KR101718107B1 - 그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 패턴공정 수행이 가능한특성을 갖는 네거티브 포토레지스트 조성물, 그 조성물을 이용한 광센서 제조방법 및 그 방법으로 제조된 광센서 - Google Patents
그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 패턴공정 수행이 가능한특성을 갖는 네거티브 포토레지스트 조성물, 그 조성물을 이용한 광센서 제조방법 및 그 방법으로 제조된 광센서 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 네거티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 내열성 및 내화학성은 종래 네거티브 포토레지스트 조성물과 동등하거나 더 우수하면서도 그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 패턴 공정 수행이 가능한 특성을 갖는 네거티브 포토레지스트 조성물, 그 조성물을 이용한 광센서 제조방법 및 그 방법으로 제조된 광센서에 관한 것이다.
Description
본 발명은 네거티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 내열성 및 내화학성은 종래 네거티브 포토레지스트 조성물과 동등하거나 더 우수하면서도 그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 패턴 공정 수행이 가능한 특성을 갖는 네거티브 포토레지스트 조성물, 그 조성물을 이용한 광센서 제조방법 및 그 방법으로 제조된 광센서에 관한 것이다.
도체의 제조 공정에서 다양한 박막을 패터닝하기 위한 포토리소그래피 공정이 포함된다. 이러한 포토리소그래피 공정을 위해, 포토레지스트 조성물 및 이로부터 형성된 포토레지스트 패턴이 이용되는데, 이러한 포토레지스트 조성물은 크게 포지티브형(positive-working)과 네거티브형(negative-working)으로 나눌 수 있다.
포지트브형 포토레지스트는 자외선(UV) 등의 광(光)에 노출시키면 노출된 부위가 현상액에 잘 녹게 되어, 현상 후 비노출 부위만 남게 되며, 패턴을 형성하는 반면, 네거티브형은 광에 노출되지 않은 부분만 현상액에 의해 제거가 되며 노출된 부위는 현상액에 불용(不容)하게 되어 패턴을 형성하게 된다.
광센서는 물론 디스플레이 장치는 주로 포지티브 포토레지스트를 사용하였다. 포토레지스트 조성물을 이용한 포토리소그래피 공정을 간략히 설명하면, 실리콘 웨이퍼에 액상의 포토레지스트를 코팅하고, 베이크 공정을 거쳐 조성물에 포함된 용제를 날려 포토레지스트를 고정시키고, 노광 과정을 거쳐 이미지화한 다음, 테트라암모늄하이드록사이드(TMAH) 현상액으로 처리하여 포토레지스트 패턴을 만들고 이를 식각한다. 이 작업을 여러 번 진행하여 기판상에 원하는 회로를 형성한다.
이와 같이 과거에는 네거티브형 포토레지스트에 비해 포지티브형 포토레지스트가 감광성과 패턴 형성 능력 등이 더 우수한 점이 있어 주로 사용되어 왔으며, 네거티브형 포토레지스트는 여러 가지 단점으로 인하여 적용하는데 어려운 점이 많았다.
네거티브형 포토레지스트의 기본적인 조성물과 패턴 형성방법은 국내 특허공고번호 제1994-0004423호에 기술되어 있다. 상기 네거티브 포토레지스트는 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 화학증폭형의 네거티브 포토레지스트는 알칼리 가용성 수지성분이 산으로 축합 반응할 수 있는 관능기를 가지고 있어야 한다. 에너지 조사부에서 발생된 산이 PEB에 의해 확산되고, 수지성분 중의 산축합성의 관능기나 가교제에 작용하여 가교 결합을 하며, 알칼리성 현상액에서 불용성이 된다.
이와 같이 알려진 종래의 네가티브 포토레지스트 조성물은 내열성 및 내화학성이 충분하지 않아서, 포토레지스트 패턴 구현도가 양호하지 않은 경우가 많았다.
더욱이 종래의 네가티브 포토레지스트 조성물은 그 네거티브 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 패턴 상에 유기물을 도포하는 경우 도포된 유기물이 경화되지 않아 유기물로 후속 패턴 공정을 수행할 수 없는 문제점이 있었다.
