KR101545642B1

KR101545642B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR101545642B1
Application number: KR1020090010026A
Authority: KR
Inventors: 장용규; 이재영; 이성준; 리이
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-02-09
Filing date: 2009-02-09
Publication date: 2015-08-20
Anticipated expiration: 2029-02-09
Also published as: KR20100090835A; TW201033712A; US20100201931A1; JP2010181874A; CN101799597B; JP5535666B2; TWI485498B; US8902388B2; CN101799597A

Abstract

생산성 및 표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법이 개시된다. 표시 장치는 화소 영역에 액정 도메인을 형성하기 위한 함입 패턴을 포함하는 도메인 형성층 및 도메인 형성층 상에 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판과, 제1 기판과 대향하는 전면에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 개재되고, 함입 패턴을 기준으로 액정 도메인을 형성하는 액정 분자들을 고정시키는 반응성 메조겐을 갖는 액정층을 포함한다. 이에 따라, 공통 전극에 별도의 패턴 없이도 액정 도메인을 형성할 수 있고, 개구율을 향상시킬 수 있으며, 제조 공정을 단순화시킬 수 있으므로 표시 장치의 생산성 및 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

SVA, PSVA, MVA, 패턴리스, 홈, 자외선, 메조겐, 스페이서, 바텀 전극

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정을 이용하여 영상을 표시하는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 액정표시패널은 각 화소 영역을 구동하기 위한 스위칭 소자들이 형성된 어레이 기판과, 상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되어 형성된 액정층을 포함한다. 상기 액정표시패널은 상기 액정층에 전압을 인가하여 광의 투과율을 제어하는 방식으로 화상을 표시한다.

한편, 액정표시장치의 동작 모드 중에서 VA 모드의 액정표시장치의 일종인 PVA 모드(Patterned Vertical Alignment mode)는, 패터닝된 투명 전극을 이용하여 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배열시켜 액정 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시킬 수 있다. 이때, 상기 PVA 모드의 액정표시장치를 제조하기 위해서는 상기 패터닝된 투명 전극을 형성하는 공정이 수반되어야 한다. 또한, PVA 모드의 다른 형태로, 대향 기판에 돌기를 형성하고, 상기 돌기가 형성된 기판 상에 공통 전극층을 형성함으로써 액정 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시킬 수 있다. 그러나, 이 경우 또한 상기 돌기를 형성하기 위한 별도의 공정이 수반되어야 한다.

상기와 같이 액정표시장치의 액정 도메인을 형성하기 위해서는 투명 전극을 패터닝하는 공정 및/또는 돌기를 형성하는 공정을 더 수행해야하므로, 액정표시장치의 제조 공정 수가 증가한다. 또한, 표시 기판 및 대향 기판의 어셈블리 공정에서 상기 표시 기판과 상기 대향 기판의 미스 얼라인은, 상기 표시 기판의 화소 전극과 상기 대향 기판의 공통 전극의 패턴들의 미스 얼라인으로 이어져 정상적인 액정 도메인을 형성하지 못한다. 또한, 상기 투명 전극의 패터닝 및 상기 돌기의 형성은 액정표시장치의 개구율을 저하시키는 요인이 된다.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 공통 전극에 별도의 패턴을 형성하는 공정을 생략하고, 액정 도메인을 형성함으로써 생산성 및 표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 화소 영역에 액정 도메인을 형성하기 위한 함입 패턴을 포함하는 도메인 형성층 및 상기 도메인 형성층 상 에 형성된 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향하는 전면에 형성된 공통 전극을 포함한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되고, 상기 함입 패턴을 기준으로 액정 도메인을 형성하는 액정 분자들을 고정시키는 반응성 메조겐(Reactive mesogen, RM)을 갖는다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 화소 영역에 액정 도메인을 형성하기 위한 개구 패턴을 갖는 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향하는 전면에 형성된 공통 전극을 포함한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되고, 상기 개구 패턴을 기준으로 액정 도메인을 형성하는 액정 분자들을 고정시키는 반응성 메조겐(Reactive mesogen)을 포함한다.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에서, 화소 영역의 액정 도메인을 형성하기 위한 함입 패턴을 포함하는 도메인 형성층 및 상기 도메인 형성층 상에 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판을 제조한다. 상기 제1 기판과 대향하는 전면에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판을 제조한다. 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정 분자들 및 반응성 메조겐 모노머들을 포함하는 액정 조성물을 개재시키고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 전압을 인가한 상태에서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정 분자들 및 반응성 메조겐 모노머들에 광을 조사하여 액정층을 형성한다.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에서, 화소 영역에 액정 도메인을 형성하기 위한 개구 패턴을 갖는 화소 전극을 포함하는 제1 기판을 제조한다. 상기 제1 기판과 대향하는 전면에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판을 제조하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 전압을 인가한 상태에서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정 분자들 및 반응성 메조겐 모노머들에 광을 조사하여 액정층을 형성한다.

이와 같은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 따르면, 공통 전극에 별도의 패턴 없이도 액정 도메인을 형성할 수 있으므로, 개구율 및 시야각을 향상시킬 수 있다. 또한, 공통 전극에 별도의 패턴이 없으므로, 표시 장치의 상하판 미스 얼라인의 원인을 원천적으로 제거함으로써 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 공통 전극에 패턴을 형성하기 위한 별도의 패터닝 공정을 생략함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 생산성 및 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용 어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막) 또는 패턴들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막) 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 직 접 기판, 각 층(막) 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

실시예 1

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 2a는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 2b는 도 1의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 2a 및 도 2b에서의 액정층은, 화소 전극과 공통 전극 사이에 전압이 인가되지 않은 무전계의 액정 분자들 및 반응성 메조겐(Reactive Mosogen, RM)의 상태를 나타낸다.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 스토리지 라인(STL), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(SW), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다.

상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상 에 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 서로 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 예를 들어, 상기 제1 방향(D1)과 수직한 방향일 수 있다. 상기 스토리지 라인(STL)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2) 사이에 배치되고, 상기 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)과 상기 스토리지 라인(STL)을 덮도록 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)은 상기 게이트 절연층(120) 상에 상기 제2 방향(D2)을 따라 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)은 각각 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2) 및 상기 스토리지 라인(STL)과 교차할 수 있다. 상기 제1 기판(100)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)과 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)에 의해서 화소 영역(P)이 구획되고, 상기 화소 영역(P)에 상기 화소 전극(PE)이 형성될 수 있다.

상기 박막 트랜지스터(SW)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 제1 게이트 전극(GE1), 상기 제1 게이트 전극(GE1)과 대응되도록 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성된 액티브 패턴(AP), 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결되고 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩된 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE1)과 이격되고 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩된 드레인 전극(DE), 및 상기 드레인 전극(DE)으로부터 연장되어 상기 화소 영역(P)으로 연장된 콘택 전극(CNT)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 절연층(120) 상에 순차적으로 형성된 반도체층(130a) 및 오 믹 콘택층(130b)을 포함할 수 있다. 상기 콘택 전극(CNT)은 상기 드레인 전극(DE)으로부터 연장되어 상기 스토리지 라인(STL)까지 연장되어 상기 스토리지 라인(STL)과 중첩될 수 있다.

상기 패시베이션층(140)은 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 콘택 전극(CNT)을 덮도록 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성될 수 있다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 패시베이션층(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 상기 제1 기판(100)을 평탄화시킬 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은, 상기 도메인 형성층(150)의 표면으로부터 하부 방향으로 함입되어 형성된 함입 패턴(152)을 포함한다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 화소 영역(P)에 형성되고, 상기 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성할 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 도트형(dot type)으로 상기 유기층(150)에 형성될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 콘택 전극(CNT)과 대응되도록 상기 콘택 전극(CNT) 상에 형성될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 콘택 전극(CNT)의 일부를 노출시키는 도트형의 홀(hole)로 형성될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)이 상기 홀 형상으로 형성되더라도, 상기 함입 패턴(152)의 하부에 형성된 상기 스토리지 라인(STL) 및 상기 콘택 전극(CNT)에 의해 상기 함입 패턴(152)이 형성된 영역의 빛샘을 방지할 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 도메인 형성층은 상기 유기 물질로 형성된 유기층 및 상기 무기 물질로 형성된 무기층을 포함하고, 상기 유기층 또는 무기층에 상기 함입 패 턴(152)이 형성될 수 있다.

상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역(P)의 상기 도메인 형성층(150) 상에 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 함입 패턴(152)을 전체적으로 덮도록 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 함입 패턴(152)을 통해 상기 콘택 전극(CNT)과 접촉함으로써 상기 박막 트랜지스터(SW)와 전기적으로 연결될 수 있다. 평면적으로 동일한 면적을 갖는 영역에 있어서, 상기 함입 패턴(152) 상의 상기 화소 전극(PE)의 면적이 상기 도메인 형성층(150)의 평평한 영역 상에 형성된 상기 화소 전극(PE)의 면적에 비해 상대적으로 넓다. 이에 따라, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 전계가 형성되는 경우, 상기 함입 패턴(152)과 인접한 영역의 전계의 세기가 상기 함입 패턴(152)이 형성되지 않은 상기 평평한 영역의 전계의 세기에 비해 상대적으로 클 수 있다.

