 통해 제1 및 제2 노즐(216,217)의 이동 경로를 각각 입력할 수 있다. 입력부(253)에 의해 1회 입력된 각 노즐의 이동 경로는 메모리(251)에 저장된다. 차후, 사용자는 입력부(253)를 통해 메모리(251)에 저장된 노즐 이동 경로 데이터를 수정할 수 있다.
이하에서는 입력부(253)를 통해 제1 노즐(216)의 노즐 이동 경로를 입력하는 과정을 설명한다.
먼저, PCB 기준위치 측정센서(233)(예를 들면, 비전 카메라일 수 있으며, 이하에서는 '비전 카메라'라고 한다)를 통해 작업 위치로 로딩된 인쇄회로기판 상에 표시된 적어도 2개의 레퍼런스 마크를 촬영하고, 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리를 측정한 후, 각 레퍼런스의 영상들과 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리 값을 메모리(251)에 저장한다. 인쇄회로기판이 직사각형일 경우, 2개의 레퍼런스 마크는 인쇄회로기판의 좌측 상단 및 우측 하단에 표시될 수 있다. 이 경우 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리는 대략 인쇄회로기판의 대각선 방향의 직선 길이를 나타낼 수 있다.
구체적으로, 작업 위치로 인쇄회로기판이 로딩되면 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 좌측 상단의 제1 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제1 레퍼런스 마크의 중심 또는 제1 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제1 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 구하고 이를 메모리(251)에 저장한다. 제1 노즐(216)과 함께 이동하는 비전 카메라의 촬영 위치는 제1 노즐(216)의 중심과 일정 간격 오프셋(offset)되어 있다. 따라서 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)는 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제1 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다.
이어서, 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 우측 하단의 제2 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제2 레퍼런스 마크의 중심 또는 제2 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제2 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)를 구하고 이를 메모리에 저장한다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제2 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다. 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)는 전술한 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 산출하는 과정과 마찬가지로 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다.
제어부(250)는 상기와 같이 검출된 제1 및 제2 레퍼런스 마크의 위치를 이용하여 2 위치 간의 간격을 산출하여 메모리(251)에 저장한다.
이어서, 사용자는 입력부(253)의 전, 후, 좌, 우 이동 버튼(미도시)을 이용하여 인쇄회로기판(110) 상에 형성할 절연 댐(121)의 경로를 따라 비전 카메라를 이동시키면서 비전 카메라에 의해 촬영되는 실시간 영상을 육안으로 확인해 가면서 제1 노즐(216)의 이동 경로 상에 위치하는 복수의 좌표를 입력한다. 해당 좌표의 입력은 비전 카메라가 제1 노즐(216)의 이동 경로 상의 어느 한 점에 위치하였을 때 입력부(253)에 구비된 좌표 입력 버튼을 누르면 해당 좌표가 입력된다. 이렇게 입력된 좌표는 메모리(251)에 저장된다.
상기 복수의 좌표는 하기와 같이, 제1 노즐(216)이 소재의 토출을 시작하는 지점의 좌표(Ap, 도 4 참조), 제1 노즐(216)이 토출을 마치는 지점의 좌표(절연 댐이 폐곡선을 이루는 경우 시작 지점(Ap)과 거의 인접하게 배치될 수 있다)와, 이동 중에 제1 노즐(216)이 방향을 바꾸어야 하는 지점들(Bp,Cp,Dp,Ep,Fp, 도 4 참조)에 대한 각 좌표이다.
또한, 제1 노즐(216)의 이동 경로를 프로그래밍화하기 위해, 입력부(253)는 지정한 좌표로 제1 노즐(216)을 이동시키는 이동 버튼과, 제1 노즐(216)이 소재를 토출하면서 이동하는 명령을 내리기 위한 라인 버튼, 제1 노즐(216)의 이동 방향을 전환하기 위한 회전 버튼 등의 각종 명령 버튼이 구비될 수 있다. 사용자는 상기 명령 버튼들과 상기 좌표 및 회전 각도를 매칭함으로써 제1 노즐(216)의 이동 경로를 생성할 수 있다.
제1 노즐(216)의 이동 경로가 전술한 바와 같이 사용자에 의해 프로그래밍 되면, 제어부(250)는 노즐 이동 경로를 따라 제1 노즐(216)을 이동하면서 절연 소재를 토출함으로써 인쇄회로기판(110)에 자동으로 절연 댐(121)을 형성할 수 있다.
이와 같이 입력부(253)를 통해 입력된 제1 노즐(216)의 이동 경로에 대한 데이터는 메모리(251)에 저장될 수 있다. 제어부(250)는 메모리(251)에 저장된 제1 노즐의 이동 경로 데이터에 따라 X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)를 작동시켜 제1 노즐(216)을 미리 입력된 경로를 따라 이동시킨다. 상기 노즐 경로 데이터는 제1 노즐(216)을 인쇄회로기판(110)의 상면을 따라 직선 방향으로 이동하는 거리와, 제1 노즐(216)의 회전 방향 및 각도를 포함하고 있다.
한편, 본 실시예에서는 입력부(253)를 통해 사용자가 제1 노즐(216)의 이동 경로를 직접 입력하는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 노즐 이동 경로를 메모리(251)에 미리 저장할 수 있으며 이 경우, 제품에 따라 다양하게 형성되는 절연 댐(121)의 패턴에 대응하도록 제1 노즐(216)에 대한 다수의 이동 경로를 미리 저장할 수 있다. 또한, 상기 입력부(253)를 통해 입력한 제1 노즐의 이동 경로 이외에 캘리브레이션 정보, 제1 노즐의 기준위치 정보, PCB 기준위치 정보, PCB 기준 높이 정보 등을 메모리(251)에 미리 저장할 수 있다.
전술한 바와 같이 제1 노즐(216)은 메모리(251) 저장된 제1 노즐의 이동 경로를 따라 절연 댐(121)을 형성하며, 구체적인 예는 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 제1 노즐의 이동 경로를 나타내는 도면이다.
제1 노즐(216)은 시작점(Ap)에 해당하는 좌표에 세팅된다. 이때, 제어부(250)는 제1 노즐(216)의 측면 가이드부(216b)의 내측면이 차폐 영역의 내측을 향하도록 회전 구동부(219)을 작동시켜 제1 노즐(216)을 소정 각도로 회전시킨다.
이와 같이 시작점(Ap)에 해당하는 좌표에 세팅된 제1 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 +Y축 방향으로 A구간만큼 직선 이동한다. 이어서 제1 노즐(216)은 경로가 꺾이는 구간(A구간과 B구간을 잇는 지점(Bp)을 포함하는 구간)을 따라 이동한다. 이 경우, 제1 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 노즐 경로를 따라 이동함과 동시에, 측면 가이드부(216b)의 내측면(216c)이 계속 차폐 영역의 내측을 향하도록 회전 구동부(219)에 의해 회전된다.
