[go: up one dir, main page]

KR101563763B1 - 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들 - Google Patents

전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들 Download PDF

Info

Publication number
KR101563763B1
KR101563763B1 KR1020107024473A KR20107024473A KR101563763B1 KR 101563763 B1 KR101563763 B1 KR 101563763B1 KR 1020107024473 A KR1020107024473 A KR 1020107024473A KR 20107024473 A KR20107024473 A KR 20107024473A KR 101563763 B1 KR101563763 B1 KR 101563763B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delete delete
hybrid layer
substrate
polymeric material
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020107024473A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110021743A (ko
Inventor
프라샨트 만드릭
지거드 와그너
제프리 에이 실버네일
루이킹 마
줄리아 제이 브라운
린 한
Original Assignee
더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티
유니버셜 디스플레이 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티, 유니버셜 디스플레이 코포레이션 filed Critical 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티
Publication of KR20110021743A publication Critical patent/KR20110021743A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101563763B1 publication Critical patent/KR101563763B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 장치 몸체를 포함하는 전자 장치를 보호하기 위한 방법에 관한 것이다. 방법은 화학 증착에 의해 침착되는 혼성 층의 사용을 포함한다. 혼성 층은 중합체 물질과 비중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 비중합체 물질에 대한 중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95의 범위에 있으며, 중합체 물질과 비중합체 물질은 전구체 물질의 동일한 공급원으로부터 생성된다. 또한 환경 오염물질들의 측면 확산을 방해하기 위한 기술들이 개시된다.

