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KR101533206B1 - 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 - Google Patents

액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 Download PDF

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KR101533206B1
KR101533206B1 KR1020147022733A KR20147022733A KR101533206B1 KR 101533206 B1 KR101533206 B1 KR 101533206B1 KR 1020147022733 A KR1020147022733 A KR 1020147022733A KR 20147022733 A KR20147022733 A KR 20147022733A KR 101533206 B1 KR101533206 B1 KR 101533206B1
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

리소그래피 머신 (10) 에서 피가공물 (208) 의 교환동안 투영 렌즈 (16) 에 인접하는 갭에서 액침 액체 (212) 를 유지하는 장치 및 방법을 개시한다. 이 장치 및 방법은, 피가공물 (208) 상으로 이미지를 투영하도록 구성된 광학 어셈블리 (16), 및 광학 어셈블리 (16) 에 인접하는 피가공물 (208) 를 지지하도록 구성된 피가공물 테이블 (204) 을 구비하는 스테이지 어셈블리 (202) 를 포함한다. 환경 시스템 (26) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 와 스테이지 어셈블리 (202) 상의 피가공물 (208) 사이의 갭으로부터 액침 액체 (212) 를 공급 및 제거한다. 피가공물 (208) 의 노광을 완료한 후, 교환 시스템 (216) 은 피가공물 (208) 를 제거하여 제 2 피가공물로 대체한다. 액침 액체 함유 시스템 (214) 에 의해 제 1 피가공물 (208) 의 제거 및 제 2 피가공물로의 대체동안 갭에서 액침 액체 (212) 를 유지한다.

Description

액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING IMMERSION FLUID IN THE GAP UNDER THE PROJECTION LENS DURING WAFER EXCHANGE IN AN IMMERSION LITHOGRAPHY MACHINE}
본 출원은 "액침 리소그래피용 랜딩 패드 (Landing Pad for Immersion Lithography) "라는 명칭으로 2003년 4월 11일자로 출원한 미국 가출원 제 60/462,499 호에 대한 우선권을 주장하며, 그 내용은 모든 목적용으로 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 발명은 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 프로세싱 동안에 레티클로부터의 이미지를 반도체 웨이퍼 상에 전사하는데 있어서 리소그래피 시스템을 공통으로 이용한다. 통상의 리소그래피 시스템은, 광학 어셈블리, 패턴을 규정하는 레티클을 유지 (holding) 하기 위한 레티클 스테이지, 반도체 웨이퍼를 위치결정하는 웨이퍼 스테이지 어셈블리, 및 레티클과 웨이퍼의 위치를 정밀하게 모니터링하는 측정 시스템을 포함한다. 동작 동안, 레티클에 의해 규정되는 이미지는 광학 어셈블리에 의해 웨이퍼 상으로 투영된다. 투영된 이미지는 전형적으로 웨이퍼 상에서 하나 이상의 다이 (die) 크기를 갖는다. 노광 후에, 웨이퍼 스테이지 어셈블리는 웨이퍼를 이동하고 또 다른 노광을 행한다. 이 프로세스는 웨이퍼 상의 모든 다이들이 노광될 때까지 반복된다. 후속하여, 웨이퍼를 제거하고 그 자리에 새로운 웨이퍼로 대체한다.
액침 리소그래피 시스템은 웨이퍼 노광 동안 광학 어셈블리와 웨이퍼 사이의 갭을 완전히 채우는 액침 액체층을 활용한다. 광학 어셈블리와 함께 액침 액체의 광 특성은 표준 광학 리소그래피를 이용하여 현재 가능한 최소 배선폭 (feature size) 보다 작은 최소 배선폭의 투영을 가능하게 한다. 예를 들어, 액침 리소그래피는 65 나노미터, 45 나노미터, 및 이 수치를 넘는 수치를 포함하는 차세대 반도체 기술용으로 현재 고려되고 있다. 따라서, 액침 리소그래피는 가까운 미래에 있어서 광 리소그래피를 계속해서 이용할 수 있게 하는 상당한 기술적 돌파구를 나타낸다.
웨이퍼를 노광한 후, 이 웨이퍼를 제거하여 새로운 웨이퍼로 교환한다. 액침 시스템에서 현재 고려되고 있듯이, 액침 액체는 갭으로부터 제거되고 웨이퍼를 교환한 후 다시 채워진다. 상세하게는, 웨이퍼를 교환할 때, 갭으로 유체 공급을 턴오프하고, 유체를 갭으로부터 제거하며 (즉, 진공에 의해 제거하며), 올드 (old) 웨이퍼를 제거하고, 새로운 웨이퍼를 광학 어셈블리 아래에 정렬 및 배치하며, 그 갭을 새로운 액침 액체로 다시 채운다. 일단 상기한 단계들을 모두 완료하게 되면, 그 새로운 웨이퍼의 노광을 시작할 수 있다.
상기한 바와 같이 액침 리소그래피에 의한 웨이퍼 교환은 여러 가지 이유로 문제점을 갖고 있다. 갭을 반복하여 채우고 배수함으로 인해 액침 액체의 변동을 야기할 수 있으며 기포를 발생시켜 액침 액체 내에 형성되게 할 수 있다. 기포 및 불안정한 유체는 레티클 상의 이미지를 웨이퍼 상으로 투영할 때 간섭할 수도 있고, 이에 따라 수율이 감소될 수 있다. 또한, 이러한 전체 프로세스는 많은 단계들을 포함하고 시간을 소모하며, 이는 머신 (machine) 의 전체 처리율을 감소시킨다.
따라서, 예를 들어, 웨이퍼 교환동안 웨이퍼 스테이지가 투영 렌즈로부터 멀어질 때 투영 렌즈에 인접한 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법이 필요하다.
리소그래피 머신에서 투영 렌즈에 인접한 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법을 개시한다. 이 장치 및 방법은, 피가공물 (work piece) 상에 이미지를 투영하도록 구성된 광학 어셈블리, 및 광학 어셈블리에 인접하는 피가공물을 지지하도록 구성된 피가공물 테이블을 포함하는 스테이지 어셈블리를 포함한다. 환경 시스템에 의해 액침 액체를 갭으로부터 공급 및 제거한다. 피가공물의 노광이 완료된 후, 교환 시스템은 피가공물을 제거하여 제 2 피가공물로 대체한다. 피가공물 테이블이 투영 렌즈로부터 멀어질 때 액침유체 시스템에 의해 갭 내의 액침 액체를 유지한다. 이에 따라 갭은 제 1 피가공물이 제 2 피가공물로 대체될 때 액침 액체로 다시 채워질 필요가 없다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 교환 동안 웨이퍼 스테이지가 투영 렌즈로부터 멀어질 때 투영 렌즈에 인접한 갭에서 액침 액체를 유지하는 것이 가능하다.
도 1 은 본 발명의 특징을 갖는 리소그래피 머신을 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 액침 리소그래피 머신의 단면도이다.
도 3a 및 3b 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 액침 리소그래피 머신의 단면도 및 상부 정면도이다.
도 4a 및 4b 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 액침 리소그래피 머신의 단면도 및 하부 정면도이다.
도 5a 및 5b 는 본 발명의 다른 실시형태들에 따른 2개의 상이한 트윈 웨이퍼 스테이지의 상하부 정면도이다.
도 6a 는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 트윈 스테이지 리소그래피 머신의 상하부 정면도.
도 6b 내지 6e는 본 발명에 따른 웨이퍼 교환을 나타내는 일련의 도면이다.
도 7a 는 본 발명에 따라 피가공물을 제조하는 공정을 대략 나타내는 흐름도이다.
도 7b 는 피가공물 처리를 보다 상세히 나타내는 흐름도이다.
유사 참조 번호는 도면에서 유사 소자를 나타낸다.
도 1 은 본 발명의 특징을 갖는 리소그래피 머신 (10) 을 개략적으로 도시한다. 리소그래피 머신 (10) 은 프레임 (12), 조명 시스템 (조사 장치; 14), 광학 어셈블리 (16), 레티클 스테이지 어셈블리 (18), 피가공물 스테이지 어셈블리 (20), 측정 시스템 (22), 제어 시스템 (24), 및 유체 환경 시스템 (26) 을 포함한다. 리소그래피 머신 (10) 의 구성요소들의 설계는 리소그래피 머신 (10) 의 설계 요구 사항에 맞추어 가변될 수 있다.
일 실시형태에서, 리소그래피 머신 (10) 을 이용하여 집적 회로의 패턴 (도시하지 않음) 을 레티클 (28) 로부터 반도체 웨이퍼 (30) (점선으로 표시함) 상에 전송한다. 리소그래피 머신 (10) 은 장착 베이스 (32), 예를 들어 그라운드, 베이스, 플로어 또는 다른 일부 지지 구조에 장착된다.
