[go: up one dir, main page]

KR101462770B1 - 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지 - Google Patents

인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101462770B1
KR101462770B1 KR1020130038654A KR20130038654A KR101462770B1 KR 101462770 B1 KR101462770 B1 KR 101462770B1 KR 1020130038654 A KR1020130038654 A KR 1020130038654A KR 20130038654 A KR20130038654 A KR 20130038654A KR 101462770 B1 KR101462770 B1 KR 101462770B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cavity
pad
base substrate
insulating layer
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020130038654A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140122062A (ko
Inventor
최성렬
홍석창
박상갑
염광섭
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020130038654A priority Critical patent/KR101462770B1/ko
Priority to US14/068,628 priority patent/US20140300001A1/en
Publication of KR20140122062A publication Critical patent/KR20140122062A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101462770B1 publication Critical patent/KR101462770B1/ko
Priority to US15/014,059 priority patent/US10342135B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486Via connections through the substrate with or without pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10439Position of a single component
    • H05K2201/10492Electrically connected to another device
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10515Stacked components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4697Manufacturing multilayer circuits having cavities, e.g. for mounting components
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

본 발명은 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인쇄회로기판은, 복수의 회로 패턴들을 포함하는 베이스 기판; 베이스 기판의 상부에 형성된 캐비티; 캐비티의 기판 바닥면을 통해 노출되며, 베이스 기판에 매립된 패드; 및 캐비티에 실장되며, 상기 패드와 전기적으로 연결되는 전자부품을 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 베이스 기판에 소정 깊이의 캐비티를 형성하여 전자부품이 그 캐비티에 실장되도록 함으로써, PoP 구조의 반도체 패키지의 제조에 있어서 상부 패키지 기판의 고밀도, 고성능을 위해 볼 피치가 축소되었을 경우에도 상부 패키지와 하부 패키지 간의 갭(gap)을 확보할 수 있다.