Description

전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들{HYBRID LAYERS FOR USE IN COATINGS ON ELECTRONIC DEVICES OR OTHER ARTICLES}
관련된 출원들
본 출원은 여기에 참고로 포함된 미국 가출원 번호 제61/051,265호(2008년 5월 7일 출원)의 이익을 청구하고 있다.
정부의 권리들
37 C.F.R.§401.14(f)(4)에 의해 요구되는 특정한 언어를 사용하였으며: 본 발명은 미국 육군 연구소(U.S. Army Research Office)에 의해 주어진 승인 번호 제W911QX-06-C-0017호 하에서 정부 지원으로 만들어졌다. 미국 정부는 본 발명에 일정한 권리들을 가진다.
협동 연구 계약
청구된 본 발명들은 산학 협동 연구 계약(joint university corporation research agreement)에 따라서 하나 이상의 다음의 당사자들에 의해, 이들을 대표하며/대표하거나, 이들과 관련하여 만들어졌다: 프린스턴 유니버시티(Princeton University), 더 유니버시티 오브 서던 캘리포니아(The University of Southern California) 및 유니버셜 디스플레이 코포레이션(Universal Display Corporation). 본 계약은 청구된 본 발명들이 만들어진 날에 그리고 그날 이전에 발효되었으며, 청구된 본 발명들은 이 계약의 범위 내에서 수행된 활동들의 결과로서 만들어졌다.
본 발명은 전자 장치들을 위한 배리어 코팅들(barrier coatings)에 관한 것이다.
유기 발광 장치들(OLEDs: organic light-emitting devices)과 같은 유기 전자 장치들은 수증기 또는 산소에 노출될 때 열화되기 쉽다. 수증기 또는 산소에 대한 OLED의 노출을 감소시키기 위한 OLED 위의 보호 배리어 코팅은 장치의 수명과 성능을 개선시키는 것을 도울 수 있었다. 식품 포장에 성공적으로 사용되어 온 산화실리콘, 질화실리콘 또는 산화알루미늄의 필름들을 OLED들에 대한 배리어 코팅들로서 사용하는 것이 고려되어 왔다. 그러나, 이 무기 필름들은 필름을 통한 수증기 및 산소의 어느 정도의 확산을 허용하는 미시적 결함들(microscopic defects)을 가지는 경향이 있다. 몇몇의 경우들에서, 결함들은 쉽게 파손되는 필름에서 크랙들(cracks)로서 개방된다. 이 수준의 물과 산소의 확산은 식품들에 대해서는 용인될 수 있지만, OLED들에 대해서는 용인될 수 없다. 이러한 문제점들에 대처하기 위해, 교호 무기 및 중합체 층들을 사용하는 다층 배리어 코팅들이 OLED들에 대하여 테스트되었으며 수증기 및 산소의 침투에 대해 개선된 저항성을 가지는 것으로 밝혀졌다. 그러나, 이 다층 코팅들은 복잡성과 비용의 단점들을 가진다. 따라서, OLED들을 보호하기 위해 사용하기에 적합한 배리어 코팅들을 형성하는 다른 방법들이 필요하다.
도1은 본 발명의 몇몇의 실시예들을 실행하기 위해 사용될 수 있는 PE-CVD 장치의 개략도를 도시한다.
도2는 일 실시예에 따른 혼성 층의 광 투과 스펙트럼을 도시한다.
도3은 필름의 위에 있는 물방울의 접촉각이 어떻게 측정되는지를 보여준다.
도4는 다양한 O2/HMDSO 가스 유동 비율들 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 접촉각들의 선도를 도시한다.
도5는 PE-CVD 공정 중에 가해진 다양한 전력 레벨들 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 접촉각들의 선도를 도시한다.
도6은 순수 SiO2(열산화물(thermal oxide)) 또는 순수 중합체의 필름들과 비교하여 상대적으로 높은 O2 흐름과 상대적으로 낮은 O2 흐름을 사용하여 형성되는 혼성 층들의 적외선 흡수 스펙트럼들을 도시한다.
도7은 순수 SiO2 필름의 경도와 비교하여 다양한 O2/HMDSO 가스 유동 비율들 하에서 형성되는 다양한 혼성 층들의 나노 인덴테이션 경도의 선도를 도시한다.
도8은 다양한 O2/HMDSO 가스 유동 비율들 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 표면 조도의 선도를 도시한다.
도9는 다양한 전력 레벨들 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 표면 조도의 선도를 도시한다.
도10a 및 10b는 50 ㎛ 두께의 캡톤 폴리이미드(Kapton polyimide) 호일에 침착된 4 ㎛ 두께의 혼성 층의 표면의 광학 현미경 사진들을 도시한다.
도11은 일 실시예에 따른 캡슐화된 OLED의 일부의 단면도를 도시한다.
도12는 배리어 코팅들을 가지는 완전한 OLED들의 가속 환경 테스트들의 결과들을 보인다.
도13은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도14는 다른 실시예에 따른 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진을 보인다.
도15는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도16A 및 16B는 다른 실시예에 따른 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진들을 도시한다.
도17A는 하나의 설정 조건들 하에서 침착된 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진을 보인다. 도17B는 다른 설정 조건들 하에서 침착된 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진을 보인다.
도18A 내지 도18C는 폴리이미드 기판들과 그의 위에 침착된 다양한 혼성 층들 사이의 변형률 미스매치들(strain mismatches)의 선도들을 도시한다.
도19는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도20은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도21은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도22는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도23은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도24는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도25는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도26은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도27은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도28은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도29는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도30은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도31은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도32는 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도33은 다른 실시예에 따른 캡슐화된 OLED를 도시한다.
도34는 혼성 층으로 코팅되는 동안에 기판 홀더에 고정된 OLED를 도시한다.
도35a 내지 도35c는 혼성 층으로 OLED를 코팅하기 위한 방법을 도시한다.
도36은 혼성 층으로 OLED를 코팅하기 위한 다른 방법을 도시한다.
도37a 내지 도37c는 단일 기판 시트의 위에 다수의 OLED들을 만들기 위한 방법을 도시한다.
도38은 OLED의 절단된 엣지를 코팅하기 위한 방법을 도시한다.
도39는 OLED의 절단된 엣지를 코팅하기 위한 다른 방법을 도시한다.
도40a 및 도40b는 단일 기판 시트의 위에 다수의 OLED들을 만들기 위한 다른 방법을 도시한다.
도41은 혼성 층의 침착 중에 OLED로부터 열을 끌어내기 위한 방법을 도시한다.
일 양상에서, 본 발명은 일 표면의 위에 코팅을 형성하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 중합체 물질과 비중합체(non-polymeric) 물질의 혼합물을 포함하는 혼성 층을 이 표면의 위에 침착시키는 단계를 포함한다. 혼성 층은 단일 상 또는 다수의 상들을 가질 수 있다.
여기에서 사용된 바와 같이, "비중합체"라는 용어는 단일의, 명확하게 정의된 분자량과 명확하게 정의된 화학식을 가지는 분자들로 제조되는 물질을 가리킨다. "비중합체" 분자는 상당히 큰 분자량을 가질 수 있다. 몇몇 상황들에서, 비중합체 분자는 반복 단위들을 포함할 수 있다. 여기에서 사용되는 바와 같이, "중합체"라는 용어는 공유 결합된 반복 하위단위들을 가지고 있으며, 중합 반응이 각각의 분자에 대해 상이한 수의 반복 단위들을 초래할 수 있기 때문에 분자마다 변할 수 있는 분자량을 가지는 분자들로 만들어진 물질을 가리킨다. 중합체들은 단일 중합체들 및 블록, 그래프트, 불규칙, 또는 교호 공중합체들과 같은 공중합체들뿐만 아니라 이들의 혼합물들 및 개질물들을 포함하지만, 이들에 한정되지는 않는다. 중합체들은 탄소 또는 실리콘의 중합체들을 포함하지만, 이들에 한정되지는 않는다.
여기에서 사용되는 바와 같이, "중합체 물질과 비중합체 물질의 혼합물"은 본 기술분야에서 통상의 기술을 가진 사람이 순수한 중합체도 아니고 순수한 비중합체도 아니라고 이해하는 조성물을 가리킨다. "혼합물"이라는 용어는 부수적인 양의 비중합체 물질(예를 들어, 당연히 중합체 물질들의 간극들에 존재할 수 있는)을 함유하지만, 그럼에도 불구하고 본 기술분야에서 통상의 기술을 가진 사람이 순수한 중합체인 것으로 여길 어떤 중합체 물질들을 배제하도록 의도된다. 마찬가지로, 이는 부수적인 양의 중합체 물질을 함유하지만, 그럼에도 불구하고 본 기술분야에서 통상의 기술을 가진 사람이 순수한 비중합체인 것으로 여길 어떤 비중합체 물질을 배제하도록 의도된다. 몇몇의 경우에, 혼성 층에서 비중합체 물질에 대한 중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95의 범위에, 바람직하게는 90:10 내지 10:90의 범위에, 보다 바람직하게는 25:75 내지 10:90의 범위에 있다.
층의 중합체/비중합체 조성은 물방울들의 습윤 접촉각들, IR 흡수, 경도, 및 유연성을 포함하는 다양한 기술들을 사용하여 측정될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 혼성 층은 30° 내지 85°의 범위에, 바람직하게는 30° 내지 60°의 범위에, 보다 바람직하게는, 36° 내지 60°의 범위에 있는 습윤 접촉각을 가진다. 습윤 접촉각이 침착된 그대로의 필름의 표면 위에서 측정된다면 조성의 척도가 된다는 것에 유의해야 한다. 습윤 접촉각이 침착 후처리들에 의해 크게 변할 수 있기 때문에, 이와 같은 처리들 후에 행해진 측정들은 이 층의 조성을 정확하게 반영할 수 없다. 이 습윤 접촉각은 유기 실리콘 전구체들로부터 형성되는 폭넓은 범위의 층들에 적용 가능한 것으로 믿어진다. 몇몇 경우들에서, 혼성 층은 3 내지 20 GPa의 범위에, 바람직하게는, 10 내지 18 GPa의 범위에 있는 나노 인덴테이션 경도를 가진다. 몇몇 경우들에서, 혼성 층은 0.1 ㎚ 내지 10 ㎚의 범위에, 바람직하게는, 0.2 ㎚ 내지 0.35 ㎚의 범위에 있는 표면 조도(평균제곱근)를 가진다. 몇몇 경우들에서, 혼성 층은, 50 ㎛ 두께의 폴리이미드 호일 기판 위에 4 ㎛ 두께의 층으로서 침착될 때, 미세구조적 변화들이 0.2%의 인장 변형률(ε)에서, 또는 그 대신에 0.1%의 인장 변형률(ε)에서 1 인치 직경의 롤 위에서 적어도 55,000 롤링 사이클들 후에 관찰되지 않을 정도로 충분히 유연하다. 몇몇 경우들에서, 혼성 층은 크랙들이 적어도 0.35%(본 기술분야에서 통상의 기술을 가진 사람에 의해 생각될 수 있는 바와 같이, 통상적으로 4 ㎛의 순수 산화실리콘 층을 크랙킹시키는 인장 변형률 레벨)의 인장 변형률(ε) 하에서 나타나지 않을 정도로 충분히 유연하다.
"혼합물"이라는 용어는 단일 상을 가지는 조성물들뿐만 아니라 다수의 상들을 가지는 조성물들을 포함하도록 의도된다. 그러므로, "혼합물"은 뒤이어서 침착되는 교호 중합체 및 비중합체 층들을 배제한다. 바꾸어 말하면, "혼합물"로 생각되기 위해서, 층은 동일한 반응 조건들 하에서 및/또는 동일한 시간에 침착되어야 한다.
혼성 층은 전구체 물질의 단일 공급원을 사용하여 화학 증착에 의해 형성된다. 여기에서 사용된 바와 같이, "전구체 물질의 단일 공급원"은 전구체 물질이 반응물 가스의 유무에 관계 없이, CVD에 의해 침착될 때 중합체 및 비중합체 물질들을 형성하기 위해 필요한 모든 전구체 물질들을 제공하는 공급원을 의미한다. 이는 중합체 물질이 하나의 전구체 물질을 사용하여 형성되며, 비중합체 물질이 상이한 전구체 물질을 사용하여 형성되는 방법들을 배제하기 위해 의도된다. 전구체 물질의 단일 공급원을 사용함으로써, 침착 공정은 단순화된다. 예를 들어, 전구체 물질의 단일 공급원은 전구체 물질의 분리된 흐름들에 대한 필요와 이 분리된 흐름들을 공급하며 제어하기 위해 수반되는 필요를 제거할 것이다.
전구체 물질은 단일 화합물 또는 화합물들의 혼합물일 수 있다. 전구체 물질이 화합물들의 혼합물인 때에, 몇몇의 경우들에서, 혼합물에 있는 각각의 상이한 화합물들은, 그 자체로, 전구체 물질로서 독립적으로 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 전구체 물질은 헥사메틸 디실록산(HMDSO)과 디메틸 실록산(DMSO)의 혼합물일 수 있다.
몇몇의 경우들에서, 플라즈마 강화 CVD(PE-CVD)는 혼성 층의 침착을 위해 사용될 수 있다. PE-CVD는 저온 침착, 균일한 코팅 형성, 및 제어 가능한 공정 파라미터들을 포함하는, 다양한 이유들로 인해 바람직할 수 있다. 플라즈마를 발생시키기 위해 RF 에너지를 사용하는 것들을 포함하는, 본 발명에 사용하기에 적합한 다양한 PE-CVD 공정들이 본 기술분야에 공지되어 있다.
전구체 물질은 화학 증착에 의해 침착될 때 중합체 물질과 비중합체 물질 모두를 형성할 수 있는 물질이다. 이와 같은 다양한 전구체 물질들은 본 발명에 사용하기에 적합하며 그들의 다양한 특성들에 대해 선택된다. 예를 들어, 전구체 물질은 그의 화학 원소들의 함량, 그의 화학 원소들의 화학량론적 비율들, 및/또는 CVD 하에서 형성되는 중합체 및 비중합체 물질들에 대해 선택될 수 있다. 예를 들어, 실록산들과 같은 유기 실리콘 화합물들은 이 전구체 물질로 사용하기에 적합한 화합물들의 한 종류다. 실록산 화합물들의 대표적인 예들은 헥사메틸 디실록산(HMDSO) 및 디메틸 실록산(DMSO)을 포함한다. CVD에 의해 침착될 때, 이 실록산 화합물들은 실리콘 중합체들과 같은 중합체 물질들 및 산화 실리콘과 같은 비중합체 물질들을 형성할 수 있다. 전구체 물질은 또한 비용, 무독성, 취급 특성들, 실온에서 액상을 유지하는 능력, 휘발성, 분자량, 등과 같은 다양한 다른 특성들에 대해 선택될 수 있다.
전구체 물질로 사용하기에 적합한 다른 유기 실리콘 화합물들은 메틸실란; 디메틸실란; 비닐 트리메틸실란; 트리메틸실란; 테트라메틸실란; 에틸실란; 디실라노메탄; 비스(메틸실라노)메탄; 1,2-디실라노에탄; 1,2-비스(메틸실라노)에탄; 2,2-디실라노프로판; l,3,5-트리실라노-2,4,6-트리메틸렌; 및 이 화합물들의 불화 유도체들을 포함한다. 전구체 물질로 사용하기에 적합한 페닐 함유 유기 실리콘 화합물들은 디메틸페닐실란 및 디페닐메틸실란을 포함한다. 전구체 물질로 사용하기에 적합한 산소 함유 유기 실리콘 화합물들은 디메틸디메톡시실란; 1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산; 1,3-디메틸디실록산; 1,1,3,3-테트라메틸디실록산; 1,3-비스(실라노메틸렌)디실록산; 비스(1-메틸디실록사닐)메탄; 2,2-비스(1-메틸디실록사닐)프로판; 2,4,6,8-테트라메틸사이클로테트라실록산; 옥타메틸사이클로테트라실록산; 2,4,6,8,10-펜타메틸사이클로펜타실록산; 1,3,5,7-테트라실라노-2,6-디옥시-4,8-디메틸렌; 헥사메틸사이클로트리실록산; 1,3,5,7,9-펜타메틸사이클로펜타실록산; 헥사메톡시디실록산; 및 이 화합물들의 불화 유도체들을 포함한다. 전구체 물질로 사용하기에 적합한 질소 함유 유기 실리콘 화합물들은 헥사메틸디실라잔, 디메틸실라잔, 디비닐테트라메틸디실라잔, 또는 헥사메틸사이클로트리실라잔과 같은 실라잔들; 디메틸비스(N-메틸아세트아미도)실란; 디메틸비스-(N-에틸아세트아미도)실란; 메틸비닐비스(N-메틸아세트아미도)실란; 메틸비닐비스(N-부틸아세트아미도)실란; 메틸트리스(N-페닐아세트아미도)실란; 비닐트리스(N-에틸아세트아미도)실란; 테트라키스(N-메틸아세트아미도)실란; 디페닐비스(디에틸아미녹시)실란; 메틸트리스(디에틸아미녹시)실란; 및 비스(트리메틸실릴)카르보디이미드를 포함한다.
CVD에 의해 침착될 때, 전구체 물질은 전구체 물질의 타입, 어떤 반응물 가스들의 존재, 및 다른 반응 조건들에 따라서 다양한 양들로 다양한 타입의 중합체 물질들을 형성할 수 있다. 중합체 물질은 무기물 또는 유기물일 수 있다. 예를 들어, 유기 실리콘 화합물들이 전구체 물질로서 사용되는 경우에, 침착된 혼성 층은 폴리실록산들, 폴리카르보실란들, 및 폴리실란들뿐만 아니라 유기 중합체들을 형성하기 위해 Si-O 결합들, Si-C 결합들, 또는 Si-O-C 결합들의 중합체 사슬들을 포함할 수 있다.
CVD에 의해 침착될 때, 전구체 물질은 전구체 물질의 타입, 어떤 반응물 가스들의 존재, 및 다른 반응 조건들에 따라서 다양한 양들로 다양한 타입의 비중합체 물질들을 형성할 수 있다. 비중합체 물질은 무기물 또는 유기물일 수 있다. 예를 들어, 유기 실리콘 화합물들이 산소 함유 반응물 가스와 함께 전구체 물질로 사용되는 경우에, 비중합체 물질은 SiO, SiO2, 및 혼합 원자가 산화물들 SiOx와 같은 실리콘 산화물들을 포함할 수 있다. 질소 함유 반응물 가스로 침착될 때, 비중합체 물질은 실리콘 질화물들(SiNx)을 포함할 수 있다. 형성될 수 있는 다른 비중합체 물질들은 실리콘 옥시카바이드 및 실리콘 옥시나이트라이드들을 포함한다.
PE-CVD를 사용할 때, 전구체 물질은 PE-CVD 공정에서 전구체 물질과 반응하는 반응물 가스와 함께 사용될 수 있다. PE-CVD에서 반응물 가스들의 사용은 본 기술분야에 공지되어 있으며 산소 함유 가스들(예를 들어, O2, 오존, 물) 및 질소 함유 가스들(예를 들어, 암모니아)을 포함하는 다양한 반응물 가스들이 본 발명에서 사용하기에 적합하다. 반응물 가스는 반응 혼합물에 존재하는 화학 원소들의 화학량론적 비율들을 변경시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 실록산 전구체 물질이 산소 또는 질소 함유 반응물 가스와 함께 사용될 때, 반응물 가스는 반응 혼합물 내의 실리콘 및 탄소에 대한 산소 또는 질소의 화학량론적 비율들을 변화시킬 것이다. 반응 혼합물에서 다양한 화학 원소들(예를 들어, 실리콘, 탄소, 산소, 질소) 사이의 이러한 화학량론적 관계는 몇몇 방식들로 변경될 수 있다. 하나의 방식은 반응에서 전구체 물질 또는 반응물 가스의 농도를 변경시키는 것이다. 다른 방식은 반응으로 들어오는 전구체 물질 또는 반응물 가스의 유량들을 변경시키는 것이다. 다른 방식은 반응에 사용된 전구체 물질 또는 반응물 가스의 타입을 변경시키는 것이다.
반응 혼합물 내의 원소들의 화학량론적 비율들을 변경시키는 것은 침착된 혼성 층의 중합체 및 비중합체 물질들의 특성들 및 상대적인 양들에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 실록산 가스는 혼성 층 내의 중합체 물질에 대한 비중합체 물질의 양을 조절하기 위해 변하는 양의 산소와 결합될 수 있다. 실리콘 또는 탄소에 대한 산소의 화학량론적 비율을 증가시킴으로써, 실리콘 산화물들과 같은 비중합체 물질의 양이 증가될 수 있다. 유사하게, 산소의 화학량론적 비율을 감소시킴으로써, 실리콘 및 탄소 함유 중합체 물질의 양이 증가될 수 있다. 혼성 층의 조성은 또한 다른 반응 조건들을 조절함으로써 변경될 수 있다. 예를 들어, PE-CVD의 경우에, RF 전력 및 주파수, 침착 압력, 침착 시간, 및 가스 유량들과 같은 공정 파라미터들이 변경될 수 있다.
따라서, 본 발명의 방법들을 사용함으로써, 혼성 중합체/비중합체 특성 및 다양한 적용들에 사용하기에 적합한 특성을 가지는 혼성 층을 형성하는 것이 가능하다. 이와 같은 특성들은 광 투명성(예를 들어, 몇몇의 경우에, 혼성 층은 광학적으로 투명하다), 불투과성, 유연성, 두께, 접착력, 및 다른 기계적 특성들을 포함한다. 예를 들어, 이 특성들 중의 하나 이상이 혼성 층 내의 중합체 물질의 중량%를 변경시키고 나머지는 비중합체 물질이 되게 함으로써 조절될 수 있다. 예를 들어, 원하는 수준의 유연성 및 불투과성을 달성하기 위해, 중합체 물질 중량%는 바람직하게는 5 내지 95%의 범위에, 보다 바람직하게는 10 내지 25%의 범위에 있을 수 있다. 그러나, 다른 범위도 또한 적용에 따라 가능하다.