특히, 최근 들어 각종 소자가 고집적화, 초미세화 됨에 따라 이러한 문제는 더욱 두드러지고 있다.
따라서, 이러한 문제점이 해결된 새로운 조성의 네거티브 포토레지스트 조성물이 개발될 필요가 있었다.
본 발명자들은 이러한 문제점을 해결하기 위해 연구 노력한 결과 그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 도포 공정을 수행할 수 있는 조성의 네거티브 포토레지스트 조성물을 개발하게 되어 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 네거티브 포토레지스트 조성물로 패턴을 형성 한 후, 후속 유기물 도포막을 코팅하여도 계면간의 상호작용 또는 용해가 일어나지 않아 그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 공정 수행이 가능할 뿐만 아니라 내열성 및 내화학성 또한 우수한 조성의 포토레지스트 조성물, 그 조성물을 이용한 광센서 제조방법 및 그 방법으로 제조된 광센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 후속 유기물 공정이 가능하고 우수한 내열성 및내화학성으로 인해 광센서 제조시 포지티브 포토레지스트를 사용하여 여러 단계의 포토리소그래피 공정을 수행하는 대신 네거티브 포토레지스트를 이용함으로써 공정 단순화가 가능한 조성의 네거티브 포토레지스트 조성물, 그 조성물을 이용한 광센서 제조방법 및 그 방법으로 제조된 광센서를 제공하는 것이다
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술된 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 가용성 바인더 수지, 하기 화학식 2로 표시되는 가교제, 광산발생제, 산확산방지제 및 용제를 포함하는 네거티브 포토레지스트 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 m과 n은 1 내지 1,000의 정수이다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, R1은 탄소수 1~3의 알킬기이고, R2내지 R3는 각각 독립적으로 수소기이거나, 탄소수 1~3의 알킬기이다.
본 발명의 알칼리 가용성 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 노블락계 수지이다. 포토레지스트 분야에서 일반적으로 사용되고 있는 노블락 수지는 옥살산과 같은 산촉매의 존재 하에서 알데히드류와 1종 이상의 다치환 페놀 간의 축합 반응에 의해 제조된다. 상기 알데히드류로는 포름알데히드, 포르말린, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 페닐아세트알데히드, 프로피온알데히드, α-페닐프로필알데히드, β-페닐프로필알데히드, o-하이드록시벤즈알데히드, m-하이드록시벤즈알데히드, p-하이드록시벤즈알데히드, o-클로로벤즈알데히드, m-클로로벤즈알데히드, p-클로로벤즈알데히드, o-니트로벤즈알데히드, m-니트로벤즈알데히드, p-니트로벤즈알데히드, o-메틸벤즈알데히드, m-메틸벤즈알데히드, p-메틸벤즈알데히드, p-에틸벤즈알데히드, p-n-부틸벤즈알데히드, 푸르푸랄, 클로로아세트알데히드 등을 사용할 수가 있다. 상기 다치환 페놀로는 o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸 등의 크레졸류, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, 4-t-부틸페놀, 4-n 펜틸페놀, 4-n-헥실페놀, 4-n-옥틸페올, 3,5-디메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀 등의 알킬페놀류, m-메톡시페놀, p-메톡시페놀, m-에톡시페놀, p-에톡시페놀, m-프로폭시페놀, p-프로폭시페놀, m-부톡시페놀, p-부톡시페놀, 3,5-디메톡시페놀, 2-메톡시-4-메틸페놀 등의 알콜시페놀류, 2,5-크실레놀, 3,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 2,3-크실레놀 등의 크실레놀류, m-클로로페놀, p-클로로페놀, o-클로로페놀, 비스페놀 A, 레졸시놀, 나프토올 등의 하이드록시 방향 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 가교제는 상기 화학식 2로 나타내어지며, 노광에 의해 발생한 산을 매개로 알칼리 가용성 수지와 가교 결합을 시켜서 알칼리 현상액에 불용성이 되게 한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 바인더 수지는 10 내지 40 중량%, 상기 가교제는 1 내지 10 중량%, 상기 광산발생제는 0.1 내지 5 중량%, 상기 산확산 방지제는 0.01 내지 1 중량% 및 나머지 중량의 용제를 포함한다
여기서, 가교제의 함량이 1중량% 미만이거나 10 중량% 초과하는 경우, 가교제 부족에 따른 가교 불량 또는 과량의 가교제는 산확산 방지제 역할을 하여 유기물 도포막 경화를 방해하게 된다.
