JP2003189195A - 半導体装置、撮像用半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置、撮像用半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、従来装置より厚みが小さく、面積
も小さいパッケージされた半導体装置及びその製造方法
を提供することを課題とする。 【解決手段】 撮像用レンズ３が取り付けられる樹脂筐
体１４Ａに配線パターン１２ａを埋め込む。配線パター
ン１２ａの一部は樹脂筐体の１４Ａの底面に露出する。
電子部品９を樹脂筐体１４Ａに埋め込まれた状態で、配
線パターン１２ａに接続する。樹脂筐体１４Ａから露出
した配線パターン１２ａに対して固体撮像素子チップ１
０Ａをフリップチップ実装する。
も小さいパッケージされた半導体装置及びその製造方法
を提供することを課題とする。 【解決手段】 撮像用レンズ３が取り付けられる樹脂筐
体１４Ａに配線パターン１２ａを埋め込む。配線パター
ン１２ａの一部は樹脂筐体の１４Ａの底面に露出する。
電子部品９を樹脂筐体１４Ａに埋め込まれた状態で、配
線パターン１２ａに接続する。樹脂筐体１４Ａから露出
した配線パターン１２ａに対して固体撮像素子チップ１
０Ａをフリップチップ実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係わ
り、特に、受光素子と撮像用レンズとを一体化してパッ
ケージした撮像用半導体装置として好適な半導体装置に
関する。
り、特に、受光素子と撮像用レンズとを一体化してパッ
ケージした撮像用半導体装置として好適な半導体装置に
関する。
【０００２】近年、小型カメラが組み込まれた携帯電話
機やハンディパソコン(携帯型パーソナルコンピュー
タ）が開発されている。例えば、小型カメラを備えた携
帯電話機は、通話者の映像を小型カメラにより撮像して
画像データとして取り込み、通話相手にその画像データ
を送信する。このような小型カメラは、一般的にＣ−Ｍ
ＯＳセンサとレンズとにより構成される。
機やハンディパソコン(携帯型パーソナルコンピュー
タ）が開発されている。例えば、小型カメラを備えた携
帯電話機は、通話者の映像を小型カメラにより撮像して
画像データとして取り込み、通話相手にその画像データ
を送信する。このような小型カメラは、一般的にＣ−Ｍ
ＯＳセンサとレンズとにより構成される。
【０００３】携帯電話機やハンディパソコンはより一層
の小型化が進められており、これらに使用される小型カ
メラにも小型化が要求されている。このようなカメラへ
の小型化の要求を満足するために、レンズとＣ−ＭＯＳ
センサとを一体化して形成した半導体装置パッケージが
開発されている。
の小型化が進められており、これらに使用される小型カ
メラにも小型化が要求されている。このようなカメラへ
の小型化の要求を満足するために、レンズとＣ−ＭＯＳ
センサとを一体化して形成した半導体装置パッケージが
開発されている。
【０００４】
【従来の技術】図１は、撮像用レンズとＣ−ＭＯＳセン
サを有する半導体チップとを一体化した構成の半導体装
置パッケージの断面図である。図１に示す半導体パッケ
ージにおいて、Ｃ−ＭＯＳセンサを有する半導体チップ
１は、その受光面１ａが上に向いた状態で、剛性を有す
るプリント基板２の上に搭載され、プリント基板２のパ
ターン配線２ａにワイヤボンディングされている。
サを有する半導体チップとを一体化した構成の半導体装
置パッケージの断面図である。図１に示す半導体パッケ
ージにおいて、Ｃ−ＭＯＳセンサを有する半導体チップ
１は、その受光面１ａが上に向いた状態で、剛性を有す
るプリント基板２の上に搭載され、プリント基板２のパ
ターン配線２ａにワイヤボンディングされている。
【０００５】撮像用レンズ３は筐体４に取り付けられて
いる。筐体４は、撮像用レンズ３が半導体チップ１の受
光面１ａの上方の所定の位置に配置されるよう、プリン
ト基板２に対して固定されている。したがって、図１に
示す小型カメラ用の半導体装置パッケージは、基板の上
に半導体チップが搭載され、その上にレンズが配置され
るという構成である。なお、撮像用レンズ３と半導体チ
ップ１との間には、ＩＲフィルタ５が配置されている。
いる。筐体４は、撮像用レンズ３が半導体チップ１の受
光面１ａの上方の所定の位置に配置されるよう、プリン
ト基板２に対して固定されている。したがって、図１に
示す小型カメラ用の半導体装置パッケージは、基板の上
に半導体チップが搭載され、その上にレンズが配置され
るという構成である。なお、撮像用レンズ３と半導体チ
ップ１との間には、ＩＲフィルタ５が配置されている。
【０００６】筐体４の底面には位置決めピン６が形成さ
れており、位置決めピン６をプリント基板２に設けられ
た位置決め孔７に挿入することにより、筐体４はプリン
ト基板２に正確に位置決めされる。これにより、筐体４
に取り付けられた撮像用レンズ３とプリント基板２に搭
載された半導体チップ１との位置決めが行われる。
れており、位置決めピン６をプリント基板２に設けられ
た位置決め孔７に挿入することにより、筐体４はプリン
ト基板２に正確に位置決めされる。これにより、筐体４
に取り付けられた撮像用レンズ３とプリント基板２に搭
載された半導体チップ１との位置決めが行われる。
【０００７】以上のような構成の半導体パッケージにお
いて、半導体チップ１に関連したキャパシタや抵抗等の
電子部品９を搭載する場合は、プリント基板２の下に別
のプリント基板８を配置する。すなわち、プリント基板
８に電子部品９を搭載すると共に、半導体チップ１及び
筐体４が取り付けられたプリント基板２をこのプリント
基板８に搭載する。
いて、半導体チップ１に関連したキャパシタや抵抗等の
電子部品９を搭載する場合は、プリント基板２の下に別
のプリント基板８を配置する。すなわち、プリント基板
８に電子部品９を搭載すると共に、半導体チップ１及び
筐体４が取り付けられたプリント基板２をこのプリント
基板８に搭載する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の構成の半導体装
置パッケージは、その構造に起因して以下のような問題
を有している。
置パッケージは、その構造に起因して以下のような問題
を有している。
【０００９】１）プリント基板８に電子部品９を搭載す
る場合、図２に示すように、電子部品９は半導体チップ
１及び筐体４が搭載されるプリント基板２の外側に配置
される。したがって、プリント基板８はプリント基板２
より大きくなり、半導体パッケージ全体の寸法が増大し
てしまう。
る場合、図２に示すように、電子部品９は半導体チップ
１及び筐体４が搭載されるプリント基板２の外側に配置
される。したがって、プリント基板８はプリント基板２
より大きくなり、半導体パッケージ全体の寸法が増大し
てしまう。
【００１０】２）受光素子を有する半導体チップ１の製
造過程において、半導体チップの厚みを小さくするため
に、半導体チップ１の背面を研磨機で削っている。この
ため、半導体チップ１の厚みはウェハ毎に変動する。変
動の範囲は通常±１５μｍ程度であるが、許容範囲とし
ては±３０μｍ程度ある。半導体チップ１の厚みが変動
すると、半導体チップ１の受光面１ａと撮像用レンズ３
との間の距離が変動してしまう。すなわち、レンズ３は
プリント基板２の表面から所定の距離に配置され、且つ
半導体チップ１の受光面１ａはプリント基板２の表面か
ら半導体チップ１の厚み分だけ離れた位置に配置される
ので、半導体チップ１の厚みが増大すると受光面１ａは
レンズ３に接近し、半導体チップ１の厚みが減少すると
受光面１ａはレンズ３から遠ざかる。
造過程において、半導体チップの厚みを小さくするため
に、半導体チップ１の背面を研磨機で削っている。この
ため、半導体チップ１の厚みはウェハ毎に変動する。変
動の範囲は通常±１５μｍ程度であるが、許容範囲とし
ては±３０μｍ程度ある。半導体チップ１の厚みが変動
すると、半導体チップ１の受光面１ａと撮像用レンズ３
との間の距離が変動してしまう。すなわち、レンズ３は
プリント基板２の表面から所定の距離に配置され、且つ
半導体チップ１の受光面１ａはプリント基板２の表面か
ら半導体チップ１の厚み分だけ離れた位置に配置される
ので、半導体チップ１の厚みが増大すると受光面１ａは
レンズ３に接近し、半導体チップ１の厚みが減少すると
受光面１ａはレンズ３から遠ざかる。
【００１１】レンズ３と半導体チップ１の受光面１ａと
の間の距離は、レンズの焦点距離に等しく設定されてお
り、レンズ３による像が受光面１ａで正確に結像するよ
うになっている。したがって、上述のようにレンズ３と
受光面１ａとの間の距離が変動すると、焦点ずれが発生
し、画像がボケるといった問題が発生する。
の間の距離は、レンズの焦点距離に等しく設定されてお
り、レンズ３による像が受光面１ａで正確に結像するよ
うになっている。したがって、上述のようにレンズ３と
受光面１ａとの間の距離が変動すると、焦点ずれが発生
し、画像がボケるといった問題が発生する。
【００１２】３）半導体チップ１をプリント基板２に搭
載する際、ダイス付け装置を使用して半導体チップ１を
プリント基板２の表面に接着し固定する。ダイス付け装
置では、チップの表面（受光素子が形成された面）を吸
着して保持し、プリント基板上に搬送して載置する。こ
のため、半導体チップの表面は吸着装置で覆われてしま
い、受光素子の形成された面を画像認識することができ
ない。したがって、半導体チップ１の外形を画像認識
し、この外形をプリント基板２上で半導体チップを位置
決めするための基準としている。しかし、半導体チップ
１の受光面１ａと外形とは必ずしも一定の位置関係とは
なっていない。すなわち、半導体チップ１はウェハをダ
イシングして分割することにより個片化される。その際
に半導体チップ１の外形が形成されるが、ダイシングに
よる切断位置が変動することにより、半導体チップ１の
外形に対する受光面の位置は一定とはならない。したが
って、レンズ３の焦点位置が正確に受光面１ａの中心に
一致しない場合がある。
載する際、ダイス付け装置を使用して半導体チップ１を
プリント基板２の表面に接着し固定する。ダイス付け装
置では、チップの表面（受光素子が形成された面）を吸
着して保持し、プリント基板上に搬送して載置する。こ
のため、半導体チップの表面は吸着装置で覆われてしま
い、受光素子の形成された面を画像認識することができ
ない。したがって、半導体チップ１の外形を画像認識
し、この外形をプリント基板２上で半導体チップを位置
決めするための基準としている。しかし、半導体チップ
１の受光面１ａと外形とは必ずしも一定の位置関係とは
なっていない。すなわち、半導体チップ１はウェハをダ
イシングして分割することにより個片化される。その際
に半導体チップ１の外形が形成されるが、ダイシングに
よる切断位置が変動することにより、半導体チップ１の
外形に対する受光面の位置は一定とはならない。したが
って、レンズ３の焦点位置が正確に受光面１ａの中心に
一致しない場合がある。
【００１３】４）半導体チップはワイヤボンディングに
よりプリント基板に搭載されるため、ワイヤボンディン
グ用のパッド(配線パターン２ａの一部として形成され
る）を半導体チップの周囲に配置しなければならない。
したがって、ボンディングパッドを配置する部分をプリ
ント基板２に設ける必要があり、半導体装置パッケージ
の小型化の妨げとなっている。
よりプリント基板に搭載されるため、ワイヤボンディン
グ用のパッド(配線パターン２ａの一部として形成され
る）を半導体チップの周囲に配置しなければならない。
したがって、ボンディングパッドを配置する部分をプリ
ント基板２に設ける必要があり、半導体装置パッケージ
の小型化の妨げとなっている。
【００１４】５）半導体装置パッケージとして実質的に
必要な厚さは、レンズ３の焦点距離に半導体チップ１の
厚みを加えた距離である。しかし、上述の従来の半導体
装置パッケージでは、半導体チップ１のレンズ３の反対
側にプリント基板２が配置されているため、半導体装置
パッケージの実際の厚みは、レンズ３の焦点距離に半導
体チップ１の厚みを加えた距離に更にプリント基板２の
厚みを加えた距離となる。したがって、プリント基板２
の厚み分だけ半導体装置パッケージの厚みが増大してい
る。また、電子部品９を搭載する場合は、プリント基板
２の下に更にプリント基板８が設けられるので、半導体
装置パッケージの実際の厚みは、プリント基板８の厚み
分が更に増大する。
必要な厚さは、レンズ３の焦点距離に半導体チップ１の
厚みを加えた距離である。しかし、上述の従来の半導体
装置パッケージでは、半導体チップ１のレンズ３の反対
側にプリント基板２が配置されているため、半導体装置
パッケージの実際の厚みは、レンズ３の焦点距離に半導
体チップ１の厚みを加えた距離に更にプリント基板２の
厚みを加えた距離となる。したがって、プリント基板２
の厚み分だけ半導体装置パッケージの厚みが増大してい
る。また、電子部品９を搭載する場合は、プリント基板
２の下に更にプリント基板８が設けられるので、半導体
装置パッケージの実際の厚みは、プリント基板８の厚み
分が更に増大する。
【００１５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、従来装置より厚みが小さく、面積も小さいパッケ
ージされた半導体装置及びその製造方法を提供すること
を主な目的とする。
あり、従来装置より厚みが小さく、面積も小さいパッケ
ージされた半導体装置及びその製造方法を提供すること
を主な目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１７】請求項１記載の発明は、所定の機能を提供
する半導体装置であって、機能部品が取り付けられる樹
脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ一部が露出した導電
体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体に埋め込まれ
た状態で前記配線パターンに接続された電子部品と、前
記樹脂筐体から露出した前記配線パターンの一部に対し
て接続された半導体素子とを有し、前記半導体素子は前
記樹脂筐体の機能部品と協働して前記所定の機能を提供
することを特徴とするものである。
する半導体装置であって、機能部品が取り付けられる樹
脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ一部が露出した導電
体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体に埋め込まれ
た状態で前記配線パターンに接続された電子部品と、前
記樹脂筐体から露出した前記配線パターンの一部に対し
て接続された半導体素子とを有し、前記半導体素子は前
記樹脂筐体の機能部品と協働して前記所定の機能を提供
することを特徴とするものである。
【００１８】請求項１記載の発明によれば、樹脂筐体の
中に配線パターンが埋め込まれるため、配線パターンを
支持するための基板が不要となり、半導体装置の厚みを
基板の厚み分だけ減少することができる。また、電子部
品も樹脂筐体に埋め込まれるため、電子部品を樹脂筐体
の周囲に配置するための基板も不要となる。これによ
り、半導体装置の面積が縮小するとともに、半導体装置
の厚みもさらに減少する。
中に配線パターンが埋め込まれるため、配線パターンを
支持するための基板が不要となり、半導体装置の厚みを
基板の厚み分だけ減少することができる。また、電子部
品も樹脂筐体に埋め込まれるため、電子部品を樹脂筐体
の周囲に配置するための基板も不要となる。これによ
り、半導体装置の面積が縮小するとともに、半導体装置
の厚みもさらに減少する。
【００１９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置であって、前記半導体素子は前記配線パターン
の一部に対してフリップチップ実装されたことを特徴と
するものである。
導体装置であって、前記半導体素子は前記配線パターン
の一部に対してフリップチップ実装されたことを特徴と
するものである。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、半導体素子
の突起電極を介して樹脂筐体の配線パターンに半導体素
子が実装されるため、半導体素子を電気的に接続するた
めのワイヤを半導体素子の周囲に設ける必要がなく、半
導体装置の面積を縮小することができる。また、半導体
素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの回路形
成面の反対側の背面を支持することができるため、回路
形成面を画像認識しながら実装を行うことができる。こ
れにより、半導体チップを高い位置精度で基板に実装す
ることができる。
の突起電極を介して樹脂筐体の配線パターンに半導体素
子が実装されるため、半導体素子を電気的に接続するた
めのワイヤを半導体素子の周囲に設ける必要がなく、半
導体装置の面積を縮小することができる。また、半導体
素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの回路形
成面の反対側の背面を支持することができるため、回路
形成面を画像認識しながら実装を行うことができる。こ
れにより、半導体チップを高い位置精度で基板に実装す
ることができる。
【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の半導体装置であって、前記配線パターンの露出部の
一部は前記樹脂筐体の面から突出していることを特徴と
するものである。
載の半導体装置であって、前記配線パターンの露出部の
一部は前記樹脂筐体の面から突出していることを特徴と
するものである。
【００２２】請求項３記載の発明によれば、配線パター
ンの樹脂筐体の面から突出した部分を外部接続端子とす
ることにより、半導体装置を容易に他の基板等へ接続す
ることができる。
ンの樹脂筐体の面から突出した部分を外部接続端子とす
ることにより、半導体装置を容易に他の基板等へ接続す
ることができる。
【００２３】請求項４記載の発明は、請求項１又は２記
載の半導体装置であって、前記樹脂筐体は前記半導体素
子の周囲において前記半導体素子側に突出した突出部を
有し、前記配線パターンの露出部の一部は前記突出部の
表面において露出していることを特徴とするものであ
る。
載の半導体装置であって、前記樹脂筐体は前記半導体素
子の周囲において前記半導体素子側に突出した突出部を
有し、前記配線パターンの露出部の一部は前記突出部の
表面において露出していることを特徴とするものであ
る。
【００２４】請求項４記載の発明によれば、突出部の先
端部に設けられた配線パターンを外部接続端子とするこ
とができる。
端部に設けられた配線パターンを外部接続端子とするこ
とができる。
【００２５】請求項５記載の発明は、請求項４記載の半
導体装置であって、前記半導体素子が取り付けられる配
線パターンの面から前記突出部の先端までの距離は、前
記半導体素子が取り付けられる配線パターンの面から前
記半導体装置の背面までの距離より大きいことを特徴と
するものである。
導体装置であって、前記半導体素子が取り付けられる配
線パターンの面から前記突出部の先端までの距離は、前
記半導体素子が取り付けられる配線パターンの面から前
記半導体装置の背面までの距離より大きいことを特徴と
するものである。
【００２６】請求項５記載の発明によれば、突出部の先
端に設けられた配線パターンを外部接続端子として、半
導体装置を基板に実装することができる。このため、半
導体装置を基板に接続するための部品が不要となる。
端に設けられた配線パターンを外部接続端子として、半
導体装置を基板に実装することができる。このため、半
導体装置を基板に接続するための部品が不要となる。
【００２７】また、請求項１乃至５のうちいずれか一項
記載の半導体装置において、前記樹脂筐体は前記電子部
品の直下に突出した突起部を有し、該突起部に前記配線
パターンの一部が埋め込まれた状態で延在していること
としてもよい。これにより、電子部品の下方にも配線パ
ターンを設けることができ、且つ電子部品の下方の配線
パターンと電子部品との間の距離を大きくとることがで
きる。したがって、電子部品を接続するためのハンダが
電子部品の下方にはみ出したとしても、電子部品の下方
の配線パターンに接触することを防止することができ
る。
記載の半導体装置において、前記樹脂筐体は前記電子部
品の直下に突出した突起部を有し、該突起部に前記配線
パターンの一部が埋め込まれた状態で延在していること
としてもよい。これにより、電子部品の下方にも配線パ
ターンを設けることができ、且つ電子部品の下方の配線
パターンと電子部品との間の距離を大きくとることがで
きる。したがって、電子部品を接続するためのハンダが
電子部品の下方にはみ出したとしても、電子部品の下方
の配線パターンに接触することを防止することができ
る。
【００２８】また、前記配線パターンを金属メッキによ
り形成することにより、配線パターンを金属メッキとす
ることにより容易に配線パターンを形成することができ
る。あるいは、前記配線パターンを導電性樹脂により形
成することにより、配線パターンを導電性樹脂により形
成することにより、容易に配線パターンを形成すること
ができる。
り形成することにより、配線パターンを金属メッキとす
ることにより容易に配線パターンを形成することができ
る。あるいは、前記配線パターンを導電性樹脂により形
成することにより、配線パターンを導電性樹脂により形
成することにより、容易に配線パターンを形成すること
ができる。
【００２９】また、前記機能部品は撮像用レンズを含
み、前記半導体素子は受光面を有する固体撮像素子であ
り、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とを前記撮像
用レンズを通過した光が前記半導体素子の受光面に入射