Description

인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지{PCB(printed circuit board) and manufacturing method thereof, and semiconductor package including the PCB}
본 발명은 인쇄회로기판(PCB)과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지에 관한 것으로서, 특히 PCB의 상면에 전자부품의 실장을 위한 캐비티(cavity)를 형성함으로써 PoP(package on package) 구조의 반도체 패키지의 제조 시, 상/하부 패키지 간 간격을 확보할 수 있는 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다.
최근 모바일 제품이 박형화 및 고기능화되어 감에 따라 그와 같은 모바일 제품에 채용되는 플립 칩(flip chip) 제품의 I/O(input/output) 수도 증가하게 되고, 그와 같은 I/O 수의 증가에 따라 PCB측의 범프(bump) 또한 정밀 피치(fine pitch)가 요구되고 있다.
종래의 PoP 구조의 반도체 패키지는 도 1에 도시된 바와 같이, 전자부품(예컨대, AP 칩)(122)이 하부 반도체 패키지(120)의 PCB 기판(121)의 상부 표면에 실장되는 방식으로, 상부 반도체 패키지(110)의 I/O수를 증가시키기 위해 볼 피치 (ball pitch)를 줄일 경우 상부 반도체 패키지(110)와 하부 반도체 패키지(120) 간의 갭(gap)을 확보하기가 어려워지는 문제가 발생하게 된다.
이상과 같은 문제에 대응하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같이, 전자부품(예를 들면, IC 칩)(222)을 PCB 기판(221) 속에 내장하는 구조가 개발되고 있으나, 이러한 구조는 기판 제작 시 발생하는 수율에 의해 값비싼 IC 칩을 폐기해야 하는 바, 이에 따라 기판 제조비용의 상승 요인으로 작용한다. 도 2에서 참조번호 210은 상부 반도체 패키지, 220은 하부 반도체 패키지를 나타낸다.
한국 공개특허공보 공개번호 10-1997-7007576 일본 공개특허공보 특개2005-512335
본 발명은 상기와 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, 인쇄회로기판의 상면부의 소정 부위에 전자부품의 실장을 위한 캐비티(cavity)를 형성함으로써 PoP 구조의 반도체 패키지의 제조에 있어서 상부 패키지 기판의 고밀도, 고성능을 위해 볼 피치가 축소되었을 경우에도 상부 패키지와 하부 패키지 간의 갭(gap)을 확보할 수 있는 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판은,
복수의 회로 패턴들을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 상부에 형성된 캐비티;
상기 캐비티의 기판 바닥면을 통해 노출되며, 베이스 기판에 매립된 패드; 및
상기 캐비티에 실장되며, 상기 패드와 전기적으로 연결되는 전자부품을 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 바람직하게는 상기 패드의 상면과 상기 캐비티의 바닥면은 동일 평면상에 위치한다.
또한, 상기 캐비티의 측벽 하부에는 캐비티의 형성을 위한 정렬 패턴이 형성될 수 있다.
또한, 상기 전자부품은 외부 단자들을 포함하며, 상기 외부 단자들이 상기 패드를 향하도록 페이스 다운(face down)으로 실장된다.
또한, 상기 베이스 기판의 내부에 형성되며, 상기 회로 패턴들 및 상기 회로 패턴과 상기 패드를 전기적으로 연결하는 비아를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조방법은,
베이스 기판의 상면부의 소정 영역에 회로 보호용 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층이 형성된 베이스 기판의 상면 및 하면에 절연층을 각각 형성하는 단계;
상기 상,하부 절연층 내부에 비아를 각각 형성한 후, 상부 절연층의 상부 표면 및 하부 절연층의 하부 표면에 회로를 각각 형성하는 단계;
상기 상,하부 절연층의 표면에 각각 형성된 회로 패턴 사이의 공간에 회로 보호용 제2 보호층을 각각 형성하는 단계; 및
상기 상부 절연층의 상기 제1 보호층에 대응하는 위치에 전자부품의 실장을 위한 캐비티를 형성하는 단계;를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 베이스 기판으로는 상,하면 및 내부에 회로가 형성되고, 내부에는 상,하부 회로를 서로 연결하는 비아가 형성되어 있는 베이스 기판이 사용될 수 있다.
또한, 상기 캐비티를 형성함에 있어서, 바람직하게는 상기 상부 절연층 내부에 매립되어 있는 제1 보호층까지 제거하여, 캐비티의 바닥면에 노출되는 회로 패턴의 상면이 바닥면과의 단차 없이 바닥면과 동일한 평면을 이루도록 형성한다.
또한, 상기 캐비티를 형성함에 있어서, 바람직하게는 캐비티의 측벽면의 하단부에 상기 제1 보호층의 일부가 남아있도록 형성한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지는,
하부 반도체 패키지 위에 상부 반도체 패키지가 적층되어 형성된 PoP 구조의 반도체 패키지로서,
상기 하부 반도체 패키지는,
상면부의 일정 영역에 소정 크기의 캐비티가 형성되어 있는 인쇄회로기판; 및 상기 캐비티에 실장된 전자부품을 포함하고,
상기 인쇄회로기판은,