또한, 광산발생제의 절대량은 가교제 함량에 따라 결정되며, 상기 광산발생제의 함량이 0.1 중량% 미만으로 부족하게 되면 가교 불량으로 인한 낮은 잔막률과 낮은 선택비를 보이고, 5 중량%를 초과하여 과량이 되면 포토레지스트 패턴이 무너지는 현상을 보인다.
또한, 산확산 방지제의 적정량은 산발생제의 양에 의해 결정되며, 산발생제 중량대비 100% 미만으로 포함되어야 한다. 상기 산확산 방지제의 함량이 적정량보다 적은 경우 패턴 폭의 치수가 부정확하거나, 균일도가 떨어지거나, 패턴의 아래쪽이 넓은 푸팅(footing) 현상이 발생될 수 있고, 적정량보다 많아도 패턴 형성이 되지 않거나 패턴의 아래쪽이 좁아 패턴이 무너지는 현상이 발생될 수 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 광산발생제는 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상이다. 이와 같이 본 발명에 사용되는 광산발생제는 248nm 파장 또는 365nm 파장에 감응하는 화합물로 하기 화학식 3 내지 4로 나타내어 지며, 1종 이상을 사용할 수 있다.
[화학식 3]
[화학식 4]
바람직한 실시예에 있어서, 상기 알칼리 가용성 바인더 수지는 중량 평균 분자량이 3000 내지 20000인 노블락계 수지이다. 이와 같이 본 발명에 사용되는 노블락계 수지는 GPC에 의해 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 3000내지 20000인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5000 내지 12000이다. 상기 중량 평균 분자량으로 설정함으로써, 내열성과 내화학성이 우수한 포토레지스트용 수지 조성물을 얻을 수 있다. 상기 중량 평균 분자량이 3000 미만이면 비노광부의 알칼리 용해 속도를 증가시켜 감도가 나빠지며, 20000을 초과하면 스컴(scum)을 발생시킬 수 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 노블락계 수지는 중합시 m-크레졸과 p-크레졸이 30:70 내지 70:30의 중량비로 병용하며, 살리실산이 전체 함량에 10 내지 40 중량비로 포함된다. 이와 같이, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 노블락계 수지는 포르말린 산 촉매를 사용하여 m-크레졸과 p-크레졸을 30:70 내지 70:30의 중량비를 병용하여 축합 반응시키며, 추가적으로 내화학성을 증가시키기 위해서 살리실산을 전체 함량에 10내지 40 중량비로 추가하여 준비될 수 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 산확산 방지제는 질소를 함유하는 유기 염기 화합물이다. 이와 같이 본 발명에 사용되는 산확산 방지제는 질소를 함유하는 유기 염기 화합물로서 방사선 조사에 의해 산발생제로부터 발생한 산의 미노광부까지의 확산을 방지하기 위함이다. 산확산 방지제를 사용함으로써, 노광 이후 지연(post exposure delay)으로 인해 야기되는 성능 저하를 완화시킬 수 있으며, 포토레지스트의 저장 안정성이 향상되고, 프로세스 안정성이 매우 우수해진다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 산확산 방지제는 지방족 1급, 2급, 3급 아민, 방향족 아민, 고리형 아민, 아미드기 화합물, 우레아 화합물 중에서 선택되는 1종 이상이다. 구체적으로는, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 디도데실아민, 시클로헥실메틸아민, 트리에에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리협틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 디시크로헥실메틸아민, 트리에탄올아민, 아닐린, N-메틸아닐린, 트리페닐아민, 에틸렌디아민, 4,4'-디아민벤조페논, 피롤리돈, N-t-부톡시카르보닐디-n-옥틸아민, N-t-부톡시카르보닐디시클로헥실아민, N-t-부톡시카르보닐-N-메틸-1-아다만틸아민, N-t-부톡시카르보닐-4-히드록시피페리딘, N-t-아밀옥시카르보닐-4- 히드록시피페리딘 , N,N,N',N'-테트라-t-부톡시카르보닐헥사메틸렌디아민, N-t-부톡시카르보닐벤즈이미다졸, 요소, 메틸우레아, 1,1-디메틸우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 트리-n-부틸티오우레아, 이미다졸, 피리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 용제(e)는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르(PGME), 에틸락테이트(EL), 감마부틸로락톤(GBL), 메틸-3-메톡시프리피오네이트(MMP), 에틸-3-에톡시프리피오네이트(EEP), 메틸아밀케톤(MAK), n-부틸아세테이트(nBA), 메틸-2-히드록시이소부틸레이트(HBM) 중에서 선택되는 1종 이상이다. 여기서 제시된 용제는 각 성분을 용해시켜서 균일한 평탄성을 가진 포토레지스트 막을 형성시키고, 적당한 건조 속도를 나타낼 수 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물로 형성된 패턴 상에 유기물이 도포되면 유기물이 경화되어 유기물막이 형성된다.
