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KR102174735B1 - 전력 공급장치에서 게이트 드라이버의 연결 구조 - Google Patents

전력 공급장치에서 게이트 드라이버의 연결 구조 Download PDF

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KR102174735B1
KR102174735B1 KR1020160144752A KR20160144752A KR102174735B1 KR 102174735 B1 KR102174735 B1 KR 102174735B1 KR 1020160144752 A KR1020160144752 A KR 1020160144752A KR 20160144752 A KR20160144752 A KR 20160144752A KR 102174735 B1 KR102174735 B1 KR 102174735B1
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KR
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power switch
switch
voltage
pulse width
transistor
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KR1020160144752A
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김태성
양승욱
박인기
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온세미컨덕터코리아 주식회사
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Abstract

전력 공급 장치는, 게이트 전압에 따라스위칭하는 전력 스위치, 상기 전력 스위치의 일전극과 제1 노드에 연결되어 있는 일단 및 그라운드에 연결되어 있는타단을 포함하는 감지저항, 상기 전력스위치에 게이트와 상기제1 노드 사이에 연결되어 있고, 상기전력 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 제어신호에 따라 스위칭하는 제1 트랜지스터를 포함한다. 상기 제어 신호에 따라 상기 제1 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 전력 스위치의 게이트로부터 상기 제1 트랜지스터를 통해 싱크전류가 흘러 상기게이트 전압이 감소한다.

Description

전력 공급장치에서 게이트 드라이버의 연결 구조{COUPLING STRUCTURE OF A GATE DRIVER IN A POWER SUPPLY DEVICE}
실시 예는전력 공급 장치에 관한 것으로, 예를들어, 일차측 레귤레이션(Primary Side Regulation, RSR)이 적용된 전력공급 장치(이하, PSR 전력 공급 장치)및 전류모드로 제어되는 SMPS(Switched-Mode Power Supply)등의 게이트 드라이버의 연결 구조에 관한것이다.
PSR 전력 공급 장치의 2차측출력을 예측하기 위해서, 1차측의 전력 스위치에 흐르는 스위치 전류의 피크에 대한 정보가 필요하다.
또한 일반적인 SMPS에서일차측 스위치를 보호하기 위해 일차측의 전류를 감지하고, SMPS의 보호회로는 감지된 일차측 전류를 이용하여 보호신호를 생성한다.
전류모드 제어방법에서는 1차측의 전력 스위치에 흐르는 스위치 전류의 피크에 대한 정보를 출력전력 제어에 사용하기 때문에 왜곡 없는스위치 전류의 를 감지하는 것이 매우중요하다.
전력 스위치를 구동시키는 게이트 구동 회로는 하이 사이드 스위치와 로우 사이드 스위치를 포함하는데, 로우 사이드 스위치는 전력 스위치와 동일한 그라운드에 연결되어 있다. 전력 스위치가 턴 오프 될 때, 로우 사이드 스위치로 싱크되는 전류가 전력스위치의 스위치 전류를 감지하는데 왜곡을 일으켜 센싱 에러를 유발한다. 싱크 전류는 스위치 전류에 직접적으로 영향을 주지 않지만, 스위치 전류의 센싱에 왜곡을 일으킨다. 그러면, 스위치 전류의 피크를 정확하게 감지할 수 없고, 출력을 정확하게 예측할 수 없는 문제가 발생한다.
1차측의 피크 전류를 정확하게 측정할 수 있는 게이트 드라이버의 연결 구조를 제공하고자 한다.
