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KR101378418B1 - 이미지센서 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

이미지센서 모듈 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101378418B1
KR101378418B1 KR1020070111185A KR20070111185A KR101378418B1 KR 101378418 B1 KR101378418 B1 KR 101378418B1 KR 1020070111185 A KR1020070111185 A KR 1020070111185A KR 20070111185 A KR20070111185 A KR 20070111185A KR 101378418 B1 KR101378418 B1 KR 101378418B1
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wafer
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sensor chip
hole
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이은성
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김재흥
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Abstract

오목면에 밀착 고정된 센서칩을 구비한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 이미지센서 모듈은, 적어도 하나의 센서칩; 기판, 및 기판위에 형성되고, 상부에 센서칩을 만곡시켜 접합하는 오목면을 폴리머 성형법에 의해 형성한 폴리머층을 구비하는 적어도 하나의 센서칩 마운팅 구조물; 및 센서칩 위에서 센서칩 마운팅 구조물에 고정된 적어도 하나의 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 오목면, 센서, 고정

Description

이미지센서 모듈 및 그 제조방법{image sensor module and fabrication method thereof}
본 발명은 카메라 폰, 디지탈 카메라 등과 같은 전자장치에 사용되는 이미지센서 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 오목면에 밀착 고정된 센서칩을 구비한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 카메라 폰, 디지탈 카메라 등과 같은 전자장치는 특정 사물을 촬상할 수 있는 이미지센서 모듈을 탑재하고 있다. 이러한 이미지센서 모듈은 가격 경쟁력은 물론, 소형화, 박형화 및 고해상도의 조건을 만족시키도록 요구된다.
하지만, 종래의 일반적인 이미지센서 모듈은 곡면 형상의 렌즈의 초점면과 평면 형태 센서칩의 센서면의 불일치로 인한 수차를 보정하기 위해 값비싼 비구면 렌즈를 여러 장 겹쳐서 구성하고 있다. 이 때문에, 이미지센서 모듈의 전체 두께가 커지고, 충분한 고 해상도가 얻어지지 못할 뿐 아니라, 제작코스트가 상승하게 된다.
또한, 종래의 이미지센서 모듈은 센서면이 평면 형태로 구성되기 때문에, 센서칩의 가장자리에 위치한 픽셀은 수광량이 감소하여 이미지가 어둡게 나타나는 비 네팅(vignetting) 현상이 발생한다. 이러한 비네팅 현상을 개선하기 위해, 일부 이미지 센서모듈은 센서칩의 외곽의 픽셀 간격을 중앙 보다 크게 하여 수광량을 보정하도록 구성된다. 하지만, 이 경우, 이미지 센서모듈의 전체 크기가 커질 뿐 아니라, 줌기능을 사용하는 경우에는 수광량을 보정하는 역할을 하지 못한다.
이러한 문제를 방지하기 위해, 최근에는 센서칩을 박막화함과 함께 만곡시켜 오목 형태로 구성하는 것에 의해, 렌즈의 수를 감소시키고, 소형화를 도모함과 동시에 해상도를 향상시키도록 한 이미지센서 모듈이 제안되고 있다. 하지만, 이러한 이미지센서 모듈은 단품 레벨로 제조할 경우 박형 센서칩을 실리콘 기판의 오목면에 접합할 때 각각의 센서칩을 상응하는 오목면에 정밀하게 정렬하기 어려운 문제점이 있다. 또한, 웨이퍼 레벨로 제조할 경우, 기존의 기계가공 방법으로는 오목면을 센서칩 어레이의 피치와 동일하게 제작하기가 어렵고, 또 전기적 접속을 위한 금속 비아 인터커넥션(metal via interconnection)을 실리콘기판에 관통 형성하기가 어렵거나 불가능한 문제점이 있다. 또한, 센서칩을 일정 곡률, 예를들면, 약 10mm의 곡률반경으로 만곡시키기 위해서는 센서칩을 매우 얇게 가공해야 하고, 또 이러한 박형 센서칩을 오목면부에 정렬하여 접합시키기 위한 별도의 복잡한 가공장치나 방법이 필요하다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 센서칩을 만곡시켜 접합하는 오목면의 가공효율 및 정밀도를 높이고 그에 따른 제작코스트도 절감토록 한 센서칩 마운팅 구조물을 구비한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 센서칩을 오목면에 정렬하여 접합시키기 위한 별도의 복잡한 가공장치 없이 센서칩을 오목면에 정렬하여 접합시키도록 함으로써 곡면 접합 및 정렬정밀도를 개선한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전기적 접속을 위한 배선부를 구비하여, 표면실장기술(furface mounted technology; SMT)을 적용할 수 있고 전기적 접속을 위한 값비싼 와이어 본딩 공정이나 연성 PCB를 필요 없게 한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시양태에 따른 이미지센서 모듈은, 적어도 하나의 센서칩; 기판, 및 기판위에 형성되고, 상부에 센서칩을 만곡시켜 접합하는 오목면을 폴리머 성형법에 의해 형성한 폴리머층을 구비하는 적어도 하나의 센서칩 마운팅 구조물; 및 센서칩 위에서 센서칩 마운팅 구조물에 고정된 적어도 하나의 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 센서칩의 상면과 하면에는 각각 투명하고 유연성 있는 폴리머로 형 성된 상부 지지층과 상부 지지층의 폴리머 보다 용융점이 낮는 폴리머 또는 솔더재료로 형성된 하부 지지층이 형성된 것이 바람직하다.
폴리머층은 수지, 바람직하게는 에폭시계 수지로 형성된 것이 바람직하다.
또한, 기판과 폴리머층에는 각각, 서로 연통하고, 센서칩을 만곡시켜 오목면에 접합할 때 센서칩이 쉽게 만곡될 수 있도록 하기 위한 공기배출 또는 공기흡입구멍을 형성하는 제1 및 제2관통홀이 형성된 것이 바람직하다.
