KR102178766B1 - 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102178766B1 KR102178766B1 KR1020130034429A KR20130034429A KR102178766B1 KR 102178766 B1 KR102178766 B1 KR 102178766B1 KR 1020130034429 A KR1020130034429 A KR 1020130034429A KR 20130034429 A KR20130034429 A KR 20130034429A KR 102178766 B1 KR102178766 B1 KR 102178766B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- active layer
- region
- electrode
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
- H10D30/6713—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
- H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6757—Thin-film transistors [TFT] characterised by the structure of the channel, e.g. transverse or longitudinal shape or doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 박막 트랜지스터의 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 박막 트랜지스터의 단면도들이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개념도이다.
도 4b는 도 4a의 서브 화소 영역에 대한 확대 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도들이다.
120A, 120B, 220A, 220B, 220C, 220D, 220E, 220F, 320A, 320B, 620: 게이트 전극
131A, 131B, 231A, 231B, 231C, 231D, 231E, 231F, 331A, 331B, 631: 소스 전극
132A, 132B, 232A, 232B, 232C, 232D, 232E, 232F, 332A, 332B, 632: 드레인 전극
140A, 140B, 640: 도전층
240A, 240B, 240C, 240D, 240E, 240F: 보조 부재
241D: 제1 보조 부재
242D: 제2 보조 부재
245F, 645: 광 산란 패턴
150A, 150B, 250A, 250B, 250C, 250D, 250E, 250F, 650: 액티브층
151A, 251A, 251B, 251C, 251D, 251E, 251F, 651: 제1 영역
152A, 252A, 252B, 252C, 252D, 252E, 252F, 652: 제2 영역
161A, 161B, 261A, 261B, 261C, 261D, 261E, 261F, 361A, 361B, 661: 게이트 절연막
162A, 262A, 262B, 262C, 262D, 262E, 262F, 662: 층간 절연막
170B, 370A, 370B: 에치 스타퍼
280E: 버퍼층
281E: 광 차단층
390A, 390B: 액티브 구조물
391A, 391B: 제1 구조물
392A, 392B: 제2 구조물
395A, 395B: 채널 영역
100A, 100B, 200A, 200B, 200C, 200D, 200E, 200F, 300A, 300B, 600: 박막 트랜지스터
410: 기판
420: 게이트 구동부
430: 데이터 구동부
440: 전원 공급부
TR1: 스위칭 트랜지스터
TR2: 구동 트랜지스터
Cst: 제1 커패시터
Cp: 제2 커패시터
400: 표시 장치
Claims (31)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 액티브층;
상기 액티브층 상부에 형성된 게이트 전극;
상기 액티브층 하부에 형성되어 접촉하고, 상기 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩하며, 상기 게이트 전극과 절연된 도전층; 및
상기 액티브층에 각각 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 액티브층은 도체화 처리가 되지 않은 제 1 영역 및 도체화 처리된 제 2 영역으로 형성되고,
상기 제 1 영역은 채널 영역으로 게이트 전극과 중첩하고, 상기 제 2 영역은 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나와 접촉하고,
상기 액티브층의 제 2 영역은 제 1 영역보다 높은 전기 전도성을 갖으며,
상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 액티브층이 직접적으로 접촉하도록 하는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제1항에 있어서,
상기 액티브층과 상기 게이트 전극 사이에 형성된 게이트 절연막을 더 포함하고,
상기 액티브층은 산화물 반도체로 형성된 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제2항에 있어서,
상기 게이트 전극 및 상기 게이트 절연막은 상기 액티브층의 일부 영역 상에 형성된 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 도전층은, 상기 소스 전극과 접촉하는 상기 액티브층의 도체화 처리된 영역의 적어도 일부분 또는 상기 드레인 전극과 접촉하는 상기 액티브층의 도체화 처리된 영역의 적어도 일부분 중 하나, 및 상기 액티브층의 일부 영역과 중첩하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 삭제
- 삭제
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 활성층;
상기 활성층 하부에 접촉하며, 상기 활성층의 채널 영역 감소 기능을 갖는 보조 부재;
상기 활성층 상에 형성된 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 형성된 게이트 전극;
상기 게이트 전극 상에 형성된 제2 절연층; 및
상기 활성층에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제2 절연층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 활성층은 도체화 처리가 되지 않은 채널 영역 및 도체화 처리된 저저항 영역을 포함하고,
상기 채널 영역은 게이트 전극과 중첩하고, 상기 저저항 영역은 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나와 접촉하고,
상기 활성층의 제 2 영역은 제 1 영역보다 높은 전기 전도성을 갖으며,
상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층이 직접적으로 접촉하도록 하는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제8항에 있어서,
상기 보조 부재는 도전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 삭제
- 제8항에 있어서,
상기 보조 부재는, 상기 활성층의 저저항 영역 중 상기 소스 전극과 접촉하는 영역 또는 상기 드레인 전극이 접촉하는 영역 중 하나와 접촉하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제11항에 있어서,
상기 보조 부재는 제1 보조 부재 및 제2 보조 부재를 포함하고,
상기 제1 보조 부재는 상기 활성층의 저저항 영역 중 상기 소스 전극과 접촉하는 영역에 접촉하고,
상기 제2 보조 부재는 상기 활성층의 저저항 영역 중 상기 드레인 전극과 접촉하는 영역에 접촉하며,
상기 제1 보조 부재와 상기 제2 보조 부재는 서로 이격된 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제8항에 있어서,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나는 상기 활성층의 저저항 영역과 접촉하고, 다른 하나는 상기 보조 부재와 접촉하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제13항에 있어서,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 다른 하나는 상기 활성층의 저저항 영역에 더 접촉하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제8항에 있어서,