실시 예에 따른 전력 공급 장치는, 게이트 전압에 따라 스위칭하는 전력 스위치, 상기 전력스위치의 일전극과 제1 노드에 연결되어 있는일단 및 그라운드에 연결되어 있는 타단을 포함하는 감지 저항, 및 상기 전력 스위치에 게이트와 상기 제1 노드 사이에 연결되어 있고, 상기 전력스위치의 스위칭 동작을 제어하는 제어 신호에 따라 스위칭하는 제1 트랜지스터를 포함한다. 상기 제어 신호에 따라 상기 제1 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 전력스위치의 게이트로부터 상기제1 트랜지스터를 통해싱크 전류가 흘러상기 게이트 전압이 감소할 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 제1 트랜지스터의 온 기간 중 상기 전력 스위치가 턴 오프 되는시점에 감지 전압을 검출하고, 상기 검출된 감지 전압에 기초하여 상기 전력 스위치에 흐르는 전류의 피크에 대한 정보를 검출하는 피크 검출부를 더 포함할 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 피크에 대한정보에 따라 상기제어 신호를 생성할 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 소정의 전압이 공급되는 일단 및 상기 전력 스위치에 게이트에 연결되어 있는타단을 포함하며, 상기제어 신호에 따라스위칭하는 제2 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 소정의 전압이 공급되고, 상기 제2 트랜지스터의 일단에 연결되어 있는 소스 전류원을 더 포함할 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 제어 신호를 반전시켜 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트에 공급하는 인버터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 각각의 채널 타입이 다를 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 제어 신호를 반전시켜 상기제1 트랜지스터의 게이트에 공급하는 인버터, 및 상기 제어 신호를 상기제2 트랜지스터의 게이트에 공급하는 버퍼를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 각각의 채널 타입이 동일할 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 제어 신호를 반전시켜 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트에 공급하는 버퍼를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 트랜지스터는 MOSFET(Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistor)으로구현될 수 있다. 또는, 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 BJT(Bipolar Junction Transistor)로 구현될 수 있다.
상기 전력 공급 장치는, 상기 제1 트랜지스터의 일단 및 상기 제1 노드 사이에 연결되어 있는 싱크 전류원을 더 포함할 수 있다.
1차측의 피크 전류를 정확하게 측정할 수 있는 게이트 드라이버의 연결 구조를 제공한다.
도 1은 실시 예에 따른PSR 전력 공급 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에따른 펄스폭변조 신호, 게이트 전압, 감지전압, 및 1차측 전류를 나타낸 파형도이다.
도 3은 실시 예에따른 게이트 드라이버의 다른 일 예이다.
도 4는 실시 예에따른 게이트 드라이버의 또 다른 일 예이다.
도 5는 실시 예에따른 게이트 드라이버의 다른 일 예이다.
도 6은 소스 전류원 및 싱크 전류원이 추가된 게이트 드라이버를 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는경우도 포함한다. 또한어떤 부분이 어떤구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을의미한다.
이하, 실시 예를설명하기 위해서 PSR 전력 공급장치를 참조한다. 그러나 발명이 이에 한정되는 것은아니고, 발명은 전류모드(current mode) 제어 방식의 전력 공급 장치에 적용될 수 있다.
도 1은 실시 예에따른 PSR 전력 공급장치를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와같이, PSR 전력 공급장치(1)는 정류 회로(10), 커패시터(Cin), 트랜스포머(20), 정류다이오드(D), 출력 커패시터(CO), 전력 스위치(M), 스위치 제어회로(30), 및 감지 저항(RCS)을 포함한다.
도 1의 PSR 전력 공급장치는 플라이백(flyback) 컨버터로 구현되어 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전력 공급 장치(1)의 양 출력단은 부하(도시되어 있지 않음)에 연결되어 있고, 부하의 일 예로 직렬연결된 복수의 LED가 있을 수 있다.
교류 입력(AC)은 정류 회로(10)를 통해 정류되고, 정류된 교류 입력은 커패시터(Cin)를 통해 필터링된다.
정류 회로(10)는 전파 정류 회로인 풀-브릿지 다이오드일 수 있다.
트랜스포머(20)은 입력 전압(Vin)에 연결된 1차측권선(Lm)과 출력 전압(VO)에 연결된 2차측 권선(Ls)을 포함한다. 1차측권선(Lm)과 2차측 권선(Ls)는 소정의 권선비(n:1, 1차측 권선의 권선수 : 2차측 권선의 권선수)로 절연 커플링되어 있다.