본 발명의 다양한 실시형태에서, 리소그래피 머신 (10) 은 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 를 동일한 속도로 이동시키면서 레티클 (28) 로부터의 패턴을 웨이퍼 (30) 상에 노광하는 스캐닝 타입 포토리소그래피 시스템으로서 사용될 수 있다. 스캐닝 타입 리소그래피 머신에서, 레티클 (28) 은 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 의 광축에 수직으로 이동하게 되고, 웨이퍼 (30) 는 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 의 광축에 의해 수직으로 이동하게 된다. 레티클 (28) 및 웨이퍼 (30) 의 스캐닝은 레티클 (28) 및 웨이퍼 (30) 가 동기하여 이동하는 동안 발생한다.
다른 방법으로, 리소그래피 머신 (10) 은, 레티클 (28) 및 웨이퍼 (30) 가 정지해 있는 동안 레티클 (28) 을 노광하는 스텝 앤 리피트 (step-and-repeat) 타입 포토리소그래피 시스템일 수 있다. 스텝 앤 리피트 공정에서, 웨이퍼 (30) 는 개별적인 필드 노광동안 레티클 (28) 및 광학 어셈블리 (16) 에 대하여 일정한 위치에 있다. 후속하여, 연속하는 노광 단계들 간에, 웨이퍼 (30) 는 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20) 와 함께 광학 어셈블리 (16) 의 광축에 수직하여 연속적으로 이동하게 되어 웨이퍼 (30) 의 다음 필드가 노광을 위해 광학 어셈블리 (16) 및 레티클 (28) 에 대한 위치에 놓이게 된다. 이러한 공정에 따르면, 레티클 (28) 상의 이미지들은 웨이퍼 (30) 의 필드들 상에 순차적으로 노광된 후, 웨이퍼 (30) 의 다음 필드가 광학 어셈블리 (16) 및 레티클 (28) 에 대한 위치에 놓이게 된다.
그러나, 리소그래피 머신 (10) 은 반드시 반도체 제조용 포토리소그래피에만 이용되는 것은 아니다. 리소그래피 머신 (10) 은, 예를 들어, 액정 표시 피가공물 패턴을 직각 유리판 상에 노광하는 LCD 포토리소그래피 시스템, 또는 박막 자기 헤드를 제조하는 포토리소그래피 시스템으로서 이용될 수 있다. 이에 따라, "피가공물" 이라는 용어는 본 명세서에서 일반적으로 리소그래피를 이용하여 패터닝될 수 있는 임의의 장치를 가리키지만, 웨이퍼 또는 LCD 기판으로 제한되지는 않는다.
장치 프레임 (12) 은 리소그래피 머신 (10) 의 구성요소들을 지지한다. 도 1 에 도시한 장치 프레임 (12) 은 장착 베이스 (32) 위에 위치한 레티클 스테이지 어셈블리 (18), 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20), 광학 어셈블리 (16), 및 조명 시스템 (14) 을 지지한다.
조명 시스템 (14) 은 조명 소스 (34) 및 조명 광학 어셈블리 (36) 를 포함한다. 조명 소스 (34) 는 광 에너지의 빔 (광선) 을 방출한다. 조명 광학 어셈블리 (36) 는 조명 소스 (34) 로부터의 광 에너지의 빔을 광학 어셈블리 (16) 로 유도한다. 빔은 레티클 (28) 의 상이한 부분들을 선택적으로 조명하고 웨이퍼 (30) 를 노광한다. 도 1에서, 조명 소스 (34) 는 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 위에서 지지되는 것으로서 도시되어 있다. 그러나, 전형적으로 조명 소스 (34) 는 장치 프레임 (12) 의 측면들 중 하나에 고정되고, 조명 소스 (34) 로부터의 에너지 빔은 조명 광학 어셈블리 (36) 와 함께 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 위로 향한다.
조명 소스 (34) 는 g-라인 소스 (436nm), i-라인 소스 (365nm), KrF 엑시머 레이저 (248nm), ArF 엑시머 레이저 (193nm), 또는 F2 레이저 (157nm) 일 수 있다. 다른 방법으로, 조명 소스 (34) 는 대전된 X-ray를 발생할 수 있다.
광학 어셈블리 (16) 는 광을 레티클 (28) 을 통과하여 웨이퍼 (30) 로 투영 및/또는 포커싱한다. 리소그래피 머신 (10) 의 설계에 따라, 광학 어셈블리 (16) 는 레티클 (28) 상에 조명된 이미지를 확대 또는 축소할 수 있다. 광학 어셈블리 (16) 가 축소 시스템에 한정될 필요는 없다. 이것은 1x 이상의 확대 시스템일 수도 있다.
또한, 파장 200nm 이하의 진공 자외선 조사 (VUV) 를 이용하는 노광 피가공물을 이용하는 반사굴절 (catadioptric) 타입의 광학 시스템을 고려할 수 있다. 반사굴절 타입 광 시스템의 예로는, 공개 특허 출원용 공식 간행물에 공개된 일본 특개평 제 10-20195호 및 이에 대응하는 미국 특허번호 제 5,835,275 호 뿐만 아니라 일본 특개평 제8-171054호 및 이에 대응하는 미국 특허번호 제 5,668,672호 가 개시되어 있다. 이들의 경우, 반사 광 피가공물은 빔 스플리터 및 오목 미러를 포함하는 반사굴절 광 시스템일 수 있다. 공개 특허 출원용 공식 간행물에 공개된 일본 특개평 제 10-3039호 및 이에 대응하는 미국 특허번호 제 873,605 호 (출원일: 1997년 12월 6일) 뿐만 아니라 일본 특개평 제 8-334695 호 및 이에 대응하는 미국 특허번호 제 5,689,377 호도 오목 미러 등을 포함하는 반사굴절 타입 광 시스템을 이용한다. 허용되는 범위에서, 상기한 공개 특허 출원용 공식 간행물에 공개된 일본 특허 출원 뿐만 아니라 미국 특허들의 명세서는 참고로 포함된다.
레티클 스테이지 어셈블리 (18) 는 광학 어셈블리 (16) 및 웨이퍼 (30) 에 대하여 레티클 (28) 을 유지 및 위치결정한다. 일 실시형태에서, 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 는 레티클 (28) 을 유지하는 레티클 스테이지 (38), 및 레티클 스테이지 (38) 와 레티클 (28) 을 이동 및 위치시키는 레티클 스테이지 이동기 어셈블리 (40) 를 포함한다.
각 스테이지 이동기 어셈블리 (40, 44) 는 3개의 자유도, 3개 미만의 자유도, 또는 3개 초과의 자유도로 각 스테이지 어셈블리 (38, 42) 를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 다른 실시형태에서, 각 이동기 스테이지 (40, 44) 는 하나 내지 여섯 개의 자유도로 각 스테이지 (38, 42) 를 이동시킬 수 있다. 레티클 스테이지 이동기 어셈블리 (40) 및 피가공물 스테이지 이동기 어셈블리 (44) 의 각각은, 로렌츠력을 활용하여 구동력을 발생하는 회전 모터, 보이스 코일 모터, 선형 모터와 같은 하나 이상의 이동기, 전자기 이동기, 평면 모터, 또는 다른 일부 힘을 이용하는 이동기를 포함할 수 있다.
포토리소그래피 시스템 (미국 특허번호 제 5,623,853 호 또는 제 5,528,118 호를 참조하기 바라며, 그 내용은 본 명세서에 참고로 포함됨) 에서, 웨이퍼 스테이지 어셈블리 또는 레티클 스테이지 어셈블리에 선형 모터가 사용되면, 선형 모터는 에어 베어링 (air bearing) 을 이용하는 에어 부상 타입 또는 로렌츠력이나 반작용력을 이용하는 자기 부상 타입일 수 있다. 또한, 스테이지는 가이드를 따라 이동할 수 있거나, 가이드를 이용하지 않는 가이드리스 (guideless) 타입의 스테이지일 수 있다.
다른 방법으로, 스테이지들 중 하나는 평면 모터에 의해 구동될 수 있으며, 이 평면 모터는 대향하는 위치에 2차원 배열된 코일들을 구비하는 아마추어 (armature) 코일 유닛 및 2차원 배열된 자석들을 구비하는 자석 유닛에 의해 발생하는 전자기력에 의해 그 스테이지를 구동한다. 이러한 타입의 구동 시스템에 의해, 자석 유닛 또는 아마추어 코일 유닛은 스테이지 베이스에 접속되고 나머지 유닛은 그 스테이지의 이동 면측 상에 장착된다.