센서칩 마운팅 구조물은 오목면의 표면과 기판의 하부를 전기적으로 연결하는 배선부를 더 포함할 수 있다. 배선부는 기판의 하면과 상면에 각각 형성된 적어도 하나의 제1 및 제2 배선, 제1 및 제2 배선을 연결하도록 기판을 관통하는 적어도 하나의 제1 비아 인터커넥션(via interconnection), 및 제2 배선에 연결되고 폴리머층을 관통하도록 형성된 적어도 하나의 제2 비아 인터커넥션으로 구성될 수 있다. 이때, 제2 관통홀은 제2 배선을 외부에 노출시키지 않도록 형성된 것이 바람직하다.
선택적으로, 배선부는 기판의 하면과 상면에 각각 형성된 적어도 하나의 제1 및 제2 배선, 제1 및 제2 배선을 연결하도록 기판을 관통하는 적어도 하나의 제1 비아 인터커넥션, 및 제2 배선에 형성된 금속 범프 또는 솔더 볼로 구성될 수 있다. 이때, 제2 관통홀은 제2 배선의 일부를 외부에 노출시키도록 형성되고, 금속 범프 또는 솔더 볼은 외부에 노출된 제1 배선의 일부에 형성된 것이 바람직하다.
렌즈는 스페이서에 의해 센서칩으로부터 소정간격을 두고 센서칩 마운팅 구조물에 고정된 것이 바람직하다. 스페이서는 실리콘 웨이퍼를 식각하거나 플라스틱 재료를 사출성형하는 것에 의해 형성될 수 있고, 또한, 렌즈 일체형으로 구성될 수 있다.
양호한 실시예에서, 적어도 하나의 센서칩은 복수 개의 센서칩이 소정 배열로 형성된 웨이퍼이고, 적어도 하나의 센서칩 마운팅 구조물은 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물이 소정 배열로 형성된 웨이퍼이고, 적어도 하나의 렌즈는 웨이퍼 레벨로 접합된 복수의 렌즈일 수 있다.
본 발명의 다른 실시양태에 따르면, 이미지센서 모듈의 제조방법은, 복수 개의 센서칩이 소정 배열로 형성된 제1 웨이퍼를 준비하는 단계, 각각 오목면을 구비한 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물이 소정 배열로 형성된 제2 웨이퍼를 준비하는 단계, 제1 웨이퍼를 소정의 두께 부분만 부분적으로 다이싱하는 단계, 제1 웨이퍼를 제2 웨이퍼와 정렬하여 가접합하는 단계, 및 제1 및 제2웨이퍼를 가열하면서 제1 웨이퍼의 복 수개의 센서칩을 만곡시켜 제2웨이퍼의 센서칩 마운팅 구조물의 상응하는 오목면에 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 제1 웨이퍼를 준비하는 단계는, 센서칩 웨이퍼의 상면에 상부 지지층을 형성하는 단계, 센서칩 웨이퍼의 제1기판의 두께를 박형화하는 단계, 및 센서칩 웨이퍼의 제1기판의 하면에 제1 비아 인터커넥션을 통해 상면의 제2 배선과 연결된 제1 배선부의 제1 배선 및 하부 지지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상부 지지층은 각각 투명하고 유연성 있는 폴리머로 형성되고, 하부 지지층은 상부 지지층의 폴리머 보다 용융점이 낮는 폴리머 또는 솔더재료로 형성된 것이 바람직하다.
제2 웨이퍼를 준비하는 단계는, 제2기판에 제1 배선층을 포함하는 제2배선부의 일부와 제2기판을 관통하는 제1 관통홀을 형성하는 단계, 제1 관통홀이 형성된 제2기판에 폴리머층을 형성하는 단계, 폴리머층에 오목면, 비아홀, 및 제1 관통홀과 연통하는 제2 관통홀을 형성하는 단계, 비아홀에 제2 배선부의 제3 비아 인터커넥션을 형성하는 단계, 및 제2기판의 제1 배선층을 패터닝하여 제3 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 제2기판에 제2 배선부의 일부와 제1 관통홀을 형성하는 단계는 제2기판의 하면에 제1 배선층을 형성하는 단계, 제2기판에 제2기판을 관통하고 제1 배선층과 연결된 제2 비아 인터커넥션을 형성하는 단계, 제2기판의 상면에 제2 비아 인터커넥션과 연결된 제4 배선을 형성하는 단계, 및 제1 배선층과 제4 배선이 형성된 제2기판에 제1 관통홀을 형성하는 단계로 구성될 수 있다.
폴리머층을 형성하는 단계는 수지, 바람직하게는 에폭시 수지를 도포하는 단계로 구성될 수 있다.
폴리머층에 오목면, 비아홀, 및 제1 관통홀과 연통하는 제2 관통홀을 형성하는 단계는 오목면, 비아홀, 및 제2 관통홀의 형상과 반대되는 형상의 몰드를 사용하는 폴리머 성형법에 의해 폴리머층을 압착하는 단계로 구성될 수 있다.
선택적으로, 제2 웨이퍼를 준비하는 단계는, 제2기판에 제1 배선층을 포함하는 제2 배선부의 일부와 제2기판을 관통하는 제1관통홀을 형성하는 단계, 제1관통홀이 형성된 제2기판에 폴리머층을 형성하는 단계, 폴리머층에 제1관통홀과 연통하고 제2 배선부의 일부를 노출하는 제2관통홀을 형성하는 단계, 폴리머층의 상부에 제1관통홀을 중심으로 하는 오목면을 형성하는 단계, 제2 관통홀에 의해 노출된 제2 배선부의 일부에 금속 범프 또는 솔더볼을 형성하는 단계, 및 제2기판의 제1 배선층을 패터닝하여 제3 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 제2기판에 제2 배선부의 일부와 제1 관통홀을 형성하는 단계는 제2기판의 하면에 제1 배선층을 형성하는 단계, 제2기판에 제2기판을 관통하고 제 1배선층과 연결된 제2 비아 인터커넥션을 형성하는 단계, 제2기판의 상면에 제2 비아 인터커넥션과 연결된 제4 배선을 형성하는 단계, 및 제1배선층과 제4 배선이 형성된 제2기판에 제1 관통홀을 형성하는 단계로 구성될 수 있다.