복수의 회로 패턴들을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 상부에 형성된 캐비티; 및
상기 캐비티의 기판 바닥면을 통해 노출되며, 베이스 기판에 매립된 패드를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 바람직하게는 상기 패드의 상면과 상기 캐비티의 바닥면은 동일 평면상에 위치한다.
또한, 상기 캐비티의 측벽 하부에는 캐비티의 형성을 위한 정렬 패턴이 형성될 수 있다.
또한, 상기 전자부품은 외부 단자들을 포함하며, 상기 외부 단자들이 상기 패드를 향하도록 페이스 다운(face down)으로 실장된다.
또한, 상기 베이스 기판의 내부에 형성되며, 상기 회로 패턴들 및 상기 회로 패턴과 상기 패드를 전기적으로 연결하는 비아를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 베이스 기판에 소정 깊이의 캐비티를 형성하여 전자부품이 그 캐비티에 실장되도록 함으로써, PoP 구조의 반도체 패키지의 제조에 있어서 상부 패키지 기판의 고밀도, 고성능을 위해 볼 피치가 축소되었을 경우에도 상부 패키지와 하부 패키지 간의 갭(gap)을 확보할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래 PoP 구조의 반도체 패키지의 일 예를 보여주는 도면.
도 2는 종래 PoP 구조의 반도체 패키지의 다른 예를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 구조를 보여주는 도면.
도 4는 도 3의 인쇄회로기판을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지의 구조를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법의 실행 과정을 보여주는 흐름도.
도 6a 내지 6e는 본 발명의 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 따라 인쇄회로기판을 제조하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면.
도 7a 및 7b는 도 6e의 A 부분에 대한 부분 발췌 확대도.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되지 말아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 구조를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 인쇄회로기판(320')은 베이스 기판(321), 캐비티(321c), 패드(322p) 및 전자부품(330)을 포함하여 구성된다. 여기서, 이와 같이 인쇄회로기판(320')에 전자부품(330)을 포함시킬 경우, 이때의 인쇄회로기판(320')은 뒤에서 나중에 설명하는 반도체 패키지에 있어서의 하부 반도체 패키지 (320)와 사실상 동일하다.
상기 베이스 기판(321)은 복수의 회로 패턴(322)을 포함한다. 여기서, 이와 같은 베이스 기판(321)은 단층 또는 다층(multilayer) 구조를 가질 수 있다. 본 발명에서는 다층 구조의 베이스 기판이 사용된 경우를 예로 들어 설명하기로 한다. 또한, 상기 회로 패턴(322)은 상기 베이스 기판(321)의 상면, 하면 또는 내부 중 적어도 어느 일 부분에 형성된다. 본 발명에 채용된 베이스 기판(321)의 경우에는 도시된 바와 같이, 회로 패턴(322)이 베이스 기판(321)의 상면, 하면 및 내부에 모두 형성된 경우를 보여주고 있다.
이에 더하여, 상기 베이스 기판(321)의 상,하부면에는 적어도 한 층 이상의 절연층이 적층될 수 있다. 본 발명에서는 상기 베이스 기판(321)의 상,하부면에 각각 하나의 절연층이 적층된 것을 도시하고 있으며, 이하에서는 상부면에 적층된 절연층은 상부 절연층(602)으로 칭하고, 하부면에 적층된 절연층은 하부 절연층(603)으로 칭하기도 한다.
상기 캐비티(321c)는 최상층에 위치하는 상기 절연층, 즉 상부 절연층(602)의 소정 영역을 제거하여 형성될 수 있다. 이와 같은 캐비티(321c)는 전자부품(예컨대, 반도체 칩)(330)의 실장을 위한 것이다. 여기서, 또한 이와 같은 캐비티(321c)의 측벽 하부에는 캐비티의 형성을 위한 정렬 패턴 (601)(도 7a 참조)이 형성될 수 있다. 이와 같은 정렬 패턴(601)은 후술되는 인쇄회로기판의 제조 과정에서의 보호층(601)의 일부가 남은 것이다. 이에 대해서는 뒤에서 설명된다. 또한, 이와 같은 캐비티(321c)의 크기, 즉 그 폭과 깊이는 실장되는 전자부품(330)의 폭 및 두께에 따라, 그리고 후술되는 반도체 패키지의 제조 사양에 따라 다양한 크기로 형성될 수 있다.
상기 패드(322p)는 상기 캐비티(321c)의 바닥면에 매립된다. 여기서, 이와 같은 패드(322p)는 캐비티(321c)의 바닥면을 통해 노출된 회로 패턴(322)의 상면에 해당한다. 또한, 상기 패드(322p)의 상면과 상기 캐비티(321c)의 바닥면은 동일 평면상에 위치한다. 이와 관련해서는 뒤에서 설명된다.
상기 전자부품(330)은 상기 캐비티(321c)에 실장되며, 상기 패드(322p)와 전기적으로 연결된다. 여기서, 이와 같은 전자부품(330)은 외부 단자들을 포함하며, 상기 외부 단자들이 상기 패드(322p)를 향하도록 페이스 다운(face down)으로 실장된다.
이상과 같은 구성의 본 발명의 인쇄회로기판은, 바람직하게는 상기 베이스 기판(321)의 내부에 형성되는 것으로서, 상기 회로 패턴들(322,606,607) 및 상기 회로 패턴(322,606,607)과 상기 패드(322p)를 전기적으로 연결하는 비아(via) (323,604,605)를 더 포함할 수 있다.