상기 보조 부재는 상기 게이트 전극의 일부 영역과 중첩하고, 상기 게이트 전극의 일부 영역과 절연된 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제8항에 있어서,
상기 기판과 상기 활성층 사이에 형성된 광 차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제8항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 보조 부재와 동일한 물질로 형성된 광 산란 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 기판;
상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;
상기 기판 상에 형성되고, 제1 구조물 및 제2 구조물을 포함하는 액티브 구조물;
상기 액티브 구조물의 일부 영역과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극; 및
상기 게이트 전극과 상기 액티브 구조물 사이에 형성된 절연층을 포함하고,
상기 제1 구조물은 상기 게이트 전극과 적어도 일부 영역이 중첩하고,
상기 액티브 구조물은, 상기 게이트 전극과 중첩하고 상기 제1 구조물과 중첩하지 않는 영역에 형성된 채널 영역을 갖고,
상기 액티브 구조물의 상기 제1 구조물은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제2 구조물은 산화물 반도체로 형성되고,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은 상기 제2 구조물에 접촉하고,
상기 액티브 구조물의 제 2 영역은 제 1 영역보다 높은 전기 전도성을 갖으며,
상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 액티브 구조물이 직접적으로 접촉하도록 하는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 삭제
- 제18항에 있어서,
상기 제2 구조물은 상기 제1 구조물의 전영역을 덮는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제18항에 있어서,
상기 제2 구조물은 상기 제1 구조물의 일측을 덮고,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나는 상기 제1 구조물의 타측과 접촉하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제18항에 있어서,
상기 액티브 구조물은 저저항 영역을 포함하며,
상기 채널 영역의 일부는 상기 저저항 영역과 접촉하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제18항에 있어서,
상기 제1 구조물의 일부 영역과 중첩하는 에치 스타퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제8항, 제9항, 제11항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 박막 트랜지스터를 적용한 구동 트랜지스터;
게이트 배선에 연결된 게이트 전극, 데이터 배선에 연결된 제1 전극, 및 제2 전극을 갖는 스위칭 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터에 연결된 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 갖는 유기 발광 소자를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 구동 트랜지스터의 제2 전극 사이에 제1 커패시터와 제2 커패시터가 형성되고,
상기 제1 커패시터와 상기 제2 커패시터는 병렬로 연결되고,
상기 구동 트랜지스터는 상기 스위칭 트랜지스터의 제2 전극에 연결된 게이트 전극, 전원 배선에 연결된 제1 전극, 및 제2 전극을 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 장치. - 제24항에 있어서,
상기 제2 커패시터를 형성하기 위한 도전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치. - 제24항에 있어서,
상기 제2 커패시터의 용량과 상기 제1 커패시터의 용량은 서로 상이한 것을 특징으로 하는, 표시 장치. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제8항, 제9항, 제11항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 박막 트랜지스터가 형성된 제1 기판;
상기 제1 기판과 대향하고 컬러 필터가 형성된 제2 기판;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판에 형성된 제2 전극; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치. - 기판 상에 도전층을 형성하는 단계;
상기 도전층의 적어도 일부 영역 상에 형성되며, 상기 도전층과 접촉하는 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극 상에 제2 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 활성층에 각각 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 활성층은 일부 영역을 도체화시키는 단계를 더 포함하고,
상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서, 상기 활성층의 도체화된 일부 영역과 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 접촉하도록 형성하고,
상기 활성층의 제 2 영역은 제 1 영역보다 높은 전기 전도성을 갖으며,
상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층이 직접적으로 접촉하도록 하는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 더 포함하고
상기 활성층은 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 제조 방법. - 삭제
- 제28항에 있어서,
상기 도전층과 동일한 물질로 광 산란 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 제조 방법. - 제28항에 있어서,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 상기 게이트 전극과 상기 도전층이 중첩하도록 상기 게이트 전극을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 제조 방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130034429A KR102178766B1 (ko) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 |
US14/095,278 US9240486B2 (en) | 2013-03-29 | 2013-12-03 | Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device including the same |
PCT/KR2013/012245 WO2014157814A1 (en) | 2013-03-29 | 2013-12-27 | Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device including the same |
CN201380070130.6A CN105308752B (zh) | 2013-03-29 | 2013-12-27 | 薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置 |
EP17176806.2A EP3242328B1 (en) | 2013-03-29 | 2013-12-27 | Thin film transistor |
