[go: up one dir, main page]

KR101447516B1 - 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents

전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101447516B1
KR101447516B1 KR1020130031600A KR20130031600A KR101447516B1 KR 101447516 B1 KR101447516 B1 KR 101447516B1 KR 1020130031600 A KR1020130031600 A KR 1020130031600A KR 20130031600 A KR20130031600 A KR 20130031600A KR 101447516 B1 KR101447516 B1 KR 101447516B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
thin film
photosensitive material
exposed
photosensitive
Prior art date
Application number
KR1020130031600A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140116703A (ko
Inventor
신권우
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR1020130031600A priority Critical patent/KR101447516B1/ko
Priority to PCT/KR2014/002057 priority patent/WO2014157856A1/ko
Priority to US14/760,089 priority patent/US9977327B2/en
Priority to CN201480009151.1A priority patent/CN105073912B/zh
Publication of KR20140116703A publication Critical patent/KR20140116703A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101447516B1 publication Critical patent/KR101447516B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0036—Details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 전도성 박막의 직접 에칭 없이 간단한 노광 방법을 이용하여 전도성 박막의 국부적 영역에서 전기전도도 차이를 형성하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐를 수 있는 배선 패턴을 형성하기 위한 것이다. 본 발명은 기판 위에 전도성 박막이 형성된 전도성 기판을 제공한다. 전도성 박막은 기판 위에 형성되며, 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하며 노광 및 세척에 의해 배선 패턴이 형성된다. 이때 전도성 박막은 기판 위에 균일하게 형성된 전도성 나노 구조체를 포함한다. 전도성 박막은 노광된 영역과 비노광된 영역을 포함하고, 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 높은 영역이 배선 패턴을 형성한다.