산화실리콘과 같은 순수한 비중합체 물질들로 이루어진 배리어 층들은 광 투명성, 양호한 접착력, 및 양호한 필름 응력과 관련된 다양한 이점들을 가질 수 있다. 그러나, 이 비중합체 층들은 이 층을 통한 수증기 및 산소의 확산을 허용하는 미시적 결함들을 포함하는 경향이 있다. 약간의 중합체 특성을 비중합체 층에 제공함으로써, 순수한 비중합체 층의 유리한 특성들을 크게 변경시키지 않고 이 층의 투과성을 감소시킬 수 있다. 이론에 구속되고자 하는 의도가 없이, 본 발명자들은 혼성 중합체/비중합체 특성을 가지는 층이 결함들, 특히 미세 크랙들(microcracks)의 크기 및/또는 수를 감소시킴으로써 이 층의 투과성을 감소시킨다고 믿는다.
몇몇 경우들에서, 본 발명의 코팅은 다수의 혼성 층들을 가질 수 있으며, 각각의 혼성 층의 조성은 독립적으로 변할 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 하나의 혼성 층의 중량% 비는 코팅에 있는 다른 혼성 층과 적어도 10 중량%의 차이가 난다. 각각의 혼성 층의 두께도 또한 독립적으로 변할 수 있다. 상이한 혼성 층들은 이 혼성 층을 침착시키기 위해 사용되는 반응 조건들을 순차적으로 조절함으로써 생성될 수 있다. 예를 들어, PE-CVD 공정에서, 반응 혼합물에 제공되는 반응물 가스의 양은 다수의 혼성 층을 만들기 위해 순차적으로 조절될 수 있으며, 각각의 혼성 층은 분리되며(discrete) 상이한 조성을 가진다.
코팅이 그의 조성이 하나의 높이로부터 다른 높이로 대체로 연속적으로 변하는 영역을 가지는 경우에, 그 영역의 내에 있는 혼성 층은 매우 얇을 수 있으며, 심지어 코팅의 내에 있는 가장 작은 분자 단위만큼 얇을 수 있다. 예를 들어, 코팅은 비중합체 물질에 대한 중합체 물질의 중량% 비가 연속적으로 변하는 영역을 가질 수 있다. 연속적인 변경은 선형적이거나(예를 들어, 비중합체 물질에 대한 중합체 물질의 중량% 비가 더 높은 높이로 갈 때 꾸준히 증가할 수 있다) 비선형적(예를 들어, 주기적으로 증가하며 감소한다)일 수 있다.
복수의 혼성 층들이 진공 하에서 침착되는 경우에, 진공은 혼성 층들의 침착 사이에 파괴될 수 있다. 이 단계는 이 층들 사이에 최소의 불연속부를 형성하기 위해 독립적으로 침착된 층들의 능력을 향상시키기에 유용할 수 있다. 예를 들어, 진공 파괴 중에 대기의 산소에 대한 침착된 층의 노출은 이 층을 산화시키며 그의 접착성을 개선시킬 수 있다.
복수의 혼성 층들이 사용되는 경우에, 뒤이어 침착된 혼성 층은 밑에 놓인 혼성 층의 엣지들의 위에 연장되도록 만들어질 수 있다(즉, 뒤이어 침착된 혼성 층은 밑에 놓인 혼성 층보다 더 큰 커버리지 영역(footprint)을 가진다). 이 구성은 환경적인 오염물질들(예를 들어, 수분 또는 산소)의 측면 침입으로부터 혼성 층의 엣지들을 보호하기에 유용할 수 있다. 게다가, 다른 중합체 층들이 복수의 혼성 층들 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도21에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(240)는 기판(242)에 설치되는 OLED 몸체(244)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(244)는 OLED 몸체(244)의 엣지들의 위에 연장되는 제1 혼성 층(250)으로 코팅된다. 제1 혼성 층(250)은 중합체 층(254)으로 코팅되며, 그 다음에 중합체 층(254)의 엣지들 및 OLED 몸체(244)의 위에 연장되어 기판(242)의 표면과 접촉하는 제2 혼성 층(252)으로 코팅된다. 제1 혼성 층(250)의 엣지를 커버함으로써, 제2 혼성 층(252)은 제1 혼성 층(250)의 엣지로부터 나온 환경적인 오염물질들의 측면 침입을 방해하는 역할을 한다.
혼성 층은 다양한 타입의 물품들의 위에 침착될 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 물품은 OLED와 같은 유기 전자 장치일 수 있다. OLED에 대하여, 혼성 층은 수증기 및 산소의 침투에 저항하는 배리어 코팅으로 작용할 수 있다. 예를 들어, 10-6 g/m2/일보다 작은 수증기 투과율 및/또는 10-3 cm3/m2/일보다 작은(또는 몇몇의 경우들에는 10-4cm3/m2/일보다 작은) 산소 투과율을 가지는 혼성 층은 OLED들을 보호하기에 적합할 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 혼성 층의 두께는 0.1에서부터 10 ㎛까지의 범위일 수 있지만, 다른 두께들도 또한 적용에 따라 사용될 수 있다. 또한, 광 투명성을 부여하는 두께 및 물질 조성을 가지는 혼성 층들은 OLED들에 사용하기에 적합할 수 있다. 유연한 OLED들에 사용하기 위해, 혼성 층은 원하는 양의 유연성을 가지도록 디자인될 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 혼성 층은 의약품들, 의료 장치들이나 임플란트들, 생물학적 제제들, 생물학적 샘플들, 바이오센서들, 또는 민감한 측정 장치와 같은, 환경에 노출 시에 열화에 민감한 다른 물품들에 사용될 수 있다.
몇몇의 경우들에서, 혼성 층은 또한 혼합되지 않은 중합체 층 또는 혼합되지 않은 비중합체 층과 같은, 전구체 물질의 동일한 단일 공급원을 사용함으로써 형성될 수 있는 혼합되지 않은 층과 함께 사용될 수 있다. 혼합되지 않은 층은 혼성 층이 침착되기 전에 또는 후에 침착될 수 있다.
어떤 다양한 타입의 CVD 반응기들이라도 본 발명의 방법들을 실행하기 위해 사용될 수 있다. 일 예로서, 도1은 본 발명의 몇몇의 실시예들을 실행하기 위해 사용될 수 있는 PE-CVD 장치(10)를 도시한다. PE-CVD 장치(10)는 반응 챔버(20)를 포함하며 전자 장치(30)는 홀더(24)에 탑재된다. 반응 챔버(20)는 진공을 가지도록 디자인되고 진공 펌프(70)는 적절한 압력을 생성시키며/시키거나 유지시키기 위해 반응 챔버(20)에 연결된다. N2 가스 탱크(50)는 장치(10)를 퍼징하기 위해 N2 가스를 제공한다. 반응 챔버(20)는 반응에 의해 생성된 열을 감소시키기 위해 냉각 시스템을 더 포함할 수 있다.
가스들의 흐름을 통제하기 위해, 장치(10)는 또한 수동 또는 자동 제어될 수 있는 다양한 유동 제어 메커니즘들(질량 유동 제어기들(80), 셧오프 밸브들(shut-off valves)(82), 및 체크 밸브들(84) 등)을 포함한다. 전구체 물질 공급원(40)은 증발되어 반응 챔버(20)로 공급되는 전구체 물질(예를 들어, 액체 형태의 HMDSO)을 제공한다. 몇몇의 경우들에서, 전구체 물질은 아르곤과 같은 캐리어 가스를 사용하여 반응 챔버(20)로 이송될 수 있다. 반응물 가스 탱크(60)는 반응물 가스(예를 들어, 산소)를 제공하며, 이 반응물 가스는 또한 반응 챔버(20)로 공급된다. 전구체 물질과 반응물 가스는 반응 혼합물(42)을 생성시키기 위해 반응 챔버(20)로 유동된다. 전구체 물질과 반응물 가스는 반응 챔버(20)로 분리되어 유동될 수 있거나, 반응 챔버(20)에 들어가기 전에 미리 혼합될 수 있다. 반응 챔버(20) 내부의 압력은 침착 압력을 달성하기 위해 더 조절될 수 있다. 반응 챔버(20)는 도체들 또는 절연체들일 수 있는 전극 지지대들(standoffs)(26)에 설치되는 한 세트의 전극들(22)을 포함한다. 장치(30)와 전극들(22)의 다양한 배열이 가능하다. 다이오드(diode)나 트리오드(triode) 전극들, 또는 원격 전극들(remote electrodes)이 사용될 수 있다. 장치(30)는 도1에 도시된 바와 같이 이격되어 배치될 수 있거나, 다이오드 구성의 하나 또는 양쪽의 전극들에 설치될 수 있다.
전극들(22)은 반응 혼합물(42)에 플라스마 조건들을 생성시키기 위해 RF 전력을 공급받는다. 플라즈마에 의해 생성된 반응 생성물들은 전자 장치(30) 위에 침착된다. 반응은 전자 장치(30) 위에 혼성 층을 침착시키기에 충분한 시간 동안 진행되도록 허용된다. 반응 시간은 전극들(22)에 대한 장치(30)의 위치, 침착되는 혼성 층의 타입, 반응 조건들, 혼성 층의 원하는 두께, 전구체 물질, 및 반응물 가스와 같은 다양한 요소들에 따를 것이다. 반응 시간은 5 초 내지 5 시간 사이의 시간일 수 있지만, 더 길거나 더 짧은 시간도 또한 적용에 따라 사용될 수 있다.
아래의 표 1은 3가지 예의 혼성 층들을 만들기 위해 사용된 반응 조건들을 보여준다. 예 1의 혼성 층은, 물방울들의 습윤 접촉각으로부터 측정될 때, 대략 7% 중합체 물질과 93% 비중합체 물질을 함유하였다. 예 2의 혼성 층은, 물방울들의 습윤 접촉각으로부터 측정될 때, 대략 94% 중합체 물질과 6% 비중합체 물질을 함유하였다. 예 3의 혼성 층은, 물방울들의 습윤 접촉각으로부터 측정될 때, 대략 25% 중합체 물질과 75% 비중합체 물질을 함유하였다. 예 1 내지 예 3의 각각에서, 반응 조건들이 침착 공정의 전체에 걸쳐 일정하게 유지되었다면, 혼성 층은 전체에 걸쳐 균질의 조성을 가지는 단일 상으로 존재한다. 또한 예 1 내지 예 3에 의해 보여지는 바와 같이, 혼성 층은 적어도 800 Å의 두께에 걸쳐, 그리고 몇몇의 경우들에는, 800 Å 내지 60,000 Å 범위의 두께에 걸쳐 균질의 조성을 가지는 단일 상으로 존재할 수 있다. 그러나, 다른 실시예들에서, 위에 설명된 방식으로 반응 조건들을 변졍함으로써, 혼성 층은 각각이 상이한 조성을 가지는, 다수의 상이한 하위층들(sublayers)에 의한 다수의 상들을 가질 수 있다.
혼성 층 HMDSO 공급원 온도(℃) HMDSO 가스 유량(sccm) O2 가스 유량(sccm) 압력
(m torr)		 RF 전력
(W)		 침착
시간
(분)		 필름 두께
(Å)
예 1 33 0.4 300 600 5 30 800
예 2 33 10 13 130 18 10 1,600
예 3 33 1.5 50 150 60 135 60,000
도2는 예 3의 혼성 층의 광 투과 스펙트럼을 보여준다. 이 혼성 층은 근자외선 스펙트럼에서부터 근적외선 스펙트럼까지 90%보다 더 큰 투과율을 가진다. 도3은 필름 위에서 물방울의 접촉각이 어떻게 측정되는지를 보여준다. 도4는 순수 SiO2 필름 및 순수 중합체 필름의 접촉각들과 비교하여 다양한 O2/HMDSO 가스 유동 비율들 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 접촉각들의 선도이다. 혼성 층들의 접촉각들은 침착 공정에서 산소 유량이 증가함에 따라 순수 SiO2 필름의 접촉각에 근접한다.
도5는 PE-CVD 공정 중에 가해진 다양한 전력 레벨 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 접촉각들의 선도이다. 혼성 층들의 접촉각들은 전력 레벨이 증가함에 따라 순수 SiO2 필름의 접촉각에 근접하며, 이는 더 높은 전력 레벨이 O2를 더 강한 산화제로 만든다는 사실에 기인한 것일 수 있다. 도6은 순수 SiO2(열산화물) 또는 순수 중합체의 필름들과 비교하여 상대적으로 높은 O2 유동 및 상대적으로 낮은 O2 유동을 사용하여 형성되는 혼성 층들의 적외선 흡수 스펙트럼을 보여준다. 높은 O2 혼성 층은 Si-O-Si 밴드에서 강한 피크들을 보여준다. 열산화물(순수 SiO2) 필름에 대한 Si-CH3 밴드의 공칭 피크들은 Si-O 진동들과 관련되는 것으로 믿어지고 있다. 도7은 순수 SiO2 필름의 경도와 비교하여 다양한 O2/HMDSO 가스 유동 비율들 하에서 형성되는 다양한 혼성 층들의 나노 인덴테이션 경도의 선도이다. 혼성 층들의 경도는 침착 공정에서 산소 유량이 증가함에 따라 증가하며, 이 혼성 층들은 순수 SiO2 필름들만큼 단단할 수 있으며, 그러면서도 질기며 매우 유연할 수 있다.
도8은 원자력 현미경에 의해 측정된, 다양한 02/HMDS0 가스 유동 비율들 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 표면 조도(평균제곱근)의 선도이며, 침착 공정에 사용되는 O2 유량들이 증가하면 표면 조도가 감소한다는 것을 보여준다. 도9는 원자력 현미경에 의해 측정된, 다양한 전력 레벨 하에서 형성되는 몇몇 혼성 층들의 표면 조도(평균제곱근)의 선도이며, 침착 공정에 사용되는 전력 레벨이 증가하면 표면 조도가 감소한다는 것을 보여준다.
도10a 및 도10b는 50 ㎛ 두께의 캡톤 폴리이미드 호일 위의 4 ㎛ 혼성 층(위의 예 3과 동일한 공급원 온도, 가스 유량, 압력 및 RF 전력 하에서 침착된)의 표면의 광학 현미경 사진들을 보여준다. 도10a에서, 이미지들은 코팅된 호일이 1 인치 직경의 롤(인장 변형률 ε = 0.2%)에서 사이클릭 롤링을 받기 전과 후에 획득되었다. 미세 구조적 변화가 58,600 롤링 사이클 후에도 관찰되지 않았다. 도10b에서, 코팅된 호일은 인장 변형률의 증가를 받았으며, 이미지들은 제1 크래킹(14 ㎜의 롤 직경)의 발생 후에 그리고 다량의 크래킹(2 ㎜의 롤 직경) 후에 획득되었다. 이 유연성의 결과들은 본 발명의 방법들이 매우 유연한 코팅을 제공할 수 있다는 것을 증명한다.
도11은 기판(150) 위에 있는 OLED 몸체(140), 및 배리어 코팅(110)으로서 위의 예 3의 혼성 층을 포함하는 캡슐화된 OLED(100)의 일 부분의 단면도를 도시한다. 도12는 배리어 코팅들을 가지는 완전한 OLED들의 가속 환경 테스트들의 결과들을 보여준다. 저면 발광 OLED들 및 투명 OLED들 모두가 예 3의 6 ㎛ 두께 혼성 층으로 코팅되었다. 그 다음에 이 장치들은 65℃ 와 85% 상대 습도에서 환경 챔버에 저장되었다. 이미지들은 초기 시점에서와 지시된 시간 간격들 이후의 OLED들의 상태를 보여준다. OLED들은, 본 발명의 방법들이 환경 노출의 열화의 영향들에 대하여 효과적으로 보호하는 코팅을 제공할 수 있다는 것을 증명하면서, 1000 시간이 훨씬 지난 후에도 계속해서 기능을 하였다.
혼성 층이 전자 장치에 대한 환경 배리어로서 사용되는 경우들에서, 혼성 층은 전자 장치가 배치되는 표면으로서, 전자 장치에 대한 커버로서, 또는 둘 모두로서 작용할 수 있다. 예를 들어, 하나의 혼성 층은 전자 장치를 커버하기 위해 전자 장치 위에 침착될 수 있으며 다른 혼성 층은 전자 장치가 배치되는 표면을 제공하기 위해 전자 장치 하부에 있는 기판 위에 침착될 수 있다. 이런 방식으로, 전자 장치는 2개의 혼성 층들 사이에 밀봉된다.
예를 들면, 도13에 도시된 실시예를 참조하면, 캡슐화된 OLED(160)는 그의 위에 침착된 혼성 층(162)을 가지는 기판(150)을 포함한다. OLED(전극들을 포함)의 몸체(140)는 혼성 층(162)의 표면 위에 배치된다. 혼성 층(162)과 동일한 조성을 가지거나 가지지 않을 수 있는 다른 혼성 층(164)은 콘포멀 코팅(conformal coating)으로서 OLED 몸체(140) 위에 침착된다. 이와 같이, OLED 몸체(140)의 상부를 커버하는 것에 추가하여, 혼성 층(164)은 또한 OLED 몸체(140)의 측면들의 아래로 연장되며 혼성 층(162)의 표면과 접촉한다. 이런 방식으로, OLED 몸체(140)는 혼성 층(162)과 혼성 층(164) 사이에 끼이게 된다.
몇몇 실시예들에서, 혼성 층이 침착되는 표면은 이 표면과 혼성 층 사이의 계면 접착력을 증가시키기 위해 혼성 층을 침착시키기 전에 전처리될 수 있다. 표면 전처리는 표면의 접착력의 향상, 표면 화학성의 개질(예를 들어, 표면 활성화), 표면 조도의 변경, 표면 에너지의 증가, 표면의 평탄화, 및/또는 표면의 청결화를 포함하는 다양한 표면 특성들을 변경시킬 수 있다. 표면과 혼성 층 사이의 계면 접착력을 증가시킴으로써, 이 특징이 혼성 층의 엣지들로부터 환경 오염물질들(수분 또는 산소와 같은)의 측면 확산을 감소시키기에 유용할 수 있다.
기계적 마모, 화학적 처리들(예를 들어, 산화제들에 대한 노출, 작용기들의 도입에 의한 활성화) 또는 물리화학적 처리들(예를 들어, 플라즈마에 대한 노출, 코로나 방전, 또는 UV 조사)을 포함하는, 표면과 혼성 층 사이의 계면 접착력을 증가시킬 수 있는 다양한 타입의 표면 처리들이 본 발명에서 사용하기에 적합하다. 플라즈마 처리가 사용되는 경우에, 처리는 혼성 층을 침착시키기 위해 사용되는 동일한 챔버에서 실행될 수 있거나, 플라즈마 처리는 별도의 장치에서 실행될 수 있으며, 이 경우에, 배럴 타입 플라즈마 시스템들과 평행판 타입의 플라즈마 시스템들을 포함하여, 본 기술분야에 공지된 다양한 타입의 플라즈마 처리 장치들 중 어떤 것이라도 사용될 수 있다.
산소, 수소, 질소, 아르곤, 암모니아, 또는 이들의 혼합물들과 같은 가스들을 포함하여, 종래에 플라즈마 처리들에 사용된 다양한 가스들 중 어떤 것이라도 표면을 전처리하기에 적합할 수 있다. 특히 바람직한 가스들은 산소 및 아르곤을 포함한다. 다른 가스들이 상이한 방식으로 표면을 개질하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 아르곤 가스를 사용한 플라즈마 처리는 아르곤 이온들로 표면에 충격을 가할 것이며, 이는 표면을 청결하게 할 수 있거나 원자 스케일에서 표면을 더 거칠게 만들어, 혼성 층에 부착되는 성능을 개선시킬 수 있다. 산소를 사용한 플라즈마 처리는 산소 함유 작용기들로 표면을 화학적으로 활성화시킬 수 있으며, 이는 혼성 층과 결합들을 형성할 수 있다. 원하는 표면 특성을 얻기 위해, 전력, 주파수, 지속시간, 압력, 또는 온도를 포함하는, 플라즈마 처리 공정의 다양한 다른 파라미터들이 조절될 수 있다.
몇몇의 경우들에서, 표면은 표면과 혼성 층 사이에 개재 층을 배치함으로써 전처리될 수 있다. 개재 층은 표면과 혼성 층 사이의 계면 접착력을 개선시키도록 작용할 수 있는 다양한 임의의 물질들을 포함한다. 예를 들어, 개재 층에 사용하기에 적합한 물질들은 질화실리콘, 크롬, 티타늄, 니켈-티타늄 합금, 또는 유전체 물질을 포함한다. 이 층은 화학 증착, 플라즈마 증착 또는 스퍼터링을 포함하는, 종래에 얇은 필름들의 침착에 사용되는 다양한 기술들을 사용하여 침착될 수 있다. 개재 층의 두께는 특정한 적용에 따라 바뀔 것이다. 몇몇의 경우들에서, 개재 층은 단일 원자 또는 단일 분자 층일 수 있거나, 또는 50 ㎚까지의 두께를 가질 수 있지만, 다른 경우에는 상이한 두께들도 또한 가능하다. 개재 층의 물질은 개재 층의 위나 아래에 있는 층들 또는 구조물의 물질들과 추가로 화학 반응을 할 수 있다.
도14는 에칭된 실리콘 웨이퍼 위에 침착된 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진(SEM)을 보여준다. 실리콘 웨이퍼의 에칭되지 않은 부분(5 ㎛ 단차 높이를 가지는 융기된 엣지로서 도14의 좌측에 도시된)은 80 ㎚ 크롬 필름으로 커버되었으며, 이는 또한 실리콘 웨이퍼의 에칭 중에 에칭 마스크로서 기능을 하였다. 실리콘 웨이퍼의 에칭된 부분(도14의 우측에 도시된)은 크롬 필름으로 전처리되지 않았다. 혼성 층은 다음의 조건들 하에서 실리콘 웨이퍼의 양쪽 모두의 부분들의 위에 PE-CVD에 의해 침착되었다:
HMDSO 가스 유량(sccm) O2 가스 유량(sccm) 압력(m torr) RF 시작 전력(W) RF 침착 전력(W) 총 침착 시간(분) 층 두께(㎛)
1.55 50 110 - 150 60 60 50* 2.5
* 각각 25분의 2회의 간헐적인 시간에서, 각각의 시간 사이에 냉각됨.
간헐적인 침착 공정의 가열 및 냉각 사이클들을 통과한 실리콘 웨이퍼 기판의 평균 온도는 80℃(약 22℃의 시작 온도 및 약 160℃의 종료 온도를 가지는)보다 높았다. 크롬 처리된 표면 위에, 혼성 층은 치밀한 미세 구조를 가졌다. 그러나, 처리되지 않은 표면 위에, 배리어 층은 불규칙한, 원주형의 미세 구조를 가졌다. 형태학적 차이들에 기초하여, 크롬 처리된 표면(치밀한 미세 구조를 갖는) 위에 있는 혼성 층은 처리되지 않은 표면 위에 침착된 혼성 층보다 수분과 산소에 의해 보다 적게 투과될 것으로 예상될 수 있다.
몇몇의 경우들에서, 개재 층은 하나 이상의 평탄화 하위층들 및 하나 이상의 접착 촉진 하위층들을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 미국 특허 제6,597,111호(Silvernail 등)와 미국 특허 제7,187,119호(Weaver)는 교호하는 일련의 중합체 평탄화 하위층들 및 고밀도 하위층들로 형성되는 배리어 층들을 설명하고 있다. 중합체 평탄화 하위층은 매끄러운 표면을 형성하는 중합체 평탄화 물질을 포함한다. 고밀도 하위층은 환경 오염물질들의 확산이 방해될 정도로 충분히 가까운 원자 간격을 가지는 고밀도 물질(예를 들어, 무기, 세라믹, 또는 유전체 물질)을 포함한다. 다른 예에서, 개재 층은 스핀 코팅된(spin-coated) 중합체 층들 및 혼성 층들(위에 설명된 방식으로 침착된); 또는 SiNx 층들 및 혼성 층들; 또는 스핀 코팅된 중합체 층들 및 SiNx 층들의 다수의 교호하는 층들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 도15에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(176)는 중합체 물질의 평탄화 하위층(170)으로 코팅되는 기판(150)을 포함한다. 접착 촉진 하위층(172)은 평탄화 하위층(170)의 위에 배치된다. OLED(전극들을 포함하는)의 몸체(140)는 접착 촉진 하위층(172)의 표면 위에 배치된다. 그 다음에 혼성 층(174)이 콘포멀 코팅으로서 OLED 몸체(140)의 위에 침착된다. 이와 같이, OLED 몸체(140)의 상부를 커버하는 것에 추가하여, 혼성 층(174)은 또한 OLED 몸체(140)의 측면들의 하부로 연장되며 접착 촉진 하위층(172)의 표면과 접촉한다. 이런 방식으로, 혼성 층(174)과 접착 촉진 하위층(172) 사이의 접착은 계면 영역을 통한 환경 오염물질들의 측면 확산을 감소시킬 수 있다.
