KR101988998B1

KR101988998B1 - Method for producing glass substrate

Info

Publication number: KR101988998B1
Application number: KR1020147010976A
Authority: KR
Inventors: 사카에 니시야마
Original assignee: 가부시키가이샤 엔에스씨
Priority date: 2011-10-28
Filing date: 2012-10-09
Publication date: 2019-06-13
Anticipated expiration: 2032-10-09
Also published as: CN103917499A; TWI601600B; WO2013061764A1; CN103917499B; KR20140093934A; JP2013095617A; JP5334216B2; TW201341119A

Abstract

본 발명은 매엽 방식의 화학연마장치에 있어서 1장의 시트상 유리 모재를 복수의 유리 기판으로 분할하는 것을 가능하게 하는 유리 기판의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 연속적으로 반송되는 복수의 유리 기판에 대하여 화학연마처리를 하도록 구성된 화학연마장치에 적용되는 유리 기판의 제조방법이다. 화학연마장치는 반송부 및 연마 처리부를 적어도 구비한다. 이 화학연마장치에 있어서, 상측에서 유리 모재에 분사하는 화학 연마액의 양과, 하측에서 유리 모재에 분사하는 화학 연마액의 양을 각각 조정함으로써, 제1 주면에 형성되는 구획 홈 및 제2 주면에 형성되는 구획 홈을, 유리 모재의 두께방향의 중심에서 소정량 어긋난 위치에서 관통시킨다.The present invention provides a method of manufacturing a glass substrate which enables a sheet-like glass base material to be divided into a plurality of glass substrates in a chemical polishing apparatus of a sheet-fed type. The present invention is a method for manufacturing a glass substrate applied to a chemical polishing apparatus configured to perform chemical polishing on a plurality of continuously transported glass substrates. The chemical polishing apparatus has at least a carrying section and a polishing section. In this chemical polishing apparatus, by adjusting the amount of the chemical polishing liquid sprayed on the glass base material from the upper side and the amount of the chemical polishing liquid sprayed onto the glass base material from the lower side, The partition grooves to be formed are passed through at positions shifted by a predetermined amount from the center in the thickness direction of the glass base material.

Description

[0001] METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE [0002]

본 발명은 연속적으로 반송되는 복수의 유리 기판에 대하여 화학연마처리를 하도록 구성된 화학연마장치에 적용되는 유리 기판의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a glass substrate applied to a chemical polishing apparatus configured to perform a chemical polishing process on a plurality of continuously transported glass substrates.

유리 기판을 박형화하기 위해서는 일반적으로 불산을 포함하는 화학 연마액을 이용해서 유리 기판에 대하여 화학연마처리를 할 필요가 있다. 이러한 화학연마처리로는, 처리해야 할 유리 기판을 화학 연마액이 담긴 통에 소정 시간 침지하는 배치식 화학연마, 및 처리해야 할 유리 기판을 반송 롤러로 순차적으로 반송하면서 화학 연마액을 스프레이하는 매엽식(single wafer-type) 화학연마를 들 수 있다. In general, in order to make the glass substrate thinner, it is necessary to chemically polish the glass substrate using a chemical polishing liquid containing hydrofluoric acid. Such a chemical polishing treatment includes a batch chemical polishing method in which a glass substrate to be treated is immersed in a cylinder containing a chemical polishing solution for a predetermined time and a step of spraying a chemical polishing solution while sequentially conveying a glass substrate to be treated by a conveying roller Single wafer-type chemical polishing.

이러한 화학연마 방식들 중, 배치 방식의 연마는 처리해야 할 유리 기판을 연마액 욕조에 소정 시간 침지함으로써 유리 기판을 원하는 판두께까지 박판화하는 것으로, 한번에 다량의 유리 기판을 처리할 수 있다는 이점이 있다. 그러나, 배치 방식의 연마는 적어도 아래의 문제점을 갖고 있다. Among these chemical polishing methods, the batch polishing is advantageous in that a glass substrate to be treated is immersed in a polishing liquid bath for a predetermined time to thin the glass substrate to a desired plate thickness, and a large amount of glass substrates can be processed at one time . However, the polishing of the batch method has at least the following problems.

먼저, 배치 방식의 연마는 연마액 욕조가 위쪽에 대하여 개방되어 있는 구조상, 연마액 욕조의 주위가 짙은 불산 분위기가 된다는 문제가 있다. 특히 연마액 욕조의 연마액에 대하여 버블링 처리를 하고 있을 경우에는 가스상의 불산이 주위로 확산되기 쉽다는 문제점을 안고 있다. 이러한 불산 분위기 속에서 작업에 임하는 작업원은 적절한 보호장비를 몸에 걸치고 작업하지 않으면 건강을 해칠 우려가 있다. 이로 인해, 작업원에게 지급하는 보호장비의 비용이 높아진다. First, there is a problem that the polishing method is a borosilicate atmosphere in which the periphery of the polishing liquid bath is dense due to the structure in which the polishing liquid bath is opened to the upper side. Particularly, when bubbling treatment is applied to the polishing liquid of the polishing liquid bath, the hydrofluoric acid in the gaseous phase tends to diffuse to the surroundings. Workers engaged in work in such a FOSHAN environment may be injured if proper protective equipment is not worn on the body. This increases the cost of protective equipment to be paid to the worker.

또한 배치 방식의 연마는 연마액 욕조 주위의 짙은 불산 분위기를 해소하기 위해 강력한 스크러버(scrubber) 등의 배기설비가 필요하게 되어 설비 비용을 증대시킨다. 나아가서는, 불산 가스로 인해 설비 부식이 발생하기 쉬워지기 때문에, 적절한 부식 방지 처리를 실시하기 위해 비용이 들거나, 설비의 교환 빈도가 많아져서 비용이 드는 등의 문제도 있다. In addition, the polishing of the batch method requires an exhausting facility such as a strong scrubber in order to solve the dense hydrofluoric acid atmosphere around the polishing liquid bath, thereby increasing the facility cost. Furthermore, since corrosion of equipment is liable to occur due to the presence of hydrofluoric acid gas, there is a problem that costs are incurred for carrying out proper corrosion prevention treatment, the frequency of exchanging equipment is increased, and the cost is increased.

그래서 최근, 매엽 방식의 화학연마처리가 이용되는 경우가 있었다. 예를 들면, 종래 기술 중에는 유리 기판을 부착할 수 있는 지그로 유리 기판을 세로방향으로 지지하고, 이 지그를 반송하면서 유리 기판에 대하여 화학 연마액을 분사하도록 구성된 플랫 패널 디스플레이 유리 기판 에칭장치가 존재한다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). Thus, in recent years, a chemical polishing process using a sheet-like process has been used. For example, in the prior art, there is a flat panel display glass substrate etching apparatus configured to support a glass substrate in a longitudinal direction with a jig to which a glass substrate can be attached and to spray a chemical polishing liquid onto the glass substrate while conveying the jig (See, for example, Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2008-266135호Patent Document 1: JP-A-2008-266135

그러나 특허문헌 1에 기재된 기술에서는 유리 기판을 수직상태로 지지하면서 처리하도록 구성되어 있기 때문에, 유리 기판의 박형화에 대해서는 적절하게 실행하는 것이 가능한 반면, 1장의 시트상 유리 모재(母材)를 복수의 유리 기판으로 분할하는 것과 같은 처리에는 적합하지 않다는 문제가 있었다. 그 이유는, 유리 기판을 수직상태로 배치했을 경우에는 유리를 복수의 조각으로 분할하면, 분할된 조각이 중력에 의해 낙하하기 때문이다. 이로 인해, 특허문헌 1에 기재된 기술은 대형 유리 모재로부터 유리 기판을 복수장 얻는 처리에 이용할 수 없었다. However, in the technique described in Patent Document 1, since the glass substrate is configured to be processed while being supported in a vertical state, it is possible to appropriately perform the thinning of the glass substrate, while a single sheet glass base material (base material) There is a problem in that it is not suitable for the treatment such as dividing into a glass substrate. This is because, when the glass substrate is vertically arranged, the glass is divided into a plurality of pieces, and the divided pieces fall by gravity. As a result, the technique described in Patent Document 1 can not be used for a process of obtaining a plurality of glass substrates from a large glass base material.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 매엽 방식의 화학연마장치에서 1장의 시트상 유리 모재를 복수의 유리 기판으로 분할하는 것을 가능하게 하는 유리 기판의 제조방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a manufacturing method of a glass substrate which enables a sheet-like glass base material to be divided into a plurality of glass substrates in a chemical polishing apparatus of a sheet-

본 발명은 연속적으로 반송되는 복수의 유리 기판에 대하여 화학연마처리를 하도록 구성된 화학연마장치에 적용되는 유리 기판의 제조방법이다. 화학연마장치는 반송부 및 연마 처리부를 적어도 구비한다. 반송부는 절단해야 할 위치인 구획 라인을 건너뛰도록 레지스트층이 제1 주면(主面) 및 제2 주면에 형성된 유리 모재를 수평방향으로 반송하도록 구성된 복수의 반송 롤러를 구비한다. 연마 처리부는 반송부에 의해 반송되는 유리 모재에 대하여, 상하방향으로부터 화학 연마액을 분사하여 유리 모재의 구획 라인을 에칭하도록 구성된다. The present invention is a method for manufacturing a glass substrate applied to a chemical polishing apparatus configured to perform chemical polishing on a plurality of continuously transported glass substrates. The chemical polishing apparatus has at least a carrying section and a polishing section. The conveying section includes a plurality of conveying rollers configured to horizontally convey the glass base material formed on the first main surface and the second main surface by the resist layer so as to skip the partition line which is a position to be cut. The polishing processing section is configured to etch the glass base material conveyed by the carrying section by spraying a chemical polishing liquid from the upper and lower directions to etch the glass base material partition lines.

이러한 화학연마장치에 있어서, 상측에서 유리 모재에 분사하는 화학 연마액의 양과, 하측에서 유리 모재에 분사하는 화학 연마액의 양을 각각 조정함으로써, 제1 주면에 형성되는 구획 홈 및 제2 주면에 형성되는 구획 홈을, 유리 모재의 두께방향의 중심에서 소정량 어긋난 위치에서 관통시킨다. In this chemical polishing apparatus, by adjusting the amount of the chemical polishing liquid sprayed on the glass base material from the upper side and the amount of the chemical polishing liquid sprayed on the glass base material from the lower side, The partition grooves to be formed are passed through at positions shifted by a predetermined amount from the center in the thickness direction of the glass base material.

이러한 구성에서는 제1 주면에 형성되는 구획 홈 및 제2 주면에 형성되는 구획 홈이 유리 모재의 두께방향의 중심위치에서 관통하는 것이 방지된다. 그렇기 때문에, 유리 모재가 미리 화학강화처리 등의 강화처리가 되어 있을 경우에도 깨짐 등이 발생하는 일 없이 유리 모재를 복수의 유리 기판으로 분할할 수 있게 된다. 또한 그러한 처리를 매엽식 화학연마장치로 실시할 수 있게 되기 때문에 작업의 안전성이 향상된다. In this configuration, the partition grooves formed on the first main surface and the partition grooves formed on the second main surface are prevented from penetrating at the center position in the thickness direction of the glass base material. Therefore, even when the glass base material is previously subjected to the reinforcing treatment such as the chemical strengthening treatment, the glass base material can be divided into a plurality of glass substrates without occurrence of breakage or the like. In addition, since such a treatment can be carried out by a single-wafer type chemical polishing apparatus, the safety of the work is improved.