Description

전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법{Conductive substrate having conductive nano structure and method of manufacturing thereof}
본 발명은 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속나노와이어, 나노탄소 등과 같은 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 박막을 구비하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
금속나노와이어 또는 나노탄소를 포함한 전도성 박막은 와이어, 튜브, 나노입자 형태의 전도성 나노 구조체가 연속적으로 접촉되어 전도막이 형성된 것으로써 기판에 코팅되어 형성된다. 금속나노와이어 또는 나노탄소 전도성 박막은 간단한 용액 공정으로써 분산액을 형성하여 다양한 기판에 코팅함으로써 전기전도성을 가지는 전도막을 형성할 수 있어 터치패널 및 디스플레이 등에서 투명 전극 및 회로 전극으로 사용될 수 있다.
금속나노와이어 또는 나노탄소로 구성된 전도성 박막을 투명 전극 또는 회로 전극으로 사용하기 위해서는 전도성 박막의 국부적 영역에서 전기적 연결성, 비연결성을 조절하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐르게 하는 것이 필요하다.
전도성 박막이 형성된 전도성 기판에서 배선 패턴을 형성하는 방법으로 포토리소그래피, 레이즈 에칭 공정을 주로 적용하였다. 포토리소그래피 공정은 전도성 박막 위에 포토레지스트를 도포하고, 자외선을 노광하고 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 전도성 박막 위에 형성한 후, 습식 또는 건식 방법으로 전도성 박막을 특정 패턴 모양으로 식각함으로서 배선 패턴을 형성하였다. 그리고 레이져 에칭 방법은 전도성 박막을 레이져를 이용하여 특정 패턴 모양으로 식각함으로서 배선 패턴을 형성하였다.
이러한 방법은 기존 알려진 공정을 이용하여 전도성 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있다. 하지만 배선 패턴이 형성된 전도성 박막에서 식각된 영역과 식각되지 않은 영역에서 금속나노와이어 또는 나노탄소의 분포 차이로 인해 빛 반사도, 빛 투과도, 헤이즈 차이를 형성하고, 식각 부위의 높이 단차로 인해 전도성 박막의 배선 패턴이 시인되는 문제점을 야기할 수 있다.
또한 포토리소그래피 공정의 경우 전도성 박막의 배선 패턴을 형성하기 위해 별도의 공정을 진행해야 한다는 점에서 공정 비용이 추가적으로 소요되고 생산성이 떨어지는 단점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 박막의 직접 에칭 없이 간단한 노광 방법을 이용하여 전도성 박막의 국부적 영역에서 전기전도도 차이를 형성하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐를 수 있는 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 국부 영역에 있어 전기전도도가 차이가 있는 전도성 박막을 형성하지만 전도성 박막의 전도성 필러에 해당하는 전도성 나노 구조체가 전기전도도가 서로 다른 영역에 대해서도 분포 밀도 차이가 없이 전도성 박막 전체에 대해 균일한 분포하는 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전도성 박막의 특정 영역에서 화학적/물리적으로 에칭되지 않고, 화학적 방법으로 산화되거나 황화물이 형성되지 않고, 물리적으로 전도성 나노 구조체가 손상되지 않는 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 위에 전도성 박막이 형성된 전도성 기판을 제공한다. 상기 전도성 박막은 상기 기판 위에 형성되며, 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하며 노광 및 세척에 의해 배선 패턴이 형성된다.
본 발명에 따른 전도성 기판에 있어서, 상기 전도성 나노 구조체는 금속나노와이어 또는 나노탄소이다. 상기 감광성 물질은 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal의 수용성 감광 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 기판에 있어서, 상기 전도성 박막은 상기 기판 위에 균일하게 형성된 전도성 나노 구조체를 포함한다. 상기 전도성 박막은 노광된 영역과 비노광된 영역을 포함하고, 상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 높은 영역이 상기 배선 패턴을 형성한다.
본 발명에 따른 전도성 기판에 있어서, 상기 전도성 박막은 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성되거나, 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층이 형성된 구조를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 기판에 있어서, 상기 노광된 영역과 상기 비노광된 영역의 전기전도도가 5배 이상의 차이를 가질 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 위에 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막을 형성하는 단계와, 상기 감광성 박막의 일부 영역을 노광하는 단계, 및 노광된 상기 감광성 박막을 용매로 세척하여 노광된 영역과 비노광된 영역 간의 전기전도도 차이를 발생시켜 배선 패턴을 갖는 전도성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 전도성 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 전도성 박막을 형성하는 단계에서, 상기 노광된 영역과 비노광된 영역의 상기 용매에 대한 용해도 차이에 의해 전기전도도 차이가 발생하며, 상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 높은 영역이 상기 배선 패턴을 형성한다.
본 발명에 따른 전도성 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 전도성 나노 구조체는 금속나노와이어 또는 나노탄소이다.