상기 제1 배향막(AL1)은 상기 화소 전극(PE)을 포함하는 제1 베이스 기판(110)의 전면에 형성될 수 있다.

상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)과 대향하는 제2 베이스 기판(210), 블랙 매트릭스 패턴(220), 제1, 제2 및 제3 컬러필터들(232, 234, 236), 오버 코팅층(240), 공통 전극층(250) 및 제2 배향막(AL2)을 포함한다. 상기 제2 기판(200)은 상기 오버코팅층(240)을 포함하지 않을 수 있다.

상기 블랙 매트릭스 패턴(220)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2) 및 상기 박막 트랜지스터(SW)가 형성된 영역과 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터들(232, 234, 236)은 상기 블랙 매트릭스 패턴(220)에 의해 구획되는 상기 제2 베이스 기판(210)의 영역들에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 전극(PE)이 형성된 화소 영역(P)과 대응하는 영역의 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 제1 컬러필터(232)가 형성될 수 있다. 상기 제1 컬러필터(232)의 상기 제1 방향(D1)에 상기 제2 컬러필터(234)가 형성될 수 있고, 상기 제1 컬러필터(232)의 상기 제1 방향(D1)의 반대 방향에 상기 제3 컬러필터(236)가 형성될 수 있다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 블랙 매트릭스 패턴(220) 및 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터들(232, 234, 236)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성되고, 상기 제2 기판(200)을 평탄화시킬 수 있다.

상기 공통 전극(250)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(250)은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(250)은 별도의 패턴 없이 상기 제2 기판(200)의 전면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 함입 패턴(152)에 의해 전계의 세기를 변경할 수 있는 화소 전극(PE)과 패턴이 없는 (patternless) 상기 공통 전극(250)에 의해서, 상기 액정층(300)의 액정 도메인을 형성할 수 있다.

상기 제2 배향막(AL2)은 상기 공통 전극(250)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성되고, 상기 제2 기판(200)의 전면에 형성될 수 있다.

상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 개재되고, 상기 액정 분자들(310) 및 반응성 메조겐 경화물(Reactive Mesogen, 320, 이 하 RM 경화물로 지칭함)을 포함한다.

상기 액정 분자들(310)은 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(250) 사이에 형성되는 전계에 의해 배열이 변경됨으로써 광의 투과율을 조절할 수 있다. 상기 액정 분자들(310)은 예를 들어, 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다.

상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(250) 사이에 전압이 인가되지 않은 상태에서, 상기 제1 기판(100) 및/또는 상기 제2 기판(200)과 인접한 액정 분자들(310)은, 상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 제1 베이스 기판(110) 및/또는 상기 제2 베이스 기판(210)의 표면을 기준으로 수직한 상태로 배열될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)과 인접한 액정 분자들(310)의 장축은, 상기 합입 패턴(152)을 형성하는 상기 도메인 형성층(150)의 측벽의 표면을 기준으로, 상기 측벽의 표면과 수직한 방향으로 배열될 수 있다.

상기 RM 경화물(320)은 상기 액정 분자들(310) 사이에 개재될 수 있다. 상기 RM 경화물(320)은 상기 화소 전극(PE) 및/또는 상기 공통 전극(250)과 인접한 액정 분자들(310) 사이에 개재될 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 RM 경화물(320)은 상기 제1 배향막(AL1)과 인접한 액정 분자들(310) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 상기 RM 경화물(320)은 상기 제2 배향막(AL2)과 인접한 액정 분자들(310) 사이에 개재될 수 있다.

상기 RM(320)은 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(250) 사이에 전계가 인가되지 않은 경우라도, 상기 제1 기판(100) 및/또는 상기 제2 기판(200)과 인접한 상기 액정 분자들(310)이 상기 제1 베이스 기판(110) 및/또는 상기 제2 베이스 기판(210)의 표면을 기준으로 프리틸트된 상태를 유지시킬 수 있다. 상기 RM(320)은 상기 표시 장치를 제조하는 공정 중에서 외부광에 의해 RM 모노머(330, 도 3e 참조)들이 중합되어 형성될 수 있다.

도 2c는 도 2b에 도시된 표시 장치에 전압이 인가된 상태의 단면도이다.

도 2c를 참조하면, 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(250) 사이에 전계가 형성된 경우, 상기 화소 영역(P) 내부에서의 상기 전계의 방향은 상기 제1 기판(100) 및/또는 상기 제2 기판(200)의 표면과 수직한 방향이다.

상기 화소 전극(PE)의 단부와 상기 공통 전극(250) 사이에서는 상기 전계의 방향이 휘어진다. 상기 화소 전극(PE)과 인접한 다른 화소 전극의 단부와 상기 공통 전극(250) 사이에서도 상기 전계의 방향이 휘어진다. 이에 따라, 서로 인접한 화소 전극(PE) 사이에서는 상기 액정 분자들(310)이 상기 공통 전극(250)의 서로 다른 지점을 향해 발산되도록 배열됨으로써 서로 인접한 화소 영역들(P) 사이의 액정 도메인이 분할될 수 있다.

상기 함입 패턴(152)과 인접한 영역의 전계 모양은, 상기 함입 패턴(152)의 측벽들에 의한 프리틸트로 인하여 상기 공통 전극(250)의 일 지점, 예를 들어 상기 함입 패턴(152)과 대응하는 영역의 상기 공통 전극(250)을 향해 수렴하는 형상을 갖는다.

도 3a 내지 도 3e는 도 2b에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3a 내지 도 3e에서는 표시 장치의 각 제조 공정에서의 도 1의 II-II'라인 을 따라 절단한 단면도를 도시하였으나, 도 3a 내지 도 3e를 설명할 때, 각각 도 1, 도 2b 및 도 2c를 같이 참조하여 설명하기로 한다.

도 3a 내지 도 3c는 도 2b에 도시된 제1 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3a를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 스토리지 라인(STL)을 포함하는 게이트 패턴을 형성한다.

상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(120)을 형성하는 물질의 예로서는, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등을 들 수 있다.

상기 게이트 절연층(120)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 액티브 패턴(AP)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(120) 상에 상기 반도체층(130a) 및 상기 오믹 콘택층(130b)을 순차적으로 형성할 수 있다. 상기 반도체층(130a)은 예를 들어, 비정질 실리콘을 포함하고, 상기 오믹 콘택층(130b)은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.

상기 액티브 패턴(AP)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 데이터 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 데이트 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 콘택 전극(CNT)을 포함하는 소스 패턴을 형성할 수 있다.

상기 소스 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(140) 및 상기 도메인 형성층(150)을 순차적으로 형성한다. 상기 패시베이션층(140)을 형성하는 물질의 예로서는, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등을 들 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)을 형성하는 물질의 예로서는, 포지티브형 포토레지스트 조성물 또는 네가티브형 포토레지스트 조성물 등의 유기 물질이나, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 무기 물질을 들 수 있다.

도 3b를 참조하면, 상기 도메인 형성층(150)을 패터닝하여 상기 함입 패턴(152)을 형성한다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 콘택 전극(CNT) 상에 형성될 수 있다. 상기 콘택 전극(CNT)은 상기 스토리지 라인(STL)과 중첩될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 콘택 전극(CNT) 상의 상기 패시베이션층(140)을 노출시키는 홀(hole) 형상으로 형성될 수 있다.

이어서, 상기 함입 패턴(152)을 통해 노출되는 상기 패시베이션층(140)을 제거하여 패시베이션 홀(142)을 형성한다. 상기 패시베이션 홀(142)은 상기 콘택 전극(CNT) 상에 형성된다. 상기 패시베이션 홀(142) 및 상기 함입 패턴(152)을 통해 상기 콘택 전극(CNT)의 일부가 노출될 수 있다.

도 3c를 참조하면, 상기 함입 패턴(152)이 형성된 상기 도메인 형성층(150)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성하고, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 화소 전극(PE)을 형성한다. 상기 투명 전극층을 형성하는 물질의 예로서는, 인듐 틴 옥사이드(Indium tin oxide, ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium zinc oxide, IZO) 등을 들 수 있다.

상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 배향막(AL1)을 형성한다. 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 액정 분자들(310)을 수직 배향할 수 있는 수직 배향 물질을 포함할 수 있다.

이에 따라, 상기 게이트 패턴, 상기 게이트 절연층(120), 상기 액티브 패턴(AP), 상기 소스 패턴, 상기 패시베이션층(140), 상기 함입 패턴(152)을 포함하는 상기 도메인 형성층(150), 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)을 포함하는 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100)을 제조할 수 있다.