상기한 바와 같은 스테이지들의 이동은 포토리소그래피 시스템의 성능에 영향을 끼칠 수 있는 반작용력을 발생한다. 웨이퍼 (기판) 스테이지 이동에 의해 발생되는 반작용력은, 미국 특허번호 제 5,528,100호 및 일본 특개평 제 8-136485호에 설명되어 있는 바와 같이 프레임 부재를 이용함으로써 플로어 (그라운드) 에 기계적으로 전달될 수 있다. 또한, 레티클 (마스크) 스테이지 동작에 의해 발생되는 반작용력은, 미국 특허번호 제 5,874,820 호 및 일본 특개평 제 8-330224 호에 설명되어 있는 바와 같이 프레임 부재를 이용함으로써 플로어 (그라운드) 에 기계적으로 전달될 수 있다. 허용되는 범위에서, 미국 특허번호 제 5,528,100호, 제 5,874,820 호, 및 일본 특개평 제8-330224호는 본 명세서에 참고로 그 내용이 포함된다.
측정 시스템 (22) 은 광학 어셈블리 (16) 에 대한 또는 다른 일부 기준에 대한 웨이퍼 (30) 및 레티클 (28) 의 움직임을 모니터링한다. 이 정보에 의해, 제어 시스템 (24) 은 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 를 제어하여 레티클 (28) 을 정밀하게 위치결정할 수 있고 피가공물 스테이지 어셈블리 (20) 를 제어하여 웨이퍼 (30) 를 정밀하게 위치결정할 수 있다. 측정 시스템 (22) 의 설계는 다양할 수 있다. 예를 들어, 측정 시스템 (22) 은 복수의 레이저 간섭계, 인코더, 미러, 및/또는 다른 측정 디바이스를 활용할 수 있다.
제어 시스템 (24) 은 측정 시스템 (22) 으로부터 정보를 수신하고 스테이지 이동기 어셈블리 (18, 20) 를 제어하여 레티클 (28) 및 웨이퍼 (30) 를 정밀하게 위치시킨다. 또한, 제어 시스템 (24) 은 환경 시스템 (26) 의 구성요소들의 동작을 제어할 수 있다. 제어 시스템 (24) 은 하나 이상의 프로세서 및 회로를 포함할 수 있다.
환경 시스템 (26) 은 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이의 갭 (도시하지 않음) 에서의 환경을 제어한다. 이 갭은 이미징 필드를 포함한다. 이미징 필드는, 노광되고 있는 웨이퍼 (30) 의 영역에 인접하는 영역, 및 광 에너지의 빔이 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이에 이동하는 영역을 포함한다. 이러한 설계에 따라, 환경 시스템 (26) 은 이미징 필드에서의 환경을 제어할 수 있다. 환경 시스템 (26) 에 의해 갭에서 생성되는 그리고/또는 제어되는 원하는 환경은, 웨이퍼 (30) 에 따라 가변될 수 있고 조명 시스템 (14) 을 포함하여 리소그래피 시스템 (10) 의 구성요소들 중 나머지의 설계에 따라 가변될 수 있다. 예를 들어, 원하는 방식으로 제어된 환경은 물 (water) 과 같은 유체일 수 있다. 다른 방법으로, 원하는 제어되는 환경은 가스와 같은 또 다른 타입의 유체일 수 있다. 다양한 실시형태에서, 갭의 범위는 웨이퍼 (30) 의 최상면 및 광학 어셈블리 (16) 의 최종 광 소자 사이의 높이에서 0.1mm 내지 10mm 일 수도 있다.
일 실시예에서, 환경 시스템 (26) 은 이미징 필드 및 갭의 나머지를 액침 액체로 채운다. 환경 시스템 (26) 및 환경 시스템 (26) 의 구성요소들의 설계는 가변될 수 있다. 다른 실시형태에서, 환경 시스템 (26) 은 스프레이 노즐, 전자 동역학 (electro-kinetic) 스펀지, 다공성 물질 등을 이용하여 액침 액체를 갭 내로 전달 및/또는 주입하고, 진공 펌프, 스펀지 등을 이용하여 갭으로부터 그 유체를 제거한다. 환경 시스템 (26) 의 설계는 가변될 수 있다. 예를 들어, 이것은 갭의 또는 갭 근처의 하나 이상의 위치에서 액침 액체를 주입할 수 있다. 또한, 액침유체 시스템은 피가공물 (30), 광 어셈블리 (16) 의 갭 및/또는 에지 각각의 또는 각각의 근처의 하나 이상의 위치에서 액침 액체의 제거 및/또는 배출 (scavenging) 을 지원할 수 있다. 다양한 환경 시스템에 대한 추가 상세에 대해서는, "Immersion Lithography Fluid Control System"이라는 명칭으로 2003년 4월 9일 출원한 미국 가출원번호 제 60/462,112 호, 및 "Vacuum Ring System and Wick Ring System for Immersion Lithography"라는 명칭으로 2003년 4월 10일자로 출원한 미국 가출원번호 제 60/462,142 호, 및 "Noiseless Fluid Recovery With Porous Material"이라는 명칭으로 2003년 9월 3일 출원한 미국 가출원번호 제 60,500,312호, 및 "Nozzle Design for Immersion Lithography"라는 명칭으로 2004년 2월 2일 출원한 미국 가출원번호 제 60/541,329 호를 참조하기 바라며, 이들 모두의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
도 2 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 리소그래피 머신의 단면을 도시하고 있다. 리소그래피 머신 (200) 은, 광학 어셈블리 (16), 및 웨이퍼 테이블 (204) 과 웨이퍼 스테이지 (206) 를 구비하는 스테이지 어셈블리 (202) 를 포함한다. 웨이퍼 테이블 (204) 은 광학 어셈블리 (16) 아래의 웨이퍼 (208) (또는 다른 임의의 타입의 피가공물) 를 지지하도록 구성된다. 광학 어셈블리 (16) 를 둘러싸는 환경 시스템 (26) 은, 웨이퍼 (208) 및 광학 어셈블리 (16) 의 최종 광 소자 사이의 갭으로부터 액침 액체 (212) 를 공급 및 제거하는데 사용된다. 웨이퍼 로더 (loader; 218) (즉, 로봇) 및 정렬 툴 (alignment tool; 220) (즉, 마이크로스코프 및 CCD 카메라) 을 포함하는 피가공물 교환 시스템 (216) 은 웨이퍼 테이블 (204) 상의 웨이퍼 (208) 를 제거하여 제 2 웨이퍼로 대체하도록 구성된다. 이것은 전형적으로 웨이퍼 로더 (218) 를 이용하여 웨이퍼 (208) 를 웨이퍼 테이블 (204) 로부터 들어 올려 제거함으로써 달성된다. 후속하여, 제 2 웨이퍼 (도시하지 않음) 는 웨이퍼 척 (218) 상에 배치되고, 정렬 툴 (220) 을 이용하여 정렬된 후, 웨이퍼 테이블 (204) 의 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정된다.
이 실시형태에 따르면, 웨이퍼 스테이지 (206) 는 웨이퍼 교환동안 광학 어셈블리 (16) 의 최종 광 소자에 인접하는 갭에서 액침 액체 (212) 를 유지하도록 구성된 액침 액체 함유 시스템 (214) 을 포함한다. 액침 액체 함유 시스템 (214) 은 웨이퍼 테이블 (204) 에 인접하는 패드 (222) 를 포함한다. 패드 (222) 와 웨이퍼 스테이지 (206) 사이에 설치되는 지지 부재 (224) 를 이용하여 패드 (222) 를 지지한다. 웨이퍼 테이블 (204) 은 웨이퍼 (208) 의 면과 공면인 (coplanar) 평평한 상부면을 구비한다. 또한, 패드 (222) 는 웨이퍼 테이블 (204) 의 상부면 및 웨이퍼 표면과 공면인 평평한 상부면를 구비한다. 패드 (222) 는 웨이퍼 테이블 (204) 에 인접하여 매우 작은 갭 (예를 들어, 0.1 내지 1.0mm) 으로 배열되어 액침 액체 (212) 가 웨이퍼 테이블 (204) 과 패드 (222) 사이에 누출되지 않고 이동가능하다. 웨이퍼 교환동안, 웨이퍼 스테이지 (206) 는 화살표 (226) 방향으로 이동하여 패드 (222) 가 웨이퍼 테이블 (204) 대신에 광학 어셈블리 아래에 위치하여, 갭에서의 유체를 유지하거나 유체 갭의 크기를 유지한다. 새로운 웨이퍼가 정렬된 후, 웨이퍼 스테이지는 다시 원래의 위치로 복귀하여 패드 (222) 가 갭으로부터 제거될 때 제 2 웨이퍼는 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치한다. 다양한 실시형태에서, 패드 (222) 는 웨이퍼 테이블 (204) 에 인접하여 갭 없이 연속적으로 배치된다. 웨이퍼 테이블 (204) 이 광학 어셈블리 (16) 아래로부터 이동되기 전에, 웨이퍼 테이블 표면이 패드 표면과 공면이 되도록 웨이퍼 테이블 (204) 의 수직 위치 및/또는 기울기를 조절할 수 있다. 패드 (222) 및 광학 어셈블리 (16) 사이의 갭을 유지하는 것은 단지 웨이퍼 교환 동작에 한정되지 않는다. 패드 (222) 는 정렬 동작 또는 측정 동작 동안 패드 (222) 및 광학 어셈블리 (16) 사이의 공간에서 액침 액체 (212) 를 유지할 정도로 넓을 수 있다. 이들 동작시에, 액침 액체 (212)가 차지하는 영역의 일부는 웨이퍼 테이블 (204) 의 상부면 상에 위치할 수 있다.