그리고 본 발명에 따른 전도성 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 감광성 박막을 형성하는 단계는, 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 상기 감광성 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판 위에 전도성 나노 구조체층을 형성한 후, 상기 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층을 형성하여 상기 감광성 박막을 형성하는 단계 중에 하나일 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판 위에 전도성 나노 구조체와 함께 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막을 형성한 후, 형성할 배선 패턴의 형태에 맞게 노광한 후 세척함으로써, 노광된 영역과 비노광된 영역 간의 전기전도성 차이를 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있다.
즉 감광성 박막에는 전도성 나노 구조체 이외에, 분산제, 바인더 및 첨가제 등과 같은 기타 조성물이 포함되어 있다. 감광성 박막이 광에 노출되면, 감광성 물질과 기타 조성물 간의 물리적 또는 화학적 결합이 형성되거나 끊어져 물과 같은 특정 용매에 대해서 용해도 차이를 형성하게 된다. 용매에 접촉했을 때 감광성 물질 및 기타 조성물이 많이 제거된 영역은 높은 전기전도성을 나타내게 되고, 감광 물질 및 기타 조성물이 적게 제거된 영역은 낮은 전기전도성을 나타내게 된다. 예컨대 감광성 박막에 대한 노광 후 용매로 세척하면, 노광된 부분에 비해서 노광되지 않은 부분에서 감광성 물질 및 기타 조성물이 상대적으로 많이 제거되기 때문에, 노광된 부분과 노광되지 않은 부분은 전기 흐름의 패턴을 형성할 수 있을 정도로 전기전도도의 차이를 갖게 된다.
이와 같이 본 발명은 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 박막에 대한 직접적인 에칭 없이 간단한 노광 방법을 이용하여 전도성 박막의 국부적 영역에서 전기전도도 차이를 형성하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐를 수 있는 배선 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 기판은 노광 후 세척 공정으로 배선 패턴을 형성함으로써, 국부 영역에 있어 전기전도도가 차이가 있는 전도성 박막을 형성하지만 전도성 박막의 전도성 필러에 해당하는 전도성 나노 구조체가 전기전도도가 서로 다른 영역에 대해서도 분포 밀도 차이가 없이 전도성 박막 전체에 대해 균일하게 분포시킬 수 있다.
또한 본 발명은 전도성 박막의 특정 영역에서 화학적 및 물리적으로 에칭 되지 않고, 화학적 방법으로 산화되거나 황화물이 형성되지 않고, 물리적으로 전도성 나노 구조체가 손상되지 않는 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판을 제공할 수 있다. 이로 인해 직접적인 전도성 박막의 식각 없이 전도성 나노 구조체의 전기적 흐름 특성을 조절할 수 있고, 기존에 지적되었던 전도성 박막의 패턴 시인성 문제를 해결할 수 있고, 전도성 박막 및 배선 패턴 형성 공정을 단순화할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판을 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 "A" 부분의 확대도이다.
도 3은 도 1의 전도성 기판의 제조 방법에 따른 흐름도이다.
도 4 내지 도 7은 도 3의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조된 전도성 기판을 보여주는 사진이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따라 제조된 전도성 기판을 보여주는 사진이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따라 제조된 전도성 기판을 보여주는 사진이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판을 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 "A" 부분의 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 전도성 기판(100)은 기판(10)과, 기판(10) 위에 형성되며, 전도성 나노 구조체(21)와 감광성 물질을 포함하며 노광 및 세척에 의해 배선 패턴(29)이 형성된 전도성 박막(20)을 포함한다.
여기서 기판(10)은 광투과성을 갖는 투명한 소재로 제조될 수 있다. 예컨대 기판(10)의 소재로는 유리, 석영(quartz), 투명 플라스틱 기판, 투명 고분자 필름 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 투명 고분자 필름의 소재로는 PET, PC, PEN, PES, PMMA, PI, PEEK 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 투명 고분자 필름 소재의 기판(10)은 10 내지 10,000㎛의 두께를 가질 수 있다.
그리고 전도성 박막(20)은 전도성 나노 구조체(21)와 감광성 물질을 포함하며, 그 외 분산제, 바인더, 첨가제 등의 기타 조성물이 포함될 수 있다.
전도성 나노 구조체(21)는 금속나노와이어 또는 나노탄소를 포함한다. 이때 금속나노와이어로는 은나노와이어, 구리나노와이어, 금나노와이어 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 금속나노와이어로는 직경 300 nm 이하, 길이 1㎛ 이상의 금속나노와이어가 사용될 수 있다. 금속나노와이어는 금속나노튜브를 포함한다.
나노탄소로는 탄소나노튜브, 그래핀, 탄소나노플레이트, 카본블랙 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
그리고 감광성 물질은 빛(적외선, 가시광선, 자외선), 열, 레이저 등 한 가지 이상의 에너지 조사에 따라 노광되는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 에너지원은 이것에 한정되는 것은 아니다.
예컨대 감광성 물질로는 수용성 감광 물질이 사용될 수 있다. 수용성 감광 물질로는 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
감광성 물질은 광경화 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있는데, 아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제 및 용제를 포함할 수 있다. 더욱 상세하게는, 아크릴계 고분자 바인더 0.5 내지 50 중량%, 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머 0.1 내지 40 중량%, 광중합 개시제 0.1 내지 5 중량%, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제 0.05 내지 5 중량%, 및 잔량의 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물일 수 있다.
