KR102304880B1 - 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102304880B1 KR102304880B1 KR1020200002392A KR20200002392A KR102304880B1 KR 102304880 B1 KR102304880 B1 KR 102304880B1 KR 1020200002392 A KR1020200002392 A KR 1020200002392A KR 20200002392 A KR20200002392 A KR 20200002392A KR 102304880 B1 KR102304880 B1 KR 102304880B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- die
- imaging device
- lighting device
- substrate
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
반도체 제조 장치는, 다이를 촬상하는 촬상 장치와, 상기 다이를 상기 촬상 장치의 광학축에 대하여 소정의 각도로 광을 조사하는 조명 장치와, 상기 촬상 장치 및 상기 조명 장치를 제어하는 제어부를 구비한다. 상기 소정의 각도는, 상기 다이가 평탄한 경우에, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어도 상기 촬상 장치에 들어가지 않는 각도이다. 상기 제어부는, 상기 다이가 평탄하지 않은 경우에, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 들어가지 않도록 상기 촬상 장치, 상기 조명 장치 및 상기 다이 중 적어도 하나를 이동시키도록 구성된다.
Description
도 2는 사광 조명을 모식적으로 도시하는 도면.
도 3은 사광 조명의 입사광 및 반사광의 모습을 모식적으로 도시하는 도면.
도 4는 도 3의 입사각보다도 작은 경우의 입사광 및 반사광의 모습을 모식적으로 도시하는 도면.
도 5는 도 4의 사광 바 조명을 사용한 촬상 화상예를 도시하는 도면.
도 6은 사광 조명의 과제를 설명하는 도면.
도 7은 실시 형태의 기술에 대하여 설명하는 도면.
도 8은 제1 방법을 설명하는 흐름도.
도 9는 제2 방법을 설명하는 흐름도.
도 10은 시야를 이동시켜도 직접광 반사의 영역을 다 제거할 수 없는 경우를 설명하는 도면.
도 11은 실시예의 다이 본더의 구성예를 도시하는 개략 상면도.
도 12는 도 11에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때의 개략 구성을 설명하는 도면.
도 13은 도 11의 다이 공급부의 구성을 도시하는 외관 사시도.
도 14는 도 13의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 15는 기판 인식 카메라의 조명 장치의 배치를 도시하는 도면.
도 16은 도 11의 다이 본더의 제어계의 개략 구성을 도시하는 블록도.
도 17은 도 11의 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 흐름도.
도 18은 웨이퍼 인식 카메라에 의해 촬상을 행하는 공정을 중심으로 설명한 흐름도.
도 19는 기판 인식 카메라에 의해 촬상을 행하는 공정을 중심으로 설명한 흐름도.
도 20은 다이의 휨 위치(정반사 영역)의 측정 방법을 설명하는 도면.
도 21은 도 7의 사광 조명과는 광학축에 대하여 경면 대상에 위치하는 사광 조명의 영향을 설명하는 도면.
도 22는 제1 변형예에 있어서의 기판 인식 카메라 및 조명 장치를 도시하는 모식 사시도.
도 23은 제2 변형예에 있어서의 기판 인식 카메라 및 조명 장치를 도시하는 모식 사시도.
도 24는 제3 변형예에 있어서의 웨이퍼 인식 카메라 및 조명 장치를 도시하는 모식 사시도.