1차측 권선(Lm)의 일단은 입력 전압(Vin)에 연결되어 있고, 1차측 권선(Lm)의 타단은 전력 스위치(M)의 일전극(드레인)에 연결되어 있다. 1차측 권선(Lm)에는 전력 스위치(M)의 온 기간 동안1차측 전류(ILm)에 의한 에너지가 저장된다.
2차측 권선(Ls)의 일단은 정류 다이오드(D)의 애노드에 연결되어 있고, 2차측 권선(Ls)의 타단은 2차측그라운드에 연결되어 있다. 전력 스위치(M)의 오프 기간 동안, 1차측 권선(Lm)에 저장된 에너지가 2차측권선(Ls)으로전달된다.
전력 스위치(M)는 입력 전압(Vin)에 전기적으로 연결되어 있고, 전력 공급장치의 출력전력을 제어한다. 전력스위치(M)의 게이트는 스위치 제어회로(30)로부터 공급되는 게이트 전압(VG)에 연결되어 있고, 전력스위치(M)의 타전극(소스)은 1차측 그라운드에 연결되어 있다. 전력 스위치(M)는 하이 레벨의 게이트 전압(VG)에 의해 턴 온 되고, 로우 레벨의 게이트 전압(VG)에 의해 턴 오프 된다.
감지 저항(RCS)은 전력 스위치(M)의 타전극과 1차측 그라운드 사이에 연결되어 있고, 전력 스위치(M)에 흐르는 스위치 전류(Ids)를 감지하는데 이용된다. 스위치 전류(Ids)가 감지 저항(RCS)에 흐를 때, 스위치 전류(Ids)에 따르는 감지전압(VCS)이 발생한다.
다이오드(DSn), 저항(RSn), 및 커패시터(CSn)는 스너버 회로를 구성하고, 1차측 권선(Lm)의 양단 사이에 연결되어 있다. 다이오드(DSn)의 애노드는 1차측권선(Lm)의 타단에 연결되어 있고, 저항(RSn) 및 커패시터(CSn)는 1차측 권선(Lm)의 일단과 다이오드(DSn)의 캐소드 사이에 병렬 연결되어 있다.
출력 커패시터(CO)는 전력 공급 장치(1)의 양 출력단 사이에 연결되어 있다. 출력커패시터(CO)의 일전극은 정류 다이오드(D)의 캐소드에 연결되어 있고, 출력 커패시터(CO)의 타전극은 2차측 그라운드에 연결되어 있다.
전력 스위치(M)가 턴 오프 되고, 정류다이오드(D)가 도통되어, 2차측 권선(Ls)에 흐르는 전류가 정류 다이오드(D)를 통과하다. 정류 다이오드(D)를 통과한 전류는 출력 커패시터(CO)를 충전하거나 부하(도시되지 않음)에 공급될 수 있다. 부하에 공급되는 전류가 출력전류(IO)이고, 부하에 공급되는 전압이 출력 전압(VO)이다. 출력 전압(VO)은 출력 커패시터(CO)에 의하여 평활될 수 있다.
스위치 제어 회로(30)는 전력 스위치(M)의 스위칭 동작을 제어하는 게이트 전압(VG)을 생성한다. 스위치 제어 회로(30)는 부하게 공급되는 출력전력을 예측하기 위해서 1차측 전류(ILm)의 피크를 검출한다. 스위치 제어 회로(30)는 전력 스위치(M)의 온 기간 및 검출된 1차측전류(ILm)의 피크를 이용하여 출력 전력을 계산할 수 있다. 전력스위치(M)의 턴 오프시점의 스위치 전류(Ids)가 1차측 전류(ILm)의 스위칭 주기에서의 피크 값이므로, 스위치 제어 회로(30)는 전력 스위치(M)의 턴 오프 시점의 감지전압(VCS)을 검출하여 1차측전류(ILm)의 피크를 계산할 수 있다.
스위치 제어 회로(30)는 게이트 전압(VG)이 출력되는 핀(P1) 및 감지 전압(VCS)이 입력되는 핀(P2)을 포함한다. 핀(P1)은 전력스위치(M)의 게이트에 연결되어 있고, 핀(P2)은 감지저항(RCS)의 일단에 연결되어 있다.