한편, 본 발명에 따른 네거티브 포토레지스트 조성물에는 이상에서 설명한 성분 이외에도 필요에 따라 계면활성제, 레벨링제, 증감제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.
본 발명은 또한 상술된 어느 하나의 네거티브 포토레지스트 조성물을 도포하여 막을 형성하는 단계; 상기 도포된 포토레지스트 막을 노광하는 노광단계; 상기 포토레지스트를 현상하여 노광 영역이 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 패턴 위에 유기물을 도포한 후 경화시켜 유기물막을 형성하는 단계;를 포함하는 광센서 제조방법을 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 노광 단계는 248nm 파장 또는 365nm 파장의 광원을 이용하여 수행된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 유기물을 경화시키기 위해 180℃ 내지 220℃로 열처리한다.
본 발명은 또한 상술된 제조방법으로 제조된 광센서를 제공한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 광센서는 컬러필터를 포함할 수 있다.
여기서, 컬러필터를 포함하는 광센서로는 이미지센서가 대표적이다.
본 발명은 다음과 같은 효과를 갖는다.
먼저, 본 발명의 네거티브 포토레지스트 조성물에 의하면, 네거티브 포토레지스트 조성물로 패턴을 형성 한 후, 후속 유기물 도포막을 코팅하여도 계면간의 상호작용 또는 용해가 일어나지 않아 그 재질로 형성된 패턴 상에 후속 유기물 공정 수행이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 후속 유기물 공정이 가능하고 우수한 내열성 및 내화학성을 갖는 네거티브 포토레지스트 조성물을 제공하므로, 광센서 제조시 포지티브 포토레지스트를 사용하여 여러 단계의 포토리소그래피 공정을 수행하지 않더라도 상기 네거티브 포토레지스트를 이용함으로써 공정 단순화가 가능하다.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면 및 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 본 발명을 설명하기 위해 사용되는 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되지 않는다.
실시예 1
m-크레졸과 p-크레졸을 40:60 중량비와 살리실산을 전체 함량의 30 중량%로 축합 반응을 시켜서 얻은 화학식 1의 노블락계 수지(Mw 11000)의 17.71 중량%, 화학식 2의 가교제(상품명: Powderlink PM, Heraeus)의 2.58 중량%, 화학식 3의 광산발생제 0.42 중량%, 산확산 방지제로서 트리데실아민 0.09 중량%, 실리콘계 계면활성제 0.03 중량%, 용제로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트에 용해시켜 고형분 함량이 21 중량%가 되도록 네거티브 포토레지스트 조성물1을 제조하였다.
실시예 2
화학식 4의 광산발생제를 0.34 중량% 사용한 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방법으로 네거티브 포토레지스트 조성물2를 제조하였다.
실시예 3
m-크레졸과 p-크레졸을 40:60 중량비와 살리실산을 전체 함량의 30 중량%로 축합 반응을 시켜서 얻은 화학식 1의 노블락계 수지(Mw 5000)의 17.71 중량%, 화학식 2의 가교제(상품명: Powderlink PM, Heraeus)의 1.49 중량%, 화학식 3의 광산발생제 0.42 중량%, 산확산 방지제로서 트리데실아민 0.09 중량%, 실리콘계 계면활성제 0.03 중량%, 용제로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트에 용해시켜 고형분 함량이 21 중량%가 되도록 네거티브 포토레지스트 조성물3을 제조하였다.