제1 노즐(216)은 경로가 꺾이는 구간을 지나면 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -X축 방향으로 B구간만큼 직선 이동한다. 이와 같이 제1 노즐(216)은 회전 구동부(219) 및 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 나머지 B, C, D, E 및 F구간을 순차적으로 직선 이동 및 회전을 반복하여 시작점(Ap)까지 복귀하면 제1 노즐(216)의 경로 이동은 완료된다.
이하, 도 5a, 도 5b 및 도 6을 참조하여 제1 노즐(216)에 대해 설명한다. 도 5는 소재 토출 장치의 제1 노즐을 나타내는 도면이고, 도 6은 제1 노즐에 의해 절연 댐을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 5a를 참조하면, 제1 노즐(216)은 하측에 절연 소재가 토출되는 토출구(216a)가 형성되고, 토출구(216a) 주변에 측면 가이드부(216b) 및 상면 가이드부(216e)가 연장 형성된다.
토출구(216a)는, 제1 노즐(216)이 절연 댐(121)을 형성하기 위해 절연 소재를 토출하기 위한 위치로 세팅될 때, 차폐 영역의 가상의 외곽선에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 이 경우 토출구(216a)의 일부분은 도 6과 같이 접지 패드(114)의 상측에 위치할 수도 있다.
측면 가이드부(216b)는 토출구(216a)의 하단으로부터 제1 노즐(216)의 길이 방향을 따라 하향 연장 형성된다. 도 6을 참조하면, 측면 가이드부(216b)는 차폐 영역에 위치한 회로 소자(119)와 차폐 영역을 벗어난 곳에 위치한 회로 소자(119a) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우, 회로 소자들(119,119a) 사이의 간격이 0.8㎜라고 가정할 경우, 측면 가이드부(216b)의 폭(w)은 회로 소자들(119,119a)에 간섭되지 않도록 0.8㎜ 미만으로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 측면 가이드부(216b)의 폭(w)이 0.35㎜로 형성될 수 있고, 이 경우, 측면 가이드부(216b)의 외면으로부터 차폐 영역에 위치한 회로 소자(119)의 측면까지의 거리는 0.55㎜를 유지할 수 있다. 또한, 도 5b를 참조하면, 측면 가이드부(216b)의 폭(w)은 토출구(216a)의 지름(D)보다 작게 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 측면 가이드부(216b)는 토출구(216a)에서 토출되는 절연 소재가 차폐 영역의 내측으로 이동하도록 가이드한다. 이와 동시에 측면 가이드부(216b)는 절연 소재가 차폐 영역의 외곽으로부터 멀어지는 방향으로 유동하는 것을 막고, 접지 패드(114) 와 접촉을 최소화하도록 접지 패드(114)까지 절연 소재를 안내한다.
측면 가이드부(216b)의 내주면(216c)은 도 5a와 같이 곡면으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 평면으로 형성되는 것도 가능하다.
측면 가이드부(216b)의 하단(216d)은 제1 노즐(216)이 이동 경로를 따라 이동 시 인쇄회로기판(110)의 상면에 간섭되지 않도록 인쇄회로기판(110)의 상면으로부터 소정 간격 이격된 상태를 유지한다. 이를 위해 제1 노즐(216)은 토출 위치로 설정될 때, 측면 가이드부(216b)의 하단(216d)과 인쇄회로기판(110)의 상면 간의 간격을 고려하여 Z축 방향 높이가 설정된다.
상면 가이드부(216e)는 토출구(216a)의 일측으로부터 제1 노즐(216)의 길이 방향에 대략 직각 방향을 따라 하향 연장 형성된다.
상면 가이드부(216e)는 측면 가이드부(216b)와 함께 토출구(216a)로부터 토출되는 절연 소재를 차폐 영역의 내측을 향해 가이드하여 절연 댐(121)이 소정의 폭을 갖도록 형성할 수 있다.
상면 가이드부(216e)의 저면(216f)은 인쇄회로기판(110)의 상면과 평행하도록 평탄하게 형성될 수 있으며, 이에 따라 절연 댐(121)의 상면(121a)을 평탄하게 형성할 수 있다. 이와 같이 절연 댐(121)의 상면(121a)이 평탄하게 형성되면, 절연 댐(121) 형성 후 형성되는 절연 부재(125)의 상면(125a)과 절연 댐(121)의 상면(121a)이 단차 없이 대략 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이 경우 추후 공정에서 절연구조(120)의 외측을 덮는 차폐 막(150)을 형성하게 되면, 차폐 막(150)의 상부 역시 평탄하게 형성될 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 절연 부재(125)를 형성하기 위한 제2 노즐(217)에 대해 설명한다. 도 7은 차폐 영역에 형성된 절연 댐을 나타내는 평면도이고, 도 8은 절연 댐으로 둘러 싸인 공간에 소재 토출 장치의 제2 노즐을 통해 절연 부재를 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 차폐 영역의 외곽을 따라 형성된 절연 댐(121)은 차폐 영역에 존재하는 일부 회로 소자들(주로, 차폐 영역의 외곽을 기준으로 내측으로 일정 부분 들온 위치까지 있는 회로 소자들)을 덮는다. 절연 부재(125)는 절연 댐(121) 내측에 형성된 공간(S)에 절연 소재를 주입하여 절연 댐(121)에 의해 덮이지 않은 나머지 회로 소자들을 덮는다.
도 8을 참조하면, 절연 부재(125)를 형성하기 위한 제2 노즐(217)은 공간(S)의 상측에서 X-Y 축 방향을 따라 이동하면서 절연 소재를 토출한다. 이때, 제2 노즐(217)은 X-Y 축 방향으로 이동 시 제2 노즐(217)의 하단(217a)이 절연 부재(125)보다 먼저 형성된 절연 댐(121)의 상단에 간섭되지 않을 정도의 Z축 방향의 소정 높이로 설정된다.
제2 노즐(217)에서 토출되는 절연 소재는 앞서 설명한 바와 같이 공간(S)에 필링(filling)될 수 있도록 유동성을 갖는 것이 바람직하다. 아울러 제어부(250)는 절연 부재(125)의 상면(125a)이 절연 댐(121)의 상면(121a)과 동일 평면 상에 위치할 수 있을 정도로 제2 노즐(217)에서 토출되는 절연 소재의 토출량을 제어할 수 있다.