するように前記樹脂筐体に取り付けることにより、撮像
用レンズと固体撮像素子とを樹脂筐体により組み合わせ
て一体化した撮像用半導体装置を容易に形成することが
できる。撮像用半導体装置は面積が小さく、厚みも小さ
いので携帯用電子機器等に組み込むことができる。前記
機能部品は表面に絞りが形成されたフィルタを更に含
み、該フィルタを前記撮像用レンズと前記半導体素子の
間に配置された状態で前記樹脂筐体に取り付けることに
より、樹脂筐体にフィルタを取り付けるだけで、撮像用
レンズと半導体素子の受光面との間にフィルタを容易に
配置することができ、高い機能の撮像用半導体装置を提
供することができる。
み、前記半導体素子は受光面を有する固体撮像素子であ
り、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とを前記撮像
用レンズを通過した光が前記半導体素子の受光面に入射
するように前記樹脂筐体に取り付けることにより、撮像
用レンズと固体撮像素子とを樹脂筐体により組み合わせ
て一体化した撮像用半導体装置を容易に形成することが
できる。撮像用半導体装置は面積が小さく、厚みも小さ
いので携帯用電子機器等に組み込むことができる。前記
機能部品は表面に絞りが形成されたフィルタを更に含
み、該フィルタを前記撮像用レンズと前記半導体素子の
間に配置された状態で前記樹脂筐体に取り付けることに
より、樹脂筐体にフィルタを取り付けるだけで、撮像用
レンズと半導体素子の受光面との間にフィルタを容易に
配置することができ、高い機能の撮像用半導体装置を提
供することができる。
【００３０】請求項６記載の発明は、撮像用半導体装置
であって、上面と底面の間で貫通した開口を有する樹脂
筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体
の底面に露出した導電体からなる配線パターンと、前記
樹脂筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターンに接
続された電子部品と、前記配線パターンの露出部にフリ
ップチップ実装された固体撮像素子と、前記筐体の上面
側に取り付けられた撮像用レンズとを有し、前記撮像用
レンズと前記固体撮像素子とは、前記撮像用レンズを通
過する光が前記樹脂筐体の前記開口を介して前記固体撮
像素子の受光面に入射するように配置されたことを特徴
とするものである。
であって、上面と底面の間で貫通した開口を有する樹脂
筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体
の底面に露出した導電体からなる配線パターンと、前記
樹脂筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターンに接
続された電子部品と、前記配線パターンの露出部にフリ
ップチップ実装された固体撮像素子と、前記筐体の上面
側に取り付けられた撮像用レンズとを有し、前記撮像用
レンズと前記固体撮像素子とは、前記撮像用レンズを通
過する光が前記樹脂筐体の前記開口を介して前記固体撮
像素子の受光面に入射するように配置されたことを特徴
とするものである。
【００３１】請求項６記載の発明によれば、固体撮像素
子が直接樹脂筐体に実装されるため、固体撮像素子を実
装するための基板が不要である。したがって、撮像用半
導体装置の厚みは、実質的に撮像用レンズの焦点距離と
固体撮像素子の厚みとの和に等しくなる。すなわち、固
体撮像素子を実装するための基板の厚さが撮像用半導体
装置全体の厚みに含まれないため装置全体の厚みを減少
することができる。また、樹脂筐体の貫通した開口の両
側に撮像用レンズと固体撮像素子とが取り付けられるた
め、固体撮像素子の受光面を含む回路形成面を開口を介
して撮像用レンズと対向させることができる。また、固
体撮像素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの
回路形成面の反対側の背面を支持することができるた
め、回路形成面を画像認識しながら実装を行うことがで
きる。これにより、半導体チップを高い位置精度で樹脂
筐体に実装することができる。
子が直接樹脂筐体に実装されるため、固体撮像素子を実
装するための基板が不要である。したがって、撮像用半
導体装置の厚みは、実質的に撮像用レンズの焦点距離と
固体撮像素子の厚みとの和に等しくなる。すなわち、固
体撮像素子を実装するための基板の厚さが撮像用半導体
装置全体の厚みに含まれないため装置全体の厚みを減少
することができる。また、樹脂筐体の貫通した開口の両
側に撮像用レンズと固体撮像素子とが取り付けられるた
め、固体撮像素子の受光面を含む回路形成面を開口を介
して撮像用レンズと対向させることができる。また、固
体撮像素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの
回路形成面の反対側の背面を支持することができるた
め、回路形成面を画像認識しながら実装を行うことがで
きる。これにより、半導体チップを高い位置精度で樹脂
筐体に実装することができる。
【００３２】請求項７記載の発明は、請求項６記載の撮
像用半導体装置であって、表面に絞りが形成されたフィ
ルタを更に含み、該フィルタは前記撮像用レンズと前記
半導体素子との間に配置された状態で前記樹脂筐体の前
記開口内に取り付けられたことを特徴とするものであ
る。
像用半導体装置であって、表面に絞りが形成されたフィ
ルタを更に含み、該フィルタは前記撮像用レンズと前記
半導体素子との間に配置された状態で前記樹脂筐体の前
記開口内に取り付けられたことを特徴とするものであ
る。
【００３３】請求項７記載の発明によれば、樹脂筐体の
開口内にフィルタを取り付けるだけで、撮像用レンズと
半導体素子の受光面との間にフィルタを容易に配置する
ことができ、高い機能の撮像用半導体装置を提供するこ
とができる。
開口内にフィルタを取り付けるだけで、撮像用レンズと
半導体素子の受光面との間にフィルタを容易に配置する
ことができ、高い機能の撮像用半導体装置を提供するこ
とができる。
【００３４】請求項８記載の発明は、半導体装置の製造
方法であって、金属板の上に導電体よりなる配線パター
ンを形成し、該配線パターンに電子部品を接続し、該電
子部品と前記配線パターンとを前記金属板上で樹脂封止
して、前記電子部品と前記配線パターンとが埋め込まれ
た樹脂筐体を形成し、前記金属板を前記樹脂筐体から除
去して前記配線パターンの一部を露出させ、前記配線パ
ターンの露出部に半導体素子を接続し、前記樹脂筐体に
前記半導体素子と協働して所定の機能を提供する機能部
品を取り付けることを特徴とするものである。
方法であって、金属板の上に導電体よりなる配線パター
ンを形成し、該配線パターンに電子部品を接続し、該電
子部品と前記配線パターンとを前記金属板上で樹脂封止
して、前記電子部品と前記配線パターンとが埋め込まれ
た樹脂筐体を形成し、前記金属板を前記樹脂筐体から除
去して前記配線パターンの一部を露出させ、前記配線パ
ターンの露出部に半導体素子を接続し、前記樹脂筐体に
前記半導体素子と協働して所定の機能を提供する機能部
品を取り付けることを特徴とするものである。
【００３５】請求項８記載の発明によれば、配線パター
ン及び電子部品を樹脂筐体に容易に埋め込むことがで
き、且つ樹脂筐体の底面に配線パターンをさせることが
できる。これにより、請求項１記載の半導体装置を容易
に製造することができる。
ン及び電子部品を樹脂筐体に容易に埋め込むことがで
き、且つ樹脂筐体の底面に配線パターンをさせることが
できる。これにより、請求項１記載の半導体装置を容易
に製造することができる。
【００３６】また、前記配線パターンを形成する前に前
記金属板に凹部を形成し、前記配線パターンの一部が該
凹部内に配置されるように前記配線パターンを形成する
こととしてもよい。これにより、樹脂筐体の面から突出
した外部接続端子を容易に形成することができる。ま
た、電子部品の下側に突起部を形成することができ、こ
の突起部に配線パターンを配置することができる。
記金属板に凹部を形成し、前記配線パターンの一部が該
凹部内に配置されるように前記配線パターンを形成する
こととしてもよい。これにより、樹脂筐体の面から突出
した外部接続端子を容易に形成することができる。ま
た、電子部品の下側に突起部を形成することができ、こ
の突起部に配線パターンを配置することができる。
【００３７】また、前記配線パターンを形成する前に前
記金属板の一部を屈曲して凹部を形成し、前記配線パタ
ーンの一部が該凹部内に配置されるように前記配線パタ
ーンを形成することとしてもよい。これによれば、凹部
に対応した形状の突出部を樹脂筐体に容易に形成するこ
とができる。この突出部の先端に配線パターンを設ける
ことにより、外部接続端子とすることができる。前記配
線パターンを金属メッキにより形成することとすれば、
配線パターンを容易に形成することができる。また、前
記配線パターンの金属メッキの前に、前記金属板とは異
なる金属を前記金属板にメッキすることとすれば、金属
板をエッチングにより除去する際に、金属板とは異なる
金属メッキが存在することにより、金属板が完全にエッ
チングにより除去された時点でエッチング速度が変化す
る。金属板とは異なる金属メッキを、エッチング速度が
低い材料又はエッチングされない材料に選定しておくこ
とにより、容易にエッチングの終了を制御することがで
きる。さらに、前記配線パターンを導電性樹脂により形
成することとすれば、容易に配線パターンを形成するこ
とができる。
記金属板の一部を屈曲して凹部を形成し、前記配線パタ
ーンの一部が該凹部内に配置されるように前記配線パタ
ーンを形成することとしてもよい。これによれば、凹部
に対応した形状の突出部を樹脂筐体に容易に形成するこ
とができる。この突出部の先端に配線パターンを設ける
ことにより、外部接続端子とすることができる。前記配
線パターンを金属メッキにより形成することとすれば、
配線パターンを容易に形成することができる。また、前
記配線パターンの金属メッキの前に、前記金属板とは異
なる金属を前記金属板にメッキすることとすれば、金属
板をエッチングにより除去する際に、金属板とは異なる
金属メッキが存在することにより、金属板が完全にエッ
チングにより除去された時点でエッチング速度が変化す
る。金属板とは異なる金属メッキを、エッチング速度が
低い材料又はエッチングされない材料に選定しておくこ
とにより、容易にエッチングの終了を制御することがで
きる。さらに、前記配線パターンを導電性樹脂により形
成することとすれば、容易に配線パターンを形成するこ
とができる。
【００３８】また、前記金属板を前記樹脂筐体から除去
した後、前記半導体素子と協働して所定の機能を提供す
る機能部品を前記樹脂筐体に取り付けることとすれば、
所定の機能を提供する半導体装置を連続した工程で容易
に製造することができる。前記半導体素子は受光面を有
する固体撮像素子であり、前記撮像用レンズと前記固体
撮像素子とを前記撮像用レンズを通過した光が前記半導
体素子の受光面に入射するように前記樹脂筐体に取り付
けることとしてもよい。これによれば、撮像用レンズと
固体撮像素子とを樹脂筐体により組み合わせて一体化し
た撮像用半導体装置を容易に形成することができる。撮
像用半導体装置は面積が小さく、厚みも小さいので携帯
用電子機器等に組み込むことができる。
した後、前記半導体素子と協働して所定の機能を提供す
る機能部品を前記樹脂筐体に取り付けることとすれば、
所定の機能を提供する半導体装置を連続した工程で容易
に製造することができる。前記半導体素子は受光面を有
する固体撮像素子であり、前記撮像用レンズと前記固体
撮像素子とを前記撮像用レンズを通過した光が前記半導
体素子の受光面に入射するように前記樹脂筐体に取り付
けることとしてもよい。これによれば、撮像用レンズと
固体撮像素子とを樹脂筐体により組み合わせて一体化し
た撮像用半導体装置を容易に形成することができる。撮
像用半導体装置は面積が小さく、厚みも小さいので携帯
用電子機器等に組み込むことができる。
【００３９】請求項９記載の発明は、撮像用レンズが取
り付けられたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付
けられ、且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは
反対側の底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体
と、該樹脂成型体が実装される基板と、を有する撮像用
半導体装置であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装
される位置に開口を有しており、前記固体撮像素子は該
開口内に配置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に
実装されることを特徴とするものである。
り付けられたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付
けられ、且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは
反対側の底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体
と、該樹脂成型体が実装される基板と、を有する撮像用
半導体装置であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装
される位置に開口を有しており、前記固体撮像素子は該
開口内に配置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に
実装されることを特徴とするものである。
【００４０】請求項９記載の発明によれば、固体撮像用
素子が基板の開口内に配置されるため、撮像用半導体装
置の全体の高さに基板の厚みは含まれない。したがっ
て、撮像用半導体装置の全体の高さを低減することがで
き、薄型の撮像用半導体装置を実現することができる。
素子が基板の開口内に配置されるため、撮像用半導体装
置の全体の高さに基板の厚みは含まれない。したがっ
て、撮像用半導体装置の全体の高さを低減することがで
き、薄型の撮像用半導体装置を実現することができる。
【００４１】請求項１０記載の発明は、撮像用半導体装
置の製造方法であって、底面に突出した電極を有する樹
脂成型体を、該電極を用いて基板に実装する工程と、前
記樹脂成型体の実装工程の後に、固体撮像素子を前記基
板に形成された開口を通じて前記樹脂成型体の前記底面
に実装する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
置の製造方法であって、底面に突出した電極を有する樹
脂成型体を、該電極を用いて基板に実装する工程と、前
記樹脂成型体の実装工程の後に、固体撮像素子を前記基
板に形成された開口を通じて前記樹脂成型体の前記底面
に実装する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【００４２】請求項１０記載の発明によれば、樹脂成型
体を実装した後に固体撮像素子を実装するので、固体撮
像素子が外部の雰囲気に曝される時間が短くなり、固体
撮像素子に塵埃等が付着する可能性が少なくなる。した
がって、固体撮像素子の受光面に塵埃が付着することに
起因する画質の劣化を防止することができる。
体を実装した後に固体撮像素子を実装するので、固体撮
像素子が外部の雰囲気に曝される時間が短くなり、固体
撮像素子に塵埃等が付着する可能性が少なくなる。した
がって、固体撮像素子の受光面に塵埃が付着することに
起因する画質の劣化を防止することができる。
【００４３】請求項１１記載の発明は、機能部品が取り
付けられる樹脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部
が露出した導電体からなる配線パターンと、前記樹脂筐
体から露出した前記配線パターンの一部に対して接続さ
れた撮像素子と、前記樹脂筐体に設けられ、前記配線パ
ターンに接続された制御用半導体素子と、を有する撮像
用半導体装置であって、前記撮像素子は前記樹脂筐体に
設けられた前記制御用半導体素子と協働して撮像機能を
提供することを特徴とするものである。
付けられる樹脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部
が露出した導電体からなる配線パターンと、前記樹脂筐
体から露出した前記配線パターンの一部に対して接続さ
れた撮像素子と、前記樹脂筐体に設けられ、前記配線パ
ターンに接続された制御用半導体素子と、を有する撮像
用半導体装置であって、前記撮像素子は前記樹脂筐体に
設けられた前記制御用半導体素子と協働して撮像機能を
提供することを特徴とするものである。
【００４４】請求項１１記載の発明によれば、センサ機
能を分担する撮像素子とセンサ機能を制御する制御用半
導体素子とに分割して一つの樹脂筐体に設けることがで
きる。撮像素子と制御用半導体素子を夫々に適した製造
方法により別個に製造することにより、撮像素子と制御
用半導体素子の両方を効率的に製造することができる。
また、撮像素子と制御用半導体素子の両方の機能をより
一層向上することができる。
能を分担する撮像素子とセンサ機能を制御する制御用半
導体素子とに分割して一つの樹脂筐体に設けることがで
きる。撮像素子と制御用半導体素子を夫々に適した製造
方法により別個に製造することにより、撮像素子と制御
用半導体素子の両方を効率的に製造することができる。
また、撮像素子と制御用半導体素子の両方の機能をより
一層向上することができる。
【００４５】請求項１２記載の発明は、撮像用レンズが
取り付けられたレンズホルダと、該レンズホルダが取り
付けられ、且つ前記レンズホルダが取り付けられる側と
は反対側の底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体
と、該樹脂成型体が実装される基板とを有する撮像用半
導体装置であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装さ
れる位置に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開
口内に配置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実
装され、且つ前記樹脂成型体と前記基板との間にアンダ
ーフィル材が充填されたことを特徴とするものである。
取り付けられたレンズホルダと、該レンズホルダが取り
付けられ、且つ前記レンズホルダが取り付けられる側と
は反対側の底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体
と、該樹脂成型体が実装される基板とを有する撮像用半
導体装置であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装さ
れる位置に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開
口内に配置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実
装され、且つ前記樹脂成型体と前記基板との間にアンダ
ーフィル材が充填されたことを特徴とするものである。
【００４６】請求項１２記載の発明によれば、樹脂成型
体を基板に対してアンダーフィル材により強固に固定す
ることができ、樹脂成型体と基板との接続を補強するこ
とができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を
向上することができる。
体を基板に対してアンダーフィル材により強固に固定す
ることができ、樹脂成型体と基板との接続を補強するこ
とができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を
向上することができる。
【００４７】請求項１３記載の発明は、撮像用レンズが
取り付けられたレンズホルダと、該レンズホルダが取り
付けられ、且つ前記レンズホルダが取り付けられる側と
は反対側の底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体
と、該樹脂成型体が実装される基板とを有する撮像用半
導体装置であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装さ
れる位置に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開
口内に配置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実
装され、且つ前記樹脂成型体は異方導電性樹脂により前
記基板に実装されたことを特徴とするものである。
取り付けられたレンズホルダと、該レンズホルダが取り
付けられ、且つ前記レンズホルダが取り付けられる側と
は反対側の底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体
と、該樹脂成型体が実装される基板とを有する撮像用半
導体装置であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装さ
れる位置に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開
口内に配置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実
装され、且つ前記樹脂成型体は異方導電性樹脂により前
記基板に実装されたことを特徴とするものである。
【００４８】請求項１３記載の発明によれば、樹脂成型
体を基板に対して異方性導電樹脂により強固に固定する
ことができ、樹脂成型体と基板との接続を補強すること
ができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を向
上することができる。
体を基板に対して異方性導電樹脂により強固に固定する
ことができ、樹脂成型体と基板との接続を補強すること
ができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を向
上することができる。
【００４９】請求項１４記載の発明は、上面と平坦な底
面との間で貫通した開口を有する樹脂筐体と、該樹脂筐
体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体の平坦な底面に露
出した導電体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体に
埋め込まれた状態で、前記配線パターンに接続された電
子部品と、前記配線パターンの露出部にフリップチップ
実装された固体撮像素子と、前記樹脂筐体の上面側に取
り付けられた撮像用レンズと、前記樹脂筐体が実装され
た基板とを有し、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子
とは、前記撮像用レンズを通過する光が前記樹脂筐体の
前記開口を介して前記固体撮像素子の受光面に入射する
ように配置された撮像用半導体装置であって、前記樹脂
筐体の底面に露出した配線パターンは金属からなる実装
端子を介して前記基板の配線パターンに電気的に接続さ
れたことを特徴とするものである。
面との間で貫通した開口を有する樹脂筐体と、該樹脂筐
体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体の平坦な底面に露
出した導電体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体に
埋め込まれた状態で、前記配線パターンに接続された電
子部品と、前記配線パターンの露出部にフリップチップ
実装された固体撮像素子と、前記樹脂筐体の上面側に取
り付けられた撮像用レンズと、前記樹脂筐体が実装され
た基板とを有し、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子
とは、前記撮像用レンズを通過する光が前記樹脂筐体の
前記開口を介して前記固体撮像素子の受光面に入射する
ように配置された撮像用半導体装置であって、前記樹脂
筐体の底面に露出した配線パターンは金属からなる実装
端子を介して前記基板の配線パターンに電気的に接続さ
れたことを特徴とするものである。
【００５０】請求項１４記載の発明によれば、樹脂筐体
の底面に樹脂バンプを形成することなく、別個に設けら
れる実装端子を介して樹脂筐体を基板に実装する。した
がって、樹脂バンプを形成するための製造工程を省くこ
とができ、撮像用半導体装置の製造工程が簡略化され
る。
の底面に樹脂バンプを形成することなく、別個に設けら
れる実装端子を介して樹脂筐体を基板に実装する。した
がって、樹脂バンプを形成するための製造工程を省くこ
とができ、撮像用半導体装置の製造工程が簡略化され
る。
【００５１】請求項１５記載の発明は、撮像用半導体装
置の製造方法であって、金属板の平坦な表面上に導電体
よりなる配線パターンを形成し、該配線パターンに電子
部品を接続し、該電子部品と前記配線パターンとを前記
金属板上で樹脂封止して、前記電子部品と前記配線パタ
ーンとが埋め込まれた樹脂筐体を形成し、前記金属板を
前記樹脂筐体から除去して前記配線パターンの一部を露
出させ、前記樹脂筐体の平坦な底面に露出した前記配線
パターンの一部に実装端子を形成し、前記樹脂筐体を前
記実装端子を介して基板に実装し、前記樹脂筐体の底面
に露出した配線パターンに撮像素子をフリップチップ実
装し、前記撮像素子と協働して撮像機能を提供する機能
部品を前記樹脂筐体に取り付けることを特徴とするもの
である。
置の製造方法であって、金属板の平坦な表面上に導電体
よりなる配線パターンを形成し、該配線パターンに電子
部品を接続し、該電子部品と前記配線パターンとを前記
金属板上で樹脂封止して、前記電子部品と前記配線パタ
ーンとが埋め込まれた樹脂筐体を形成し、前記金属板を
前記樹脂筐体から除去して前記配線パターンの一部を露
出させ、前記樹脂筐体の平坦な底面に露出した前記配線
パターンの一部に実装端子を形成し、前記樹脂筐体を前
記実装端子を介して基板に実装し、前記樹脂筐体の底面
に露出した配線パターンに撮像素子をフリップチップ実
装し、前記撮像素子と協働して撮像機能を提供する機能
部品を前記樹脂筐体に取り付けることを特徴とするもの
である。
【００５２】請求項１５記載の発明によれば、樹脂筐体
の底面を平坦な面として、樹脂筐体を形成した後にその
底面に実装端子を形成し、実装端子を介して樹脂筐体を
基板に実装する。したがって、樹脂バンプを形成するた
めの製造工程を省くことができ、撮像用半導体装置の製
造工程が簡略化される。
の底面を平坦な面として、樹脂筐体を形成した後にその
底面に実装端子を形成し、実装端子を介して樹脂筐体を
基板に実装する。したがって、樹脂バンプを形成するた
めの製造工程を省くことができ、撮像用半導体装置の製
造工程が簡略化される。
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
て図面と共に説明する。
【００５３】図３は本発明の実施の形態による半導体装
置パッケージの断面図である。図３に示す半導体装置パ
ッケージは、半導体チップ１０、配線パターン１２ａ及
び筐体１４を有している。ここで、半導体チップ１０及
び筐体１４は、それぞれ図１に示す半導体チップ１及び
筐体４に相当する。また、配線パターン１２ａは、図１
のプリント基板２に形成された配線パターン２ａに相当
する。
置パッケージの断面図である。図３に示す半導体装置パ
ッケージは、半導体チップ１０、配線パターン１２ａ及
び筐体１４を有している。ここで、半導体チップ１０及
び筐体１４は、それぞれ図１に示す半導体チップ１及び
筐体４に相当する。また、配線パターン１２ａは、図１
のプリント基板２に形成された配線パターン２ａに相当
する。
【００５４】すなわち、本実施の形態による半導体装置
パッケージは、図１に示すプリント基板２を有しておら
ず、配線パターン１２ａが筐体１４に埋め込まれた状態
で筐体１４の表面から露出している。そして、この配線
パターン１２ａに対して半導体チップ１０の突起電極１
０ａが異方性導電樹脂１６によりフリップチップ実装さ
れた状態となっている。配線パターン１２ａは、基板上
に形成されたものであるが、半導体装置パッケージの製
造工程の途中で基板は除去され、図３に示す状態とな
る。基板を除去する工程については後述する。
パッケージは、図１に示すプリント基板２を有しておら
ず、配線パターン１２ａが筐体１４に埋め込まれた状態
で筐体１４の表面から露出している。そして、この配線
パターン１２ａに対して半導体チップ１０の突起電極１
０ａが異方性導電樹脂１６によりフリップチップ実装さ
れた状態となっている。配線パターン１２ａは、基板上
に形成されたものであるが、半導体装置パッケージの製
造工程の途中で基板は除去され、図３に示す状態とな
る。基板を除去する工程については後述する。
【００５５】配線パターン１２ａの裏側、すなわち筐体
１４側には、電子部品９がハンダ９ａにより接続されて
いる。配線パターン１２ａに電子部品９が搭載された
後、筐体１４の樹脂により電子部品９と配線パターン１
２ａはモールドされる。筐体１４を形成する樹脂で電子
部品９を樹脂モールドしたものである。
１４側には、電子部品９がハンダ９ａにより接続されて
いる。配線パターン１２ａに電子部品９が搭載された
後、筐体１４の樹脂により電子部品９と配線パターン１
２ａはモールドされる。筐体１４を形成する樹脂で電子
部品９を樹脂モールドしたものである。
【００５６】ここで、筐体１４は、後述の実施例のよう
に撮像用レンズを搭載する目的で用いられてもよいが、
その他、半導体チップ１０を用いて各種機能を実現する
半導体装置パッケージを形成するために用いることがで
きる。
に撮像用レンズを搭載する目的で用いられてもよいが、
その他、半導体チップ１０を用いて各種機能を実現する
半導体装置パッケージを形成するために用いることがで
きる。
【００５７】上述の実施の形態では、半導体チップ１０
に関連した電子部品９は筐体１４に埋め込まれ、図４に
示すように半導体チップ１０の面積の内側に配置されて
いる。このため、電子部品９が筐体１４の外側に配置さ
れておらず、半導体装置パッケージの外形を増大させる
ことはない。また、図１に示すような電子部品９を搭載
するために用いるプリント基板８が不要であり、プリン
ト基板８の厚み分半導体装置パッケージの厚みを減少す
ることができる。さらに、半導体チップを実装するため
の配線パターン１２ａが筐体１４に埋め込まれて支持さ
れた状態であり、図１に示すプリント基板２は不要とな
る。したがって、プリント基板２の厚み分だけ半導体装
置パッケージの厚みをさらに減少することができる。
に関連した電子部品９は筐体１４に埋め込まれ、図４に
示すように半導体チップ１０の面積の内側に配置されて
いる。このため、電子部品９が筐体１４の外側に配置さ
れておらず、半導体装置パッケージの外形を増大させる
ことはない。また、図１に示すような電子部品９を搭載
するために用いるプリント基板８が不要であり、プリン
ト基板８の厚み分半導体装置パッケージの厚みを減少す
ることができる。さらに、半導体チップを実装するため
の配線パターン１２ａが筐体１４に埋め込まれて支持さ
れた状態であり、図１に示すプリント基板２は不要とな
る。したがって、プリント基板２の厚み分だけ半導体装
置パッケージの厚みをさらに減少することができる。
【００５８】本実施の形態による半導体装置パッケージ
の製造方法については、以下の実施例において、より詳
細に説明される。
の製造方法については、以下の実施例において、より詳
細に説明される。
【００５９】次に、本発明の第１実施例による撮像用半
導体装置について、図５を参照しながら説明する。図５
は本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の断面図
である。図５において、図１に示す構成部品と同等の部
品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
導体装置について、図５を参照しながら説明する。図５
は本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の断面図
である。図５において、図１に示す構成部品と同等の部
品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００６０】本発明の第１実施例による撮像用半導体装
置は、図３に示す半導体装置パッケージにおいて、半導
体チップ１０として固体撮像素子チップ１０Ａを用い、
且つ筐体１４として撮像用レンズ３を取り付けるための
筐体１４Ａとしたものである。したがって、固体撮像素
子チップ１０Ａに接続される電子部品９は、撮像用レン
ズ３が取り付けられる筐体１４Ａ中に埋め込まれた状態
である。これにより、本発明の第１実施例による撮像用
半導体装置は、図１に示す撮像用半導体装置より小さな
水平投影面積内に収められている。
置は、図３に示す半導体装置パッケージにおいて、半導
体チップ１０として固体撮像素子チップ１０Ａを用い、
且つ筐体１４として撮像用レンズ３を取り付けるための
筐体１４Ａとしたものである。したがって、固体撮像素
子チップ１０Ａに接続される電子部品９は、撮像用レン
ズ３が取り付けられる筐体１４Ａ中に埋め込まれた状態
である。これにより、本発明の第１実施例による撮像用
半導体装置は、図１に示す撮像用半導体装置より小さな
水平投影面積内に収められている。
【００６１】また、本発明の第１実施例による撮像用半
導体装置では、電子部品９を設けるためのプリント基板
（図１のプリント基板８）は不要である。また、固体撮
像素子チップ（半導体チップ１０）を実装するための配
線パターン１２ａも筐体１４Ａに埋め込まれて支持され
ているため、固体撮像素子チップ１０Ａを実装するため
のプリント基板（図１のプリント基板２）も不要であ
る。これにより、本発明の第１実施例による撮像用半導
体装置は、図１に示す撮像用半導体装置より高さ方向の
寸法、すなわち厚みが図１に示す撮像用半導体装置より
小さくなっている。
導体装置では、電子部品９を設けるためのプリント基板
（図１のプリント基板８）は不要である。また、固体撮
像素子チップ（半導体チップ１０）を実装するための配
線パターン１２ａも筐体１４Ａに埋め込まれて支持され
ているため、固体撮像素子チップ１０Ａを実装するため
のプリント基板（図１のプリント基板２）も不要であ
る。これにより、本発明の第１実施例による撮像用半導
体装置は、図１に示す撮像用半導体装置より高さ方向の
寸法、すなわち厚みが図１に示す撮像用半導体装置より
小さくなっている。
【００６２】上述のように、本発明の第１実施例による
撮像用半導体装置は、図１に示す撮像用半導体装置より
面積が小さく、また厚みも小さい。
撮像用半導体装置は、図１に示す撮像用半導体装置より
面積が小さく、また厚みも小さい。
【００６３】ここで、筐体１４Ａの構造について説明す
る。
る。
【００６４】筐体１４Ａは略中央に貫通開口を有してお
り、貫通開口を通じて撮像用レンズ３からの光が固体撮
像素子チップ１０Ａの受光面１４Ａａに入射する。撮像
用レンズ３と固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１４Ａ
ａとの間にはＩＲフィルタ５が配置される。ＩＲフィル
タ５は筐体１４Ａの貫通開口の段差部分に配置され、接
着剤２０により固定される。ＩＲフィルタ５のレンズ３
側には、所定の大きさの開孔を有する絞り５ａが設けら
れる。
り、貫通開口を通じて撮像用レンズ３からの光が固体撮
像素子チップ１０Ａの受光面１４Ａａに入射する。撮像
用レンズ３と固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１４Ａ
ａとの間にはＩＲフィルタ５が配置される。ＩＲフィル
タ５は筐体１４Ａの貫通開口の段差部分に配置され、接
着剤２０により固定される。ＩＲフィルタ５のレンズ３
側には、所定の大きさの開孔を有する絞り５ａが設けら
れる。
【００６５】撮像用レンズ３は筐体１４Ａの貫通開口に
おいて、固体撮像素子チップ１０Ａの反対側に取り付け
られ、レンズ押さえ蓋２２により固定される。レンズ押
さえ蓋２２は接着剤２４により筐体１４Ａに固定され
る。したがって、撮像用レンズ３に入射した光は、撮像
用レンズ３により集束され、絞り５ａとＩＲフィルタ５
とを通過して、固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０
Ａａに入射する。
おいて、固体撮像素子チップ１０Ａの反対側に取り付け
られ、レンズ押さえ蓋２２により固定される。レンズ押
さえ蓋２２は接着剤２４により筐体１４Ａに固定され
る。したがって、撮像用レンズ３に入射した光は、撮像
用レンズ３により集束され、絞り５ａとＩＲフィルタ５
とを通過して、固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０
Ａａに入射する。
【００６６】上述のように、筐体１４Ａの底面には配線
パターン１２ａが埋め込まれた状態で設けられており、
固体撮像素子チップ１０Ａの突起電極（バンプ）１０Ａ
ｂが配線パターン１２ａを介してフリップチップ実装さ
れる。なお、筐体１４Ａの底面には、配線パターン１２
ａの延長部分として外部接続端子２６が形成される。
パターン１２ａが埋め込まれた状態で設けられており、
固体撮像素子チップ１０Ａの突起電極（バンプ）１０Ａ
ｂが配線パターン１２ａを介してフリップチップ実装さ
れる。なお、筐体１４Ａの底面には、配線パターン１２
ａの延長部分として外部接続端子２６が形成される。
【００６７】図６は上述の撮像用半導体装置の配線構成
を示す図である。図６における最外形は、筐体１４Ａの
外形に相当する。また、中央の斜線を施した領域は、固
体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａに相当する。
を示す図である。図６における最外形は、筐体１４Ａの
外形に相当する。また、中央の斜線を施した領域は、固
体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａに相当する。
【００６８】次に、図５に示す撮像用半導体装置の製造
方法について、図７乃至図１８を参照しながら説明す
る。図７乃至図１８は、撮像用半導体装置の製造工程を
順を追って示す図である。図７乃至図１８の各々におい
て、（ｂ）は平面図を示し、（ａ）は（ｂ）の平面図に
おける一点鎖線に沿った断面図を示す。
方法について、図７乃至図１８を参照しながら説明す
る。図７乃至図１８は、撮像用半導体装置の製造工程を
順を追って示す図である。図７乃至図１８の各々におい
て、（ｂ）は平面図を示し、（ａ）は（ｂ）の平面図に
おける一点鎖線に沿った断面図を示す。
【００６９】まず、図７に示すように、配線パターン１
２ａを形成するための基体となる基板１２を準備する。
基板１２は、例えば厚さ０．１ｍｍの銅板である。
２ａを形成するための基体となる基板１２を準備する。
基板１２は、例えば厚さ０．１ｍｍの銅板である。
【００７０】次に、図８に示すように、基板１２の所定
の位置にエッチングやプレス等によりディンプル（凹
部）２８を形成する。ディンプル２８は外部接続端子２
６を形成するための凹部であり、図６に示す外部接続電
極２６の位置に形成される。
の位置にエッチングやプレス等によりディンプル（凹
部）２８を形成する。ディンプル２８は外部接続端子２
６を形成するための凹部であり、図６に示す外部接続電
極２６の位置に形成される。
【００７１】その後、図９に示すように、基板１２の表
面及び裏面の全面に感光性レジスト３０を塗布する。そ
して、図１０に示すように、配線パターン１２ａを形成
する部分のレジスト２８を除去する。レジスト２８の除
去は、周知の技術である露光処理及び現像処理により行
う。
面及び裏面の全面に感光性レジスト３０を塗布する。そ
して、図１０に示すように、配線パターン１２ａを形成
する部分のレジスト２８を除去する。レジスト２８の除
去は、周知の技術である露光処理及び現像処理により行
う。
【００７２】続いて、図１１に示すように、レジスト２
８を除去した部分に配線パターン１２ａを形成する。配
線パターン１２ａは、電解メッキにより銅を堆積するこ
とにより形成することができる。あるいは、導電性ペー
スト等をレジスト２８が除去された部分に塗布して配線
パターン１２ａを形成することもできる。電解メッキを
用いる場合、最初に基板１２の材料である銅とは異なる
金属、例えば、金又はニッケルのような金属をメッキ
し、その後銅メッキを施すことが好ましい。これは、後
述のように基板１２をエッチングで除去する場合に、銅
のエッチング速度と金又はニッケルのエッチング速度と
の相違により、基板１２のエッチングを金又はニッケル
の層で止めて、基板のみ除去するためである。
８を除去した部分に配線パターン１２ａを形成する。配
線パターン１２ａは、電解メッキにより銅を堆積するこ
とにより形成することができる。あるいは、導電性ペー
スト等をレジスト２８が除去された部分に塗布して配線
パターン１２ａを形成することもできる。電解メッキを
用いる場合、最初に基板１２の材料である銅とは異なる
金属、例えば、金又はニッケルのような金属をメッキ
し、その後銅メッキを施すことが好ましい。これは、後
述のように基板１２をエッチングで除去する場合に、銅
のエッチング速度と金又はニッケルのエッチング速度と
の相違により、基板１２のエッチングを金又はニッケル
の層で止めて、基板のみ除去するためである。
【００７３】次に、図１２に示すように、全てのレジス
ト３０を除去する。これにより、基板１２の上に配線パ
ターン１２ａが形成される。なお、ディンプル２８の中
にメッキされた部分は、外部接続端子２６に相当する。
続いて、図１３に示すように、基板１２上の配線パター
ンの所定の位置に電子部品９を搭載しハンダ付けする。
ト３０を除去する。これにより、基板１２の上に配線パ
ターン１２ａが形成される。なお、ディンプル２８の中
にメッキされた部分は、外部接続端子２６に相当する。
続いて、図１３に示すように、基板１２上の配線パター
ンの所定の位置に電子部品９を搭載しハンダ付けする。
【００７４】その後、図１４に示すように、筐体１４Ａ
を樹脂によりモールド成形する。筐体１４Ａは、基板１
２の配線パターン１２ａが形成された側に形成される。
したがって、電子部品９、配線パターン１２ａ及び外部
接続端子２６は、筐体１４Ａに埋め込まれた状態とな
る。
を樹脂によりモールド成形する。筐体１４Ａは、基板１
２の配線パターン１２ａが形成された側に形成される。
したがって、電子部品９、配線パターン１２ａ及び外部
接続端子２６は、筐体１４Ａに埋め込まれた状態とな
る。
【００７５】次に、図１５に示すように、基板１２をエ
ッチングにより除去する。この際、基板１２は銅で形成
されているため、銅のエッチングが行われるが、図１１
に示すメッキ工程で金又はニッケルメッキを施しておく
ことにより、基板１２を除去する工程において配線パタ
ーン１２ａ及び外部接続電極２６まで除去されてしまう
ことを防止することができる。基板１２が除去された後
は、その底面に配線パターン１２ａ及び外部接続電極２
６が露出した筐体１４Ａが残る。なお、エッチングによ
り基板１２を除去する代わりに、基板１２を引き剥がす
方法を用いることもできる。
ッチングにより除去する。この際、基板１２は銅で形成
されているため、銅のエッチングが行われるが、図１１
に示すメッキ工程で金又はニッケルメッキを施しておく