도 3d는 도 2b에 도시된 제2 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 3d를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 블랙 매트릭스 패턴(220)을 형성한다. 상기 블랙 매트릭스 패턴(220)은 유기 잉크를 분사하여 형성하거나, 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다.

상기 블랙 매트릭스 패턴(220)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 제1, 제2 및 제3 컬러필터들(232, 234, 236)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 컬러필터(232)를 형성하고, 상기 제2 컬러필터(232)를 상기 제1 컬러필터(232)를 포함하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성하며, 상기 제3 컬러필터(234)를 상기 제1 및 제2 컬러필터들(232, 234)을 포함하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러필터들(232, 234, 236)은 컬러 포토레지스트층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성하거나, 컬러 잉크를 분사하여 형성할 수 있다.

상기 블랙 매트릭스 패턴(220) 및 상기 제1 내지 제3 컬러필터들(232, 234, 234)을 포함하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 오버 코팅층(240)을 형성할 수 있다. 상기 오버 코팅층(240)을 형성하는 물질의 예로서는, 아크릴 수지를 들 수 있다.

상기 오버 코팅층(240)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성함으로써, 상기 공통 전극(250)을 형성할 수 있다. 상기 공통 전극(250)은 상기 투명 전극층을 패터닝하는 공정없이 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면을 커버하도록 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(250)을 형성하는 물질의 예로서는, ITO, IZO 등을 들 수 있다.

상기 공통 전극(250)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 제2 배향막(AL2)을 형성할 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2)은 상기 공통 전극(250)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면을 커버할 수 있다.

이에 따라, 상기 블랙 매트릭스 패턴(220), 상기 제1 내지 제3 컬러필터들(232, 234, 234), 상기 오버 코팅층(240), 상기 공통 전극(250) 및 상기 제2 배향막(AL2)을 포함하는 본 실시예에 따른 상기 제2 기판(200)을 제조할 수 있다.

도 3e는 도 2b에 도시된 액정층을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.

도 3e를 참조하면, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)을 어셈블리한다. 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에는 상기 액정 분자들(310) 및 상기 RM 모노머(330)를 개재시킬 수 있다. 상기 액정 분자들(310) 및 상기 RM 모노머(330)는 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에서 랜덤하게 개재될 수 있다.

이어서, 상기 공통 전극(250)에 제1 전압(Vcom)을 인가하고, 상기 화소 전극(PE)에 상기 제1 전압(Vcom)과 다른 제2 전압(Vdata)을 인가한다. 상기 공통 전극(250)에 상기 제1 전압(Vcom)이 인가하고, 상기 화소 전극(PE)에 상기 제2 전압(Vdata)을 인가하면, 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(250) 사이에 전계가 형성된다. 상기 전계가 형성되면, 상기 액정 분자들(310)은 그 장축이 상기 전계의 방향과 수직한 방향으로 기울어진다.

상기 제1 전압(Vcom)은 상기 제2 전압(Vdata)보다 높은 레벨을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전압(Vcom)은 약 0V일 수 있고, 상기 제2 전압(Vdata)은 음의 값을 가질 수 있다. 상기 제2 전압(Vdata)은, 예를 들어, 약 -5V일 수 있다.

상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 전계가 형성되어 상기 액정 분자들(310)이 프리틸트된 상태에서, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 광을 조사한다. 상기 광은 예를 들어, 자외선(ultra violet ray, UV)일 수 있다. 상기 광에 의해서, 상기 RM 모노머들(330)이 광반응하고, 상기 RM 모노머들(330)이 중합됨으로써 상기 액정 분자들(310) 사이에 개재된 상기 RM 경화물(320)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 개재된 본 실시예에 따른 상기 액정층(300)을 형성할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 공통 전극(250)에 별도의 패턴을 형성하지 않고 상기 도메인 형성층(150)의 상기 함입 패턴(152)에 의해 액정 도메인을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)에 별도의 패턴이 없으므로, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)의 미스 얼라인의 원인을 원척적으로 제거할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)을 패터닝하기 위한 별도의 패터닝 공정을 생략함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 생산성 및 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

실시예 2

도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 4에 도시된 본 실시예에 따른 표시 장치의 평면 구조는 도 1에 도시된 실시예 1에 따른 표시 장치의 평면 구조와 실질적으로 동일하다. 따라서, 본 실시예의 평면도는 도 1을 참조하여 설명하고, 중복되는 구체적인 설명은 생략한다.

도 1 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된 스토리지 라인(STL), 상기 스토리지 라인(STL)을 덮도록 형성된 게이트 절연층(120), 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성된 제1 데이터 라인(DL1), 제2 데이터 라인(DL2) 및 콘택 전극(CNT), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)을 커버하고 상기 콘택 전극(CNT)의 일부를 노출시키는 패시베이션층(140), 상기 패시베이션층(140) 상에 형성되고 상기 패시베이션층(140)과 함께 상기 콘택 전극(CNT)의 일부를 노출시키는 함입 패턴(152)을 포함하는 도메인 형성층(150), 상기 도메인 형성층(150) 상에 형성되고 상기 함입 패턴(152)을 통해 상기 콘택 전극(CNT)과 콘택하는 화소 전극(PE), 및 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)을 커버하는 제1 배향막(AL1)을 포함한다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 패시베이션층(140)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성되고, 상기 제1 기판(100)을 평탄화시킬 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 컬러를 나타내는 컬러필터일 수 있다. 예를 들어, 상기 도메인 형성층(150)은 포지티브형 또는 네거티브형 컬러 포토레지스트로 형성될 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 상기 제1 베이스 기판(110)의 화소 영역(P)에 형성될 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)이 형성된 화소 영역(P)과 인접한 화소 영역들에는 각각 상기 도메인 형성층(150)과 다른 물질로 형성된 제1 및 제2 컬러층들(CF1, CF2)이 각각 형성될 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 제1 컬러를 나타낼 수 있고, 상기 제1 컬러층(CF1)은 제1 컬러와 다른 제2 컬러를 나타낼 수 있으며, 상기 제2 컬러층(CF2)은 상기 제1 및 제2 컬러들과 다른 제3 컬러를 나타낼 수 있다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 스토리지 라인(STL)과 중첩되는 영역으로 연장된 상기 콘택 전극(CNT) 상에 형성된 상기 함입 패턴(152)을 포함한다. 상기 함입 패턴(152)은 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 컬러층들(CF1, CF2) 각각도 상기 함입 패턴(152)을 포함할 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은, 도 2a 및 도 2b에 도시된 함입 패턴과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 상세한 설명은 생략한다.

도면으로 도시하지 않았으나, 상기 도메인 형성층(150)은 서로 다른 컬러들을 나타내는 컬러 필터들을 포함하는 컬러층 및 상기 컬러층 상에 형성된 패턴층을 포함할 수 있다. 상기 컬러층은 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 상기 패턴층은 상기 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성하는 상기 함입 패턴(152)을 포함할 수 있다. 상기 패턴층은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다.

상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210)의 전면에 형성된 공통 전극(250) 및 상기 공통 전극(250)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 제2 배향막(AL2)을 포함한다. 상기 공통 전극(250) 및 상기 제2 배향막(AL2)은 별도의 패턴 없이 상기 제2 기판(200)의 전면에 형성될 수 있다.

도 5a 내지 도 5c는 도 4에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 제1 기판을 제조하는 단계를 설명하기 위한 단면도들이다. 도 5a에서, 상기 스토리지 라인(STL), 상기 게이트 절연층(120), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2) 및 상기 패시베이션층(140)을 각각 형성하는 단계들은 도 3a에서 설명한 단계들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략한다.

도 5a를 참조하면, 상기 패시베이션층(140)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 제1 컬러를 나타내는 안료를 포함하는 유기 물질로 이루어진 제1 컬러 포토레지스트층을 형성한다. 상기 제1 컬러 포토레지스트층은 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 상기 화소 영역(P)에 형성된 상기 도메인 형성층(150)을 형성할 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)과 각각 일부가 중첩될 수 있다.

도 4 및 도 5b를 참조하면, 상기 도메인 형성층(150)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 제2 컬러 포토레지스트층(미도시)을 형성하고, 상기 제2 컬러 포토레지스트층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 상기 제1 컬러층(CF1)을 형성할 수 있다. 상기 제1 컬러층(CF1)은 상기 도메인 형성층(150)의 일측에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 컬러층(CF1)은 상기 화소 영역(P)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1 컬러층(CF1)은 실질적으로 상기 화소 영역(P)과 인접한 제1 화소 영역의 도메인 형성층이고, 상기 제2 컬러층(CF2)은 실질적으로 상기 화소 영역(P)과 인접한 제2 화소 영역의 도메인 형성층일 수 있다.