이때 아크릴계 고분자 바인더는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체의 공중합체일 수 있다. 더욱 상세하게는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체 5 내지 80 중량%와, 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체 95 내지 20 중량%의 공중합체일 수 있다.
에틸렌계 산성기를 갖는 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레인산, 푸마르산, 비닐초산 또는 이들의 산 무수물 형태, 2-아크릴로옥시에틸히드로겐프탈레이트, 2-아크릴로옥시프로필히드로겐프탈레이트, 및 2-아크릴로옥시프로필헥사히드로겐프탈레이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체는 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 알킬아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-히드록시아크릴레이트, 트리메톡시부틸아크릴레이트, 에틸카르비놀아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 히드록시에틸신나믹아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-아크릴옥시에틸2-히드록시프로필프탈레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류; 할로겐화합물을 포함하는 아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류; 및 실록산기를 포함하는 아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중 결합을 갖는 가교성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아클릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
광중합 개시제는 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인계 화합물, 이미다졸계 화합물, 및 크산톤계 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다.
그리고 감광성 물질에 포함되는 용제는 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸키톤, 톨루엔, 테트라닌, 사이클로헥사논, 헥산, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 시클로헥사논, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 및 3-에톡시프로피온산에틸로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
또는 감광성 물질로는 광분해 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있는데, 고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함할 수 있다.
여기서 고분자 바인더는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체를 포함하는 3종 이상의 단량체의 공중합체일 수 있다. 또한, 광분해 아크릴 성분은 나프토퀴논디아지드계 화합물을 포함할 수 있고, 가교제는 실란계 및 실록산계 화합물을 포함할 수 있다. 그리고 제1 감광막에 포함되는 용제는 아세테이트류 및 에테르류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 혼합한 것일 수 있다.
이러한 전도성 박막(20)은 기판(10) 위에 균일하게 형성된 전도성 나노 구조체(21)를 포함한다. 전도성 박막(20)은 노광된 영역(25)과 비노광된 영역(27)을 포함하고, 비노광된 영역(27)이 배선 패턴(29)을 형성할 수 있다. 노광된 영역(25)과 비노광된 영역(27)의 전기전도도는 5배 이상의 차이를 가질 수 있다.
또한 전도성 박막(20)은 전도성 나노 구조체(21)와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성되거나, 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층이 형성된 구조를 가질 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 전도성 박막(20)에 있어서, 노광된 영역(25)과 비노광된 영역(27) 간에 전기전도도에 있어서 차이가 발생하는 이유는 다음과 같다. 전도성 박막(20)으로 형성되기 전, 즉 노광 및 세척되기 전의 전도성 나노 구조체(21)와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막은 감광성 물질 및 기타 조성물에 의해 아주 낮은 전기전도도를 갖는다.
그런데 감광성 박막을 노광하게 되면, 감광성 물질 간 또는 감광성 물질과 기타 조성물 간의 물리적 또는 화학적 결합이 형성되거나 끊어져 특정 용매에 대해 용해도 차이를 형성하게 된다. 반면에 노광 과정에서 전도성 나노 구조체(21)의 화학적 또는 물리적 특성 변화는 거의 없다. 이때 특정 용매는 감광성 물질에 대해서 선택적으로 높은 용해도를 갖는 용매일 수 있다. 예컨대 감광성 물질로 수용성 감광 물질을 사용할 경우, 물에 대해서 용해도 차이를 형성하게 된다.
즉 감광성 물질은 노광되지 전에는 특정 용매에 대해 높은 용해도 특성을 갖지만, 노광되면 경화되기 때문에 해당 용매에 대한 용해도가 떨어지는 특성을 가질 수 있다. 따라서 본 발명은 감광성 물질이 갖는 특정 용매에 대한 용해도 차이를 이용하여 배선 패턴(29)을 형성한다.
따라서 감광성 박막에 있어서, 노광된 영역(25)과 비노광된 영역(29)은 특정 용매에 대해서 용해도 차이를 형성한다. 특히 감광성 박막에 기타 조성물이 다량 포함되어 있는 경우에는, 두 영역 간의 전기전도도 차이가 크게 형성되어 투명 전극 및 회로 전극의 패턴을 형성할 만큼 전기전도도 차이가 크게 나타난다. 보통 용매에 접촉했을 때 감광성 물질 및 기타 조성물이 많이 제거된 영역은 높은 전기전도성을 나타내게 되고, 감광성 물질 및 기타 조성물이 적게 제거된 영역은 낮은 전기전도성을 나타내게 된다.
예컨대 비노광된 영역(27)이 노광된 영역(25)에 비해서 용매에 대한 용해도가 높은 경우, 비노광된 영역(27)이 배선 패턴(29)으로 형성된다.
한편 본 발명에서는 비노광된 영역(27)이 노광된 영역(25)에 비해서 용해도가 높은 예를 개시하였지만, 감광성 물질의 종류에 따라서 반대의 특성을 나타낼 수도 있다. 즉 노광된 영역(25)이 비노광된 영역(27)에 비해서 용해도가 높은 경우, 노광된 영역(25)이 배선 패턴으로 형성될 수 있다.