ことにより、基板１２を除去する工程において配線パタ
ーン１２ａ及び外部接続電極２６まで除去されてしまう
ことを防止することができる。基板１２が除去された後
は、その底面に配線パターン１２ａ及び外部接続電極２
６が露出した筐体１４Ａが残る。なお、エッチングによ
り基板１２を除去する代わりに、基板１２を引き剥がす
方法を用いることもできる。
【００７６】外部接続電極２６は、基板１２のディンプ
ル２８内に形成されていたため、基板１２が除去された
状態では、筐体１４Ａの底面から突出した状態となる。
これにより、本実施例による撮像用半導体装置を例えば
他の基板に接続する際に、突出した外部接続電極２６を
用いて容易に接続することができる。なお、外部接続電
極２６は必ずしも突出して設ける必要はなく、配線パタ
ーン１２ａと同様に筐体１４Ａの底面に露出しているだ
けでもよい。この場合、基板１２にディンプル２８を設
ける必要なない。
ル２８内に形成されていたため、基板１２が除去された
状態では、筐体１４Ａの底面から突出した状態となる。
これにより、本実施例による撮像用半導体装置を例えば
他の基板に接続する際に、突出した外部接続電極２６を
用いて容易に接続することができる。なお、外部接続電
極２６は必ずしも突出して設ける必要はなく、配線パタ
ーン１２ａと同様に筐体１４Ａの底面に露出しているだ
けでもよい。この場合、基板１２にディンプル２８を設
ける必要なない。
【００７７】基板１２の除去が終了すると、次に、図１
６に示すように、固体撮像素子チップ１０Ａを、筐体１
４Ａの底面に露出している配線パターン１２ａに異方性
導電樹脂１６を用いてフリップチップ実装する。
６に示すように、固体撮像素子チップ１０Ａを、筐体１
４Ａの底面に露出している配線パターン１２ａに異方性
導電樹脂１６を用いてフリップチップ実装する。
【００７８】その後、図１７に示すように、上面に絞り
５ａが形成されたＩＲフィルタ５を筐体１４Ａに取り付
けて接着剤で固定する。そして、図１８に示すように、
撮像用レンズ３を筐体１４Ａに取り付けてレンズ押さえ
蓋２２により固定し、撮像用半導体装置が完成する。
５ａが形成されたＩＲフィルタ５を筐体１４Ａに取り付
けて接着剤で固定する。そして、図１８に示すように、
撮像用レンズ３を筐体１４Ａに取り付けてレンズ押さえ
蓋２２により固定し、撮像用半導体装置が完成する。
【００７９】次に、本発明の第２実施例による撮像用半
導体装置について、図１９及び図２０を参照しながら説
明する。図１９は本発明の第２実施例による撮像用半導
体装置の断面図である。図２０は図１９におけるＡ部の
拡大図である。図１９及び図２０において、図５に示す
構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は
省略する。
導体装置について、図１９及び図２０を参照しながら説
明する。図１９は本発明の第２実施例による撮像用半導
体装置の断面図である。図２０は図１９におけるＡ部の
拡大図である。図１９及び図２０において、図５に示す
構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は
省略する。
【００８０】本発明の第２実施例による撮像用半導体装
置は、上述の第１実施例による撮像用半導体装置と基本
的に同じ構成を有するが、筐体１４Ａの構造が相違す
る。すなわち、本発明の第２実施例による撮像用半導体
装置は、筐体１４Ａの代わりに筐体１４Ｂを有してい
る。これにより、外部接続端子２６の構成も相違し、外
部接続端子２６Ａとなっている。
置は、上述の第１実施例による撮像用半導体装置と基本
的に同じ構成を有するが、筐体１４Ａの構造が相違す
る。すなわち、本発明の第２実施例による撮像用半導体
装置は、筐体１４Ａの代わりに筐体１４Ｂを有してい
る。これにより、外部接続端子２６の構成も相違し、外
部接続端子２６Ａとなっている。
【００８１】図１９及び２０に示すように、筐体１４Ｂ
は、固体撮像素子チップ１０Ａの背面１０Ａｃよりも突
出した突出部１４Ｂａを、固体撮像素子チップ１０Ａの
周囲に有している。そして、突出部１４Ｂａに外部接続
端子２６Ａが形成されている。したがって、外部接続端
子２６Ａは固体撮像素子チップ１０Ａの背面１０Ａｃよ
りも突出している。
は、固体撮像素子チップ１０Ａの背面１０Ａｃよりも突
出した突出部１４Ｂａを、固体撮像素子チップ１０Ａの
周囲に有している。そして、突出部１４Ｂａに外部接続
端子２６Ａが形成されている。したがって、外部接続端
子２６Ａは固体撮像素子チップ１０Ａの背面１０Ａｃよ
りも突出している。
【００８２】上述の構成により、本実施例による撮像用
半導体装置を平面上に置いた場合、撮像用半導体装置は
外部接続端子２６Ａにより支持される。したがって、本
実施例による撮像用半導体装置は、外部接続端子２６Ａ
を利用して例えばプリント基板上に載置して実装するこ
とができる。これにより、外部装置への接続用の例えば
フレキシブル基板等を設ける必要がなくなり、撮像用半
導体装置を使用した装置のコストの削減及びサイズの縮
小を達成することができる。
半導体装置を平面上に置いた場合、撮像用半導体装置は
外部接続端子２６Ａにより支持される。したがって、本
実施例による撮像用半導体装置は、外部接続端子２６Ａ
を利用して例えばプリント基板上に載置して実装するこ
とができる。これにより、外部装置への接続用の例えば
フレキシブル基板等を設ける必要がなくなり、撮像用半
導体装置を使用した装置のコストの削減及びサイズの縮
小を達成することができる。
【００８３】次に、本発明の第２実施例による撮像用半
導体装置の製造方法について図２１及び図２２を用いて
説明する。
導体装置の製造方法について図２１及び図２２を用いて
説明する。
【００８４】本発明の第２実施例による撮像用半導体装
置の製造方法は、図７乃至図１８に示す本発明の第１実
施例による撮像用半導体装置の製造方法と基本的に同じ
であるが、図２１に示す工程が異なる。
置の製造方法は、図７乃至図１８に示す本発明の第１実
施例による撮像用半導体装置の製造方法と基本的に同じ
であるが、図２１に示す工程が異なる。
【００８５】すなわち、本発明の第２実施例による撮像
用半導体装置の製造工程では、配線パターン１２ａを形
成する前に、図２１に示すように基板１２を折り曲げる
ことにより比較的大きな凹部３２を形成する。図２１に
示す工程は、図７に示す工程の代わりに行われる。
用半導体装置の製造工程では、配線パターン１２ａを形
成する前に、図２１に示すように基板１２を折り曲げる
ことにより比較的大きな凹部３２を形成する。図２１に
示す工程は、図７に示す工程の代わりに行われる。
【００８６】そして、配線パターン１２ａを形成するた
めに、図２２に示すように基板１２の両面に感光性レジ
スト３０を塗布する。図２２に示す工程は図９に示す工
程に相当する。その後の工程は、上述の第１実施例によ
る撮像用半導体装置の製造方法と同様であり、その説明
は省略する。
めに、図２２に示すように基板１２の両面に感光性レジ
スト３０を塗布する。図２２に示す工程は図９に示す工
程に相当する。その後の工程は、上述の第１実施例によ
る撮像用半導体装置の製造方法と同様であり、その説明
は省略する。
【００８７】次に、本発明の第３実施例による撮像用半
導体装置について、図２３及び図２４を参照しながら説
明する。図２３は本発明の第３実施例による撮像用半導
体装置の断面図である。図２４は図２３のＡ部の拡大図
であり、図２５はＡ部に設けられている部品の配置を示
す平面図である。図２３乃至２５において、図５に示す
構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は
省略する。
導体装置について、図２３及び図２４を参照しながら説
明する。図２３は本発明の第３実施例による撮像用半導
体装置の断面図である。図２４は図２３のＡ部の拡大図
であり、図２５はＡ部に設けられている部品の配置を示
す平面図である。図２３乃至２５において、図５に示す
構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は
省略する。
【００８８】本発明の第３実施例による撮像用半導体装
置は、上述の第１実施例による撮像用半導体装置と基本
的に同じ構成を有するが、筐体１４Ａの構造が相違す
る。すなわち、本発明の第３実施例による撮像用半導体
装置は、筐体１４Ａの代わりに筐体１４Ｃを有してい
る。
置は、上述の第１実施例による撮像用半導体装置と基本
的に同じ構成を有するが、筐体１４Ａの構造が相違す
る。すなわち、本発明の第３実施例による撮像用半導体
装置は、筐体１４Ａの代わりに筐体１４Ｃを有してい
る。
【００８９】筐体１４Ｃは、図２３に示すように、電子
部品９の下方に突出した突起部１４Ｃａを有する。図２
４に詳しく示されるように、突起部１４Ｃａの中には配
線パターン１２ａの一部が延在している。すなわち、電
子部品９の下方に延在する配線パターン１２ａは、突起
部１４Ｃａの中に埋め込まれている。これにより、電子
部品９の下方にも配線パターン１２ａを配置することが
でき、且つ配線パターン１２ａと電子部品９を接続する
ハンダ９ａとの間の距離を十分とることができる。
部品９の下方に突出した突起部１４Ｃａを有する。図２
４に詳しく示されるように、突起部１４Ｃａの中には配
線パターン１２ａの一部が延在している。すなわち、電
子部品９の下方に延在する配線パターン１２ａは、突起
部１４Ｃａの中に埋め込まれている。これにより、電子
部品９の下方にも配線パターン１２ａを配置することが
でき、且つ配線パターン１２ａと電子部品９を接続する
ハンダ９ａとの間の距離を十分とることができる。
【００９０】図２６は突起部１４Ｃａを形成しないで電
子部品９の下側に配線パターン１２ａを配置した場合を
示す図である。この場合、Ａ部に示すように、配線パタ
ーン１２ａと電子部品との間の距離が非常に小さくな
る。また、電子部品９を接続するためのハンダ９ａが電
子部品９の内側に流れた場合、電子部品９の下方に延在
する配線パターン１２ａに接触するおそれがある。
子部品９の下側に配線パターン１２ａを配置した場合を
示す図である。この場合、Ａ部に示すように、配線パタ
ーン１２ａと電子部品との間の距離が非常に小さくな
る。また、電子部品９を接続するためのハンダ９ａが電
子部品９の内側に流れた場合、電子部品９の下方に延在
する配線パターン１２ａに接触するおそれがある。
【００９１】しかし、本実施例のように筐体１４Ｃに突
起部１４Ｃａを形成して、突起部１４Ｃａに配線パター
ン１２ａを埋め込むこととすれば、電子部品９の下方に
延在する配線パターン１２ａと電子部品９及びそれを接
続するためのハンダ９ａとの間の距離を十分とることが
できる。これにより、電子部品の下方に配線パターン１
２ａを配置するこおとができ、配線パターン１２ａの設
計の自由度を増大することができる。
起部１４Ｃａを形成して、突起部１４Ｃａに配線パター
ン１２ａを埋め込むこととすれば、電子部品９の下方に
延在する配線パターン１２ａと電子部品９及びそれを接
続するためのハンダ９ａとの間の距離を十分とることが
できる。これにより、電子部品の下方に配線パターン１
２ａを配置するこおとができ、配線パターン１２ａの設
計の自由度を増大することができる。
【００９２】なお、突起部１４Ｃａは、図１１に示す工
程と同様に形成することができる。すなわち、基板１２
に配線パターン１２ａを形成する前に、基板１２の電子
部品９が配置される位置にディンプルを形成し、ディン
プルの中に配線パターン１２ａを形成すればよい。
程と同様に形成することができる。すなわち、基板１２
に配線パターン１２ａを形成する前に、基板１２の電子
部品９が配置される位置にディンプルを形成し、ディン
プルの中に配線パターン１２ａを形成すればよい。
【００９３】次に、本発明の第４実施例による撮像用半
導体装置について説明する。図２７は本発明の第４実施
例による撮像用半導体装置を示す図であり、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は断面図である。
導体装置について説明する。図２７は本発明の第４実施
例による撮像用半導体装置を示す図であり、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は断面図である。
【００９４】本実施例による撮像用半導体装置４０は、
撮像用レンズ４４と固体撮像素子チップ１０Ａとが取り
付けられた筐体４１と、筐体４１が搭載される基板４２
とよりなる。
撮像用レンズ４４と固体撮像素子チップ１０Ａとが取り
付けられた筐体４１と、筐体４１が搭載される基板４２
とよりなる。
【００９５】本実施例では、筐体４１はレンズホルダ４
３Ａとモールド成型体（樹脂成型体）４３Ｂとに分離し
て形成される。撮像用レンズ４４はレンズホルダ４１Ａ
の略中央に配置され、撮像用レンズ４４の上部にはレン
ズに像を取り込むための開口４１Ａａが形成されてい
る。撮像用レンズ４４の下部には絞り４１Ａｂが形成さ
れ、絞り４１Ａｂの下にはＩＲフィルタ４５が配置され
ている。
３Ａとモールド成型体（樹脂成型体）４３Ｂとに分離し
て形成される。撮像用レンズ４４はレンズホルダ４１Ａ
の略中央に配置され、撮像用レンズ４４の上部にはレン
ズに像を取り込むための開口４１Ａａが形成されてい
る。撮像用レンズ４４の下部には絞り４１Ａｂが形成さ
れ、絞り４１Ａｂの下にはＩＲフィルタ４５が配置され
ている。
【００９６】上述のような構成のレンズホルダ４１Ａ
は、中央に開口４１Ｂａを有するモールド成型体４１Ｂ
に取り付けられる。モールド成型体４１Ｂは、上述の第
３実施例と同様に内部に電子部品が組み込まれ、且つ底
面４１Ｂｂに突出して形成された突起部４１Ｂｃ上に外
部接続端子４１Ｂｄが形成されている。電子部品の組み
込みと、外部接続端子４１Ｂｄの形成は、上述の第３実
施例と同様な方法により行われるため、その説明は省略
する。
は、中央に開口４１Ｂａを有するモールド成型体４１Ｂ
に取り付けられる。モールド成型体４１Ｂは、上述の第
３実施例と同様に内部に電子部品が組み込まれ、且つ底
面４１Ｂｂに突出して形成された突起部４１Ｂｃ上に外
部接続端子４１Ｂｄが形成されている。電子部品の組み
込みと、外部接続端子４１Ｂｄの形成は、上述の第３実
施例と同様な方法により行われるため、その説明は省略
する。
【００９７】モールド成型体４１Ｂの底面４１Ｂｂに
は、固体撮像素子チップ１０Ａがフリップチップ実装さ
れる。固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａは、
モールド成型体４１Ｂの開口４１Ｂａを介して撮像用レ
ンズ４４に対向している。これにより、撮像用レンズ４
４により受光面１０Ａａ上に結像することができる。
は、固体撮像素子チップ１０Ａがフリップチップ実装さ
れる。固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａは、
モールド成型体４１Ｂの開口４１Ｂａを介して撮像用レ
ンズ４４に対向している。これにより、撮像用レンズ４
４により受光面１０Ａａ上に結像することができる。
【００９８】本実施例では、筐体４１のモールド成型体
４１Ｂの底面４１Ｂｂに形成された外部接続端子４１Ｂ
ｄを用いて、筐体４１が基板４２に実装されている。
４１Ｂの底面４１Ｂｂに形成された外部接続端子４１Ｂ
ｄを用いて、筐体４１が基板４２に実装されている。
【００９９】基板４２はベースとなるポリイミドフィル
ム４２Ａと、ポリイミドフィルム４２Ａ上に形成された
銅板又は銅箔等よりなる配線４２Ｂとより構成される。
モールド成型体４１Ｂの底面４１Ｂｂには固体撮像素子
チップ１０Ａが実装されており、これを避けるために、
基板４２には開口４２ａが形成される。
ム４２Ａと、ポリイミドフィルム４２Ａ上に形成された
銅板又は銅箔等よりなる配線４２Ｂとより構成される。
モールド成型体４１Ｂの底面４１Ｂｂには固体撮像素子
チップ１０Ａが実装されており、これを避けるために、
基板４２には開口４２ａが形成される。
【０１００】固体撮像素子チップは１０Ａの厚みは例え
ば６００μｍ程度である。これに対して、基板４２の厚
みは１００μｍ以下であり、また、モールド成型体４１
Ｂの底面４１Ｂｂからの外部接続端子４１Ｂｄの突出高
さは８０μ程度である。したがって、基板４２の厚みと
外部接続端子４１Ｂｄの突出高さとを合わせても、固体
撮像素子チップ１０Ａの厚みよりは十分小さい。そのた
め、撮像用半導体装置４０の高さは、筐体４１と固体撮
像素子チップ１０Ａとを組合わせた高さとなり、基板４
２の厚みと外部接続端子４１Ｂｄの突出高さを合わせた
分だけ、固体撮像素子チップ１０Ａの厚み（高さ）を小
さくすることができる。撮像用半導体装置は、携帯機器
等の小型の機器に組み込まれる場合が多く、基板４２の
厚み程度であっても、固体撮像素子チップ１０Ａの厚み
（高さ）を小さくすることは重要である。
ば６００μｍ程度である。これに対して、基板４２の厚
みは１００μｍ以下であり、また、モールド成型体４１
Ｂの底面４１Ｂｂからの外部接続端子４１Ｂｄの突出高
さは８０μ程度である。したがって、基板４２の厚みと
外部接続端子４１Ｂｄの突出高さとを合わせても、固体
撮像素子チップ１０Ａの厚みよりは十分小さい。そのた
め、撮像用半導体装置４０の高さは、筐体４１と固体撮
像素子チップ１０Ａとを組合わせた高さとなり、基板４
２の厚みと外部接続端子４１Ｂｄの突出高さを合わせた
分だけ、固体撮像素子チップ１０Ａの厚み（高さ）を小
さくすることができる。撮像用半導体装置は、携帯機器
等の小型の機器に組み込まれる場合が多く、基板４２の
厚み程度であっても、固体撮像素子チップ１０Ａの厚み
（高さ）を小さくすることは重要である。
【０１０１】図２８は、基板４２の一例を示す平面図で
ある。基板４２の開口４２ａの周囲には、筐体４１のモ
ールド成型体４１Ｂの外部接続端子４１Ｂｄが接続され
る電極ランド４２ｂが配置され、配線４２Ｂにより基板
４２の端部へと引き出される。
ある。基板４２の開口４２ａの周囲には、筐体４１のモ
ールド成型体４１Ｂの外部接続端子４１Ｂｄが接続され
る電極ランド４２ｂが配置され、配線４２Ｂにより基板
４２の端部へと引き出される。
【０１０２】なお、基板４２の開口４２ａの角部付近に
は、配線４２Ｂに接続されずに電気的に孤立したダミー
ランド（電極パッド）４２ｃが配置されている。ダミー
ランド４２ｃは、モールド成型体４１Ｂの四隅に形成さ
れるダミーバンプ（ダミー突起部）に対応して形成され
る。モールド成型体４１Ｂのダミーバンプは、突起部４
１Ｂｃ及び外部接続端子４１Ｂｄと同様に形成される
が、実装される固体撮像素子チップ１０Ａの電極には接
続されず、電気的に孤立している。モールド成型体４１
Ｂのダミーバンプを基板４２のダミーランド４２ｃに接
合することにより、基板４２の角部をモールド成型体４
１Ｂに対して固定している。
は、配線４２Ｂに接続されずに電気的に孤立したダミー
ランド（電極パッド）４２ｃが配置されている。ダミー
ランド４２ｃは、モールド成型体４１Ｂの四隅に形成さ
れるダミーバンプ（ダミー突起部）に対応して形成され
る。モールド成型体４１Ｂのダミーバンプは、突起部４
１Ｂｃ及び外部接続端子４１Ｂｄと同様に形成される
が、実装される固体撮像素子チップ１０Ａの電極には接
続されず、電気的に孤立している。モールド成型体４１
Ｂのダミーバンプを基板４２のダミーランド４２ｃに接
合することにより、基板４２の角部をモールド成型体４
１Ｂに対して固定している。
【０１０３】基板４２の角部が固定されていないと、製
造工程や長期の使用中に角部が折れ曲がったり、反り返
ったりする不具合が生じるおそれがある。外部接続端子
４１Ｂｄが基板４２の開口４２ａの四隅付近に配置され
ている場合は、この外部接続端子４１Ｂｄが基板４２の
電極ランド４２ｂに接合されることとなり、基板４２の
角部は固定される。しかし、固体撮像素子チップ１０Ａ
の電極配置によっては、開口４２ａの四隅付近に外部接
続端子４１Ｂｄを形成する必要がない場合がある。この
ような場合に、上述のようにダミーバンプとダミーラン
ド４２ｃを設けることにより、基板４２の開口４２ａの
四隅付近をモールド成型体に固定し、折れ曲がりや反り
等の不具合が生じないようにする。ただし、外部接続端
子４１Ｂｄが四隅に形成されている場合は、ダミーバン
プは不要であり、したがってダミーランド４２ｃではな
く電極ランド４２ｂが配置される。
造工程や長期の使用中に角部が折れ曲がったり、反り返
ったりする不具合が生じるおそれがある。外部接続端子
４１Ｂｄが基板４２の開口４２ａの四隅付近に配置され
ている場合は、この外部接続端子４１Ｂｄが基板４２の
電極ランド４２ｂに接合されることとなり、基板４２の
角部は固定される。しかし、固体撮像素子チップ１０Ａ
の電極配置によっては、開口４２ａの四隅付近に外部接
続端子４１Ｂｄを形成する必要がない場合がある。この
ような場合に、上述のようにダミーバンプとダミーラン
ド４２ｃを設けることにより、基板４２の開口４２ａの
四隅付近をモールド成型体に固定し、折れ曲がりや反り
等の不具合が生じないようにする。ただし、外部接続端
子４１Ｂｄが四隅に形成されている場合は、ダミーバン
プは不要であり、したがってダミーランド４２ｃではな
く電極ランド４２ｂが配置される。
【０１０４】図２９は基板４２の変形例を示す平面図で
ある。図２９に示す基板４２の開口４２ａは、一辺が開
いたコの字状の開口であり、開口４２ａに対して固体撮
像素子チップ１０Ａを組み込む際に作業が容易となる。
このような形状の開口の場合、特にダミーバンプによる
四隅の接合は効果がある。
ある。図２９に示す基板４２の開口４２ａは、一辺が開
いたコの字状の開口であり、開口４２ａに対して固体撮
像素子チップ１０Ａを組み込む際に作業が容易となる。
このような形状の開口の場合、特にダミーバンプによる
四隅の接合は効果がある。
【０１０５】図３０は図２８に示す基板２４に補強板４