8 : 제어부
D : 다이
S : 기판
CMR : 카메라(촬상 장치)
OBL : 조명 장치
OA : 광학축
VF : 시야
Claims (17)
- 다이를 촬상하는 촬상 장치와,
상기 다이를 상기 촬상 장치의 광학축에 대하여 소정의 각도로 광을 조사하는 조명 장치와,
상기 촬상 장치 및 상기 조명 장치를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 소정의 각도는, 상기 다이가 평탄한 경우에, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어도 상기 촬상 장치에 들어가지 않는 각도이며,
상기 제어부는, 상기 다이가 평탄하지 않은 경우에, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 들어가지 않도록 상기 촬상 장치, 상기 조명 장치 및 상기 다이 중 적어도 하나를 이동시키도록 구성되는 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 촬상 장치와 상기 조명 장치의 위치 관계는 고정되어 있고,
상기 제어부는, 상기 다이가 상기 촬상 장치의 시야의 중심보다도 어긋나도록 상기 촬상 장치 및 상기 다이 중 적어도 하나를 이동시키도록 구성되는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 다이의 표면 조도를 확인하고, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되었다 판단하는 경우, 상기 촬상 장치 및 상기 다이 중 적어도 하나를 이동시키도록 구성되는 반도체 제조 장치. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 다이의 휨을 검출하는 수단을 마련하고,
상기 제어부는, 상기 휨을 검출한 경우, 검출한 상기 휨 방향의 전후 어느 것, 또는 전후 양쪽으로 상기 촬상 장치의 시야를 이동시키는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 다이는 다이 상에 적층되는 다이이며,
상기 제어부는, 적층되는 단수에 기초하여 상기 촬상 장치의 시야를 이동시키도록 구성되는 반도체 제조 장치. - 제5항에 있어서,
상기 촬상 장치의 시야를 이동시키는 방향은, 상기 다이 상에 적층되는 상기 다이의 오프셋되는 방향과 동일 방향에서 전후 어느 것, 또는 전후 양쪽으로 이동시키는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 촬상 장치의 시야를 이동시켜도 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되는 경우, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되지 않는 영역이 상기 다이의 전체 영역이 되도록 상기 촬상 장치의 시야 중심과 상기 다이의 중심을 어긋나게 하면서 촬상하도록 구성되는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링 홀더를 갖는 다이 공급부를 더 구비하고,
상기 제어부는 상기 촬상 장치 및 상기 조명 장치를 사용하여 상기 다이싱 테이프에 부착된 상기 다이를 촬상하는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 본딩 헤드를 더 구비하고,
상기 제어부는 상기 촬상 장치 및 상기 조명 장치를 사용하여 상기 기판 또는 다이 상에 본딩된 다이를 촬상하는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 다이를 픽업하는 픽업 헤드와,
상기 픽업된 다이가 적재되는 중간 스테이지를 더 구비하고,
상기 제어부는 상기 촬상 장치 및 상기 조명 장치를 사용하여 상기 중간 스테이지 상에 적재된 다이를 촬상하는 반도체 제조 장치. - (a) 다이를 촬상하는 촬상 장치와, 상기 다이를 상기 촬상 장치의 광학축에 대하여 소정의 각도로 광을 조사하는 조명 장치와, 상기 촬상 장치 및 상기 조명 장치를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 소정의 각도는, 상기 다이가 평탄한 경우에, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어도 상기 촬상 장치에 들어가지 않는 각도이며, 상기 제어부는, 상기 다이가 평탄하지 않은 경우에, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 들어가지 않도록 상기 촬상 장치, 상기 조명 장치 및 상기 다이 중 적어도 하나를 이동시키도록 구성되는 반도체 제조 장치에 기판을 반입하는 공정과,
(b) 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링 홀더를 반입하는 공정과,
(c) 상기 다이를 픽업하는 공정과,
(d) 상기 픽업한 다이를 상기 기판 또는 이미 상기 기판에 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 공정
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 (c) 공정은 상기 픽업된 다이를 중간 스테이지에 적재하고,
상기 (d) 공정은 상기 중간 스테이지에 적재된 다이를 픽업하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
(f) 상기 (c) 공정 전에, 상기 다이의 표면 조도를 확인하고, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되었다고 판단하는 경우, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 들어가지 않도록 상기 다이의 중심과 상기 촬상 장치의 시야 중심을 어긋나게 하여 상기 다이의 표면 검사를 행하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
(g) 상기 (d) 공정 후에, 상기 다이의 표면 조도를 확인하고, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되었다고 판단하는 경우, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 들어가지 않도록 상기 촬상 장치의 시야의 중심과 상기 다이의 중심을 어긋나게 하여 상기 다이의 표면 검사를 행하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
(g) 상기 (d) 공정 후에, 상기 촬상 장치의 시야의 중심을 상기 다이의 중심으로부터 상기 다이가 적층되는 단수에 기초한 양을 어긋나게 하여 상기 다이의 표면 검사를 행하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
(h) 상기 (c) 공정 후이며 상기 (d) 공정 전에, 상기 다이의 표면 조도를 확인하고, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되었다고 판단하는 경우, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 들어가지 않도록 상기 촬상 장치의 시야의 중심과 상기 다이의 중심을 어긋나게 하여 상기 다이의 표면 검사를 행하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제13항, 제14항, 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다이를 상기 촬상 장치의 중심으로부터 시야를 이동시켜도 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되는 경우, 상기 조명 장치로부터 조사되는 광이 상기 다이에서 직접 반사되어 상기 촬상 장치에 입사되지 않는 영역이 상기 다이의 전체 영역이 되도록 상기 촬상 장치의 시야 중심과 상기 다이의 중심을 어긋나게 하면서 촬상하는 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019055460A JP7299728B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JPJP-P-2019-055460 | 2019-03-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200112639A KR20200112639A (ko) | 2020-10-05 |
KR102304880B1 true KR102304880B1 (ko) | 2021-09-27 |
Family
ID=72559747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200002392A Active KR102304880B1 (ko) | 2019-03-22 | 2020-01-08 | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7299728B2 (ko) |
KR (1) | KR102304880B1 (ko) |
CN (1) | CN111725086B (ko) |