상기 도메인 형성층(150) 및 상기 제1 컬러층(CF1)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 제3 컬러 포토레지스층(미도시)을 형성하고, 상기 제3 컬러 포토레지스트층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 상기 제2 컬러층(CF2)을 형성할 수 있다.

이어서, 상기 도메인 형성층(150)에 상기 함입 패턴(152)을 형성한다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 콘택 전극(CNT) 상에 형성될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 콘택 전극(CNT) 상의 상기 패시베이션층(140)을 노출시킬 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)에 상기 함입 패턴(152)을 형성하는 공정에서, 상기 제1 및 제2 컬러층들(CF1, CF2) 각각에도 상기 도메인 형성층(150)의 상기 함입 패턴(152)과 실질적으로 동일한 함입 패턴들이 형성될 수 있다.

상기 함입 패턴(152)을 통해 노출된 상기 패시베이션층(140)을 일부 제거하여 상기 콘택 전극(CNT)을 노출시키는 패시베이션 홀(142)을 형성한다. 상기 패시베이션 홀(142)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성하고, 상기 투명 전극층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 상기 화소 전극(PE)을 형성할 수 있다. 상기 함입 패턴(152) 및 상기 패시베이션 홀(142)을 통해 노출된 상기 콘택 전극(CNT)은 상기 화소 전극(PE)과 콘택할 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역(P)의 전면을 커버하도록 별도의 패턴 없이 형성될 수 있다.

상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 배향막(AL1)을 형성한다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100)을 제조할 수 있다.

도 5c는 도 4에 도시된 제2 기판을 제조하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.

도 5c를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성함으로써, 상기 공통 전극(250)을 형성할 수 있다. 상기 공통 전극(250)은 상기 투명 전극층을 패터닝하는 공정 없이 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면을 커버하도록 형성될 수 있다.

상기 공통 전극(250)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 제2 배향막(AL2)을 형성한다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제2 기판(200)을 제조할 수 있다.

이어서, 본 실시예에 따라 제조된 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)을 어셈블리하고, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성한다. 상기 액정층(300)을 형성하는 공정은, 도 3e에서 설명한 실시예 1에 따른 액정층을 형성하는 공정과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.

이에 따라, 본 실시예에 따른 표시 장치를 제조할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 공통 전극(250)에 별도의 패턴을 형성하지 않고 상기 함입 패턴(152)을 형성함으로써 액정 도메인을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)에 별도의 패턴이 없으므로, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)의 미스 얼라인의 원인을 원천적으로 제거할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)을 패터닝하기 위한 별도의 패터닝 공정을 생략함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. 나아가, 상기 도메인 형성층(150)을 컬러 포토레지스트층을 이용하여 형성함으로써 상기 표시 장치를 제조하는 공정을 단순화시킬 수 있다.

실시예 3

도 6은 본 발명의 실시예 3에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 7은 도 6의 III-III' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제 2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 스토리지 라인(STL), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(SW), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(SW) 및 상기 도메인 형성층(150)을 제외한 다른 구성 요소들은, 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 구성 요소들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

상기 박막 트랜지스터(SW)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 게이트 전극(GE), 상기 게이트 전극(GE) 상에 형성된 액티브 패턴(미도시), 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결된 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE), 및 상기 드레인 전극(DE)과 연결되어 상기 화소 전극(PE)과 콘택하는 콘택 전극(CNT)을 포함한다. 상기 콘택 전극(CNT)은 상기 스토리지 라인(STL)을 향해 연장되지만, 상기 스토리지 라인(STL)과 중첩되지 않도록 상기 제1 베이스 기판(110)의 화소 영역(P)에 형성된다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 상에 형성된다. 상기 도메인 형성층(150)은 상기 스토리지 라인(STL)과 대응하는 영역 또는 스토리지 라인(STL) 외 불투명 메탈로 형성된 패턴들과 대응하여 형성된 함입 패턴(152)을 포함한다. 상기 스토리지 라인(STL)외 불투명 메탈로 형성된 패턴들은, 예를 들어, 상기 제1 및 제2 게이 트 라인들(GL1, GL2), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2) 등을 들 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 도메인 형성층(150)이 그 표면으로부터 소정 두께 제거되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 함입 패턴(152)은 상기 스토리지 라인(STL) 상의 상기 패시베이션층(140)을 커버할 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 홀(hole) 형태로 형성되어 상기 패시베이션층(140)을 노출시킬 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성할 수 있다. 상기 함입 패턴(152)의 하부에 형성된 상기 스토리지 라인(STL) 또는 상기 스토리지 라인(STL) 외 불투명 메탈로 형성된 패턴들 이 상기 함입 패턴(152)에 의해 발생할 수 있는 빛샘을 방지할 수 있다.

도 6 및 도 7에서는, 상기 도메인 형성층(150)이 하나의 상기 함입 패턴(152)을 포함하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 상기 함입 패턴(152)은 상기 화소 영역(P)에 2개 이상의 복수개가 형성될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)의 개수가 상기 액정 도메인의 수를 결정할 수 있다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 콘택 전극(CNT)의 일부를 노출시키는 콘택홀(154)을 더 포함한다. 상기 콘택홀(154)을 통해, 상기 화소 전극(PE)과 상기 콘택 전극(CNT)이 콘택함으로써, 상기 화소 전극(PE)이 상기 박막 트랜지스터(SW)와 전기적으로 연결될 수 있다.

본 실시예에 따른 상기 제2 기판(200) 및 상기 액정층(300)은, 도 2a 및 도 2b에서 설명한 실시예 1에 따른 제2 기판 및 액정층과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해서 설명하기로 한다.

도 8은 도 7에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 8에서, 상기 스토리지 라인(STL), 상기 게이트 절연층(120), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2) 및 상기 패시베이션층(140)을 각각 형성하는 단계들은 도 3a에서 설명한 단계들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략한다.

도 8을 참조하면, 상기 패시베이션층(140)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 도메인 형성층(150)을 형성하고, 상기 도메인 형성층(150)을 제1 마스크(A)를 이용하여 패터닝하여 상기 함입 패턴(152)을 형성한다.

상기 도메인 형성층(150)은 예를 들어, 포지티브형 포토레지스트 조성물로 형성될 수 있다. 상기 제1 마스크(A)는 광을 차단하는 차광부(1) 및 상기 광의 일부를 투과시키는 반투광부(2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 마스크(A)의 상부에서 조사되는 광량을 "100"이라고 정의하고, 상기 차광부(1)에 의해 차단됨으로써 상기 도메인 형성층(150)으로 도달하는 광량을 "0"이라고 정의할 때, 상기 반투광부(2)를 통과하는 광량은 "0 초과 100"미만일 수 있다. 상기 반투광부(2)를 통과하는 광량은 예를 들어, 약 30일 수 있다.

상기 제1 마스크(A)의 상부에서 광을 조사하고, 상기 도메인 형성층(150)을 현상하면, 상기 차광부(1)와 대응하는 영역의 상기 도메인 형성층(150)은 상기 패시베이션층(140) 상에 잔류하고, 상기 반투광부(2)와 대응하는 영역의 상기 도메인 형성층(150)은 일부가 제거되어 상기 함입 패턴(152)이 형성된다.

상기 함입 패턴(152)을 포함하는 상기 도메인 형성층(150)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)을 순차적으로 형성한다. 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 화소 영역(P)의 전면을 커버하도록 별도의 패턴 없이 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100)을 제조할 수 있다.

다시 도 7을 참조하면, 상기 제2 기판(200)을 제조하고, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)을 어셈블리한 후 상기 액정층(300)을 제조함으로써 본 실시예에 따른 표시 장치를 제조할 수 있다.

도 7에서, 상기 제2 기판(200)을 제조하는 공정 및 상기 액정층(300)을 형성하는 공정은 각각 도 3d 및 도 3e에서 설명한 공정들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

본 실시예에 따르면, 상기 공통 전극(250)에 별도의 패턴을 형성하지 않고 상기 함입 패턴(152)을 형성함으로써 액정 도메인을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)에 별도의 패턴이 없으므로, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)의 미스 얼라인의 원인을 원척적으로 제거할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)을 패터닝하기 위한 별도의 패터닝 공정을 생략함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.

실시예 4

도 9는 본 발명의 실시예 4에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 9에서, 본 실시예에 따른 표시 장치의 평면 구조는 도 1에 도시된 실시예 1에 따른 표시 장치의 평면 구조와 실질적으로 동일하다. 따라서, 본 실시예에 따른 평면도는 도 1을 참조하여 설명하고 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 메인 스페이서(340) 및 서브 스페이서(350)를 제외하고는 도 2b에서 설명한 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 스토리지 라인(STL), 상기 스토리지 라인(STL) 상에 형성된 게이트 절연층(120), 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성된 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 박막 트랜지스터(SW)의 콘택 전극(CNT), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2) 상에 형성된 패시베이션층(140), 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성하기 위한 함입 패턴(152)을 포함하는 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다.