전도성 박막(20)을 형성하는 노광된 영역(25)과 비노광된 영역(27)의 폭은 1㎛ 이상이며, 배선 패턴(29)의 형상은 노광에 의해 결정된다. 통상 배선 패턴(29)의 형상은 노광에 사용되는 섀도우 마스크의 형태에 따라 결정된다.
이와 같은 본 발명에 따른 전도성 기판(100)의 제조 방법에 대해서 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 3은 도 1의 전도성 기판(100)의 제조 방법에 따른 흐름도이다. 그리고 도 4 내지 도 7은 도 3의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.
먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 전도성 박막을 형성할 기판(10)을 준비한다.
다음으로 도 5에 도시된 바와 같이, S51단계에서 기판(10) 위에 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막(23)을 형성을 형성한다.
이때 감광성 박막(23)은 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성되거나, 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층이 형성된 구조를 가질 수 있다. 전자와 같이 감광성 박막(23)이 하나의 층으로 형성하는 경우, 분산제, 바인더, 첨가제 등의 기타 조성물이 함께 포함될 수 있다. 후자의 감광성 박막(23)의 경우, 분산제, 바인더, 첨가제 등의 기타 조성물은 전도성 나노 구조체층에 포함된다.
이어서 도 6에 도시된 바와 같이, S53단계에서 감광성 박막의 일부 영역을 노광한다. 즉 노광할 영역에 대응되게 패턴홀(31)이 형성된 섀도우 마스크(30)를 이용하여 감광성 박막(23)을 노광한다.
그리고 도 7에 도시된 바와 같이, S55단계에서 노광된 감광성 박막을 용매로 세척 및 건조하여 배선 패턴(29)을 갖는 전도성 박막(20)을 형성한다. 즉 비노광된 영역(27)이 노광된 영역(25)에 비해서 용매에 대한 용해도가 상대적으로 높기 때문에, 비노광된 영역(27)에서 감광성 물질 및 기타 조성물의 제거가 더 많이 이루어진다.
이와 같은 본 발명의 제조 방법으로 제조된 전도성 기판(100)은 전도성 박막(20)의 직접 식각이 없으며, 전도성 박막(20)의 특정 영역에서 전도성 박막(20)의 전도성 필러인 전도성 나노 구조체의 손상 및 화학적 변환이 없이 특정 영역에서 전기전도성을 조절하여 전기흐름을 형성할 수 있는 배선 패턴(29)을 갖는 전도성 박막(20)을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 박막은 전도성 나노 구조체와 감광성 물질이 포함되어 있으며, 바인더, 분산제, 첨가제 등 기타 조성물 물질이 포함되어 있다. 감광성 박막의 표면 저항은 10,000 Ω/sq 이상이며, 자외선 노광 후 노광된 영역의 저항은 10,000 Ω/sq 이상이다. 노광된 감광성 박막을 감광성 물질의 용매, 기타 조성물의 용매에 세척하면 비노광된 영역(27)과 노광된 영역(25)에서 감광성 물질 및 기타 조성물에 대한 용해도 차이로 인해 전기전도도 차이가 나타나게 된다. 노광된 부분(25)과 비노광된 부분(27) 중에서 기타 조성물에 대해 용해도가 높은 부분이 높은 전기전도도성을 가지게 되고, 면저항 값은 2,000 Ω/sq 이하의 값을 나타내게 된다.
이와 같이 본 발명에 따른 전도성 기판(100)은 기판(10) 위에 전도성 나노 구조체와 함께 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막을 형성한 후, 형성할 배선 패턴(29)의 형태에 맞게 노광한 후 세척함으로써, 노광된 영역(25)과 비노광된 영역(27) 간의 전기전도성 차이를 갖는 배선 패턴(29)을 형성할 수 있다.
즉 감광성 박막에는 전도성 나노 구조체 이외에, 분산제, 바인더 및 첨가제 등과 같은 기타 조성물이 포함되어 있다. 감광성 박막이 광에 노출되면, 감광성 물질과 기타 조성물 간의 물리적 또는 화학적 결합이 형성되거나 끊어져 물과 같은 특정 용매에 대해서 용해도 차이를 형성하게 된다. 용매에 접촉했을 때 감광성 물질 및 기타 조성물이 많이 제거된 영역은 높은 전기전도성을 나타내게 되고, 감광 물질 및 기타 조성물이 적게 제거된 영역은 낮은 전기전도성을 나타내게 된다. 예컨대 감광성 박막에 대한 노광 후 용매로 세척하면, 노광된 부분(25)에 비해서 비노광된 부분(27)에서 감광성 물질 및 기타 조성물이 상대적으로 많이 제거되기 때문에, 노광된 부분(25)과 비노광된 부분(27)은 전기 흐름의 패턴을 형성할 수 있을 정도로 전기전도도의 차이를 갖게 된다.
이와 같이 본 발명은 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 박막(20)에 대한 직접적인 에칭 없이 간단한 노광 방법을 이용하여 전도성 박막(20)의 국부적 영역에서 전기전도도 차이를 형성하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐를 수 있는 배선 패턴(29)을 형성할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 전도성 기판(100)은 노광 후 세척 공정으로 배선 패턴(29)을 형성함으로써, 국부 영역에 있어 전기전도도가 차이가 있는 전도성 박막(20)을 형성하지만 전도성 박막(20)의 전도성 필러에 해당하는 전도성 나노 구조체가 전기전도도가 서로 다른 영역에 대해서도 분포 밀도 차이가 없이 전도성 박막(20) 전체에 대해 균일하게 분포시킬 수 있다.
또한 본 발명은 전도성 박막(20)의 특정 영역에서 화학적 및 물리적으로 에칭 되지 않고, 화학적 방법으로 산화되거나 황화물이 형성되지 않고, 물리적으로 전도성 나노 구조체가 손상되지 않는 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판(100)을 제공할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 전도성 기판에 대해서 구체적인 실시예를 통하여 전도성 박막의 특성을 알아보면 다음과 같다.
제1 실시예
본 발명의 제1 실시예에 따른 전도성 기판은 기판으로는 PET 필름을 사용하였고, 전도성 나노 구조체로는 은나노와이어를 사용하였다.
즉 제1 실시예에서는, 은나노와이어 수분산액과 수용성 감광 물질을 이용하여 전도도가 높은 영역과 전도도가 낮은 영역으로 구성된 패턴을 형성하였다. 은나노와이어 수분산액에는 은나노와이는 직경 25~40nm, 길이 10~50㎛ 물질을 이용하였고, 수용성 분산제 및 바인더, 코팅성 개선을 위한 나노 입자 첨가제가 포함되어 있다. 수용성 감광물질로는 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal을 사용하였다. 은나노와이어 수분산액은 바코팅 방법으로 PET 필름에 코팅하였다. 코팅된 기판은 온도 120℃에서 5분 동안 건조하였다.