스위치 제어 회로(30)는 게이트 드라이버(100), PWM 제어부(200), 및 피크 검출부(300)를 포함한다.
게이트 드라이버(100)는 PWM 제어부(200)로부터 입력되는 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 게이트 전압(VG)을 생성한다. 예를들어, 게이트 드라이버(100)는 하이 레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 온-레벨의 게이트 전압(VG)을 생성하고, 로우레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 오프-레벨의 게이트 전압(VG)을 생성할 수 있다. 펄스폭변조 신호(PWM)는 전력 스위치(M)의 스위칭 동작을 제어하기 위한제어 신호의 일 예로서, 발명이 이에한정되는 것은 아니다.
게이트 드라이버(100)는 인버터(101), 트랜지스터(Q1), 및 트랜지스터(Q2)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(Q1)은 p 채널 타입의 트랜지스터이고, 트랜지스터(Q2)는 n 채널 타입의 트랜지스터이다.
인버터(101)는 펄스폭변조 신호(PWM)를 반전시켜 노드(N1)에 공급하고, 트랜지스트(Q1) 및 트랜지스터(Q2)의 게이트는 노드(N1)에 연결되어 있다.
트랜지스터(Q1)의 소스에 전압(VDD)이 공급되고, 트랜지스터(Q1)의 드레인과 트랜지스터(Q2)의 드레인은 노드(N2)에 연결되어 있다. 노드(N2)는 핀(P1)을 통해 전력 스위치(M)의 게이트에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q2)의 소스는 노드(N3)에 연결되어 있고, 노드(N3)는 핀(P2)를 통해감지 전압(RCS)에 연결되어 있다.
도 2는 실시 예에따른 펄스폭변조 신호, 게이트 전압, 감지전압, 및 1차측 전류를 나타낸 파형도이다.
시점 T0에 펄스폭변조 신호(PWM)가 하이 레벨로 상승한다. 시점T0에 동기되어 인버터(101)의 출력이 로우레벨로 하강하고, 트랜지스터(Q1)가 턴 온 되고, 트랜지스터(Q2)가 턴 오프된다. 그러면, 전압(VDD)이 트랜지스터(Q1)를 통해 전력 스위치(M)의 게이트에 연결되고, 게이트 전압(VG)은 상승하기 시작한다. 도 2에 도시된 게이트 전압(VG)의 파형은 일 예시로 발명이 이에한정되지 않는다. 게이트 전압(VG)이 상승하는 동안전압(VDD)으로부터 전력스위치(M)의 게이트로 전류(Ig)가 공급될 수 있다.
시점 T1에 펄스폭변조 신호(PWM)가 로우 레벨로 하강한다. 시점 T1에 동기되어 인버터(101)의 출력이 하이 레벨로 상승하고, 트랜지스터(Q2)가 턴 온 되고, 트랜지스터(Q1)은 턴 오프 된다. 그러면, 전력 스위치(M)의 게이트로부터 트랜지스터(Q2)를 통해 전류(Ig)가 싱크되어, 게이트 전압(VG)이 하강하기 시작한다. 게이트 전압(VG)이 하강하는 동안 싱크전류(Ig)는 전력 스위치(M)의 게이트, 트랜지스터(Q2), 및 전력 스위치(M)의 게이트와 소스사이의 기생 커패시터를 통해 흐른다. 도 1에 도시된 화살표의 반대방향으로 흐르면서, 감지 저항(RCS)으로 흐르지 않는다.
펄스폭변조 신호(PWM)가 하강한 시점 T1부터게이트 전압(VG)이 감소하여 전력 스위치(M)가 턴 오프되는 시점T2 간에는 소정의 지연이 발생한다. 이 지연 기간(TD) 동안 1차측 전류(ILm)가 증가하고, 감지전압(VCS)도 증가한다.
종래 게이트 드라이버에서, 트랜지스터(Q2)는 1차측그라운드 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q2)가 턴 온 되고, 전력스위치(M)의 게이트로부터 트랜지스터(Q2)를 통해 1차측그라운드로 흐르는 전류가 감지 저항(RCS)을 통해 전력 스위치(M)의 소스로 흐른다. 그러면, 게이트 전압(VG)이 감소하는 기간T1-T2 동안 감지 저항(RCS)에 흐르는 전류가 1차측 전류(ILm)를 감지하는데 영향을 주는문제가 발생한다.