도 3a 및 3b 를 참조하면, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 액침 리소그래피 머신의 단면도 및 상부 정면도가 도시되어 있다. 리소그래피 머신 (300) 은, 광학 어셈블리 (16), 및 웨이퍼 테이블 (304) 과 웨이퍼 스테이지 (306) 를 구비하는 스테이지 어셈블리 (302) 를 포함한다. 웨이퍼 테이블 (304) 은 광학 어셈블리 (16) 아래에서 웨이퍼 (308) (또는 다른 임의의 타입의 피가공물) 를 지지하도록 구성된다. 광학 어셈블리 (16) 를 둘러싸는 환경 시스템 (26) 은, 웨이퍼 (308) 및 광학 어셈블리 (16) 의 최저 광 소자 사이의 갭으로부터 액침 액체 (312) 를 공급 및 제거하는데 사용된다. 웨이퍼 로더 (318) 및 정렬 툴 (320) 을 포함하는 피가공물 교환 시스템 (316) 은 웨이퍼 테이블 (304) 상의 웨이퍼 (308) 를 제거하여 제 2 웨이퍼로 대체하도록 구성된다. 이것은 웨이퍼 로더 (318) 를 이용하여 웨이퍼 (308) 를 웨이퍼 테이블로부터 제거함으로써 달성된다. 후속하여, 제 2 웨이퍼 (도시하지 않음) 는 웨이퍼 척 (318) 상으로 배치되고, 정렬 툴 (320) 을 이용하여 정렬된 후, 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정된다. 도 3b 에 가장 잘 도시하고 있듯이, 한 세트의 모터 (322) 를 이용함으로써, 동작시 2개 자유도 (X 및 Y) 로 웨이퍼 테이블 (304) 및 웨이퍼 스테이지 (306) 를 구비하는 웨이퍼 어셈블리 (302) 를 이동한다. 상기한 바와 같이, 모터 (322) 는 선형 모터, 회전 모터, 보이스 코일 모터 등과 같은 임의의 타입의 모터일 수 있다.
액침 리소그래피 머신 (300) 은, 광학 어셈블리 아래로부터 웨이퍼 테이블 (304) 이 멀어지는 동안 광학 어셈블리 (16) 아래의 공간에서 액침 액체 (312) 를 유지하도록 구성된 액침 액체 함유 시스템 (324) 도 포함한다. 액침 액체 함유 시스템 (324) 은 패드 (326), 모터 (328), 및 제어 시스템 (330) 을 포함한다. 패드 (326) 는 웨이퍼 테이블 (204) 및 광학 어셈블리 (16) 에 인접하여 위치한다. 웨이퍼 테이블 (304) 은 웨이퍼 (308) 의 면과 공면인 평평한 상부면을 구비한다. 패드 (326) 는 웨이퍼 표면 및 웨이퍼 테이블 (304) 의 상부면과 공면인 평평한 상부면을 구비한다. 패드 (326) 는 제어 시스템 (330) 에 의해 제어되는 모터 (328) 를 이용하여 X 및 Y 방향으로 이동가능하다. 모터 (328) 는 모터 (322) 뿐만 아니라 임의의 타입의 모터일 수 있다. 패드 (326) 는 웨이퍼 테이블 (304; 웨이퍼 스테이지(306)) 이 광학 어셈블리 (16) 아래로부터 멀어질 때 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정된다. 웨이퍼 교환 동안, 웨이퍼 테이블 (304) 은 광학 어셈블리 (16) 로부터 멀어진다. 동시에, 제어 시스템 (330) 은 광학 어셈블리 (16) 아래의 패드 (326) 를 이동하도록 모터 (328) 에게 지시하여, 웨이퍼 테이블 (308) 을 대체하게 된다. 따라서, 패드 (326) 는 광학 어셈블리 (16) 아래의 갭 내에서 액침 액체 (312) 를 유지한다. 정렬 툴 (320) 을 이용하여 새로운 웨이퍼가 정렬된 후, 웨이퍼 테이블 (304) 은 광학 어셈블리 (16) 아래에 다시 위치한다. 동시에, 제어 시스템 (330) 은 패드 (326) 를 갭으로부터 후퇴하도록 모터에게 지시하여, 액침 액체 (312) 의 누출을 방지한다. 웨이퍼 교환 동작에서, 제어 시스템 (330) 은 웨이퍼 테이블 (304) 및 패드 (326) 사이에 작은 갭을 갖는 상태로 웨이퍼 테이블 (304) 및 패드 (326) 를 이동하는 한편, 광학 어셈블리 (16) 아래의 액침 액체 (312) 는 웨이퍼 테이블 (304) 과 패드 (326) 사이에 이동한다. 따라서, 액침 액체 함유 시스템 (324) 은 웨이퍼 교환 동안 갭으로부터 액침 액체 (312) 를 유지한다. 이 실시형태에서, 웨이퍼 테이블 (304; 웨이퍼 스테이지(306)) 및 패드 (326) 는 개별적으로 이동가능하다. 따라서, 웨이퍼 테이블 (326) 은 자유롭게 이동가능한 한편 액침 액체 (312) 는 패드 (326) 및 광학 어셈블리 (16) 사이의 공간에서 유지된다. 본 발명의 다양한 실시형태에서, 제어 시스템 (330) 은, 별도의 제어 시스템일 수 있거나, 웨이퍼 스테이지 (302) 및 웨이퍼 테이블 (304) 을 위치시키도록 모터 (322) 를 제어하는데 사용되는 제어 시스템 내로 집적될 수 있다. 웨이퍼 테이블 (304) 및 패드 (326) 중 적어도 하나의 수직 위치 및/또는 기울기를 조절하여 웨이퍼 테이블이 광학 어셈블리 (16) 아래로부터 이동하기 전에 웨이퍼 테이블 표면이 패드 표면과 공면이 되게 할 수 있다. 웨이퍼 테이블 (304) 이 광학 어셈블리 (16) 로부터 멀어지는 동작은 반드시 웨이퍼 교환 동작으로만 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 패드 (326) 와 광학 어셈블리 (16) 사이의 공간에서 액침 액체 (312) 를 유지하면서 정렬 동작, 측정 동작, 또는 다른 동작을 실행할 수도 있다.
도 4a 및 4b 를 참조하면, 액침 리소그래피 머신의 2개의 단면을 도시하고 있다. 리소그래피 머신 (400) 은 광학 어셈블리 (16), 및 웨이퍼 테이블 (404) 과 웨이퍼 스테이지 (406) 를 구비하는 스테이지 어셈블리 (402) 를 포함한다. 웨이퍼 테이블 (404) 은 광학 어셈블리 (16) 아래의 웨이퍼 (408) (또는 다른 임의의 타입의 피가공물) 를 지지하도록 구성된다. 광학 어셈블리 (16) 를 둘러싸는 환경 시스템 (26) 은, 웨이퍼 (408) 및 광학 어셈블리 (16) 의 최종 광 소자 사이의 갭으로부터 액침 액체 (412) 를 공급 및 제거하는데 사용된다. 웨이퍼 로더 (418) 및 정렬 툴 (420) 을 포함하는 피가공물 교환 시스템 (416) 은, 웨이퍼 테이블 (404) 상의 웨이퍼 (408) 를 제거하여 제 2 웨이퍼로 대체하도록 구성된다. 이것은 웨이퍼 로더 (418) 를 이용하여 웨이퍼 (408) 를 웨이퍼 테이블 (404) 로부터 제거함으로써 달성된다. 후속하여, 제 2 웨이퍼 (도시하지 않음) 는 웨이퍼 척 (418) 상으로 배치되고, 정렬 툴 (420) 을 이용하여 정렬된 후, 도 4a 에 도시한 바와 같이 웨이퍼 테이블 (404) 의 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정된다.