EP13880081.8A EP2979302B1 (en) | 2013-03-29 | 2013-12-27 | Method for manufacturing a thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130034429A KR102178766B1 (ko) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140118462A KR20140118462A (ko) | 2014-10-08 |
KR102178766B1 true KR102178766B1 (ko) | 2020-11-13 |
Family
ID=51619915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130034429A Active KR102178766B1 (ko) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9240486B2 (ko) |
EP (2) | EP2979302B1 (ko) |
KR (1) | KR102178766B1 (ko) |
CN (1) | CN105308752B (ko) |
WO (1) | WO2014157814A1 (ko) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8659015B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP2963687B1 (en) * | 2014-07-03 | 2020-03-18 | LG Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
KR102346675B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2022-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102283812B1 (ko) * | 2015-02-04 | 2021-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN105023951B (zh) * | 2015-07-10 | 2019-08-13 | 广州奥翼电子科技股份有限公司 | 半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置及其背板 |
KR102509088B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2023-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102508743B1 (ko) * | 2016-07-19 | 2023-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치의 구동 드라이버 |
CN106024781B (zh) | 2016-07-22 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置 |
CN107664889B (zh) * | 2017-09-14 | 2020-05-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft器件及液晶显示面板的静电保护电路 |
CN107706306B (zh) * | 2017-10-26 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
JP2019091794A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
KR20190072201A (ko) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 슬로프 액티브층을 포함하는 표시패널 및 이를 제조하는 방법 |
CN109037346B (zh) * | 2018-07-27 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR102603688B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2023-11-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수직 구조 트랜지스터 및 전자장치 |
KR102486147B1 (ko) * | 2018-12-18 | 2023-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 전자장치 |
GB2587793B (en) | 2019-08-21 | 2023-03-22 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic circuit comprising transistor and resistor |
GB2610886B (en) | 2019-08-21 | 2023-09-13 | Pragmatic Printing Ltd | Resistor geometry |
CN111029342B (zh) * | 2019-11-07 | 2024-04-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
KR102625951B1 (ko) * | 2019-12-23 | 2024-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 전자장치 |
CN113327989B (zh) * | 2021-05-19 | 2022-05-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN113437156A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-09-24 | 惠州华星光电显示有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
CN114883343B (zh) * | 2022-04-21 | 2024-03-26 | 北海惠科光电技术有限公司 | 薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法 |
CN115101590A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种晶体管、其制作方法及驱动基板 |
CN115377191A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及电子器件 |
CN115377202A (zh) * | 2022-10-25 | 2022-11-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050275038A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US20090224245A1 (en) * | 2006-09-29 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US20110127518A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of manufacturing the transistor and electronic device including the transistor |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06268220A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3267271B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2002-03-18 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造法 |
KR100480333B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2005-04-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100884541B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2009-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101250236B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2013-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 칼라필터기판 및 이를 포함하는 액정표시소자의 제조방법 |
JP2008146091A (ja) | 2008-01-11 | 2008-06-26 | Sony Corp | 画素回路及びその駆動方法 |