이하 도 9를 참조하여 차폐 막(150)을 형성하기 위한 제3 노즐(218)에 대하여 설명한다. 도 9는 절연 댐 및 절연 몰딩 부재를 형성한 상태에서 차폐 막을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
제3 노즐(218)은 유동성을 갖는 액상의 차폐 소재가 분사되는 내측관(218a)과, 내측관(218a)을 감싸면서 내주면이 내측관(218a)의 외주면과 이격된 외측관(218b)을 포함할 수 있다. 이와 같은 제3 노즐(218)은 코안다 효과(Coanda Effect)가 적용된 코안다 노즐일 수 있다.
제3 노즐(218)은 내측관(218a)과 외측관(218b) 사이로는 고압의 분무 가스(atomizing gas)가 이송된다. 분무 가스는 제3 노즐(218) 외측으로 분사되면서 내측관(218a)에서 분사되는 차폐 소재(221)를 감싸는 에어 커튼(223)으로 작용한다. 이에 따라 분무 형태로 분사되는 차폐 소재(221)는 에어 커튼(223)에 의해 일정 영역(절연구조(120)의 외측면 전체와 접지 패드(114))에만 도포될 수 있도록 가이드된다. 이에 따라 차폐 소재(221)가 차폐 영역 외에 도포되는 것을 방지할 수 있다.
제3 노즐(218)은, 절연구조(120)의 측면을 향해 차폐 소재(221)를 분사하는 경우 소정 각도로 경사진 자세를 유지하며, 절연구조(120)의 상면을 향해 차폐 소재(221)를 분사하는 경우 절연구조(120)의 상면에 대하여 대략 수직 자세를 유지한다.
제어부(250)는 제3 노즐(218)이 이동 속도와 차폐 소재의 분사량을 조절하여 절연구조(120)의 외측면을 덮는 차폐 막(150)을 형성하도록 제어할 수 있다.
제3 노즐(218)은 별도의 액체를 분무 형태로 분사하기 위한 분사장치(미도시)에 구비될 수 있다. 이 경우 분사장치는 차폐 소재가 저장된 저장 탱크와, 분무 가스가 저장되는 저장 탱크와, 소정의 압축기를 포함할 수 있다. 하지만, 상기 분사장치와 제3 노즐(218)은 소재 토출 장치(200)의 일부 구성으로 구비될 수도 있다.
상기 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 제3 노즐(218)에 의해 단일 공정을 통해 차폐 막(150)을 절연구조(120)의 전체 외측면과 접지 패드(114)를 함께 덮는다. 하지만 차폐 막(150)은 절연구조(120)의 측면, 그 측면에 인접한 상면 일부 및 접지 패드(114)에 1차 차폐 막을 형성하고, 절연구조(120)의 상면의 나머지 부분에 2차 차폐 막을 형성할 수 있다. 이와 같이 차폐 막을 2 부분으로 형성하는 전자파 차폐 구조(300)를 도 10을 참조하여 설명한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조(300)는 복수의 회로 소자(315,317,319)가 실장된 인쇄회로기판(310)의 차폐 영역에 절연 댐(321)과 절연 부재(325)로 이루어진 절연구조(320)와, 절연구조(320)의 외측면 전체를 덮는 차폐 막(350)을 포함한다. 도 10에서 미설명부호 311은 제1 접속 패드이고, 312는 제2 접속 패드이고, 316은 접속 단자이다.
여기서, 절연 댐(321) 및 절연 부재(325)로 이루어진 절연구조(320)와 그 제조 공정은 전술한 전자파 차폐구조(100)와 동일하므로 이에 대한 설명을 생략하고, 이하에서는 전술한 전자파 차폐구조(100)와 상이한 차폐 막(350)의 구조와 그 제조 공정에 대해서 설명한다.
차폐 막(350)은 절연 댐(321)의 측면과 그 측면에 인접한 상면의 일부를 덮는 제1 차폐부(351)와, 제1 차폐부(351)가 덮이지 않은 절연 댐(321)의 상면 나머지 부분과 절연 부재(325)의 상면을 덮는 제2 차폐부(355)를 포함한다. 제1 및 제2 차폐부(351,355)는 전기적으로 연결되도록, 제1 및 제2 차폐부(351,355)의 경계 부분이 서로 접해 있다.
도 11 및 도 12는 절연구조의 측부를 따라 정밀조형 방식인 콘 젯 모드(cone-jet mode) 및 틸팅 젯 모드(tilting-jet mode)로 차폐 막을 형성하는 예를 각각 나타내는 도면들이고, 도 13a 내지 도 13c는 차폐 막의 측부를 틸팅 젯 모드로 형성하기 위한 다양한 EHD 잉크젯 프린팅 장치(Electrohydrodynamic inkjet printing device)들을 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 11을 참조하면, 제1 차폐부(351)는 EHD 잉크젯 프린팅 장치에 구비된 노즐(410)에서 토출되는 차폐 소재에 의해 형성될 수 있다. 이러한 EHD 잉크젯 프린팅 장치는 전위차에 의해 노즐(410)로부터 전기 전도성을 갖는 차폐 소재가 인쇄회로기판(310)을 향해 토출되도록 노즐(410)과 핀 타입 전극(370)에 전압을 인가한다. 이 경우, 노즐(410)에는 (+)극이 인가되고 인쇄회로기판(310)의 하측에 위치한 핀 타입 전극(370)에 (-)극이 인가된다.
콘 젯 모드는 노즐(410)과 핀 타입 전극(370)이 동일 축 상에 위치하며, 노즐(410)에서 토출되는 액적은 절연 댐(321)의 상면에 대략 수직방향으로 낙하하여 절연 댐(321)의 상면을 덮는다. 콘 젯 모드에서 절연 댐(321)의 측면을 코팅하는 경우, 노즐(410)에서 토출되는 액적이 절연 댐(321)의 모서리(321a)에 낙하하도록 위치 설정한다. 모서리(321a)에 낙하한 액적은 중력에 위해 절연 댐(321)의 측면을 따라 흘러 내리면서 절연 댐(321)의 측면을 덮는다. 이 경우 절연 댐(321)의 측면을 따라 흘러내린 차폐 소재가 접지 패드(314)를 벗어나지 않을 정도로 차폐 소재의 토출량을 조절하는 것이 바람직하다.