비교예 1
화학식 1의 노블락계 수지(Mw 11000)의 17.71 중량%, 가교제로서 헥사메톡시메틸멜라민의 1.84 중량%, 화학식 3의 광산발생제 0.42 중량%, 산확산 방지제로서 트리데실아민 0.09 중량%, 실리콘계 계면활성제 0.03 중량%, 용제로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트에 용해시켜 고형분 함량이 21 중량%가 되도록 비교예조성물1을 제조하였다.
비교예 2
화학식 1의 노블락계 수지 대신에 m/p-크레졸 노블락(m/p=5/5, Mw 5000) 수지를 사용한 것을 제외하면 비교예 1과 동일한 방법으로 비교예조성물2를 제조하였다.
실험예 1
실시예1 내지 3에서 제조된 네거티브 포토레지스트 조성물1 내지 3과 비교예1 및 2에서 제조된 비교예조성물1 및 2를 각각 실리콘 웨이퍼 위에 1.0㎛의 두께로 스핀코팅 방식으로 도포하고, 핫플레이트에서 90℃로 60초 동안 열처리(SB)를 하였다. 365nm(i-line stepper NSR-I11D, Nikon)의 광원에서 180mJ/cm2의 노광에너지로 노광하고, 다시 110℃로 60초 동안 열처리(PEB)한 다음, 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액을 사용하여 60초간 현상하여 패턴을 형성하였다. 형성된 패턴 CD 3㎛ 실리콘 기판을 핫플레이트에서 200℃로 5분 열처리를 하고, 추가적으로 180℃에서 2시간 방치하였다. 실리콘 기판 면의 포토레지스트 패턴을 열처리하기 전에 주사전자현미경(FE-SEM)으로 관찰하고, 열처리 후에 포토레지스트 패턴의 테이퍼각의 변화로 내열성을 평가고 그 결과를 표 1에 나타내었다.
| 내열성 | |
| 네거티브 포토레지스트 조성물1(실시예 1) |
좋음 |
| 네거티브 포토레지스트 조성물2(실시예 2) |
좋음 |
| 네거티브 포토레지스트 조성물3(실시예 3) |
보통 |
| 비교예조성물1(비교예 1) | 좋음 |
| 비교예조성물2(비교예 2) | 보통 |
표 1로부터 본 발명의 네거티브 포토레지스트조성물1 내지 3의 내열성이 비교예조성물1 및 2와 비교하여 동등하거나 더 좋은 것을 알 수 있다.
실험예 2
실험예1에서 형성된 포토레지스트 패턴의 두께를 측정하고, 실리콘 기판을 각각의 용제에 10분 동안 담그어 둔 후 기판을 꺼내어 두께를 측정함으로써 내화학성을 평가하였다. 내화학성 용제로는 아세톤, 이소프로필알코올(IPA), 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르(PGME), 에틸락테이트(EL), 감마부틸로락톤(GBL), 에틸-3-에톡시프리피오네이트(EEP), 메틸아밀케톤(MAK) 등으로 진행하였으며, 그 결과는 표 2에 나타내었다.
| 내화학성 | |
| 네거티브 포토레지스트 조성물1(실시예 1) |
좋음 |
| 네거티브 포토레지스트 조성물2(실시예 2) |
좋음 |
| 네거티브 포토레지스트 조성물3(실시예 3) |
보통 |
| 비교예조성물1(비교예 1) | 좋음 |
| 비교예조성물2(비교예 2) | 보통 |
표 2로부터 본 발명의 네거티브 포토레지스트조성물1 내지 3과 비교예조성물1 및 2의 내화학성은 거의 동등한 수준인 것을 알 수 있다.