폴리머층을 형성하는 단계는 수지, 바람직하게는 에폭시 수지를 도포하는 단계로 구성될 수 있다.
폴리머층에 제1 관통홀과 연통하고 제2 배선부의 일부를 노출하는 제2 관통홀을 형성하는 단계는 제2 배선부의 제4 배선을 노출하는 제2관통홀의 형상과 반대되는 형상의 몰드를 사용하는 폴리머 성형법에 의해 폴리머층을 압착하는 단계로 구성될 수 있다.
폴리머층의 상부에 제1 관통홀을 중심으로 하는 오목면을 형성하는 단계는 오목면의 형상과 반대되는 형상의 몰드를 사용하는 폴리머 성형법에 의해 폴리머층을 압착하는 단계로 구성될 수 있다.
제1 웨이퍼를 소정의 두께 부분만 부분적으로 다이싱하는 단계는 제1 웨이퍼를 미리 설정된 다이싱선을 따라 하부 지지층을 제외한 상부 지지층과 제1기판만 다이싱하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 웨이퍼를 제2 웨이퍼와 정렬하여 가접합하는 단계는, 제1 웨이퍼의 다이싱선 또는 별도의 정렬마크를 제2 웨이퍼의 정렬마크에 맞추어 정렬하는 단계, 및 제1 웨이퍼의 하부 지지층과 제2웨이퍼의 폴리머층의 상면을 접합하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 웨이퍼의 복수 개의 센서칩을 상응하는 오목면에 접합시키는 단계는, 제1 웨이퍼를 소정온도로 가열하여 하부 지지층 또는 오목면에 도포된 접합제를 용융시키는 단계, 제1 웨이퍼의 각각의 센서칩을 만곡시켜 상응하는 오목면에 밀착시키는 단계, 및 용융된 하부 지지층 또는 오목면에 도포된 접합제를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
제1 웨이퍼의 각각의 센서칩을 만곡시켜 상응하는 오목면에 밀착시키는 단계는 가압기판을 사용하여 각각의 센서칩을 오목면쪽으로 가압하는 단계 및 공기흡입장치를 사용하여 센서칩 마운팅 구조물의 제1 및 제2 관통홀을 통해 공기를 흡착하여 각각의 센서칩을 오목면쪽으로 압착하는 단계 중의 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 이미지센서 모듈의 제조방법은 단품 렌즈 또는 웨이퍼 레벨로 접합된 복수의 렌즈를 상응하는 제2 웨이퍼의 센서칩 마운팅 구조물에 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 복수의 렌즈를 상응하는 제2 웨이퍼의 센서칩 마운팅 구조물에 고정하는 단계는 제2 웨이퍼의 센서칩 마운팅 구조물에 스페이서를 접합하는 단계, 및 스페이서에 단품 렌즈 또는 웨이퍼 레벨로 접합된 복수의 렌즈를 접합하는 단계로 구성될 수 있다. 이때, 스페이서는 실리콘 웨이퍼를 식각하거나 플라스틱재료를 사출성형하는 것에 의해 형성되거나 렌즈 일체형으로 구성될 수 있다.
이하, 본 발명의 양호한 실시예에 따른 이미지센서 모듈 및 그 제조방법을 첨부도면에 관하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지센서 모듈(1)을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 이미지센서 모듈(1)은 렌즈(10), 센서칩(20), 및 센서칩 마운팅 구조물(30)을 구비한다.
렌즈(10)는 값싼 구면 렌즈로 구성되고, 실리콘 또는 플라스틱재로 형성된 스페이서(12)에 의해 센서칩 마운팅 구조물(30)에 접착 지지된다. 스페이서(12)는 실리콘 웨이퍼를 식각하거나 플라스틱을 사출성형하는 것에 의해 형성될 수 있다.
센서칩(20)은, 예를들면, CMOS 이미지센서(CIS) 칩으로써, 상면과 하면에는 각각 상부 및 하부 지지층(21, 23)이 형성된다. 상부 지지층(21)은 PDMS (polydimethlysiloxane), PMMA (polymethyl methacrylate) 등과 같은 투명하고 유연성 있는 폴리머로 형성되고, 하부 지지층(23)은 센서칩(20)을 센서칩 마운팅 구조물(30)의 오목면(35)에 밀착되는 부분으로, 상부 지지층(21)의 폴리머 보다 용융점이 낮는 폴리머 또는 메탈 솔더 등의 접합제로 구성된다. 상부 지지층(21)은 하부 지지층(23)이 형성된 후, 또는 센서칩(20)과 센서칩 마운팅 구조물(30)이 접합된 후 제거될 수도 있다. 하부 지지층(23)은 별도의 접합제와 함께 사용될 경우 ㅅ센서칩(20)의 지지층의 역할을 하며, 이때, 접합제는 센서칩 마운팅 구조물(30)상 의 오목면 또는 하부 지지층(23)에 도포될 수 있다. 또한, 하부 지지층(23)은 자체가 지지층의 역할과 함께 용융후 경화되어 접착제의 역할을 할 수도 있다. 이 경우, 하부 지지층(23)은 이방성 도전 필름 또는 페이스트(anisotrophic conductive film or paste ; ACF or ACP), 다이 접착 필름(die attach film: DAF) 등으로 구성된다. 또한, 센서칩(20)은 전기적 연결을 위한 제1 배선부(25)를 구비한다. 제1 배선부(25)는 하부 지지층(23)과 제1기판(22) 사이 및 상부 지지층(21)과 제1기판(2) 사이에 각각 형성된 제1 및 제2 금속배선(26, 27), 제1 및 제2 금속배선(26, 27)을 연결하는 제1 비아 인터커넥션(via interconnection)(28), 및 제1 금속배선(26)에 금, 알루미늄 등의 금속으로 형성된 도전성 콘택(29)으로 구성된다.
