KR101780793B1 - 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법 - Google Patents
플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 33
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
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- H01L33/10—
-
- H01L33/005—
-
- H01L33/46—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
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- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
- H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
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- H01L2933/0058—
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
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Abstract
본 발명에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법은, 발광다이오드 소자를 실장 하기 위한 전기 회로가 형성된 베이스 기판 상에 광 반사율이 높은 감광성 열경화형 잉크(Photo Solder Resist Ink)를 스크린 인쇄하고 건조하여 제1반사층을 형성하는 제1반사층 형성 단계; 상기 제1반사층 형성 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층을 일정 두께만큼 연마하여 상기 전기 회로가 노출되도록 하는 연마 단계; 상기 연마 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층과 상기 전기 회로를 덮도록 감광성 드라이 필름을 부착한 후 상기 전기 회로 부위에 빛을 조사하여 노광하고 상기 노광 되지 않는 부위의 감광성 드라이 필름을 현상하여 제거함으로써 상기 전기 회로 부위에만 상기 감광성 드라이 필름이 부착된 상태가 되도록 처리하는 필름 라미네이트 단계; 상기 필름 라미네이트 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층과 상기 감광성 드라이 필름을 덮도록 광 반사율이 높은 감광성 열경화형 잉크를 스크린 인쇄하고 가건조하여 제2반사층을 형성하는 제2반사층 형성 단계; 상기 제2반사층 형성 단계 후에 수행되며 상기 감광성 드라이 필름이 부착된 부위를 마스킹하고 노광한 후 상기 감광성 드라이 필름 상부에 적층 된 상기 제2반사층을 현상액으로 제거하는 잉크 제거 단계; 및 상기 잉크 제거 단계 후에 수행되며 상기 잉크 제거 단계에서 노출된 상기 감광성 드라이 필름을 박리제를 사용하여 상기 제1반사층과 상기 전기 회로에서 박리하는 드라이 필름 박리 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 발광다이오드가 실장되는 기판에 광 반사율이 높은 잉크를 사용하여 고반사율 반사층을 효과적으로 형성하는 방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 디스플레이 장치로 널리 사용된다. 최근에는 발광다이오드가 조명 장치에 활발하게 채용되고 있다. 발광다이오드는 전력 소비량이 낮고 백열 전구나 형광등에 비하여 밝기가 현저하게 밝은 성능을 가지므로 조명 장치에 적극적으로 채용되고 있다. 발광다이오드는 가정과 사무실 및 공장의 조명 장치 뿐만 아니라 자동차의 조명 장치에도 사용된다.
일반적으로 조명 장치에 채용되는 발광다이오드 장치는 전기회로가 형성된 기판 상에 발광다이오드가 실장된 형태로 제조된다.
이러한 발광다이오드 장치의 일 예가 대한민국 공개특허 제2005-0117064호에 개시되어 있다.
조명용 발광다이오드 장치에서 발광다이오드가 기판에 실장 되는 방식에 따라 칩온보드형(Chip On Board type, COB)과 플립칩형(Flip Chip type)이 있다. 칩온보드형 발광다이오드 장치는 기판에 발광다이오드 소자를 실장하고 기판상의 전기회로와 발광다이오드 소자를 와이어 본딩에 의해 연결한 형태이다. 한편 플립칩형 발광다이오드 장치는 기판에 발광다이오드 소자를 실장함과 동시에 기판의 전기회로와 연결되도록 구성한 것으로서 와이어 본딩이 필요없는 구조이다.
이에 따라 최근에는 플립칩형 발광다이오드 장치가 채용되는 경향이 증가하고 있다. 플립칩형 발광다이오드는 금속 와이어와 같은 연결 구조 없이 발광다이오드 소자의 전극을 바로 기판에 부착한 패키지 구조로 이루어지므로, 금속 와이어 연결을 위한 공간이 필요하지 않아 발광다이오드 소자의 실장 밀도를 증가시킬 수 있고 발광다이오드 장치를 경박단소화할 수 있는 장점이 있다. 또한, 플립칩형 발광다이오드 장치는 볼 와이어가 차지하는 면적이 없으므로 넓은 면적의 칩에서 빛이 발생하여 광 추출 효율이 높다. 또한, 플립칩형 발광다이오드는 열이 주로 발생하는 칩의 활성층이 하부에 위치하고 열전도율이 낮은 사파이어층이 상부에 위치하므로 방열성이 개선되어 조명장치의 신뢰성이 높은 장점이 있다.