위에 설명된 바와 같이, 침착 조건들은 상이한 구조들, 조성들, 및/또는 환경 오염물질들에 대한 투과성 및 혼성 층이 침착된 표면에 접착되는 능력을 포함하는 특성들을 가지는 혼성 층들을 제공하기 위해 변경될 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 침착 온도(예를 들어, 기판의 가열과 냉각을 통해)는 혼성 층의 투과성을 감소시키도록 제어될 수 있다. 도16A 및 도16B는 에칭된 실리콘 웨이퍼의 위에 침착된 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진(SEM)을 보여준다. 실리콘 웨이퍼의 에칭되지 않은 부분(융기된 엣지로서 도16A 및 도16B의 우측에 도시된)은 얇은 크롬 필름으로 커버되었으며, 이는 또한 실리콘 웨이퍼의 에칭 중에 에칭 마스크로서 기능을 하였다. 실리콘 웨이퍼의 에칭된 부분(도16A 및 도16B의 좌측에 도시된)은 얇은 크롬 필름으로 전처리되지 않았다. 혼성 층은 다음의 조건들 하에서 PE-CVD에 의해 실리콘 웨이퍼의 양쪽 부분들의 위에 침착되었다:
HMDSO 가스 유량(sccm) O2 가스 유량(sccm) 압력(m Torr) RF 시작 전력(W) RF 침착 전력(W) 총 침착 시간(분) 층 두께(㎛)
1.25 40 95 - 125 25 50 90* 4
* 각각 5분의 16회의 간헐적인 시간에서, 각각의 시간 사이에 냉각됨.
간헐적인 침착 공정의 가열 및 냉각 사이클들을 통과한 실리콘 웨이퍼 기판의 평균 온도는 약 35℃이었다. 간헐적인 침착 공정에서, 침착 온도를 제어하는 하나의 방식은 가열의 수 또는 시간 및/또는 사이클들을 조절하는 것이다. 이와 같이, 이 혼성 층은 더 짧은 시간의 가열 사이클들 및 더 많은 수의 냉각 사이클들로 침착되었기 때문에, 평균 침착 온도는 도14에 도시된 혼성 층을 침착시키기 위해 사용된 온도보다 더 낮았다. 결과적으로, 실리콘 웨이퍼의 크롬 처리된 표면과 처리되지 않은 표면(bare surface) 양쪽 모두의 위에 있는 혼성 층은 불규칙한, 원주형의 미세 구조를 가진다. 또한, 단차의 측면들의 위에는 빈약한 커버리지(coverage)가 있다. 따라서, 일정 범위 내의 더 높은 침착 온도를 사용하여 형성된 혼성 층은 더 낮은 침착 온도를 사용하여 형성된 혼성 층보다 더 낮은 투과성을 가질 것으로 예상될 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 혼성 층은 40℃ 내지 90℃의 범위에 있는 침착 온도 하에서 침착된다.
몇몇의 경우들에서, 침착 전력은 혼성 층의 투과성을 감소시키기 위해 제어될 수 있다. 도17A는 저면 발광 OLED 스택 위에 침착된 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진(SEM)을 보여준다. 혼성 층은 다음의 조건들 하에서 PE-CVD에 의해 침착되었다:
HMDSO 가스 유량(sccm) O2 가스 유량(sccm) 압력(mTorr) RF 시작 전력(W) RF 침착 전력(W) 총 침착 시간(분) 층 두께(㎛)
1.25 40 가변* 24 50 115* 5
* 다음의 간헐적인 시간들에서: 100 mTorr에서 9분, 뒤이어서 100 mTorr에서 8회 6분, 뒤이어서 130 mTorr에서 8분, 뒤이어서 150 mTorr에서 10분, 뒤이어서 125 mTorr에서 9분, 뒤이어서 150 mTorr에서 7분, 뒤이어서 125 mTorr에서 8분, 뒤이어서 150 mTorr에서 10분, 뒤이어서 125 mTorr에서 8분, 및 뒤이어서 125 mTorr에서 9분.
더 높은 침착 전력은 단량체 분열을 향상시키는 것으로 믿어지고 있다. 따라서, 24 W에서부터 50 W까지 전력을 점차 증가시킴으로써, 혼성 층에 있는 각각의 뒤이어지는 계층은 더 많은 산화물 유사 특성 및 더 적은 중합체 유사 특성을 띠는 것으로 관찰된다. 도17A에서, 표면에 가장 가까운 혼성 층의 계층(더 낮은 전력 하에서 침착된)은 다공성의, 중합체 유사 미세 구조를 가지며, 표면으로부터 보다 멀리 떨어진 계층(더 높은 전력 하에서 침착된)은 더 치밀한, 산화물 유사 미세 구조를 가진다.
도17B는 다음의 조건들 하에서 상면 발광 OLED 스택의 위에 PE-CVD에 의해 침착된 다른 혼성 층의 단면의 주사 전자 현미경 사진(SEM)을 보여준다:
HMDSO 가스 유량(sccm) O2 가스 유량(sccm) 압력
(mTorr)		 RF 시작 전력(W) RF 침착 전력(W) 총 침착 시간(분) 층 두께(㎛)
1.55 50 110 - 150 55 60 135* 6
* 각각 10분의 12회의 간헐적인 시간에서, 각각의 시간 사이에 냉각됨.
도17A에 도시된 혼성 층과 비교하여, 더 높은 침착 전력이 도17B에 도시된 혼성 층을 침착시키기 위해 사용되었다. 결과적으로, 이 혼성 층은 도17A에 도시된 혼성 층의 미세 구조보다 더 치밀한 미세 구조를 가진다. 따라서, 더 높은 침착 전력을 사용하여 형성된 혼성 층은 더 낮은 침착 전력을 사용하여 형성된 혼성 층보다 더 낮은 투과성을 가지는 것으로 예상될 수 있다.
2개의 유사하지 않은 물질들이 서로 긴밀히 접촉되게 배치되는 경우에, 이와 같은 접촉은 특히 2개의 물질들 사이의 계면에서 응력들을 일으킬 수 있다. 따라서, 몇몇 실시예들에서, 혼성 층의 잔류 내부 응력은 크래킹, 보이드(void), 버클링(buckling), 또는 박리(delamination)와 같은, 혼성 층의 응력 유도 결함들의 발생을 감소시키기 위해 제어될 수 있다. 혼성 층의 내부 응력을 제어하는 하나의 방식은 침착 조건들을 조절하는 것이다.
도18A 내지 도18C는 25 ㎛ 두께의 캡톤-E 폴리이미드 기판들과 상이한 조건들 하에서 그의 위에 침착된 다양한 혼성 층들(320 내지 600 ㎚ 두께의) 사이의 변형률 미스매치들을 보여준다. 양의 미스매치들은 혼성 층의 인장 응력에 상응하며 음의 미스매치들은 혼성 층의 압축 응력에 상응한다. 도18A를 참조하면, 침착 전력 및 가스 유량이 일정하게 유지되면서 100 mTorr에서부터 150 mTorr까지 침착 압력을 증가시킴으로써 더 큰 인장 응력이 혼성 층에서 생성되는 결과를 초래한다. 도18B를 참조하면, 침착 압력 및 가스 유량이 일정하게 유지되면서, 50 W에서부터 80 W까지 침착 전력을 증가시킴으로써 더 큰 압축 응력이 혼성 층에서 생성되는 결과를 초래한다. 도18C를 참조하면, 침착 압력 및 전력이 일정하게 유지되면서, 1.0/34에서부터 2.0/67까지 HMDSO/O2 가스 유량을 증가시킴으로써 더 큰 인장 응력이 혼성 층에서 생성되는 결과를 초래한다.
이 결과들은 혼성 층의 내부 응력이 침착 파라미터들을 변경시킴으로써 조정될 수 있다는 것을 나타낸다. 이 결과들은 또한 혼성 층의 응력이 최소화될 수 있는 침착 파라미터들의 최적의 세트가 있다는 것을 나타낸다. 예를 들어, 하나의 침착 파라미터는 혼성 층의 압축 응력을 생성하기 위해 조정될 수 있으며 다른 침착 파라미터는 혼성 층의 매칭하는 인장 응력을 생성하기 위해 조정될 수 있으며, 0 또는 0에 가까운 잔류 순 응력을 초래한다. 다층 코팅이 복수의 혼성 층들을 포함하는 경우에, 코팅의 전체 응력을 제어하기 위해 각각의 혼성 층의 응력을 또한 개별적으로 조정할 수 있다. 예를 들어, 각각의 혼성 층은 코팅의 전체 응력의 평형을 유지하기 위해, 또는 표면으로부터의 거리를 증가시킴과 함께 혼성 층의 응력의 양을 점차 증가시키기 위해 조정될 수 있다.
서로 긴밀히 접촉되게 배치되는 2개의 유사하지 않은 물질들은 또한 상이한 열팽창 계수들(CTE)로부터 생기는 잔류 응력들을 일으킬 수 있다. 따라서, 몇몇 실시예들에서, 혼성 층의 조성은 인접한 구조(예를 들어, 중합체 기판 또는 금속/무기 산화물 상호 연결물들)의 열팽창 계수에 더 가깝게 매칭시키기 위해 조정될 수 있다. 예를 들어, 혼성 층의 CTE는 기판의 CTE와 더 가깝게 매칭시키기 위해 비중합체 물질에 대한 중합체 물질의 상대적인 비율을 조절함으로써 증가되거나 감소될 수 있다.
전자 장치가 기초(즉, 기초 표면)로서 역할을 하는 표면의 위에 배치되는 몇몇 실시예들에서, 혼성 층 및/또는 표면은 기초 물질 그 자체를 통한 또는 기초 표면과 혼성 층 사이의 계면을 통한 측면 확산에 의한 환경 오염물질들(예를 들어, 수분 또는 산소)의 침투를 감소시키기 위해 엣지 배리어를 더 포함할 수 있다. 기초는 여기에 설명된 물질들 중의 임의의 것이나 그의 위에 전자 장치를 배치시키는데 사용되는 것으로 공지된 어떤 다른 물질(예를 들어, 금속 호일 기판들 또는 배리어-코팅된 플라스틱 기판들의 위의 평탄화 및/또는 절연 층들에 사용된 물질들)로 형성될 수 있다. 본 기술분야에 공지된 바와 같은 다양한 타입의 엣지 배리어들 중의 어떤 것도 본 발명에 사용하기에 적합하다. 몇몇의 경우들에서, 엣지 배리어는 전자 장치의 주변에 인접한 영역들에서 기초 표면에 혼성 층을 결합시킴으로써 형성될 수 있다. 결합은 이 영역들에 가열 밀봉이나 접착제(예를 들어, 에폭시계 접착제들)를 가함으로써 달성될 수 있다.
몇몇의 경우들에서, 엣지 배리어는 전자 장치의 상부 표면으로부터, 전자 장치의 측면들을 따라 아래로, 그리고 기초 표면과의 접촉되게 연장되는 단부 캡들일 수 있다. 본 발명에 사용하기에 적합할 수 있는 단부 캡의 하나의 타입은 미국 특허 제7,002,294호(Forrest 등)에서 설명된다. 단부 캡들은 고밀도 세라믹 물질들(예를 들어, 이산화실리콘) 또는 금속 물질들을 포함하는 환경 오염물질들의 측면 침입으로부터 전자 장치를 보호할 수 있는 임의의 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 도19에 도시된 실시예를 참조하면, 캡슐화된 OLED(180)는 그의 위에 배치되는 OLED(전극들을 포함)의 몸체(140)를 가지는 기판(150)을 포함한다. 혼성 층(182)은 OLED 몸체(140)의 위에 침착된다. 단부 캡들(184)은 혼성 층(182)의 상부 표면으로부터, OLED 몸체(140)의 측면들의 아래로, 그리고 기판(150)의 표면과의 접촉하여 연장되도록 혼성 층(182) 및 OLED 몸체(140)의 주위에 배치된다. 단부 캡들(184)은 OLED(180)의 측면 표면들 또는 엣지를 통한 환경 오염물질들의 측면 침입을 감소시키기 위한 기능을 한다.
몇몇의 경우들에서, 엣지 배리어는 전자 장치의 주변에 인접한 영역들에 있는 기초 표면에 하나 이상의 불연속부들을 생성함으로써 형성될 수 있다. 이 불연속부들은 환경 오염물질들의 측면 침입에 대한 경로 길이를 증가시키는 것, 또는, 기초 물질이 환경 오염물질들의 침입에 대한 도관으로서 작용하는 경우에, 도관의 파괴를 형성하는 것을 포함하는, 다양한 메커니즘들 중의 어떤 것에 의한 환경 오염물질들의 침투에 대한 배리어로서 작용할 수 있다. 여기에서 사용된 바와 같이, "불연속부들"이라는 용어는 보이드들의 크기, 형상, 및 위치를 제어하는 기술들을 사용하여 물질의 제거 또는 침착에 의해 기초 표면에 생성된 불연속적인 보이드들(예를 들어, 트렌치들, 홈들, 슬롯들, 크랙들, 갈라진 틈들, 갭들, 구멍들, 천공들)을 가리킨다. 예를 들어, 이와 같은 기술들은 에너지 빔들(energetic beams)(예를 들어, 레이저, 이온, 또는 전자)을 사용하는 다이렉트-라이트 에칭, 미세 가공(micromachining), 미세 드릴링(microdrilling), 리소그래픽 공정들(lithographic processes), 또는 보이드들이 생성되는 영역들에 걸친 선택적인 마스킹으로 기초 물질의 마스킹 침착을 포함한다.
예를 들어, 도20에 도시된 실시예를 참조하면, 기판(150)은 폴리이미드 필름(194)으로 코팅된다. 폴리이미드 필름(194)은 OLED(전극들을 포함)의 몸체(140)가 배치되는 기초 표면으로서 작용한다. OLED 몸체(140)의 주변을 둘러싸는 트렌치(196)가 폴리이미드 필름(194)에 에칭된다. 또는, 트렌치(196)는 폴리이미드 필름(194)의 침착 중에 영역을 선택적으로 마스킹함으로써 형성될 수 있다. 트렌치(196)는 폴리이미드 필름(194)의 전체 두께를 통과해서 연장된다. OLED 몸체(140)는 혼성 층(192)으로 커버되며, 혼성 층(192)은 기초 표면을 향해 OLED 몸체(140)의 측면들의 아래로 연장될 뿐만 아니라 OLED 몸체(140)의 상부를 커버한다. 기초 표면에서, 혼성 층(192)은 또한 폴리이미드 필름이 환경 오염물질들의 측면 침입을 위한 도관으로서 작용하는 것을 방지하기 위해 트렌치(196)을 채운다.
다양한 다른 타입의 엣지 배리어들이 또한 가능하다. 몇몇의 실시예들에서, 엣지 배리어는 혼성 층의 엣지들의 위에 연장되는 다른 배리어 코팅일 수 있다. 예를 들어, 도22에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(200)는 기판(202)에 설치되는 OLED 몸체(204)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(204)는 OLED 몸체(204)의 엣지들의 위에 연장되며 기판(202)의 표면과 접촉하는 혼성 층(210)으로 코팅된다. 배리어 코팅(212)은 혼성 층(210)의 위에 침착되며, 환경 오염물질들의 측면 침입을 방해하기 위해 혼성 층(210)의 엣지들 위에 연장된다.
혼성 층을 커버하기 위해 사용되는 배리어 코팅은 그 자체가 본 발명의 혼성 층일 수 있다. 예를 들어, 도22의 전자 장치(200)의 대체 실시예에서, 배리어 코팅(212)은 혼성 층(210)이 침착된 후에 침착되는 다른 혼성 층이다. 다른 경우들에서, 배리어 코팅은 종래에 전자 장치들을 보호하기 위해 사용되는 임의의 배리어 코팅일 수 있다. 이와 같이, 몇몇의 경우들에서, 배리어 코팅은 혼성 층과 비교할 때에 상대적으로 두껍거나 단단할 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 심지어 배리어 코팅이 환경 오염물질들의 침입으로부터 보호를 제공하는 혼성 층만큼 효과적이지 못할지라도, 배리어 층은 전자 장치를 기계적인 손상으로부터 보호할 수 있을 정도로 충분히 두꺼우며/두껍거나 단단하다.
또한, 혼성 층의 위에 있는 배리어 코팅은 반드시 혼성 층을 완전히 커버해야 할 필요가 없다. 예를 들어, 도23에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(220)는 기판(222)에 설치되는 OLED 몸체(224)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(224)는 OLED 몸체(224)의 엣지들의 위에 연장되며 기판(222)의 표면과 접촉하는 혼성 층(230)으로 코팅된다. 배리어 코팅(232)은 마스크-침착되거나, 침착된 다음에 혼성 층(230)의 엣지들만이 커버되도록 혼성 층(230)의 위에 패터닝된다. 이 실시예에서, 배리어 코팅(232)이 OLED 몸체(224)를 커버하지 않기 때문에, 배리어 코팅(232)은 투명할 필요가 없다. 예를 들어, 배리어 코팅(232)은 금속으로 이루어질 수 있거나 상대적으로 두꺼울 수 있다.
몇몇의 경우들에서, 엣지 배리어는 혼성 층을 가지는 기판의 표면과 엣지 배리어 사이의 계면 접착력을 개선시키는 역할을 하는 위에서 설명된 개재 층과 결합될 수 있다. 예를 들어, 도24에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(260)는 기판(262)에 설치되는 OLED 몸체(264)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. 개재 층(274)이 OLED 몸체(264)의 주변의 주위에 있다. OLED 몸체(264)는 OLED 몸체(264)의 엣지들의 위에 연장되며 개재 층(274)과 접촉하는 혼성 층(270)으로 코팅된다. 배리어 코팅(272)은 혼성층(270)의 위에 침착되며, 배리어 코팅(272)은 혼성 층(270)의 엣지들의 위에 연장되며 개재 층(274)과 접촉한다. 이 구성에서, 개재 층(274)은 혼성 층(270)과 배리어 코팅(272)을 기판(262)에 접착시키는 역할을 한다.
몇몇의 실시예들에서, 개재 층은 OLED 몸체의 상부 전극(예를 들어, 음극)과 위에 놓이는 혼성 층 사이의 계면 접착력을 개선시키기 위해 사용된다. 예를 들어, 도31에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(400)는 기판(402)에 설치되는 OLED 몸체(404)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(404)는 OLED 몸체(404)의 엣지들의 위에 연장되며 기판(402)의 표면과 접촉하는 혼성 층(410)으로 코팅된다. 배리어 코팅(412)은 혼성 층(410)의 위에 침착되며 환경 오염물질들의 측면 침입을 방해하기 위해 혼성 층(410)의 엣지들의 위에 연장된다. 개재 층(414)은 마스크를 사용하여 OLED 몸체(404)의 상부 전극의 위에 직접 침착된다. 이 경우에, 개재 층(414)은 OLED 몸체(404)의 상부 표면을 위에 놓이는 혼성 층(410)에 접착시키는 역할을 한다.
몇몇의 실시예들에서, 엣지 배리어는 본 기술분야에서 공지된 다양한 건조제 물질들(예를 들어, 염화칼슘, 이산화실리콘, 산화바륨, 산화칼슘, 이산화티타늄, 등) 중의 임의의 것일 수 있는 건조제 물질을 포함한다. 이와 같은 엣지 배리어는 OLED들을 포함하는 유기 전자 장치들에 사용하기 위한 건조제들에 관해서 본 기술분야에 공지된 다양한 구조들(예를 들어, 층들, 댐들, 링들, 등) 및 배치들 중의 어떤 것을 가질 수 있다. 엣지 배리어에 사용되는 건조제 물질은 혼성 층의 엣지들로부터 확산되어 들어오는 수분을 흡수하기에 유용할 수 있다. 예를 들어, 도25에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(280)는 기판(282)에 설치되는 OLED 몸체(284)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(284)는 OLED 몸체(284)의 엣지들의 위에 연장되며 기판(282)의 표면과 접촉하는 혼성 층(290)으로 코팅된다. 건조제 링 층(294)은 혼성 층(290)의 엣지의 주위에 배치된다. 그 다음에 배리어 코팅(292)이 이 구성요소들의 위에 침착되며, 배리어 코팅(292)은 건조제 링 층(294)의 위에 연장되며 기판(282)의 표면과 접촉한다.
환경 오염물질들의 측면 침입에 대한 다른 잠재적인 경로는 유기 전자 장치들에 있는 전극들(즉, 양극 또는 음극)에 연결되는 상호 연결 리드들(interconnecting leads)(예를 들어, 전극 스트립들 또는 와이어들)의 주위에 있다. 몇몇의 경우들에서, 혼성 층은 상호 연결 리드들의 엣지들의 위에 연장된다. 예를 들어, 도26을 참조하면, 전자 장치(300)는 기판(302)에 설치되는 OLED 몸체(304)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(304)는 상호 연결 리드(306)가 OLED 몸체(304)로부터 외측으로 연장되는 전극(305)을 포함한다. 그러나, 상호 연결 리드(306)는 기판(302)의 엣지로 연장되지 않는다. 그 다음에 혼성 층(310)이 혼성 층(310)이 상호 연결 리드(306)의 엣지들의 위에 연장되며 그의 외측 주변의 근처에 있는 기판(302)의 표면과 접촉하도록 이 구성요소들의 위에 침착된다.
그의 측면 엣지의 근처에서, 상호 연결 리드(306)는 전기전도성의 비부식성 금속(예를 들어, 구리 또는 금)으로 이루어지는 포스트(308)를 가진다. 포스트(308)는 혼성 층(310)에 있는 개구부를 통해 돌출되며 상호 연결 리드(306)와 전기적인 연결을 만들기 위한 접촉 패드로서 작용을 한다. 이 포스트(308)와 포스트(308)가 돌출되는 혼성 층(310)에 있는 개구부는 집적 회로 제작에서 공지된 다양한 기술들 중 임의의 기술을 사용하여 만들어질 수 있다. 예를 들어, 혼성 층(310)의 개구부는 혼성 층(310)의 형성 중에 새도우 마스킹(shadow masking)에 의해 만들어질 수 있으며, 포스트(308)는 전기 도금 기술들에 의해 만들어질 수 있다.
이 경우에, 상호 연결 리드(306)의 엣지가 혼성 층(310)에 의해 커버되기 때문에, 상호 연결 리드(306)의 주위로 환경 오염물질들의 측면 확산이 방해된다. 또한, 포스트(308)는 환경 오염물질들의 침입을 더 방해하며 확산 경로를 길게 하는 댐(dam)으로서 기능을 한다. 전자 장치(300)의 대체 실시예에서, 다른 혼성 층은 OLED 몸체(304)가 2개의 혼성 층들 사이에 끼이도록 기판과 OLED 몸체(304) 사이에 배치된다. 전자 장치(300)의 다른 대체 실시예에서, 기판은 금속 호일이며 평탄화 층은 OLED 몸체(304)가 혼성 층(310)과 평탄화 층 사이에 끼이도록 기판과 OLED 몸체(304) 사이에 배치된다. 전자 장치(300)의 또 다른 대체 실시예에서, 기판은 중합체 기판이며 패시베이션 층(passivation layer)은 OLED 몸체(304)가 혼성 층(310)과 패시베이션 층 사이에 끼이도록 기판과 OLED 몸체(304) 사이에 배치된다. 도33에 도시된 바와 같이, 전자 장치(300)의 다른 대체 실시예에서, 포스트(308)의 외측 부분은 확산 경로를 더 길게 하기 위해 혼성 층(310)의 표면을 따라 외측으로 연장되는 놉(knob)(312)을 가진다.