３を貼り付けた状態を示す図であり、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は側面図である。図３０（ａ）は基板４２を
配線４２Ｂ側から見た平面図であり、補強板４３は実際
には基板４２の裏側に貼り付けられる。基板４２の開口
４２ａの周囲は幅が狭くなっており、基板の反りが発生
しやすい。基板４２に反りが発生すると、モールド成型
体４１Ｂを基板に取り付ける際に、モールド成型体４１
Ｂの位置ずれや接合不良が発生する原因となる。そこ
で、基板４２の開口４２ａの周囲に補強板４３を接着剤
等で貼り付けて、反りが発生しにくいようにしている。
３を貼り付けた状態を示す図であり、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は側面図である。図３０（ａ）は基板４２を
配線４２Ｂ側から見た平面図であり、補強板４３は実際
には基板４２の裏側に貼り付けられる。基板４２の開口
４２ａの周囲は幅が狭くなっており、基板の反りが発生
しやすい。基板４２に反りが発生すると、モールド成型
体４１Ｂを基板に取り付ける際に、モールド成型体４１
Ｂの位置ずれや接合不良が発生する原因となる。そこ
で、基板４２の開口４２ａの周囲に補強板４３を接着剤
等で貼り付けて、反りが発生しにくいようにしている。
【０１０６】補強板４３は基板４２のベースと同様にポ
リイミドフィルムを用いることが好適である。補強板４
３の厚みは５０μｍから１００μｍ程度が好ましい。こ
の程度の厚みであれば、基板４２の厚みに補強板４３の
厚みを加えても、固体撮像素子チップ１０Ａの厚みを超
えることはなく、撮像用半導体装置４０の厚みに影響を
及ぼすことはない。
リイミドフィルムを用いることが好適である。補強板４
３の厚みは５０μｍから１００μｍ程度が好ましい。こ
の程度の厚みであれば、基板４２の厚みに補強板４３の
厚みを加えても、固体撮像素子チップ１０Ａの厚みを超
えることはなく、撮像用半導体装置４０の厚みに影響を
及ぼすことはない。
【０１０７】図３１は図２９に示す基板２４に補強板４
６を貼り付けた状態を示す図であり、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は側面図である。図３１（ａ）は基板４２を
配線４２Ｂ側から見た平面図であり、補強板４３は実際
には基板４２の裏側に貼り付けられる。補強板４３の効
果は上述の通りであり、その説明は省略するが、開口４
２ａがコの字状の場合は、特に基板４２の反りが発生し
やすいため、補強板４３を設けることは重要である。
６を貼り付けた状態を示す図であり、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は側面図である。図３１（ａ）は基板４２を
配線４２Ｂ側から見た平面図であり、補強板４３は実際
には基板４２の裏側に貼り付けられる。補強板４３の効
果は上述の通りであり、その説明は省略するが、開口４
２ａがコの字状の場合は、特に基板４２の反りが発生し
やすいため、補強板４３を設けることは重要である。
【０１０８】次に、本実施例による撮像用半導体装置４
０の製造方法について図３２を参照しながら説明する。
０の製造方法について図３２を参照しながら説明する。
【０１０９】まず、モールド成型体４１Ｂを形成する。
モールド成型体４１Ｂは、上述の第１実施例における筐
体１４Ａの製造方法と同様な方法により形成することが
できるため、詳細な説明は省略する。
モールド成型体４１Ｂは、上述の第１実施例における筐
体１４Ａの製造方法と同様な方法により形成することが
できるため、詳細な説明は省略する。
【０１１０】図３２において、（ａ）〜（ｃ）までが、
モールド成型体４１Ｂを製造する工程である。まず、図
３２（ａ）に示すように、突起部に対応する箇所に凹部
が形成された金属板５０の上に配線パターンを形成し、
コンデンサ等の電子部品９を搭載する。そして、図３２
（ｂ）に示すように、樹脂モールドによりモールド成型
体４１Ｂを形成する。その後、図３２（ｃ）に示すよう
に、金属板５０を除去する。
モールド成型体４１Ｂを製造する工程である。まず、図
３２（ａ）に示すように、突起部に対応する箇所に凹部
が形成された金属板５０の上に配線パターンを形成し、
コンデンサ等の電子部品９を搭載する。そして、図３２
（ｂ）に示すように、樹脂モールドによりモールド成型
体４１Ｂを形成する。その後、図３２（ｃ）に示すよう
に、金属板５０を除去する。
【０１１１】図３３は電子部品９が搭載される前の金属
板５０の平面図である。金属板５０は一枚の金属板に複
数個形成される。まず、モールド成型体４１Ｂの突起部
４１Ｂｃに対応する凹部５２と、必要に応じてダミーバ
ンプに対応する凹部５２Ａが形成される。その後、凹部
５２及び５２Ａ内に外部接続端子４１Ｂｄが形成され、
さらに、電子部品９を搭載するための電極パッド５４が
形成される。また、固体撮像素子チップ１０Ａを実装す
るための電極パッド５６も形成され、さらに、パッド５
６と外部接続電極４１Ｂｄと電極パッド５４とを接続す
る回路パターン５８も形成される。外部接続電極４１Ｂ
ｄ、電極パッド５４、電極パッド５６及び回路パターン
５８は、上述の第１実施例で説明したように、レジスト
を用いて同じ工程で形成することができる。電極パッド
及び配線パターンが形成された後、金属板は切断されて
個々の金属板５０に分離される。図３３において点線は
切断により除去される領域を示している。
板５０の平面図である。金属板５０は一枚の金属板に複
数個形成される。まず、モールド成型体４１Ｂの突起部
４１Ｂｃに対応する凹部５２と、必要に応じてダミーバ
ンプに対応する凹部５２Ａが形成される。その後、凹部
５２及び５２Ａ内に外部接続端子４１Ｂｄが形成され、
さらに、電子部品９を搭載するための電極パッド５４が
形成される。また、固体撮像素子チップ１０Ａを実装す
るための電極パッド５６も形成され、さらに、パッド５
６と外部接続電極４１Ｂｄと電極パッド５４とを接続す
る回路パターン５８も形成される。外部接続電極４１Ｂ
ｄ、電極パッド５４、電極パッド５６及び回路パターン
５８は、上述の第１実施例で説明したように、レジスト
を用いて同じ工程で形成することができる。電極パッド
及び配線パターンが形成された後、金属板は切断されて
個々の金属板５０に分離される。図３３において点線は
切断により除去される領域を示している。
【０１１２】図３４は電子部品９が搭載された状態の金
属板５０を示す断面図である。電子部品９は電極パッド
５４に対して導電性ペーストにより接続される。一般に
導電性ペーストとしては半田が用いられるが、本実施例
では銀（Ａｇ）ペースト６０を用いる。
属板５０を示す断面図である。電子部品９は電極パッド
５４に対して導電性ペーストにより接続される。一般に
導電性ペーストとしては半田が用いられるが、本実施例
では銀（Ａｇ）ペースト６０を用いる。
【０１１３】本実施例では、電極パッド５４，５６や配
線パターン５８は、上から例えば金（Ａｕ）／パラジウ
ム（Ｐｄ）／ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）の
メッキといったメッキ層により構成される。電極パッド
５４に対して導電性ペーストにより電子部品９を搭載し
た後に樹脂モールドしてモールド成型体４１Ｂを形成
し、金属板５０を除去して電極パッド５４，５６や配線
パターン５８を露出させる。
線パターン５８は、上から例えば金（Ａｕ）／パラジウ
ム（Ｐｄ）／ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）の
メッキといったメッキ層により構成される。電極パッド
５４に対して導電性ペーストにより電子部品９を搭載し
た後に樹脂モールドしてモールド成型体４１Ｂを形成
し、金属板５０を除去して電極パッド５４，５６や配線
パターン５８を露出させる。
【０１１４】電極パッド５４に対して半田を用いて電子
部品９を実装した場合、半田接合部の近傍において電極
パッド５４及び配線パターン５８がモールド成型体４１
Ｂから剥離することがある。このような場合、半田接合
後の電極パッド５４及び配線パターン５８を見ると、半
田接合部近傍に変色が発生することが観察される。この
変色は、配線パターンの成分と半田の成分とが化合して
発生すると考えられる。剥離は変色が発生した部分に多
く発生することから、配線パターンの成分と半田の成分
とが化合することが剥離の原因であると推測される。
部品９を実装した場合、半田接合部の近傍において電極
パッド５４及び配線パターン５８がモールド成型体４１
Ｂから剥離することがある。このような場合、半田接合
後の電極パッド５４及び配線パターン５８を見ると、半
田接合部近傍に変色が発生することが観察される。この
変色は、配線パターンの成分と半田の成分とが化合して
発生すると考えられる。剥離は変色が発生した部分に多
く発生することから、配線パターンの成分と半田の成分
とが化合することが剥離の原因であると推測される。
【０１１５】そこで、本実施例では、従来からダイボン
ディング材として用いられている銀（Ａｇ）ペーストを
用いて電子部品９を実装する。銀（Ａｇ）ペーストを用
いた場合、半田を用いた場合のように変色の発生はな
く、剥離も発生しないことが確認されている。電子部品
９を実装する際は、まず金属板５０に形成された電極パ
ッド５４の上にＡｇペーストを適量塗布し、マウンタを
用いて電子部品９を所定位置に配置した後に、Ａｇペー
ストを加熱溶解してから固化する。
ディング材として用いられている銀（Ａｇ）ペーストを
用いて電子部品９を実装する。銀（Ａｇ）ペーストを用
いた場合、半田を用いた場合のように変色の発生はな
く、剥離も発生しないことが確認されている。電子部品
９を実装する際は、まず金属板５０に形成された電極パ
ッド５４の上にＡｇペーストを適量塗布し、マウンタを
用いて電子部品９を所定位置に配置した後に、Ａｇペー
ストを加熱溶解してから固化する。
【０１１６】ここで、図３２に戻って撮像用半導体装置
４０の製造方法の説明を続ける。
４０の製造方法の説明を続ける。
【０１１７】形成されたモールド成型体４１Ｂは、図３
２（ｄ）に示すように、基板４２に実装される。このと
き、固体撮像素子チップ１０Ａはモールド成型体４１Ｂ
に実装されていない。次に、図３２（ｅ）に示すよう
に、固体撮像素子チップ１０Ａを基板４２の開口４２ａ
に配置してモールド成型体４１Ｂに対して半田を用いて
実装する。最後に、撮像用レンズ４４及びＩＲフィルタ
４５が取り付けられたレンズホルダ４１Ａをモールド成
型体４１Ｂに装着して接着剤等により固定し、撮像用半
導体装置４０が完成する。
２（ｄ）に示すように、基板４２に実装される。このと
き、固体撮像素子チップ１０Ａはモールド成型体４１Ｂ
に実装されていない。次に、図３２（ｅ）に示すよう
に、固体撮像素子チップ１０Ａを基板４２の開口４２ａ
に配置してモールド成型体４１Ｂに対して半田を用いて
実装する。最後に、撮像用レンズ４４及びＩＲフィルタ
４５が取り付けられたレンズホルダ４１Ａをモールド成
型体４１Ｂに装着して接着剤等により固定し、撮像用半
導体装置４０が完成する。
【０１１８】上述の製造工程では、基板４２にモールド
成型体４１Ｂを実装した後に、固体撮像素子チップ１０
Ａがモールド成型体４１Ｂに実装される。ここで、モー
ルド成型体４１Ｂを基板４２に実装する前に、固体撮像
素子チップ１０Ａがモールド成型体４１Ｂにフリップチ
ップ実装した場合を考えると、固体撮像素子チップ１０
Ａの受光面１０Ａａが露出した状態でモールド成型体４
１Ｂの実装工程が行われることとなる。
成型体４１Ｂを実装した後に、固体撮像素子チップ１０
Ａがモールド成型体４１Ｂに実装される。ここで、モー
ルド成型体４１Ｂを基板４２に実装する前に、固体撮像
素子チップ１０Ａがモールド成型体４１Ｂにフリップチ
ップ実装した場合を考えると、固体撮像素子チップ１０
Ａの受光面１０Ａａが露出した状態でモールド成型体４
１Ｂの実装工程が行われることとなる。
【０１１９】モールド成型体４１Ｂの実装工程は半田の
リフロー工程を含んでおり、特にリフロー炉内において
固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａに塵埃や異
物が付着する可能性が高い。固体撮像素子チップ１０Ａ
の受光面１０Ａａには撮像用の光が入射する面であり、
塵埃や異物が付着すると画像に悪影響を及ぼすこととな
る。
リフロー工程を含んでおり、特にリフロー炉内において
固体撮像素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａに塵埃や異
物が付着する可能性が高い。固体撮像素子チップ１０Ａ
の受光面１０Ａａには撮像用の光が入射する面であり、
塵埃や異物が付着すると画像に悪影響を及ぼすこととな
る。
【０１２０】上述のような塵埃や異物の付着を防ぐため
に、本実施例では、基板４２にモールド成型体４１Ｂを
実装する工程（基板搭載工程）の後に、固体撮像素子チ
ップ１０Ａをモールド成型体４１Ｂに実装する工程（撮
像素子搭載工程）を行っている。これにより、固体撮像
素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａが外部雰囲気に曝さ
れる時間を短縮して、塵埃の付着に起因する製品の歩留
まり低下を防止している。
に、本実施例では、基板４２にモールド成型体４１Ｂを
実装する工程（基板搭載工程）の後に、固体撮像素子チ
ップ１０Ａをモールド成型体４１Ｂに実装する工程（撮
像素子搭載工程）を行っている。これにより、固体撮像
素子チップ１０Ａの受光面１０Ａａが外部雰囲気に曝さ
れる時間を短縮して、塵埃の付着に起因する製品の歩留
まり低下を防止している。
【０１２１】また、固体撮像素子チップ１０Ａの耐熱温
度は、一般的に２３０℃程度であり、これは共晶半田の
融点（２２０〜２３０℃）に近い。このため、固体撮像
素子チップ１０Ａをモールド成型体４１Ｂに実装した後
にモールド成型体４１Ｂを基板４２に実装する際には、
共晶半田を使用することができず、共晶半田よりも低い
融点（１８０℃程度）を有する鉛フリー半田等を用いな
ければならなかった。鉛フリー半田は共晶半田よりも接
合性が劣る場合が多いため、製品の信頼性が低下するお
それがある。しかし、本実施例によれば上述のように、
基板４２にモールド成型体４１Ｂを実装する工程（基板
搭載工程）の後に、固体撮像素子チップ１０Ａをモール
ド成型体４１Ｂに実装する工程（撮像素子搭載工程）を
行うため、モールド成型体４１Ｂを基板４２に実装する
際に、共晶半田を含む各種の接合材を使用することがで
きる。
度は、一般的に２３０℃程度であり、これは共晶半田の
融点（２２０〜２３０℃）に近い。このため、固体撮像
素子チップ１０Ａをモールド成型体４１Ｂに実装した後
にモールド成型体４１Ｂを基板４２に実装する際には、
共晶半田を使用することができず、共晶半田よりも低い
融点（１８０℃程度）を有する鉛フリー半田等を用いな
ければならなかった。鉛フリー半田は共晶半田よりも接
合性が劣る場合が多いため、製品の信頼性が低下するお
それがある。しかし、本実施例によれば上述のように、
基板４２にモールド成型体４１Ｂを実装する工程（基板
搭載工程）の後に、固体撮像素子チップ１０Ａをモール
ド成型体４１Ｂに実装する工程（撮像素子搭載工程）を
行うため、モールド成型体４１Ｂを基板４２に実装する
際に、共晶半田を含む各種の接合材を使用することがで
きる。
【０１２２】次に、本発明の第５実施例による撮像用半
導体装置について説明する。本発明の第５実施例による
撮像用半導体装置は、撮像機能を有する半導体素子と、
撮像機能を制御する制御機能を有する半導体素子とを別
個に設けたものである。
導体装置について説明する。本発明の第５実施例による
撮像用半導体装置は、撮像機能を有する半導体素子と、
撮像機能を制御する制御機能を有する半導体素子とを別
個に設けたものである。
【０１２３】上述の実施例では、固体撮像素子チップが
形成された半導体チップに、固体撮像素子チップを制御
するための制御機能を有する回路も形成されている。こ
こで、撮像用半導体装置の解像度を上げるには、制御機
能を有する回路の規模を大きくしければならない。この
ため、固体撮像素子チップが形成された半導体チップの
サイズを大きくしなければならない。したがって、半導
体チップの大型化に伴う問題が生じるおそれがある。
形成された半導体チップに、固体撮像素子チップを制御
するための制御機能を有する回路も形成されている。こ
こで、撮像用半導体装置の解像度を上げるには、制御機
能を有する回路の規模を大きくしければならない。この
ため、固体撮像素子チップが形成された半導体チップの
サイズを大きくしなければならない。したがって、半導
体チップの大型化に伴う問題が生じるおそれがある。
【０１２４】また、本来、センサ機能（撮像機能）と制
御機能とを一つの半導体チップに一緒に形成すること
は、製造工程上の違いがあるため好ましくない。具体的
には、センサ機能（撮像機能）と制御機能とでは、プロ
セス上の配線ルールや表面処理が異なる。例えば、セン
サ機能を有する部分にはカラーフィルタとマイクロレン
ズを必要とするが、制御機能を有する部分にはそのよう
な機能部品は必要ではない。
御機能とを一つの半導体チップに一緒に形成すること
は、製造工程上の違いがあるため好ましくない。具体的
には、センサ機能（撮像機能）と制御機能とでは、プロ
セス上の配線ルールや表面処理が異なる。例えば、セン
サ機能を有する部分にはカラーフィルタとマイクロレン
ズを必要とするが、制御機能を有する部分にはそのよう
な機能部品は必要ではない。
【０１２５】上述の問題を考慮すると、固体撮像用半導
体装置の解像度を上げるには、センサ機能と制御機能と
を夫々別個の半導体チップとして構成し、それらを別個
に固体撮像用半導体装置に組み込むことが好ましい。
体装置の解像度を上げるには、センサ機能と制御機能と
を夫々別個の半導体チップとして構成し、それらを別個
に固体撮像用半導体装置に組み込むことが好ましい。
【０１２６】図３５（ａ）は本発明の第５実施例による
固体撮像用半導体装置の断面図であり、図３５（ｂ）は
その断面図である。図３５において、図２７に示す構成
部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略
する。
固体撮像用半導体装置の断面図であり、図３５（ｂ）は
その断面図である。図３５において、図２７に示す構成
部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略
する。
【０１２７】本実施例において、固体撮像素子チップ７
０は、センサ機能（撮像機能）のみを有する半導体チッ
プとして形成される。また、固体撮像素子チップ７０の
センサ機能を制御するために、制御用半導体チップ７２
が筐体４１に別個に組み込まれる。
０は、センサ機能（撮像機能）のみを有する半導体チッ
プとして形成される。また、固体撮像素子チップ７０の
センサ機能を制御するために、制御用半導体チップ７２
が筐体４１に別個に組み込まれる。
【０１２８】固体撮像素子チップ７０は、図２７に示す
固体撮像素子チップ１０Ａと同様に筐体４１のモールド
成型体４１Ｂに対して実装される。一方、制御用半導体
チップ７２は、図２３に示す電子部品９と同様にモール
ド成型体４１Ｂ内に組み込まれる。したがって、固体撮
像素子チップ７０と制御用半導体チップ７２とは、モー
ルド成型体４１Ｂに形成された配線パターン５８（図３
４参照）により電気的に接続される。また、モールド成
型体４１Ｂ内には、コンデンサ等の電子部品９も組み込
まれる。固体撮像素子チップ７０と制御用半導体チップ
７２と電子部品９とにより撮像用半導体装置としての機
能が達成される。
固体撮像素子チップ１０Ａと同様に筐体４１のモールド
成型体４１Ｂに対して実装される。一方、制御用半導体
チップ７２は、図２３に示す電子部品９と同様にモール
ド成型体４１Ｂ内に組み込まれる。したがって、固体撮
像素子チップ７０と制御用半導体チップ７２とは、モー
ルド成型体４１Ｂに形成された配線パターン５８（図３
４参照）により電気的に接続される。また、モールド成
型体４１Ｂ内には、コンデンサ等の電子部品９も組み込
まれる。固体撮像素子チップ７０と制御用半導体チップ
７２と電子部品９とにより撮像用半導体装置としての機
能が達成される。
【０１２９】図３５に示す撮像用半導体装置では、制御
用半導体チップ７２は、電子部品９と同様にモールド成
型体４１Ｂの中にモールドされる。制御用半導体チップ
７２をモールド成型体４１Ｂにモールドすることは、上
述の第３実施例において図３２を参照して説明した方法
を用いて容易に行うことができる。すなわち、図３２に
示す電子部品９を搭載する工程において、制御用半導体
チップ７２も一緒に搭載し、制御用半導体チップ７２の
電極を金属板５０の上の配線パターンにワイヤボンディ
ングする。その後の工程は図３２に示す工程と同様であ
り、説明は省略する。
用半導体チップ７２は、電子部品９と同様にモールド成
型体４１Ｂの中にモールドされる。制御用半導体チップ
７２をモールド成型体４１Ｂにモールドすることは、上
述の第３実施例において図３２を参照して説明した方法
を用いて容易に行うことができる。すなわち、図３２に
示す電子部品９を搭載する工程において、制御用半導体
チップ７２も一緒に搭載し、制御用半導体チップ７２の
電極を金属板５０の上の配線パターンにワイヤボンディ
ングする。その後の工程は図３２に示す工程と同様であ
り、説明は省略する。
【０１３０】上述のように、本実施例では、撮像用半導
体チップを撮像機能専用の固体撮像素子チップ７０と制
御機能専用の制御用半導体チップ７２とに分割して設け
たため、各々のチップに対して個別に適当な製造方法を
適用することができる。したがって、チップ７０及び７
２を効率的に製造することができ、使用する個々のチッ
プサイズを大きくすることなく、高機能な撮像用半導体
装置を製造することができる。また、撮像機能専用の固
体撮像素子チップ７０と制御機能専用の制御用半導体チ