그런데, 플립칩형 발광다이오드는 칩온보드형 발광다이오드에 비하여 발광다이오드 소자의 집적도가 높아지므로 발광다이오드 소자에서 발생된 빛을 전면으로 반사시키는 반사구조를 형성하기가 칩온보드형 발광다이오드에 어렵다. 따라서 칩온보드형 발광다이오드는 발광다이오드 소자의 주변에 광반사율이 높은 잉크층을 도포하여 반사층을 형성하는 구조가 채용된다. 일반적으로 상기 반사층은 열경화형 잉크를 복수회 순차적으로 적층하여 형성한다. 그런데 상기 반사층의 최상층에 적층되는 적외선 경화형 잉크는 경화되기 전 상태의 점도가 낮아 발광다이오드 장치 제조 공정에서 기판에 형성된 전기 회로와 간섭이 발생 되어 발광다이오드 장치의 품질이 떨어지는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 방지하기 위해 적외선 경화형 잉크의 도포 면적을 좁게 한정할 수밖에 없다. 이에 따라 반사층의 면적이 줄어들게 되므로 충분한 반사율을 확보할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층의 형성 방법을 개선함으로써 공정이 단순하고 안정적인 품질확보가 가능하며 충분한 두께의 고반사율 반사층 형성이 가능한 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시 예에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법은, 발광다이오드 소자를 실장 하기 위한 전기 회로가 형성된 베이스 기판 상에 광 반사율이 높은 감광성 열경화형 잉크(Photo Solder Resist Ink)를 스크린 인쇄하고 건조하여 제1반사층을 형성하는 제1반사층 형성 단계;
상기 제1반사층 형성 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층을 일정 두께만큼 연마하여 상기 전기 회로가 노출되도록 하는 연마 단계;
상기 연마 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층과 상기 전기 회로를 덮도록 감광성 드라이 필름을 부착한 후 상기 전기 회로 부위에 빛을 조사하여 노광하고 상기 노광 되지 않는 부위의 감광성 드라이 필름을 현상하여 제거함으로써 상기 전기 회로 부위에만 상기 감광성 드라이 필름이 부착된 상태가 되도록 처리하는 필름 라미네이트 단계;
상기 필름 라미네이트 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층과 상기 감광성 드라이 필름을 덮도록 광 반사율이 높은 감광성 열경화형 잉크를 스크린 인쇄하고 가건조하여 제2반사층을 형성하는 제2반사층 형성 단계;
상기 제2반사층 형성 단계 후에 수행되며 상기 감광성 드라이 필름이 부착된 부위를 마스킹하고 노광한 후 상기 감광성 드라이 필름 상부에 적층 된 상기 제2반사층을 현상액으로 제거하는 잉크 제거 단계; 및
상기 잉크 제거 단계 후에 수행되며 상기 잉크 제거 단계에서 노출된 상기 감광성 드라이 필름을 박리제를 사용하여 상기 제1반사층과 상기 전기 회로에서 박리하는 드라이 필름 박리 단계를 포함한 점에 특징이 있다.
상기 제2반사층 형성 단계에서 상기 제2반사층 인쇄 후 가건조온도는 40℃ ~ 50℃, 진공도는 30Torr ~ 100Torr, 건조시간은 10분 ~ 20분인 것이 바람직하다.
상기 제1반사층과 상기 제2반사층의 두께의 합은 80㎛ 내지 100㎛인 것이 바람직하다.