종래 게이트 드라이버의 싱크 전류(Ig)에 의해 스위치 전류(Ids)를 감지 결과가 감소된다. 즉, 도 2에서 점선으로 도시된 바와 같이, 스위치 전류(Ids)를 감지하여 생성되는 감지 전압(VCS)이 기간 T1-T2 동안 싱크전류(Ig)에 의해 감소되어, 1차측 전류(ILm)의 피크가 감소된 것으로 감지된다. 그러면, 감소된 감지 전압(VCS)에 의해 1차측 전류(ILm)의 피크가 감소된 것으로 감지되어, 출력전력 예측에 오차가 발생할 수 있다.
아울러, 1차측 전류(ILm)의 피크가 감소된 것으로 감지되면, 보호동작이 필요한 상황임에도 불구하고, 보호 동작이 기동되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
실시 예에 따른게이트 드라이버(100)의 트랜지스터(Q2)는 노드(N3)에 연결되어 있으므로, 싱크전류(Ig)는 1차측그라운드로 흐르지 않는다. 따라서 싱크 전류(Ig)에 의한 감지전압(VCS)의 감소는 발생하지 않는다.
피크 검출부(300)는 시점 T2의 감지 전압(VCS)을 기초하여 1차측전류(ILm)의 피크를 검출하고, 검출된 피크에 대한 정보를 PWM 제어부(200)로 전달한다.
PWM 제어부(200)는 1차측 전류(ILm)의 피크 정보와 전력스위치(M)의 온 기간에 기초하여 출력 전력을 예측한다. PWM 제어부(200)는 예측된 출력 전력에 대한 정보와 소정의 기준을 비교한 결과에 따라 펄스폭변조 신호(PWM)를 생성한다. 예를들어, PWM 제어부(200)는 출력 전력에 대한정보가 소정의 기준간의 차가 감소하는 방향으로 펄스폭변조 신호(PWM)를 생성할 수 있다.
아울러, PWM 제어부(200)는 1차측 전류(ILm)의 피크 정보에 기초하여 보호 동작을 제어할 수 있다.
시점 T10에, 펄스폭변조 신호(PWM)가 하이 레벨로 상승하고, 트랜지스터(Q1)가 턴 온 되어 전압(VDD)이 전력 스위치(M)의 게이트에 연결된다. 그러면, 전류(Ig)에 의해 게이트 전압(VG)이 상승한다.
시점 T11에, 펄스폭변조 신호(PWM)가 로우 레벨로 하강하고, 트랜지스터(Q2)가 턴 온 되어, 싱크전류(Ig)에 의해 게이트 전압(VG)이 하강한다. 시점T11로부터 지연 기간(TD)이 경과한 시점T12에 전력 스위치(M)가 턴 오프 된다.
시점 T12에 동기되어 감지전압(VCS)의 피크(VCSp)는 1차측 전류(ILm)의 피크(ILmp)에 대응하는 전압이다. 피크 검출부(300)는 감지 전압(VCS)의 피크(VCSp에 기초하여 1차측전류(ILm)의 피크에 대한정보를 생성할 수 있다.
실시 예에 따른게이트 드라이버(100)는 도 1에 도시된 회로구조에 한정되지 않는다. 다양한 변형이 가능하다.
도 3은 실시 예에따른 게이트 드라이버의 다른 일 예이다.
도 3에 도시된 게이트 드라이버(110)는 n 채널 타입의 트랜지스터(Q3, Q4), 인버터(111), 및 버퍼(112)를 포함한다.
인버터(111)는 펄스폭변조 신호(PWM)를 반전시켜 트랜지스터(Q4)의 게이트에 공급하고, 버퍼(112)는 펄스폭변조 신호(PWM)를 트랜지스터(Q3)의 게이트에 공급한다.