센서칩 마운팅 구조물(30)은 제2기판(31)과 폴리머층(33)으로 구성된다. 제2기판(31)은 실리콘기판 또는 유리기판일 수 있다. 폴리머층(33)은 제2기판(31)위에 수지, 특히 에폭시계 수지로 형성되고, 상부에 센서칩(20)을 만곡시켜 접합하는 오목면(35)을 구비한다. 오목면(35)의 입구 형상은 원형 또는 사각형 형태(도 3h 참조)로 형성된 것이 바람직하다. 또한, 기판(31)과 폴리머층(33)에는 각각, 서로 연통하는 제1 및 제2관통홀(36, 37)이 형성된다. 제1 및 제2관통홀(36, 37)은 센서칩(20)을 도 2d와 관련하여 후술하는 바와 같이 가압기판(도시하지 않음)에 의해 가압 및 만곡시켜 오목면(35)에 접합할 때는 센서칩(20)이 쉽게 만곡될 수 있도록 하기 위한 공기배출 구멍의 역할을 하고, 공기흡입장치(도시하지 않음)에 의해 센서칩(20)과 센서칩 마운팅 구조물(30) 사이의 공기를 흡입하여 센서칩(20)을 흡착 만곡시켜 오목면(35)에 접합할 때는 공기흡입 구멍의 역할을 한다.
센서칩 마운팅 구조물(30)은 오목면(35)의 표면과 제2기판(31)의 하부를 전기적으로 연결하는 제2 배선부(38)를 더 포함한다. 도 3g 및 도 3h에 도시한 바와 같이, 제2 배선부(38)는 제3 및 제4 금속배선(39, 40), 제2 비아 인터커넥션(41), 및 제3 비아 인터커넥션(42)으로 구성된다. 제3 및 제4 금속배선(39, 40)은 기판(31)의 하면과 상면에 각각 형성된다. 제2 비아인터커넥션(41)은 제3 및 제4 금속배선(39, 40)을 연결하도록 기판(31)을 관통하도록 형성된다. 제3 비아인터커넥션(42)은 제4 금속배선(40)에 연결되고 폴리머층(33)을 관통하도록 형성된다. 이때, 제2 관통홀(37)은 제4 금속배선(40)을 외부에 노출시키지 않도록 형성된 것이 바람직하다. 이와 같이, 기판(31)의 하부에 제3 금속배선(39)을 포함하는 제2 배선부(38)를 구비함으로써, 이미지센서 모듈(1)을 값비싼 와이어 본딩 공정이나 연성 PCB를 사용하여 전기적으로 접속을 할 필요가 없고, 표면실장기술을 적용할 수 있다. 그 결과, 이미지센서 모듈(1)을 전자장치에 조립하는 공정이 단순화되고, 제작코스트가 절감된다
선택적으로, 도 4h 및 도 4i에 도시한 바와 같이, 센서칩 마운팅 구조물(30')은 제2 배선부(38')를 구비한다. 제2 배선부(38')는 제3 및 제4 금속배선(39, 40), 제2 비아인터커넥션(41), 및 금, 은 등의 금속으로 형성된 금속 범프 또는 은, 납 등의 솔더재료로 형성된 솔더 볼(42')로 구성될 수 있다. 제3 및 제4 금속배선(39, 40)은 기판(31)의 하면과 상면에 각각 형성된다. 제2 비아인터커넥션(41)은 제3 및 제4 금속배선(39, 40)을 연결하도록 제2기판(31)을 관통하도록 형성된다. 금속 범프 또는 솔더 볼(42')은 제4 금속배선(40)에 형성된다. 이때, 제2 관통홀(37')은 제4 금속배선(40)의 일부를 외부에 노출시키도록 형성되고, 금속 범프 또는 솔더 볼(42')은 외부에 노출된 제4 금속배선(40) 위에 형성된 것이 바람직하다.
이상에서, 이미지 센서모듈(1)은 각각 하나의 렌즈(10), 센서칩(20), 및 센서칩 마운팅 구조물(30 또는 30')로 구성되는 것으로 예시 및 설명하였지만, 이미지센서 모듈(1)이 제조시 도 2a 내지 도 3h를 참조하여 후술하는 바와 같이 단품 레벨이 아닌 웨이퍼 레벨로 제조되기 때문에, 도 2e에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 레벨로 접합된 복수의 렌즈(10), 복수 개의 센서칩(20)을 구비하는 센서칩 웨이퍼(3), 및 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물(30)을 구비하는 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)로 구성될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예 따른 이미지센서 모듈(1)의 제조방법을 도 2a 내지 도 3h를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 복수 개의 센서칩(20), 예를들면, CIS 칩이 소정 배열로 형성된 센서칩 웨이퍼(3)가 준비된다.
즉, 공지의 방법으로 제1 배선부(25)의 제2 금속배선(27), 제1 비아 인터커넥션(28) 등이 형성된 CIS 칩을 구비하는 센서칩 웨이퍼(20)의 상면에, PDMS, PMMA 등과 같은 투명하고 유연성 있는 폴리머로 상부 지지층(21)이 형성된다. 이어서, 상부 지지층(21)이 형성된 센서칩 웨이퍼(3)는 일정곡률, 예를들면, 곡률반경 9mm로 구부릴수 있도록 하기 위해 제1기판(22)을 연마하는 것에 의해 두께가 30-50μm의 두께로 박형화(thinning)된다. 그 다음, 센서칩 웨이퍼(3)의 제1기판(22)의 하 면에 금, 알루미늄 등과 같은 금속으로 형성된 금속층은 포토리소그래피공정으로 패터닝되고, 그 결과, 제1기판(22)의 하면에는 제1 배선부(25)의 제1 금속배선(26)이 형성된다. 제1 금속배선(26)이 형성된 후, 제1기판(22)의 하면의 전면에는 하부 지지층(23)이 형성된다. 하부 지지층(23)은 상부 지지층(21)의 폴리머 보다 용융점이 낮는 폴리머 또는 은, 납 등과 같은 솔더재료로 형성된 이방성 도전 필름 또는 페이스트(ACF or ACP), 또는 다이 접착 필름(DAF)으로 구성된다. 이어서, 센서칩 웨이퍼(3)의 제1기판(22)의 하면에는 제1 금속배선(26)과 연결된 콘택(29)이 형성된다. 콘택(29)은 접착체층(23)을 포토레지스트로 형성된 비아홀 패턴을 마스크로 사용하는 포토리소그래피 공정으로 패터닝하거나 샌딩(sanding) 등의 방법으로 비아홀을 형성하고, 전해도금법 또는 금속 스퍼터링법으로 비아홀에 금, 알루미늄 등과 같은 금속을 채우는 것에 의해 형성된다. 그 결과, 센서칩 웨이퍼(3)의 준비는 완료된다.