상기한 본 발명에 의하면, 매엽 방식의 화학연마장치에 있어서 1장의 시트상 유리 모재를 복수의 유리 기판으로 분할할 수 있게 된다. According to the present invention described above, one sheet-like glass base material can be divided into a plurality of glass substrates in the sheet-type chemical polishing apparatus.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 매엽식 화학연마장치의 외관을 나타내는 도면이다.
도 2는 매엽식 화학연마장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 매엽식 화학연마장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 처리 챔버의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 처리액 공급기구의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 크랭크(crank) 기구의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 전처리 챔버에서의 처리를 설명하는 도면이다.
도 8은 화학연마장치에서 절단 처리되는 유리 모재의 개관 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 화학연마장치에서 절단 처리되는 유리 모재의 개관 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 화학연마장치에서 절단 처리되는 유리 모재의 개관의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 11은 유리 기판의 제조방법의 실시형태에서 이용되는 유리 트레이의 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 유리 트레이에서 유리 모재를 수용하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 13은 유리 모재를 수용한 유리 트레이가 반송되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 14는 유리 모재 주면의 구획 홈이 심화되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 15는 유리 모재 주면의 구획 홈이 심화되는 상태를 나타내는 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing the appearance of a single-wafer chemical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a view showing a schematic configuration of a single-wafer type chemical polishing apparatus.
3 is a view showing a schematic configuration of a single-wafer type chemical polishing apparatus.
4 is a view showing a schematic configuration of the first processing chamber.
Fig. 5 is a diagram showing a schematic configuration of the processing liquid supply mechanism. Fig.
6 is a diagram showing a schematic configuration of a crank mechanism.
7 is a view for explaining processing in the pretreatment chamber.
8 is a view showing an example of an overview of a glass base material subjected to cutting treatment in a chemical polishing apparatus.
9 is a view showing an example of an overview of a glass base material subjected to cutting treatment in a chemical polishing apparatus.
10 is a view showing another example of an overview of a glass base material subjected to cutting treatment in a chemical polishing apparatus.
11 is a view showing an example of a glass tray used in an embodiment of the method for manufacturing a glass substrate.
12 is a view showing a state in which a glass base material is received in a glass tray.
13 is a view showing a state in which a glass tray containing a glass base material is transported.
Fig. 14 is a view showing a state in which the groove of the glass base material main surface is deepened. Fig.
Fig. 15 is a view showing a state in which the groove of the glass base material main surface is widened. Fig.

도 1은 본 발명의 실시형태의 일례에 따른 매엽식 화학연마장치(10)의 외관을 나타내는 도면이다. 또한 도 2 및 도 3은 화학연마장치(10)의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다. 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 화학연마장치(10)는 반입부(12), 전처리 챔버(14), 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22), 제1 중계부(28), 제2 중계부(30), 제3 중계부(32), 물세정 챔버(24), 반출부(26), 처리액 수용부(42), 처리액 공급부(44) 및 물 공급부(46)를 구비한다. Fig. 1 is a view showing an appearance of a single-wafer chemical polishing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. 2 and 3 are diagrams showing a schematic configuration of the chemical polishing apparatus 10. As shown in Fig. 1 to 3, the chemical polishing apparatus 10 includes a carrying section 12, a pre-treatment chamber 14, a first processing chamber 16, a second processing chamber 18, The second processing unit 20, the fourth processing chamber 22, the first relay unit 28, the second relay unit 30, the third relay unit 32, the water cleaning chamber 24, the carry-out unit 26, A liquid receiving portion 42, a process liquid supply portion 44, and a water supply portion 46.

반입부(12)는 작업원에 의한 수동작업 또는 로봇 등에 의한 자동작업에 의해 반입되는 박형화 처리해야 할 유리 기판(100)을 수용 가능하도록 구성된다. 전처리 챔버(14)는 반입부(12)로부터 반송되는 유리 기판(100)을 수용하도록 구성된다. 제1 처리 챔버(16)는 유리 기판(100)의 상하면에 화학 연마액을 분사하여 유리 기판을 박형화하도록 구성된다. 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20) 및 제4 처리 챔버(22)는 각각, 제1 처리 챔버(16)와 동일한 조성의 화학 연마액을 유리 기판의 상하면에 분사하여 유리 기판을 더욱 박형화하도록 구성된다. 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)는 각각, 복수의 처리 챔버를 연결하도록 구성된다. 물세정 챔버(24)는 제4 처리 챔버(22)를 경유한 유리 기판(100)을 물세정하도록 구성된다. 반출부(26)는 화학연마처리 및 물세정처리를 거친 유리 기판(100)을 반출 가능하도록 구성되어 있다. 반출부(26)에 도달한 유리 기판(100)은 작업원에 의한 수동작업 또는 로봇 등에 의한 자동작업에 의해 화학연마장치(10)로부터 제거되어 회수된다. 그 후, 유리 기판(100)은 박형화가 더 필요할 경우에는 다시 화학연마장치(10)에 도입되는 한편, 더 이상 박형화가 필요하지 않을 경우에는 성막 공정 등의 이후의 공정으로 이행된다. The carrying unit 12 is configured to be able to accommodate the glass substrate 100 to be thinned to be carried by a manual work by an operator or an automatic operation by a robot or the like. The pretreatment chamber 14 is configured to receive the glass substrate 100 conveyed from the loading section 12. The first processing chamber 16 is configured to thin the glass substrate by spraying chemical polishing liquid on the upper and lower surfaces of the glass substrate 100. The second processing chamber 18, the third processing chamber 20 and the fourth processing chamber 22 respectively inject chemical polishing liquids having the same composition as that of the first processing chamber 16 onto the upper and lower surfaces of the glass substrate, As shown in Fig. The first relay unit 28, the second relay unit 30, and the third relay unit 32 are each configured to connect a plurality of process chambers. The water cleaning chamber 24 is configured to water-clean the glass substrate 100 via the fourth processing chamber 22. [ The carry-out portion 26 is configured to be capable of carrying out the glass substrate 100 that has undergone the chemical polishing treatment and the water cleaning treatment. The glass substrate 100 arriving at the carry-out section 26 is removed from the chemical polishing apparatus 10 by manual operation by an operator or automatic operation by a robot or the like, and is recovered. Thereafter, the glass substrate 100 is introduced into the chemical polishing apparatus 10 again when thinning is further required, and to a subsequent step such as a film forming step when thinning is not necessary any more.

처리액 수용부(42)는 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22)와 회수 라인(420)을 통해 접속되어 있다. 처리액 공급부(44)는 급액(給液) 라인(440)을 통해 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22), 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)에 접속되어 있다. 물 공급부(46)는 급수 라인(460)을 통해 전처리 챔버(14) 및 물세정 챔버(24)에 접속되어 있다. 한편, 도 1에서는 화학연마장치(10)의 회수 라인(420), 급액 라인(440) 및 세정수의 급수 라인(460)에 대해서는 도시를 생략하였다. The treatment liquid receiving portion 42 is connected to the first treatment chamber 16, the second treatment chamber 18, the third treatment chamber 20, the fourth treatment chamber 22 and the recovery line 420 . The process liquid supply unit 44 is connected to the first process chamber 16, the second process chamber 18, the third process chamber 20, the fourth process chamber 22, And is connected to the first relaying unit 28, the second relaying unit 30 and the third relaying unit 32. The water supply part 46 is connected to the pretreatment chamber 14 and the water cleaning chamber 24 through a water supply line 460. 1, the recovery line 420, the liquid supply line 440 and the cleaning water supply line 460 of the chemical polishing apparatus 10 are not shown.

전술한 화학연마장치(10)에 있어서, 전처리 챔버(14)에의 도입구(200), 물세정 챔버(24)로부터의 도출구(300), 및 후술하는 크랭크 기구(36)의 일부 작업공간을 제외하고, 전처리 챔버(14), 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22), 제1 중계부(28), 제2 중계부(30), 제3 중계부 및 물세정 챔버(24)는 전체적으로 기밀(氣密)적이면서 수밀(水密)적으로 폐쇄되어 있다. 도입구(200) 및 도출구(300)는 유리 기판(100)의 판두께보다 다소 높고, 유리 기판(100)의 가로폭보다 다소 넓은 슬릿 형상을 보이고 있다. 또한 각 부를 관통하여, 동일 평면상에 다수의 반송 롤러(50)가 배치되어 있다. 각 반송 롤러(50)는 유리 기판(100)의 바닥면을 지지하면서 도면에서 볼 때(圖示) 오른쪽 방향으로 반송하는 반송로를 구성한다. In the above-described chemical polishing apparatus 10, the inlet port 200 to the pretreatment chamber 14, the outlet port 300 from the water cleaning chamber 24, and some working space of the crank mechanism 36 The first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, the fourth processing chamber 22, the first relaying portion 28, The second relay unit 30, the third relay unit, and the water cleaning chamber 24 are airtight and watertight as a whole. The introduction port 200 and the outlet port 300 are somewhat higher than the thickness of the glass substrate 100 and are slightly wider than the width of the glass substrate 100. A plurality of conveying rollers 50 are disposed on the same plane passing through the respective portions. Each conveying roller 50 constitutes a conveying path for conveying the bottom surface of the glass substrate 100 in the right direction as viewed in the drawing.

여기서, 반송 속도는 100~800mm/분으로 설정되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 300~550mm/분으로 설정해야 한다. 그리고 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20) 및 제4 처리 챔버(22)에서의 처리 시간은, 이 실시형태에서는 합계 20분 정도로 설정되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 상기의 범위를 넘어서 반송 속도가 너무 느리면 생산 효율이 나쁠 뿐만 아니라, 화학 연마액이 유리 기판(100)상에 체류하기 쉬워 균일한 화학연마가 저해되거나, 최악의 경우, 유리 기판(100)의 깨짐을 유발하거나 할 우려가 있다. 한편, 동일한 장치규모에서 반송 속도를 높이려면 이것을 실현하는 액 조성의 최적화가 어려워, 결국, 균질한 화학연마가 실현되기 어렵다. Here, the conveying speed is preferably set to 100 to 800 mm / minute, more preferably 300 to 550 mm / minute. The processing time in the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20 and the fourth processing chamber 22 is set to about 20 minutes in total in this embodiment, But is not limited thereto. If the conveying speed is too slow, the production efficiency is bad, and the chemical polishing liquid tends to stay on the glass substrate 100, so that uniform chemical polishing is inhibited. In the worst case, It may cause or cause breakage. On the other hand, in order to increase the conveying speed in the same apparatus scale, it is difficult to optimize the liquid composition for realizing this, and as a result, homogeneous chemical polishing is hardly realized.

화학연마장치(10)로 박형화 처리되는 유리 기판(100)은 특별히 한정되지 않지만, G8 사이즈의 쿼터 컷트(1080×1230mm) 및 G6 사이즈(1500×1800mm) 등의 대형 유리 기판에 대해서도 그 상하 양면을 균질하게 연마할 수 있도록 화학연마장치(10)는 구성되어 있다. 또한 화학연마장치(10)는 지그나 캐리어를 이용하지 않고, 유리 기판(100)을 직접적으로 반송 롤러(50)에 의해 반송하도록 구성된다. The glass substrate 100 to be thinned by the chemical polishing apparatus 10 is not particularly limited, but a large glass substrate such as a G8-sized quarter cut (1080 x 1230 mm) and a G6 size (1500 x 1800 mm) The chemical polishing apparatus 10 is configured so as to uniformly polish. The chemical polishing apparatus 10 is configured to directly convey the glass substrate 100 by the conveying roller 50 without using a jig or a carrier.