트랜지스터(Q3)의 드레인에 전압(VDD)이 공급되고, 트랜지스터(Q3)의 소스와 트랜지스터(Q4)의 드레인은 노드(N2)에 연결되어 있다. 노드(N2)는 핀(P1)을 통해 전력 스위치(M)의 게이트에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q2)의 소스는 노드(N3)에 연결되어 있고, 노드(N3)는 핀(P2)를 통해감지 전압(RCS)에 연결되어 있다.
하이 레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 트랜지스터(Q3)가 턴 온 되고, 트랜지스터(Q4)가 턴 오프되며, 로우 레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 트랜지스터(Q3)가 턴 오프 되고, 트랜지스터(Q4)가 턴 온 된다. 트랜지스터(Q3) 및 트랜지스터(Q4)의 스위칭에 따른 게이트 전압(VG)의 변화, 전력스위치(M)의 스위칭, 및 전류(Ig)에 대한 설명은 앞서 도 2를 참조한 설명과 동일하므로 생략한다.
도 4는 실시 예에따른 게이트 드라이버의 또 다른 일 예이다.
도 4에 도시된 게이트 드라이버(120)는 MOSFET(Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistor) 대신 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 포함한다. 예를 들어, 게이트 드라이버(120)는 npn 타입 BJT(Q5), pnp 타입 BJT(Q6), 및 버퍼(121)를 포함한다.
버퍼(121)는 펄스폭변조 신호(PWM)를 노드(N1)에 공급하고, BJT(Q5) 및 BJT(Q6)의 베이스는 노드(N1)에 연결되어 있다.
BJT(Q5)의 컬렉터에 전압(VDD)이 공급되고, BJT(Q5)의 에미터와 BJT(Q6)의 에미터는 노드(N2)에 연결되어 있다. 노드(N2)는 핀(P1)을 통해 전력 스위치(M)의 게이트에 연결되어 있다. BJT(Q6)의 컬렉터는 노드(N3)에 연결되어 있고, 노드(N3)는 핀(P2)를 통해감지 전압(RCS)에 연결되어 있다.
하이 레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 BJT(Q5)가 턴 온 되고, BJT(Q6)가 턴 오프 되며, 로우레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 BJT(Q5)가 턴 오프 되고, BJT(Q6)가 턴 온 된다. BJT(Q5) 및 BJT(Q6)의 스위칭에 따른 게이트 전압(VG)의 변화, 전력스위치(M)의 스위칭, 및 전류(Ig)에 대한 설명은 앞서 도 2를 참조한 설명과 동일하므로 생략한다.
도 5는 실시 예에따른 게이트 드라이버의 다른 일 예이다.
도 5에 도시된 게이트 드라이버(130)는 npn 타입BJT(Q7, Q8), 인버터(131), 및 버퍼(132)를 포함한다.
인버터(131)는 펄스폭변조 신호(PWM)를 반전시켜 BJT(Q8)의 베이스에 공급하고, 버퍼(132)는 펄스폭변조 신호(PWM)를 BJT(Q7)의 베이스에 공급한다.
BJT(Q7)의 컬렉터에 전압(VDD)이 공급되고, BJT(Q7)의 에미터와 BJT(Q8)의 컬렉터는 노드(N2)에 연결되어 있다. 노드(N2)는 핀(P1)을 통해 전력 스위치(M)의 게이트에 연결되어 있다. BJT(Q8)의 에미터는 노드(N3)에 연결되어 있고, 노드(N3)는 핀(P2)를 통해 감지 전압(RCS)에 연결되어 있다.
하이 레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 BJT(Q7)가 턴 온 되고, BJT(Q8)가 턴 오프 되며, 로우레벨의 펄스폭변조 신호(PWM)에 따라 BJT(Q7)가 턴 오프 되고, BJT(Q8)가 턴 온 된다. BJT(Q7) 및 BJT(Q8)의 스위칭에 따른 게이트 전압(VG)의 변화, 전력스위치(M)의 스위칭, 및 전류(Ig)에 대한 설명은 앞서 도 2를 참조한 설명과 동일하므로 생략한다.