다음으로, 도 2c, 도 3g 및 도 3h에 도시한 바와 같이, 각각 오목면(35)을 구비한 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물(30)이 소정 배열로 형성된 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)가 준비된다.
즉, 도 3a에 도시한 바와 같이, 실리콘 기판 또는 유리 기판으로 형성된 제2기판(31)이 준비되고, 제2기판(31)의 하면에는 금, 알루미늄 등과 같은 금속의 제1 배선층(44)이 형성된다. 이어서, 제2기판(31)에는 제2기판(31)을 관통하는 제1 비아홀(45)이 형성된다. 제1 비아홀(45)은, 제2기판(31)에 포토레지스트로 형성된 제1 비아홀 패턴(도시하지 않음)을 형성한 다음 제2기판(31)을 제1 비아홀 패턴을 마 스크로 사용하는 포토리소스래피 공정으로 패터닝하는 방법이나 샌딩 등의 방법에 의해 형성된다. 그 다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 제1 비아홀(45)에는 제1 배선층(44)을 전극으로 사용하는 전해도금법 또는 금속 스퍼터링법에 의해 제2 비아 인터커넥션(41)이 형성된다. 제2 비아 인터커넥션(41)이 형성된 제2기판(31)의 상면에는 금, 알루미늄 등과 같은 금속의 제2 배선층(도시하지 않음)이 형성된다. 그 다음, 제2 배선층은, 제2 배선층에 포토레지스트로 형성된 제2 배선 패턴(도시하지 않음)을 형성한 다음 제2 배선층을, 제2 배선 패턴을 마스크로 사용하는 포토리소스래피 공정으로 패터닝되고, 그 결과, 도 3c에 도시한 바와 같이, 제2기판(31)의 상면에는 제4 금속배선(40)이 형성된다. 제4 금속배선(40)이 형성된 제2기판(31)에는 제2기판(31)을 관통하는 제1관통홀(36)이 포토리소그래피 공정 또는 샌딩 등의 방법으로 형성된다. 제1관통홀(36)은, 도 2d에 관련하여 후술하는 바와 같이, 센서칩(20)이 가압기판(도시하지 않음)의 가압력에 의해 만곡되어 센서칩 마운팅 구조물(30)의 오목면(35)에 접착될 때는 센서칩(20)이 쉽게 만곡될 수 있도록 후술하는 제2관통홀(37)과 함께 센서칩(20)과 센서칩 마운팅 구조물(30) 사이의 공간에 위치한 공기를 배출하기 위한 공기배출구멍의 역할을 하고, 센서칩(20)이 공기흡입장치(도시하지 않음)의 흡입력에 의해 만곡되어 센서칩 마운팅 구조물(30)의 오목면(35)에 접착될 때는 제2관통홀(37)과 함께 센서칩(20)과 센서칩 마운팅 구조물(30) 사이의 공간에 위치한 공기를 흡입하기 위한 공기흡입구멍의 역할을 한다. 도 3d에 도시한 바와 같이, 제1관통홀(36)이 형성된 기판(31)상에는 오목면(35)을 형성하기 위한 수지, 특히 에폭시계 수지의 폴리머층(33)이 형성된다. 그 다음, 폴 리머층(33)은, 오목면(35), 제2 비아홀(46) 및 제2 관통홀(37)의 형상과 반대되는 형상을 갖는 몰드(도시하지 않음)를 사용하는 핫 엠보싱법(hot embossing) 또는 리플리케이션법(replication)과 같은 폴리머 성형법에 의해 압착된다. 이때, 몰드는 센서칩 웨이퍼(3)을 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)와 정렬하여 접합할 때 기준을 제공하기 위해 센서칩 웨이퍼(3)의 다이싱선(DL; 도 2c 참조)에 대응하게 형성된 복수 개, 예를들면, 두 개의 십자 형태의 정렬마크(도시하지 않음)에 대응하는 패턴을 더 포함할 수 있다. 그 결과, 도 3e에 도시한 바와 같이, 폴리머층(33)의 상부에는 오목면(35), 제2 비아홀(46) 및 제2 관통홀(37)이 형성된다. 이와 같이 오목면(35) 등이 폴리머층(33)을 폴리머 성형법으로 압착하는 것에 의해 형성되므로, 종래와 같이 오목면을 기계가공에 의해 형성하는 경우 보다 가공효율 및 정밀도가 향상되고, 대량 생산이 가능해질 뿐 아니라, 그에 따른 제작코스트도 절감될 수 있다. 이어서, 오목면(35), 제2 비아홀(46) 및 제2 관통홀(37)이 형성된 폴리머층(33)에 대해 애싱공정이 수행되고, 그에 따라 핫 엠보싱 또는 리플리케이션시 제4 금속배선(40) 상에 압착되어 잔류하는 잔류막이 제거된다. 그 다음, 도 3f에 도시한 바와 같이, 제2 비아홀(46)에는 제1 배선층(44), 제2 비아 인터커넥션(41) 및 제4 금속배선(40)을 전극으로 사용하는 전해도금법 또는 금속 스퍼터링법에 의해 제3 비아 인터커넥션(42)이 형성된다. 이어서, 제2기판(31)의 하면의 제1배선층(44)은 제2 배선층과 같이 포토리소그래피 공정으로 패터닝되고, 그 결과, 도 3g에 도시한 바와 같이, 제2기판(31)의 하면에는 제3 금속배선(39)이 형성되고, 그에 따라, 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물(30)이 형성된 센서칩 마운팅 웨이퍼(5; 도 2c 참조)의 준비는 완료된다.