기판이 금속 기판(예를 들어, 금속 호일)인 경우에, 중합체 층이 기판의 표면을 평탄화하기 위해 종종 사용된다. 그러나, 이 중합체 층은 환경 오염물질들의 확산을 위한 도관으로서 작용할 수 있다. 따라서, 중합체 평탄화 층이 사용되는 몇몇의 실시예들에서, 중합체 평탄화 층은 기판의 엣지까지 연장되지 않는다. 이 구성으로, 중합체 평탄화 층을 통한 환경 오염물질들의 확산이 차단된다. 중합체 평탄화 층은 중합체 평탄화 층의 마스킹된 침착을 포함하는 다양한 기술들 중 임의의 기술에 의하거나 그의 침착 후에 중합체 평탄화 층의 엣지 부분들의 제거에 의해 이 방식으로 만들어질 수 있다.
예를 들어, 도27에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(320)는 그의 위에 제1 혼성 층(330)이 침착되는 금속 호일 기판(322)을 포함한다. 중합체 평탄화 층(332)은 제1 혼성 층(330)의 위에 침착되며, 중합체 평탄화 층(332)의 엣지 부분들은 중합체 평탄화 층(332)이 금속 호일 기판(322)의 엣지까지 연장되지 않도록 제거된다. 전극(325)을 가지는 OLED 몸체(324)(유기 층들의 스택을 포함)는 중합체 평탄화 층(332)의 위에 형성된다. 상호 연결 리드(326)는 전극(325)으로부터 금속 호일 기판(322)의 엣지까지 연장된다. 상호 연결 리드(326)는 중합체 평탄화 층(332)의 엣지를 넘어서며 제1 혼성 층(330)의 표면과 접촉하는 단차 부분(327)을 가진다. 그 다음에 제2 혼성 층(334)이 상호 연결 리드(326)를 포함하는 이 구성요소들의 위에 침착된다(그러나 접촉 패드를 위해 커버되지 않은 작은 부분을 남긴다).
다른 예에서, 도28에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(340)는 그의 위에 중합체 평탄화 층(354)이 침착되는 금속 호일 기판(342)을 포함한다. 중합체 평탄화 층(354)의 엣지 부분들이 제거되며 제1 혼성 층(350)이 중합체 평판화 층(354)의 엣지의 위에 침착된다. 전극(345)을 가지는 OLED 몸체(344)(유기 층들의 스택을 포함)는 중합체 평탄화 층(354)의 위에 형성된다. 상호 연결 리드(346)는 전극(345)으로부터 연장되며 제1 혼성 층(350)을 넘어서는 단차 부분(347)을 가진다. 그 다음에 제2 혼성 층(352)이 상호 연결 리드(346)를 포함하는 이 구성요소들의 위에 침착된다(그러나 접촉 패드를 위해 커버되지 않은 작은 부분을 남긴다).
도27 및 28의 위의 실시예들이 상호 연결 리드들이 확산 경로를 길게 하거나 그렇지 않으면 환경 오염물질들의 측면 침입을 방해하는 방식으로 구성될 수 있다는 것을 도시하는 것도 또한 주목할 만하다. 이와 같은 구성들은 매끄럽지 않은 표면을 가지거나, 평탄하지 않은 구성을 가지거나, 또는 구불구불한 경로를 가지는 상호 연결 리드들을 포함한다. 위의 예들에서, 상호 연결 리드들의 단차 부분은 환경 오염물질들의 확산 경로를 길게 하는 역할을 한다.
몇몇의 경우들에서, 환경 오염물질들의 측면 침입을 방해하기 위한 다양한 위의 기술들이 조합될 수 있다. 예를 들어, 도29에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(360)는 그의 위에 제1 혼성 층(370)이 침착되는 금속 호일 기판(362)을 포함한다. 그 다음에 중합체 평탄화 층(374)이 제1 혼성 층(370)의 위에 침착되며, 중합체 평탄화 층(374)의 엣지 부분들이 제거된다. 전극(365)을 가지는 OLED 몸체(364)(유기 층들의 스택을 포함)는 중합체 평탄화 층(374)의 위에 형성된다. 상호 연결 리드(366)는 전극(365)으로부터 외측으로 연장되지만, 금속 호일 기판(362)의 엣지에 못 미쳐서 정지된다. 상호 연결 리드(366)는 중합체 평탄화 층(374)의 엣지를 넘어서는 단차 부분(367)을 가진다. 그 다음에 제2 혼성 층(372)이 상호 연결 리드(366)의 엣지를 포함하는 이 구성요소들의 위에 침착된다. 그의 측면 엣지의 근처에서, 상호 연결 리드(366)는 전기전도성 물질로 이루어지며 포스트(368)가 접촉 패드로서 역할을 할 수 있도록 제2 혼성 층(372)에 있는 개구부를 통해 돌출되는 포스트(368)를 가진다.
다른 예에서, 도30에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(380)는 유리 기판(382)에 설치되는 OLED 몸체(384)(유기 층들의 스택을 포함)를 포함한다. OLED 몸체(384)는 상호 연결 리드(386)가 OLED 몸체(384)로부터 외측으로 연장되는 전극(385)을 포함한다. 그러나, 상호 연결 리드(386)는 기판(382)의 엣지까지 연장되지 않는다. 기판(382)은 그의 주변에 패터닝되며 증발, 스핀-온(spin-on), 졸-겔 공정(sol-gel process), 또는 라미네이션(lamination)을 포함하는, 다양한 방식으로 침착될 수 있는 건조제(396)로 채워진다. 혼성 층(390)은 건조제(396)를 포함하는 이 구성요소들의 위에 침착된다. 혼성 층(390)은 이를 통해 상호 연결 리드(386)의 위에 있는 포스트(388)가 돌출되는 개구부를 가진다. 이 구성에서, 건조제(396)는 혼성 층(390)의 엣지를 통해 들어오는 어떤 수분도 흡수할 것이다. 게다가, 상호 연결 리드(386)의 엣지가 혼성 층(390)으로 커버되기 때문에, 상호 연결 리드(386)의 주위로의 환경 오염물질들의 측면 확산이 방해된다. 또한, 포스트(388)는 환경 오염물질들의 침입을 더 방해하며 확산 경로를 길게 하는 댐으로서 기능을 한다.
전자 장치(380)의 대체 실시예에서, 기판은 OLED 몸체와 금속 호일 기판 사이에 배치되는 평탄화 층을 가지는 금속 호일이다. 이 경우에, 평탄화 층은 그의 주변에서 패터닝되며 건조제로 채워진다. 전자 장치(380)의 다른 대체 실시예에서, 기판은 OLED 몸체와 기판 사이에 배치되는 패시베이션 층을 가지는 중합체 기판이다. 이 경우에, 패시베이션 층은 그의 주변에서 패터닝되며 건조제로 채워진다.
몇몇 OLED들은 활성 픽셀 영역들을 한정하기 위해 하부 전극의 위에 그리드(grid)를 사용한다. 그리드는 유기 재료(예를 들어, 포토레지스트(photoresist)) 또는 무기 재료(예를 들어, 질화실리콘)로 형성될 수 있다. 그러나, 그리드는 또한 수분 및/또는 산소의 측면 확산을 위한 도관으로서 작용을 한다. 수분 및/또는 산소의 이 침입을 방해하기 위해, 몇몇의 실시예들에서, 그리드 재료는 수분 또는 산소의 전도에 저항하는 그의 능력을 위해 선택될 수 있거나, 그리드가 완전히 제거될 수 있다. 또한, 그리드는 도관의 파괴를 제공함으로써 환경 오염물질들의 확산을 방해할 수 있는 불연속부들을 가지도록 만들어질 수 있다. 몇몇의 경우에, 혼성 층은 환경 오염물질들의 확산을 더 방해하기 위해 이 불연속부들로 침투할 수 있다.
몇몇의 실시예들에서, 기판은 중합체 기판이다. 이와 같은 경우에, 기판의 중합체 물질은 환경 오염물질들의 확산을 위한 도관이 될 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 혼성 층들이 기판으로 및/또는 유기 장치 몸체로의 환경 오염물질들의 확산을 방해하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 도32에 도시된 실시예를 참조하면, 전자 장치(420)는 패시베이션 층들로서 작용을 하는 혼성 층들(432 및 433)로 상부 및 하부 표면들 양쪽 모두가 커버되는 중합체 기판(422)을 포함한다. OLED 몸체(424)는 패시베이션 층(432)에 설치된다. 그 다음에 다른 혼성 층(430)이 OLED 몸체(424)와 패시베이션 층(432)의 위에 침착된다. 이 실시예에서, 혼성 층(432)은 중합체 기판(422)을 통해 이동할 수 있는 환경 오염물질들의 확산을 방해하는 역할을 한다. 더구나, 이 실시예는 도26에 설명된 상호 연결 리드 및/또는 도30에 설명된 건조제를 포함하는, 위의 실시예들에 대해 설명된 다양한 특징들과 결합될 수 있다.
게다가, 몇몇의 경우들에서, 기판의 측면들과 하부를 포함하는 전체 기판은 혼성 층의 내부에 캡슐화될 수 있다. 더구나, 몇몇의 경우들에서, 기판은 전자 장치로 들어오는 어떤 수분을 흡수하는 건조제로서 기능을 한다. 기판은 캡슐화하기 전에 가스를 제거하는 것 및/또는 건조제를 기판 재료에 혼합하는 것을 포함하는, 다양한 방식으로 건조제로서 기능을 하도록 만들어질 수 있다.
침착 중에, 혼성 층들은 기판의 엣지들과 심지어 기판의 하부와 같이, 플라즈마를 직접 대면하지 않는 영역들까지 연장되는 것이 관찰되었다. 혼성 층의 이 주변 연장은 플라즈마에서 수명이 긴 활성 종의 확산 또는 표면을 따른 확산에 기인할 수 있다. 이와 같이, 몇몇의 실시예들에서, 유기 전자 장치의 위에 있는 혼성 층은 측면으로 연장될 수 있으며 기판의 엣지들의 위와, 몇몇의 경우들에는, 기판의 하부측의 적어도 일 부분을 커버할 수 있다. 환경 오염물질들의 측면 확산을 감소시키는 것에 추가하여, 이 방식으로 엣지 배리어로서 작용을 하는 혼성 층들은 또한 기능성 유기 몸체가 기판의 엣지를 향해 더 연장되도록 하며, 그에 따라 활성 장치 영역이 증가되도록 한다.
예를 들어, 도34는 금속 기판(406) 및 금속 기판(406)의 표면을 평탄화시키기 위한 중합체 평탄화 층(404)을 포함하는 OLED(400)를 도시한다. 기능성 유기 몸체(402)(유기 층들의 스택을 포함하는)가 평탄화 층(404)의 위에 형성된다. 혼성 층을 침착시키기 위해, OLED(400)는 침착 반응 챔버의 내부에 배치되며 기판 홀더(408)에 의해 고정된다. 침착 공정 중에, 플라즈마(416)를 대면하는 OLED(400)의 상부면은 혼성 층(410)으로 코팅된다. 침착 공정이 계속됨에 따라, 플라즈마(416)에 있는 얼마간의 활성 종들은 혼성 층(410)의 측면 부분들(412)을 형성하기 위해 OLED(400)의 엣지들까지 확산될 정도로 충분히 오래 남아 있다. 측면 부분들(412)은 기판(406)과 평탄화 층(404)의 측면 엣지들을 포함하는 OLED(400)의 측면 엣지들을 커버한다. 활성 종들의 일부는 또한 기판(406)의 하부측까지 확산된다. 기판 홀더(408)가 기판(406)보다 더 작은 영역을 가지기 때문에, 활성 종들은 기판 홀더(408)에 의해 마스킹되지 않은 기판(406)의 하부측 영역들의 위에 혼성 층(410)의 하부측 부분들(414)을 형성한다. 대체 실시예에서, 기판 홀더(408)가 기판(406)의 전체 하부측을 마스킹하는 경우에, 혼성 층(410)은 측면 부분들(412)을 가지지만, 하부측 부분들(414)을 가지지 않는다.
몇몇의 실시예들에서, 침착 중의 혼성 층의 이 주변 연장은 기판의 하부측의 완전한 커버리지를 허용할 수 있다. 예를 들어, 도35a 내지 도35c는 OLED의 완전한 캡슐화가 성취될 수 있는 공정을 보여준다. 도35a는 중합체 기판(426)과 그의 위에 형성되는 기능성 유기 몸체(422)를 포함하는 OLED(420)를 도시한다. 반응 챔버에서, OLED(420)가 기판 홀더(428)에 의해 고정되는 동안에, 기능성 유기 몸체(422)는 제1 혼성 층(430)으로 코팅된다. 위에 설명된 공정에 의해서, 플라즈마에 있는 활성 종들의 확산은 기판(426)의 측면들을 포함하는, OLED(420)의 측면들을 커버하는 혼성 층(430)의 측면 부분들의 형성을 초래한다. 또한 기판(426)의 하부측(즉, 기판 홀더(428)에 의해 마스킹되지 않은 영역의 위에)의 부분적인 커버리지가 있다.
도35b를 참조하면, 그 다음에 OLED(420)는 OLED(420)가 그의 상부면에 의해 기판 홀더(428)에 고정되고 침착 공정이 반복되도록 기판 홀더(428)의 위에서 뒤집어진다. 이 뒤집어진 위치에서, 기판(426)의 하부측(432)은 플라즈마를 대면하게 된다. 이와 같이, 도35c에 도시된 바와 같이, 기판(426)의 하부측(432)의 사전에 노출된 부분들이 제2 혼성 층(440)으로 코팅된다. 이 제2 혼성 층(440)은 또한 OLED(420)의 측면들(측면 부분들(442)에 의해)과 OLED(420)의 상부측의 일 부분(상부 부분들(444)에 의해)을 커버하기 위해 측면으로 연장된다. 결과적으로, 기판(426)을 포함하는 OLED(420)는 혼성 층들(440 및 430)의 내부에 완전히 캡슐화된다. 혼성 층들(440 및 430)의 조성은 동일하거나 상이할 수 있다.
도36은 기판의 하부측의 더 많은 커버리지를 제공하며/하거나 유기 전자 장치와 연결하는 연결 리드를 코팅하기 위한 다른 공정을 보여준다. 도36은 중합체 기판(496)과 그의 위에 형성되는 기능성 유기 몸체(492)를 포함하는 OLED(490)를 도시한다. OLED(490)는 또한 연결 리드(498)(예를 들어, 와이어 또는 스트립)와 전기적으로 연결되는 전극(486)을 포함한다. OLED(490)는 부착점(482)에 고정되는 연결 리드(498)에 의해 침착 챔버에 고정된다. 그 다음에 혼성 층(480)이 기능성 유기 몸체(492)의 위에 침착된다. 활성 종들의 확산에 의해, 혼성 층(480)은 또한 OLED(490)의 측면들과 기판(496)의 하부측의 위를 커버한다. 또는, OLED(490)가 침착 챔버에 매달려 있기 때문에, OLED(490)는 상부측과 하부측을 동시에 코팅하기 위해 플라즈마나 2개 이상의 플라즈마들 사이에 직접 침지되며, 이는 더 균일한 두께를 가지는 혼성 층(480)을 생산할 수 있었다.
기판(496)의 하부측의 마스킹이 없기 때문에, 혼성 층(480)은 기판(496)의 하부측의 더 많은 커버리지(이 경우에, 완전한 커버리지)를 가진다. 또한, 연결 리드(498)는 혼성 층(460)에 의해 적어도 부분적으로 코팅되며, 이는 연결 리드(498)의 주위로의 환경 오염물질들의 측면 확산을 방해할 것이다. 연결 리드(498)의 단부는 전기 접촉을 제공하기 위해 코팅되지 않을(bare) 수 있다.
다양한 제조 공정들이 본 발명의 유기 전자 장치들을 제조하기에 적합할 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 다수의 장치들이 고속 제조를 위해 단일 기판의 위에 제조될 수 있다. 예를 들어, 다수의 장치들은 종래의 뱃치 공정을 사용하거나, 유연한 기판에 대한 롤-투-롤 처리(roll to roll processing)와 같은 연속 공정에 의해 제조될 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 몇몇의 실시예들에서, 복수의 기능성 유기 몸체들(유기 전자 장치들을 위한)이 기판의 위에 형성된다. 본 발명의 혼성 층이거나 어떤 다른 적합한 타입의 침투 배리어일 수 있는 배리어 코팅이 그 다음에 기능성 유기 요소들의 위에 가해진다. 중합체 기판에 대하여, 기판의 하부측이 또한 배리어 코팅으로 코팅될 수 있으며, 이는 본 발명의 혼성 층이거나 어떤 다른 적합한 타입의 침투 배리어일 수 있다. 그 다음에 기판은 개별적인 유기 전자 장치들을 만들기 위해 절단된다. 이와 같은 경우들에서, 이 장치의 절단된 엣지들이 노출될 수 있다. 장치들의 노출된 엣지들을 보호하기 위해, 본 발명의 혼성 층이 엣지 배리어로서 사용될 수 있다.
예를 들어, 도37a 내지 도37c는 그의 위에 형성되는 다수의 기능성 유기 몸체들(452)을 가지는 평탄화 층(454)을 가지는 유연한 금속 시트(456)를 도시한다. 도37b에 도시된 바와 같이, 그 다음에 배리어 코팅(462)이 기능성 유기 몸체들(452)의 위에 침착된다. 배리어 코팅(462)은 본 발명의 혼성 층이거나 본 기술분야에 공지된 어떤 다른 적합한 타입의 침투 배리어일 수 있다. 도37c에 도시된 바와 같이, 그 다음에 각각의 기능성 유기 몸체들은 각각의 OLED들(466)을 형성하기 위해 절단되어 분리된다.
OLED들(466)의 절단된 엣지들은 환경 오염물질들의 측면 확산에 대하여 보호하기 위해 혼성 층으로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 도38을 참조하면, OLED(466)는 침착 반응 챔버의 내부에 배치되며 기판 홀더(468)에 의해 고정된다. 그 다음에 혼성 층(460)이 OLED(466)의 위에 침착된다. 혼성 층(460)은 평탄화 층(454)과 기판(456)의 측면 엣지들뿐만 아니라 배리어 코팅(462)의 상부면을 커버한다. 도39는 혼성 층(470)이 평탄화 층(454)과 기판(456)의 측면 엣지들을 커버하지만, OLED(466)의 상부면의 제한된 커버리지를 가진 대체 실시예를 도시한다. 이 접근 방법은 그의 엣지들에서 절단되거나 잘라진 매우 큰 영역을 가지는 장치들에서 유용할 수 있다. 이와 같은 경우들에서, 혼성 층이 단지 장치의 측면 엣지들을 보호하기 위해서만 필요하다면, 혼성 층으로 전체 장치를 커버하는 것은 필요하지 않을 것이다.
혼성 층의 침착은 또한 유기 전자 장치들을 만들기 위한 고속 제조 공정에 포함될 수 있다. 예를 들어, 도40a는 그의 위에 형성되는 다수의 기능성 유기 몸체들(522)을 가지는 유연한 기판 시트(520)를 도시한다. 유연한 기판 시트(520)는 기능성 유기 몸체들(522) 사이에 위치하는 관통공들(524)의 패턴을 가진다. 관통공들(524)은 기판 시트(520)의 전체 두께를 관통하며 기능성 유기 몸체들(522) 사이에서 기판 시트(520)의 분할을 용이하게 하기 위해 어떤 적당한 패턴, 형상, 치수들, 또는 밀도를 가질 수 있다. 관통공들(524)은 기능성 유기 몸체들(522)이 기판 시트(520)의 위에 형성되기 전이나 후에(예를 들어, 레이저 커팅 또는 스탬핑에 의해) 형성될 수 있다. 그 다음에 혼성 층이 기능성 유기 몸체들(522)의 위에 침착된다. 관통공들(524)로의 활성 플라즈마 종들의 확산은 혼성 층에 의한 관통공들(524)의 코팅을 초래한다. 혼성 층은 또한 관통공들(524)을 통해 기판 시트(520)의 하부측을 코팅할 수 있다. 관통공들(524)은 관통공들(524)로 활성 플라즈마 종들의 확산을 용이하게 하는 크기로 만들어진다. 예를 들어, 관통공들(524)의 종횡비는 확산을 용이하게 하기 위해 선택될 수 있다. 몇몇의 경우들에서, 관통공들(524)은 적어도 기판 시트(520)의 두께만큼 넓다. 도40b에 도시된 바와 같이, 다수의 개별적인 OLED들(526)은 기판 시트(520)가 관통공들(524)을 따라 분할될 때(예를 들어, 절단이나 파단에 의해) 제공된다. 각각의 OLED(526)는 기판(520)의 하부측뿐만 아니라 그의 측면들을 커버하는 혼성 층(530)을 가진다.
본 발명에 사용되는 침착 공정들은 유기 전자 장치가 고온을 겪게 할 수 있다. 이와 같이, 몇몇의 실시예들에서, 본 발명은 또한 장치로부터 열을 전달함으로써 침착 공정 중에 유기 전자 장치를 냉각하는 방법을 제공한다. 장치로부터 열을 전달하기 위한 하나의 접근 방법은 기판 홀더를 통한 전도에 의한 것이다. 이 접근 방법은 기판이 금속 기판인 경우에 특히 유용할 수 있다. 이와 같은 경우들에서, 예를 들어, 기판 홀더는 기판으로부터 열을 추출하기 위해 냉각되거나 히트 싱크(heat sink)에 연결될 수 있다.
장치로부터 열을 전달하기 위한 다른 접근 방법은 장치의 전극들 중의 하나를 통하는 것이다. 이 접근 방법은 기판이 단열 재료(예를 들어, 몇몇 중합체 기판들)로 이루어지며, 그에 따라, 장치로부터 열을 전도하기에 효과적으로 사용될 수 없는 경우에 유용할 수 있다. 예를 들어, 도41을 참조하면, OLED(500)는 기판(504)의 위에 설치되는 기능성 유기 몸체(502)를 가진다. OLED(500)는 히트 싱크(508)와 연결하기 위해 연결 리드들(510)을 통해 외측으로 연장되는 상부 금속 전극들(506)(예를 들어, 음극들)을 가진다. 히트 싱크(508)는 열을 소산시키기 위해 사용될 수 있는 임의의 적합한 구조나 어셈블리(예를 들어, 금속 스트립들, 라디에이터들, 냉각 팬들, 등)일 수 있다. OLED(500)의 위에 혼성 층을 침착시키는 중에, 열은 전극들(506)과 연결 리드들(510)을 통해 OLED(500)로부터 멀리 전도되며, 히트 싱크(508)로 전달된다.
위의 설명과 예들은 단지 본 발명을 설명하기 위해 기술되었으며 한정하기 위해 의도된 것이 아니다. 본 발명의 공개된 양상들과 실시예들 각각은 개별적으로 또는 본 발명의 다른 양상들, 실시예들, 및 변형들과 조합하여 고려될 수 있다. 본 발명의 정신과 요지를 포함하는 공개된 실시예들의 변경들은 본 기술분야에서 숙련된 사람들에게 일어날 수 있으며 이와 같은 변경들은 본 발명의 범위 내에 있다.
10 : PE-CVD 장치 20 : 반응 챔버
22 : 전극 24 : 홀더
26 : 전극 지지대 30 : 전자 장치
40 : 전구체 물질 공급원 42 : 반응 혼합물
50 : N2 가스 탱크 60 : 반응물 가스 탱크
70 : 진공 펌프 80 : 질량 유동 제어기
82 : 셧오프 밸브 84 : 체크 밸브