그러면, 이상과 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 대하여 설명해 보기로 한다.
여기서, 도면의 배치 순서에 따라 도 4와 관련하여 먼저 설명한 후, 도 5 및 도 6a 내지 6e와 관련된 설명을 할 수도 있겠으나, 위에서 본 발명에 따른 인쇄회로기판에 대하여 설명하였기 때문에, 그와 관련하여 그 인쇄회로기판의 제조방법 및 그 제조 과정에 대하여 먼저 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법의 실행 과정을 보여주는 흐름도이고, 도 6a 내지 6e는 본 발명의 실시 예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 따라 인쇄회로기판을 제조하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6a 내지 6e를 참조하면, 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조방법에 따라, 먼저 베이스 기판(321)의 상면부의 소정 영역에 회로 보호용 제1 보호층(601)을 형성한다(단계 S501, 도 6a). 여기서, 상기 베이스 기판(321)의 상,하면에 회로 패턴(322)이 형성되고, 또한 내부에는 상,하부 회로 패턴(322)을 서로 연결하는 비아(323)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 보호층(601)의 형성은 디태치 코어(detach core)를 이용한 인쇄회로기판의 초반 제조 과정에서 디태치 코어의 양면에 형성되었던 보호층을 그대로 이용하여, 후술되는 캐비티(321c)의 형성을 위한 소정 영역 부분만 남기고 나머지 부분은 제거함으로써 이루어질 수도 있고, 베이스 기판(321)의 상면부의 회로 패턴 및 그에 인접하는 절연층 부분을 포함하는, 캐비티(321c)가 형성될 부분으로 설계된 소정 영역에만 보호층을 형성함으로써 이루어질 수도 있다. 이때, 보호층의 재질로는 단일 금속, 또는 합금이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 비금속 재질이 사용될 수도 있다.
이렇게 하여 제1 보호층(601)의 형성이 완료되면, 그 제1 보호층(601)이 형성된 베이스 기판(321)의 상면 및 하면에 절연층(602,603)을 각각 형성한다(단계 S502, 도 6b). 이때, 절연층(602,603)의 재질로는 합성수지(에폭시 수지, 폴리에스터 수지, 요소 수지, 페놀 수지 등)가 사용될 수 있다.
절연층(602,603)의 형성이 완료되면, 그 상,하부 절연층(602,603) 내부에 비아(604,605)를 각각 형성한 후, 상부 절연층(602)의 상부 표면 및 하부 절연층 (603)의 하부 표면에 회로(606,607)를 각각 형성한다(단계 S503, 도 6c). 여기서, 상기 비아(604,605)는 레이저 드릴 등을 이용하여 상,하부 절연층(602,603)에 홀을 각각 형성한 후, 전기 도금 등에 의해 금속물질(예컨대, 구리)을 홀에 충전함으로써 형성될 수 있다. 또한, 상기 절연층(602,603)의 상,하부면의 회로(606,607)는 마스크를 이용한 포토리소그래피(photolithography)의 수행에 의해 형성될 수 있다.
이상에 의해 절연층(602,603)의 상,하부면에 회로(606,607)의 형성이 완료되면, 그 각각 형성된 회로(606,607) 패턴 사이의 공간에 회로 보호용 제2 보호층 (608,609)을 각각 형성한다(단계 S504, 도 6d). 여기서, 이와 같은 제2 보호층 (608,609)으로는 솔더 레지스트(solder resist)가 사용될 수 있다. 이때, 이와 같은 제2 보호층(608,609)의 형성을 위해 마찬가지로 마스크를 이용한 포토리소그래피가 사용될 수 있다.
제2 보호층(608,609)의 형성이 완료되면, 상기 상부 절연층(602)의 상기 제1 보호층(601)에 대응하는 위치에 전자부품(330)(도 3 참조)의 실장을 위한 캐비티 (321c)를 형성한다(단계 S505, 도 6e). 이때, 이와 같은 캐비티(321c)의 형성을 위해 습식 에칭이나 건식 에칭이 모두 사용될 수 있으나, 바람직하게는 건식 에칭이 사용된다.
또한, 상기 캐비티(321c)를 형성함에 있어서, 상기 상부 절연층(602)의 내부에 매립되어 있는 제1 보호층(601)까지 제거하여, 캐비티(321c)의 바닥면에 노출되는 회로 패턴(322)의 상면이 바닥면과의 단차 없이 바닥면과 동일한 평면을 이루도록 형성한다.
이와 같이, 전자부품(330)이 실장되는 캐비티(321c)의 바닥면에 노출된 회로(322)면이 캐비티(321c)의 바닥면과 수평을 이루도록 편평(flatness)하므로, 전자부품(330)이 캐비티(321c) 내에 삽입될 수 있도록 절연 거리를 높게 형성할 수 있고, 이에 따라 상부 절연층(602)에 형성되는 캐비티(321c)의 깊이를 비교적 폭넓은 범위의 깊이(예를 들면, 40∼150㎛)로 용이하게 확보할 수 있다.
또한, 상기 캐비티(321c)를 형성함에 있어서, 도 7a에 도시된 바와 같이, 캐비티(321c)의 측벽면의 하단부에 상기 제1 보호층(601)의 일부가 남아있도록 형성할 수 있다. 이는 이와 같이 제1 보호층(601)의 일부를 남김으로써, 반도체 패키지 제조공정에서 캐비티(321c)에 전자부품(330)을 실장할 시 전자부품(330)을 정확하게 실장할 수 있도록 하는 하나의 정렬(alignment) 마크로 활용할 수 있도록 하기 위한 것이다. 물론, 도 7b에서와 같이, 캐비티(321c)를 형성할 때 제1 보호층 (601)을 완전히 제거할 수도 있다.