도 1, 및 3-5에 도시된 게이트 드라이버는 소스 전류원 및 싱크 전류원 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
도 6은 소스 전류원 및 싱크 전류원이 추가된 게이트 드라이버를 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와같이, 게이트 드라이버(140)는 도 1에 도시된 게이트 드라이버(100)과 비교해 소스 전류원(102) 및 싱크 전류원(103)을 더 포함한다. 도 6에서는 게이트 드라이버(140)가 소스 전류원(102) 및 싱크 전류원(103) 모두를 포함하고 있으나, 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 두 개의 전류원 중 하나만 포함할 수 있다.
도 1과 비교해 동일한 구성 및 동작 설명은 생략한다.
소스 전류원(102)은 전압(VDD)을 공급받고, 트랜지스터(Q1)의 소스에 연결되어 있으며, 싱크 전류원(103)은 트랜지스터(Q2)와 노드(N3) 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(Q1)가 턴 온 되면, 소스전류원(102)의 전류에 의해전력 스위치(M)의 게이트가 충전되어 게이트 전압(VG)이 상승한다. 트랜지스터(Q2)가 턴 온 되면, 싱크 전류원(103)의 전류에 의해 전력스위치(M)의 게이트가 방전되어 게이트 전압(VG)이 감소한다.
이와 같이, 실시예들에 따르면, 전력스위치(M)를 턴 오프시키기 위한 싱크전류가 감지 저항에 흐르는 것을 방지하여 1차측의 피크 전류를 정확하게 측정할 수 있다.
이상에서 복수의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는본 발명의 기본개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
1: 일차측 레귤레이션 전력공급 장치
10: 정류 회로
20: 트랜스포머
30: 스위치 제어회로
100: 게이트 드라이버
200: PWM 제어부
300: 피크 검출부

Claims (14)

  1. 스위칭하여 출력 전압을 생성하는 전력 스위치;
    상기 전력 스위치의 제1 전극에 연결된 제1 단 및 1차측 그라운드에 연결되어 있는 제2 단을 포함하고, 상기 전력 스위치에 흐르는 전류에 따른 감지 전압을 생성하는 감지 저항;
    상기 전력 스위치를 스위칭하기 위한 구동 신호를 생성하고, 제어 신호에 기초하여 생성되는 펄스폭변조 신호에 따라 스위칭하는 하이-사이드(high-side) 스위치 및 로우-사이드(low-side) 스위치를 포함하는 게이트 드라이버 - 상기 로우-사이드 스위치는 상기 감지 전압을 수신하기 위해 상기 전력 스위치의 제1 전극 및 상기 감지 저항의 제1 단에 연결되어 있는 제1 전극 및 상기 전력 스위치의 제어 전극에 연결되어 있는 제2 전극을 포함 -; 및
    상기 펄스폭변조 신호의 비활성에 응답하여, 상기 펄스폭변조 신호의 비활성 시점으로부터 소정의 기간 지연 후에 상기 감지 전압의 레벨을 결정하고, 상기 결정된 감지 전압의 레벨에 따라 상기 제어 신호를 생성하는 검출기를 포함하고,
    상기 전력 스위치는 상기 펄스폭변조 신호의 비활성에 응답하여 턴 오프되는, 전력 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 로우-사이드 스위치의 제1 전극 및 상기 감지 저항의 제1 단 사이에 연결되어 있는 싱크 전류원을 더 포함하는 전력 공급 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하이-사이드 스위치의 제1 전극은 소정 전압을 수신하고, 상기 하이-사이드 스위치의 제2 전극은 상기 로우-사이드 스위치의 제2 전극 및 상기 전력 스위치의 제어 전극에 연결되어 있는, 전력 공급 장치.