상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 블랙 매트릭스 패턴(220), 제1, 제2 및 제3 컬러필터들(232, 234, 236), 오버 코팅층(240), 공통 전극(250), 제2 배향막(AL2), 메인 스페이서(340) 및 서브 스페이서(350)를 포함한다.

상기 메인 스페이서(340)는 상기 제2 기판(200)에 형성되어, 상기 제1 기 판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이의 간격을 일정하게 유지시킬 수 있다. 상기 메인 스페이서(340)의 높이는, 상기 액정층(300)의 셀 갭과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 상기 메인 스페이서(340)는 상기 제1 데이터 라인(DL1), 상기 제2 데이터 라인(DL2), 상기 스토리지 라인(STL) 및/또는 상기 박막 트랜지스터(SW) 상에 배치될 수 있다.

상기 서브 스페이서(350)는 상기 제2 기판(200) 상에 형성된다. 상기 서브 스페이서(350)는 상기 표시 장치가 외력에 의해 가압될 때 상기 제1 및 제2 기판(100, 200) 사이를 완충시킴으로써, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)이 맞닿아 상기 액정층(300)의 액정 분자들(310)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 서브 스페이서(350)의 높이는, 상기 메인 스페이서(340)의 높이보다 낮게 형성된다.

상기 메인 스페이서(340) 또는 서브 스페이서(350)는 상기 함입 패턴(152)이 형성된 영역과 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 메인 스페이서(340) 또는 서브 스페이서(350)의 표면과 수직하게 배열됨으로써, 상기 함입 패턴(152)이 형성된 영역의 상기 액정 분자들(310)이 안정적으로 프리틸트될 수 있다. 즉, 상기 액정 분자들(310)은 상기 함입 패턴(152) 및 상기 메인 스페이서(340) 또는 서브 스페이서(350)에 의해서 안정적으로 프리틸트될 수 있다.

이하, 도 9 및 도 10을 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기로 한다.

먼저, 도 9를 참조하면, 상기 제1 기판(100)을 제조한다. 상기 제1 기판(100)은, 도 3a 내지 도 3c에서 설명한 공정들과 실질적으로 동일한 공정을 통해 제조될 수 있다.

이어서, 상기 제2 기판(200)을 제조한다. 상기 제2 기판(200)은 상기 메인 스페이서(340) 및 상기 서브 스페이서(350)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 제외하고는 도 3d에서 설명한 공정과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 10은 도 9에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 10을 참조하면, 상기 제2 배향막(AL2)이 형성된 제2 베이스 기판(210) 상에 포토층(미도시)을 형성하고, 상기 포토층의 상부에 배치된 제2 마스크(B)를 이용하여 노광 현상함으로써 상기 메인 스페이서(340) 및 상기 서브 스페이서(350)를 형성할 수 있다.

상기 포토층은 예를 들어, 포지티브형 포토레지스트 조성물로 형성될 수 있다. 상기 제2 마스크(B)는 차광부(1), 반투광부(2) 및 투광부(3)를 포함한다. 상기 투광부(3)는 상기 제2 마스크(B)의 상부에서 조사되는 광을 대부분 통과시키는 영역이다.

상기 제2 마스크(B)의 상부에서 광을 조사한 후, 상기 포토층을 현상하면 상기 차광부(1)와 대응하는 상기 포토층은 잔류하여 상기 메인 스페이서(340)를 형성할 수 있다. 상기 반투광부(2)와 대응하는 상기 포토층은 일부는 제거되고, 나머지는 잔류하여 상기 서브 스페이서(350)를 형성할 수 있다. 상기 투광부(3)와 대응하 는 영역의 상기 포토층은 제거되어 하부의 상기 제2 배향막(AL2)을 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제2 기판(200)을 제조할 수 있다.

상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 상기 액정층(300)을 형성한다. 상기 액정층(300)을 형성하는 단계는, 도 3e에서 설명한 단계와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

이에 따라, 상기 제1 기판(100), 상기 제2 기판(200) 및 상기 액정층(300)을 포함하는 본 실시예에 따른 표시 장치를 제조할 수 있다.

도 9 및 도 10에서는, 상기 함입 패턴(152)과 대응하여 상기 서브 스페이서(350)가 형성된 것을 일례로 도시하였으나 이와 달리 상기 메인 스페이서(350)가 상기 함입 패턴(152)과 대응하여 형성됨으로써 상기 액정 분자들(310)을 안정적으로 프리틸트시킬 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 또한, 제조 공정의 신뢰성을 향상시키고, 제조 공정을 단순화시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.

실시예 5

도 11은 본 발명의 실시예 5에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 12는 도 11의 IV-IV' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 스토리지 라인(STL), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(SW), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE), 반사 전극(RFE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(SW), 상기 도메인 형성층(150) 및 상기 반사 전극(RFE)을 제외한 다른 구성 요소들은, 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 구성 요소들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

상기 박막 트랜지스터(SW)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 게이트 전극(GE), 상기 게이트 전극(GE) 상에 형성된 액티브 패턴(미도시), 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결된 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE), 상기 드레인 전극(DE)과 연결되어 상기 화소 전극(PE)과 콘택하는 제1 콘택 패턴(CT1), 상기 제1 콘택 패턴(CT1)과 연결되어 화소 영역(P)으로 연장되며 상기 반사 전극(RFE)과 콘택하는 제2 콘택 패턴(CT2)을 포함한다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)을 커버하도록 형성된다. 상기 도메인 형성층(150)은 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성하는 함입 패턴(152)을 포함한다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 제1 콘택 패턴(CT1)의 일부를 노출시키는 제1 홀 패턴(H1) 및 상기 제2 콘택 패턴(CT2)의 일부를 노출시키는 제2 홀 패턴(H2)을 포함한다. 상기 제1 홀 패턴(H1)에 의해서 제1 액정 도메인이 형성되고, 상기 제2 홀 패턴(H2)에 의해서 제2 액정 도메인이 형성될 수 있다. 즉, 하나의 화소 영역(P)이 2개의 액정 도메인들로 분할될 수 있다.

상기 화소 전극(PE)은 상기 도메인 형성층(150) 상에 형성되고, 상기 화소 영역(P)의 일 영역에 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 예를 들어, ITO, IZO 등으로 형성될 수 있다. 상기 반사 전극(RFE)은 상기 도메인 형성층(150) 상에 형성되고, 상기 화소 영역(P)의 일 영역을 제외한 다른 영역에 형성된다. 상기 반사 전극(RFE)은 예를 들어, 알루미늄으로 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE) 및 상기 반사 전극(RFE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 배향막(AL1)이 형성될 수 있다.

상기 제2 기판(200) 및 상기 액정층(300)은 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 제2 기판 및 액정층과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 11 및 도 12에서는 상기 스토리지 라인(STL)이 상기 제1 콘택 패턴(CT1) 및 상기 제2 콘택 패턴(CT2) 사이에 배치되는 경우를 일례로 도시하였으나, 상기 스토리지 라인(STL)은 상기 제1 콘택 패턴(CT1) 또는 상기 제2 콘택 패턴(CT2)과 중첩되어 형성될 수 있다.

또한, 도 11 및 도 12에서는 2개의 홀 패턴들(H1, H2)을 포함하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 상기 함입 패턴(152)은 복수개의 홀 패턴들을 포함함으로써 복수개의 액정 도메인들을 형성할 수 있다.

다른 실시예들에서는, 상기 제2 홀 패턴(H2)은 형성하지 않을 수 있다.

또 다른 실시예들에서는, 상기 화소 전극(PE)과 상기 반사 전극(RFE)은 브릿지(bridge)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또 다른 실시예들에서는, 측면 시인성 개선을 위해 상기 화소 전극(PE)과 연결된 트랜지스터 및 상기 반사 전 극(RFE)과 연결된 트랜지스터를 이용하여 상기 화소 전극(PE) 및 상기 반사 전극(RFE)을 각각 독립적으로 구동하거나, 컴 스윙(Com Swing)을 이용하여 구동시킬 수 있다.

도 13a 및 도 13b는 도 12에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 12 및 도 13a를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 스토리지 라인(STL)을 형성하고, 상기 스토리지 라인(STL)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(120)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 콘택 패턴(CT1) 및 상기 제2 콘택 패턴(CT2)을 형성한다. 상기 제1 콘택 패턴(CT1) 및 상기 제2 콘택 전극이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(140) 및 상기 도메인 형성층(150)을 순차적으로 형성하고, 상기 도메인 형성층(150)을 패터닝하여 상기 제1 및 제2 홀 패턴들(H1, H2)을 포함하는 상기 함입 패턴(152)을 형성할 수 있다.