선택적으로, 도 4a 내지 도 4i에 도시한 바와 같이, 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 센서칩 마운팅 구조물(30')은 다음과 같이 제조될 수도 있다.
먼저, 도 4a 내지 도 4d에 도시한 바와 같이, 제2 비아 인터커넥션(41), 제1 배선층(44), 제4 금속배선(40), 제1 관통홀(36), 및 폴리머층(33)이 도 3a 내지 도 3d에 관련한 설명한 방법과 동일한 방법으로 제2기판(31)에 형성된다. 그 다음, 폴리머층(33)은 제4 금속배선(40)의 일부를 노출하는 제2 관통홀(37')의 형상과 반대되는 형상을 갖는 관통홀 몰드(도시하지 않음)를 사용하는 핫 엠보싱법 또는 리플리케이션법과 같은 폴리머 성형법에 의해 압착된다. 그 결과, 도 4e에 도시한 바와 같이, 폴리머층(33)의 상부에는 제2 관통홀(37')이 형성된다. 이어서, 제2 관통홀(37')이 형성된 폴리머층(33)에 대해 애싱공정이 수행되고, 그에 따라 핫 엠보싱 또는 리플리케이션시 제4 금속배선(40)에 압착되어 잔류하는 잔류막이 제거된다. 그 다음, 폴리머층(33)은 오목면(35')의 형상과 반대되는 형상을 갖는 오목면 몰드(도시하지 않음)를 사용하는 핫 엠보싱법 또는 리플리케이션법과 같은 폴리머 성형법에 의해 압착되고, 그 결과, 도 4f에 도시한 바와 같이, 제2 관통홀(37') 둘레의 폴리머층(33)의 상부에는 오목면(35')이 형성된다. 이때, 관통홀 몰드 또는 오목면 몰드는 센서칩 웨이퍼(3)을 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)와 정렬하여 접합할 때 기준을 제공하기 위해 센서칩 웨이퍼(3)의 다이싱선(DL)에 대응하게 형성된 복수 개, 예를들면, 두 개의 십자 형태의 정렬마크(도시하지 않음)에 대응하는 패턴을 더 포함할 수 있다. 오목면(35')이 형성된 후, 도 4g에 도시한 바와 같이, 제2기 판(31)의 하면의 제1 배선층(44)은 제2 배선층과 같이 포토리소그래피 공정으로 패터닝되고, 그 결과, 제2기판(31)의 하면에는 제1 금속배선(39)이 형성된다, 이어서, 도 4h 및 도 4i에 도시한 바와 같이, 제4 금속배선(40)에는 금, 은 등의 금속 범프 또는 은, 납 등의 솔더재료의 솔더 볼(42')이 형성된다. 그 결과, 복수 개의 센서칩 마운팅 웨이퍼(30')를 구비한 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 준비는 완료된다.
이와 같이 센서칩 웨이퍼(3)와 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)가 준비된 후, 도 2b에 도시한 바와 같이, 센서칩 웨이퍼(3)는 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 센서칩 마운팅 구조물(30, 또는 30') 사이의 경계면에 대응하게 미리 설정된 다이싱선(DL)을 따라 소정 두께의 부분, 즉 하부 지지층(23)을 제외한 상부 지지층(21)과 제1기판(22)만 다이싱된다.
그 다음, 도 2c에 도시한 바와 같이, 센서칩 웨이퍼(3)는, 다이싱선(DL) 또는 별도로 형성된 정렬마크(도시하지 않음)가 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 센서칩 마운팅 구조물(30, 또는 30')의 폴리머층(33)의 정렬마크에 대응되도록 정렬된 다음, 다이싱선(DL) 아래에 위치한 하부 지지층(23)이 접착제에 의해 센서칩 마운팅 구조물(30, 또는 30')의 폴리머층(33)의 상면에 가접합된다.
그 후, 센서칩 웨이퍼(3)의 센서칩(20)들을 만곡시켜 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 센서칩 마운팅 구조물(30)의 상응하는 오목면(35)들에 접합시키기 위해, 센서칩 웨이퍼(3)와 센서칩 마운팅 웨이퍼(4)는 소정온도, 예를들면 센서칩(20)들의 상부 지지층(21)의 용융점 보다는 낮고 하부 지지층(23)의 용융점 보다는 높은 온도로 가열됨과 동시에, 각각의 센서칩(20)을 상응하는 오목면(35)쪽으로 만곡시 켜 압착시킨다. 이때, 센서칩(20)들은 도시하지 않은 공기흡입장치에 의해 센서칩 마운팅 구조물(30)의 제1 및 제2 관통홀(36, 37)을 통해 센서칩(20)과 센서칩 마운팅 구조물(30) 사이의 공간에 위치한 공기를 흡입하거나 도시하지 않은 적당한 가압기판을 사용하여 센서칩(20)들을 가압시키는 것에 의해 오목면(35)쪽으로 만곡되어 압착된다. 그 결과, 도 2d에 도시한 바와 같이, 센서칩(20)들의 하부 지지층(23) 및/또는 별도의 접합제(센서칩 웨이퍼(3)와 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 준비시 별도의 접합제가 오목면 또는 하부 지지층(23)에 도포될 경우)과 콘택(29)은 용용되어, 센서칩 마운팅 구조물(30)의 오목면(35)과 제3 비아 인터커넥션(42)에 각각 접착된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 이미지센서 모듈 제조방법은 복수 개의 센서칩(20)이 소정 배열로 형성된 센서칩 웨이퍼(3)를 하부 지지층(23)만 남기고 다이싱하고, 센서칩 웨이퍼(3)의 다이싱선(DL) 또는 별도의 정렬마크를 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 정렬마크와 정렬시킨 다음, 하부 지지층(23)을 가열 용융시키면서 가압기판을 사용하여 센서칩(20)을 센서칩 마운팅 구조물(30, 또는 30')의 오목면(35, 또는 35')에 대해 가압하거나 공기흡입장치를 사용하여 센서칩 마운팅 구조물(30, 또는 30')의 관통홀(36, 37 또는 37')을 통해 센서칩(20)을 오목면(35)에 흡입 압착하여 접합시키도록 한다. 따라서, 센서칩(20)을 오목면(35)에 정렬하여 접합시키기 위한 별도의 복잡한 가공장치가 요구되지 않을 뿐 아니라, 곡면 접합 및 정렬정밀도가 개선된다.