또한, 액침 리소그래피 머신 (400) 은, 광학 어셈블리 (16) 아래로부터 웨이퍼 테이블 (404) 이 멀어지는 동안 광학 어셈블리 (16) 아래의 공간에서 액침 액체 (412) 를 유지하도록 구성된 액침 액체 함유 시스템 (424) 을 포함한다. 액침 액체 함유 시스템 (424) 은 패드 (426), 광학 어셈블리 (16) 상에 설치되는 제 1 클램프 (428), 및 웨이퍼 테이블 (404) 상에 설치되는 제 2 클램프 (430) 를 포함한다. 액침 액체 (412) 가 광학 어셈블리 (16) 및 웨이퍼 테이블 (404) (또는 웨이퍼 (408) ) 간에 존재할 때, 패드 (426) 는 제 2 클램프 (430) 에 의해 웨이퍼 테이블 (404) 상의 제 위치에서 유지된다. 웨이퍼 테이블 (404) 이 광 어셈블리 (16) 로부터 멀어질 때, 예를 들어, 웨이퍼 교환 동작 동안, 패드 (426) 는 웨이퍼 테이블 (404) 로부터 분리되며 제 1 클램프 (428) 에 의해 유지되어 광학 어셈블리 (16) 와 패드 (426) 사이의 액침 액체 (412) 가 유지된다. 웨이퍼 테이블 (404) 은 웨이퍼 (408) 의 표면과 공면인 평평한 상부면을 구비한다. 웨이퍼 테이블 (404) 상에서 유지된 패드 (426) 도 웨이퍼 테이블 (404) 의 상부면 및 웨이퍼 표면과 공면인 평평한 상부면을 구비한다. 따라서, 액침 액체를 누출하지 않고서 광학 어셈블리 아래의 액침 패드 (426) 및 웨이퍼 (408) 를 이동할 수 있다. 다양한 실시형태에서, 클램프 (428 및 430) 는 진공 클램프, 자기 클램프, 정전기 클램프, 또는 기계적 클램프일 수 있다.
도 4a 에 가장 잘 도시되어 있듯이, 패드 (426) 는 웨이퍼 (408) 노광 동안 웨이퍼 테이블 (404) 상에 위치결정된다. 제 2 클램프 (430) 를 이용하여 웨이퍼 노광 동안 패드 (426) 를 웨이퍼 테이블 (404) 상의 제 위치에 유지하게 된다. 도 4b 에 도시한 바와 같은 웨이퍼 교환 동안, 웨이퍼 테이블 (404) 은 화살표 (432) 방향으로 이동하여 패드 (426) 가 웨이퍼 (408) 대신에 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치한다. 이때, 웨이퍼 테이블 (404) 에 대하여 패드 (426) 를 유지하는 제 2 클램프 (430) 가 해제되는 한편 제 1 클램프 (428) 는 광학 어셈블리 (16) 에 대하여 패드 (426) 를 유지한다. 그 결과, 액침 액체 (412) 가 광학 어셈블리 아래에서 유지되는 동안 웨이퍼 (408) 가 교환된다. 새로운 웨이퍼가 정렬된 후, 웨이퍼 테이블 (404) 은 반대 화살표 방향 (432) 으로 이동하게 되어 새로운 웨이퍼가 광학 어셈블리 아래에 위치결정된다. 이러한 이동 전에, 제 1 클램프 (428) 가 해제되는 한편 제 2 클램프 (430) 가 웨이퍼 테이블 (404) 에 대하여 패드 (426) 를 다시 유지한다. 이 실시형태에서, 웨이퍼 테이블 (404) 은 자유롭게 이동가능한 한편 패드 (426) 가 제 1 클램프 (428) 에 의해 클램핑된다.
다양한 실시형태에서, 패드 (426) 가 제 1 클램프 (428) 에 의해 클램핑되는 동작은 단지 웨이퍼 교환 동작에 한정되지 않는다. 광학 어셈블리 (16) 및 제 1 클램프 (428) 에 의해 클램핑되는 패드 (426) 사이의 공간에서 액침 액체 (312) 가 유지되는 동안 정렬 동작, 측정 동작, 또는 다른 임의의 동작을 실행할 수 있다. 또한, 클램프 (428) 는 프레임 (12) 이나 다른 지지 부재 상에 설치될 수 있으며, 클램프 (430) 는 웨이퍼 스테이지 (406) 상에 설치될 수 있다. 패드 (426) 는 스테이지 어셈블리 (402) 가 아닌 이동가능한 부재 상에서 유지될 수 있다.
도 5a 및 5b 는 본 발명의 다른 실시형태들에 따른 2개의 상이한 트윈 스테이지 액침 리소그래피 시스템의 상하부 정면도이다. 트윈 스테이지 리소그래피 시스템의 기본 동작 및 구조에 대해서는, 미국특허 제6,262,796호 및 제 6,341,007 호를 참고한다. 허용되는 범위 내에서, 미국 특허 번호 제 6,262,796 호 및 제6,341,007 호의 내용이 본 명세서에 참고로 포함된다. 이들의 양측 실시형태에서는, 한 쌍의 웨이퍼 스테이지 (WS1 및 WS2) 가 도시된다. 모터 (502) 를 이용하여 2개 스테이지 (WS1 및 WS2) 를 수평 방향으로 이동시키거나 위치시키는 반면 모터 (504) 를 이용하여 스테이지 (WS1 및 WS2) 를 수직 방향으로 이동하거나 위치시킨다. 모터 (502, 504) 는 광학 어셈블리 (16) 아래에서 하나의 스테이지를 양자 택일 방식으로 위치결정하는 한편 나머지 스테이지 상에서 웨이퍼 교환 및 정렬을 수행한다. 광학 어셈블리 (16) 아래에서의 웨이퍼 노광이 완료되면, 2개 스테이지는 교환되고 상기한 공정을 반복하게 된다. 이러한 구성에 따라, 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명 및 예시한, 광학 어셈블리 (16) 아래의 갭에서의 액침 액체를 유지하는 본 발명의 다양한 실시형태에서는, 2 개 중 1 개의 트윈 스테이지 구성을 이용할 수 있다. 예를 들어 도 2 의 실시형태에 대해서는, 도 5a 또는 5b의 각 웨이퍼 스테이지 (SW1, SW2) 를 수정하여 패드 (222) 및 지지 부재 (224) 를 포함할 수 있다. 도 3 의 실시형태에 대해서는, 단일 패드 (326), 모터 (328), 및 제어 시스템 (330) 을 광학 어셈블리 (16) 에 인접하여 이용할 수 있다. 패드 (326) 는 스테이지 (SW1 및 SW2) 로부터 별도로 이동가능하다. 스테이지 (SW1 및 SW2) 가 교환되는 시기 동안, 패드 (326) 는 광학 어셈블리 (16) 아래로 이동되어 광학 어셈블리 (16) 아래의 액침 액체 (312) 를 유지한다. 마지막으로, 도 4 의 실시형태에서는, 탈착가능한 단일 패드를 이용할 수 있다. 스테이지 (SW1 및 SW2) 가 교환되는 시기 동안, 패드 (426) 를 이용하여 도 4b 에 도시한 바와 같이 갭에서의 액침 액체를 유지한다. 반면에, 노광 동안, 패드는 노광되고 있는 웨이퍼 스테이지 상의 웨이퍼 테이블 상으로 클램핑된다. 이러한 방식으로, 2개 스테이지 (WS1 및 WS2) 용으로 단일 패드만이 필요하다. 다른 방법으로, 후술하는 바와 같이, 제 2 스테이지를 패드로서 이용할 수도 있다.
도 6a 를 참조하면, 본 발명을 실시하는 일 실시형태에 따른 트윈 스테이지 리소그래피 머신의 상하부도를 도시하고 있다. 이 실시형태에서, 액침 리소그래피 시스템 (600) 은 제 1 스테이지 (604) 및 제 2 스테이지 (606) 를 포함한다. 2개 스테이지는 모터 (602) 에 의해 X 및 Y 방향으로 이동한다. 이 실시형태에서, 스테이지 (604 및 606) 자신은 갭에서 액침 액체를 함유하는데 사용된다. 이 도에서 도시한 바와 같이 예를 들어, 제 1 스테이지 (604) 는 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정된다. 피가공물을 교환할 시기에, 모터 (602) 를 이용하여 제 1 스테이지 (604) 에 인접하는 제 2 피가공물와 함께 제 2 스테이지 (606) 를 위치결정된다. 2개 스테이지가 옆으로 나란히 위치결정된 상태에서, 이들은 실질적으로 연속면을 형성한다. 후속하여, 모터 (602) 를 이용하여 2개 스테이지를 일제히 이동하여 제 2 스테이지 (604) 가 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정되고 제 1 스테이지가 더 이상 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치결정되지 않는다. 따라서, 제 1 피가공물이 광학 어셈블리 (16) 로부터 멀어질 때, 갭에서의 액침 액체는, 제 1 스테이지와 실질적으로 연속면을 형성하는 제 2 스테이지 (606) 에 의해 유지된다. 다양한 다른 실시형태에서, 제 2 스테이지 (606) 는, 2 피가공물이 제 1 스테이지 (604) 상으로 배치되는 동안 갭에서의 액침 액체를 유지하는데 사용되는 패드를 포함하는 "패드" 스테이지일 수도 있다. 유사하게, 도 5a 또는 5b에 도시한 모터 구성을 이용할 수 있다.