제1 차폐부(351)는, 도 12와 같이, 틸팅 젯 모드에서 형성하는 것도 물론 가능하다. 틸팅 젯 모드에서는 노즐(410)에서 토출되는 액적이 수직하지 않은 방향으로 절연 댐(321)을 향해 낙하하도록 노즐(410)과 핀 타입 전극(370)이 동일 축 상에 위치하지 않도록 배치된다. 구체적으로, 노즐(410)은 절연 댐(321)의 상측에서 절연 댐(321)의 측면 외측으로 소정 거리 이격된 위치에 배치되고, 핀 타입 전극(370)은 절연 댐(321)의 측면 내측으로 소정 거리 이격된 위치에 배치된다. 이와 같이 노즐(410)과 핀 타입 전극(370)을 서로 다른 축 상에 위치시킨 상태에서 전압을 인가하면, 노즐(410)에서 토출되는 액적은 절연 댐(321)의 측면을 향해 토출되어 절연 댐(321)의 측면에 도포될 수 있다.
차폐 소재는 절연 댐(321)을 따라 흘러내려 접지 패드(314)까지 이동하게 되는데, 차폐 소재의 유동성이 너무 크면 접지 패드(314)를 지나 접지 패드(314)을 벗어나는 위치까지 이동하게 되는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결할 수 있도록, 차폐 소재의 점도는 1,000cps~100,000cps 정도인 것이 바람직하다.
이와 같이 노즐(410)로부터 토출되는 액적의 토출 방향은, 핀 타입 전극(370)을 고정하고 노즐(410)을 수평 이동시키거나, 반대로 노즐(410)이 고정된 상태에서 핀 타입 전극(370)을 수평 이동시키는 방법을 통해 조절할 수 있다. 또한, 노즐(410)과 핀 타입 전극(370)을 동시에 서로 다른 방향으로 수평 이동시키는 방법을 통해서도 노즐(410)로부터 토출되는 액적의 토출 방향을 조절할 수 있다. 이와 같이 노즐(410)과 핀 타입 전극(370) 중 적어도 어느 하나를 이동함에 따라 콘 젯 모드와 틸팅 젯 모드 간의 전환이 이루어질 수도 있다.
한편, 핀 타입 전극(370)은 다양한 형상과 그 위치를 달리 함으로써, 노즐(410)로부터 토출되는 액적의 토출 방향을 조절할 수 있다. 이에 대해 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 설명한다. 도 13a 내지 도 13c는 차폐 막의 측부를 틸팅 젯 모드로 형성하기 위한 다양한 EHD 잉크젯 프린팅 장치들을 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 13a를 참조하면, 핀 타입 전극(370) 대신에 (-)극이 인가되는 평판 타입 전극(371)을 구비할 수 있다. 이 경우, 평판 타입 전극(371)은 인쇄회로기판(310)의 하측에 배치되며 핀 타입 전극(370)에 비해 넓은 면적을 갖는다. 평판 타입 전극(371)은 인쇄회로기판(310)의 전체 면적에 대응하는 정도의 면적을 가질 수 있다.
콘 젯 모드에서는, 도 13a의 좌측 도면과 같이, 하단(411)이 인쇄회로기판(310)에 대하여 대략 평행하게 형성된 노즐(410)을 이용한다. 이에 따라, 노즐(410)에서 토출되는 액적은 절연 댐(321)의 상면에 대하여 대략 수직으로 낙하한다.
틸팅 젯 모드에서는, 도 13a의 우측 도면과 같이, 하단(421)이 일측으로 경사지게 형성된 노즐(420)을 사용한다. 액적의 토출 방향은 노즐(420)의 하단(421)의 경사 방향에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 노즐(420)에서 토출되는 액적은 도 13a의 우측 도면과 같이 우측을 향하고 있다. 이 상태에서 노즐(420)을 중심 축 기준으로 약 180도 회전하면, 액적의 토출 방향은 우측에서 좌측을 향하도록 변경할 수 있다. 이와 같이 노즐(420)을 회전시켜 액적의 토출 방향을 조절할 수 있다.
도 13b를 참조하면, 핀 타입 전극(370) 대신에 (-)전극이 인가되는 가이드 링 타입 전극(372)을 구비할 수 있다. 이 경우, 가이드 링 타입 전극(372)은 노즐(410)과 인쇄회로기판(310) 사이에 배치되며, 가이드 링 타입 전극(372)은 중앙에 액적이 통과할 수 있는 구멍(372a)이 형성된다.
콘 젯 모드에서는, 도 13b의 좌측 도면과 같이, 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a) 중심이 노즐(410) 중심과 일치하도록 배치된다. 이에 따라, 노즐(410)에서 토출되는 액적은 절연 댐(321)의 상면에 대하여 대략 수직으로 낙하한다.
틸팅 젯 모드에서는, 도 13b의 우측 도면과 같이, 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a) 중심이 노즐(410) 중심에 대하여 좌측으로 편심 배치된다. 이에 따라 (+)극이 인가된 노즐(410)에서 토출되는 액적은 (-)극이 인가된 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a)을 통과하면서 인력에 의해 구멍(372a)의 내주면 인접한 우측 방향으로 소정 각도 휘어진 상태로 낙하한다. 이와 같이 액적의 토출 방향은 가이드 링 타입 전극(372)을 좌측 또는 우측으로 수평 이동시켜 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a) 중심과 노즐(410) 중심을 편심 배치함으로써 조절할 수 있다.
도 13c를 참조하면, 핀 타입 전극(370) 대신에 (-)극이 인가되는 평판 타입 전극(371)을 구비하고, (+)극이 인가되는 가이드 링 타입 전극(372)을 함께 포함할 수 있다. 이 경우, 평판 타입 전극(371)은 인쇄회로기판(310) 하측에 배치되고, 가이드 링 타입 전극(372)은 노즐(410)과 인쇄회로기판(310) 사이에 배치된다.
콘 젯 모드에서는, 도 13c의 좌측 도면과 같이, 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a) 중심이 노즐(410) 중심과 일치하도록 배치된다. 이에 따라 노즐(410)에서 토출되는 액적은 (-)극이 인가된 평판 타입 전극(371)에 의해 절연 댐(321)을 향해 대략 수직 방향으로 낙하된다.
틸팅 젯 모드에서는, 도 13c의 우측 도면과 같이 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a) 중심이 노즐(410) 중심에 대하여 우측으로 편심 배치된다. 이에 따라 (+)극이 인가된 노즐(410)에서 토출되는 액적은 (+)극이 인가된 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a)을 통과하면서 척력에 의해 우측 방향으로 소정 각도 휘어진 상태로 낙하한다. 이와 같이 액적의 토출 방향은 가이드 링 타입 전극(372)을 좌측 또는 우측으로 수평 이동시켜 가이드 링 타입 전극(372)의 구멍(372a) 중심과 노즐(410) 중심을 편심 배치함으로써 조절할 수 있다.