한편, 앞에서 언급했듯이 인쇄회로기판의 제조와 관련된 설명을 먼저 하기 위해 도 4를 잠시 건너뛰었던 바, 이제 다시 도 4로 돌아가 설명해 보기로 한다.
도 4는 도 3의 인쇄회로기판을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키지의 구조를 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지는, 하부 반도체 패키지(320) 위에 상부 반도체 패키지(310)가 적층되어 형성된 PoP 구조의 반도체 패키지이다.
상기 하부 반도체 패키지(320)는, 최상층의 절연층에 소정 크기의 캐비티 (321c)가 형성되어 있는 인쇄회로기판(320') 및 상기 캐비티(321c)에 실장된 전자부품(330)을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 인쇄회로기판(320')은 앞에서 도 3을 참조하면서 설명한 본 발명에 따른 인쇄회로기판(320')이 그대로 이용된 것이다.
즉, 상기 인쇄회로기판(320')은 베이스 기판(321), 캐비티(321c) 및 패드 (322p)를 포함하여 구성된다.
상기 베이스 기판(321)은 복수의 회로 패턴(322)을 포함한다. 여기서, 이와 같은 베이스 기판(321)은 단층 또는 다층(multilayer) 구조를 가질 수 있다. 본 발명에서는 다층 구조의 베이스 기판이 사용된 경우를 예로 들어 설명하기로 한다. 또한, 상기 회로 패턴(322)은 상기 베이스 기판(321)의 상면, 하면 또는 내부 중 적어도 어느 일 부분에 형성된다. 본 발명에 채용된 베이스 기판(321)의 경우에는 도시된 바와 같이, 회로 패턴(322)이 베이스 기판(321)의 상면, 하면 및 내부에 모두 형성된 경우를 보여주고 있다.
이에 더하여, 상기 베이스 기판(321)의 상,하부면에는 적어도 한 층 이상의 절연층이 적층될 수 있다. 본 발명에서는 상기 베이스 기판(321)의 상,하부면에 각각 하나의 절연층이 적층된 것을 도시하고 있으며, 이하에서는 상부면에 적층된 절연층은 상부 절연층(602)으로 칭하고, 하부면에 적층된 절연층은 하부 절연층(603)으로 칭하기도 한다.
상기 캐비티(321c)는 최상층에 위치하는 상기 절연층, 즉 상부 절연층(602)의 소정 영역을 제거하여 형성될 수 있다. 이와 같은 캐비티(321c)는 전자부품(예컨대, 반도체 칩)(330)의 실장을 위한 것이다. 여기서, 또한 이와 같은 캐비티(321c)의 측벽 하부에는 캐비티의 형성을 위한 정렬 패턴 (601)(도 7a 참조)이 형성될 수 있다. 이와 같은 정렬 패턴(601)은 전술한 바와 같이 인쇄회로기판의 제조 과정에서의 보호층(601)의 일부가 남은 것이다. 또한, 이와 같은 캐비티(321c)의 크기, 즉 그 폭과 깊이는 실장되는 전자부품(330)의 폭 및 두께에 따라, 그리고 후술되는 반도체 패키지의 제조 사양에 따라 다양한 크기로 형성될 수 있다.
상기 패드(322p)는 상기 캐비티(321c)의 기판 바닥면을 통해 노출되며, 베이스 기판(321)에 매립된다. 여기서, 이와 같은 패드(322p)는 기판의 바닥면을 통해 노출된 회로 패턴(322)의 상면에 해당한다. 또한, 상기 패드(322p)의 상면과 상기 캐비티(321c)의 바닥면은 동일 평면상에 위치한다. 이와 관련해서는 앞에서 설명한 바와 같다.
상기 전자부품(330)은 상기 캐비티(321c)에 실장되며, 상기 패드(322p)와 전기적으로 연결된다. 여기서, 이와 같은 전자부품(330)은 외부 단자들을 포함하며, 상기 외부 단자들이 상기 패드(322p)를 향하도록 페이스 다운(face down)으로 실장된다.
이상과 같은 구성의 본 발명의 인쇄회로기판(320')은, 바람직하게는 상기 베이스 기판(321)의 내부에 형성되는 것으로서, 상기 회로 패턴들(322,606,607) 및 상기 회로 패턴(322,606,607)과 상기 패드(322p)를 전기적으로 연결하는 비아(via) (323,604,605)를 더 포함할 수 있다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 인쇄회로기판은 베이스 기판에 소정 깊이의 캐비티를 형성하여 전자부품이 그 캐비티에 실장되도록 함으로써, PoP 구조의 반도체 패키지의 제조에 있어서 상부 패키지 기판의 고밀도, 고성능을 위해 볼 피치가 축소되었을 경우에도 상부 패키지와 하부 패키지 간의 갭(gap)을 확보할 수 있는 장점이 있다.
또한, 전자부품이 실장되는 캐비티의 바닥면에 노출된 회로면이 캐비티의 바닥면과 수평을 이루도록 편평하므로, 전자부품이 캐비티 내에 삽입될 수 있도록 절연 거리를 높게 형성할 수 있고, 이에 따라 상부 절연층에 형성되는 캐비티의 깊이를 비교적 폭넓은 범위의 깊이로 용이하게 확보할 수 있는 장점이 있다.
이상, 바람직한 실시 예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변경, 응용될 수 있음은 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 다음의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110,210,310...상부 반도체 패키지 120,220,320...하부 반도체 패키지
121,221...PCB 기판 122,222,330...전자부품
320'...(본 발명)인쇄회로기판 321...베이스 기판
322,606,607...회로 패턴 323,604,605...비아
321c...캐비티 322p...패드
601...제1 보호층 602,603...절연층
608,609...제2 보호층