그 후, 용융된 하부 지지층(23) 및/또는 별도의 접합제(센서칩 웨이퍼(3)와 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 준비시 별도의 접합제가 오목면 또는 하부 지지층(23)에 도포될 경우)와 콘택(29)이 경화될 때 까지 소정시간 방치된다.
그 다음, 도 2e에 도시한 바와 같이, 렌즈의 촛점거리 등 설계조건에 따라 소정 높이로 제작된 스페이서(12)가 센서칩 마운팅 웨이퍼(5)의 센서칩 마운팅 구조물(30)의 폴리머층(33)에 접합된다. 이때, 스페이서(12)는 실리콘 웨이퍼를 식각하거나, 플라스틱재료를 사출성형하여 형성될 수 있다. 그 다음, 단품 렌즈 또는 웨이퍼 레벨로 접합된 복수 개의 렌즈(10)가 스페이서(12)상에 접착된다. 여기서, 스페이서(12)와 렌즈(10)는 별도로 센서칩 마운팅 웨이퍼(4)에 접착되는 것으로 예시하였지만, 미리 서로 접착된 상태에서 센서칩 마운팅 웨이퍼(4)에 접착될 수도 있다.
그 후, 센서칩 웨이퍼(3), 센서칩 마운팅 웨이퍼(5) 및 렌즈(10)들이 접합된 최종 이미지센서 모듈 웨이퍼는 다이싱선(DL)을 따라 센서칩 단위로 다이싱되어 보관된다. 그 결과, 이미지센서 모듈(1)의 제조는 완료된다.
이상에서, 본 발명의 특정한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지와 사상을 벗어남이 없이 당해 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 수정과 변형실시가 가능할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지센서 모듈을 도시하는 단면도,
도 2a 내지 도 2e는 도 1에 도시한 이미지센서 모듈을 웨이퍼 레벨로 제조하는 방법을 예시하는 단면도,
도 3a 내지 도 3g는 도 1에 도시한 이미지센서 모듈의 센서칩 마운팅 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 예시하는 단면도,
도 3h는 도 3g에 도시한 센서칩 마운팅 구조물의 평면도,
도 4a 내지 도 4h는 도 1에 도시한 이미지센서 모듈의 센서칩 마운팅 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 예시하는 단면도, 및
도 4i는 도 4h에 도시한 센서칩 마운팅 구조물의 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 이미지센서 모듈 3: 센서칩 웨이퍼
5: 센서칩 마운팅 구조물 10: 렌즈
12: 스페이서 20: 칩센서
21, 23: 지지층 22, 31: 기판
25: 제1 배선부 33; 폴리머층
35: 오목면 38, 38': 제2 배선부

Claims (24)

  1. 적어도 하나의 센서칩;
    기판, 및 상기 기판위에 형성되고, 상부에 상기 센서칩을 만곡시켜 접합하는 오목면을 폴리머 성형법에 의해 형성한 폴리머층을 구비하는 적어도 하나의 센서칩 마운팅 구조물; 및
    상기 센서칩 위에서 상기 센서칩 마운팅 구조물에 고정된 적어도 하나의 렌즈를 포함하며,
    상기 센서칩의 상면과 하면에는 각각 투명하고 유연성 있는 폴리머로 형성된 상부 지지층과 상기 상부 지지층의 폴리머 보다 용융점이 낮은 폴리머 또는 솔더재료로 형성된 하부 지지층이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리머층은 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 폴리머층에는 각각, 서로 연통하는 제1 및 제2 관통홀이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 상기 센서칩 마운팅 구조물은 상기 오목면의 표면과 상기 기판의 하부를 전기적으로 연결하는 배선부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  6. 제5항에 있어서, 상기 배선부는,
    상기 기판의 하면과 상면에 각각 형성된 적어도 하나의 제1 및 제2 배선;
    상기 제1 및 제2 배선을 연결하도록 상기 기판을 관통하는 적어도 하나의 제1 비아 인터커넥션(via interconnection); 및
    상기 제2 배선에 연결되고 상기 폴리머층을 관통하도록 형성된 적어도 하나의 제2 비아 인터커넥션을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  7. 제5항에 있어서, 상기 배선부는,
    상기 기판의 하면과 상면에 각각 형성된 적어도 하나의 제1 및 제2 배선;
    상기 제1 및 제2 배선을 연결하도록 상기 기판을 관통하는 적어도 하나의 제1 비아 인터커넥션; 및
    상기 제2 배선에 형성된 금속 범프 또는 솔더 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 센서칩은 복수 개의 센서칩이 소정 배열로 형성된 웨이 퍼를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 센서칩 마운팅 구조물은 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물이 소정 배열로 형성된 웨이퍼를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 렌즈는 웨이퍼 레벨로 접합된 복수의 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈.