이어서, 상기 함입 패턴(152)을 통해 노출된 상기 패시베이션층(140)을 제거하여 상기 제1 및 제2 콘택 전극들(CT1, CT2)을 각각 노출시키고, 투명 전극층(미도시)을 형성한다. 상기 투명 전극층은 상기 제1 홀 패턴(H1)을 통해 상기 제1 콘택 패턴(CT1)과 콘택하고, 상기 제2 홀 패턴(H2)을 통해 상기 제2 콘택 패턴(CT2)과 콘택한다. 이어서, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 제1 콘택 패턴(CT1)과 콘택하는 상기 화소 전극(PE)을 형성한다.

도 13b를 참조하면, 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 제1 베이스 기 판(110) 상에 불투명 전극층(미도시)을 형성하고, 상기 불투명 전극층을 패터닝하여 상기 제2 콘택 패턴(CT2)과 콘택하는 상기 반사 전극(RFE)을 형성할 수 있다.

이어서, 상기 화소 전극(PE) 및 상기 반사 전극(RFE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 배향막(AL1)을 형성한다. 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 화소 영역(P)의 전면을 커버하도록 별도의 패턴 없이 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100)이 제조될 수 있다.

상기 제1 기판(100)과 대향하는 상기 제2 기판(200)을 제조하고, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 상기 액정층(300)을 형성함으로써 본 실시예에 따른 표시 장치를 제조할 수 있다. 상기 제2 기판(200)을 제조하는 단계 및 상기 액정층(300)을 형성하는 단계는 각각 도 3d 및 도 3e에서 설명한 단계들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 14는 도 11의 구조를 갖는 투과 모드 표시 장치의 단면도이다.

도 14에 도시된 투과 모드 표시 장치의 평면 구조는 도 11의 평면 구조와 실질적으로 동일하다. 또한, 도 14에서, 투과 전극(TE)을 제외하고는 도 12에서 설명한 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 14를 참조하면, 도메인 형성층(150) 상에 형성된 화소 전극(PE) 및 투과 전극(TE)을 포함한다. 상기 투과 전극(TE)은 제2 콘택 패턴(CT2)과 제2 홀 패턴(H2)을 통해 콘택할 수 있다. 상기 투과 전극(TE)은 상기 화소 전극(PE)을 형성하는 물질과 동일한 물질, 예를 들어, ITO, IZO 등으로 형성될 수 있다.

도 14에서는 상기 화소 전극(PE) 및 상기 투과 전극(TE)이 물리적으로 분리된 것을 일례로 하여 도시하였으나, 상기 투과 전극(TE)은 상기 화소 전극(PE)과 연결될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 특히, 하나의 화소 영역(P)에 복수개의 액정 도메인을 형성함으로써 시야각을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 제조 공정의 신뢰성을 향상시키고, 제조 공정을 단순화시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.

실시예 6

도 15는 본 발명의 실시예 6에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 16은 도 15의 V-V' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 15 및 도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 스토리지 라인(STL), 바텀 전극(BE), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(SW), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다. 상기 바텀 전극(BE)을 제외한 다른 구성 요소들은, 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 구성 요소들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

상기 바텀 전극(BE)은 화소 영역(P)에 형성되고, 상기 화소 전극(PE)과 중첩 될 수 있다. 상기 바텀 전극(BE)과 상기 화소 전극(PE) 사이에 상기 게이트 절연층(120) 및 상기 박막 트랜지스터(SW)의 콘택 전극(CNT)이 형성될 수 있다. 상기 바텀 전극(BE)은 상기 스토리지 라인(STL) 상에 형성될 수 있다. 상기 바텀 전극(BE)은 상기 스토리지 라인(STL)과 직접 콘택하여, 상기 스토리지 라인(STL)과 전기적으로 연결된다.

상기 바텀 전극(BE)과 상기 콘택 전극(CNT) 사이의 상기 게이트 절연층(120)에 전하가 충전될 수 있다. 특히, 상기 화소 영역(P)에 형성된 상기 바텀 전극(BE)과 상기 화소 전극(PE) 사이의 상기 게이트 절연층(120), 상기 패시베이션층(140) 및 상기 도메인 형성층(150)에 전하가 충전될 수 있다. 즉, 상기 화소 영역(P)의 대부분의 영역을 스토리지 커패시터(Cst)로 이용할 수 있다.

도 17a 내지 도 17c는 도 16에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 16 및 도 17a를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 스토리지 라인(STL)을 포함하는 게이트 패턴을 형성한다.

상기 게이트 패턴을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 투명 전극층(TEL)을 형성한다. 상기 투명 전극층(TEL)은 예를 들어, 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 투명 전극층(TEL)은 예를 들어, ITO, IZO 등으로 형성될 수 있다.

도 17b를 참조하면, 상기 투명 전극(TEL)을 패터닝하여 상기 바텀 전극(BE)을 형성한다. 상기 바텀 전극(BE)은 상기 스토리지 라인(STL)과 직접 콘택한다.

이어서, 상기 바텀 전극(BE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(120)을 형성한다.

도 17c를 참조하면, 상기 게이트 절연층(120) 상에 상기 박막 트랜지스터(SW)의 액티브 패턴(AP)을 형성하고, 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 콘택 전극(CNT)을 포함하는 소스 패턴을 형성한다. 상기 소스 패턴을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(140)을 형성하고, 상기 패시베이션층(140) 상에 상기 도메인 형성층(150)을 형성한다.

상기 도메인 형성층(150)에 상기 콘택 전극(CNT)의 일부를 노출시키는 함입 패턴(152)을 형성한다. 상기 함입 패턴(152)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)을 순차적으로 형성한다. 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 화소 영역(P)의 전면을 커버하도록 별도의 패턴 없이 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100)을 제조할 수 있다.

이어서, 상기 제1 기판(100)과 대향하는 상기 제2 기판(200)을 제조하고, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 상기 액정층(300)을 형성함으로써 본 실시예에 따른 표시 장치를 제조할 수 있다. 상기 제2 기판(200)을 제조하는 단계 및 상기 액정층(300)을 형성하는 단계는 각각 도 3d 및 도 3e에서 설명한 단계들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

실시예 7

도 18은 본 발명의 실시예 7에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 19a는 도 18의 VI-VI' 라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 19b는 도 18의 VII-VII' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 18, 도 19a 및 도 19b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 제3 기판(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 스토리지 라인(STL), 바텀 전극(BE), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(SW), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다.

상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 서로 상기 제1 방향(D1)과 다른 제2 방향(D2)으로 평행하게 배열될 수 있 다. 상기 제2 방향(D2)은 예를 들어, 상기 제1 방향(D1)과 수직한 방향일 수 있다.

상기 스토리지 라인(STL)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2) 사이에 배치되고, 상기 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 상기 바텀 전극(BE)은 상기 스토리지 라인(STL)의 일단과 직접 콘택하고, 상기 제1 베이스 기판(110)의 화소 영역(P)에 형성된다.

상기 게이트 절연층(120)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 스토리지 라인(STL) 및 상기 바텀 전극(BE)을 덮도록 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다.

상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)은 상기 게이트 절연층(120) 상에 상기 제2 방향(D2)을 따라 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)은 각각 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2) 및 상기 스토리지 라인(STL)과 교차할 수 있다.

상기 박막 트랜지스터(SW)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 제1 게이트 전극(GE1), 상기 제1 게이트 전극(GE1)과 대응되도록 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성된 액티브 패턴(AP), 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결되고 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩된 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE1)과 이격되고 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩된 드레인 전극(DE), 및 상기 드레인 전극(DE)으로부터 연장되어 상기 화소 영역(P)으로 연장된 콘택 전극(CNT)을 포함할 수 있다. 상기 콘택 전극(CNT)은 상기 드레인 전극(DE)으로부터 연장되어 상기 스토리지 라인(STL)의 일부와 중첩될 수 있다. 상기 콘택 전극(CNT)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 인접한 영역에 대면적으로 형성될 수 있다.

상기 도메인 형성층(150)은 상기 패시베이션층(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 상기 제1 기판(100)을 평탄화시킬 수 있다. 상기 도메인 형성층(150)은 상기 콘택 전극(CNT)을 노출시키는 콘택홀(154)을 포함한다. 상기 콘택홀(154)을 통해, 상기 도메인 형성층(150) 상에 형성된 상기 화소 전극(PE)이 상기 콘택 전극(CNT)과 콘택하여 상기 화소 전극(PE)이 상기 박막 트랜지스터(SW)와 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역(P)의 상기 도메인 형성층(150) 상에 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역(P)에 형성된 도트형(dot type)의 개구 패턴(162)을 포함한다. 상기 도트형은 원형 뿐만 아니라 다각형과 라인형을 포함할 수 있다. 상기 개구 패턴(162)이 형성된 영역과 대응하는 상기 제2 기판(200)의 일 지점을 향해 상기 액정층(300)의 액정 분자들(310)이 수렴되어 배열될 수 있다. 이에 따라, 상기 개구 패턴(162)은 상기 화소 영역(P)의 액정 도메인을 형성할 수 있다. 또한, 상기 화소 전극(PE)과 인접한 다른 화소 전극의 단부와 상기 공통 전극(250) 사이에서도 상기 전계의 방향이 휘어진다. 이에 따라, 서로 인접한 화소 전극(PE) 사이에서는 상기 액정 분자들(310)이 상기 공통 전극(250)의 서로 다른 지점을 향해 발산되도록 배열됨으로써 서로 인접한 화소 영역들(P) 사이의 액정 도메인이 분할될 수 있다.