전술한 바와 같이, 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22), 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)는 급액 라인(440)을 경유하여, 온도 관리된 처리액 공급부(44)에 연통(連通)되어 있으며, 처리액 공급부(44)의 화학 연마액이 40~42℃ 정도로 각 챔버에 공급되도록 되어 있다. 여기서, 화학 연마액의 조성은 불산 1~20중량%, 염산 0~10중량%, 나머지 물의 액 조성으로 하는 것이 바람직하다. As described above, the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, the fourth processing chamber 22, the first relaying portion 28, the second relaying portion 30 and the third relay section 32 communicate with the temperature-controlled treatment liquid supply section 44 via the liquid supply line 440 and the chemical polishing liquid of the treatment liquid supply section 44 is supplied to the temperature- And is supplied to each chamber at about 42 ° C. Here, the composition of the chemical polishing liquid is preferably 1 to 20% by weight of hydrofluoric acid, 0 to 10% by weight of hydrochloric acid, and the composition of the remaining water.

또한 전처리 챔버(14) 및 물세정 챔버(24)는 급수 라인(460)을 경유하여 물 공급부(46)에 연통되어 있어, 세정수가 각 챔버에 공급되도록 되어 있다. 한편, 전처리 챔버(14)와 물세정 챔버(24)로부터 배출되는 세정 배수는 폐수처리설비로 배출된다. The pretreatment chamber 14 and the water cleaning chamber 24 are communicated with the water supply portion 46 via the water supply line 460 so that the washing water is supplied to each chamber. On the other hand, the washing water discharged from the pretreatment chamber 14 and the water washing chamber 24 is discharged to the wastewater treatment facility.

한편, 전술한 대로 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20) 및 제4 처리 챔버(22)의 바닥부는 회수 라인(420)을 경유하여 처리액 수용부(42)에 연통되어 있어, 연마 처리수가 회수되도록 되어 있다. 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)의 바닥부는 각각 인접한 처리 챔버를 향해 경사진 바닥부를 가지기 때문에, 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32) 안의 처리액은 원활하게 인접한 처리 챔버로 유도된다. 한편, 회수된 연마 처리수는 반응 생성물의 침전 그 밖의 처리를 거친 뒤에, 재이용이 가능한 상태이면 처리액 공급부(44)로 보내지는 한편, 재이용이 가능하지 않은 상태일 경우에는 농후 폐액으로서 폐액 처리 공정으로 이행된다. Meanwhile, as described above, the bottoms of the first process chamber 16, the second process chamber 18, the third process chamber 20, and the fourth process chamber 22 are connected to each other through the recovery line 420, So that the abrasive treatment water can be recovered. Since the bottom portions of the first relay portion 28, the second relay portion 30 and the third relay portion 32 each have a bottom portion inclined toward the adjacent processing chamber, the first relay portion 28, The processing liquid in the first relaying part 30 and the third relaying part 32 is smoothly guided to the adjacent processing chamber. On the other hand, after the precipitation or other treatment of the reaction product, the recovered abrasive treatment water is sent to the treatment liquid supply unit 44 when the reusable state is possible. On the other hand, when the reusable state is not possible, .

또한 도 3에 도시한 대로, 전처리 챔버(14), 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22) 및 물세정 챔버(24)는 배기 라인(340)을 경유하여 배기부(34)에 연통되어 있어, 각 챔버의 내부 가스가 배기부(34)에 흡인되도록 되어 있다. 여기서, 배기 라인(340)은 정상적으로 기능하고 있으므로, 전처리 챔버(14)에의 도입구(200), 물세정 챔버(24)로부터의 도출구(300), 크랭크 기구(36)의 일부에 형성되는 개구가 부압상태로 유지되게 되어, 이 개구들을 통해 처리 가스가 누출될 일은 없다. As shown in Fig. 3, the pretreatment chamber 14, the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, the fourth processing chamber 22, and the water cleaning chamber 24 are communicated with the exhaust part 34 via the exhaust line 340 so that the internal gas of each chamber is sucked into the exhaust part 34. Since the exhaust line 340 functions normally, the inlet port 200 to the pretreatment chamber 14, the outlet port 300 from the water cleaning chamber 24, and the opening formed in a part of the crank mechanism 36 The processing gas is prevented from leaking through these openings.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22) 및 물세정 챔버(24)에는 유리 기판(100)의 반송방향으로 연장되는 1군(10개)의 분사 파이프(444(444U, 444L))가 반송 롤러(50)의 상하위치에 각각 배치되어 있다. 각 분사 파이프(444)는 염화 비닐이나 테플론(등록상표)에 의한 중공(中空) 수지 파이프이며, 1개의 분사 파이프에 복수의 분사 노즐(446)이 일렬로 형성되어 있다. 그리고 상측에 배치된 상측 분사 파이프(444U)로부터 유리 기판(100)의 상부면에 대하여 화학 연마액이 분사되고, 하측에 배치된 하측 분사 파이프(444L)로부터 유리 기판(100)의 바닥면에 대하여 화학 연마액이 분사된다. 한편, 물세정 챔버(24)에 배치된 상측 분사 파이프(242U)로부터 유리 기판의 상부면에 대하여 세정수가 분사되고, 하측 분사 파이프(242L)로부터 유리 기판(100)의 바닥면에 대하여 세정수가 분사된다. 또한 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)에는 각각 분사 파이프(282(282U, 282L)), 분사 파이프(302(302U, 302L)) 및 분사 파이프(322(322U, 322L))가 마련되어 있으며, 제1~제4 처리 챔버(18, 20, 22, 24)와 동일한 조성의 화학 연마액이 유리 기판(100)의 상부면 및 바닥면에 분사된다. As shown in FIGS. 4 and 5, the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, the fourth processing chamber 22, and the water cleaning chamber 24 (Ten) injection pipes 444 (444U, 444L) extending in the conveying direction of the glass substrate 100 are arranged at the upper and lower positions of the conveying roller 50, respectively. Each injection pipe 444 is a hollow resin pipe made of vinyl chloride or Teflon (registered trademark), and a plurality of injection nozzles 446 are formed in a line in one injection pipe. The chemical polishing liquid is sprayed onto the upper surface of the glass substrate 100 from the upper side injection pipe 444U arranged on the upper side and the chemical polishing liquid is sprayed from the lower side injection pipe 444L disposed on the lower side to the lower surface of the glass substrate 100 Chemical polishing liquid is sprayed. On the other hand, the washing water is sprayed onto the upper surface of the glass substrate from the upper side injection pipe 242U disposed in the water cleaning chamber 24 and the washing water is injected from the lower side injection pipe 242L onto the bottom surface of the glass substrate 100 do. The injection pipes 282 (282U and 282L), the injection pipes 302 (302U and 302L), and the injection pipes 282U and 282L are connected to the first relay unit 28, the second relay unit 30 and the third relay unit 32, Chemical polishing liquids having the same composition as that of the first to fourth processing chambers 18, 20, 22, and 24 are sprayed on the upper surface and the bottom surface of the glass substrate 100 .

제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)에 배치된 분사 파이프(282(282U, 282L)), 분사 파이프(302(302U, 302L)) 및 분사 파이프(322(322U, 322L)), 그리고 물세정 챔버(24)에 배치된 분사 파이프(242U, 242L)는 고정상태로 유지되어 있다. 한편, 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22)에 배치되는 각 분사 파이프(444)는 크랭크 기구(36)에 의해 요동하도록 구성되어 있다. The injection pipes 282 (282U and 282L), the injection pipes 302 (302U and 302L) and the injection pipes 282U and 282L disposed in the first relay unit 28, the second relay unit 30 and the third relay unit 32, The injection pipes 322 (322U and 322L) and the injection pipes 242U and 242L disposed in the water cleaning chamber 24 are kept in a fixed state. On the other hand, each injection pipe 444 disposed in the first process chamber 16, the second process chamber 18, the third process chamber 20, and the fourth process chamber 22 is supported by a crank mechanism 36 .

도 5(A) 및 도 5(B)에 도시한 바와 같이 이 실시형태에서는, 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20) 및 제4 처리 챔버(22)는 유리 기판(100)의 상측 및 하측에 각각 10개의 분사 파이프(444(444U, 444L))가 배치되어 있다. 도 5(A)는 분사 파이프(444(444U, 444L))의 평면도이며, 각 분사 파이프(444(444U, 444L))에는 예를 들면 8개의 분사 노즐(446)이 형성되어 있다. 5A and 5B, in this embodiment, the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22 are provided with ten injection pipes 444 (444U, 444L) on the upper and lower sides of the glass substrate 100, respectively. 5A is a plan view of the injection pipes 444U and 444L and eight injection nozzles 446 are formed in the injection pipes 444U and 444L.

각 분사 파이프(444(444U, 444L))는 그 선단측(도면에서 아래쪽)이 폐쇄되는 한편, 그 기단측에는 액압(液壓) 제어부가 마련되어 있다. 액압 제어부는 분사 파이프(444(444U, 444L))와 동일 개수(10개)의 개폐 밸브(442(442U, 442L))로 구성되며, 각 개폐 밸브(442(442U, 442L))의 개방 정도를 조정함으로써 각 분사 파이프(444(444U, 444L))에 공급되는 화학 연마액의 액압을 임의로 설정할 수 있게 되어 있다. 예를 들면, 상측 분사 파이프(444U)와 하측 분사 파이프(444L)의 액압에 차이를 두거나, 중앙의 분사 파이프(444(444U, 444L))와 단부(端部)의 분사 파이프(444(444U, 444L))의 액압에 차이를 두거나 하는 것이 가능하다. 한편, 각 분사 파이프(444(444U, 444L))에 공급되는 화학 연마액의 액압은 화학연마장치(10)의 상부면에 배치된 계기(38)로 확인할 수 있다. Each of the injection pipes 444 (444U, 444L) is closed at the tip side (lower side in the drawing), and a fluid pressure control section is provided at the base end side thereof. The hydraulic pressure control unit is composed of the same number (ten) of opening / closing valves 442 (442U and 442L) as the injection pipes 444 (444U and 444L), and the opening degree of each of the opening / closing valves 442 (442U and 442L) The liquid pressure of the chemical polishing liquid supplied to each injection pipe 444 (444U, 444L) can be arbitrarily set. For example, the hydraulic pressure of the upper side injection pipe 444U and the lower side injection pipe 444L may be different from each other, or the injection pipes 444 (444U, 444U) of the central injection pipe 444 (444U, 444L) 444L) can be made different from each other. On the other hand, the liquid pressure of the chemical polishing liquid supplied to each of the injection pipes 444 (444U, 444L) can be confirmed by an instrument 38 disposed on the upper surface of the chemical polishing apparatus 10.