Claims (14)

  1. 복수의 회로 패턴들을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 상,하부면에 적층된 적어도 한 층 이상의 절연층;
    최상층에 위치하는 상기 절연층의 소정 영역을 제거하여 형성된 캐비티;
    상기 캐비티의 바닥면에 매립된 패드;
    상기 캐비티에 실장되며, 상기 패드와 전기적으로 연결되는 전자부품; 및
    상기 캐비티의 측벽 하부에 매립된 정렬 패턴;을 포함하는 인쇄회로기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패드의 상면과 상기 캐비티의 바닥면은 동일 평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전자부품은 외부 단자들을 포함하며, 상기 외부 단자들이 상기 패드를 향하도록 페이스 다운(face down)으로 실장되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 내부에 형성되며, 상기 회로 패턴들 및 상기 회로 패턴과 상기 패드를 전기적으로 연결하는 비아를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  6. 베이스 기판의 상면부의 소정 영역에 회로 보호용 제1 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제1 보호층이 형성된 베이스 기판의 상면 및 하면에 절연층을 각각 형성하는 단계;
    상기 상,하부 절연층 내부에 비아를 각각 형성한 후, 상기 상부 절연층의 상부 표면 및 하부 절연층의 하부 표면에 회로를 각각 형성하는 단계;
    상기 상,하부 절연층의 표면에 각각 형성된 회로 패턴 사이의 공간에 회로 보호용 제2 보호층을 각각 형성하는 단계; 및
    상기 상부 절연층의 상기 제1 보호층에 대응하는 위치에 전자부품의 실장을 위한 캐비티를 형성하는 단계;를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 상,하면 및 내부에 회로가 형성되고, 내부에는 상,하부 회로를 서로 연결하는 비아가 형성되어 있는, 인쇄회로기판의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 캐비티를 형성함에 있어서, 상기 상부 절연층의 내부에 매립되어 있는 제1 보호층까지 제거하여, 캐비티의 바닥면에 노출되는 회로 패턴의 상면이 바닥면과의 단차 없이 바닥면과 동일한 평면을 이루도록 형성하는 인쇄회로기판의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 캐비티를 형성함에 있어서, 캐비티의 측벽면의 하단부에 상기 제1 보호층의 일부가 남아 있도록 형성하는 인쇄회로기판의 제조방법.
  10. 하부 반도체 패키지 위에 상부 반도체 패키지가 적층되어 형성된 PoP 구조의 반도체 패키지로서,
    상기 하부 반도체 패키지는,
    최상층의 절연층에 캐비티가 형성되어 있는 인쇄회로기판; 및 상기 캐비티에 실장된 전자부품을 포함하고,
    상기 인쇄회로기판은,
    복수의 회로 패턴들을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 상,하부면에 적층된 적어도 한 층 이상의 절연층;
    최상층에 위치하는 상기 절연층의 소정 영역을 제거하여 형성된 캐비티;
    상기 캐비티의 바닥면에 매립된 패드;
    상기 캐비티에 실장되며, 상기 패드와 전기적으로 연결되는 전자부품; 및
    상기 캐비티의 측벽 하부에 매립된 정렬 패턴;을 포함하는 반도체 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 패드의 상면과 상기 캐비티의 바닥면은 동일 평면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  12. 삭제
  13. 제10항에 있어서,
    상기 전자부품은 외부 단자들을 포함하며, 상기 외부 단자들이 상기 패드를 향하도록 페이스 다운(face down)으로 실장되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 내부에 형성되며, 상기 회로 패턴들 및 상기 회로 패턴과 상기 패드를 전기적으로 연결하는 비아를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.