도 6b 내지 6e 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 피가공물 교환을 나타내는 일련의 도면이 도시되어 있다. 도 6b 는 노광이 완료된 후 스테이지 (604) 상의 웨이퍼를 나타낸다. 도 6c 는 광학 어셈블리 (16) 아래에서 제 1 스테이지 (604) 와 접촉하는 (또는 매우 인접하는) 제 2 스테이지 (606) 를 나타낸다. 도 6d 는 전이 발생 위치를 나타내며, 다시 말하면, 제 2 스테이지 (606) 가 광학 어셈블리 (16) 아래에 위치한다. 마지막으로, 도 6e 를 참조하면, 제 1 스테이지 (604) 는 광학 어셈블리 (16) 로부터 멀어진다. 도 6c 및 6d 에 가장 잘 도시되어 있듯이, 2 개 스테이지 (604 및 606) 는 전이 동안 광학 어셈블리 (16) 아래에서 연속면을 제공하고, 따라서 갭에서의 액침 액체를 유지한다. 예시한 이 실시형태에서, 제 2 스테이지 (606) 는 패드 스테이지이다. 그러나, 이 스테이지는 상기한 바와 같이 피가공물 스테이지일 수도 있다.
상기한 다양한 실시형태에서, 패드는 세라믹, 금속 플라스틱과 같은 다수의 상이한 물질로 형성될 수 있다. 이들 물질은 다른 실시형태에 따라 테플론 (Teflon) 으로 코팅될 수도 있다. 또한, 패드 크기는 액침 액체가 차지하는 영역을 커버하도록 충분히 커야 한다. 상기한 다양한 실시형태에서, 광학 어셈블리 (16) 의 최종 광 소자의 표면은 액침 액체 환경 아래에서 일정하여, 유체 마크 (예를 들어, 워터 마크) 의 형성을 방지한다.
반도체 웨이퍼는 도 7a 에 도시한 공정에 의해 상기한 시스템들을 이용하여 제조될 수 있다. 단계 (701) 에서, 피가공물의 기능 및 성능 특징을 설계한다. 다음으로 단계 (702) 에서, 이전 설계 단계에 따라 패턴을 갖는 마스크 (레티클) 를 설계하고, 동시에 단계 (703) 에서, 웨이퍼를 실리콘 물질로 형성한다. 단계 (702) 에서 설계된 마스크 패턴을, 본 발명에 따라 상기한 포토리소그래피 시스템에 의해 단계 (704) 에서 단계 (703) 의 웨이퍼 상에 노광한다. 단계 (705) 에서, 반도체 피가공물을 조립 (다이싱 공정, 본딩 공정, 및 패키징 공정을 포함함) 하고, 마지막으로, 단계 (706) 에서 피가공물을 검사한다.
도 7b 는 반도체 피가공물을 제조하는 경우 상기한 단계 (704) 의 상세한 흐름도를 나타낸다. 도 7b 를 참조하면, 단계 (산화 단계; 711) 에서, 웨이퍼 표면이 산화된다. 단계 (CVD 단계; 712) 에서, 웨이퍼 표면 상에 절연막을 형성한다. 단계 (전극 형성 단계; 713) 에서, 증기 증착에 의해 웨이퍼 상에 전극을 형성한다. 단계 (이온 주입 단계; 714) 에서, 이온을 웨이퍼 내에 주입한다. 상기한 단계들 (711 내지 714) 은 웨이퍼 처리 동안 웨이퍼를 위한 전처리 단계들을 형성하고, 처리 요구 사항에 따라 각 단계에서 선택을 행한다.
웨이퍼 프로세스의 각 스테이지에서, 상기한 전처리 단계들을 완료하였을 때, 다음에 따르는 후처리 단계들을 구현한다. 후처리 동안, 먼저, 단계 (포토레지스트 형성 단계; 715) 에서, 포토레지스트를 웨이퍼에 도포한다. 다음으로, 단계 (노광 단계; 716) 에서, 상기한 노광 피가공물을 이용하여 마스크 (레티클) 의 회로 패턴을 웨이퍼로 전사한다. 이후, 단계 (현상 단계; 717) 에서, 노광된 웨이퍼를 현상하고, 단계 (에칭 단계; 718) 에서, 잔여 포토레지스트가 아닌 부분들 (즉, 노광된 물질 표면) 을 에칭에 의해 제거한다. 단계 (포토레지스트 제거 단계; 719) 에서, 에칭 후 남아있는 불필요한 포토레지스트를 제거한다.
이들 전처리 및 후처리 단계들을 반복함으로써 다중 회로를 형성한다.
본 명세서에서 설명하고 도시한 바와 같은 특정 리소그래피 머신이 상기한 목적을 충분히 달성하고 있고 이점을 제공할 수 있지만, 이것은 단지 본 발명의 바람직한 실시형태의 예일 뿐이며 청구범위를 제외한 나머지 부분에서의 설계 또는 구성의 상세에 어떠한 제한도 없다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (30)

  1. 노광 빔으로 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서,
    상기 기판 상에 조사되는 상기 노광 빔이 통과하는 광학 부재와,
    상기 기판을 유지하는 테이블과,
    상기 테이블에 대해 상대 이동 가능한 패드 부재를 구비하고,
    상기 테이블은, 상기 광학 부재에 대해 상대 이동 가능함과 함께, 상기 광학 부재와 대향하여 배치됨으로써, 상기 광학 부재와 상기 테이블 사이에서 액침 액체가 상기 광학 부재와 접촉하면서 상기 광학 부재 아래에 유지되고,
    상기 패드 부재는, 상기 광학 부재에 대해 상대 이동 가능함과 함께, 상기 광학 부재와 대향하여 배치됨으로써, 상기 광학 부재와 상기 패드 부재 사이에서 상기 액침 액체가 상기 광학 부재와 접촉하면서 상기 광학 부재 아래에 유지되고,
    상기 테이블과 상기 패드 부재가 서로 접근함과 함께, 상기 테이블의 상면과 상기 패드 부재의 표면이 동일면이 되고 또한 서로 나란히 배치되도록, 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 배치되는 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이, 상기 광학 부재와 대향하여 배치되는 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방에 대해 상대 이동됨과 함께,
    상기 광학 부재와 접촉하여 상기 액침 액체를 상기 광학 부재 아래에 유지하면서 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방 대신에 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이 상기 광학 부재와 대향하여 배치되도록, 상기 접근한 테이블 및 패드 부재가 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되고,
    상기 광학 부재와 대향하여 배치되는 상기 테이블과 상기 패드 부재의 일방에 의해 상기 액침 액체가 상기 광학 부재 아래에 유지되는 동안, 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방은 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 이동되는, 액침 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는 서로 근접하면서 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는, 상기 상면과 상기 표면의 경계 또는 갭이 상기 액침 액체 아래를 통과하도록, 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는, 상기 상면과 상기 표면이 나란히 배치되면서 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이 상기 광학 부재와 대향하여 배치될 때까지, 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 접근에 의해 상기 상면과 상기 표면이 실질적으로 연속된 면이 되도록, 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이, 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는 실질적으로 동시에 이동되는, 액침 노광 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 패드 부재에 의해 상기 광학 부재 아래에 상기 액침 액체가 유지되는 동안, 상기 테이블은, 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져, 상기 기판의 노광 동작과 상이한 동작이 행해지는, 액침 노광 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상이한 동작은, 상기 기판의 로드, 언로드, 또는 로드 및 언로드를 포함하는, 액침 노광 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판의 얼라이먼트를 실시하는 얼라이먼트 시스템을 추가로 구비하고,
    상기 상이한 동작은, 상기 기판의 얼라이먼트를 포함하는, 액침 노광 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 테이블에 유지되는 기판을 교환하는 교환 시스템을 추가로 구비하고,
    상기 상이한 동작은, 상기 기판의 교환을 포함하는, 액침 노광 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 패드 부재가 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 있는 동안, 상기 테이블에 의해 상기 광학 부재 아래에 상기 액침 액체가 유지됨과 함께, 상기 기판의 노광 동작이 행해지는, 액침 노광 장치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 테이블은, 상기 광학 부재와 대향하여 배치되는 동안에 상기 기판의 노광이 행해짐과 함께, 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 있는 동안에 상기 기판의 얼라이먼트 및 교환 중 적어도 일방이 행해지는, 액침 노광 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패드 부재는, 상기 테이블을 갖는 제 1 스테이지와 상이한 제 2 스테이지를 포함하는, 액침 노광 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 스테이지는, 상기 액침 액체를 유지하기 위한 패드를 지지하도록 구성된 패드 스테이지를 포함하는, 액침 노광 장치.