Claims (90)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 중합체 기판의 위에 배치되는 유기 장치 몸체를 포함하는 전자 장치를 보호하기 위한 방법에 있어서,
    전구체 물질의 공급원을 제공하는 단계;
    상기 전구체 물질을 상기 전자 장치에 인접한 반응 위치로 이송하는 단계; 및
    상기 전구체 물질의 공급원을 사용하여 화학 증착으로 상기 유기 장치 몸체의 위에 제1 혼성 층을 침착시키는 단계로서, 상기 제1 혼성 층은 중합체 물질과 비중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 상기 비중합체 물질에 대한 상기 중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95의 범위에 있으며, 상기 중합체 물질과 상기 비중합체 물질은 상기 전구체 물질의 동일한 공급원으로부터 생성되는 것인 단계를 포함하며;
    제2 혼성 층이 상기 중합체 기판의 상부면에 배치되며, 상기 유기 장치 몸체는 상기 제2 혼성 층의 위에 배치되며, 상기 제2 혼성 층은 상기 중합체 물질과 상기 비중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 상기 비중합체 물질에 대한 상기 중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95의 범위에 있고,
    상기 중합체 기판은 건조제로서 작용을 하는 것을 특징으로 하는 전자 장치를 보호하기 위한 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 중합체 기판은 건조제 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치를 보호하기 위한 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 중합체 기판은 가스가 제거되는 것을 특징으로 하는 전자 장치를 보호하기 위한 방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 삭제
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 삭제
  57. 기판을 가지는 유기 전자 장치를 보호하기 위한 방법에 있어서;
    상기 유기 전자 장치를 침착 챔버의 내부에 배치하는 단계로서, 상기 유기 전자 장치는 상기 기판에 의해 홀더의 위에 고정되는 것인 단계;
    전구체 물질의 공급원을 제공하는 단계;
    상기 전구체 물질을 상기 유기 전자 장치에 인접한 반응 위치로 이송하는 단계;
    상기 전구체 물질의 공급원을 사용하여 플라즈마-강화 화학 증착으로 상기 유기 전자 장치의 위에 혼성 층을 침착시키는 단계로서, 상기 혼성 층은 중합체 물질과 비중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 상기 중합체 물질과 상기 비중합체 물질은 상기 전구체 물질의 동일한 공급원으로부터 생성되는 것인 단계; 및
    상기 혼성 층이 상기 기판의 측면 엣지를 커버할 때까지 상기 침착 공정을 계속하는 단계를 포함하고,
    상기 혼성 층은 중합체 물질과 비중합체 물질의 제1 혼합물을 포함하는 제1 혼성 층이며,
    상기 방법은, 상기 제1 혼성 층을 침착시킨 후에:
    상기 홀더의 위에서 상기 유기 전자 장치를 뒤집는 단계;
    상기 전구체 물질을 상기 유기 전자 장치에 인접한 반응 위치로 이송하는 단계;
    상기 전구체 물질의 공급원을 사용하여 플라즈마-강화 화학 증착으로 상기 유기 전자 장치의 위에 제2 혼성 층을 침착시키는 단계로서, 상기 제2 혼성 층은 중합체 물질과 비중합체 물질의 제2 혼합물을 포함하며, 상기 중합체 물질과 상기 비중합체 물질은 상기 전구체 물질의 동일한 공급원으로부터 생성되는 것인 단계; 및
    상기 제2 혼성 층이 상기 제1 혼성 층의 적어도 일 부분을 커버할 때까지 상기 침착 공정을 계속하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 보호하기 위한 방법.
  58. 삭제
  59. 삭제
  60. 삭제
  61. 삭제
  62. 삭제
  63. 삭제
  64. 삭제
  65. 삭제
  66. 삭제
  67. 삭제
  68. 삭제
  69. 삭제
  70. 삭제
  71. 삭제
  72. 삭제
  73. 삭제
  74. 삭제
  75. 기판의 위에 배치되는 복수의 기능성 유기 몸체들을 제공하는 단계;
    상기 기능성 유기 몸체들의 위에 배리어 코팅을 적용하는 단계;
    상기 기판을 복수의 개별적인 유기 전자 장치들로 절단하는 단계; 및
    상기 개별적인 유기 전자 장치의 절단된 엣지의 위에 중합체 물질과 비중합체 물질의 혼합물을 포함하는 혼성 층을 침착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  76. 제75항에 있어서,
    상기 기판은 유연한 기판이며,
    상기 방법은 롤-투-롤 공정을 사용하여 상기 기판의 위에 상기 복수의 기능성 유기 몸체들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  77. 제75항에 있어서,
    적어도 800 Å의 두께의 상기 혼성 층이 동일한 반응 조건들 하에서 침착되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  78. 제75항에 있어서,
    상기 중합체 물질은 중합체 실리콘이며 상기 비중합체 물질은 무기 실리콘인 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  79. 삭제
  80. 삭제
  81. 삭제
  82. 삭제
  83. 삭제
  84. 삭제
  85. 기판의 위에 배치되는 복수의 기능성 유기 몸체들을 제공하는 단계로서 상기 기판은 상기 기능성 유기 몸체들 사이에 위치하는 복수의 관통공들을 가지는 것인 단계;
    상기 기능성 유기 몸체들의 위에 중합체 물질과 비중합체 물질의 혼합물을 포함하는 혼성 층을 침착시키는 단계;
    상기 관통공들의 내측 엣지들이 상기 혼성 층으로 커버될 때까지 상기 침착 공정을 계속하는 단계; 및
    복수의 개별적인 유기 전자 장치들을 제공하기 위해 상기 관통공들을 따라 상기 기판을 분할하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  86. 제85항에 있어서,
    상기 기판은 유연한 기판이며,
    상기 방법은 롤-투-롤 공정을 사용하여 상기 기판의 위에 상기 복수의 기능성 유기 몸체들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  87. 제85항에 있어서,
    상기 기판의 하부측의 적어도 일 부분이 상기 혼성 층으로 커버될 때까지 상기 침착 공정을 계속하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  88. 제85항에 있어서,
    상기 관통공들의 폭은 상기 기판의 두께와 동일하거나 더 큰 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  89. 제85항에 있어서,
    적어도 800 Å의 두께의 상기 혼성 층이 동일한 반응 조건들 하에서 침착되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
  90. 제85항에 있어서,
    상기 중합체 물질은 중합체 실리콘이며 상기 비중합체 물질은 무기 실리콘인 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법.
KR1020107024473A 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들 Active KR101563763B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US5126508P 2008-05-07 2008-05-07
US61/051,265 2008-05-07