상기 제1 배향막(AL1)은 상기 화소 전극(PE)을 포함하는 제1 베이스 기 판(110)의 전면에 형성될 수 있다.

상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 블랙 매트릭스 패턴(220), 제1, 제2 및 제3 컬러필터들(232, 234, 236), 오버 코팅층(240), 공통 전극(250) 및 제2 배향막(AL2)을 포함한다. 상기 액정층(300)은 상기 액정 분자들(310) 및 RM 경화물(320)을 포함한다. 상기 제2 기판(200) 및 상기 액정층(300)은 도 2a 및 도 2b에서 설명한 실시예 1에 따른 제2 기판 및 액정층과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

이하, 도 19a 및 도 19b를 참조하여 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)의 제조 방법에 대해서 설명하기로 한다.

도 19a 및 도 19b를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 스토리지 라인(STL)을 포함하는 게이트 패턴을 형성할 수 있다.

상기 게이트 패턴을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성하고, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 스토리지 라인(STL)의 일단부와 직접 콘택하는 상기 바텀 전극(BE)을 형성할 수 있다. 상기 화소 영역(P)에서는, 상기 바텀 전극(BE)이 상기 제1 베이스 기판(110)과 직접 접촉하여 형성될 수 있다.

상기 바텀 전극(BE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 액티브 패턴(AP)을 형성하고, 상기 액티브 패턴(AP)을 포함하는 상기 제1 베이스 기 판(110) 상에 소스 금속층(미도시)을 형성한다. 상기 소스 금속층을 패터닝하여 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 콘택 전극(CNT)을 포함하는 소스 패턴을 형성한다.

상기 소스 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(140) 및 상기 도메인 형성층(150)을 순차적으로 형성한 후, 상기 도메인 형성층(150) 상에 상기 화소 전극(PE) 및 상기 제1 배향막(AL1)을 순차적으로 형성한다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 제1 기판(100)을 제조할 수 있다.

이어서, 상기 제1 기판(100)과 대향하는 상기 제2 기판(200)을 제조하고, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 상기 액정층(300)을 형성함으로써 본 실시예에 따른 표시 장치를 제조할 수 있다. 상기 제2 기판(200)을 제조하는 단계는 도 3d 에서 설명한 단계와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다. 이하에서는, 도 20을 참조하여 본 실시예에 따른 상기 액정층(300)을 형성하는 단계를 설명하기로 한다.

도 20은 도 19b에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.

도 19b 및 도 20을 참조하면, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)을 어셈블리하고 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 액정 조성물을 개재시킨다. 상기 액정 조성물은 복수의 액정 분자들(310) 및 RM 모노머들(330, 도 3e 참조)을 포함할 수 있다.

상기 액정 조성물이 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 개재 된 상태에서, 상기 공통 전극(250)에 제1 전압(Vcom)을 인가하고(S12), 상기 바텀 전극(BE)에 제2 전압(Vb1)을 인가한다(S14).

상기 제1 전압(Vcom)은 예를 들어, 약 0V일 수 있다. 상기 제2 전압(Vb1)은 상기 제1 전압(Vcom)보다 높은 전압이다. 상기 제2 전압(Vb1)은 예를 들어, 약 7V 내지 약 16V일 수 있다. 상기 제2 전압(Vb1)은 상기 스토리지 라인(STL)을 통해 상기 바텀 전극(BE)에 제공될 수 있다. 상기 제1 전압(Vcom)과 상기 제2 전압(Vb1)에 의해서 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 전계가 형성된다. 상기 제1 전압(Vcom)과 상기 제2 전압(Vb1)에 의해 형성된 전계에 의해서, 상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 전계 방향과 수직한 방향으로 배열된다.

이어서, 상기 화소 전극(PE)에 제3 전압(Vdata)을 인가한다(S16). 상기 제3 전압(Vdata)은 상기 제1 전압(Vcom)보다는 높고, 상기 제2 전압(Vb1)보다는 낮은 전압이며 정극성 또는 부극성 전압일 수 있다. 상기 제3 전압(Vdata)는 예를 들어, 약 5V일 수 있다.

이어서, 상기 액정 분자들(310)을 상기 제1 내지 제3 전압들(Vcom, Vb1, Vdata)을 이용하여 프리틸트시킨 상태에서 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200)에 자외선을 조사한다(S50). 상기 자외선에 의해서, 상기 RM 모노머들이 광반응하여 중합된다. 이에 따라, 중합된 RM 경화물(320, 도 19b 참조)을 형성하고, 상기 RM 경화물(320)에 의해서 상기 액정 분자들(310)이 프리틸트된 상태로 상기 화소 전극(PE) 및/또는 상기 공통 전극(250)과 인접하게 고정될 수 있다.

이와 같이, 상기 화소 전극(PE)의 하부에 형성된 상기 바텀 전극(BE)에 상기 화소 전극(PE)에 인가되는 상기 제3 전압(Vdata)보다 높은 상기 제2 전압(Vb1)을 제공함으로써 상기 개구 패턴(163)과 인접한 영역에 배치된 액정 분자들(310)을 보다 강한 전계를 이용하여 안정적으로 배열시킬 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 액정층(300)을 형성할 수 있다.

실시예 8

본 실시예에 따른 표시 장치는 도 18, 도 19a 및 도 19b에서 설명한 실시예 7에 따른 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

이하, 도 19a, 도 19b 및 도 21을 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기로 한다. 본 실시예에 따른 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)을 제조하는 단계들은 각각 실시예 9에 따른 제1 기판 및 제2 기판을 제조하는 단계들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 19a, 도 19b 및 도 21을 참조하면, 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)을 각각 제조하고, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)을 어셈블리한다. 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 액정 조성물을 개재시킨다. 상기 액정 조성물은 복수의 액정 분자들(310) 및 RM 모노머들(330, 도 3e 참조)을 포함할 수 있다.

도 21은 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.

도 21을 참조하면, 상기 액정 조성물이 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 개재된 상태에서, 상기 공통 전극(250)에 제1 전압(Vcom)을 인가하고(S22), 상기 바텀 전극(BE)에 제2 전압(Vb1)을 인가한다(S24). 상기 제2 전압(Vb1)은 상기 제1 전압(Vcom)보다 높은 전압이다. 상기 제2 전압(Vb1)은 상기 스토리지 라인(STL)을 통해 상기 바텀 전극(BE)에 제공될 수 있다.

상기 제1 전압(Vcom)과 상기 제2 전압(Vb1)에 의해서 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 전계가 형성된다. 상기 제1 전압(Vcom)과 상기 제2 전압(Vb1)에 의해 형성된 전계에 의해서, 상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 전계 방향과 수직한 방향으로 배열된다.

이어서, 상기 화소 전극(PE)에 제3 전압(Vdata)을 인가한다(S26). 상기 제3 전압(Vdata)은 상기 제1 전압(Vcom)보다는 높고, 상기 제2 전압(Vb1)보다는 낮은 전압이다. 상기 화소 전극(PE)에 상기 제3 전압(Vdata)이 인가되더라도, 이미 상기 제1 전압(Vcom)과 상기 제2 전압(Vb1)에 의해서 상기 개구 패턴(163)과 인접한 영역에 강한 전계가 형성되어 있으므로 상기 개구 패턴(163)과 인접한 영역에 배치된 액정 분자들(310)은 상기 제2 전압(Vb1)을 인가했을 때와 배열 상태가 거의 변화되지 않는다. 상기 제1, 제2 및 제3 전압은 정극성과 부극성의 전압을 모두 적용할 수 있고, DC 전압뿐만 아니라 AC 전압도 적용할 수 있다.

이어서, 상기 바텀 전극(BE)에 제4 전압(Vb2)을 인가한다(S28). 상기 제4 전 압(Vb2)은 상기 제1 내지 제3 전압들(Vcom, Vb1, Vdata)보다 큰 전압이다. 상기 제4 전압(Vb2)은 예를 들어, 약 25V일 수 있다. 이에 따라, 상기 공통 전극(250)과 상기 제4 전압(Vb2)이 인가된 상기 바텀 전극(BE) 사이에 가장 강한 전계가 형성되고, 상기 제1 전압(Vcom)과 상기 제4 전압(Vb2) 사이에 형성된 전계에 의해서 상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 전계 방향과 수직하게 배열될 수 있다.