상기 드라이 필름 박리 단계 후에 상기 제2반사층을 열경화시키는 최종 경화 단계를 포함한 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법은, 제1반사층을 형성한 후에 감광성 드라이 필름으로 전기회로 부위를 라미네이션 처리한 후 광 반사율이 높은 감광성 열경화 불투명 잉크로 제2반사층을 형성하고, 상기 제2반사층 중 상기 감광성 드라이 필름 부위를 노광 및 현상 공정으로 제거하고, 상기 감광성 드라이 필름을 박리제를 사용하여 전기 회로에서 박리함으로써 반사층을 형성하는 구조에서 점성이 낮아 공정상 정밀한 두께 제어가 어려운 적외선 경화형 잉크를 사용하지 않고 반사층 구조를 형성할 수 있어서 반사효율이 높은 반사층 두께를 안정적으로 확보할 수 있는 효과를 제공한다. 또한, 반사층 형성을 위해 잉크를 적층하는 횟수를 줄임으로써 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법의 공정도이다.
도 2는 전기 회로가 형성된 베이스 기판의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1반사층 형성 단계 직후의 상태를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 연마단계를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 필름 라미네이트 단계 후의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 제2반사층 형성 단계에서 제2반사층을 인쇄한 후 가건조된 상태를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 가건조된 제2반사층을 마스킹하고 노광하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 노광 공정 후 현상에 의해 광 경화되지 않은 부위를 제거한 상태를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 구조에서 감광성 드라이 필름을 박리한 상태를 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 방법으로 제조된 발광다이오드 장치의 반사층과 발광소자의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 2는 전기 회로가 형성된 베이스 기판의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1반사층 형성 단계 직후의 상태를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 연마단계를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 필름 라미네이트 단계 후의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 제2반사층 형성 단계에서 제2반사층을 인쇄한 후 가건조된 상태를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 가건조된 제2반사층을 마스킹하고 노광하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 노광 공정 후 현상에 의해 광 경화되지 않은 부위를 제거한 상태를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 구조에서 감광성 드라이 필름을 박리한 상태를 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 방법으로 제조된 발광다이오드 장치의 반사층과 발광소자의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법의 공정도이다. 도 2는 전기 회로가 형성된 베이스 기판의 단면 구조를 보여주는 도면이다. 도 3은 도 1에 도시된 제1반사층 형성 단계 직후의 상태를 보여주는 도면이다. 도 4는 도 1에 도시된 연마단계를 보여주는 도면이다. 도 5는 도 1에 도시된 필름 라미네이트 단계 후의 단면 구조를 보여주는 도면이다. 도 6은 도 1에 도시된 제2반사층 형성 단계에서 제2반사층을 인쇄한 후 가건조된 상태를 보여주는 도면이다. 도 7은 도 6에 도시된 가건조된 제2반사층을 마스킹하고 노광하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 8은 도 7에 도시된 노광 공정 후 현상에 의해 광 경화되지 않은 부위를 제거한 상태를 보여주는 도면이다. 도 9는 도 8에 도시된 구조에서 감광성 드라이 필름을 박리한 상태를 보여주는 도면이다. 도 10은 본 발명에 따른 방법으로 제조된 발광다이오드 장치의 반사층과 발광소자의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 1 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법은, 제1반사층 형성 단계(S10)와, 연마 단계(S20)와, 필름 라미네이트 단계(S30)와, 제2반사층 형성 단계(S40)와, 잉크 제거 단계(S50)와, 드라이 필름 박리 단계(S60)와, 최종 경화 단계(S70)를 포함한다.
상기 제1반사층 형성 단계(S10)는 베이스 기판(10) 상에 광 반사율이 높은 감광성 열경화형 잉크(Photo Solder Resist Ink, PSR 잉크)를 인쇄하고 건조하여 제1반사층(20)을 형성한다. 상기 베이스 기판(10)은 알루미늄층(12)에 절연된 상태로 동 박막이 적층된 구조로 이루어진 베이스 기판(10)을 가공하여 상기 동 박막이 발광다이오드(100)가 설치되기 위한 전기 회로(15, land)를 구성한 것이다. 본 발명은 이와 같이 전기 회로(15)가 구성된 베이스 기판(10) 상에 광 반사층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
상기 제1반사층(20)은 불투명 소재의 광 반사율이 높은 감광성 열경화형 잉크로 이루어진다. 상기 제1반사층(20)은 통상적으로 광 반사율이 높은 PSR 잉크를 채용할 수 있다. 상기 제1반사층(20)은 스크린 인쇄 방식으로 상기 베이스 기판(10)에 인쇄된다. 상기 제1반사층 형성 단계(S10)에서 형성된 제1반사층(20)은 상기 베이스 기판(10)의 상면 전체를 덮도록 형성된다. 따라서 상기 제1반사층 형성 단계(S10)에서 형성된 제1반사층(20)은 상기 베이스 기판(10)에 형성된 전기 회로(15)를 덮은 상태로 형성된다. 상기 제1반사층(20)은 열에 의해 건조됨으로써 경화된다.