  15. 삭제
  16. 광학 부재를 통하여 노광 빔으로 기판을 노광하는 액침 노광 방법으로서,
    상기 기판을 유지하는 테이블과, 상기 테이블에 대해 상대 이동 가능한 패드 부재가 서로 접근함과 함께, 상기 테이블의 상면과 상기 패드 부재의 표면이 동일면이 되고 또한 서로 나란히 배치되도록, 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 배치되는 상기 테이블과 상기 패드 부재의 일방을, 상기 광학 부재와 대향하여 배치되는 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방에 대해 상대 이동시키는 것과,
    상기 광학 부재와 접촉하여 액침 액체를 상기 광학 부재 아래에 유지하면서 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방 대신에 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이 상기 광학 부재와 대향하여 배치되도록, 상기 접근한 테이블 및 패드 부재를 상기 광학 부재에 대해 상대 이동시키는 것을 포함하고,
    상기 광학 부재와 대향하여 배치되는 상기 테이블과 상기 패드 부재의 일방에 의해 상기 액침 액체가 상기 광학 부재 아래에 유지되는 동안, 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방은 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 이동되는, 액침 노광 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는 서로 근접하면서 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는, 상기 상면과 상기 표면의 경계 또는 갭이 상기 액침 액체 아래를 통과하도록, 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는, 상기 상면과 상기 표면이 나란히 배치되면서 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이 상기 광학 부재와 대향하여 배치될 때까지, 상기 광학 부재에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 접근에 의해 상기 상면과 상기 표면이 실질적으로 연속된 면이 되도록, 상기 테이블과 상기 패드 부재 중 일방이, 상기 테이블과 상기 패드 부재의 타방에 대해 상대 이동되는, 액침 노광 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 접근한 테이블 및 패드 부재는 실질적으로 동시에 이동되는, 액침 노광 방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 패드 부재에 의해 상기 광학 부재 아래에 상기 액침 액체가 유지되는 동안, 상기 테이블은, 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져, 상기 기판의 노광 동작과 상이한 동작이 행해지는, 액침 노광 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 상이한 동작은, 상기 기판의 로드, 언로드, 또는 로드 및 언로드를 포함하는, 액침 노광 방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 광학 부재로부터 떨어져 배치되는 얼라이먼트 시스템에 의해, 상기 기판의 얼라이먼트가 행해지고,
    상기 상이한 동작은, 상기 기판의 얼라이먼트를 포함하는, 액침 노광 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 광학 부재로부터 떨어진 위치에서 상기 테이블에 유지되는 기판의 교환이 행해지고,
    상기 상이한 동작은, 상기 기판의 교환을 포함하는, 액침 노광 방법.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 패드 부재가 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 있는 동안, 상기 테이블에 의해 상기 광학 부재 아래에 상기 액침 액체가 유지됨과 함께, 상기 기판의 노광 동작이 행해지는, 액침 노광 방법.
  27. 제 17 항에 있어서,
    상기 테이블은, 상기 광학 부재와 대향하여 배치되는 동안에 상기 기판의 노광이 행해짐과 함께, 상기 광학 부재 아래로부터 떨어져 있는 동안에 상기 기판의 얼라이먼트 및 교환 중 적어도 일방이 행해지는, 액침 노광 방법.
  28. 제 16 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패드 부재는, 상기 테이블을 갖는 제 1 스테이지와 상이한 제 2 스테이지를 포함하는, 액침 노광 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 제 2 스테이지는, 상기 액침 액체를 유지하기 위한 패드를 지지하도록 구성된 패드 스테이지를 포함하는, 액침 노광 방법.
  30. 디바이스 제조 방법으로서,
    제 16 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 액침 노광 방법을 사용하여 워크 피스를 노광하는 것과,
    상기 노광된 워크 피스를 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
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US (18) US7372538B2 (ko)
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WO (1) WO2004090577A2 (ko)

Families Citing this family (222)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI251127B (en) 2002-11-12 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
SG158745A1 (en) 2002-12-10 2010-02-26 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TWI621923B (zh) 2003-02-26 2018-04-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2950148B1 (en) 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
EP3352010A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
EP1611486B1 (en) 2003-04-10 2016-03-16 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
CN101980087B (zh) 2003-04-11 2013-03-27 株式会社尼康 浸没曝光设备以及浸没曝光方法
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TWI612557B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corporation 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
KR101548832B1 (ko) 2003-05-28 2015-09-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3104396B1 (en) 2003-06-13 2018-03-21 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI564933B (zh) * 2003-06-19 2017-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP1652003B1 (en) 2003-07-08 2015-01-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
JP4844123B2 (ja) 2003-07-09 2011-12-28 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
JP4515385B2 (ja) 2003-07-09 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
CN104122760B (zh) * 2003-07-28 2017-04-19 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101419192B1 (ko) 2003-08-29 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
WO2005036621A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200514138A (en) 2003-10-09 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI440981B (zh) 2003-12-03 2014-06-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101499405B1 (ko) 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101135232B1 (ko) 2004-01-20 2012-04-12 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7990516B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus
TWI518744B (zh) 2004-03-25 2016-01-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005103788A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum verbinden eines optischen elements mit einer haltestruktur
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101257960B1 (ko) 2004-06-04 2013-04-24 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
KR101323967B1 (ko) 2004-06-09 2013-10-31 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
KR20170016532A (ko) 2004-06-09 2017-02-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
KR101337007B1 (ko) * 2004-08-03 2013-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW200615716A (en) * 2004-08-05 2006-05-16 Nikon Corp Stage device and exposure device
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1806772B1 (en) 2004-10-15 2014-08-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100533662C (zh) * 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
JP4517354B2 (ja) * 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201837984A (zh) 2004-11-18 2018-10-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
EP1840943A4 (en) * 2004-11-25 2010-04-21 Nikon Corp MOBILE BODY SYSTEM, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1821337B1 (en) * 2004-12-06 2016-05-11 Nikon Corporation Maintenance method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4752473B2 (ja) 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006080516A1 (ja) 2005-01-31 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN101128775B (zh) 2005-02-10 2012-07-25 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
WO2006106833A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
KR101479392B1 (ko) 2005-04-28 2015-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583358B2 (en) 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
JP5309565B2 (ja) * 2005-08-05 2013-10-09 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101388345B1 (ko) * 2005-09-09 2014-04-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7417710B2 (en) * 2005-09-26 2008-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3997245B2 (ja) * 2005-10-04 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3997244B2 (ja) * 2005-10-04 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4164508B2 (ja) * 2005-10-04 2008-10-15 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20080066836A (ko) * 2005-11-09 2008-07-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7656501B2 (en) 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
TWI605491B (zh) * 2006-01-19 2017-11-11 尼康股份有限公司 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
KR101346581B1 (ko) * 2006-02-21 2014-01-02 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US7760324B2 (en) * 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8027019B2 (en) 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2535744A3 (en) 2006-04-03 2013-10-09 Nikon Corporation Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids used in an immersion microlithography system
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
CN100456138C (zh) * 2006-06-13 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸液流场维持系统
EP3418807A1 (en) * 2006-08-31 2018-12-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
CN100468212C (zh) * 2006-09-22 2009-03-11 上海微电子装备有限公司 双台定位交换系统
KR101419196B1 (ko) * 2006-09-29 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7973910B2 (en) * 2006-11-17 2011-07-05 Nikon Corporation Stage apparatus and exposure apparatus
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7728952B2 (en) * 2007-01-25 2010-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for closing plate take-over in immersion lithography
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7900641B2 (en) 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
WO2008146819A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nikon Corporation 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN101675500B (zh) 2007-11-07 2011-05-18 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
SG183058A1 (en) * 2007-12-17 2012-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8451425B2 (en) 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
JP2009182110A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8610873B2 (en) 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate
US20100039628A1 (en) * 2008-03-19 2010-02-18 Nikon Corporation Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
US20100053588A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Nikon Corporation Substrate Stage movement patterns for high throughput While Imaging a Reticle to a pair of Imaging Locations
US20100060106A1 (en) * 2008-09-10 2010-03-11 Hiwin Mikrosystem Corp. Linear planar servomotor with spare-mover standby area
DE102009015717B4 (de) * 2009-03-31 2012-12-13 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Verfahren und System zum Erkennen einer Teilchenkontamination in einer Immersionslithographieanlage
US8792084B2 (en) 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8970820B2 (en) 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20100294742A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Enrico Magni Modifications to Surface Topography of Proximity Head
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110199591A1 (en) * 2009-10-14 2011-08-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method
JP5861642B2 (ja) 2009-11-09 2016-02-16 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板
US8896810B2 (en) * 2009-12-29 2014-11-25 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Liquid immersion scanning exposure system using an immersion liquid confined within a lens hood
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8883024B2 (en) 2010-10-18 2014-11-11 Tokyo Electron Limited Using vacuum ultra-violet (VUV) data in radio frequency (RF) sources
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
US20120162619A1 (en) 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