ップ７２と電子部品９とを一つのモールド成型体４１Ｂ
を介して近接して配置し、互いに接続するため、少ない
組み立て工数で小型の撮像用半導体装置を提供すること
ができる。
体チップを撮像機能専用の固体撮像素子チップ７０と制
御機能専用の制御用半導体チップ７２とに分割して設け
たため、各々のチップに対して個別に適当な製造方法を
適用することができる。したがって、チップ７０及び７
２を効率的に製造することができ、使用する個々のチッ
プサイズを大きくすることなく、高機能な撮像用半導体
装置を製造することができる。また、撮像機能専用の固
体撮像素子チップ７０と制御機能専用の制御用半導体チ
ップ７２と電子部品９とを一つのモールド成型体４１Ｂ
を介して近接して配置し、互いに接続するため、少ない
組み立て工数で小型の撮像用半導体装置を提供すること
ができる。
【０１３１】次に、上述の第５実施例の変形例について
説明する。
説明する。
【０１３２】図３６は上述の第５実施例による固体撮像
用半導体装置の第１変形例を示す断面図である。図３５
に示す固体撮像用半導体装置では、制御用半導体チップ
７２は、ワイヤボンディングにより実装されているが、
図３６に示す第１変形例では、制御用半導体チップ７２
は、フリップチップボンディングにより実装されてい
る。これにより、制御用半導体チップの実装面積を低減
することができ、制御用半導体チップが実装された部分
の高さを低くすることができる。
用半導体装置の第１変形例を示す断面図である。図３５
に示す固体撮像用半導体装置では、制御用半導体チップ
７２は、ワイヤボンディングにより実装されているが、
図３６に示す第１変形例では、制御用半導体チップ７２
は、フリップチップボンディングにより実装されてい
る。これにより、制御用半導体チップの実装面積を低減
することができ、制御用半導体チップが実装された部分
の高さを低くすることができる。
【０１３３】図３７は上述の第５実施例による固体撮像
用半導体装置の第２変形例を示す断面図である。図３７
に示す第２変形例では、制御機能を有する半導体チップ
を制御用半導体チップ７２Ａ及び７２Ｂに分割し、チッ
プ７２Ａの上にチップ７２Ｂを積層して搭載している。
これにより、制御用半導体チップの実装面積を低減する
ことができ、より多くの機能を固体撮像用半導体装置に
組み込むことができる。
用半導体装置の第２変形例を示す断面図である。図３７
に示す第２変形例では、制御機能を有する半導体チップ
を制御用半導体チップ７２Ａ及び７２Ｂに分割し、チッ
プ７２Ａの上にチップ７２Ｂを積層して搭載している。
これにより、制御用半導体チップの実装面積を低減する
ことができ、より多くの機能を固体撮像用半導体装置に
組み込むことができる。
【０１３４】図３８は上述の第５実施例による固体撮像
用半導体装置の第３変形例を示す断面図である。図３８
に示す第３変形例では、制御用半導体チップ７２をモー
ルド成型体４１Ｂ内にモールドしない。その代わりに、
制御用半導体チップ７２をモールド成型体４１Ｂの底面
にフリップチップ実装する。この場合、固体撮像素子チ
ップ７０を実装する構成と同様に、制御用半導体チップ
７２を実装する位置に対応した開口を基板４２に設ける
必要がある。
用半導体装置の第３変形例を示す断面図である。図３８
に示す第３変形例では、制御用半導体チップ７２をモー
ルド成型体４１Ｂ内にモールドしない。その代わりに、
制御用半導体チップ７２をモールド成型体４１Ｂの底面
にフリップチップ実装する。この場合、固体撮像素子チ
ップ７０を実装する構成と同様に、制御用半導体チップ
７２を実装する位置に対応した開口を基板４２に設ける
必要がある。
【０１３５】図３９は上述の第５実施例による固体撮像
用半導体装置の第４変形例を示す断面図である。図３９
に示す第４変形例では、制御用半導体チップ７２をモー
ルド成型体４１Ｂ内にモールドしない。その代わりに、
制御用半導体チップ７２が内部に組み込まれた第２のモ
ールド成型体７４をモールド成型体４１Ｂに実装する。
第２のモールド成型体７４は、図３９に示すように、固
体撮像素子チップ７０の下に配置されることが好まし
い。
用半導体装置の第４変形例を示す断面図である。図３９
に示す第４変形例では、制御用半導体チップ７２をモー
ルド成型体４１Ｂ内にモールドしない。その代わりに、
制御用半導体チップ７２が内部に組み込まれた第２のモ
ールド成型体７４をモールド成型体４１Ｂに実装する。
第２のモールド成型体７４は、図３９に示すように、固
体撮像素子チップ７０の下に配置されることが好まし
い。
【０１３６】第２のモールド成型体７４を固体撮像素子
チップ７０の下に配置するために、モールド成型体４１
Ｂには、比較的突出高さが大きい突起部４１Ｂａが、固
体撮像素子チップ７０を搭載する部分の周囲に形成され
る。突起部４１Ｂａは、上述の第２実施例における図１
９に示す突起部１４Ｂａと同様な方法で形成することが
できる。また、第２のモールド成型体７４は、モールド
成型体４１Ｂと同様な方法により製造することができ
る。
チップ７０の下に配置するために、モールド成型体４１
Ｂには、比較的突出高さが大きい突起部４１Ｂａが、固
体撮像素子チップ７０を搭載する部分の周囲に形成され
る。突起部４１Ｂａは、上述の第２実施例における図１
９に示す突起部１４Ｂａと同様な方法で形成することが
できる。また、第２のモールド成型体７４は、モールド
成型体４１Ｂと同様な方法により製造することができ
る。
【０１３７】次に、本発明の第６実施例による固体撮像
用半導体装置ついて説明する。本発明の第６実施例によ
る固体撮像用半導体装置は、上述の第４実施例と同様に
固体撮像素子チップをレンズが搭載された樹脂筐体に取
り付け、且つ樹脂筐体を基板に取り付けた構成を有す
る。
用半導体装置ついて説明する。本発明の第６実施例によ
る固体撮像用半導体装置は、上述の第４実施例と同様に
固体撮像素子チップをレンズが搭載された樹脂筐体に取
り付け、且つ樹脂筐体を基板に取り付けた構成を有す
る。
【０１３８】図４０は本発明の第６実施例による固体撮
像用半導体装置の一部を示す断面図である。図４０にお
いて、図２７に示す構成部品と同等な部品には同じ符号
を付し、その説明は省略する。図４０は、樹脂筐体４１
を構成するモールド成型体４１Ｂと固体撮像素子チップ
１０Ａとの接続部分と、モールド成型体４１Ｂと基板４
２との接続部分を特に示している。
像用半導体装置の一部を示す断面図である。図４０にお
いて、図２７に示す構成部品と同等な部品には同じ符号
を付し、その説明は省略する。図４０は、樹脂筐体４１
を構成するモールド成型体４１Ｂと固体撮像素子チップ
１０Ａとの接続部分と、モールド成型体４１Ｂと基板４
２との接続部分を特に示している。
【０１３９】固体撮像素子チップ１０Ａはモールド成型
体４１Ｂの底面に露出した配線パターンに対して、非導
電性ペースト（ＮＣＰ）を用いてフリップチップ実装さ
れている。また、突起電極（樹脂バンプ）が底面に形成
されたモールド成型体４１Ｂは、基板４２の配線パター
ン対してハンダ等を用いて実装されている。そして、基
板４２とモールド成型体４１Ｂとの間にはアンダーフィ
ル材８０が注入され充填されている。アンダーフィル材
８０としては接着力の強いエポキシ系の樹脂が好まし
い。
体４１Ｂの底面に露出した配線パターンに対して、非導
電性ペースト（ＮＣＰ）を用いてフリップチップ実装さ
れている。また、突起電極（樹脂バンプ）が底面に形成
されたモールド成型体４１Ｂは、基板４２の配線パター
ン対してハンダ等を用いて実装されている。そして、基
板４２とモールド成型体４１Ｂとの間にはアンダーフィ
ル材８０が注入され充填されている。アンダーフィル材
８０としては接着力の強いエポキシ系の樹脂が好まし
い。
【０１４０】以上のように、モールド成型体４１Ｂと基
板４２との間にアンダーフィル材８０を充填することに
より、モールド成型体４１Ｂと基板４２との接続を補強
することができる。基板４２としてフレキシブル基板を
用いた場合、フレキシブル基板繰り返して曲げられたり
したときに、ハンダ接合部が劣化して接合不良となるこ
とを防止することができる。特に、撮像用レンズが取り
付けられた樹脂筐体は、組み込まれる電子機器の表面に
露出して設けられることが多く、このような場合に樹脂
筐体に外部から力が加わって、基板４２に曲げが発生す
る。モールド成型体４１Ｂの樹脂バンプのハンダ接合部
をアンダーフィル材８０で補強することにより、ハンダ
接合部の劣化による損傷を防止することができる。
板４２との間にアンダーフィル材８０を充填することに
より、モールド成型体４１Ｂと基板４２との接続を補強
することができる。基板４２としてフレキシブル基板を
用いた場合、フレキシブル基板繰り返して曲げられたり
したときに、ハンダ接合部が劣化して接合不良となるこ
とを防止することができる。特に、撮像用レンズが取り
付けられた樹脂筐体は、組み込まれる電子機器の表面に
露出して設けられることが多く、このような場合に樹脂
筐体に外部から力が加わって、基板４２に曲げが発生す
る。モールド成型体４１Ｂの樹脂バンプのハンダ接合部
をアンダーフィル材８０で補強することにより、ハンダ
接合部の劣化による損傷を防止することができる。
【０１４１】図４０に示す構成は、以下のような方法に
より構成することができる。まず、フレキシブル基板か
らなる基板４２に、ハンダペーストをマスクを用いて塗
布する。そして、実装機で樹脂筐体を構成するモールド
成型体４１Ｂを基板４２に実装する。その後リフロー炉
を通してモールド成型体４１Ｂの樹脂バンプを基板４２
の回路パターンにハンダ接合する。
より構成することができる。まず、フレキシブル基板か
らなる基板４２に、ハンダペーストをマスクを用いて塗
布する。そして、実装機で樹脂筐体を構成するモールド
成型体４１Ｂを基板４２に実装する。その後リフロー炉
を通してモールド成型体４１Ｂの樹脂バンプを基板４２
の回路パターンにハンダ接合する。
【０１４２】モールド成型体４１Ｂを基板４２に実装し
た後、モールド成型体４１Ｂのチップ搭載領域に非導電
性ペースト（ＮＣＰ）又は非導電性フィルム（ＮＣＦ）
等よりなる接合材８４を配置し、実装機により固体撮像
素子チップ１０Ａを実装する。その後、エポキシ系のア
ンダーフィル材を、モールド成型体４１Ｂと基板４２と
の間に注入し、硬化させる。これによりモールド成型体
４１Ｂは基板４２に強固に固定され、ハンダ接合部の接
合が補強される。
た後、モールド成型体４１Ｂのチップ搭載領域に非導電
性ペースト（ＮＣＰ）又は非導電性フィルム（ＮＣＦ）
等よりなる接合材８４を配置し、実装機により固体撮像
素子チップ１０Ａを実装する。その後、エポキシ系のア
ンダーフィル材を、モールド成型体４１Ｂと基板４２と
の間に注入し、硬化させる。これによりモールド成型体
４１Ｂは基板４２に強固に固定され、ハンダ接合部の接
合が補強される。
【０１４３】なお、上述の方法では、モールド成型体４
１Ｂの樹脂バンプを基板４２の回路パターンにハンダ接
合した後に、固体撮像素子チップ１０Ａをモールド成型
体４１Ｂに接合しているが、これはハンダリフロー時の
熱が固体撮像素子チップ１０Ａや接合材８４に影響を及
ぼすことを防止するためである。例えば、接合材８４と
してのＮＣＰ等は、耐熱温度が１５０℃であり、ハンダ
リフロー時の温度より低い。
１Ｂの樹脂バンプを基板４２の回路パターンにハンダ接
合した後に、固体撮像素子チップ１０Ａをモールド成型
体４１Ｂに接合しているが、これはハンダリフロー時の
熱が固体撮像素子チップ１０Ａや接合材８４に影響を及
ぼすことを防止するためである。例えば、接合材８４と
してのＮＣＰ等は、耐熱温度が１５０℃であり、ハンダ
リフロー時の温度より低い。
【０１４４】図４１は上述の第６実施例による固体撮像
用半導体装置の第１変形例を示す断面図である。第１変
形例では、固体撮像素子チップ１０Ａの実装に接合材８
４を用いずに、代わりにアンダーフィル材８０を用い
る。すなわち、モールド成型体４１Ｂの樹脂バンプを基
板４２の回路パターンにハンダ接合した後に、モールド
成型体４１Ｂと基板４２の間にアンダーフィル材８０を
注入すると同時に、アンダーフィル材８０をモールド成
型体４１Ｂのチップ搭載領域まで供給する。その後、固
体撮像素子チップ１０Ａを圧接ボンディングし、アンダ
ーフィル材８０を硬化させる。したがって、図４１に示
す第１変形例では、固体撮像素子チップ１０Ａの接合の
ための接合材８４を供給する工程を省略することができ
る。
用半導体装置の第１変形例を示す断面図である。第１変
形例では、固体撮像素子チップ１０Ａの実装に接合材８
４を用いずに、代わりにアンダーフィル材８０を用い
る。すなわち、モールド成型体４１Ｂの樹脂バンプを基
板４２の回路パターンにハンダ接合した後に、モールド
成型体４１Ｂと基板４２の間にアンダーフィル材８０を
注入すると同時に、アンダーフィル材８０をモールド成
型体４１Ｂのチップ搭載領域まで供給する。その後、固
体撮像素子チップ１０Ａを圧接ボンディングし、アンダ
ーフィル材８０を硬化させる。したがって、図４１に示
す第１変形例では、固体撮像素子チップ１０Ａの接合の
ための接合材８４を供給する工程を省略することができ
る。
【０１４５】図４２は上述の第６実施例による固体撮像
用半導体装置の第２変形例を示す断面図である。第２変
形例では、モールド成型体４１Ｂの基板４２への実装に
アンダーフィル材８０を用いずに、代わりに異方導電性
樹脂（ＡＣＰ）よりなる接合材８６を用いる。
用半導体装置の第２変形例を示す断面図である。第２変
形例では、モールド成型体４１Ｂの基板４２への実装に
アンダーフィル材８０を用いずに、代わりに異方導電性
樹脂（ＡＣＰ）よりなる接合材８６を用いる。
【０１４６】図４２に示す構成は、以下のような方法に
より構成することができる。まず、フレキシブル基板か
らなる基板４２のモールド成型体４１Ｂを搭載する領域
に、異方導電性樹脂よりなる接合材８６を塗布する。そ
して、実装機でモールド成型体４１Ｂを基板４２に実装
する。モールド成型体４１Ｂを基板４２に実装した後、
モールド成型体４１Ｂのチップ搭載領域に非導電性ペー
スト（ＮＣＰ）又は非導電性フィルム（ＮＣＦ）等より
なる接合材８４を配置し、実装機により固体撮像素子チ
ップ１０Ａを実装する。モールド成型体４１Ｂは、接合
材８６により基板４２に強固に固定される。本変形例で
はハンダ接合を用いないので、ハンダ接合部の劣化によ
る問題が生じることはない。また、ハンダ接合工程を省
略することができる。
より構成することができる。まず、フレキシブル基板か
らなる基板４２のモールド成型体４１Ｂを搭載する領域
に、異方導電性樹脂よりなる接合材８６を塗布する。そ
して、実装機でモールド成型体４１Ｂを基板４２に実装
する。モールド成型体４１Ｂを基板４２に実装した後、
モールド成型体４１Ｂのチップ搭載領域に非導電性ペー
スト（ＮＣＰ）又は非導電性フィルム（ＮＣＦ）等より
なる接合材８４を配置し、実装機により固体撮像素子チ
ップ１０Ａを実装する。モールド成型体４１Ｂは、接合
材８６により基板４２に強固に固定される。本変形例で
はハンダ接合を用いないので、ハンダ接合部の劣化によ
る問題が生じることはない。また、ハンダ接合工程を省
略することができる。
【０１４７】次に、本発明の第７実施例による固体撮像
用半導体装置について説明する。本発明の第７実施例に
よる固体撮像用半導体装置は、上術の第４実施例におい
てモールド成型体と基板との接続にハンダボールを用い
ている。
用半導体装置について説明する。本発明の第７実施例に
よる固体撮像用半導体装置は、上術の第４実施例におい
てモールド成型体と基板との接続にハンダボールを用い
ている。
【０１４８】図４３は本発明の第７実施例による固体撮
像用半導体装置の断面図である。図４３において、図２
７に示す構成部品と同等な部品は同じ符号を付し、その
説明は省略する。
像用半導体装置の断面図である。図４３において、図２
７に示す構成部品と同等な部品は同じ符号を付し、その
説明は省略する。
【０１４９】図４３において、モールド成型体４１Ｂの
底面に露出した配線パターンは、ハンダボール９０を介
して基板４２の配線パターンに接続されている。本実施
例では、モールド成型体４１Ｂの底面には、樹脂バンプ
は形成されおらず、底面は平坦な面として形成されてい
る。したがって、モールド成型体４１Ｂの底面に露出し
た配線パターンも平坦である。本実施例では、モールド
成型体４１Ｂの底面に露出した平坦な配線パターンと、
基板４２の配線パターン４２Ｂとをハンダボール９０に
より接合している。
底面に露出した配線パターンは、ハンダボール９０を介
して基板４２の配線パターンに接続されている。本実施
例では、モールド成型体４１Ｂの底面には、樹脂バンプ
は形成されおらず、底面は平坦な面として形成されてい
る。したがって、モールド成型体４１Ｂの底面に露出し
た配線パターンも平坦である。本実施例では、モールド
成型体４１Ｂの底面に露出した平坦な配線パターンと、
基板４２の配線パターン４２Ｂとをハンダボール９０に
より接合している。
【０１５０】ハンダボール９０は、予めモールド成型対
４１Ｂの配線パターン９２により形成された電極パッド
上に設けられていることが好ましい。ハンダボール９０
が設けられたモールド成型体４１Ｂを基板４０の所定の
位置に配置し、ハンダボールをリフローすることによ
り、モールド成型体４１Ｂの配線パターン９２と基板４
２の配線パターン４２Ｂとをハンダ接合する。また、必
要に応じてソルダレジストをモールド成型体の底面に予
め形成しておくこととしてもよい。
４１Ｂの配線パターン９２により形成された電極パッド
上に設けられていることが好ましい。ハンダボール９０
が設けられたモールド成型体４１Ｂを基板４０の所定の
位置に配置し、ハンダボールをリフローすることによ
り、モールド成型体４１Ｂの配線パターン９２と基板４
２の配線パターン４２Ｂとをハンダ接合する。また、必
要に応じてソルダレジストをモールド成型体の底面に予
め形成しておくこととしてもよい。
【０１５１】図４４は図４３に示す固体撮像用半導体装
置の製造工程を説明するための図である。まず、モール
ド成型体４１Ｂを形成する。モールド成型体４１Ｂは、
上述の第１実施例における筐体１４Ａの製造方法と同様
な方法により形成することができるため、詳細な説明は
省略する。図４４において、（ａ）〜（ｃ）までが、モ
ールド成型体４１Ｂを製造する工程である。まず、図４
４（ａ）に示すように、金属板５０Ａの平坦な表面上に
配線パターンを形成し、コンデンサ等の電子部品９を搭
載する。そして、図４４（ｂ）に示すように、樹脂モー
ルドによりモールド成型体４１Ｂを形成する。その後、
図４４（ｃ）に示すように、金属板５０Ａをエッチング
により除去する。これにより、金属板５０Ａの平坦な表
面上に形成されていたパターン配線がモールド成型体４
１Ｂの底面に露出する。ここで、モールド成型体４１Ｂ
の底面は平坦であり、パターン配線も平坦である。
置の製造工程を説明するための図である。まず、モール
ド成型体４１Ｂを形成する。モールド成型体４１Ｂは、
上述の第１実施例における筐体１４Ａの製造方法と同様
な方法により形成することができるため、詳細な説明は
省略する。図４４において、（ａ）〜（ｃ）までが、モ
ールド成型体４１Ｂを製造する工程である。まず、図４
４（ａ）に示すように、金属板５０Ａの平坦な表面上に
配線パターンを形成し、コンデンサ等の電子部品９を搭
載する。そして、図４４（ｂ）に示すように、樹脂モー
ルドによりモールド成型体４１Ｂを形成する。その後、
図４４（ｃ）に示すように、金属板５０Ａをエッチング
により除去する。これにより、金属板５０Ａの平坦な表
面上に形成されていたパターン配線がモールド成型体４
１Ｂの底面に露出する。ここで、モールド成型体４１Ｂ
の底面は平坦であり、パターン配線も平坦である。
【０１５２】次に、図４４（ｄ）に示すように、パター
ン配線がモールド成型体４１Ｂの底面に露出したパター
ン配線に対して実装端子としてハンダボール９０を形成
する。ハンダボールの形成は、例えば予め準備したハン
ダボールを転写する方法、ハンダメッキ後にリフローに
よりボール形状とする方法、ハンダワイヤでバンプを形
成した後にバンプをリフローによりボール形状とする方
法等が用いられる。
ン配線がモールド成型体４１Ｂの底面に露出したパター
ン配線に対して実装端子としてハンダボール９０を形成
する。ハンダボールの形成は、例えば予め準備したハン
ダボールを転写する方法、ハンダメッキ後にリフローに
よりボール形状とする方法、ハンダワイヤでバンプを形
成した後にバンプをリフローによりボール形状とする方
法等が用いられる。
【０１５３】そして、図４４（ｅ）に示すように、ハン
ダボール９０が設けられたモールド成型体４１Ｂを、基
板４２に実装する。このとき、固体撮像素子チップ１０
Ａはモールド成型体４１Ｂに実装されていない。次に、
図４４（ｆ）に示すように、固体撮像素子チップ１０Ａ
を基板４２の開口４２ａに配置してモールド成型体４１
Ｂに実装する。最後に、撮像用レンズ４４及びＩＲフィ
ルタ４５が取り付けられたレンズホルダ４１Ａをモール
ド成型体４１Ｂに装着して接着剤等により固定し、撮像
用半導体装置が完成する。
ダボール９０が設けられたモールド成型体４１Ｂを、基
板４２に実装する。このとき、固体撮像素子チップ１０
Ａはモールド成型体４１Ｂに実装されていない。次に、
図４４（ｆ）に示すように、固体撮像素子チップ１０Ａ
を基板４２の開口４２ａに配置してモールド成型体４１
Ｂに実装する。最後に、撮像用レンズ４４及びＩＲフィ
ルタ４５が取り付けられたレンズホルダ４１Ａをモール
ド成型体４１Ｂに装着して接着剤等により固定し、撮像
用半導体装置が完成する。
【０１５４】上述の製造工程では、モールド成型体４１
Ｂを形成する際に、平坦な金属板５０Ａを用い、その平
坦な表面には樹脂バンプを形成するための凹部を形成す
る必要はない。ここで、平坦なという意味は、凹部や凸
部を含まないという意味であり、より具体的には、樹脂
バンプを形成するための凹部が形成されていないことで