상기 연마 단계(S20)는 상기 제1반사층 형성 단계(S10) 후에 수행된다. 상기 연마 단계(S20)는 상기 제1반사층(20)을 일정 두께만큼 연마하여 제거하는 공정이다. 상기 연마 단계(S20)는 회전되는 롤러에 설치된 사포(sand paper)로 상기 제1반사층(20)을 연마한다. 상기 연마 단계(S20)에서 상기 제1반사층(20)의 상부가 제거됨으로써 상기 전기 회로(15)가 상기 제1반사층(20) 위로 노출된다. 상기 전기 회로(15)는 발광다이오드(100)가 실장되어 전기적으로 연결되어야 하는 부위이므로 상기 제1반사층(20) 외부로 노출되어야 한다.
상기 필름 라미네이트 단계(S30)는 상기 연마 단계(S20) 후에 수행된다. 상기 필름 라미네이트 단계(S30)는 3개의 서브 공정으로 이루어진다. 더 구체적으로 상기 필름 라미네트 단계(S30)는 필름 부착단계(S31)와, 노광 단계(S32)와, 현상 단계(S33)를 순차적으로 포함할 수 있다.
상기 필름 부착단계(S31)에서는 상기 제1반사층(20)과 상기 전기 회로(15)를 덮도록 감광성 드라이 필름을 부착한다. 상기 필름 부착단계(S31)는 회전되는 한 쌍의 롤러 사이로 감광성 드라이 필름(30)과 상기 제1반사층(20)이 형성된 기판을 통과시켜 상기 기판의 상면에 상기 감광성 드라이 필름(30)이 부착되도록 한다.
상기 노광 단계(S32)에서는 상기 전기 회로(15) 부위에 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 단계(S32)에 의해 상기 전기 회로(15) 부위는 단량체(monomer)에서 중합체(polymer)로 경화된다.
상기 현상 단계(S33)에서는 상기 노광 단계(S32)에서 경화되지 않은 부위의 감광성 드라이 필름을 탄산 나트륨(Na2CO3) 성분이 포함된 현상액에 용해 시켜 제거한다. 상기 현상 단계(S33)를 거치면 상기 전기 회로(15) 부위에만 상기 감광성 드라이 필름(30)이 부착된 상태가 된다.
상기 제2반사층 형성 단계(S40)는 상기 필름 라미네이트 단계(S30) 후에 수행된다. 상기 제2반사층 형성 단계(S40)에서는 상기 제1반사층(20)과 상기 감광성 드라이 필름(30)을 덮도록 감광성 열경화형 잉크를 인쇄하고 가건조하여 제2반사층(40)을 형성한다. 상기 제2반사층(40)을 형성하는 잉크는 광 반사율이 높은 잉크로서 열경화형 잉크이다. 상기 제2반사층(40)은 광 반사율이 높은 백색 잉크로 구성될 수 있다. 상기 제2반사층(40)은 스크린 인쇄 방식으로 인쇄될 수 있다. 상기 제2반사층(40)을 예컨대 광 반사율이 높은 PSR 잉크가 채용될 수 있다.
상기 제2반사층(40)의 가건조는 일정 조건에서 수행된다.