실험예 3
실험예 1에서 형성된 포토레지스트 패턴 위에 유기물(유기 평탄화막, color PR 등)을 도포하여 핫플레이트에서 200℃로 5분간 열처리를 하였다. 그 후 유기물 도포막이 경화되어 유기물막층이 형성되는지 여부를 확인하고 그 결과를 표 3에 나타내었다.
| 유기물 도포막 경화 유무 |
|
| 네거티브 포토레지스트 조성물1(실시예 1) |
경화 |
| 네거티브 포토레지스트 조성물2(실시예 2) |
경화 |
| 네거티브 포토레지스트 조성물3(실시예 3) |
경화 |
| 비교예조성물1(비교예 1) | 경화 안됨 |
| 비교예조성물2(비교예 2) | 경화 안됨 |
상기 표 3에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 3에서 제조된 포토레지스트 조성물1 내지 3을 사용하는 경우 네거티브 포토레지스트 조성물로 형성된 패턴 상에 유기물을 도포하는 경우에도 경화되어 유기물 도포막이 형성되므로, 본 발명의 네거티브 포토레지스트 조성물로 반도체 상에 패턴을 형성하게 되면 후속공정을 유기물을 이용하여 진행시킬 수 있음을 확인하였다. 추가적으로 표1 및 표2에 나타난 바와 같이 실시예 1과 2의 네거티브 포토레지스트 조성물1 및 2를 사용하면 내열성과 내화학성까지도 모두 확보할 수 있음을 알 수 있다.
이에 반해, 비교예 1과 2의 비교예 포토레지스트조성물1 및 2는 후속 유기물 도포막을 경화시키지 못하여 유기물막이 형성되지 않았는데, 이는 네거티브 포토레지스트 패턴과 후속 유기물 도포막 계면간의 상호작용 또는 용해가 일어나서 경화되지 못함을 확인할 수 있었다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 가용성 바인더 수지, 하기 화학식 2로 표시되는 가교제, 광산발생제, 산확산방지제 및 용제를 포함하는 네거티브 포토레지스트 조성물
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 m과 n은 1 내지 1,000의 정수이다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서 ,
R1은 탄소수 1~3의 알킬기이고, R2내지 R3는 각각 독립적으로 수소기이거나, 탄소수 1~3의 알킬기이다.
- 제1항에 있어서, 상기 바인더 수지는 10 내지 40 중량%, 상기 가교제는 1 내지 10 중량%, 상기 광산발생제는 0.1 내지 5 중량%, 상기 산확산 방지제는 0.01 내지 1 중량% 및 나머지 중량의 상기 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물,
- 제 1 항에 있어서,
상기 광산발생제는 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물
[화학식 3]
[화학식 4]
- 제 1항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 바인더 수지는 중량 평균 분자량이 3000 내지 20000인 노블락계 수지인 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제 4 항에 있어서, 상기 노블락계 수지는 중합시 m-크레졸과 p-크레졸이 30:70 내지 70:30의 중량비로 병용하며, 살리실산이 전체 함량에 10 내지 40 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 산확산 방지제는 질소를 함유하는 유기 염기 화합물인 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 산확산 방지제는 지방족 1급, 2급, 3급 아민, 방향족 아민, 고리형 아민, 아미드기 화합물, 우레아 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 용제(e)는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르(PGME), 에틸락테이트(EL), 감마부틸로락톤(GBL), 메틸-3-메톡시프리피오네이트(MMP), 에틸-3-에톡시프리피오네이트(EEP), 메틸아밀케톤(MAK), n-부틸아세테이트(nBA), 메틸-2-히드록시이소부틸레이트(HBM) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 포토레지스트 조성물로 형성된 패턴 상에 유기물이 도포되면 유기물이 경화되어 유기물막이 형성되는 것을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 네거티브 포토레지스트 조성물을 도포하여 막을 형성하는 단계;
상기 도포된 포토레지스트 막을 노광하는 노광단계;
상기 포토레지스트를 현상하여 노광 영역이 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 형성된 패턴 위에 유기물을 도포한 후 경화시켜 유기물막을 형성하는 단계;를 포함하는 광센서 제조방법.
- 제 10항에 있어서,
상기 노광 단계는 248nm 파장 또는 365nm 파장의 광원을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광센서 제조방법.
- 제 10항에 있어서,
상기 유기물을 경화시키기 위해 180℃ 내지 220℃로 열처리하는 것을 특징으로 하는 광센서 제조방법.
- 제 10항의 제조방법으로 제조된 광센서.
- 제 13 항에 있어서,
컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 광센서.
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