US7879678B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-02-01 | Versatilis Llc | Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby |
US8896065B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-11-25 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Top gate thin film transistor with independent field control for off-current suppression |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN103339732B (zh) | 2010-10-12 | 2016-02-24 | 斯兰纳半导体美国股份有限公司 | 具有被减薄的衬底的垂直半导体器件 |
KR101735833B1 (ko) | 2010-11-18 | 2017-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR101889748B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2018-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US8659015B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130111872A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-03-29 KR KR1020130034429A patent/KR102178766B1/ko active Active
- 2013-12-03 US US14/095,278 patent/US9240486B2/en active Active
- 2013-12-27 CN CN201380070130.6A patent/CN105308752B/zh active Active
- 2013-12-27 EP EP13880081.8A patent/EP2979302B1/en active Active
- 2013-12-27 EP EP17176806.2A patent/EP3242328B1/en active Active
- 2013-12-27 WO PCT/KR2013/012245 patent/WO2014157814A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050275038A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US20090224245A1 (en) * | 2006-09-29 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US20110127518A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of manufacturing the transistor and electronic device including the transistor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2979302A1 (en) | 2016-02-03 |
EP3242328A1 (en) | 2017-11-08 |
KR20140118462A (ko) | 2014-10-08 |
EP3242328B1 (en) | 2020-10-28 |
WO2014157814A1 (en) | 2014-10-02 |
US9240486B2 (en) | 2016-01-19 |
CN105308752A (zh) | 2016-02-03 |
EP2979302B1 (en) | 2020-12-16 |
CN105308752B (zh) | 2018-07-27 |
US20140291635A1 (en) | 2014-10-02 |
EP2979302A4 (en) | 2016-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102178766B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 | |
KR102196949B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 | |
KR102141557B1 (ko) | 어레이 기판 | |
KR102207063B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 | |
KR102222680B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
KR102236129B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
CN102176098B (zh) | 像素结构及其制作方法 | |
KR101539354B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
US9280026B2 (en) | Pixel structure and display panel | |
KR101985246B1 (ko) | 금속 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
US8697535B2 (en) | Thin film transistor substrate and method for fabricating the same | |
US20150108481A1 (en) | Thin film transistor, display panel having the same and method of manufacturing the same | |
JP2023101539A (ja) | 半導体装置 | |
KR102296294B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
CN109300995B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板 | |
KR20090110174A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 동작방법 | |
CN205609532U (zh) | 薄膜晶体管及阵列基板、显示装置 | |
US9064978B2 (en) | Pixel structure and fabricating method thereof | |
KR20140031143A (ko) | 금속 산화물 반도체 층을 차광하는 광 흡수층을 구비한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20080047672A (ko) | 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20100119361A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20140124616A (ko) | 디스플레이 장치와 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130329 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180302 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20130329 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20190828 Patent event code: PE09021S01D |
|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20200316 Patent event code: PE09021S02D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200807 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20201109 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20201109 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231016 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241015 Start annual number: 5 End annual number: 5 |