상기 제2반사층(40)을 가건조하는 조건은 다음과 같은 조건에서 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 제2반사층(40)을 가건조하는 조건은 건조온도가 40℃ ~ 50℃, 진공도는 30Torr ~ 100Torr, 건조시간은 10분 ~ 20분인 것이 바람직하다. 상기 건조온도가 40℃ 미만인 경우에는 상기 제2반사층(40)을 구성하능 잉크가 건조되지 않아 크랙이 발생할 수 있는 문제점이 있다. 상기 건조온도가 50℃를 초과하는 경우에는 상기 제2반사층(40) 하부에 배치된 상기 감광성 드라이 필름(30)이 수축되어 변형이 될 수 있는 문제점이 있다. 상기 제2반사층(40)은 상술한 온도범위로 유지되는 폐쇄된 노 안에서 건조된다. 상기 제2반사층(40)의 건조 과정에서 진공도가 30Torr 미만인 경우 건조시간이 단축되는 장점이 있지만 고진공을 유지하기 위한 비용이 증가하여 경제적이 못한 단점이 있다. 상기 제2반사층(40)의 건조 과정에서 진공도가 100Torr를 초과하는 경우에는 건조시간이 길어지는 문제점이 있다. 상기 제2반사층(40)의 가건조시간이 10분 ~ 20분인 것은 상기 건조온도와 진공도에 종속적인 변수이다. 따라서 상기 건조온도가 낮아지거나 진공도가 높아지는 경우에는 건조시간이 변동될 수 있다.
상기 잉크 제거 단계(S50)는 상기 제2반사층 형성 단계(S40) 후에 수행된다. 상기 잉크 제거 단계(S50)는 상기 제2반사층 형성 단계(S40)에서 적층 된 제2반사층(40) 중 상기 감광성 드라이 필름(30)이 부착된 부위를 마스킹 하고 노광한다. 그리고 상기 감광성 드라이 필름(30) 상부에 적층 된 제2반사층(40)을 현상액으로 용해하여 제거한다.
상기 현상액에 의해 제2반사층(40)의 일부가 제거됨으로써 상기 제2반사층(40)은 상기 전기 회로(15)와 간섭되지 않도록 한다. 상기 제2반사층(40)과 상기 전기 회로(15) 간 간격(g)은 60㎛ 내지 80㎛인 것이 바람직하다. 상기 제2반사층(40)과 상기 전기 회로(15) 간 간격(g)이 60㎛ 미만인 경우 상기 제2반사층(40)과 상기 전기 회로(15)가 간섭될 수 있는 문제점이 있다. 상기 제2반사층(40)과 상기 전기 회로(15) 간 간격(g)이 80㎛를 초과한 경우에는 상기 제2반사층(40)의 형성 면적이 좁아져 반사효율이 저하되는 문제점이 있다.
상기 드라이 필름 박리 단계(S60)는 상기 잉크 제거 단계(S50) 후에 수행된다. 상기 드라이 필름 박리 단계(S60)에서는 상기 잉크 제거 단계(S50)에서 노출된 상기 감광성 드라이 필름(30)을 박리제를 사용하여 상기 제1반사층(20)과 상기 전기 회로(15)에서 분리한다. 상기 박리제는 예컨대 수산화나트륨(NaOH)을 포함한 알칼리성 용액이 채용될 수 있다. 상기 드라이 필름 박리 단계(S60)를 거치면 발광다이오드(100)가 실장되고 전기적으로 연결되는 전기 회로(15)가 노출된다. 또한, 상기 전기 회로(15) 주변에 상기 제1반사층(20)과 상기 제2반사층(40)이 협동하여 반사층을 형성한다. 상기 제1반사층(20)과 상기 제2반사층(40)의 두께의 합을 편의상 반사층의 두께(t)라고 한다. 상기 반사층의 두께(t)가 80㎛ 내지 100㎛인 것이 바람직하다. 상기 반사층의 두께(t)가 80㎛ 미만인 경우에는 발광다이오드의 반사효율이 충분하지 않은 문제점이 있다. 상기 반사층의 두께(t)가 100㎛를 초과하는 경우에는 반사효율이 충분하지만 적층이 어려워 경제성이 떨어지는 문제점이 있다.