  9. 복수 개의 센서칩이 소정 배열로 형성된 제1 웨이퍼를 준비하는 단계;
    각각 오목면을 구비한 복수 개의 센서칩 마운팅 구조물이 소정 배열로 형성된 제2 웨이퍼를 준비하는 단계;
    상기 제1 웨이퍼를 소정의 두께 부분만 부분적으로 다이싱하는 단계;
    상기 제1 웨이퍼를 상기 제2 웨이퍼와 정렬하여 가접합하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2웨이퍼를 가열하면서 상기 제1 웨이퍼의 복수 개의 센서칩을 만곡시켜 상기 제2웨이퍼의 상기 센서칩 마운팅 구조물의 상응하는 오목면에 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 웨이퍼를 준비하는 단계는,
    센서칩 웨이퍼의 상면에 상부 지지층을 형성하는 단계;
    상기 센서칩 웨이퍼의 제1기판의 두께를 박형화하는 단계; 및
    상기 센서칩 웨이퍼의 상기 제1기판의 하면에, 제1 비아 인터커넥션을 통해 상면의 제2 배선과 연결된 제1 배선부의 제1 배선 및 하부 지지층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 상부 지지층은 각각 투명하고 유연성 있는 폴리머로 형성되고,
    상기 하부 지지층은 상부 지지층의 폴리머 보다 용융점이 낮는 폴리머 또는 솔더재료로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제2 웨이퍼를 준비하는 단계는,
    제2기판에 제1 배선층을 포함하는 제2 배선부의 일부와 상기 제2기판을 관통하는 제1 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 제1 관통홀이 형성된 상기 제2기판에 폴리머층을 형성하는 단계;
    상기 폴리머층에 상기 오목면, 비아홀, 및 상기 제1관통홀과 연통하는 제2관통홀을 형성하는 단계;
    상기 비아홀에 상기 제2 배선부의 제3 비아 인터커넥션을 형성하는 단계; 및
    상기 제2기판의 상기 제1 배선층을 패터닝하여 상기 제1 배선부의 제3 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2기판에 상기 제2 배선부의 일부와 상기 제1관통홀을 형성하는 단계는,
    상기 제2기판의 하면에 상기 제1배선층을 형성하는 단계;
    상기 제2기판에 상기 제2기판을 관통하고 상기 제1배선층과 연결된 제2 비아 인터커넥션을 형성하는 단계;
    상기 제2기판의 상면에 상기 제2 비아 인터커넥션과 연결된 제4 배선을 형성하는 단계; 및
    상기 제1배선층과 상기 제4 배선이 형성된 상기 제2기판에 상기 제1 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 폴리머층을 형성하는 단계는 상기 제2기판에 수지를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 폴리머층에 상기 오목면, 상기 비아홀, 및 상기 제1관통홀과 연통하는 상기 제2관통홀을 형성하는 단계는 상기 오목면, 상기 비아홀, 및 상기 제2 관통홀의 형상과 반대되는 형상의 몰드를 사용하는 폴리머 성형법에 의해 상기 폴리머층을 압착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 제2 웨이퍼를 준비하는 단계는,
    제2기판에 제1 배선층을 포함하는 제2 배선부의 일부와 상기 제2기판을 관통하는 제1 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 제1 관통홀이 형성된 상기 제2기판에 폴리머층을 형성하는 단계;
    상기 폴리머층에 상기 제1 관통홀과 연통하고 상기 제2 배선부의 일부를 노출하는 제2 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 폴리머층의 상부에 상기 제1 관통홀을 중심으로 하는 오목면을 형성하는 단계;
    상기 제2 관통홀에 의해 노출된 상기 제2 배선부의 일부에 금속 범프 또는 솔더볼을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 기판의 상기 제1 배선층을 패터닝하여 제3 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2기판에 상기 제2 배선부의 일부와 상기 제1 관통홀을 형성하는 단계는,
    상기 제2기판의 하면에 상기 제1 배선층을 형성하는 단계;
    상기 제2기판에 상기 제2기판을 관통하고 상기 제1 배선층과 연결된 제2 비아 인터커넥션을 형성하는 단계;
    상기 제2기판의 상면에 상기 제2 비아 인터커넥션과 연결된 제4 배선을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 배선층과 상기 제4 배선이 형성된 상기 제2기판에 상기 제1 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 폴리머층을 형성하는 단계는 상기 제2기판에 수지를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 폴리머층에 상기 제1 관통홀과 연통하고 상기 제2 배선부의 일부를 노출하는 상기 제2 관통홀을 형성하는 단계는 상기 제2 배선부의 상기 4 배선을 노출하는 제2 관통홀의 형상과 반대되는 형상의 몰드를 사용하는 폴리머 성형법에 의해 상기 폴리머층을 압착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 폴리머층의 상부에 상기 제1 관통홀을 중심으로 하는 상기 오목면을 형성하는 단계는 상기 오목면의 형상과 반대되는 형상의 몰드를 사용하는 폴리머 성형법에 의해 상기 폴리머층을 압착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  21. 제10항에 있어서, 상기 제1 웨이퍼를 소정의 두께 부분만 부분적으로 다이싱하는 단계는 상기 제1 웨이퍼를 미리 설정된 다이싱선을 따라 상기 하부 지지층을 제외한 상기 상부 지지층과 상기 제1기판만 다이싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제1 웨이퍼를 상기 제2 웨이퍼와 정렬하여 가접합하는 단계는,
    상기 제1 웨이퍼의 상기 다이싱선 또는 별도의 정렬마크를 상기 제2 웨이퍼의 정렬마크에 맞추어 정렬하는 단계; 및
    상기 제1 웨이퍼의 상기 하부 지지층과 제2웨이퍼의 폴리머층의 상면을 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  23. 제10항에 있어서, 상기 제1 웨이퍼의 상기 복수 개의 센서칩을 상기 상응하는 오목면에 접합시키는 단계는,
    상기 제1 웨이퍼를 소정온도로 가열하여 상기 하부 지지층 또는 상기 오목면에 도포된 접합제를 용융시키는 단계;
    상기 제1 웨이퍼의 각각의 상기 센서칩을 만곡시켜 상응하는 상기 오목면에 밀착시키는 단계; 및
    상기 용융된 하부 지지층 또는 상기 오목면에 도포된 상기 접합제를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제1 웨이퍼의 상기 각각의 센서칩을 만곡시켜 상기 상응하는 오목면에 밀착시키는 단계는 가압기판을 사용하여 상기 각각의 센서칩을 상기 오목면쪽으로 가압하는 단계 및 공기흡입장치를 사용하여 상기 센서칩 마운팅 구조물의 제1 및 제2 관통홀을 통해 공기를 흡착하여 상기 각각의 센서칩을 상기 오목면쪽으로 압착하는 단계 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 모듈의 제조방법.
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