이 실시예에서는 주변위치의 분사 파이프(444(444U, 444L))에 비해, 중앙위치의 분사 파이프(444(444U, 444L))의 액압이 다소 크게 설정되어 있으며, 유리 기판(100)의 중앙위치에 대한 접촉압이나 분사량은 유리 기판(100)의 주변위치에 대한 접촉압이나 분사량보다 다소 높게 설정되어 있다. 그렇기 때문에, 유리 기판(100)의 중앙위치에 분사된 화학 연마액은 유리 기판의 주변위치로 원활하게 이동하게 되어, 유리 기판(100)의 상부면에 화학 연마액이 체류하기 어렵게 되어 있다. 그 결과, 유리 기판(100) 전체면에 거의 등량의 화학 연마액이 작용하게 되어, 유리 기판(100) 전체면이 균일하게 연마되기 쉬워진다. 한편, 분사 파이프(444(444U, 444L))의 액압을 폭방향에 있어서 변화시키지 않아도, 유리 기판(100)의 상부면에 화학 연마액이 체류하지 않을 경우에는 굳이 분사 파이프(444(444U, 444L))의 액압을 폭방향에서 변화시킬 필요는 없으며, 모든 분사 파이프(444(444U, 444L))의 액압을 균일하게 설정하면 된다. In this embodiment, the liquid pressure of the injection pipe 444 (444U, 444L) at the central position is set to be somewhat larger than the injection pipe 444 (444U, 444L) at the peripheral position, Is set to be slightly higher than the contact pressure and the injection amount with respect to the peripheral position of the glass substrate 100. [ Therefore, the chemical polishing liquid sprayed to the central position of the glass substrate 100 smoothly moves to the peripheral position of the glass substrate, so that it is difficult for the chemical polishing liquid to remain on the upper surface of the glass substrate 100. As a result, almost the same amount of chemical polishing liquid acts on the entire surface of the glass substrate 100, and the entire surface of the glass substrate 100 is easily polished uniformly. On the other hand, even if the liquid pressure of the injection pipes 444 (444U, 444L) is not changed in the width direction, if the chemical polishing liquid does not remain on the upper surface of the glass substrate 100, the injection pipes 444 (444U, 444L ) Need not be varied in the width direction, and the fluid pressure of all the injection pipes 444 (444U, 444L) may be set uniformly.

또한 각 분사 파이프(444(444U, 444L))는 그 양 끝이 베어링 등에 의해 회전가능하게 지지됨으로써, 크랭크 기구(36)에 의해 약 ±30°요동(oscillation)되도록 구성되어 있다(도 5(B) 참조). 한편, 도 5(B)는 요동 각도를 도시한 것이며, 화학 연마액의 분사범위를 도시한 것은 아니다. 즉, 분사 파이프(444)의 분사 노즐(446)에서는 화학 연마액이 나팔형상으로 분출되므로, 그 분사범위는 요동 각도보다 넓다. Each injection pipe 444 (444U, 444L) is configured such that both ends of the injection pipe 444 are rotatably supported by bearings or the like, thereby oscillating about ± 30 ° by the crank mechanism 36 ) Reference). On the other hand, Fig. 5 (B) shows the swing angle and does not show the spray range of the chemical polishing liquid. That is, since the chemical polishing liquid is ejected in the trumpet shape at the injection nozzle 446 of the injection pipe 444, the injection range thereof is larger than the swing angle.

크랭크 기구(36)는 도 6(A) 및 도 6(B)에 도시한 바와 같이, 구동 모터(362)와, 구동 모터(362)의 회전력을, 분사 파이프(444(444U, 444L))를 요동시키는 힘으로 변환하여 분사 파이프(444(444U, 444L))에 전달하도록 구성된 전달 기구부(364)를 구비한다. 구동 모터(362)의 회전력은 전달 암(arm)을 통해 요동 암(366)으로, 요동 암(366)을 요동시키는 힘으로서 전달된다. 요동 암(366)은 화학연마장치(10)의 내벽부에 마련된 지지부(368)에 회전운동 가능한 상태로 지지되어 있다. 6A and 6B, the crank mechanism 36 drives the drive motor 362 and the drive motor 362 to rotate the injection pipe 444 (444U, 444L) And a delivery mechanism 364 that is configured to transmit the force to the injection pipe 444 (444U, 444L) by turning it into a swinging force. The rotational force of the drive motor 362 is transmitted to the swing arm 366 through the transmission arm as a force for swinging the swing arm 366. [ The swing arm 366 is supported on a support portion 368 provided on the inner wall of the chemical polishing apparatus 10 in a rotatable manner.

한편, 각 분사 파이프(444(444U, 444L))의 단부는 처리 챔버의 칸막이벽을 관통하고 있고, 처리 챔버의 외측에 위치하는 부분에, 분사 파이프(444(444U, 444L))의 요동에 필요한 토크를 전달하기 위한 토크 전달 암(372, 376)이 장착된다. 토크 전달 암(372, 376)은 각각, 회전운동 가능한 상태로 유지 암(370, 374)에 지지되어 있다. 유지 암(370, 374)은 회전운동 가능하면서 슬라이드 가능한 상태로 요동 암(366)에 연결되어 있다. On the other hand, the end portions of the injection pipes 444 (444U and 444L) pass through the partition wall of the process chamber and are provided at positions outside the process chamber in order to swing the injection pipes 444 (444U and 444L) And torque transmission arms 372 and 376 for transmitting torque are mounted. The torque transmitting arms 372 and 376 are respectively supported by the holding arms 370 and 374 in a rotatable state. The holding arms 370 and 374 are connected to the swing arm 366 in such a state that the holding arms 370 and 374 are rotatable and slidable.

구동 모터(362)의 회전력에 의해 요동 암(366)이 요동하면, 요동 암(366)에 연동되어 유지 암(370, 374)이 도면에 화살표로 표시한 것과 같이 요동한다. 유지 암(370)으로부터의 힘은 토크 전달 암(372)을 통해 상측 분사 파이프(444U)에 토크로서 전달한다. 또한 유지 암(374)으로부터의 힘은 토크 전달 암(376)을 통해 하측 분사 파이프(444L)에 토크로서 전달한다. 이 결과, 도 6(A) 및 도 6(B)에 도시한 바와 같이, 상측 분사 파이프(444U) 및 하측 분사 파이프(444L)는 유리 기판(100)의 반송방향에 직교하는 방향으로서, 서로 반대방향으로 약 ±30°회전하게 된다. 한편, 구동 모터(362)의 회전수는 분사 파이프(444(444U, 444L))의 요동 횟수를 규정짓는데, 이 실시형태에서는 구동 모터의 회전수가 10~30rpm 정도로 설정되어 있다. When the swinging arm 366 swings by the rotational force of the drive motor 362, the swinging arm 366 interlocks with the swinging arms 370 and 374 as shown by arrows in the figure. The force from the holding arm 370 is transmitted as torque to the upper injection pipe 444U through the torque transmission arm 372. [ Further, the force from the holding arm 374 is transmitted as torque to the lower side injection pipe 444L through the torque transmission arm 376. [ As a result, as shown in Figs. 6 (A) and 6 (B), the upper injection pipe 444U and the lower injection pipe 444L are arranged in a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100, Direction about < RTI ID = 0.0 > 30. On the other hand, the number of revolutions of the drive motor 362 defines the number of revolutions of the injection pipe 444 (444U, 444L). In this embodiment, the number of revolutions of the drive motor is set to about 10 to 30 rpm.

상측 분사 파이프(444U)에는 그 하부면에 분사 노즐(446U)이 형성되고, 하측 분사 파이프(444L)에는 그 상부면에 분사 노즐(446L)이 형성되어 있으므로, 각 분사 노즐은 약 ±30°회전하면서 화학 연마액을 유리 기판의 상하면에 분사하게 된다(도 5(B) 참조). The injection nozzles 446U are formed on the lower side of the upper side injection pipe 444U and the injection nozzles 446L are formed on the upper side of the lower side injection pipe 444L. And the chemical polishing liquid is sprayed onto the upper and lower surfaces of the glass substrate (see Fig. 5 (B)).

그런데, 본 실시형태에서는 동일한 액 조성에 의해 동일한 화학연마를 실행하는 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20) 및 제4 처리 챔버(22)를 굳이 서로 분할해서 마련하였다. 그 이유는 분사 파이프(444(444U, 444L))의 길이를 억제함으로써 분사 파이프(444(444U, 444L))의 휨을 방지하면서, 또한 분사 파이프(444(444U, 444L))를 원활하게 요동시키기 위함이다. 또한 분사 파이프(444(444U, 444L))의 열팽창으로 인한 영향을 작게 억제하기 위함이다. 이러한 구성을 채용함으로써, 분사 파이프(444(444U, 444L))와 유리 기판(100)과의 거리를 균일하게 유지할 수 있게 되어, 유리 기판(100)에 분사되는 화학 연마액의 액압을 조정하기 쉬워진다. 또한 분사 파이프(444(444U, 444L))가 원활하게 요동함으로써, 유리 기판(100)의 상부면으로부터 화학 연마액을 원활하게 흘려보낼 수 있게 되기 때문에, 유리 기판(100)의 상부면에 화학 연마액이 체류하기 어려워진다. 한편, 분사 파이프(444(444U, 444L))의 길이는 파이프 직경(송액량)에도 관계되지만, 일반적으로는 2.5m 이하, 바람직하게는 2m 이하로 억제하는 것이 바람직하다. In the present embodiment, the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22, which perform the same chemical polishing with the same liquid composition, They were divided into two. The reason for this is to smoothly swing the injection pipes 444 (444U, 444L) while preventing warpage of the injection pipes 444 (444U, 444L) by suppressing the length of the injection pipes 444 (444U, 444L) to be. And to suppress the influence due to the thermal expansion of the injection pipes 444 (444U, 444L) to a small extent. By adopting such a configuration, the distance between the injection pipe 444 (444U, 444L) and the glass substrate 100 can be uniformly maintained, and the liquid pressure of the chemical polishing liquid sprayed on the glass substrate 100 can be easily adjusted Loses. In addition, since the injection pipe 444 (444U, 444L) smoothly moves, the chemical polishing liquid can smoothly flow from the upper surface of the glass substrate 100, The liquid becomes difficult to stay. On the other hand, the length of the injection pipe 444 (444U, 444L) is also related to the diameter of the pipe (amount of liquid to be conveyed), but it is generally preferable to suppress the length to 2.5 m or less, preferably 2 m or less.

고속으로 유리 기판(100)을 화학연마하기 위해서는 가온(加溫) 상태의 화학 연마액의 송액량을 증가시킬 필요가 있는 바, 분사 파이프(444(444U, 444L))의 길이를 적절한 길이로 억제함으로써, 구동 모터(362)를 그다지 대형화하지 않으면서 간단한 메커니즘으로 복수의 분사 파이프(444(444U, 444L))를 원활하게 요동시킬 수 있다. In order to chemically polish the glass substrate 100 at a high speed, it is necessary to increase the amount of chemical polishing liquid in a warm state to increase the length of the injection pipe 444 (444U, 444L) to an appropriate length The plurality of injection pipes 444 (444U, 444L) can be smoothly swung by a simple mechanism without making the drive motor 362 so large.