KR1020130038654A 2013-04-09 2013-04-09 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지 Active KR101462770B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130038654A KR101462770B1 (ko) 2013-04-09 2013-04-09 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지
US14/068,628 US20140300001A1 (en) 2013-04-09 2013-10-31 Printed circuit board and manufacturing method thereof, and semiconductor package including the printed circuit board
US15/014,059 US10342135B2 (en) 2013-04-09 2016-02-03 Printed circuit board and manufacturing method thereof, and semiconductor package including the printed circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130038654A KR101462770B1 (ko) 2013-04-09 2013-04-09 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140122062A KR20140122062A (ko) 2014-10-17
KR101462770B1 true KR101462770B1 (ko) 2014-11-20

Family

ID=51653880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130038654A Active KR101462770B1 (ko) 2013-04-09 2013-04-09 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20140300001A1 (ko)
KR (1) KR101462770B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180070276A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 삼성전기주식회사 인쇄회로기판, 패키지 및 인쇄회로기판의 제조방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150144416A (ko) * 2014-06-16 2015-12-28 한국전자통신연구원 적층 모듈 패키지 및 그 제조 방법
KR102274742B1 (ko) * 2014-10-06 2021-07-07 삼성전자주식회사 패키지 온 패키지와 이를 포함하는 컴퓨팅 장치
KR102425755B1 (ko) * 2015-06-01 2022-07-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
KR102466206B1 (ko) * 2015-12-16 2022-11-11 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US11502010B2 (en) 2016-10-01 2022-11-15 Intel Corporation Module installation on printed circuit boards with embedded trace technology
DE112016007567T5 (de) * 2016-12-30 2019-11-21 Intel Corporation Gehäusesubstrat mit hochdichte-zwischenverbindungsschicht mit säulen- und via-verbindungen zur fan-out-skalierung
DE102017211330A1 (de) * 2017-07-04 2019-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Toleranzausgleichselement für Schaltbilder
JP2019096818A (ja) * 2017-11-27 2019-06-20 株式会社村田製作所 積層型コイル部品
KR102679998B1 (ko) 2019-06-13 2024-07-02 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
KR20220077751A (ko) * 2020-12-02 2022-06-09 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 전자부품 패키지