ある。したがって、金属板５０Ａに樹脂バンプのための
凹部を形成する工程を省くことができ、製造工程が簡略
化される。
Ｂを形成する際に、平坦な金属板５０Ａを用い、その平
坦な表面には樹脂バンプを形成するための凹部を形成す
る必要はない。ここで、平坦なという意味は、凹部や凸
部を含まないという意味であり、より具体的には、樹脂
バンプを形成するための凹部が形成されていないことで
ある。したがって、金属板５０Ａに樹脂バンプのための
凹部を形成する工程を省くことができ、製造工程が簡略
化される。
【０１５５】上述の製造方法において、モールド成型体
４１Ｂを基板４２に実装する際に、図４５に示すよう
に、予めハンダボール９０に対してハンダペーストを転
写しておき、そのようなモールド成型体４１Ｂを基板４
２に実装することとしてもよい。あるいは、図４６に示
すように、基板４２に予めハンダペーストをメタルマス
ク法等により基板４２上に印刷塗布した後、モールド成
型体４１Ｂを基板４２に実装することとしてもよい。
４１Ｂを基板４２に実装する際に、図４５に示すよう
に、予めハンダボール９０に対してハンダペーストを転
写しておき、そのようなモールド成型体４１Ｂを基板４
２に実装することとしてもよい。あるいは、図４６に示
すように、基板４２に予めハンダペーストをメタルマス
ク法等により基板４２上に印刷塗布した後、モールド成
型体４１Ｂを基板４２に実装することとしてもよい。
【０１５６】図４７は上述の第７実施例による固体撮像
用半導体装置の第１変形例を示す断面図である。図４７
に示す第１変形例では、ハンダボール９０の代わりに、
銅コアハンダボール９０Ａを使用している。ここで、銅
コアハンダボール９０Ａは、ハンダボールの中に銅のボ
ールが入っているものであり、通常のハンダボールと銅
コアハンダボールとが同じ大きさであれば、銅コアハン
ダボールの方が、銅ボールが入っている分だけハンダの
量が少なくなる。銅コアハンダボールは環境汚染の原因
となるハンダ中の鉛の使用量を減らすために開発された
ハンダボールである。
用半導体装置の第１変形例を示す断面図である。図４７
に示す第１変形例では、ハンダボール９０の代わりに、
銅コアハンダボール９０Ａを使用している。ここで、銅
コアハンダボール９０Ａは、ハンダボールの中に銅のボ
ールが入っているものであり、通常のハンダボールと銅
コアハンダボールとが同じ大きさであれば、銅コアハン
ダボールの方が、銅ボールが入っている分だけハンダの
量が少なくなる。銅コアハンダボールは環境汚染の原因
となるハンダ中の鉛の使用量を減らすために開発された
ハンダボールである。
【０１５７】上述の第７実施例や第１変形例のようにハ
ンダを主成分としたボールは比較的低価格で入手するこ
とができ、これを用いた半導体装置全体の製造コストを
低減することができる。また、ハンダを主成分とするボ
ールは、その融点の異なる種類が多数あるので、使用さ
れる環境条件に応じて融点の異なるハンダボールを自由
に選択することができる。環境条件としては、例えば、
固体撮像素子チップのフリップチップ実装温度、樹脂成
型体中に埋め込まれる電子部品と配線パターンの電気的
接続温度（接続材料の融点）、基板の実装温度、といっ
た制約条件がある。
ンダを主成分としたボールは比較的低価格で入手するこ
とができ、これを用いた半導体装置全体の製造コストを
低減することができる。また、ハンダを主成分とするボ
ールは、その融点の異なる種類が多数あるので、使用さ
れる環境条件に応じて融点の異なるハンダボールを自由
に選択することができる。環境条件としては、例えば、
固体撮像素子チップのフリップチップ実装温度、樹脂成
型体中に埋め込まれる電子部品と配線パターンの電気的
接続温度（接続材料の融点）、基板の実装温度、といっ
た制約条件がある。
【０１５８】図４８は上述の第７実施例による固体撮像
用半導体装置の第２変形例を示す断面図である。図４８
に示す第２変形例では、ハンダボール９０の代わりに、
金バンプ９０Ｂを使用している。金バンプ９０Ｂは、ワ
イヤバンピング法（ワイヤボンダを用いてバンプを形成
する方法）を用いて、モールド成型体４１Ｂのパターン
配線上に容易に形成することができる。モールド成型体
４１Ｂは、非導電性ペースト（ＮＣＰ）、異方導電性ペ
ースト（ＡＣＰ）、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）等を
介して基板４２に実装し、実装信頼性の向上を図ること
が好ましい。
用半導体装置の第２変形例を示す断面図である。図４８
に示す第２変形例では、ハンダボール９０の代わりに、
金バンプ９０Ｂを使用している。金バンプ９０Ｂは、ワ
イヤバンピング法（ワイヤボンダを用いてバンプを形成
する方法）を用いて、モールド成型体４１Ｂのパターン
配線上に容易に形成することができる。モールド成型体
４１Ｂは、非導電性ペースト（ＮＣＰ）、異方導電性ペ
ースト（ＡＣＰ）、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）等を
介して基板４２に実装し、実装信頼性の向上を図ること
が好ましい。
【０１５９】金バンプ９０Ｂのように金を主成分とする
バンプは、樹脂バンプに比べて大幅に小さいサイズで形
成可能である。したがって、モールド成型体の底面に転
写されているパターン配線パターンの引き回し設計が容
易となり、また、半導体装置自体を小型化することがで
きるという利点がある。さらに、金を主成分とするバン
プの実装高さは、３０μｍ〜６０μｍ程度であり、樹脂
バンプの実装高さである７０μｍ〜１００μｍより小さ
いため、半導体装置の高さ寸法を低減することができ
る。
バンプは、樹脂バンプに比べて大幅に小さいサイズで形
成可能である。したがって、モールド成型体の底面に転
写されているパターン配線パターンの引き回し設計が容
易となり、また、半導体装置自体を小型化することがで
きるという利点がある。さらに、金を主成分とするバン
プの実装高さは、３０μｍ〜６０μｍ程度であり、樹脂
バンプの実装高さである７０μｍ〜１００μｍより小さ
いため、半導体装置の高さ寸法を低減することができ
る。
【０１６０】以上のように、本実施例ではモールド成型
体４１Ｂの実装端子として、金属からなる実装端子をモ
ールド成型体４１Ｂの平坦な底面上に別個に形成し、こ
の金属実装端子を介してモールド成型体４１Ｂを基板４
２に実装する。このため、モールド成型体４１Ｂの形成
工程において、樹脂バンプを形成するための加工工程が
不要となり、製造工程が簡略化される。
体４１Ｂの実装端子として、金属からなる実装端子をモ
ールド成型体４１Ｂの平坦な底面上に別個に形成し、こ
の金属実装端子を介してモールド成型体４１Ｂを基板４
２に実装する。このため、モールド成型体４１Ｂの形成
工程において、樹脂バンプを形成するための加工工程が
不要となり、製造工程が簡略化される。
【０１６１】以上の如く本明細書は以下の発明を開示す
る。
る。
【０１６２】（付記１） 所定の機能を提供する半導体
装置であって、機能部品が取り付けられる樹脂筐体と、
該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が露出した導電体からな
る配線パターンと、前記樹脂筐体に埋め込まれた状態
で、前記配線パターンに接続された電子部品と、前記樹
脂筐体から露出した前記配線パターンの一部に対して接
続された半導体素子とを有し、前記半導体素子は前記樹
脂筐体の機能部品と協働して前記所定の機能を提供する
ことを特徴とする半導体装置。
装置であって、機能部品が取り付けられる樹脂筐体と、
該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が露出した導電体からな
る配線パターンと、前記樹脂筐体に埋め込まれた状態
で、前記配線パターンに接続された電子部品と、前記樹
脂筐体から露出した前記配線パターンの一部に対して接
続された半導体素子とを有し、前記半導体素子は前記樹
脂筐体の機能部品と協働して前記所定の機能を提供する
ことを特徴とする半導体装置。
【０１６３】（付記２） 付記１記載の半導体装置であ
って、前記半導体素子は前記配線パターンの一部に対し
てフリップチップ実装されたことを特徴とする半導体装
置。
って、前記半導体素子は前記配線パターンの一部に対し
てフリップチップ実装されたことを特徴とする半導体装
置。
【０１６４】（付記３） 付記１又は２記載の半導体装
置であって、前記配線パターンの露出部の一部は前記樹
脂筐体の面から突出していることを特徴とする半導体装
置。
置であって、前記配線パターンの露出部の一部は前記樹
脂筐体の面から突出していることを特徴とする半導体装
置。
【０１６５】（付記４） 付記１又は２記載の半導体装
置であって、前記樹脂筐体は前記半導体素子の周囲にお
いて前記半導体素子側に突出した突出部を有し、前記配
線パターンの露出部の一部は前記突出部の表面において
露出していることを特徴とする半導体装置。
置であって、前記樹脂筐体は前記半導体素子の周囲にお
いて前記半導体素子側に突出した突出部を有し、前記配
線パターンの露出部の一部は前記突出部の表面において
露出していることを特徴とする半導体装置。
【０１６６】（付記５） 付記４記載の半導体装置であ
って、前記半導体素子が取り付けられる配線パターンの
面から前記突出部の先端までの距離は、前記半導体素子
が取り付けられる配線パターンの面から前記半導体装置
の背面までの距離より大きいことを特徴とする半導体装
置。
って、前記半導体素子が取り付けられる配線パターンの
面から前記突出部の先端までの距離は、前記半導体素子
が取り付けられる配線パターンの面から前記半導体装置
の背面までの距離より大きいことを特徴とする半導体装
置。
【０１６７】（付記６） 付記１乃至５のうちいずれか
一項記載の半導体装置であって、前記樹脂筐体は前記電
子部品の直下に突出した突起部を有し、該突起部に前記
配線パターンの一部が埋め込まれた状態で延在している
ことを特徴とする半導体装置。
一項記載の半導体装置であって、前記樹脂筐体は前記電
子部品の直下に突出した突起部を有し、該突起部に前記
配線パターンの一部が埋め込まれた状態で延在している
ことを特徴とする半導体装置。
【０１６８】（付記７） 付記１乃至６のうちいずれか
一項記載の半導体装置であって、前記配線パターンは、
金属メッキにより形成されたことを特徴とする半導体装
置。
一項記載の半導体装置であって、前記配線パターンは、
金属メッキにより形成されたことを特徴とする半導体装
置。
【０１６９】（付記８） 付記１乃至６のうちいずれか
一項記載の半導体装置であって、前記配線パターンは、
導電性樹脂により形成されたことを特徴とする半導体装
置。
一項記載の半導体装置であって、前記配線パターンは、
導電性樹脂により形成されたことを特徴とする半導体装
置。
【０１７０】（付記９） 付記１乃至８のうちいずれか
一項記載の半導体装置であって、前記機能部品は撮像用
レンズを含み、前記半導体素子は受光面を有する固体撮
像素子であり、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子と
は前記撮像用レンズを通過した光が前記半導体素子の受
光面に入射するように前記樹脂筐体に取り付けられたこ
とを特徴とする半導体装置。
一項記載の半導体装置であって、前記機能部品は撮像用
レンズを含み、前記半導体素子は受光面を有する固体撮
像素子であり、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子と
は前記撮像用レンズを通過した光が前記半導体素子の受
光面に入射するように前記樹脂筐体に取り付けられたこ
とを特徴とする半導体装置。
【０１７１】（付記１０） 付記９記載の半導体装置で
あって、前記機能部品は表面に絞りが形成されたフィル
タを更に含み、該フィルタは前記撮像用レンズと前記半
導体素子の間に配置された状態で前記樹脂筐体に取り付
けられたことを特徴とする半導体装置。
あって、前記機能部品は表面に絞りが形成されたフィル
タを更に含み、該フィルタは前記撮像用レンズと前記半
導体素子の間に配置された状態で前記樹脂筐体に取り付
けられたことを特徴とする半導体装置。
【０１７２】（付記１１） 撮像用半導体装置であっ
て、上面と底面の間で貫通した開口を有する樹脂筐体
と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体の底
面に露出した導電体からなる配線パターンと、前記樹脂
筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターンに接続さ
れた電子部品と、前記配線パターンの露出部にフリップ
チップ実装された固体撮像素子と、前記筐体の上面側に
取り付けられた撮像用レンズとを有し、前記撮像用レン
ズと前記固体撮像素子とは、前記撮像用レンズを通過す
る光が前記樹脂筐体の前記開口を介して前記固体撮像素
子の受光面に入射するように配置されたことを特徴とす
る撮像用半導体装置。
て、上面と底面の間で貫通した開口を有する樹脂筐体
と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体の底
面に露出した導電体からなる配線パターンと、前記樹脂
筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターンに接続さ
れた電子部品と、前記配線パターンの露出部にフリップ
チップ実装された固体撮像素子と、前記筐体の上面側に
取り付けられた撮像用レンズとを有し、前記撮像用レン
ズと前記固体撮像素子とは、前記撮像用レンズを通過す
る光が前記樹脂筐体の前記開口を介して前記固体撮像素
子の受光面に入射するように配置されたことを特徴とす
る撮像用半導体装置。
【０１７３】（付記１２） 付記１１記載の撮像用半導
体装置であって、表面に絞りが形成されたフィルタを更
に含み、該フィルタは前記撮像用レンズと前記半導体素
子との間に配置された状態で前記樹脂筐体の前記開口内
に取り付けられたことを特徴とする撮像用半導体装置。
体装置であって、表面に絞りが形成されたフィルタを更
に含み、該フィルタは前記撮像用レンズと前記半導体素
子との間に配置された状態で前記樹脂筐体の前記開口内
に取り付けられたことを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１７４】（付記１３） 半導体装置の製造方法であ
って、金属板の上に導電体よりなる配線パターンを形成
し、該配線パターンに電子部品を接続し、該電子部品と
前記配線パターンとを前記金属板上で樹脂封止して、前
記電子部品と前記配線パターンとが埋め込まれた樹脂筐
体を形成し、前記金属板を前記樹脂筐体から除去して前
記配線パターンの一部を露出させ、前記配線パターンの
露出部に半導体素子を接続し、前記樹脂筐体に前記半導
体素子と協働して所定の機能を提供する機能部品を取り
付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
って、金属板の上に導電体よりなる配線パターンを形成
し、該配線パターンに電子部品を接続し、該電子部品と
前記配線パターンとを前記金属板上で樹脂封止して、前
記電子部品と前記配線パターンとが埋め込まれた樹脂筐
体を形成し、前記金属板を前記樹脂筐体から除去して前
記配線パターンの一部を露出させ、前記配線パターンの
露出部に半導体素子を接続し、前記樹脂筐体に前記半導
体素子と協働して所定の機能を提供する機能部品を取り
付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１７５】（付記１４） 付記１３記載の半導体装置
の製造方法であって、前記配線パターンを形成する前に
前記金属板に凹部を形成し、前記配線パターンの一部が
該凹部内に配置されるように前記配線パターンを形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
の製造方法であって、前記配線パターンを形成する前に
前記金属板に凹部を形成し、前記配線パターンの一部が
該凹部内に配置されるように前記配線パターンを形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１７６】（付記１５） 付記１３又は１４記載の半
導体装置の製造方法であって、前記配線パターンを形成
する前に前記金属板の一部を屈曲して凹部を形成し、前
記配線パターンの一部が該凹部内に配置されるように前
記配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
導体装置の製造方法であって、前記配線パターンを形成
する前に前記金属板の一部を屈曲して凹部を形成し、前
記配線パターンの一部が該凹部内に配置されるように前
記配線パターンを形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【０１７７】（付記１６） 付記１２乃至１５記載のう
ちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線パターンを金属メッキにより形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
ちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線パターンを金属メッキにより形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【０１７８】（付記１７） 付記１６記載の半導体装置
の製造方法であって、前記配線パターンの金属メッキの
前に、前記金属板とは異なる金属を前記金属板にメッキ
することを特徴とする半導体装置の形成方法。
の製造方法であって、前記配線パターンの金属メッキの
前に、前記金属板とは異なる金属を前記金属板にメッキ
することを特徴とする半導体装置の形成方法。
【０１７９】（付記１８） 付記１２乃至１５記載のう
ちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線パターンを導電性樹脂により形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
ちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線パターンを導電性樹脂により形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【０１８０】（付記１９） 付記１２乃至１８のうちい
ずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、前記
金属板を前記樹脂筐体から除去した後、前記半導体素子
と協働して所定の機能を提供する機能部品を前記樹脂筐
体に取り付けることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
ずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、前記
金属板を前記樹脂筐体から除去した後、前記半導体素子
と協働して所定の機能を提供する機能部品を前記樹脂筐
体に取り付けることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【０１８１】（付記２０） 付記１９記載の半導体装置
の製造方法であって、前記機能部品は撮像用レンズを含
み、前記半導体素子は受光面を有する固体撮像素子であ
り、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とを前記撮像
用レンズを通過した光が前記半導体素子の受光面に入射
するように前記樹脂筐体に取り付けることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
の製造方法であって、前記機能部品は撮像用レンズを含
み、前記半導体素子は受光面を有する固体撮像素子であ
り、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とを前記撮像
用レンズを通過した光が前記半導体素子の受光面に入射
するように前記樹脂筐体に取り付けることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【０１８２】（付記２１） 撮像用レンズが取り付けら
れたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付けられ、
且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは反対側の
底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体と、該樹脂
成型体が実装される基板と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置
に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開口内に配
置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実装される
ことを特徴とする撮像用半導体装置。
れたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付けられ、
且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは反対側の
底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体と、該樹脂
成型体が実装される基板と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置
に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開口内に配