계속해서, 도 7(A) 내지 도 7(C)를 이용해서 전처리 챔버(14)의 구성에 대하여 설명한다. 전처리 챔버(14)에는 제1 처리 챔버(16)에 근접하여, 분사 파이프(444(444U, 444L))를 요동시키는 크랭크 기구(36)가 배치되는 것은 앞서 기술한 대로이다. 상기 구성에 더하여, 전처리 챔버(14)에는 제1 처리 챔버(16)에의 유리 기판(100)의 도입구에 유리 기판(100)을 받아들이는 대향 롤러(146)와, 유리 기판(100)의 상하면에 물을 분사하는 물세정 노즐(142, 144)이 배치되어 있다. 물세정 노즐(142, 144)은 유리 기판(100)의 반송방향에 직교하는 방향(폭방향)의 전역에 걸쳐 소정 간격으로 복수개 배치되어 있다. 여기서, 유리 기판(100)은 대향 롤러(146)와 반송 롤러(50)에 부드럽게 유지되어 제1 처리 챔버(16)에 도입되도록 접촉압이 설정되어 있다. Next, the configuration of the pretreatment chamber 14 will be described with reference to Figs. 7 (A) to 7 (C). The pretreatment chamber 14 is provided with a crank mechanism 36 for oscillating the injection pipe 444 (444U, 444L) in the vicinity of the first processing chamber 16 as described above. The preprocessing chamber 14 is provided with a counter roller 146 for receiving the glass substrate 100 at the inlet of the glass substrate 100 into the first processing chamber 16 and a counter roller 146 for receiving the glass substrate 100 from the top surface And water cleaning nozzles 142 and 144 for spraying water are disposed. A plurality of water cleaning nozzles 142 and 144 are arranged at predetermined intervals over a whole area in a direction (width direction) orthogonal to the conveying direction of the glass substrate 100. Here, the contact pressure is set so that the glass substrate 100 is smoothly held on the opposing roller 146 and the conveying roller 50, and is introduced into the first processing chamber 16.

또한 물세정 노즐(142, 144)은 유리 기판(100)의 제1 처리 챔버(16)에의 도입구를 향해 물을 분사하도록 설정되어 있다. 그렇기 때문에, 제1 처리 챔버(16)에 도입된 유리 기판(100)은 충분히 젖은 상태이며, 불균질한 초기 에칭이 방지된다. 즉, 제1 처리 챔버(16)는 불산 가스 분위기이므로, 만일 유리 기판(100)의 표면이 드라이 상태이면 불산 가스에 의해 불균질하게 침식될 위험이 있지만, 본 실시형태에서는 유리 기판(100)의 표면이 물로 보호되어 있으므로, 그 후, 제1 처리 챔버(16)에서 균질한 에칭이 개시된다. The water cleaning nozzles 142 and 144 are set to spray water toward the inlet of the first processing chamber 16 of the glass substrate 100. Therefore, the glass substrate 100 introduced into the first processing chamber 16 is sufficiently wetted, and heterogeneous initial etching is prevented. That is, if the surface of the glass substrate 100 is in a dry state, there is a risk of inhomogeneous erosion due to a hydrofluoric acid gas. However, in this embodiment, since the first processing chamber 16 is a hydrofluoric acid gas atmosphere, Since the surface is protected by water, then homogeneous etching is initiated in the first process chamber 16.

본 실시형태에서는 도 7(A)~도 7(C)에 도시한 바와 같이, 물세정 노즐(142)은 바로 밑을 향해 물을 분사하도록 구성되는 한편, 물세정 노즐(144)은 위쪽으로 유리 기판(100)의 반송로의 상류측을 향해 비스듬하게 물을 분사하도록 구성된다. 물세정 노즐(144)이 비스듬하게 위쪽으로 물을 분사하도록 구성되는 결과, 유리 기판(100)이 물세정 노즐(142, 144)에 접근할 때에, 도 7(A) 및 도 7(B)에 도시한 바와 같이 물세정 노즐(144)로부터 유리 기판(100)의 상부면에 물을 공급하는 것이 가능하게 된다. 이로 인해, 유리 기판(100)의 상부면에, 불산 가스로부터 보호하기 위한 수막을 신속하게 형성할 수 있게 된다. 한편, 유리 기판(100)이 물세정 노즐(144)에 접근하면, 물세정 노즐(144)에서 분사하는 물은 유리 기판(100)의 바닥면에 닿게 되기 때문에, 물세정 노즐(144)에 의해 유리 기판(100)의 바닥면을 적절하게 세정하면서, 또한 적절하게 적실 수 있다. 7 (A) to 7 (C), the water cleaning nozzle 142 is configured to spray water directly below the water cleaning nozzle 144, while the water cleaning nozzle 144 is disposed above the glass And is configured to inject water obliquely toward the upstream side of the conveyance path of the substrate 100. 7A and 7B when the glass substrate 100 approaches the water cleaning nozzles 142 and 144 as a result that the water cleaning nozzle 144 is configured to jet the water obliquely upward It becomes possible to supply water to the upper surface of the glass substrate 100 from the water cleaning nozzle 144 as shown in the figure. This makes it possible to quickly form a water film on the upper surface of the glass substrate 100 for protecting it from hydrofluoric acid gas. On the other hand, when the glass substrate 100 approaches the water cleaning nozzle 144, the water jetted from the water cleaning nozzle 144 comes into contact with the bottom surface of the glass substrate 100, The bottom surface of the glass substrate 100 can be appropriately wetted while appropriately cleaning.

이상과 같이, 전처리 챔버(14)에 물세정 노즐(142, 144)을 마련함으로써, 드라이 상태의 유리 기판(100)이 불산 가스에 노출되어 불균일하게 에칭되는 것이 방지된다. 또한 유리 기판(100)이 드라이 상태로 대향 롤러(146) 및 반송 롤러(50)에 끼이는 것이 방지되기 때문에, 대향 롤러(146) 및 반송 롤러(50) 사이를 통과할 때에 유리 기판(100)에 흠집이 발생하거나 유리 기판(100)이 오염에 의해 훼손되거나 하는 것이 방지된다. As described above, by providing the water cleaning nozzles 142 and 144 in the pretreatment chamber 14, it is possible to prevent the glass substrate 100 in the dry state from being exposed to the hydrofluoric acid gas and being unevenly etched. Since the glass substrate 100 is prevented from being stuck in the dry state between the opposing roller 146 and the conveying roller 50, it is possible to prevent the glass substrate 100 from passing through between the opposing roller 146 and the conveying roller 50, And the glass substrate 100 is prevented from being damaged by the contamination.

계속해서, 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)에 대하여 설명한다. 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)에는 각각 고정상태의 분사 파이프(282), 분사 파이프(302) 및 분사 파이프(322)가 반송로의 상하위치에 배치되어 있다. 그리고 분사 파이프(282), 분사 파이프(302), 분사 파이프(322)로부터 유리 기판(100)의 상하면에 화학 연마액이 분사된다. 이 실시형태에서는 분사 파이프(282), 분사 파이프(302) 및 분사 파이프(322)가 각각 본 발명의 연마액 분사수단을 구성한다. Subsequently, the first relaying unit 28, the second relaying unit 30 and the third relaying unit 32 will be described. The injection pipe 282, the injection pipe 302, and the injection pipe 322, which are in a fixed state, are connected to the first relay unit 28, the second relay unit 30 and the third relay unit 32, respectively, Position. The chemical polishing liquid is injected from the injection pipe 282, the injection pipe 302, and the injection pipe 322 to the upper and lower surfaces of the glass substrate 100. In this embodiment, the injection pipe 282, the injection pipe 302, and the injection pipe 322 constitute the abrasive liquid ejecting means of the present invention.

여기서, 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)를 유리 연마 처리에 있어서 빈 공간으로 하는 것도 생각할 수 있지만, 본 실시형태에서는 굳이, 이 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)에서도 동일 조성의 화학 연마액을 유리 기판(100)에 분사하고 있다. 그렇기 때문에, 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32) 통과시에 화학 연마액이 유리 기판상에 체류하거나, 반대로 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32) 통과시에 유리 기판(100)이 건조 기미가 되거나 할 우려가 없어 고품질의 유리 연마가 실현된다. 한편, 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)의 분사 파이프(282), 분사 파이프(302) 및 분사 파이프(322)는 고정 상태이지만, 고정식이 아니라 요동식의 구성을 채용하는 것도 가능하다. It is also conceivable to make the first relay section 28, the second relay section 30 and the third relay section 32 an empty space in the glass polishing process. In the present embodiment, however, Chemical polishing liquid of the same composition is also sprayed onto the glass substrate 100 in the first relay section 28, the second relay section 30 and the third relay section 32. Therefore, when the chemical polishing liquid remains on the glass substrate at the time of passing through the first relay unit 28, the second relay unit 30, and the third relay unit 32, High quality glass polishing can be realized because there is no risk of the glass substrate 100 becoming dry during the passage of the second relay unit 30 and the third relay unit 32. [ On the other hand, although the injection pipe 282, the injection pipe 302 and the injection pipe 322 of the first relay unit 28, the second relay unit 30 and the third relay unit 32 are in a fixed state, But it is also possible to adopt a configuration of oscillating type.

유리 기판(100)은 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22), 제1 중계부(28), 제2 중계부(30) 및 제3 중계부(32)를 이 순서대로 통과하여 순차적으로 화학 연마된다. 그리고 복수 단계의 화학연마를 끝낸 유리 기판(100)은 제4 처리 챔버(22)의 출구에 배치된 에어 나이프(244)에 의해 상부면의 액 제거 처리가 이루어진 후, 물세정 챔버(24)에 배치된 1군의 분사 파이프(242)로부터 받는 세정수에 의해 세정된다. 세정용 분사 파이프(242)는 고정 상태이지만, 이것을 요동시키는 구성을 채용해도 된다. The glass substrate 100 includes a first processing chamber 16, a second processing chamber 18, a third processing chamber 20, a fourth processing chamber 22, a first relay section 28, (30) and the third relay part (32) in this order, and are sequentially chemically polished. The glass substrate 100 having been subjected to chemical polishing in a plurality of stages is subjected to a liquid removal treatment on the upper surface by the air knife 244 disposed at the outlet of the fourth treatment chamber 22, And is cleaned by the washing water received from a group of the injection pipes 242 arranged. Although the cleaning spray pipe 242 is in a fixed state, it may adopt a structure for rocking it.

어떻든 간에, 세정 처리의 최종 단계에는 상하 1쌍의 에어 나이프(246)가 배치되어 있어, 거기에서 분사되는 에어에 의해 유리 기판(100)의 상하면이 신속하게 건조된다. 그리고 물세정 챔버(24)의 도출구(300)에서 배출된 유리 기판은 반출부(26)에 대기하는 작업원에 의해 반출되어 일련의 가공 처리가 완료된다. 이처럼, 상하 1쌍의 에어 나이프(246)의 전단(前段)에 별도의 에어 나이프(244)를 배치함으로써, 유리 기판(100)의 상부면으로부터 화학 연마액을 신속하게 제거할 수 있게 되기 때문에, 유리 기판(100)의 상부면이 불균일하게 에칭되는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다. In any event, a pair of upper and lower air knives 246 are disposed at the final stage of the cleaning process, so that the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 are quickly dried by the air blown there. The glass substrate discharged from the outlet 300 of the water cleaning chamber 24 is taken out by a worker waiting on the take-out unit 26, and a series of processing is completed. Since the chemical polishing liquid can be quickly removed from the upper surface of the glass substrate 100 by disposing the separate air knife 244 at the front stage of the pair of upper and lower air knives 246, It is possible to effectively prevent the upper surface of the glass substrate 100 from being unevenly etched.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 화학연마장치(10)에 의하면, 폐쇄된 공간에서 화학연마가 실행되고, 장치 내에서 발생한 불산 가스 등의 유독 가스는 스크러버 등의 배기 기구에 의해 거의 모두 회수되기 때문에, 화학매엽장치(10) 주위에 불산 가스가 거의 확산되지 않는다. 그 결과, 화학연마장치(10) 주위의 작업환경이 배치식 화학연마처리의 경우에 비해 각별히 향상된다. 따라서, 작업원의 건강을 악화시킬 우려가 없어지는 동시에, 보호장비에 비용을 들일 필요가 없어진다. As described above, according to the chemical polishing apparatus 10 of the present embodiment, chemical polishing is performed in a closed space, and toxic gases such as hydrofluoric acid gas generated in the apparatus are almost all recovered by an exhaust mechanism such as a scrubber Therefore, the hydrofluoric acid gas is hardly diffused around the chemical feller 10. As a result, the working environment around the chemical polishing apparatus 10 is remarkably improved as compared with the case of the batch chemical polishing processing. Therefore, there is no fear of deteriorating the health of the worker, and it is not necessary to pay for the protective equipment.