상기와 같이 제1 차폐부(351)를 형성한 후, 고속조형 방식인 젯팅 모드(jetting mode) 또는 스프레잉 모드(spraying mode)로 전환하여 동일한 노즐을 통해 차폐 소재를 토출함으로써 절연구조(320)에 제2 차폐부(355)를 형성할 수 있다. 제2 차폐부(355)는 고속조형이 가능하므로 제2 차폐부(355)를 형성하기 위해 공급되는 차폐 소재는 큰 유동성을 가질 수 있도록 50cps~10,000cps의 점도를 가질 수 있다.
한편, 도 13d를 참조하면, 노즐(410)과 가이드 링 타입 전극(372)은 별도의 전원으로부터 전원을 인가 받을 수도 있다. 즉, 노즐(410)은 제1 전압 인가부(V1)에 연결되고, 가이드 링 타입 전극(372)는 제2 전압 인가부(V2)에 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 전압 인가부(V1,V2)는 서로 동일 또는 상이한 전압을 노즐(410) 및 가이드 링 타입 전극(372)에 인가할 수 있다.도 14 및 도 15는 절연구조의 상면에 고속조형 방식인 젯팅 모드(jetting mode) 및 스프레잉 모드(spraying mode)로 차폐 막을 형성하는 예를 각각 나타내는 도면들이다.
도 14를 참조하면, 젯팅 모드에서 제2 차폐부(355)를 형성하는 경우, 노즐(430)은 제1 차폐부(351)를 형성할 때보다 단위 시간 당 더 많은 량의 차폐 소재를 토출한다. 노즐(430)은 절연구조(320)의 상면을 따라 수평 이동하면서 차폐 소재를 토출한다. 이 경우, 노즐(430)에서 토출된 차폐 소재는 절연 댐(321)의 상면과 절연 부재(325)의 상면을 덮는다. 이때, 제1 및 제2 차폐부(351,355)는 경계 부분이 서로 전기적으로 연결되도록 형성된다.
도 15를 참조하면, 스프레잉 모드에서 제2 차폐부(355)를 형성하는 경우, 노즐(440)은 차폐 소재를 분무 형태로 토출하며, 제1 차폐부(351)를 형성할 때보다 단위 시간 당 더 많은 량의 차폐 소재를 토출한다. 노즐(440)은 절연구조(320)의 상면을 따라 수평 이동하면서 차폐 소재를 토출한다. 이 경우, 노즐(430)에서 토출된 차폐 소재는 절연 댐(321)의 상면과 절연 부재(325)의 상면을 덮는다. 이때, 제1 및 제2 차폐부(351,355)는 경계 부분이 서로 전기적으로 연결되도록 형성된다.
도 16a 내지 도 16c는 모서리가 라운드 형성된 절연 댐의 단면과, 이 절연 댐을 형성하기 위한 노즐과, 절연 댐의 측부 및 상면 일부에 차폐 막을 형성한 예를 각각 나타나는 도면들이고, 도 17a 내지 도 17c는 측면이 경사진 절연 댐의 단면과, 이 절연 댐을 형성하기 위한 노즐과, 절연 댐의 측부 및 상면 일부에 차폐 막을 형성한 예를 각각 나타나는 도면들이고, 도 18a 내지 도 18c는 측면이 계단 형상을 갖는 절연 댐의 단면과, 이 절연 댐을 형성하기 위한 노즐과, 절연 댐의 측부 및 상면 일부에 차폐 막을 형성한 예를 각각 나타나는 도면들이다.
본 발명의 전자파 차폐구조는 절연 댐의 측면 형상을 도 16a, 도 17a 및 도 18a와 같이 다양하게 형성할 수 있으며, 이를 통해 절연 댐의 측면이 수직으로만 형성된 경우에 비해 절연 댐의 측면을 타고 흘러 내리는 차폐 소재의 이동 속도를 늦춰 차폐 소재가 접지 패드를 벗어나는 위치까지 흘러가지 않도록 조절할 수 있고 차폐 소재가 절연 댐의 측면에 골고루 도포될 수 있다.
도 16a를 참조하면, 절연 댐(621)은 측면(621a)과 상면(621b)이 만나는 부분이 소정의 곡률로 라운딩 부분(621c)이 형성된다. 이 경우, 절연 댐(621)의 측면(621a)을 차폐 소재로 도포하기 위해, 노즐(500)에서 토출되는 차폐 소재를 라운딩 부분(621c)에서 화살표로 표시된 부분에 낙하시킨다. 차폐 소재는 절연 댐(621)의 라운딩 부분(621c) 및 측면(621a)을 따라 흘러 내려가면서 도 16c와 같이 절연 댐(621)의 라운딩 부분(621c)과 측면(621a)을 연속적으로 덮는다.
도 16b를 참조하면, 절연 댐(621)에 라운딩 부분(621c)을 형성할 수 있도록 노즐(500)은 측면 가이드부(502)의 내측단(503)과 상면 가이드부(504)의 저면(505)을 연결하는 부분(506)이 라운딩 형성된다. 한편, 절연 댐(621)의 상면(621b)은 노즐(500)의 상면 가이드부(504)의 저면(505)에 의해 전술한 절연 댐(621)의 상면과 마찬가지로 대략 평탄하게 형성된다.
도 17a를 참조하면, 절연 댐(721)은 측면(721a)이 소정 각도를 갖도록 경사 형성된다. 이 경우, 절연 댐(721)의 측면(721a)을 차폐 소재로 도포하기 위해, 노즐에서 토출되는 차폐 소재를 경사진 측면(721a)을 따라 내려가면서 화살표로 표시된 각 부분에 낙하시킨다. 차폐 소재는 절연 댐(721)의 측면(621a)을 따라 흘러 내리면서 도 17c와 같이 절연 댐(721)의 측면(721a)을 덮는다.
도 17b를 참조하면, 절연 댐(721)의 측면(721a)을 경사진 평면으로 형성할 수 있도록, 노즐(510)은 측면 가이드부(512)의 내측단(513)이 경사지게 형성된다. 한편, 절연 댐(721)의 상면(721b)은 노즐(510)의 상면 가이드부(514)의 저면(515)에 의해 전술한 절연 댐(721)의 상면과 마찬가지로 대략 평탄하게 형성된다.
도 18a를 참조하면, 절연 댐(821)은 측면에 계단과 같이 단차부(821a)가 형성된다. 이 경우, 단차부(821a)에 제1 차폐부(851)를 형성하기 위해, 노즐에서 토출되는 차폐 소재는 화살표가 가리키는 절연 단차부(821a)에 형성된 각 수평면으로 각각 낙하시킨다. 차폐 소재는 단차부(821a)의 각 수평면과 이어지는 각 수직면을 따라 흘러 내리면서 도 18c와 같이 절연 댐(821)을 덮는다.