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157005439A Division KR20150038544A (ko) 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110021743A KR20110021743A (ko) 2011-03-04
KR101563763B1 true KR101563763B1 (ko) 2015-10-27

Family

ID=41527819

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107024473A Active KR101563763B1 (ko) 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
KR1020167020917A Active KR101833658B1 (ko) 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
KR1020157005439A Ceased KR20150038544A (ko) 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167020917A Active KR101833658B1 (ko) 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
KR1020157005439A Ceased KR20150038544A (ko) 2008-05-07 2009-05-05 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들

Country Status (7)

Country Link
US (3) US8592253B2 (ko)
EP (1) EP2274458B1 (ko)
JP (3) JP2011520041A (ko)
KR (3) KR101563763B1 (ko)
CN (2) CN104141112B (ko)
TW (2) TWI632829B (ko)
WO (1) WO2010011390A2 (ko)

Families Citing this family (358)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7807275B2 (en) 2005-04-21 2010-10-05 Universal Display Corporation Non-blocked phosphorescent OLEDs
KR20180117719A (ko) 2006-02-10 2018-10-29 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
US8476822B2 (en) 2007-11-09 2013-07-02 Universal Display Corporation Saturated color organic light emitting devices
WO2010011390A2 (en) * 2008-05-07 2010-01-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US8466476B2 (en) 2008-07-07 2013-06-18 Universal Display Corporation OLEDs and other electronic devices using desiccants
US20100225252A1 (en) 2008-10-01 2010-09-09 Universal Display Corporation Novel amoled display architecture
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
CN102326448B (zh) * 2010-03-01 2015-03-25 松下电器产业株式会社 有机el装置及其制造方法
KR101237288B1 (ko) 2010-12-27 2013-02-27 웅진케미칼 주식회사 유기전계 발광소자용 흡습제 및 이를 활용한 유기전계 발광장치
US9214510B2 (en) 2011-01-12 2015-12-15 Universal Display Corporation OLED lighting device with short tolerant structure
US9698140B2 (en) 2011-01-12 2017-07-04 Universal Display Corporation OLED lighting device with short tolerant structure
TWI577066B (zh) * 2011-02-08 2017-04-01 應用材料股份有限公司 有機發光二極體的混合式封裝方法
WO2012155099A1 (en) 2011-05-12 2012-11-15 Universal Display Corporation Flexible lighting devices
US9252377B2 (en) 2011-07-14 2016-02-02 Universal Display Corporation Inorganic hosts in OLEDs
WO2013048419A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Universal Display Corporation LAMP WITH MULTIPLE FLEXIBLE OLEDs
KR101976104B1 (ko) 2011-11-01 2019-05-09 유니버셜 디스플레이 코포레이션 저휘도에서의 ｏｌｅｄ 디바이스 효율 감소
US8969116B2 (en) 2012-01-23 2015-03-03 Universal Display Corporation Selective OLED vapor deposition using electric charges
US20130202782A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Universal Display Corporation Thin Film Permeation Barrier For Devices And Substrates
US20130273239A1 (en) 2012-03-13 2013-10-17 Universal Display Corporation Nozzle design for organic vapor jet printing
US9054323B2 (en) 2012-03-15 2015-06-09 Universal Display Corporation Secondary hole transporting layer with diarylamino-phenyl-carbazole compounds
US9386657B2 (en) 2012-03-15 2016-07-05 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US8933468B2 (en) 2012-03-16 2015-01-13 Princeton University Office of Technology and Trademark Licensing Electronic device with reduced non-device edge area
US9312511B2 (en) * 2012-03-16 2016-04-12 Universal Display Corporation Edge barrier film for electronic devices
US9741968B2 (en) 2012-05-30 2017-08-22 Universal Display Corporation Luminaire and individually replaceable components
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US12334332B2 (en) 2012-06-12 2025-06-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of silicon carbide films using silicon-containing and carbon-containing precursors
US10211310B2 (en) 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films
US20180347035A1 (en) 2012-06-12 2018-12-06 Lam Research Corporation Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interaction
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US9991463B2 (en) 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
US9210810B2 (en) 2012-07-12 2015-12-08 Universal Display Corporation Method of fabricating flexible devices
US9246036B2 (en) 2012-08-20 2016-01-26 Universal Display Corporation Thin film deposition
US8728858B2 (en) 2012-08-27 2014-05-20 Universal Display Corporation Multi-nozzle organic vapor jet printing
US9257665B2 (en) 2012-09-14 2016-02-09 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US9412947B2 (en) 2012-09-14 2016-08-09 Universal Display Corporation OLED fabrication using laser transfer
US9170665B2 (en) 2012-09-14 2015-10-27 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US9379169B2 (en) 2012-09-14 2016-06-28 Universal Display Corporation Very high resolution AMOLED display
US8957579B2 (en) 2012-09-14 2015-02-17 Universal Display Corporation Low image sticking OLED display
US10862073B2 (en) 2012-09-25 2020-12-08 The Trustees Of Princeton University Barrier film for electronic devices and substrates
US9577221B2 (en) 2012-09-26 2017-02-21 Universal Display Corporation Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime
US9252363B2 (en) 2012-10-04 2016-02-02 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
US8764255B2 (en) 2012-10-10 2014-07-01 Universal Display Corporation Semi-rigid electronic device with a flexible display
US9120290B2 (en) 2012-10-10 2015-09-01 Universal Display Corporation Flexible screen backed with rigid ribs
US9385340B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation Transparent display and illumination device
US9385172B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation One-way transparent display
US9384691B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation Transparent display and illumination device
US9196860B2 (en) 2012-12-04 2015-11-24 Universal Display Corporation Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion
US8716484B1 (en) 2012-12-05 2014-05-06 Universal Display Corporation Hole transporting materials with twisted aryl groups
CN103874325B (zh) * 2012-12-11 2017-04-12 财团法人工业技术研究院 层叠结构、其制造方法及发光装置
US9653691B2 (en) 2012-12-12 2017-05-16 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system
US9159945B2 (en) 2012-12-13 2015-10-13 Universal Display Corporation System and method for matching electrode resistances in OLED light panels
US8766531B1 (en) 2012-12-14 2014-07-01 Universal Display Corporation Wearable display
US20140166990A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US8912018B2 (en) 2012-12-17 2014-12-16 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US9337068B2 (en) 2012-12-18 2016-05-10 Lam Research Corporation Oxygen-containing ceramic hard masks and associated wet-cleans
US9502681B2 (en) 2012-12-19 2016-11-22 Universal Display Corporation System and method for a flexible display encapsulation
US10243023B2 (en) 2013-01-18 2019-03-26 Universal Display Corporation Top emission AMOLED displays using two emissive layers
US10580832B2 (en) 2013-01-18 2020-03-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9424772B2 (en) 2013-01-18 2016-08-23 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10304906B2 (en) 2013-01-18 2019-05-28 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9385168B2 (en) 2013-01-18 2016-07-05 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9590017B2 (en) 2013-01-18 2017-03-07 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10229956B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9252397B2 (en) 2013-02-07 2016-02-02 Universal Display Corporation OVJP for printing graded/stepped organic layers
US9178184B2 (en) 2013-02-21 2015-11-03 Universal Display Corporation Deposition of patterned organic thin films
US9000459B2 (en) 2013-03-12 2015-04-07 Universal Display Corporation OLED display architecture having some blue subpixel components replaced with non-emissive volume containing via or functional electronic component and method of manufacturing thereof
US10514136B2 (en) 2013-03-25 2019-12-24 Universal Display Corporation Lighting devices
US9018660B2 (en) 2013-03-25 2015-04-28 Universal Display Corporation Lighting devices
US8979291B2 (en) 2013-05-07 2015-03-17 Universal Display Corporation Lighting devices including transparent organic light emitting device light panels and having independent control of direct to indirect light
US9865672B2 (en) 2013-05-15 2018-01-09 Universal Display Corporation Macro-image OLED lighting system
US9484546B2 (en) 2013-05-15 2016-11-01 Universal Display Corporation OLED with compact contact design and self-aligned insulators
US9041297B2 (en) 2013-05-20 2015-05-26 Universal Display Corporation Large area lighting system with wireless control
US10297442B2 (en) 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
US10468633B2 (en) 2013-06-05 2019-11-05 Universal Display Corporation Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an OLED array
US9093658B2 (en) 2013-06-07 2015-07-28 Universal Display Corporation Pre-stressed flexible OLED
US9818967B2 (en) 2013-06-28 2017-11-14 Universal Display Corporation Barrier covered microlens films
US9823482B2 (en) 2013-08-19 2017-11-21 Universal Display Corporation Autostereoscopic displays
US9374872B2 (en) 2013-08-30 2016-06-21 Universal Display Corporation Intelligent dimming lighting
US8981363B1 (en) 2013-09-03 2015-03-17 Universal Display Corporation Flexible substrate for OLED device
CN104425758A (zh) * 2013-09-09 2015-03-18 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
US9496522B2 (en) 2013-12-13 2016-11-15 Universal Display Corporation OLED optically coupled to curved substrate
US9371579B2 (en) 2013-10-24 2016-06-21 Lam Research Corporation Ground state hydrogen radical sources for chemical vapor deposition of silicon-carbon-containing films
US9142778B2 (en) 2013-11-15 2015-09-22 Universal Display Corporation High vacuum OLED deposition source and system
US9130195B2 (en) 2013-11-22 2015-09-08 Universal Display Corporation Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices
WO2015081289A1 (en) 2013-11-27 2015-06-04 The Regents Of The University Of Michigan Devices combining thin film inorganic leds with organic leds and fabrication thereof
US9390649B2 (en) 2013-11-27 2016-07-12 Universal Display Corporation Ruggedized wearable display
US9876173B2 (en) 2013-12-09 2018-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10839734B2 (en) 2013-12-23 2020-11-17 Universal Display Corporation OLED color tuning by driving mode variation
US9397314B2 (en) 2013-12-23 2016-07-19 Universal Display Corporation Thin-form light-enhanced substrate for OLED luminaire
CN104752335B (zh) * 2013-12-31 2018-09-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连层、其制作方法及半导体器件
US9853247B2 (en) 2014-03-11 2017-12-26 The Regents Of The University Of Michigan Electrophosphorescent organic light emitting concentrator
US10910590B2 (en) 2014-03-27 2021-02-02 Universal Display Corporation Hermetically sealed isolated OLED pixels
US10749123B2 (en) 2014-03-27 2020-08-18 Universal Display Corporation Impact resistant OLED devices
US9661709B2 (en) 2014-03-28 2017-05-23 Universal Display Corporation Integrated LED/OLED lighting system
US9331299B2 (en) 2014-04-11 2016-05-03 Universal Display Corporation Efficient white organic light emitting diodes with high color quality
US9905785B2 (en) 2014-04-14 2018-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10008679B2 (en) 2014-04-14 2018-06-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9337441B2 (en) 2014-04-15 2016-05-10 Universal Display Corporation OLED lighting panel and methods for fabricating thereof
US9450198B2 (en) 2014-04-15 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9380675B2 (en) 2014-04-17 2016-06-28 Universal Display Corporation Energy saving OLED lighting system and method
US9876192B2 (en) 2014-05-12 2018-01-23 Universal Display Corporation Barrier composition and properties
US9572232B2 (en) 2014-05-15 2017-02-14 Universal Display Corporation Biosensing electronic devices
US9640781B2 (en) 2014-05-22 2017-05-02 Universal Display Corporation Devices to increase OLED output coupling efficiency with a high refractive index substrate
US9997716B2 (en) 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10700134B2 (en) 2014-05-27 2020-06-30 Universal Display Corporation Low power consumption OLED display
US9929365B2 (en) 2014-05-28 2018-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Excited state management
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US10115930B2 (en) 2014-07-08 2018-10-30 Universal Display Corporation Combined internal and external extraction layers for enhanced light outcoupling for organic light emitting device
US9343695B2 (en) 2014-08-13 2016-05-17 Universal Display Corporation Method of fabricating organic light emitting device (OLED) panel of arbitrary shape
US9825243B2 (en) 2014-08-18 2017-11-21 Udc Ireland Limited Methods for fabricating OLEDs on non-uniform substrates and devices made therefrom
US9583707B2 (en) 2014-09-19 2017-02-28 Universal Display Corporation Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and method of manufacturing the same
US9997405B2 (en) 2014-09-30 2018-06-12 Lam Research Corporation Feature fill with nucleation inhibition
US10950803B2 (en) 2014-10-13 2021-03-16 Universal Display Corporation Compounds and uses in devices
US10868261B2 (en) 2014-11-10 2020-12-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9843024B2 (en) 2014-12-03 2017-12-12 Universal Display Corporation Methods for fabricating OLEDs
US10177126B2 (en) 2014-12-16 2019-01-08 Universal Display Corporation Tunable OLED lighting source
US10510973B2 (en) 2014-12-17 2019-12-17 Universal Display Corporation Color-stable organic light emitting diode stack
US11145837B2 (en) 2014-12-17 2021-10-12 Universal Display Corporation Color stable organic light emitting diode stack
US9761842B2 (en) 2014-12-19 2017-09-12 The Regents Of The University Of Michigan Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces
US10038167B2 (en) 2015-01-08 2018-07-31 The Regents Of The University Of Michigan Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling
US9711730B2 (en) 2015-01-25 2017-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10355222B2 (en) 2015-02-06 2019-07-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI693295B (zh) * 2015-02-06 2020-05-11 美商諾發系統有限公司 碳化矽膜之保形沉積
US10644247B2 (en) 2015-02-06 2020-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418562B2 (en) 2015-02-06 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680183B2 (en) 2015-02-15 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10600966B2 (en) 2015-02-27 2020-03-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9911928B2 (en) 2015-03-19 2018-03-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10529931B2 (en) 2015-03-24 2020-01-07 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US10147360B2 (en) 2015-03-31 2018-12-04 Universal Display Corporation Rugged display device architecture
US11818949B2 (en) 2015-04-06 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11495749B2 (en) 2015-04-06 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10593890B2 (en) 2015-04-06 2020-03-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
US9899457B2 (en) 2015-04-24 2018-02-20 Universal Display Corporation Flexible OLED display having increased lifetime
US10777749B2 (en) 2015-05-07 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403826B2 (en) 2015-05-07 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9478758B1 (en) 2015-05-08 2016-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9947895B2 (en) 2015-06-17 2018-04-17 Universal Display Corporation Flexible AMOLED display
US9978965B2 (en) 2015-06-17 2018-05-22 Universal Display Corporation Rollable OLED display
US10243162B2 (en) 2015-06-17 2019-03-26 Universal Display Corporation Close illumination system
US9496523B1 (en) 2015-06-19 2016-11-15 Universal Display Corporation Devices and methods to improve light outcoupling from an OLED array
US10825997B2 (en) 2015-06-25 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686159B2 (en) 2015-06-26 2020-06-16 Universal Display Corporation OLED devices having improved efficiency
US10873036B2 (en) 2015-07-07 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9899631B2 (en) 2015-07-08 2018-02-20 Universal Display Corporation Flexible multilayer scattering substrate used in OLED
CN104993063A (zh) * 2015-07-17 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种封装件及其制作方法、oled装置
US11018309B2 (en) 2015-08-03 2021-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10522769B2 (en) 2015-08-18 2019-12-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9947728B2 (en) 2015-08-25 2018-04-17 Universal Display Corporation Hybrid MEMS OLED display
JP6474337B2 (ja) * 2015-08-27 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US11706972B2 (en) 2015-09-08 2023-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9818804B2 (en) 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
US10263050B2 (en) 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
US10770664B2 (en) 2015-09-21 2020-09-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10593892B2 (en) 2015-10-01 2020-03-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10847728B2 (en) 2015-10-01 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10704144B2 (en) 2015-10-12 2020-07-07 Universal Display Corporation Apparatus and method for printing multilayer organic thin films from vapor phase in an ultra-pure gas ambient
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10388892B2 (en) 2015-10-29 2019-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10177318B2 (en) 2015-10-29 2019-01-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10388893B2 (en) 2015-10-29 2019-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10290816B2 (en) 2015-11-16 2019-05-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent materials and devices
US10998507B2 (en) 2015-11-23 2021-05-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10476010B2 (en) 2015-11-30 2019-11-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11024808B2 (en) 2015-12-29 2021-06-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10957861B2 (en) 2015-12-29 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10707427B2 (en) 2016-02-09 2020-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10600967B2 (en) 2016-02-18 2020-03-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10212825B2 (en) * 2016-03-03 2019-02-19 Motorola Mobility Llc Polysiloxane films and methods of making polysiloxane films
US10170701B2 (en) 2016-03-04 2019-01-01 Universal Display Corporation Controlled deposition of materials using a differential pressure regime
US9692955B1 (en) 2016-03-21 2017-06-27 Universal Display Corporation Flash optimized using OLED display
US10276809B2 (en) 2016-04-05 2019-04-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11168391B2 (en) 2016-04-11 2021-11-09 Universal Display Corporation Nozzle exit contours for pattern composition
US11014386B2 (en) 2016-04-11 2021-05-25 Universal Display Corporation Actuation mechanism for accurately controlling distance in OVJP printing
US10483498B2 (en) 2016-04-22 2019-11-19 Universal Display Corporation High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material
US11081647B2 (en) 2016-04-22 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170324049A1 (en) 2016-05-05 2017-11-09 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
US10522776B2 (en) 2016-05-23 2019-12-31 Universal Display Corporation OLED device structures
US10460663B2 (en) 2016-05-31 2019-10-29 Universal Display Corporation Architecture for very high resolution AMOLED display backplane
US10651403B2 (en) 2016-06-20 2020-05-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686140B2 (en) 2016-06-20 2020-06-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680184B2 (en) 2016-07-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10720587B2 (en) 2016-07-19 2020-07-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10153443B2 (en) 2016-07-19 2018-12-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10756141B2 (en) 2016-07-28 2020-08-25 Universal Display Corporation Very high resolution stacked OLED display
US10229960B2 (en) 2016-08-02 2019-03-12 Universal Display Corporation OLED displays with variable display regions
US10483489B2 (en) 2016-08-12 2019-11-19 Universal Display Corporation Integrated circular polarizer and permeation barrier for flexible OLEDs
US10205105B2 (en) 2016-08-15 2019-02-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10505127B2 (en) 2016-09-19 2019-12-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608185B2 (en) 2016-10-17 2020-03-31 Univeral Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11751426B2 (en) 2016-10-18 2023-09-05 Universal Display Corporation Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same
US10236458B2 (en) 2016-10-24 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12317745B2 (en) 2016-11-09 2025-05-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10340464B2 (en) 2016-11-10 2019-07-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10964893B2 (en) 2016-11-17 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10662196B2 (en) 2016-11-17 2020-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10153445B2 (en) 2016-11-21 2018-12-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10833276B2 (en) 2016-11-21 2020-11-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US11223032B2 (en) 2016-11-29 2022-01-11 Universal Display Corporation Thin film barrier structure
KR102620962B1 (ko) * 2016-12-07 2024-01-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
US10490753B2 (en) 2016-12-15 2019-11-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9837270B1 (en) 2016-12-16 2017-12-05 Lam Research Corporation Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment
US10811618B2 (en) 2016-12-19 2020-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10783823B2 (en) 2017-01-04 2020-09-22 Universal Display Corporation OLED device with controllable brightness
US10629820B2 (en) 2017-01-18 2020-04-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10964904B2 (en) 2017-01-20 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12089486B2 (en) 2017-02-08 2024-09-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10978647B2 (en) 2017-02-15 2021-04-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10741780B2 (en) 2017-03-10 2020-08-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10910577B2 (en) 2017-03-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10873037B2 (en) 2017-03-28 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11158820B2 (en) 2017-03-29 2021-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862046B2 (en) 2017-03-30 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11139443B2 (en) 2017-03-31 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10777754B2 (en) 2017-04-11 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038117B2 (en) 2017-04-11 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11101434B2 (en) 2017-04-21 2021-08-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038137B2 (en) 2017-04-28 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10910570B2 (en) 2017-04-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10941170B2 (en) 2017-05-03 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11201299B2 (en) 2017-05-04 2021-12-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10818840B2 (en) 2017-05-05 2020-10-27 Universal Display Corporation Segmented print bar for large-area OVJP deposition
US10930864B2 (en) 2017-05-10 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10822362B2 (en) 2017-05-11 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944062B2 (en) 2017-05-18 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10790455B2 (en) 2017-05-18 2020-09-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10934293B2 (en) 2017-05-18 2021-03-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11201288B2 (en) 2017-05-26 2021-12-14 Universal Display Corporation Generalized organic vapor jet depositor capable of high resolution printing and method for OVJP printing
US11946131B2 (en) 2017-05-26 2024-04-02 Universal Display Corporation Sublimation cell with time stability of output vapor pressure
US10930862B2 (en) 2017-06-01 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11495757B2 (en) 2017-06-23 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10968226B2 (en) 2017-06-23 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11174259B2 (en) 2017-06-23 2021-11-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12098157B2 (en) 2017-06-23 2024-09-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11678565B2 (en) 2017-06-23 2023-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11608321B2 (en) 2017-06-23 2023-03-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11968883B2 (en) 2017-07-26 2024-04-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11917843B2 (en) 2017-07-26 2024-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11322691B2 (en) 2017-07-26 2022-05-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11678499B2 (en) 2017-07-27 2023-06-13 Universal Display Corporation Use of singlet-triplet gap hosts for increasing stability of blue phosphorescent emission
US11508913B2 (en) 2017-08-10 2022-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11349083B2 (en) 2017-08-10 2022-05-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910699B2 (en) 2017-08-10 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2019036832A1 (en) 2017-08-21 2019-02-28 Boe Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY SUBSTRATE
US10600981B2 (en) 2017-08-24 2020-03-24 Universal Display Corporation Exciplex-sensitized fluorescence light emitting system
US11437591B2 (en) 2017-08-24 2022-09-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11444249B2 (en) 2017-09-07 2022-09-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20190088901A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Encapsulation method for oled thin film, oled thin film encapsulation structure and oled structure
WO2019064985A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 ソニー株式会社 表示装置
US11183646B2 (en) 2017-11-07 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10770690B2 (en) 2017-11-15 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan OLED with minimal plasmonic losses
US11362311B2 (en) 2017-11-17 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Sub-electrode microlens array for organic light emitting devices
US11168103B2 (en) 2017-11-17 2021-11-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11362310B2 (en) 2017-11-20 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric
US10777125B2 (en) 2017-11-27 2020-09-15 Universal Display Corporation Multi-mode OLED display
US10770673B2 (en) 2017-11-28 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan Highly reliable stacked white organic light emitting device
US11139444B2 (en) 2017-12-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer
US11145692B2 (en) 2017-12-12 2021-10-12 Universal Display Corporation Hybrid wearable organic light emitting diode (OLED) illumination devices
US10998531B2 (en) 2017-12-12 2021-05-04 Universal Display Corporation Segmented OVJP print bar
US11233204B2 (en) 2017-12-14 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12075690B2 (en) 2017-12-14 2024-08-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11233205B2 (en) 2017-12-14 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10971687B2 (en) 2017-12-14 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10992252B2 (en) 2017-12-19 2021-04-27 Universal Display Corporation Integrated photovoltaic window and light source
US11108027B2 (en) 2018-01-11 2021-08-31 Universal Display Corporation Printed metal gasket
US11271177B2 (en) 2018-01-11 2022-03-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10654272B2 (en) 2018-01-12 2020-05-19 Universal Display Corporation Valved micronozzle array for high temperature MEMS application
US11588140B2 (en) 2018-01-12 2023-02-21 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head for depositing thin film features with high thickness uniformity
US11367840B2 (en) 2018-01-26 2022-06-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12029055B2 (en) 2018-01-30 2024-07-02 The University Of Southern California OLED with hybrid emissive layer
KR102480840B1 (ko) * 2018-01-31 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
US11033924B2 (en) 2018-01-31 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with orthogonal delivery and exhaust channels
US11957050B2 (en) 2018-02-09 2024-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11104988B2 (en) 2018-02-22 2021-08-31 Universal Display Corporation Modular confined organic print head and system
US11557733B2 (en) 2018-03-12 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10916704B2 (en) 2018-04-03 2021-02-09 Universal Display Corporation Vapor jet printing
US11062205B2 (en) 2018-04-06 2021-07-13 Universal Display Corporation Hybrid neuromorphic computing display
US11882759B2 (en) 2018-04-13 2024-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11616203B2 (en) 2018-04-17 2023-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN108428804A (zh) * 2018-04-19 2018-08-21 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其封装方法
US11552278B2 (en) 2018-05-08 2023-01-10 Universal Display Corporation Integrated photobiomodulation device
US11339182B2 (en) 2018-06-07 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11121320B2 (en) 2018-06-18 2021-09-14 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with redundant groups of depositors
US11552159B2 (en) 2018-06-18 2023-01-10 Universal Display Corporation OLED display with all organic thin film layers patterned
US11228004B2 (en) 2018-06-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10840087B2 (en) 2018-07-20 2020-11-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of boron nitride, boron carbide, and boron carbonitride films
US10797112B2 (en) 2018-07-25 2020-10-06 Universal Display Corporation Energy efficient OLED TV
US12171137B2 (en) 2018-09-10 2024-12-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10879487B2 (en) 2018-10-04 2020-12-29 Universal Display Corporation Wearable OLED illumination device
US11495752B2 (en) 2018-10-08 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11469383B2 (en) 2018-10-08 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20220056248A (ko) 2018-10-19 2022-05-04 램 리써치 코포레이션 갭 충진 (gapfill) 을 위한 도핑되거나 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 증착 및 원격 수소 플라즈마 노출
US11515482B2 (en) 2018-10-23 2022-11-29 Universal Display Corporation Deep HOMO (highest occupied molecular orbital) emitter device structures
US11963441B2 (en) 2018-11-26 2024-04-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11515489B2 (en) 2018-11-28 2022-11-29 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11201313B2 (en) 2018-11-29 2021-12-14 Universal Display Corporation Enhanced outcoupling from surface plasmon modes in corrugated OLEDs
US11217762B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Universal Display Corporation Surface-plasmon-pumped light emitting devices
US11834459B2 (en) 2018-12-12 2023-12-05 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11895853B2 (en) 2019-01-17 2024-02-06 The Regents Of The University Of Michigan Organic photovoltaic device having a lateral charge transport channel
US11088325B2 (en) 2019-01-18 2021-08-10 Universal Display Corporation Organic vapor jet micro-print head with multiple gas distribution orifice plates
US11349099B2 (en) 2019-01-25 2022-05-31 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a light emitting device having a polymer film with a specified surface rouggness
US11342526B2 (en) 2019-01-29 2022-05-24 The Regents Of The University Of Michigan Hybrid organic light emitting device
US11812624B2 (en) 2019-01-30 2023-11-07 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11683973B2 (en) 2019-01-31 2023-06-20 Universal Display Corporation Use of thin film metal with stable native oxide for solder wetting control
US12137605B2 (en) 2019-02-08 2024-11-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11325932B2 (en) 2019-02-08 2022-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11370809B2 (en) 2019-02-08 2022-06-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11773320B2 (en) 2019-02-21 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11557738B2 (en) 2019-02-22 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11512093B2 (en) 2019-03-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Compound used for organic light emitting device (OLED), consumer product and formulation
US12082439B2 (en) 2019-03-12 2024-09-03 Universal Display Corporation Purcell enhancement via Tamm plasmon stack in OLED structures
US11637261B2 (en) 2019-03-12 2023-04-25 Universal Display Corporation Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs
US11245086B2 (en) 2019-03-12 2022-02-08 Universal Display Corporation Nano-objects for purcell enhancement, out-coupling and engineering radiation pattern
US12082428B2 (en) 2019-03-12 2024-09-03 Universal Display Corporation OLED with triplet emitter and excited state lifetime less than 200 ns
US11139442B2 (en) 2019-03-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs
US11056540B2 (en) 2019-03-12 2021-07-06 Universal Display Corporation Plasmonic PHOLED arrangement for displays
US11569480B2 (en) 2019-03-12 2023-01-31 Universal Display Corporation Plasmonic OLEDs and vertical dipole emitters
US11552247B2 (en) 2019-03-20 2023-01-10 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet nozzle with shutter
US11963438B2 (en) 2019-03-26 2024-04-16 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US12240865B2 (en) 2019-03-27 2025-03-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12122793B2 (en) 2019-03-27 2024-10-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11222928B2 (en) 2019-04-01 2022-01-11 Universal Display Corporation Display architecture with reduced number of data line connections
US11613550B2 (en) 2019-04-30 2023-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices comprising benzimidazole-containing metal complexes
US11920070B2 (en) 2019-07-12 2024-03-05 The University Of Southern California Luminescent janus-type, two-coordinated metal complexes
US11825687B2 (en) 2019-07-17 2023-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device
US11985888B2 (en) 2019-08-12 2024-05-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent device
US11903300B2 (en) 2019-11-18 2024-02-13 Universal Display Corporation Pixel configurations for high resolution OVJP printed OLED displays
US11832504B2 (en) 2019-11-25 2023-11-28 The Regents Of The University Of Michigan System and method for organic electronic device patterning
US11292245B2 (en) 2020-01-03 2022-04-05 Trustees Of Boston University Microelectromechanical shutters for organic vapor jet printing
US12227831B2 (en) 2020-05-01 2025-02-18 The Regents Of The University Of Michigan, Innovation Partnerships Pneumatic shutters to control organic vapor jet printing
US12065728B2 (en) 2020-05-11 2024-08-20 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
US11751466B2 (en) 2020-05-11 2023-09-05 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
US11716863B2 (en) 2020-05-11 2023-08-01 Universal Display Corporation Hybrid display architecture
US12052918B2 (en) 2020-06-24 2024-07-30 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent device comprising two-dimensional emissive layer
US11778889B2 (en) 2020-07-20 2023-10-03 Universal Display Corporation Height measurement and control in confined spaces for vapor deposition system
US12211414B2 (en) 2020-08-20 2025-01-28 Universal Display Corporation Display correction scheme using an under-display camera
US20220102441A1 (en) 2020-09-29 2022-03-31 Universal Display Corporation High Color Gamut OLED Displays
US12016231B2 (en) 2020-10-09 2024-06-18 Universal Display Corporation Simplified high-performance AMOLED
US12187748B2 (en) 2020-11-02 2025-01-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12185557B2 (en) 2020-12-04 2024-12-31 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device including ultrathin dopant layers
US12342716B2 (en) 2020-12-09 2025-06-24 University Of Southern California Tandem-carbene phosphors
US12331064B2 (en) 2020-12-09 2025-06-17 University Of Southern California Tandem carbene phosphors
US11903302B2 (en) 2020-12-16 2024-02-13 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US12150321B2 (en) 2020-12-17 2024-11-19 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device including morphological stabilizing layer
US12213331B2 (en) 2021-01-29 2025-01-28 The Regents Of The University Of Michigan Hybrid organic-inorganic light emitting device
US12207535B2 (en) 2021-03-01 2025-01-21 The Regents Of The University Of Michigan Peel-off patterning method for fabrication of organic optoelectronic devices
US12183280B2 (en) 2021-07-01 2024-12-31 Universal Display Corporation Means to reduce OLED transient response
US12275173B2 (en) * 2021-09-20 2025-04-15 Apple Inc. Porous oxide for improved titanium-polymer bonding
US12048169B2 (en) 2021-09-22 2024-07-23 The Regents Of The University Of Michigan High efficiency, color neutral, semi-transparent organic photovoltaics for energy harvesting windows
US12001193B2 (en) * 2022-03-11 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for environmental control of dies and substrates for hybrid bonding