또한, 화학연마장치(10) 주위의 설비가 불산 가스로 인해 부식되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 설비의 유지관리비용을 억제하는 것도 가능하다. 즉, 저렴한 유지관리비용으로 작업원에게 양호한 작업 환경을 제공할 수 있다는 큰 이점이 있다고 할 수 있다. Further, since the facility around the chemical polishing apparatus 10 can be prevented from being corroded by the hydrofluoric acid gas, the maintenance cost of the facility can be suppressed. In other words, there is a great advantage that a good working environment can be provided to a worker with low maintenance cost.

나아가, 매엽 방식의 화학연마장치(10)를 이용했을 경우, 배치 방식의 연마 처리에 비해 작업 효율이나 제품 품질을 향상시킬 수 있게 된다는 이점이 있다. 아울러, 화학연마장치(10)에 의하면, 판두께 정밀도가 향상되기 때문에 스크라이브 시의 수율 안정이 예측된다. 또한 절단면 플랫 강도에 대해서도 배치 방식의 연마 처리에 비해 강하게 할 수 있게 된다. 그리고 버블링으로 인한 불산 손실이 없기 때문에, 불산 비용을 15% 정도 삭감하는 효과를 기대할 수 있다. Furthermore, when the sheet-type chemical polishing apparatus 10 is used, it is advantageous in that the working efficiency and the product quality can be improved as compared with the batch-type polishing process. Further, according to the chemical polishing apparatus 10, since the plate thickness accuracy is improved, the yield stability at the time of scribing can be predicted. In addition, the cutting face flat strength can be made stronger than that of the batch polishing method. Since there is no loss of hydrofluoric acid due to bubbling, the effect of reducing the cost of hydrofluoric acid by 15% can be expected.

계속해서, 화학연마장치(10)를 이용해서, 1장의 시트상 유리 모재를 절단하여 복수의 유리 기판으로 분할하는 처리를 설명한다. 도 8(A) 및 도 8(B)는 화학연마장치(10)로 처리되는 유리 모재(102)의 개관을 나타내고 있다. 유리 모재(102)는 예를 들면 폴리염화 비닐 등의 내(耐)불산성을 가진 부재를 격자상으로 구성해서 이루어지는 제1 유리 지지구(70) 및 제2 지지구(72)에 의해 지지하면서 화학연마장치(10)에 도입된다. 유리 모재(102) 소재의 예로서, 판두께 0.5mm~1.2mm 정도로 박형화된 알루미노 실리케이트 유리를 들 수 있다. 유리 모재(102)는 350~450℃ 정도의 질산칼륨 용융염 중에서 화학강화처리가 되어 있다. Next, a process of cutting one sheet-like glass base material into a plurality of glass substrates by using the chemical polishing apparatus 10 will be described. Figs. 8 (A) and 8 (B) show an overview of a glass base material 102 to be treated with the chemical polishing apparatus 10. Fig. The glass base material 102 is supported by a first glass support portion 70 and a second support portion 72 which are made of a lattice-shaped member having a resistance to hydrofluoric acid such as polyvinyl chloride And introduced into the chemical polishing apparatus 10. As an example of the glass base material 102, an aluminosilicate glass thinned to a thickness of about 0.5 mm to 1.2 mm is exemplified. The glass base material 102 is subjected to a chemical strengthening treatment in a potassium nitrate molten salt at about 350 to 450 ° C.

유리 모재는 화학강화처리된 후, 터치패널용 센서 소자 등을 가지는 복수의 칩영역(사용영역) 및 칩영역을 보호하는 오버코트층이 제1 주면측에 형성되고, 그 후 또한 제1 주면 및 제2 주면에 내산성 레지스트층이 형성된다. 레지스트층은 상기 칩영역을 구획하기 위한 선폭 1mm~5mm 정도의 구획영역을 건너뛰도록 형성되어 있다. 레지스트층에 이용하는 내(耐)불산 에칭 레지스트에 대해서는 다양한 것이 사용 가능한데, 예를 들면, 이 실시형태에서는 니폰페인트 가부시키가이샤제옵토(등록상표)를 이용하고 있다. After the glass base material is subjected to the chemical strengthening treatment, a plurality of chip areas (use areas) having a sensor element for a touch panel and the like and an overcoat layer for protecting the chip area are formed on the first main surface side, An acid resistant resist layer is formed on the two main surfaces. The resist layer is formed so as to skip over a dividing region of about 1 mm to 5 mm in line width for dividing the chip region. Various kinds of resist can be used for the resist-resistant hydrofluoric acid etching resist used in the resist layer. For example, in this embodiment, Opto (registered trademark) manufactured by Nippon Paint Co., Ltd. is used.

유리 모재(102)를 제1 유리 지지구(70) 및 제2 지지구(72)에 의해 끼워넣고 반입부(12)에 도입함으로써, 유리 모재(102)는 전처리 챔버(14), 제1~제4 처리 챔버(16, 18, 20, 22) 및 물세정 챔버(24)를 경유하여 배출부(26)까지 안내된다. 만일 유리 모재(102)가 강화된 유리가 아닐 경우에는, 유리 모재(102)의 제1 주면 및 제2 주면에 대하여 동일한 화학연마처리를 실시함으로써 유리 모재(102)를 구획영역에서 적절하게 분단할 수 있다. The glass base material 102 is sandwiched by the first glass support 70 and the second support 72 and introduced into the loading part 12 so that the glass base material 102 can be transferred to the pretreatment chamber 14, Is guided to the discharge portion 26 via the fourth processing chamber 16, 18, 20, 22 and the water cleaning chamber 24. If the glass base material 102 is not reinforced glass, the same chemical polishing treatment is applied to the first main surface and the second main surface of the glass base material 102 to appropriately separate the glass base material 102 in the partition area .

그러나 유리 모재(102)가 화학강화된 유리일 경우에는 제1 주면 및 제2 주면에 대하여 동일한 화학연마처리를 실시하면, 화학연마에 의해 제1 주면 및 제2 주면의 구획 홈이 심화되어, 이들이 관통했을 때 유리 모재(102)에 깨짐이 발생할 가능성이 있다. 그 이유는 정확하게 해명되지는 않았지만, 수많은 실험의 결과, 다음 이유라고 여겨지고 있다. 즉, 보통, 유리 모재(102)의 제1 주면 및 제2 주면을 동시에 에칭했을 경우, 유리 모재(102)의 두께방향의 중심에서 구획 홈이 관통한다. However, in the case where the glass base material 102 is chemically reinforced glass, if the same chemical polishing treatment is applied to the first main surface and the second main surface, the first main surface and the second major surface are deepened by chemical polishing, There is a possibility that the glass base material 102 may be broken when penetrated. The reason has not been clarified exactly, but it is thought to be the next reason as a result of numerous experiments. That is, when the first main surface and the second main surface of the glass base material 102 are etched at the same time, the partition grooves penetrate the center of the glass base material 102 in the thickness direction.

여기서, 화학강화 유리에서는 두께방향의 양단부(표면)에 압축 응력층이 형성되는 한편, 두께방향의 중앙부(내부)에 인장 응력층이 형성되는 바, 두께방향의 중심에서 인장 응력이 가장 강해진다고 여겨지고 있다. 이 가장 인장 응력이 강해지는 부위에서 구획 홈이 관통하면, 관통과 동시에 발생하는 내부 응력의 변화가 거대화되어 유리 모재(102)가 깨지는 것으로 예상되고 있다. Here, in the chemically tempered glass, a compressive stress layer is formed at both ends (surface) in the thickness direction, while a tensile stress layer is formed at the central portion (inside) in the thickness direction, and tensile stress is considered to be strongest at the center in the thickness direction have. It is expected that the glass base material 102 will be broken due to a large change in internal stress occurring simultaneously with the penetration when the partition groove penetrates the portion where the tensile stress is strongest.

여기서는 화학연마장치(10)의 기능을 이용해서, 도 9(A) 및 도 9(B)에 도시한 바와 같이, 가장 인장 응력이 강해지는 중심 라인(105)으로부터 소정의 어긋남량(106)만큼 어긋난 위치에서 구획 홈을 관통시키도록 하고 있다. 이 어긋남량(106)은 원칙적으로 σ_C를 압축 응력[MPa], DOL를 화학 강화층의 두께[㎛], T를 판두께[㎛], 및 σ_T를 CT값(Calculated Tensile Stress)[MPa]로 했을 때에, 하기의 식으로 계산되는 σ_T의 값인 CT값이 높아짐에 따라서 커지도록 설정할 필요가 있다는 것이 실험을 통해 밝혀져 있다. Here, as shown in Figs. 9 (A) and 9 (B), by using the function of the chemical polishing apparatus 10, the center line 105 in which the tensile stress is strongest is shifted by a predetermined shift amount 106 So that the partition grooves are made to pass through the misaligned positions. As a rule, the amount of misalignment 106 is expressed by the following equation: σ _C is the compressive stress [MPa], DOL is the thickness of the chemical strengthening layer [μm], T is the plate thickness [μm], and σ _T is the CT value (Calculated Tensile Stress) ], It has been found through experiments that it is necessary to set the value to be larger as the CT value, which is the value of _T calculated by the following equation, increases.

그 이유는 어긋남량(106)이 커져 중심 라인으로부터 멀어질수록, 유리 모재(102) 내부의 인장 응력이 저하하기 때문이라고 여겨지고 있다. 한편, 어긋남량(106)을 필요 이상으로 크게 했을 경우에는 강도나 의장성이 저하할 가능성이 있기 때문에, 어긋남량(106)은 유리 모재(102)의 깨짐 발생을 방지 가능한 범위에서 가능한 한 작게 설정하는 것이 바람직하다고 말할 수 있다. 예를 들면, 유리 모재(102)의 판두께가 0.5mm~1.2mm 정도이고 CT값이 30 정도까지라면, 어긋남량(106)을 50㎛~100㎛로 설정함으로써 유리 모재(102)의 깨짐이 방지된다. The reason is considered to be that the tensile stress inside the glass base material 102 decreases as the shift amount 106 becomes larger and further away from the center line. On the other hand, if the shift amount 106 is increased excessively, there is a possibility that the strength and designability may be reduced. Therefore, the shift amount 106 is set as small as possible within a range in which breakage of the glass base material 102 can be prevented It is desirable to do so. For example, if the thickness of the glass base material 102 is about 0.5 mm to 1.2 mm and the CT value is about 30, by setting the shift amount 106 to 50 to 100 占 퐉, .