도 18b를 참조하면, 절연 댐(821)의 측면을 단차부(821a)로 형성할 수 있도록 노즐(520)은 측면 가이드부(522)의 내측단(523)을 단차지게 제작한다. 한편, 절연 댐(821)의 상면(821b)은 노즐(510)의 상면 가이드부(524)의 저면(525)에 의해 전술한 절연 댐(821)의 상면과 마찬가지로 대략 평탄하게 형성된다.
도 16a, 도 16c, 도 17a, 도 17c, 도 18a, 및 도 18c에서 미설명 부호 610은 인쇄회로기판이고, 612는 단자 패턴이고, 614는 접지 패드이고, 619는 회로 소자이다.
도 19는 노즐의 하단 일부가 막힌 예를 나타내는 도면이다.
도 19를 참조하면, 절연 댐(921)을 형성하기 위한 노즐(530)은 측면 가이드부(532)의 하단에 차단 리브(537)가 형성될 수 있다. 차단 리브(537)는 측면 가이드부(532)를 따라 하측으로 가이드되는 절연 소재가 측면 가이드부(532)의 하단으로 배출되는 것을 차단시킨다. 이에 따라, 접지 패드(614)는 측면 가이드부(532)를 따라 가이드 되는 절연 소재에 의해 덮이지 않을 수 있으며, 절연구조 형성 후의 공정을 통해 형성되는 차폐 막이 인쇄회로기판(610)에 형성된 접지 패드(614)와 전기적으로 양호하게 연결될 수 있다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
전술한 실시예들은 차폐 막 형성 시 전기 전도성을 갖는 차폐 소재를 노즐을 통해 토출하여 형성한 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 도 20과 같이 전자파 차폐구조(1100)에서 차폐 막의 일부를 전기 전도성을 갖는 차폐 필름(1151)으로 형성하는 것도 물론 가능하다.
전자파 차폐구조(1100)에서 인쇄회로기판(1110)에 절연 댐(1121) 및 절연 부재(1125)를 포함하는 절연구조(1120)을 형성하는 공정은 전술한 전자파 차폐구조(100)의 제조 공정과 동일하며, 그 이후에 진행되는 차폐 막(1150) 형성 공정이 전술한 전자파 차폐구조(100)의 제조 공정과 상이하다.
도 20을 참조하면, 차폐 막(1150)은 절연 부재(1125)의 상면과 절연 댐(1121)의 상면 일부에 부착되는 차폐 필름(1151)을 포함한다. 또한, 차폐 막(1150)은 절연 댐(1121)의 측면, 그 측면에 인접한 상면, 및 차폐 필름(1151)의 가장자리 부분을 덮는 차폐부(1153)를 포함한다. 차폐부(1153)는 노즐로부터 차폐 소재를 토출시켜 형성할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 가능함은 물론이다.
110: 인쇄회로기판
114: 접지 패드
115,117,119: 회로 소자
120: 절연구조
121: 절연 댐
125: 절연 부재
150: 차폐 막
200: 소재 토출 장치

Claims (23)

  1. 다수의 소자가 실장된 인쇄회로기판;
    상기 다수의 소자 중 상기 인쇄회로기판의 외곽에 인접한 일부 소자를 덮는 절연 댐;
    상기 절연 댐에 의해 마련된 공간으로 주입하여 상기 다수의 소자 중 나머지소자를 덮는 절연 부재; 및
    상기 절연 댐과 상기 절연 부재의 외측면을 덮는 차폐 막;을 포함하고,
    상기 절연 댐을 이루는 절연 소재의 점도는 상기 절연 부재를 이루는 절연 소재의 점도보다 큰, 전자파 차폐구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연 댐은 외측면이 경사지게 형성된, 전자파 차폐구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연 댐의 외측면은 계단 형상으로 단차 형성된, 전자파 차폐구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연 댐의 상단 모서리 부분이 라운딩 형성된, 전자파 차폐구조.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 절연 댐을 이루는 소재의 점도는 20,000cps~5,000,000cps이고,
    상기 절연 부재를 이루는 소재의 점도는 100cps~30,000cps인, 전자파 차폐구조.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 절연 댐 및 상기 절연 부재를 이루는 절연 소재는 유동성을 갖는 요변성(Thixotropy) 소재 또는 상변화(열가소성, 열경화성) 소재인, 전자파 차폐구조.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제8항에 있어서,
    상기 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제8항에 있어서,
    상기 상변화 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조.
  11. ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 차폐 막을 이루는 소재의 점도는 1,000cps~100,000cps인, 전자파 차폐구조.
  12. ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 절연 댐은 상단에서 하단으로 갈수록 폭이 점차 넓게 형성된, 전자파 차폐구조.
  13. ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 절연 댐의 상면은 평탄하게 형성된, 전자파 차폐구조.
  14. ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제13항에 있어서,
    상기 절연 부재의 상면은 상기 절연 댐의 상면과 동일 평면 상에 위치하는, 전자파 차폐구조.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 차폐 막은 전기 전도성 소재가 분무 형태로 분사되어 미리 설정된 두께로 형성된, 전자파 차폐구조.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 차폐 막은 차폐 필름으로 이루어진, 전자파 차폐구조.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 차폐 막은,
    상기 절연 댐의 외측면과 상면의 일 부분을 덮는 제1 부분; 및
    상기 절연 댐의 상면의 나머지 부분과 상기 절연 부재의 상면을 덮는 제2 부분;을 포함하는, 전자파 차폐구조.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제17항에 있어서,
    상기 차폐 막의 제1 및 제2 부분의 경계부는 서로 접하는, 전자파 차폐구조.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제17항에 있어서,
    상기 차폐 막의 제1 및 제2 부분의 경계부는 상호 오버랩되는, 전자파 차폐구조.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    각 소자 간의 간격은 0.8㎜인, 전자파 차폐구조.