US9329496B2 (en) 2011-07-21 2016-05-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium
US20130135594A1 (en) 2011-11-25 2013-05-30 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US20130169944A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
JP6037732B2 (ja) * 2012-09-03 2016-12-07 オリンパス株式会社 浸液保持具、観察部位固定装置、及び、顕微鏡
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP6362312B2 (ja) * 2013-09-09 2018-07-25 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
WO2015147039A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
US10802260B2 (en) 2014-05-29 2020-10-13 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
US10890748B2 (en) 2014-05-29 2021-01-12 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
US11300769B2 (en) 2014-05-29 2022-04-12 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
US11422352B2 (en) 2014-05-29 2022-08-23 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
CN106415356B (zh) 2014-05-29 2019-03-26 瑞尔赛特股份有限公司 用来将基板保持在二级装置内的设备
KR102022471B1 (ko) * 2014-09-19 2019-09-18 한화정밀기계 주식회사 기판 검사장치
US10632556B2 (en) * 2014-11-07 2020-04-28 Kiffer Industries, Inc. Method and apparatus for eliminating cut taper
US10406318B2 (en) * 2015-05-19 2019-09-10 Abbott Cardiovascular Systems, Inc. Balloon catheter
CN112965341B (zh) 2015-11-20 2024-06-28 Asml荷兰有限公司 光刻设备和操作光刻设备的方法
AU2017330346C1 (en) 2016-09-21 2025-03-06 Nextcure, Inc. Antibodies for Siglec-15 and methods of use thereof
AU2020232965B2 (en) 2019-03-01 2025-05-08 Rarecyte, Inc. Holding a substrate within a secondary device
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography
KR20220011903A (ko) 2020-07-22 2022-02-03 삼성전자주식회사 식기 세척기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3678749B2 (ja) * 1994-01-13 2005-08-03 アイエムエス イオネン マイクロファブルカティオンズ システメ ゲーエムベーハー 粒子ビーム、特にイオンの光学像投影システム
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置

Family Cites Families (313)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US211920A (en) * 1879-02-04 Improvement in manufacture of boots
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US4026653A (en) 1975-05-09 1977-05-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Proximity printing method
US4341164A (en) * 1980-06-13 1982-07-27 Charles H. Ruble Folding camp table
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
US4650983A (en) 1983-11-07 1987-03-17 Nippon Kogaku K. K. Focusing apparatus for projection optical system
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) * 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3203719B2 (ja) * 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5469963A (en) * 1992-04-08 1995-11-28 Asyst Technologies, Inc. Sealable transportable container having improved liner
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH06208058A (ja) * 1993-01-13 1994-07-26 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡対物レンズ
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
US5636066A (en) 1993-03-12 1997-06-03 Nikon Corporation Optical apparatus
JP3747951B2 (ja) 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5534970A (en) 1993-06-11 1996-07-09 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
US5715064A (en) * 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH0883753A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Nikon Corp 焦点検出方法
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JP3387075B2 (ja) * 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5677758A (en) * 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
US5699201A (en) 1995-03-27 1997-12-16 Hewlett-Packard Co. Low-profile, high-gain, wide-field-of-view, non-imaging optics
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3526042B2 (ja) 1995-08-09 2004-05-10 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
US5964441A (en) * 1996-04-01 1999-10-12 Lear Corporation Linkage assembly with extruded hole member
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029181B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置
IL130137A (en) 1996-11-28 2003-07-06 Nikon Corp Exposure apparatus and an exposure method
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
DE69829614T2 (de) 1997-03-10 2006-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
EP1028456A4 (en) 1997-09-19 2003-03-05 Nikon Corp CARRIER DEVICE, SCAN ALIGNER, AND SCAN EXPOSURE METHOD, AND A COMPONENT MADE THEREOF
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
AU1175799A (en) * 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
AU1682899A (en) 1997-12-18 1999-07-05 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU5650399A (en) 1998-09-17 2000-04-10 Nikon Corporation Method of adjusting optical projection system
EP1135795B1 (en) * 1998-12-02 2008-03-12 Newport Corporation Specimen holding robotic arm end effector
AU2325900A (en) * 1999-03-12 2000-10-04 Nikon Corporation Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP4365934B2 (ja) * 1999-05-10 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
EP1111471B1 (en) 1999-12-21 2005-11-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collision preventing device
TW546551B (en) * 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
TWI223734B (en) * 1999-12-21 2004-11-11 Asml Netherlands Bv Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001241439A (ja) 2000-02-25 2001-09-07 Canon Inc 静圧軸受を備えた移動装置
US6426790B1 (en) * 2000-02-28 2002-07-30 Nikon Corporation Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus
JP2001257143A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
US6559922B2 (en) * 2000-05-03 2003-05-06 Eric C. Hansell Method and apparatus for a non-contact scavenging seal
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP4405071B2 (ja) 2000-10-23 2010-01-27 パナソニック株式会社 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6680774B1 (en) * 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
US6665054B2 (en) * 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US7134668B2 (en) 2001-10-24 2006-11-14 Ebara Corporation Differential pumping seal apparatus
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
EP1494267A4 (en) * 2002-04-09 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
JP2004017261A (ja) 2002-06-20 2004-01-22 Shinya Tsukamoto 機械加工装置および機械加工方法ならびに機械加工システム
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
TWI251127B (en) 2002-11-12 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) * 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4645027B2 (ja) * 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4701606B2 (ja) * 2002-12-10 2011-06-15 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
JP4004461B2 (ja) * 2002-12-19 2007-11-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム、及びリソグラフィ投影装置
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2950148B1 (en) 2003-04-10 2016-09-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
EP1611486B1 (en) 2003-04-10 2016-03-16 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
EP3352010A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
CN101980087B (zh) 2003-04-11 2013-03-27 株式会社尼康 浸没曝光设备以及浸没曝光方法
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TWI282487B (en) 2003-05-23 2007-06-11 Canon Kk Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI564933B (zh) 2003-06-19 2017-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60308161T2 (de) * 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP1652003B1 (en) 2003-07-08 2015-01-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
CN104122760B (zh) * 2003-07-28 2017-04-19 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145643B2 (en) * 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519231B1 (en) * 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
EP1530217A2 (en) * 2003-11-05 2005-05-11 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having temperature detector
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP2005150290A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Canon Inc 露光装置およびデバイスの製造方法
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
DE10355301B3 (de) * 2003-11-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP2007516613A (ja) 2003-12-15 2007-06-21 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 少なくとも１つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ
JP4308638B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
WO2005069055A2 (en) 2004-01-14 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR101233879B1 (ko) 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101135232B1 (ko) 2004-01-20 2012-04-12 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20070039869A (ko) 2004-02-03 2007-04-13 브루스 더블유. 스미스 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템
US7990516B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US20070165198A1 (en) 2004-02-13 2007-07-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
JP2005236087A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Nikon Corp 露光装置
JP4622340B2 (ja) 2004-03-04 2011-02-02 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) * 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) * 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR101391470B1 (ko) 2004-05-17 2014-05-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
KR101257960B1 (ko) 2004-06-04 2013-04-24 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
US7057702B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1806772B1 (en) 2004-10-15 2014-08-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007136089A1 (ja) * 2006-05-23 2007-11-29 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3678749B2 (ja) * 1994-01-13 2005-08-03 アイエムエス イオネン マイクロファブルカティオンズ システメ ゲーエムベーハー 粒子ビーム、特にイオンの光学像投影システム
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201337444A (zh) 2013-09-16
EP2613195A3 (en) 2014-06-11
IL209439A (en) 2017-02-28
KR101475657B1 (ko) 2014-12-22
CN101980087B (zh) 2013-03-27
TW201241545A (en) 2012-10-16
HK1185666A1 (en) 2014-02-21
JP4775402B2 (ja) 2011-09-21
US20130301022A1 (en) 2013-11-14
SG10201404132YA (en) 2014-09-26
US7327435B2 (en) 2008-02-05
TWI346345B (en) 2011-08-01
TWI437351B (zh) 2014-05-11
US20110026000A1 (en) 2011-02-03
JP5862716B2 (ja) 2016-02-16
US8488100B2 (en) 2013-07-16
US8035795B2 (en) 2011-10-11
KR20110091012A (ko) 2011-08-10
CN101980087A (zh) 2011-02-23
EP2618213B1 (en) 2016-03-09
CN101002140B (zh) 2010-12-08
TWI346349B (en) 2011-08-01
TWI578091B (zh) 2017-04-11
TW200818251A (en) 2008-04-16
TWI425302B (zh) 2014-02-01
KR101697896B1 (ko) 2017-01-18
HK1185665A1 (en) 2014-02-21
HK1185667A1 (en) 2014-02-21
JP5660016B2 (ja) 2015-01-28
US8634057B2 (en) 2014-01-21
SG2012031209A (en) 2015-07-30
IL209222A0 (en) 2011-01-31
KR20120005568A (ko) 2012-01-16
US20130308107A1 (en) 2013-11-21
TWI545386B (zh) 2016-08-11
US8514367B2 (en) 2013-08-20
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