화학연마장치(10)에 있어서, 상기의 어긋남량(106)을 조정하기 위해서는 예를 들면 상측 분사 파이프(444U)와 하측 분사 파이프(444L)의 액압 차이의 크기를 조정하거나, 하측 분사 파이프(444L)에 의해 하부면만 어긋남량(106)에 상당하는 양만큼 구획 홈의 심화가 진행하도록 화학연마처리를 하거나 하면 된다. 요컨대, 액압 제어부를 구성하는 각 개폐 밸브(442(442U, 442L))의 개방 정도를 적절히 조정함으로써, 유리 모재(102)의 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 유리 모재(102)의 두께방향 중심에서 관통하는 것을 방지할 수 있게 된다. In order to adjust the shift amount 106 in the chemical polishing apparatus 10, for example, it is necessary to adjust the magnitude of the hydraulic pressure difference between the upper injection pipe 444U and the lower injection pipe 444L, By chemical polishing so that the depth of the dividing grooves progresses by an amount equivalent to the amount of misalignment 106 only on the lower surface. That is, by appropriately adjusting the degree of opening of each of the opening / closing valves 442 (442U, 442L) constituting the hydraulic pressure control unit, the partition grooves of the first main surface and the second main surface of the glass base material 102 Can be prevented from penetrating through the center in the direction of the thickness in the thickness direction.

단면(端面) 처리가 완료된 유리 기판은 가성 소다 또는 TMAH(테트라메틸암모늄하이드록시드) 및 DMI(1,3-디메틸-2-이미다졸리디논)의 혼합액 등의 알칼리성 박리액이 담긴 박리조에 침지되어 레지스트층이 박리된다. 이상의 처리를 함으로써, 도 9(C)에 도시한 바와 같이, 화학강화된 유리 모재로부터 안정적이고도 효율적으로 복수의 유리 기판(104)을 얻을 수 있게 된다. The glass substrate on which the end face treatment is completed is immersed in a peeling tank containing an alkaline peeling liquid such as caustic soda or a mixed solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and DMI (1,3-dimethyl-2-imidazolidinone) And the resist layer is peeled off. By performing the above process, it is possible to obtain a plurality of glass substrates 104 from the chemically strengthened glass base material stably and efficiently, as shown in Fig. 9 (C).

계속해서, 도 10을 이용하여, 화학연마장치(10)에서 1장의 시트상 유리 모재(102)를 절단하여 복수의 유리 기판(104)으로 분할하는 처리의 실시형태의 다른 예를 설명한다. 이 실시형태에서는 제1 유리 지지구(70) 및 제2 지지구(72)를 사용하지 않았다. 먼저, 유리 모재(102)를 직접적으로 반송 롤러(50)에 놓고 제1 주면 및 제2 주면의 양면에 대하여 화학연마처리를 한다. 그리고 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 원하는 양만큼 심화된 단계에서, 반송 롤러(50)에 접촉하는 쪽의 면에 내산성 필름(64)을 붙인다. 그리고 내산성 필름(64)이 부착된 주면을 아래쪽으로 한 상태로, 유리 모재(102)가 반송 롤러(50)상에 실린다.Next, another example of an embodiment of processing for dividing one sheet-like glass base material 102 into a plurality of glass substrates 104 by the chemical polishing apparatus 10 will be described with reference to Fig. In this embodiment, the first glass support member 70 and the second support member 72 are not used. First, the glass base material 102 is directly placed on the conveying roller 50, and chemical polishing is applied to both surfaces of the first main surface and the second main surface. Then, in the step of enlarging the partition grooves of the first main surface and the second main surface by a desired amount, an acid-resistant film 64 is adhered to the surface which is in contact with the conveying roller 50. Then, the glass base material 102 is placed on the conveying roller 50 with the main surface on which the acid-resistant film 64 is adhered downward.

내산성 필름(64)은 유리 모재와의 사이에 공기가 혼입하지 않도록 붙이는 것이 바람직하다. 이 실시형태에서는 유리 라미네이터를 이용하여 내산성 필름을 부착하고 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 또한 여기서는 내산성 필름(64)으로서, 두께 50~150㎛ 정도의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)로 이루어지는 수지 필름을 이용하고 있지만, 다른 소재의 필름을 이용하는 것도 가능하다. 내산성 필름(64)을 부착한 주면에서는 연마액이 더 분사되어도 구획 홈의 심화가 일어나지 않기 때문에, 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈의 깊이에 차이가 생긴다. 한편, 내산성 필름(64)을 부착한 후에, 상하 어디에서 화학 연마액을 분사해도 문제는 없지만, 사용액량을 줄이는 관점에서 위쪽에서만 화학 연마액을 분사하도록 하는 것이 바람직하다. It is preferable that the acid resistant film 64 be adhered to the glass base material so as not to be mixed with air. In this embodiment, the acid-resistant film is attached using a glass laminator, but the present invention is not limited thereto. Although the resin film made of PET (polyethylene terephthalate) having a thickness of about 50 to 150 mu m is used as the acid-resistant film 64 in this embodiment, it is also possible to use a film of another material. In the main surface provided with the acid-resistant film 64, there is no difference in depth between the division grooves of the first main surface and the second main surface because the division grooves are not deepened even when the polishing liquid is further injected. On the other hand, there is no problem even if chemical abrasive liquid is sprayed from above and below after attaching the acid-resistant film 64, but it is preferable to spray the chemical polishing liquid only from the upper side in view of reducing the amount of the used liquid.

이 실시형태에 따르면, 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이, 유리 모재(102)의 두께방향의 중심에서 관통하는 것을 적절하게 방지할 수 있게 된다. 그렇기 때문에, 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 관통했을 때에, 유리 모재(102)에 깨짐이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한 유리 모재(102)가 복수의 유리 기판(104)으로 분단된 후에도 각 유리 기판(104)이 내산성 필름(64)에 달라붙어서 겉보기상 1장의 시트로 취급하는 것이 가능하게 되기 때문에, 화학연마장치(10)로부터 배출되는 유리 기판(104)의 취급이 용이해진다. 한편, 이 실시형태에서 이용하는 내산성 필름(64)은 가능한 한 탄력이 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 내산성 필름(64)의 탄력이 약할 경우에는 반송 롤러(50)상의 내산성 필름(64)이 휘어, 복수의 유리 기판(104)이 뿔뿔이 흩어질 우려가 있기 때문이다. 만일 내산성 필름(64)의 탄력이 약할 경우에는 탄력을 보강하기 위한 플레이트나 프레임 등을 내산성 필름(64)에 붙이는 것도 가능하다. According to this embodiment, it is possible to appropriately prevent the partition grooves of the first main surface and the second main surface from penetrating through the center of the glass base material 102 in the thickness direction. Therefore, it is possible to prevent the glass base material 102 from being cracked when the first main surface and the second major surface groove pass through. Since each glass substrate 104 adheres to the acid-resistant film 64 even after the glass base material 102 is divided into a plurality of glass substrates 104, it becomes possible to treat the glass substrate 104 as a sheet of seemingly one sheet, The glass substrate 104 discharged from the glass substrate 10 can be easily handled. On the other hand, the acid-resistant film 64 used in this embodiment is preferably as elastic as possible. This is because when the elasticity of the acid-resistant film 64 is weak, the acid-resistant film 64 on the transporting roller 50 is bent and the glass substrates 104 may be scattered. If the elasticity of the acid-resistant film 64 is weak, it is also possible to attach a plate or a frame for reinforcing elasticity to the acid-resistant film 64.

또, 도 11 내지 도 15를 이용하여, 화학연마장치(10)에서 1장의 시트상 유리 모재(102)를 절단하여 복수의 유리 기판(104)으로 분할하는 처리의 실시형태의 다른 예를 설명한다. 이 실시형태에서는 유리 모재(102)에 대하여, 제일 먼저 유리 모재(102)를 직접적으로 반송 롤러(50)에 놓고 제1 주면 및 제2 주면의 양면에 대하여 화학연마처리를 하는 점은 앞의 실시형태와 같다. 이 실시형태에서도 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 원하는 양만큼 심화된 단계에서 제1 주면 또는 제2 주면에 내산성 필름(64)을 붙이고 있다. 11 to 15, another example of an embodiment of processing for dividing one sheet-like glass base material 102 by the chemical polishing apparatus 10 into a plurality of glass substrates 104 will be described . In this embodiment, the glass base material 102 is first directly placed on the conveying roller 50 and the chemical polishing treatment is applied to both surfaces of the first main surface and the second main surface. Shape. In this embodiment, too, the acid-resistant film 64 is attached to the first major surface or the second major surface at a stage where the first major surface grooves and the second major surface grooves are deepened by a desired amount.

또한 이 실시형태에서는 유리 모재(102)의 아래에서 지지하도록 구성된 유리 트레이(60)를 이용하고 있다. 유리 트레이(60)는 내산성을 구비한 수지 소재(이 실시형태에서는 폴리염화 비닐)로 이루어져 있고, 유리 모재(102)를 수용하도록 구성된 본체(600)와, 본체(600)에 고정된 첨단부(尖端部)(604)를 구비하고 있다. 본체(600)는 바닥판부, 및 이 바닥판부의 둘레가장자리로부터 기립하도록 마련된 측판부를 구비하고 있다. 측판부는 유리 모재(102) 두께의 2~5배 정도의 높이를 갖도록 구성되어 있고, 대략 바닥판의 둘레가장자리의 전역에 걸쳐 배치되어 있지만, 일부에 컷아웃부(602)가 마련되어 있다. 첨단부(604)는 본체(600)의 일측면에 장착되어 있고, 본체(600)로부터 멀어짐에 따라서 끝이 가늘어지는 형상을 보이고 있다. 첨단부(604)는 반송 롤러 및 반송 롤러(50)에 대향하도록 배치되는 대향 롤러 등의 사이에서 유리 트레이(60)를 원활하게 통과시키는 역할을 한다. In this embodiment, a glass tray 60 configured to support under the glass base material 102 is used. The glass tray 60 is composed of a resin material (polyvinyl chloride in this embodiment) having acid resistance and includes a body 600 configured to receive the glass base material 102 and a tip portion (A pointed portion) 604. The main body 600 has a bottom plate portion and a side plate portion provided so as to stand from the peripheral edge of the bottom plate portion. The side plate portion is configured to have a height of about 2 to 5 times the thickness of the glass base material 102, and is disposed over the entire circumference of the bottom plate, but a cutout portion 602 is provided in a part thereof. The distal end portion 604 is mounted on one side of the main body 600 and has a tapered shape as it moves away from the main body 600. The leading end portion 604 serves to smoothly pass the glass tray 60 between the conveying roller and the opposing roller arranged to face the conveying roller 50 and the like.

전술한 바와 같이, 유리 모재(102)는 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 원하는 양만큼 심화된 단계에서, 제1 주면 또는 제2 주면에 내산성 필름(64)이 부착되는데, 도 12(A)에 도시한 바와 같이, 이 내산성 필름(64)이 부착된 유리 모재(102)는 내산성 필름(64)측의 면이 유리 트레이(60)에 접하도록 유리 트레이(60)의 본체(600)에 실린다. 그 후, 유리 모재(102)는 내산성 테이프(62)에 의해 유리 트레이(60)의 본체(600)에 고정된다. 그리고 유리 모재(102)를 수용한 유리 트레이(60)는 도 12(B)에 도시한 바와 같이, 첨단부(604)가 반송방향의 하류를 향한 상태로 반송 롤러(50) 위에 실린다. As described above, in the glass base material 102, the acid resistant film 64 is attached to the first main surface or the second major surface at a stage where the first major surface groove and the second major surface groove depth are increased by a desired amount, The glass base material 102 to which the acid resistant film 64 is adhered is placed on the side of the glass tray 60 so that the surface of the acid resistant film 64 is in contact with the glass tray 60, (600). Thereafter, the glass base material 102 is fixed to the main body 600 of the glass tray 60 by the acid-resistant tape 62. The glass tray 60 containing the glass base material 102 is placed on the conveying roller 50 with the leading end portion 604 facing downstream in the conveying direction as shown in Fig. 12 (B).