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002532850A (ja) * 1998-12-16 2002-10-02 バッテル・メモリアル・インスティチュート 有機発光デバイスのための環境バリヤー材料及びその製造方法
JP2006201792A (ja) * 1996-09-24 2006-08-03 Seiko Epson Corp 光源装置、ディスプレイ、プロジェクタ、およびプロジェクションテレビ
JP2007207518A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Tdk Corp Ｅｌパネル

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU550491B2 (en) * 1981-04-03 1986-03-20 Flex Products, Inc. Flexible polymer film with vapour impermeable coating
WO1990013685A1 (fr) * 1989-05-10 1990-11-15 Furukawa Electric Co., Ltd. Materiau de contact electrique, procede de production de ce materiau, et contact electrique ainsi produit
JP3144817B2 (ja) 1990-03-23 2001-03-12 株式会社東芝 半導体装置
JPH0479192A (ja) * 1990-07-23 1992-03-12 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示パネルの保護構造
EP0533044B1 (de) 1991-09-20 1999-12-29 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Schutzbeschichtung von Substraten sowie Beschichtungsanlage
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5693377A (en) * 1996-01-08 1997-12-02 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving titanium organometallic and metal-organic precursor compounds
US5804259A (en) * 1996-11-07 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film
US5821692A (en) 1996-11-26 1998-10-13 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package
US6139699A (en) 1997-05-27 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Sputtering methods for depositing stress tunable tantalum and tantalum nitride films
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
EP0969521A1 (de) 1998-07-03 2000-01-05 ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
US6420988B1 (en) * 1998-12-03 2002-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Digital analog converter and electronic device using the same
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2000323273A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6541369B2 (en) * 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
US6226890B1 (en) * 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
JP4040850B2 (ja) 2000-07-24 2008-01-30 Ｔｄｋ株式会社 発光素子
JP4423767B2 (ja) * 2000-08-22 2010-03-03 ソニー株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
US20020090521A1 (en) 2000-09-29 2002-07-11 Tatsuji Nakajima Silica layers and antireflection film using same
US6537688B2 (en) 2000-12-01 2003-03-25 Universal Display Corporation Adhesive sealed organic optoelectronic structures
JP4954367B2 (ja) * 2000-12-20 2012-06-13 パナソニック株式会社 プリプレグの製造方法
CA2437472A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-22 Dow Global Technologies Inc. Organic light emitting diodes on plastic substrates
US6576351B2 (en) 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US6664137B2 (en) * 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
TW570876B (en) 2001-05-11 2004-01-11 Toyo Seikan Kaisha Ltd Silicon oxide film
JP4797285B2 (ja) * 2001-06-18 2011-10-19 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
CA2457791C (en) 2001-08-20 2010-08-03 Nova-Plasma Inc. Coatings with low permeation of gases and vapors
US6597111B2 (en) 2001-11-27 2003-07-22 Universal Display Corporation Protected organic optoelectronic devices
US6765351B2 (en) 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
JP4034561B2 (ja) * 2001-12-20 2008-01-16 株式会社アルバック 発光装置の製造方法
US6936131B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
JP2003260749A (ja) * 2002-03-08 2003-09-16 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性フィルムおよびこれを用いたディスプレイ
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP2003308977A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Morio Taniguchi 有機エレクトロルミネッセンス発光装置とその製造方法
US7056584B2 (en) 2002-10-11 2006-06-06 General Electric Company Bond layer for coatings on plastic substrates
US7372069B2 (en) 2003-01-14 2008-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Interface for UV-curable adhesives
CN100477329C (zh) * 2003-03-07 2009-04-08 友达光电股份有限公司 一种有机发光显示器的制备方法
JP4383077B2 (ja) * 2003-03-31 2009-12-16 大日本印刷株式会社 ガスバリア性基板
US20040197474A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Vrtis Raymond Nicholas Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films
JP4449341B2 (ja) * 2003-05-16 2010-04-14 カシオ計算機株式会社 封止構造
WO2005051525A1 (en) 2003-11-25 2005-06-09 Polyvalor, Limited Partnership Permeation barrier coating or layer with modulated properties and methods of making the same
JP4337567B2 (ja) * 2004-02-03 2009-09-30 株式会社島津製作所 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005251671A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Fuji Photo Film Co Ltd 表示装置
US8405193B2 (en) * 2004-04-02 2013-03-26 General Electric Company Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages
US20060087230A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Eastman Kodak Company Desiccant film in top-emitting OLED
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
TW200643845A (en) * 2005-06-03 2006-12-16 Unividion Technology Inc Organic electroluminescence display module and method for fabricating the same
US7270196B2 (en) 2005-11-21 2007-09-18 Hall David R Drill bit assembly
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
JP2008171800A (ja) 2006-10-31 2008-07-24 Fei Co 荷電粒子ビーム処理用保護層
US20080102223A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US20080102206A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Multilayered coatings for use on electronic devices or other articles
US7968146B2 (en) 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
BRPI0819548A2 (pt) * 2007-12-28 2015-05-19 3M Innovative Properties Co "sistemas de filme de encapsulação flexível"
WO2010011390A2 (en) * 2008-05-07 2010-01-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
EP2588314B1 (en) * 2010-07-02 2020-08-19 3M Innovative Properties Company Barrier assembly with encapsulant and photovoltaic cell
US8766240B2 (en) * 2010-09-21 2014-07-01 Universal Display Corporation Permeation barrier for encapsulation of devices and substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006201792A (ja) * 1996-09-24 2006-08-03 Seiko Epson Corp 光源装置、ディスプレイ、プロジェクタ、およびプロジェクションテレビ
JP2002532850A (ja) * 1998-12-16 2002-10-02 バッテル・メモリアル・インスティチュート 有機発光デバイスのための環境バリヤー材料及びその製造方法
JP2007207518A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Tdk Corp Ｅｌパネル

Also Published As

Publication number Publication date
EP2274458A2 (en) 2011-01-19
US20140054574A1 (en) 2014-02-27
WO2010011390A2 (en) 2010-01-28
JP2017122283A (ja) 2017-07-13
US20170018732A1 (en) 2017-01-19
US9882167B2 (en) 2018-01-30
WO2010011390A3 (en) 2010-06-24
CN104141112B (zh) 2017-09-19
CN102046841A (zh) 2011-05-04
KR20110021743A (ko) 2011-03-04
JP2015007292A (ja) 2015-01-15
CN104141112A (zh) 2014-11-12
JP2011520041A (ja) 2011-07-14
US20110114994A1 (en) 2011-05-19
KR101833658B1 (ko) 2018-02-28
TW201008369A (en) 2010-02-16
EP2274458B1 (en) 2020-03-25
JP6125474B2 (ja) 2017-05-10
JP6430573B2 (ja) 2018-11-28
US8592253B2 (en) 2013-11-26
KR20160095196A (ko) 2016-08-10
TW201742202A (zh) 2017-12-01
CN102046841B (zh) 2014-05-28
TWI632829B (zh) 2018-08-11
KR20150038544A (ko) 2015-04-08
US9252391B2 (en) 2016-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101563763B1 (ko) 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
JP6716521B2 (ja) 電子デバイス又は他の部品上のコーティングに使用するハイブリッド層
US8436533B2 (en) Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
KR20090087459A (ko) 전자 장치 및 기타 물품 상에 사용하기 위한 다층 코팅
KR102023206B1 (ko) 소자 및 기판의 봉입을 위한 투과 차단체
CN101553600B (zh) 用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20101029

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20131105

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140828

Patent event code: PE09021S01D

A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20150302

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150721

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20151021

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20151021

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180918

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180918

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190917

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190917

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200928

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210915

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231011

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241008

Start annual number: 10

End annual number: 10