  21. 다수의 소자가 실장된 인쇄회로기판의 차폐 영역의 외곽을 따라 형성하되 상기 다수의 소자 중 상기 인쇄회로기판의 외곽에 인접한 일부 소자를 덮도록 절연 댐을 형성하는 단계;
    상기 절연 댐에 의해 마련된 공간으로 절연 소재를 주입하여 상기 다수의 소자 중 나머지 소자를 덮는 절연 부재를 형성하는 단계; 및
    상기 절연 댐의 측면 및 상면과, 상기 절연 부재의 상면에 전기 전도성 소재로 덮어 차폐 막을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 절연 댐을 이루는 절연 소재의 점도는 상기 절연 부재를 이루는 절연 소재의 점도보다 큰, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 차폐 막 형성 단계는 상기 차폐 막이 미리 설정된 두께를 갖도록 상기 전기 전도성 소재를 분무 형태 또는 미세한 액적 형태로 토출하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 차폐 막 형성 단계는,
    상기 절연 댐의 외측면과 상면의 일 부분을 덮는 제1 부분을 형성하는 단계; 및
    상기 절연 댐의 상면의 나머지 부분과 상기 절연 부재의 상면을 덮는 제2 부분을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9896330B2 (en) 2016-01-13 2018-02-20 Texas Instruments Incorporated Structure and method for packaging stress-sensitive micro-electro-mechanical system stacked onto electronic circuit chip
KR102572559B1 (ko) 2017-01-25 2023-09-01 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조
US12284299B2 (en) * 2017-03-16 2025-04-22 Motorola Mobility Llc Electronic device housing with insert molded features and methods of constructing the same
JP2019054216A (ja) * 2017-09-19 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 半導体装置
US10861741B2 (en) 2017-11-27 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Electronic package for integrated circuits and related methods
US11538767B2 (en) 2017-12-29 2022-12-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit package with partitioning based on environmental sensitivity
US12011759B1 (en) * 2018-01-17 2024-06-18 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Electrowetting assisted selective printing
KR102488875B1 (ko) 2018-01-30 2023-01-17 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
TWI727832B (zh) * 2020-06-17 2021-05-11 海華科技股份有限公司 無線通訊裝置
KR20220003342A (ko) 2020-07-01 2022-01-10 삼성전기주식회사 전자 소자 패키지 및 이의 제조방법
US11784103B2 (en) 2020-12-09 2023-10-10 Texas Instruments Incorporated Covers for semiconductor package components
CN114242654B (zh) * 2022-02-23 2022-05-13 威海嘉瑞光电科技股份有限公司 一种无引线磁性封装结构及其制造方法
WO2024129104A1 (en) * 2022-12-16 2024-06-20 Google Llc Molding compound application in printed circuit board by three dimensional (3d) stacking

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016738A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Toshiba Corp 半導体装置

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283883A (ja) 1993-03-25 1994-10-07 Nippon Chemicon Corp シールド基板
JP2004048762A (ja) 1993-03-29 2004-02-12 Seiko Epson Corp スロットアンテナ装置およびこのアンテナ装置を用いた無線機
US5436203A (en) * 1994-07-05 1995-07-25 Motorola, Inc. Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same
US5641438A (en) 1995-01-24 1997-06-24 Bunyan; Michael H. Method for forming an EMI shielding gasket
US5650659A (en) 1995-08-04 1997-07-22 National Semiconductor Corporation Semiconductor component package assembly including an integral RF/EMI shield
US5761053A (en) 1996-05-08 1998-06-02 W. L. Gore & Associates, Inc. Faraday cage
US6150193A (en) * 1996-10-31 2000-11-21 Amkor Technology, Inc. RF shielded device
US6962829B2 (en) * 1996-10-31 2005-11-08 Amkor Technology, Inc. Method of making near chip size integrated circuit package
SE511330C2 (sv) 1997-12-29 1999-09-13 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för framställning av ett kretskort jämte skärmningselement för skärmning av komponenter på ett dylikt kretskort
US6092281A (en) * 1998-08-28 2000-07-25 Amkor Technology, Inc. Electromagnetic interference shield driver and method
US6297551B1 (en) 1999-09-22 2001-10-02 Agere Systems Guardian Corp. Integrated circuit packages with improved EMI characteristics
JP3524034B2 (ja) 2000-03-08 2004-04-26 北川工業株式会社 電磁波シールド構造及び電磁波シールド方法
US20010033478A1 (en) 2000-04-21 2001-10-25 Shielding For Electronics, Inc. EMI and RFI shielding for printed circuit boards
KR100321429B1 (ko) 2000-09-08 2002-03-18 송재식 반도체 패키지용 디스펜싱 헤드유니트
DE10049845A1 (de) 2000-10-09 2002-04-11 Philips Corp Intellectual Pty Mehrband-Mikrowellenantenne
US6466174B2 (en) 2001-02-08 2002-10-15 Centurion Wireless Technologies, Inc. Surface mount CHIP antenna
US6900383B2 (en) 2001-03-19 2005-05-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Board-level EMI shield that adheres to and conforms with printed circuit board component and board surfaces
TW560018B (en) 2001-10-30 2003-11-01 Asia Pacific Microsystems Inc A wafer level packaged structure and method for manufacturing the same
JP4039035B2 (ja) 2001-10-31 2008-01-30 セイコーエプソン株式会社 線パターンの形成方法、線パターン、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体
US7015869B2 (en) 2002-11-18 2006-03-21 Visteon Global Technologies, Inc. High frequency antenna disposed on the surface of a three dimensional substrate
WO2004047510A2 (en) 2002-11-19 2004-06-03 Sony Ericsson Mobile Communications Ab A method of supporting electronic components and an electronic device with elastic support for an electronic component
US8119191B2 (en) 2003-01-16 2012-02-21 Parker-Hannifin Corporation Dispensable cured resin
WO2004093505A2 (en) 2003-04-15 2004-10-28 Wavezero, Inc. Emi shielding for electronic component packaging
US7129422B2 (en) 2003-06-19 2006-10-31 Wavezero, Inc. EMI absorbing shielding for a printed circuit board
KR100618085B1 (ko) 2003-09-22 2006-08-29 예원플라즈마 주식회사 전자제품의 보드내 부품들의 이엠아이 및 이에스디 차폐장치 및 그 제조방법
US7482686B2 (en) 2004-06-21 2009-01-27 Braodcom Corporation Multipiece apparatus for thermal and electromagnetic interference (EMI) shielding enhancement in die-up array packages and method of making the same
JP2006100489A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Ricoh Co Ltd プリント基板及びそのプリント基板を用いた電子ユニット並びに樹脂流出防止用ダムの形成方法
KR100498708B1 (ko) 2004-11-08 2005-07-01 옵토팩 주식회사 반도체 소자용 전자패키지 및 그 패키징 방법
KR20060083770A (ko) 2005-01-18 2006-07-21 엘지전자 주식회사 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법
US7451539B2 (en) 2005-08-08 2008-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Method of making a conformal electromagnetic interference shield