상기 최종 경화 단계(S70)는 상기 드라이 필름 박리 단계(S60) 후에 수행된다. 상기 최종 경화 단계(S70)에서는 상기 제2반사층(40)을 열경화시켜 최종적으로 경화가 이루어진다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법은, 제1반사층을 형성한 후에 감광성 드라이 필름으로 전기회로 부위를 라미네이션 처리한 후 감광성 열경화형 잉크로 제2반사층을 형성하고, 상기 제2반사층 중 상기 감광성 드라이 필름 부위를 노광 및 현상 공정으로 제거하고, 상기 감광성 드라이 필름을 박리제를 사용하여 전기 회로에서 박리함으로써 반사층을 형성하는 구조에서 점성이 낮아 공정상 정밀한 두께 제어가 어려운 적외선 경화형 잉크를 사용하지 않고 반사층 구조를 형성할 수 있어서 반사효율이 높은 반사층 두께를 안정적으로 확보할 수 있는 효과를 제공한다. 또한, 반사층 형성을 위해 잉크를 적층하는 횟수를 줄임으로써 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.
이상, 바람직한 실시 예를 들어 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명이 그러한 예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 실시 예가 구체화될 수 있을 것이다.
10 : 베이스 기판
12 : 알루미늄 박막
15 : 전기 회로
20 : 제1반사층
30 : 감광성 드라이 필름
40 : 제2반사층
100 : 발광다이오드
t : 반사층의 두께
g : 전기 회로와 제2반사층 간 간격
S10 : 제1반사층 형성 단계
S20 : 연마 단계
S30 : 필름 라미네이트 단계
S31 : 필름 부착 단계
S32 : 노광 단계
S33 : 현상 단계
S40 : 제2반사층 형성 단계
S50 : 잉크 제거 단계
S60 : 드라이 필름 박리 단계
S70 : 최종 경화 단계
12 : 알루미늄 박막
15 : 전기 회로
20 : 제1반사층
30 : 감광성 드라이 필름
40 : 제2반사층
100 : 발광다이오드
t : 반사층의 두께
g : 전기 회로와 제2반사층 간 간격
S10 : 제1반사층 형성 단계
S20 : 연마 단계
S30 : 필름 라미네이트 단계
S31 : 필름 부착 단계
S32 : 노광 단계
S33 : 현상 단계
S40 : 제2반사층 형성 단계
S50 : 잉크 제거 단계
S60 : 드라이 필름 박리 단계
S70 : 최종 경화 단계
Claims (3)
- 발광다이오드 소자를 실장 하기 위한 전기 회로가 형성된 베이스 기판 상에 감광성 열경화형 잉크(Photo Solder Resist Ink)를 스크린 인쇄하고 건조하여 제1반사층을 형성하는 제1반사층 형성 단계;
상기 제1반사층 형성 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층을 일정 두께만큼 연마하여 상기 전기 회로가 노출되도록 하는 연마 단계;
상기 연마 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층과 상기 전기 회로를 덮도록 감광성 드라이 필름을 부착한 후 상기 전기 회로 부위에 빛을 조사하여 노광하고 상기 노광 되지 않는 부위의 감광성 드라이 필름을 현상하여 제거함으로써 상기 전기 회로 부위에만 상기 감광성 드라이 필름이 부착된 상태가 되도록 처리하는 필름 라미네이트 단계;
상기 필름 라미네이트 단계 후에 수행되며 상기 제1반사층과 상기 감광성 드라이 필름을 덮도록 감광성 열경화형 잉크를 스크린 인쇄하고 가건조하여 제2반사층을 형성하는 제2반사층 형성 단계;
상기 제2반사층 형성 단계 후에 수행되며 상기 감광성 드라이 필름이 부착된 부위를 마스킹하고 노광한 후 상기 감광성 드라이 필름 상부에 적층 된 상기 제2반사층을 현상액으로 제거하는 잉크 제거 단계; 및
상기 잉크 제거 단계 후에 수행되며 상기 잉크 제거 단계에서 노출된 상기 감광성 드라이 필름을 박리제를 사용하여 상기 제1반사층과 상기 전기 회로에서 박리하는 드라이 필름 박리 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2반사층 형성 단계에서 상기 제2반사층 인쇄 후 가건조온도는 40℃ ~ 50℃, 진공도는 30Torr ~ 100Torr, 건조시간은 10분 ~ 20분인 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1반사층과 상기 제2반사층의 두께의 합은 80㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법.
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| KR1020170080732A KR101780793B1 (ko) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법 |
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| KR (1) | KR101780793B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114141913A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光灯板的制作方法、背光灯板及背光模组 |
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2017
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|
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|
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