상기 액정 분자들(310)을 상기 제1 내지 제4 전압들(Vcom, Vb1, Vdata, Vb2)을 이용하여 프리틸트시킨 상태에서 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200)에 자외선을 조사한다(S50). 상기 자외선에 의해서, 상기 RM 모노머들이 광반응하여 중합된다. 이에 따라, RM 경화물(320, 도 19b 참조)을 형성하고, 상기 RM 경화물에 의해서 상기 액정 분자들(310)이 프리틸트된 상태로 상기 화소 전극(PE) 및/또는 상기 공통 전극(250)과 인접하게 고정될 수 있다.

이와 같이, 상기 화소 전극(PE)의 하부에 형성된 상기 바텀 전극(BE)에 상기 화소 전극(PE)에 인가되는 상기 제3 전압(Vdata)보다 높은 상기 제2 전압(Vb1) 및 상기 제4 전압(Vb2)을 제공함으로써 상기 개구 패턴(163)과 인접한 영역에 배치된 액정 분자들(310)을 보다 강한 전계를 이용하여 안정적으로 배열시킬 수 있다. 특히, 상기 제1 내지 제4 전압들(Vcom, Vb1, Vdata, Vb2) 중에서 가장 높은 레벨에 해당하는 상기 제4 전압(Vb2)을 상기 바텀 전극(BE)에 제공하기 이전에 상기 제2 전압(Vb1)보다는 높고 상기 제4 전압(Vb2)보다는 낮은 상기 제3 전압(Vdata)을 인가함으로써 상기 액정 분자들(310)의 거동이 급격하게 변화하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 개구 패턴(163)과 인접한 영역에 배치된 액정 분자들(310)을 보다 강한 전계를 이용하여 안정적으로 배열시킬 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 상기 액정층(300)을 형성할 수 있다.

도면으로 도시하지는 않았으나, 상기 바텀 전극(BE)에 상기 제4 전압(Vb2)을 인가하기 이전에 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 자외선을 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제4 전압(Vb2)을 인가하기 이전에 자외선을 조사하여 상기 RM 모노머들(330)을 부분적으로 반응시켜 경화시키고, 상기 제4 전압(Vb2)을 인가한 후 다시 상기 자외선을 조사함으로써 상기 RM 모노머들(330)을 완전히 경화시킬 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 특히, 상기 액정층(300)의 액정 분자들(310)을 안정적으로 프리틸트시킬 수 있다. 이에 따라, 제조 공정의 신뢰성을 향상시키고, 제조 공정을 단순화시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.

실시예 9

도 22는 본 발명의 실시예 9에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 22에서, 제1 기판(100)의 도메인 형성층(150)의 함입 패턴(152)을 제외하고는 도 18, 도 19a 및 도 19b에서 설명한 실시예 7의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 바텀 전극(BE), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다.

상기 도메인 형성층(150)은 화소 영역(P)에 형성된 도트형(dot type)의 함입 패턴(152)을 포함한다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 도메인 형성층(150)이 소정 두께 제거되어 형성될 수 있다. 상기 함입 패턴(152)은 상기 화소 영역(P)에 액정 도메인을 형성할 수 있다.

상기 화소 전극(PE)은 도트형(dot type)의 개구 패턴(162)을 포함한다. 상기 개구 패턴(162)은 상기 함입 패턴(152)과 대응하는 영역에 형성된다. 상기 화소 전극(PE)이 형성된 제1 베이스 기판(100) 상에 형성된 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 개구 패턴(162)에 의해서 상기 함입 패턴(152)과 접촉하여 형성될 수 있다. 상기 개구 패턴(162)은 상기 함입 패턴(152)과 함께 상기 화소 영역(P)에 액정 도메인을 형성할 수 있다.

상기 제2 기판(200) 및 상기 액정층(300)은 도 18, 도 19a 및 도 19b에서 설명한 제2 기판 및 액정층과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.

본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 도메인 형성층(150)에 상기 함입 패턴(152)을 형성하는 것을 제외하고는 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 제조될 수 있다.

이와 달리, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 도메인 형성층(150)에 상기 함입 패턴(152)을 형성하는 것을 제외하고는 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 제조될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 화소 영역(P)의 개구율을 향상시키고 시야각을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 액정층(300)의 액정 분자들(310)을 안정적으로 프리틸트시킬 수 있다. 이에 따라, 제조 공정의 신뢰성을 향상시키고, 제조 공정을 단순화시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.

실시예 10

도 23은 본 발명의 실시예 10에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 23에서, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100)의 차광 패턴(BL)을 제외하고는 도 22에서 설명한 실시예 9의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.

도 23을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 차광 패턴(BL), 바텀 전극(BE), 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 패시베이션층(140), 도메인 형성층(150), 화소 전극(PE) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다.

상기 차광 패턴(BL)은 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)을 형성하는 금속층과 동일한 게이트 금속층을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 차광 패턴(BL)은 상기 도메인 형성층(150)의 함입 패턴(152) 및 상기 화소 전극(PE)의 개구 패턴(162)에 의한 빛샘을 방지할 수 있다. 상기 차광 패턴(BL)은 상기 함입 패 턴(152) 및 상기 개구 패턴(162)과 대응하는 영역에 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 도메인 형성층(150)에 상기 함입 패턴(152)을 형성하는 것을 제외하고는 실시예 7에 따른 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 제조될 수 있다.

이와 달리, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상기 도메인 형성층(150)에 상기 함입 패턴(152)을 형성하는 것을 제외하고는 실시예 8에 따른 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 제조될 수 있다.

도 23에서는, 상기 차광 패턴(BL)은 상기 게이트 금속층으로 형성하는 것을 일례로 설명하였으나, 상기 차광 패턴(BL)은 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)을 형성하는 소스 금속층을 패터닝하여 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 차광 패턴(BL)은 상기 제2 기판(200)에 블랙 매트릭스 패턴(220)과 동일한 층으로 형성될 수 있다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 공통 전극에 별도의 패턴 없이도 액 정 도메인을 형성할 수 있으므로, 개구율 및 시야각이 향상된 표시 장치를 제조할 수 있다. 또한, 공통 전극에 별도의 패턴이 없으므로, 표시 장치의 상하판 미스 얼라인의 원인을 원천적으로 제거함으로써 제조 공정의 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제조할 수 있다. 나아가, 공통 전극에 패턴을 형성하기 위한 별도의 패터닝 공정을 생략함으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 생산성 및 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제조할 수 있다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 6은 본 발명의 실시예 3에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 7은 도 6의 III-III' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 9는 본 발명의 실시예 4에 따른 표시 장치의 단면도이다.

도 11은 본 발명의 실시예 5에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 12는 도 11의 IV-IV' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 14는 도 11의 구조를 갖는 투과 모드의 표시 장치의 단면도이다.

도 15는 본 발명의 실시예 6에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 16은 도 15의 V-V' 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 18은 본 발명의 실시예 7에 따른 표시 장치의 평면도이다.

도 21은 본 발명의 실시예 8에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.

도 22는 본 발명의 실시예 9에 따른 표시 장치의 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100, 200: 제1, 제2 기판 300: 액정층

150: 도메인 형성층 152: 함입 패턴

154: 콘택홀 310: 액정 분자

320: 반응성 메조겐 경화물(RM 경화물) 330: RM 모노머

340: 메인 스페이서 350: 서브 스페이서

H1, H2: 제1, 제2 홀 패턴 PE: 화소 전극

BE: 바텀 전극 STL: 스토리지 라인

162: 개구 패턴 DE: 드레인 전극

CNT: 콘택 전극 CT1, CT2: 제1, 제2 콘택 패턴

Claims

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화소 영역의 액정 도메인을 형성하기 위한 함입 패턴을 포함하는 유기층, 상기 함입 패턴과 중첩하며, 불투명 금속을 포함하는 스토리지 라인, 상기 유기층 상에 형성된 화소 전극 및 상기 함입 패턴과 중첩하며, 상기 스토리지 라인과 콘택하며, 투명 전극층으로 형성되는 바텀 전극을 포함하는 제1 기판을 제조하는 단계;

상기 제1 기판과 대향하는 전면에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판을 제조하는 단계;

상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정 분자들 및 반응성 메조겐 모노머들을 포함하는 액정 조성물을 개재시키는 단계;

상기 공통 전극에 제1 전압을 인가하는 단계;

상기 바텀 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하는 단계;

상기 화소 전극에 상기 제1 전압보다 높고, 상기 제2 전압보다 낮은 제3 전압을 인가하는 단계; 및

상기 제1 내지 제3 전압을 인가한 상태에서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정 분자들 및 반응성 메조겐 모노머들에 광을 조사하여 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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제17항에 있어서, 상기 제3 전압을 인가하는 단계 및 상기 광을 조사하는 단계 사이에, 상기 바텀 전극에 상기 제2 전압보다 높은 제4 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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