TW (1) | TWI736055B (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7635075B2 (ja) * | 2021-05-28 | 2025-02-25 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001013085A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2014146817A (ja) | 2000-09-20 | 2014-08-14 | Kla-Encor Corp | 半導体製造プロセスのための方法とシステム |
JP2018011048A (ja) | 2016-07-05 | 2018-01-18 | キヤノンマシナリー株式会社 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、半導体装置、ダイボンダ、ボンディング方法、半導体製造方法、および半導体装置製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3657694B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2005-06-08 | リンテック株式会社 | 照明装置 |
JP3890089B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JPH1022197A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | マーク位置検出方法及びその装置 |
JP3349069B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2002-11-20 | 日産自動車株式会社 | 表面検査装置 |
JP4387089B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-12-16 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
DE10330006B4 (de) * | 2003-07-03 | 2006-07-20 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung zur Inspektion eines Wafers |
WO2009072484A1 (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Nikon Corporation | 検査装置および検査方法 |
JP5144401B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-02-13 | 直江津電子工業株式会社 | ウエハ用検査装置 |
US8223327B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
JP5331673B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査方法及び検査装置 |
JP2011169816A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Nec Corp | 半導体装置の接合傾き測定装置 |
JP5806808B2 (ja) * | 2010-08-18 | 2015-11-10 | 倉敷紡績株式会社 | 撮像光学検査装置 |
JP5900187B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 表面傷検査装置及び表面傷検査方法 |
JP6212926B2 (ja) | 2013-04-26 | 2017-10-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 物体検査装置及び物体検査方法 |
US9752992B2 (en) * | 2014-03-25 | 2017-09-05 | Kla-Tencor Corporation | Variable image field curvature for object inspection |
CH711570B1 (de) * | 2015-09-28 | 2019-02-15 | Besi Switzerland Ag | Vorrichtung für die Montage von Bauelementen auf einem Substrat. |
CN106814083B (zh) * | 2015-11-30 | 2020-01-10 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 滤波片缺陷检测系统及其检测方法 |
JP6685126B2 (ja) | 2015-12-24 | 2020-04-22 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
MY202139A (en) * | 2016-07-05 | 2024-04-05 | Canon Machinery Inc | Defect detection device, defect detection method, wafer, semiconductor chip, semiconductor device, die bonder, bonding method, semiconductor manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method |
JP6975551B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2021-12-01 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP7029900B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2022-03-04 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-03-22 JP JP2019055460A patent/JP7299728B2/ja active Active
- 2019-12-10 TW TW108145034A patent/TWI736055B/zh active
-
2020
- 2020-01-08 KR KR1020200002392A patent/KR102304880B1/ko active Active
- 2020-02-21 CN CN202010110478.5A patent/CN111725086B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001013085A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2014146817A (ja) | 2000-09-20 | 2014-08-14 | Kla-Encor Corp | 半導体製造プロセスのための方法とシステム |
JP2018011048A (ja) | 2016-07-05 | 2018-01-18 | キヤノンマシナリー株式会社 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、半導体装置、ダイボンダ、ボンディング方法、半導体製造方法、および半導体装置製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020155737A (ja) | 2020-09-24 |
KR20200112639A (ko) | 2020-10-05 |
TW202101604A (zh) | 2021-01-01 |
CN111725086B (zh) | 2024-03-12 |
JP7299728B2 (ja) | 2023-06-28 |
CN111725086A (zh) | 2020-09-29 |
TWI736055B (zh) | 2021-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102100889B1 (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP7102271B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
CN109524320B (zh) | 半导体制造装置及半导体器件的制造方法 | |
JP7225337B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20220089639A (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP7029900B2 (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
KR102304880B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR102516586B1 (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP7502108B2 (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI858453B (zh) | 半導體製造裝置、檢查裝置及半導體裝置的製造方法 | |
JP7635075B2 (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2023100562A (ja) | 半導体製造装置、検査装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20200108 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20210701 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20210915 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20210916 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240823 Start annual number: 4 End annual number: 4 |