TWI277185B (en) 2006-01-27 2007-03-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package structure
US8048473B2 (en) * 2006-07-04 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR100742098B1 (ko) 2006-07-19 2007-07-24 주식회사 이엠따블유안테나 슬릿 스커트를 이용한 안테나
SE530709C2 (sv) 2006-09-04 2008-08-19 Proant Ab Tillverkningsmetod för antenn
JP2008288523A (ja) 2007-05-21 2008-11-27 Fujitsu Media Device Kk 電子部品,及びその製造方法
US7876274B2 (en) 2007-06-21 2011-01-25 Apple Inc. Wireless handheld electronic device
DE112009000666T5 (de) 2008-03-24 2011-07-28 Murata Mfg. Co., Ltd., Kyoto Verfahren zum Herstellen eines Elektronikkomponentenmoduls
US7752751B2 (en) 2008-03-31 2010-07-13 General Electric Company System and method of forming a low profile conformal shield
US7633015B2 (en) 2008-03-31 2009-12-15 Apple Inc. Conforming, electro-magnetic interference reducing cover for circuit components
US7981730B2 (en) 2008-07-09 2011-07-19 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated conformal shielding method and process using redistributed chip packaging
US8276268B2 (en) 2008-11-03 2012-10-02 General Electric Company System and method of forming a patterned conformal structure
KR101579623B1 (ko) 2008-11-28 2015-12-23 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR101057092B1 (ko) 2008-12-04 2011-08-17 (주)가람솔루션 미모/다이버시티 내장형 안테나 시스템
US8071893B2 (en) 2009-03-04 2011-12-06 Apple Inc. Methods and apparatus for shielding circuitry from interference
JP2010219210A (ja) 2009-03-16 2010-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP5705454B2 (ja) * 2009-04-27 2015-04-22 日東電工株式会社 エレクトレット材および静電型音響変換器
US8304291B2 (en) 2009-06-29 2012-11-06 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor chip thermal interface structures
JP5564953B2 (ja) 2010-01-12 2014-08-06 カシオ計算機株式会社 アンテナ装置および電子機器
KR101288284B1 (ko) * 2010-10-27 2013-07-26 삼성전기주식회사 반도체 패키지 제조 방법
KR101052559B1 (ko) 2011-02-25 2011-07-29 김선기 전자파 차폐 및 보호용 실드케이스
US8476115B2 (en) 2011-05-03 2013-07-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of mounting cover to semiconductor die and interposer with adhesive material
KR20120127852A (ko) 2011-05-16 2012-11-26 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
US9179538B2 (en) 2011-06-09 2015-11-03 Apple Inc. Electromagnetic shielding structures for selectively shielding components on a substrate
ITTO20110876A1 (it) 2011-09-30 2013-03-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Metodo di saldatura di un cappuccio ad uno strato di supporto
US9155188B2 (en) 2011-11-04 2015-10-06 Apple Inc. Electromagnetic interference shielding techniques
US9282630B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Apple Inc. Method of forming a conformal electromagnetic interference shield
KR101360561B1 (ko) 2012-06-28 2014-02-11 엘지이노텍 주식회사 안테나 장치
JP5285819B1 (ja) * 2012-11-07 2013-09-11 太陽誘電株式会社 電子回路モジュール
US10091918B2 (en) * 2012-12-11 2018-10-02 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for conformal shielding
US9192057B2 (en) 2012-12-26 2015-11-17 Apple Inc. Electromagnetic interference shielding structures
TWI553825B (zh) 2013-01-11 2016-10-11 日月光半導體製造股份有限公司 堆疊式封裝模組與其製造方法
US9403725B2 (en) 2013-03-12 2016-08-02 University Of Southern California Inserting inhibitor to create part boundary isolation during 3D printing
KR102025638B1 (ko) 2013-03-12 2019-09-26 삼성전자 주식회사 휴대 단말기용 내장 안테나
KR20140132880A (ko) 2013-05-08 2014-11-19 삼성전자주식회사 인쇄회로기판 어셈블리 및 그 제조방법
JP6113585B2 (ja) 2013-06-26 2017-04-12 富士通コンポーネント株式会社 電子部品モジュール、基板及び電子部品モジュールの製造方法
JP5576548B1 (ja) * 2013-07-10 2014-08-20 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
US9363892B2 (en) 2013-07-19 2016-06-07 Google Technology Holdings LLC Circuit assembly and corresponding methods
US20150022978A1 (en) 2013-07-19 2015-01-22 Motorola Mobility Llc Circuit Assembly and Corresponding Methods
US9881875B2 (en) * 2013-07-31 2018-01-30 Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. Electronic module and method of making the same
JP5466785B1 (ja) * 2013-08-12 2014-04-09 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
JP5550159B1 (ja) * 2013-09-12 2014-07-16 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
JP2015065343A (ja) 2013-09-25 2015-04-09 タツタ電線株式会社 シールド収容体、プリント回路板、電子機器、及び、シールド収容体の製造方法
TWI544584B (zh) 2014-01-17 2016-08-01 Copper substrate with barrier structure and manufacturing method thereof
KR20160031572A (ko) 2014-09-12 2016-03-23 매그나칩 반도체 유한회사 방열 반도체 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP6430201B2 (ja) 2014-09-30 2018-11-28 株式会社東芝 センサ
KR20160044953A (ko) 2014-10-16 2016-04-26 삼성전기주식회사 반도체 패키지 모듈
KR102286337B1 (ko) 2014-10-17 2021-08-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전자파 차폐 구조물과 방열패드 및 이들을 포함하는 전자회로기판 조립체
JP2016111026A (ja) 2014-12-01 2016-06-20 株式会社東芝 電子機器
KR102468259B1 (ko) * 2015-03-06 2022-11-18 삼성전자주식회사 회로 소자 패키지, 그 제조방법 및 그 제조장치
WO2016144039A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit element package, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus thereof
JP6617497B2 (ja) * 2015-09-25 2019-12-11 Tdk株式会社 半導体パッケージの製造方法
CN105406196B (zh) 2015-10-26 2018-04-03 瑞声精密制造科技(常州)有限公司 天线模组及采用该天线模组的移动终端
US10461007B2 (en) 2015-12-22 2019-10-29 Intel Corporation Semiconductor package with electromagnetic interference shielding
US10624248B2 (en) 2016-04-08 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. EMI shielding structure and manufacturing method therefor
KR102481868B1 (ko) 2016-05-04 2022-12-28 삼성전자주식회사 이종의 회로 소자군용 중공 차폐구조 및 그 제조방법
US10477737B2 (en) 2016-05-04 2019-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing method of a hollow shielding structure for circuit elements
KR102572559B1 (ko) 2017-01-25 2023-09-01 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조
KR102324693B1 (ko) 2017-03-06 2021-11-10 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016738A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Toshiba Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180067047A (ko) 2018-06-20
US10201072B2 (en) 2019-02-05
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