건조된 감광성 박막의 면저항 값은 10 MΩ/sq 이상 수준으로 계측기 한계를 초과하였다. 섀도우 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하거 건조하였다.
자외선이 조사된 부분(노광된 영역)과 자외선이 조사되지 않은 영역(비노광된 영역)의 전기저항을 측정하였고 경계 영역에 SEM(Scanning Electron Microscopy), OM(Optical Microscopy)으로 전도성 박막의 표면을 관찰하였다.
전기저항 측정 결과 자외선이 조사된 부분은 전기저항 값이 10 MΩ/sq 이상 수준으로 계측기 한계를 초과하는 매우 낮은 전기전도성을 나타내고, 자외선이 조사되지 않은 부분의 저항은 0.2 ㏀/sq 미만으로 높은 전기전도성을 나타내는 것을 확인하였다.
도 8의 광학현미경 사진 및 도 9의 전자현미경 사진은 자외선 조사 영역과 조사되지 않은 영역을 나타나는 것이다. 광학현미경 사진에서는 희미하게 영역의 경계가 보이지만 확대된 전자현미경 사진에서는 노광된 영역과 비노광된 영역의 경계가 보이지 않고, 영역에 관계없이 두 영역 모두에서 은나노와이어가 연속적으로 존재하고, 전도성 박막의 형상 차이가 크지 않다는 것을 확인할 수 있다.
제2 실시예
제2 실시예로 탄소나노튜브/은나노와이어 수분산액과 수용성 감광 물질을 이용하여 전도도가 높은 영역과 전도도가 낮은 영역으로 구성된 패턴을 형성하였다. 탄소나노튜브/은나노와이어 수분산액에는 단일벽 탄소나노튜브와 직경 25~40nm, 길이 10~50㎛ 의 은나노와이어가 포함되어 있고, 수용성 분산제 및 바인더, 코팅성 개선을 위한 나노입자 첨가제가 포함되어 있다. 수용성 감광물질로는 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal을 포함되어 있다. 탄소나노튜브/은나노와이어 수분산액은 바코팅 방법으로 PET 필름에 코팅하였다. 코팅된 기판은 온도 120℃에서 5분 동안 건조하였다.
코팅된 감광성 박막의 면저항은 1 MΩ/sq 이상이었다. 감광성 박막에 섀도우 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하고 건조하였다.
자외선이 조사된 부분과 자외선이 조사되지 않은 부분의 전기저항을 측정하였고 경계 영역에서 SEM, OM으로 전도막 표면을 관찰하였다.
전기저항 측정 결과, 자외선이 조사된 부분은 전기저항 값이 1 ㏁/sq 이상으로 낮은 전기전도성을 나타내고, 자외선이 조사되지 않은 부분은 0.3 ㏀/sq 미만으로 높은 전기전도성을 나타내는 것을 확인하였다.
도 10 및 도 11에 따른 전자현미경 사진은 자외선 조사 영역(도 10)과 조사되지 않은 영역(도 11)을 나타나는 것으로 두 영역 모두에서 탄소나노튜브/은나노와이어가 연속적으로 존재하고, 전도성 박막의 형상 차이가 크지 않다는 것을 알 수 있다
제3 실시예
제3 실시예로 탄소나노튜브수분산액과 수용성 감광 물질을 이용하여 전도도가 높은 영역과 전도도가 낮은 영역으로 구성된 패턴을 형성하였다. 탄소나노튜브 수분산액에는 단일벽 탄소나노튜브가 포함되어 있고, 수용성 분산제 및 바인더, 코팅성 개선을 위한 나노입자 첨가제가 포함되어 있다. 수용성 감광물질로는 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal을 포함되어 있다. 탄소나노튜브 수분산액은 바코팅 방법으로 PET 필름에 코팅하였고, 코팅된 기판은 온도 120℃에서 5분 동안 건조하여 감광성 박막을 형성하였다.
감광성 박막의 면저항 값은 100 kΩ/sq 수준이었다. 감광성 박막에 섀도우 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하고 건조하였다.
자외선이 조사된 부분과 자외선이 조사되지 않은 부분의 전기저항을 측정하였고 경계 영역에서 전자현미경으로 전도성 박막의 표면을 관찰하였다.
전기저항 측정 결과, 자외선이 조사된 부분은 전기저항 값이 10kΩ 수준으로 낮은 전기전도성을 나타내고, 자외선이 조사되지 않은 부분은 1 ㏀ 미만으로 높은 전기전도성을 나타내는 것을 확인하였다.
도 12 내지 도 14에 따른 전자현미경 사진은 자외선 조사 영역(도 12), 조사되지 않은 영역(도 13), 그리고 두 영역을 모두 포함하는 전자현미경 사진(도 14)을 나타나는 것으로, 두 영역 모두에서 탄소나노튜브가 연속적으로 존재하며, 분포 밀도 차이가 거의 없음을 알 수 있다. 또한 도 14의 두 영역을 모두 포함하는 사진에서 영역 경계가 모호하여 영역 간의 구분이 거의 없는 것을 알 수 있다.
제4 실시예
제1 내지 제3 실시예에서는 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성된 전도성 박막을 개시하였지만, 제4 실시예에서는 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층이 형성된 구조를 갖는 전도성 박막을 개시하였다.
즉 제4 실시예로 탄소나노튜브/은나노와이어 수분산액과 수용성 감광 물질을 이용하여 전도도가 높은 영역과 전도도가 낮은 영역으로 구성된 패턴을 형성하였다. 탄소나노튜브/은나노와이어 수분산액에는 단일벽 탄소나노튜브와 직경 25~40nm, 길이 10~50㎛ 의 은나노와이어가 포함되어 있고, 수용성 분산제 및 바인더, 코팅성 개선을 위한 나노입자 첨가제가 포함되어 있다. 탄소나노튜브/은나노와이어 수분산액은 바코팅 방법으로 PET 필름에 코팅하였고, 코팅된 기판은 온도 120℃에서 5분 동안 건조하였다.
그리고 수용성 감광물질로는 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal을 탄소나노튜브/은나노와이어 위에 오버코팅 하여 감광성 박막을 형성하였다.
감광성 박막의 면저항 값은 100 kΩ/sq 수준이었다. 감광성 박막에 섀도우 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하고 건조하였다.
전기저항 측정 결과, 자외선이 조사된 부분은 전기저항 값이 1 ㏁ 수준으로 낮은 전기전도성을 나타내고, 자외선이 조사되지 않은 부분은 2 ㏀ 미만으로 높은 전기전도성을 나타내는 것을 확인하였다.
이와 같이 본 발명은 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막에 대한 노광 및 세척을 통하여 배선 패턴을 포함하는 전도성 박막을 형성한다. 특히 전도성 박막을 형성할 때, 노광된 감광성 박막에 대한 직접 에칭을 수행하지 않기 때문에, 제조된 전도성 박막에 전도성 나노 구조체는 전체적으로 균일하게 분산된 상태를 유지시킬 수 있다. 또한 전도성 박막은 에칭에 따른 노광된 영역과 비노광된 영역 간에 높이 차가 거의 발생되지 않기 때문에, 배선 패턴이 시인되는 문제를 해소할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 기판
21 : 전도성 나노 구조체
23 : 감광성 박막
25 : 노광된 영역
27 : 비노광된 영역
29 : 배선 패턴
20 : 전도성 박막
30 : 섀도우 마스크
31 : 패턴홀
100 : 전도성 기판