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100633850B1 (ko) * 2005-09-22 2006-10-16 삼성전기주식회사 캐비티가 형성된 기판 제조 방법
KR100792352B1 (ko) * 2006-07-06 2008-01-08 삼성전기주식회사 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법
KR20100011648A (ko) * 2008-07-25 2010-02-03 삼성전자주식회사 칩 패키지, 이를 이용한 적층형 패키지 및 그 제조 방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657134B2 (en) 2001-11-30 2003-12-02 Honeywell International Inc. Stacked ball grid array
WO2004077560A1 (ja) * 2003-02-26 2004-09-10 Ibiden Co., Ltd. 多層プリント配線板
JP4528062B2 (ja) * 2004-08-25 2010-08-18 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100633852B1 (ko) 2005-09-22 2006-10-16 삼성전기주식회사 캐비티가 형성된 기판 제조 방법
JP2007123524A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵基板
CN100544007C (zh) * 2005-11-16 2009-09-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测器封装结构
KR100819278B1 (ko) * 2006-11-22 2008-04-02 삼성전자주식회사 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법
US20080197469A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Multi-chips package with reduced structure and method for forming the same
KR20090074837A (ko) * 2007-06-29 2009-07-08 대덕전자 주식회사 능동 소자 내장을 위한 레이저 캐비티 형성 방법 및 이를적용한 인쇄 회로 기판
US7718901B2 (en) * 2007-10-24 2010-05-18 Ibiden Co., Ltd. Electronic parts substrate and method for manufacturing the same
KR20090117237A (ko) * 2008-05-09 2009-11-12 삼성전기주식회사 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI377653B (en) * 2009-02-16 2012-11-21 Unimicron Technology Corp Package substrate strucutre with cavity and method for making the same
KR101077380B1 (ko) * 2009-07-31 2011-10-26 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI501376B (zh) * 2009-10-07 2015-09-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其製造方法
US8901724B2 (en) * 2009-12-29 2014-12-02 Intel Corporation Semiconductor package with embedded die and its methods of fabrication
US20110290540A1 (en) * 2010-05-25 2011-12-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Embedded printed circuit board and method of manufacturing the same
JP5711472B2 (ja) * 2010-06-09 2015-04-30 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置
US8259464B2 (en) * 2010-06-24 2012-09-04 Maxim Integrated Products, Inc. Wafer level package (WLP) device having bump assemblies including a barrier metal
US8865525B2 (en) * 2010-11-22 2014-10-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of making cavity substrate with built-in stiffener and cavity substrate manufactured thereby
JP2012119601A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Nec Corp インターポーザ及び半導体装置
US8614502B2 (en) * 2011-08-03 2013-12-24 Bridge Semiconductor Corporation Three dimensional semiconductor assembly board with bump/flange supporting board, coreless build-up circuitry and built-in electronic device
JP6124513B2 (ja) * 2012-05-17 2017-05-10 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6083152B2 (ja) * 2012-08-24 2017-02-22 ソニー株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
JP6152254B2 (ja) * 2012-09-12 2017-06-21 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ、半導体装置及び半導体パッケージの製造方法
US20160234941A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board, semiconductor package and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100633850B1 (ko) * 2005-09-22 2006-10-16 삼성전기주식회사 캐비티가 형성된 기판 제조 방법
KR100792352B1 (ko) * 2006-07-06 2008-01-08 삼성전기주식회사 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법
KR20100011648A (ko) * 2008-07-25 2010-02-03 삼성전자주식회사 칩 패키지, 이를 이용한 적층형 패키지 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180070276A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 삼성전기주식회사 인쇄회로기판, 패키지 및 인쇄회로기판의 제조방법
KR102691318B1 (ko) * 2016-12-16 2024-08-05 삼성전기주식회사 인쇄회로기판, 패키지 및 인쇄회로기판의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20160157353A1 (en) 2016-06-02
US10342135B2 (en) 2019-07-02
KR20140122062A (ko) 2014-10-17
US20140300001A1 (en) 2014-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101462770B1 (ko) 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지
KR101255954B1 (ko) 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법
KR101516072B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US20140021594A1 (en) Packaging Structures and Methods for Semiconductor Devices
KR20160066311A (ko) 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법
KR20150003092A (ko) 계층화된 기판 상의 매립 패드를 이용하여 집적회로를 패키징하는 시스템 및 그 제조방법
KR20110112974A (ko) 패키지 기판 및 그의 제조방법
US9977074B2 (en) Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device
CN104916623A (zh) 半导体封装和制造半导体封装基底的方法
US8022513B2 (en) Packaging substrate structure with electronic components embedded in a cavity of a metal block and method for fabricating the same
US20090057873A1 (en) Packaging substrate structure with electronic component embedded therein and method for manufacture of the same
CN103889145A (zh) 线路板及电子总成
KR20170059536A (ko) 캐비티 인쇄회로기판 제조 방법
US20150061119A1 (en) Circuit substrate, semicondutor package structure and process for fabricating a circuit substrate
KR102306719B1 (ko) 인쇄회로기판, 그 제조방법, 및 전자부품 모듈
EP2849226B1 (en) Semiconductor package
KR102559345B1 (ko) 인쇄회로기판
KR101138469B1 (ko) 칩 마운트용 기판
KR101483874B1 (ko) 인쇄회로기판
KR20110006525A (ko) 전자소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI602274B (zh) 半導體封裝
KR102023729B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US20160293450A1 (en) Semiconductor device with sloped sidewall and related methods
US20150380347A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
KR102568249B1 (ko) 인쇄회로기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130409

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140226

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20140825

PG1501 Laying open of application
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20141111

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20141111

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171011

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181002

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181002

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191001

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201005

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220504

Start annual number: 8

End annual number: 8