  4. 전력 공급 장치의 스위치 제어 신호를 공급하는 집적 회로(Integrated Circuit, IC) 칩에 있어서,
    전력 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 게이트 구동 신호를 출력하는 제1 핀;
    감지 저항에 발생하는 감지 전압을 수신하는 제2 핀;
    펄스폭변조 신호에 따라 스위칭하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 핀에 상기 게이트 구동 신호를 생성하는 게이트 구동 회로 - 상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 핀에 연결되어 있는 제1 전극을 포함 -;
    상기 전력 스위치의 턴 오프에 응답하여 상기 전력 스위치의 턴 오프 시점으로부터 소정 기간 지연된 시점에 상기 감지 전압의 값을 결정하고, 상기 결정된 감지 전압의 값에 따라 제어 신호를 생성하는 검출기; 및
    상기 제어 신호에 기초하여 상기 펄스폭변조 신호를 생성하는 PWM 제어기를 포함하는, 집적 회로 칩.
  5. 일차측 레귤레이션(Primary Side Regulation, PSR) 전력공급 장치의 동작 방법에 있어서,
    감지 저항 및 전력 스위치를 통해 스위치 전류가 흐르는 단계;
    상기 감지 저항에 연결된 제1 노드에 감지 전압이 발생하는 단계;
    펄스폭변조 신호의 비활성에 응답하여, 상기 펄스폭변조 신호의 비활성 시점으로부터 소정 기간 지연된 시점에 상기 감지 전압의 값을 검출하는 단계;
    상기 검출된 감지 전압의 값에 기초하여 상기 펄스폭변조 신호를 생성하는 단계;
    상기 펄스폭 변조 신호에 따라 로우-사이드 스위치를 턴 오프 하고 하이-사이드 스위치를 턴 온 하는 것에 의해, 상기 전력 스위치에 게이트 구동 신호를 활성화하여 상기 전력 스위치를 턴 온 하는 단계;
    상기 펄스폭 변조 신호에 따라 로우-사이드 스위치를 턴 온 하고 하이-사이드 스위치를 턴 오프 하는 것에 의해, 상기 전력 스위치에 상기 게이트 구동 신호를 비활성화하여 상기 전력 스위치를 턴 오프 하는 단계; 및
    상기 로우-사이드 스위치가 턴 온일 때, 상기 전력 스위치의 게이트로부터 상기 로우-사이드 스위치로 흐르는 싱크 전류에 의해 상기 전력 스위치의 게이트 전압이 감소하는 단계를 포함하고,
    상기 로우-사이드 스위치의 전극은 상기 제1 노드에 연결되어 있는, 일차측 레귤레이션 전력공급 장치의 동작 방법.

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6813781B2 (ja) * 2017-04-07 2021-01-13 富士通株式会社 ゲート駆動回路及び電源回路
KR102026931B1 (ko) * 2018-07-20 2019-10-01 한국전기연구원 전력 스위치용 단락보호회로
US11558047B2 (en) 2020-04-06 2023-01-17 Nxp B.V. Switched-mode power supply controller and method for operating a switched-mode power supply controller

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004112227A1 (en) 2003-06-18 2004-12-23 System General Corp. Primary-side regulated pulse width modulation controller with improved load regulation
US20150036392A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Primary Side Regulator

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5335162A (en) * 1993-01-15 1994-08-02 Toko America, Inc. Primary side controller for regulated power converters
JP3886780B2 (ja) * 2001-11-05 2007-02-28 本田技研工業株式会社 電動パワーステアリング装置の制御方法
CN101079576B (zh) * 2006-05-24 2010-04-07 昂宝电子（上海）有限公司 用于提供对电源调节器的开关的系统
EP2269291A1 (en) * 2008-04-16 2011-01-05 Nxp B.V. Self-oscillating switched mode converter with valley detection
US8860398B2 (en) * 2011-02-11 2014-10-14 Fairchild Semiconductor Corporation Edge rate control gate driver for switching power converters
CN102638165B (zh) * 2012-03-31 2016-05-25 深圳鼎信芯微电子有限公司 一种开关电源功率补偿电路及电源芯片
CN102723855B (zh) * 2012-06-25 2014-06-25 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种功率开关管的驱动电路以及应用其的功率变换电路
US9100017B2 (en) * 2013-07-08 2015-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Impedance component having low sensitivity to power supply variations

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004112227A1 (en) 2003-06-18 2004-12-23 System General Corp. Primary-side regulated pulse width modulation controller with improved load regulation
US20150036392A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Primary Side Regulator

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