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 형성되며, 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하며 노광 및 세척에 의해 형성된 배선 패턴이 형성된 전도성 박막;을 포함하며,
    상기 전도성 나노 구조체는 금속나노와이어 또는 나노탄소이고,
    상기 감광성 물질은 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal의 수용성 감광 물질이고,
    상기 전도성 박막은 노광 및 세척에 의해 상기 기판 위에 형성된 노광된 영역과 비노광된 영역을 포함하고, 상기 노광된 영역과 비노광된 영역은 서로 동등한 두께를 갖고,
    상기 노광된 영역과 비노광된 영역에 균일하게 상기 전도성 나노 구조체가 분포하고,
    노광에 의해 상기 감광성 물질이 경화되어 상기 전도성 나노 구조체와 함께 상기 노광된 영역을 형성하고, 상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 낮은 상기 노광된 영역에는 감광성 물질이 잔류하여 상기 노광된 영역의 표면 저항이 10,000 Ω/sq 이상이고,
    상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 높은 상기 비노광된 영역에서는 감광성 물질이 제거되어 상기 비노광된 영역의 표면 저항이 2,000 Ω/sq 이하이고, 상기 비노광된 영역이 상기 배선 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 박막의 노광된 영역은 자외선 조사에 의해 노광되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전도성 박막은,
    전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성되거나, 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층이 형성된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전도성 기판.
  5. 삭제
  6. 기판 위에 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막을 형성하는 단계;
    상기 감광성 박막의 일부 영역을 노광하되, 노광되는 일부 영역의 감광성 물질은 경화되어 상기 전도성 나노 구조체와 함께 노광된 영역을 형성하고, 상기 일부 영역 이 외 영역을 비노광영역으로 형성하는 단계;
    노광된 상기 감광성 박막을 용매로 세척하여 상기 노광된 영역과 상기 비노광된 영역 간의 전기전도도 차이를 발생시켜 배선 패턴을 갖는 전도성 박막을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 감광성 박막을 형성하는 단계에서,
    상기 전도성 나노 구조체는 금속나노와이어 또는 나노탄소이고,
    상기 감광성 물질은 poly(vinyl alcohol), N-methyl-4(4'-formylstyryl)pyridinium methosulfate acetal의 수용성 감광 물질이고,
    상기 전도성 박막을 형성하는 단계에서,
    상기 노광된 영역과 비노광된 영역은 서로 동등한 두께를 갖고,
    상기 노광된 영역과 비노광된 영역에 균일하게 상기 전도성 나노 구조체가 분포하고,
    상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 낮은 상기 노광된 영역에는 감광성 물질이 잔류하여 상기 노광된 영역의 표면 저항이 10,000 Ω/sq 이상이고,
    상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 높은 상기 비노광된 영역에서는 감광성 물질이 제거되어 상기 비노광된 영역의 표면 저항이 2,000 Ω/sq 이하이고, 상기 비노광된 영역이 상기 배선 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제6항에 있어서, 상기 감광성 박막을 형성하는 단계는,
    전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 상기 감광성 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 기판 위에 전도성 나노 구조체층을 형성한 후, 상기 전도성 나노 구조체층 위에 감광성 물질층을 형성하여 상기 감광성 박막을 형성하는 단계;
    중에 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 기판의 제조 방법.
KR1020130031600A 2013-03-25 2013-03-25 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법 KR101447516B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130031600A KR101447516B1 (ko) 2013-03-25 2013-03-25 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법
PCT/KR2014/002057 WO2014157856A1 (ko) 2013-03-25 2014-03-12 감광성 코팅 조성물, 그를 이용한 코팅 전도막 및 그의 제조 방법
US14/760,089 US9977327B2 (en) 2013-03-25 2014-03-12 Photosensitive coating composition, coating conductive film using photosensitive coating composition, and method for forming coating conductive film
CN201480009151.1A CN105073912B (zh) 2013-03-25 2014-03-12 光敏涂料组合物、使用光敏涂料组合物的涂料导电膜以及形成涂料导电膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130031600A KR101447516B1 (ko) 2013-03-25 2013-03-25 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140116703A KR20140116703A (ko) 2014-10-06
KR101447516B1 true KR101447516B1 (ko) 2014-10-08