유리 트레이(60)는 반입부(12), 전처리 챔버(14), 제1 처리 챔버(16), 제2 처리 챔버(18), 제3 처리 챔버(20), 제4 처리 챔버(22), 제1 중계부(28), 제2 중계부(30), 제3 중계부(32), 물세정 챔버(24), 반출부(26), 처리액 수용부(42), 처리액 공급부(44) 및 물 공급부(46)를 순차 통과하게 되는데, 각 처리 챔버 및 각 중계부에 있어서 상측으로부터 공급되는 화학 연마액이 본체(600)에 고인다. 그렇기 때문에, 유리 트레이(60)상의 유리 모재(102)는 도 13(A) 및 도 13(B)에 도시한 바와 같이, 본체(600)에 고인 화학 연마액에 침지한다. 이 때, 본체(600)에는 상시 위쪽에서 화학 연마액이 공급되기 때문에, 본체(600) 내의 화학 연마액 일부가 측판부 위를 넘어서 흘러나옴과 아울러, 컷아웃부(602)를 통해 외부로 흘러나온다. 이 결과, 본체(600) 내의 화학 연마액은 상시 새롭게 공급되는 것으로 치환되기 때문에, 항상, 화학 연마액 중의 불산 농도를 안정화시키기 쉬워지고 일정한 연마 속도가 담보된다. 한편, 이 실시형태에서는 본체(600)의 바닥면부에 구멍을 마련하지 않았지만, 본체(600)의 바닥면부에 작은 구멍을 1개 또는 복수개 마련함으로써 화학 연마액의 순환을 촉진해도 된다. The glass tray 60 includes a carrying section 12, a pretreatment chamber 14, a first processing chamber 16, a second processing chamber 18, a third processing chamber 20, a fourth processing chamber 22, The first relay unit 28, the second relay unit 30, the third relay unit 32, the water cleaning chamber 24, the carry-out unit 26, the treatment liquid receiving unit 42, the treatment liquid supply unit 44 And the water supply unit 46. The chemical polishing liquid supplied from the upper side in each processing chamber and each of the relay units is accumulated in the main body 600. [ 13A and 13B, the glass base material 102 on the glass tray 60 is immersed in a chemical polishing liquid which is poured into the main body 600. As shown in Figs. At this time, since the chemical polishing liquid is supplied to the main body 600 at all times from above, a part of the chemical polishing liquid in the main body 600 flows over the side plate portion and flows out through the cutout portion 602 It comes out. As a result, since the chemical polishing liquid in the main body 600 is always replaced with a new one, it is easy to stabilize the HF concentration in the chemical polishing liquid at all times, and a constant polishing rate is ensured. On the other hand, in this embodiment, a hole is not provided in the bottom surface portion of the main body 600, but a single or a plurality of small holes may be provided in the bottom surface portion of the main body 600 to facilitate circulation of the chemical polishing liquid.

나아가서는, 유리 모재(102)가 본체(600)에 고인 화학 연마액에 침지된 상태로, 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 관통하기 때문에, 화학 연마액을 분사한 상태로 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 관통하는 경우에 비해 관통 부위가 뾰족해지기 어렵다. 또한 제1 주면의 구획 홈 및 제2 주면의 구획 홈이 관통된 후에도 유리 모재(102)를 본체(600)에 고인 화학 연마액에 침지시켜 둠으로써, 관통 부위의 뾰족함을 억제하여 유리 기판(104)의 단부를 단면으로 보았을 때(斷面視) 원호형상에 가깝게 할 수 있게 된다.Further, since the glass base material 102 is immersed in the chemical polishing solution which is poured into the main body 600, the partition grooves on the first main surface and the second main surface pass through, and therefore, the chemical polishing liquid is sprayed It is difficult for the penetrating portion to be sharp compared to the case where the partition groove of the first main surface and the partition groove of the second main surface penetrate. Further, by immersing the glass base material 102 in the chemical polishing solution which has been stuck in the main body 600 even after the divisional grooves of the first main surface and the second main surface have penetrated, the sharpness of the penetrating portions is suppressed, 104 can be made closer to the circular arc shape when viewed in section.

계속해서, 도 14(A) 내지 도 14(D) 및 도 15(A) 내지 도 15(D)를 이용하여, 이 실시형태로 처리할 경우의 유리 모재(102) 또는 유리 기판(104)의 형상 변화를 설명한다. 먼저, 도 14(A) 내지 도 14(C)에 도시한 바와 같이, 유리 모재(102)는 위아래에서 분사되는 화학 연마액에 의해 제1 주면 및 제2 주면에서의 레지스트층이 형성되어 있지 않은 구획 홈이 에칭되어 심화된다. 제1 주면 및 제2 주면에서의 구획 홈이 원하는 양만큼 심화된 단계에서, 도 14(D)에 도시한 바와 같이 제1 주면 또는 제2 주면 중 어느 한 주면에 내산성 필름(64)이 부착된다. Subsequently, the glass base material 102 or the glass substrate 104 in the case of performing the processing in this embodiment will be described with reference to Figs. 14 (A) to 14 (D) and 15 (A) to 15 The shape change will be explained. First, as shown in Figs. 14 (A) to 14 (C), the glass base material 102 is formed by a chemical polishing liquid sprayed on the glass base material 102 in such a manner that the resist layers on the first main surface and the second main surface are not formed The partition grooves are etched and deepened. In the step where the partition grooves in the first main surface and the second main surface are deepened by a desired amount, the acid-resistant film 64 is attached to either one of the first main surface or the second main surface, as shown in Fig. 14 (D) .

또, 도 15(A)에 도시한 바와 같이, 내산성 필름(64)이 부착된 주면을 밑으로 해서 유리 모재(102)를 유리 트레이(60)에 수용하고, 화학연마처리가 계속 실행된다. 이 때, 전술한 바와 같이 유리 모재(102)는 화학 연마액 중에 침지되기 때문에, 도 15(B)에 도시한 바와 같이 내산성 필름(64)이 부착되어 있지 않은 상측 주면의 구획 홈만 심화되어 간다.15 (A), the glass base material 102 is housed in the glass tray 60 with the main surface with the acid-resistant film 64 attached, and the chemical polishing process is continued. At this time, as described above, since the glass base material 102 is immersed in the chemical polishing liquid, only the upper main surface of the main surface without the acid-resistant film 64 is deepened as shown in Fig. 15 (B).

그리고 이 실시형태에 따르면, 도 15(C)에 도시한 바와 같이 유리 모재(102)의 두께방향이 중심인 인장 응력이 가장 커지는 점을 피해서 구획 홈을 관통시킬 수 있기 때문에, 구획 홈 관통시에 유리 모재(102)가 깨지는 것을 방지할 수 있다. 또, 구획 홈을 관통시킨 후에 유리 모재(102)를 유리 트레이(60)의 본체(600)의 화학 연마액에 침지시켜 둠으로써, 도 15(D)에 도시한 바와 같이 구획 홈 관통시에 발생하는 뾰족함을 제거하여, 각 유리 기판의 단면(端面)을 단면도로 보았을 때 원호형상에 가깝게 할 수 있게 된다.According to this embodiment, as shown in Fig. 15 (C), it is possible to pass through the partition grooves while avoiding the point where the tensile stress at the center of the thickness of the glass base material 102 is the greatest. Therefore, It is possible to prevent the glass base material 102 from breaking. 15 (D), when the glass base material 102 is immersed in the chemical polishing solution of the main body 600 of the glass tray 60 after passing through the partition grooves, So that the end face of each glass substrate can be made closer to the arc shape when viewed in section.

전술한 제조방법에 의해 얻어지는 유리 기판은 터치패널 일체형의 액정 디스플레이를 구성하는 사용자측의 유리 기판으로 사용할 수 있다. 또한 휴대전화기의 액정 디스플레이의 커버 유리로 사용하는 것도 가능하다.The glass substrate obtained by the above-described manufacturing method can be used as a glass substrate on the user side constituting a liquid crystal display integrated with a touch panel. It is also possible to use it as a cover glass for a liquid crystal display of a mobile phone.

칩영역에 마련되는 센서 소자는 일반적으로 열에 약하기 때문에, 칩영역을 형성한 유리에 대하여 화학강화처리를 하기가 곤란했지만, 전술한 실시형태에 따르면 칩영역이 형성된 화학강화된 대형 유리 모재(104)를 안정적으로 절단하여 복수의 유리 기판을 얻을 수 있기 때문에, 특히 터치패널용 센서 소자를 탑재한 유리 기판에 있어서 생산성을 현저하게 향상시킬 수 있게 된다.Although the sensor element provided in the chip region is generally weak against heat, it is difficult to perform the chemical strengthening treatment on the glass in which the chip region is formed. However, according to the embodiment described above, the chemical strengthened large glass base material 104, Can be stably cut to obtain a plurality of glass substrates. In particular, productivity can be remarkably improved in a glass substrate on which a sensor element for a touch panel is mounted.

전술한 실시형태의 설명은 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 실시형태가 아니라, 특허청구범위에 의해 제시된다. 또한 본 발명의 범위에는 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. The description of the foregoing embodiments is to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing embodiments. It is also intended that the scope of the invention include all modifications within the meaning and range equivalent to the scope of the claims.

10 화학연마장치
12 반입부
14 전처리 챔버
16 제1 처리 챔버
18 제2 처리 챔버
20 제3 처리 챔버
22 제4 처리 챔버
24 물세정 챔버
26 반출부
28 제1 중계부
30 제2 중계부
32 제3 중계부
60 유리 트레이
102 유리 모재
104 유리 기판 10 chemical polishing equipment
12 Loading section
14 Pretreatment chamber
16 First processing chamber
18 Second processing chamber
20 third processing chamber
22 Fourth Processing Chamber
24 Water cleaning chamber
26 Take-
28 First relay unit
30 Second relay section
32 third relay unit
60 Glass tray
102 Glass base material
104 glass substrate

Claims

A method of manufacturing a glass substrate to be applied to a single-wafer chemical polishing apparatus configured to perform chemical polishing on a plurality of continuously transferred glass substrates,
The single wafer type chemical polishing apparatus comprises:
A conveying portion having a plurality of conveying rollers configured to convey a glass base material (base material) formed on a first main surface and a second main surface of the resist layer in a horizontal direction so as to skip a partition line which is a position to be cut; And
And a polishing processing unit configured to etch the glass base material conveyed by the conveying unit and to etch the partition lines of the glass base material by spraying the chemical polishing liquid from above and below,
The amount of the chemical polishing liquid sprayed on the glass base material from the upper side and the amount of the chemical polishing liquid sprayed on the glass base material from the lower side are respectively adjusted so that the division grooves formed on the first main surface and the division grooves formed on the second main surface are made of glass And passing through the base material at a position shifted by a predetermined amount from the center of the base material in the thickness direction.

The method according to claim 1,
A first chemical polishing step of performing a chemical polishing treatment on both the first main surface and the second main surface; And
And a second chemical polishing step of chemically polishing the first main surface only by a predetermined one-side polishing amount.

3. The method of claim 2,
Wherein in the second chemical polishing step, using a glass tray having a main body capable of accommodating the glass base material and a tip portion configured to be tapered toward the downstream side in the carrying direction, And the yarn is conveyed to the glass tray.