Family

ID=51990387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130031600A KR101447516B1 (ko) 2013-03-25 2013-03-25 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101447516B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170018158A (ko) 2015-08-06 2017-02-16 전자부품연구원 전도성 기판 및 그의 제조 방법
KR20170087851A (ko) 2017-07-21 2017-07-31 전자부품연구원 전도성 기판 및 그의 제조 방법
KR20200062968A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 전자부품연구원 환경안정성이 우수한 나노입자 투명전극

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101694856B1 (ko) * 2015-03-25 2017-01-11 전자부품연구원 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법
KR102536980B1 (ko) * 2021-01-07 2023-05-30 한국전자기술연구원 은나노와이어 코팅액 및 그를 이용한 3차원 구조의 투명전극 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009294648A (ja) 2008-05-02 2009-12-17 Jsr Corp 感光性ペースト組成物およびパターン形成方法
WO2011097470A2 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Cambrios Technologies Corporation Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
JP2012169072A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Fujifilm Corp 導電膜形成用積層体、導電膜形成方法、導電膜、導電要素、タッチパネル及び集積型太陽電池
JP2013010977A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Hitachi Cable Ltd 金属ペースト、金属ペーストにより形成される金属膜、および金属膜の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009294648A (ja) 2008-05-02 2009-12-17 Jsr Corp 感光性ペースト組成物およびパターン形成方法
WO2011097470A2 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Cambrios Technologies Corporation Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
JP2012169072A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Fujifilm Corp 導電膜形成用積層体、導電膜形成方法、導電膜、導電要素、タッチパネル及び集積型太陽電池
JP2013010977A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Hitachi Cable Ltd 金属ペースト、金属ペーストにより形成される金属膜、および金属膜の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170018158A (ko) 2015-08-06 2017-02-16 전자부품연구원 전도성 기판 및 그의 제조 방법
KR20170087851A (ko) 2017-07-21 2017-07-31 전자부품연구원 전도성 기판 및 그의 제조 방법
KR20200062968A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 전자부품연구원 환경안정성이 우수한 나노입자 투명전극

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140116703A (ko) 2014-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6415615B2 (ja) 相互接続性導電性ナノ構造体の薄膜を基体上に形成する方法
KR101447516B1 (ko) 전도성 나노 구조체를 포함하는 전도성 기판 및 그의 제조 방법
JP5721601B2 (ja) タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法
US9977327B2 (en) Photosensitive coating composition, coating conductive film using photosensitive coating composition, and method for forming coating conductive film
JP2012022844A (ja) 導電膜形成用積層体及びその製造方法、並びにパターン形成方法、タッチパネル及び集積型太陽電池
JP6079645B2 (ja) 金属微粒子含有光硬化性樹脂組成物及びその利用
JP2013137982A (ja) 導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
TW201200469A (en) Etch patterning of nanostructure transparent conductors
JP2012169072A (ja) 導電膜形成用積層体、導電膜形成方法、導電膜、導電要素、タッチパネル及び集積型太陽電池
JP5750017B2 (ja) 配線構造体、配線構造体の製造方法、及びタッチパネル
KR20080036771A (ko) 유기층 패턴 형성방법, 그에 의해 형성된 유기층 및 그를포함하는 유기 메모리 소자
KR101620037B1 (ko) 금속나노와이어를 포함한 코팅액 조성물, 이를 이용한 코팅 전도막 및 이의 제조방법
WO2013038891A1 (ja) 導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネル及び太陽電池
CN110809807A (zh) 导电膜的制造方法、使用了该制造方法的场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法
JP2012009219A (ja) 導電材料及びタッチパネル
CN101320209A (zh) 一种表面导电聚合物图案的制备方法
CN103384450B (zh) 一种具有图案化导电层的电路板的制备方法
TWI620659B (zh) 感光性膜於裝飾基板上的層壓方法、抗蝕劑圖案的製造方法、導電圖案的製造方法、轉印型感光性導電膜及轉印型感光性導電膜輥
KR101468496B1 (ko) 전도성 나노 물질을 포함한 감광성 코팅액 조성물 및 그를 이용한 코팅 전도막
KR101589546B1 (ko) 시인성이 개선된 투명 전도막 및 이의 제조방법
KR101694856B1 (ko) 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법
JP2012028183A (ja) 導電材料、並びにタッチパネル、及びタッチパネル機能付き表示装置
JP5606769B2 (ja) 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池
JP2013149392A (ja) 導電膜の製造方法
JP2011254046A (ja) 三次元曲面構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130325

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140428

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20140718

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20140428

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20140718

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20140522

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20140924

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20140814

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20140718

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20140522

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20140929

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20140930

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1501 Laying open of application
PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170629

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170629

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180627

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190806

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190806

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200720

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210810

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220705

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230621

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240624

Start annual number: 11

End annual number: 11