置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実装される
ことを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１８３】（付記２２） 付記２１記載の撮像用半導
体装置であって、前記レンズホルダの前記撮像用レンズ
は、前記樹脂成型体に形成された貫通孔を介して前記固
体撮像素子の受光面に対向することを特徴とする撮像用
半導体装置。
体装置であって、前記レンズホルダの前記撮像用レンズ
は、前記樹脂成型体に形成された貫通孔を介して前記固
体撮像素子の受光面に対向することを特徴とする撮像用
半導体装置。
【０１８４】（付記２３） 付記２１記載の撮像用半導
体装置であって、前記個体撮像素子が搭載される前記樹
脂成型体の面から突出した電極が形成され、前記樹脂成
型体は該突出した電極により前記基板に実装されること
を特徴とする撮像用半導体装置。
体装置であって、前記個体撮像素子が搭載される前記樹
脂成型体の面から突出した電極が形成され、前記樹脂成
型体は該突出した電極により前記基板に実装されること
を特徴とする撮像用半導体装置。
【０１８５】（付記２４） 付記２３記載の撮像用半導
体装置であって、前記突出した電極を有する前記樹脂成
型体の面に露出した状態で電極パッドと配線パターンが
形成され、電子部品が該電極パッドに接続された状態で
前記樹脂成型体の内部にモールドされていることを特徴
とする撮像用半導体装置。
体装置であって、前記突出した電極を有する前記樹脂成
型体の面に露出した状態で電極パッドと配線パターンが
形成され、電子部品が該電極パッドに接続された状態で
前記樹脂成型体の内部にモールドされていることを特徴
とする撮像用半導体装置。
【０１８６】（付記２５） 付記２４記載の撮像用半導
体装置であって、前記電子部品は銀（Ａｇ）ペーストに
より前記電極パッドに接続されることを特徴とする撮像
用半導体装置。
体装置であって、前記電子部品は銀（Ａｇ）ペーストに
より前記電極パッドに接続されることを特徴とする撮像
用半導体装置。
【０１８７】（付記２６） 付記２３記載の撮像用半導
体装置であって、前記基板の角部近傍に対応する位置の
前記樹脂成型体の面に、前記突出した電極と同じ構造を
有するが電気的に孤立したダミー突起部が設けられ、該
ダミー突起部は前記基板に設けられて電気的に孤立した
電極パッドに接合されることを特徴とする撮像用半導体
装置。
体装置であって、前記基板の角部近傍に対応する位置の
前記樹脂成型体の面に、前記突出した電極と同じ構造を
有するが電気的に孤立したダミー突起部が設けられ、該
ダミー突起部は前記基板に設けられて電気的に孤立した
電極パッドに接合されることを特徴とする撮像用半導体
装置。
【０１８８】（付記２７） 付記２１記載の撮像用半導
体装置であって、前記基板の前記樹脂成型体が実装され
る領域に貼り付けられて前記樹脂形成体を補強する補強
板を更に有することを特徴とする撮像用半導体装置。
体装置であって、前記基板の前記樹脂成型体が実装され
る領域に貼り付けられて前記樹脂形成体を補強する補強
板を更に有することを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１８９】（付記２８） 撮像用半導体装置の製造方
法であって、底面に突出した電極を有する樹脂成型体
を、該電極を用いて基板に実装する工程と、前記樹脂成
型体の実装工程の後に、固体撮像素子を前記基板に形成
された開口を通じて前記樹脂成型体の前記底面に実装す
る工程とを有することを特徴とする撮像用半導体装置の
製造方法。
法であって、底面に突出した電極を有する樹脂成型体
を、該電極を用いて基板に実装する工程と、前記樹脂成
型体の実装工程の後に、固体撮像素子を前記基板に形成
された開口を通じて前記樹脂成型体の前記底面に実装す
る工程とを有することを特徴とする撮像用半導体装置の
製造方法。
【０１９０】（付記２９） 機能部品が取り付けられる
樹脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が露出した
導電体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体から露出
した前記配線パターンの一部に対して接続された撮像素
子と前記樹脂筐体に設けられ、前記配線パターンに接続
された制御用半導体素子と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記撮像素子は前記樹脂筐体に設けられた前
記制御用半導体素子と協働して撮像機能を提供すること
を特徴とする撮像用半導体装置。
樹脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が露出した
導電体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体から露出
した前記配線パターンの一部に対して接続された撮像素
子と前記樹脂筐体に設けられ、前記配線パターンに接続
された制御用半導体素子と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記撮像素子は前記樹脂筐体に設けられた前
記制御用半導体素子と協働して撮像機能を提供すること
を特徴とする撮像用半導体装置。
【０１９１】（付記３０） 付記２９記載の撮像用半導
体装置であって、前記樹脂筐体中に埋め込まれた状態で
電子部品が設けられ、前記撮像素子は前記樹脂筐体の制
御用半導体素子及び前記電子部品と協働して撮像機能を
提供することを特徴とする撮像用半導体装置。
体装置であって、前記樹脂筐体中に埋め込まれた状態で
電子部品が設けられ、前記撮像素子は前記樹脂筐体の制
御用半導体素子及び前記電子部品と協働して撮像機能を
提供することを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１９２】（付記３１） 付記２９又は３０記載の撮
像用半導体装置であって、前記制御用半導体素子は、前
記樹脂筐体中に埋め込まれた状態で設けられることを特
徴とする撮像用半導体装置。
像用半導体装置であって、前記制御用半導体素子は、前
記樹脂筐体中に埋め込まれた状態で設けられることを特
徴とする撮像用半導体装置。
【０１９３】（付記３２） 付記２９又は３０記載の撮
像用半導体装置であって、前記制御用半導体素子は、前
記樹脂筐体中から露出した前記配線パターンの一部に対
して接続されることを特徴とする撮像用半導体装置。
像用半導体装置であって、前記制御用半導体素子は、前
記樹脂筐体中から露出した前記配線パターンの一部に対
して接続されることを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１９４】（付記３３） 付記３２記載の撮像用半導
体装置であって、前記制御用半導体素子は、前記樹脂筐
体とは異なる他の樹脂筐体中に埋め込まれた状態で設け
られ、該他の樹脂筐体は前記撮像素子を間に挟んだ状態
で前記樹脂筐体に取り付けられることを特徴とする撮像
用半導体装置。
体装置であって、前記制御用半導体素子は、前記樹脂筐
体とは異なる他の樹脂筐体中に埋め込まれた状態で設け
られ、該他の樹脂筐体は前記撮像素子を間に挟んだ状態
で前記樹脂筐体に取り付けられることを特徴とする撮像
用半導体装置。
【０１９５】（付記３４） 付記２９乃至３３のうちい
ずか一項記載の半導体装置であって、前記制御用半導体
素子は、前記撮像素子を制御する機能を有する半導体素
子であることを特徴とする半導体装置。
ずか一項記載の半導体装置であって、前記制御用半導体
素子は、前記撮像素子を制御する機能を有する半導体素
子であることを特徴とする半導体装置。
【０１９６】（付記３５） 撮像用レンズが取り付けら
れたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付けられ、
且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは反対側の
底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体と、該樹脂
成型体が実装される基板と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置
に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開口内に配
置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実装され、
且つ前記樹脂成型体と前記基板との間にアンダーフィル
材が充填されたことを特徴とする撮像用半導体装置。
れたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付けられ、
且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは反対側の
底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体と、該樹脂
成型体が実装される基板と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置
に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開口内に配
置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実装され、
且つ前記樹脂成型体と前記基板との間にアンダーフィル
材が充填されたことを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１９７】（付記３６） 付記３５記載の撮像用半導
体装置であって、前記固体撮像素子は、前記樹脂成型体
と前記基板との間に充填されるアンダーフィル材を前記
固体撮像素子の搭載領域にまで供給することにより、前
記樹脂筐体に固定されることを特徴とする撮像用半導体
装置。
体装置であって、前記固体撮像素子は、前記樹脂成型体
と前記基板との間に充填されるアンダーフィル材を前記
固体撮像素子の搭載領域にまで供給することにより、前
記樹脂筐体に固定されることを特徴とする撮像用半導体
装置。
【０１９８】（付記３７） 撮像用レンズが取り付けら
れたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付けられ、
且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは反対側の
底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体と、該樹脂
成型体が実装される基板と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置
に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開口内に配
置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実装され、
且つ前記樹脂成型体は異方導電性樹脂により前記基板に
実装されたことを特徴とする撮像用半導体装置。
れたレンズホルダと、該レンズホルダが取り付けられ、
且つ前記レンズホルダが取り付けられる側とは反対側の
底面に固体撮像素子が実装される樹脂成型体と、該樹脂
成型体が実装される基板と、を有する撮像用半導体装置
であって、前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置
に開口を有しており、前記固体撮像素子は該開口内に配
置された状態で前記樹脂成型体の前記底面に実装され、
且つ前記樹脂成型体は異方導電性樹脂により前記基板に
実装されたことを特徴とする撮像用半導体装置。
【０１９９】（付記３８） 上面と平坦な底面との間で
貫通した開口を有する樹脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込
まれ、一部が前記樹脂筐体の平坦な底面に露出した導電
体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体に埋め込まれ
た状態で、前記配線パターンに接続された電子部品と、
前記配線パターンの露出部にフリップチップ実装された
固体撮像素子と、前記樹脂筐体の上面側に取り付けられ
た撮像用レンズと、前記樹脂筐体が実装された基板とを
有し、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とは、前記
撮像用レンズを通過する光が前記樹脂筐体の前記開口を
介して前記固体撮像素子の受光面に入射するように配置
された撮像用半導体装置であって、前記樹脂筐体の底面
に露出した配線パターンは金属からなる実装端子を介し
て前記基板の配線パターンに電気的に接続されたことを
特徴とする撮像用半導体装置。
貫通した開口を有する樹脂筐体と、該樹脂筐体に埋め込
まれ、一部が前記樹脂筐体の平坦な底面に露出した導電
体からなる配線パターンと、前記樹脂筐体に埋め込まれ
た状態で、前記配線パターンに接続された電子部品と、
前記配線パターンの露出部にフリップチップ実装された
固体撮像素子と、前記樹脂筐体の上面側に取り付けられ
た撮像用レンズと、前記樹脂筐体が実装された基板とを
有し、前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とは、前記
撮像用レンズを通過する光が前記樹脂筐体の前記開口を
介して前記固体撮像素子の受光面に入射するように配置
された撮像用半導体装置であって、前記樹脂筐体の底面
に露出した配線パターンは金属からなる実装端子を介し
て前記基板の配線パターンに電気的に接続されたことを
特徴とする撮像用半導体装置。
【０２００】（付記３９） 付記３８記載の撮像用半導
体装置であって、前記実装端子はハンダを主成分とする
ボールであることを特徴とする撮像用半導体装置。
体装置であって、前記実装端子はハンダを主成分とする
ボールであることを特徴とする撮像用半導体装置。
【０２０１】（付記４０） 付記３８記載の撮像用半導
体装置であって、前記実装端子は金を主成分とするバン
プであることを特徴とする撮像用半導体装置。
体装置であって、前記実装端子は金を主成分とするバン
プであることを特徴とする撮像用半導体装置。
【０２０２】（付記４１） 撮像用半導体装置の製造方
法であって、金属板の平坦な表面上に導電体よりなる配
線パターンを形成し、該配線パターンに電子部品を接続
し、該電子部品と前記配線パターンとを前記金属板上で
樹脂封止して、前記電子部品と前記配線パターンとが埋
め込まれた樹脂筐体を形成し、前記金属板を前記樹脂筐
体から除去して前記配線パターンの一部を露出させ、前
記樹脂筐体の平坦な底面に露出した前記配線パターンの
一部に実装端子を形成し、前記樹脂筐体を前記実装端子
を介して基板に実装し、前記樹脂筐体の底面に露出した
配線パターンに撮像素子をフリップチップ実装し、前記
撮像素子と協働して撮像機能を提供する機能部品を前記
樹脂筐体に取り付けることを特徴とする撮像用半導体装
置の製造方法。
法であって、金属板の平坦な表面上に導電体よりなる配
線パターンを形成し、該配線パターンに電子部品を接続
し、該電子部品と前記配線パターンとを前記金属板上で
樹脂封止して、前記電子部品と前記配線パターンとが埋
め込まれた樹脂筐体を形成し、前記金属板を前記樹脂筐
体から除去して前記配線パターンの一部を露出させ、前
記樹脂筐体の平坦な底面に露出した前記配線パターンの
一部に実装端子を形成し、前記樹脂筐体を前記実装端子
を介して基板に実装し、前記樹脂筐体の底面に露出した
配線パターンに撮像素子をフリップチップ実装し、前記
撮像素子と協働して撮像機能を提供する機能部品を前記
樹脂筐体に取り付けることを特徴とする撮像用半導体装
置の製造方法。
【０２０３】（付記４２） 付記４１記載の撮像用半導
体装置の製造方法であって、前記樹脂筐体を前記基板に
実装する前に、前記実装端子にハンダペーストを転写す
る工程を更に有することを特徴とする撮像用半導体装置
の製造方法。
体装置の製造方法であって、前記樹脂筐体を前記基板に
実装する前に、前記実装端子にハンダペーストを転写す
る工程を更に有することを特徴とする撮像用半導体装置
の製造方法。
【０２０４】（付記４３） 付記４１記載の撮像用半導
体装置の製造方法であって、前記樹脂筐体を前記基板に
実装する前に、前記基板にハンダペーストを塗布する工
程を更に有することを特徴とする撮像用半導体装置の製
造方法。
体装置の製造方法であって、前記樹脂筐体を前記基板に
実装する前に、前記基板にハンダペーストを塗布する工
程を更に有することを特徴とする撮像用半導体装置の製
造方法。
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
種々の効果を実現することができる。
【０２０５】請求項１記載の発明によれば、樹脂筐体の
中に配線パターンが埋め込まれるため、配線パターンを
支持するための基板が不要となり、半導体装置の厚みを
基板の厚み分だけ減少することができる。また、電子部
品も樹脂筐体に埋め込まれるため、電子部品を樹脂筐体
の周囲に配置するための基板も不要となる。これによ
り、半導体装置の面積が縮小するとともに、半導体装置
の厚みもさらに減少する。
中に配線パターンが埋め込まれるため、配線パターンを
支持するための基板が不要となり、半導体装置の厚みを
基板の厚み分だけ減少することができる。また、電子部
品も樹脂筐体に埋め込まれるため、電子部品を樹脂筐体
の周囲に配置するための基板も不要となる。これによ
り、半導体装置の面積が縮小するとともに、半導体装置
の厚みもさらに減少する。
【０２０６】請求項２記載の発明によれば、半導体素子
の突起電極を介して樹脂筐体の配線パターンに半導体素
子が実装されるため、半導体素子を電気的に接続するた
めのワイヤを半導体素子の周囲に設ける必要がなく、半
導体装置の面積を縮小することができる。また、半導体
素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの回路形
成面の反対側の背面を支持することができるため、回路
形成面を画像認識しながら実装を行うことができる。こ
れにより、半導体チップを高い位置精度で基板に実装す
ることができる。
の突起電極を介して樹脂筐体の配線パターンに半導体素
子が実装されるため、半導体素子を電気的に接続するた
めのワイヤを半導体素子の周囲に設ける必要がなく、半
導体装置の面積を縮小することができる。また、半導体
素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの回路形
成面の反対側の背面を支持することができるため、回路
形成面を画像認識しながら実装を行うことができる。こ
れにより、半導体チップを高い位置精度で基板に実装す
ることができる。
【０２０７】請求項３記載の発明によれば、配線パター
ンの樹脂筐体の面から突出した部分を外部接続端子とす
ることにより、半導体装置を容易に他の基板等へ接続す
ることができる。
ンの樹脂筐体の面から突出した部分を外部接続端子とす
ることにより、半導体装置を容易に他の基板等へ接続す
ることができる。
【０２０８】請求項４記載の発明によれば、突出部の先
端部に設けられた配線パターンを外部接続端子とするこ
とができる。
端部に設けられた配線パターンを外部接続端子とするこ
とができる。
【０２０９】請求項５記載の発明は、請求項４記載の半
導体装置であって、前記半導体素子が取り付けられる配
線パターンの面から前記突出部の先端までの距離は、前
記半導体素子が取り付けられる配線パターンの面から前
記半導体装置の背面までの距離より大きいことを特徴と
するものである。
導体装置であって、前記半導体素子が取り付けられる配
線パターンの面から前記突出部の先端までの距離は、前
記半導体素子が取り付けられる配線パターンの面から前
記半導体装置の背面までの距離より大きいことを特徴と
するものである。
【０２１０】請求項６記載の発明によれば、電子部品の
下方にも配線パターンを設けることができ、且つ電子部
品の下方の配線パターンと電子部品との間の距離を大き
くとることができる。したがって、電子部品を接続する
ためのハンダが電子部品の下方にはみ出したとしても、
電子部品の下方の配線パターンに接触することを防止す
ることができる。
下方にも配線パターンを設けることができ、且つ電子部
品の下方の配線パターンと電子部品との間の距離を大き
くとることができる。したがって、電子部品を接続する
ためのハンダが電子部品の下方にはみ出したとしても、
電子部品の下方の配線パターンに接触することを防止す
ることができる。
【０２１１】請求項６記載の発明によれば、固体撮像素
子が直接樹脂筐体に実装されるため、固体撮像素子を実
装するための基板が不要である。したがって、撮像用半
導体装置の厚みは、実質的に撮像用レンズの焦点距離と
固体撮像素子の厚みとの和に等しくなる。すなわち、固
体撮像素子を実装するための基板の厚さが撮像用半導体
装置全体の厚みに含まれないため装置全体の厚みを減少
することができる。また、樹脂筐体の貫通した開口の両
側に撮像用レンズと固体撮像素子とが取り付けられるた
め、固体撮像素子の受光面を含む回路形成面を開口を介
して撮像用レンズと対向させることができる。また、固
体撮像素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの
回路形成面の反対側の背面を支持することができるた
め、回路形成面を画像認識しながら実装を行うことがで
きる。これにより、半導体チップを高い位置精度で樹脂
筐体に実装することができる。
子が直接樹脂筐体に実装されるため、固体撮像素子を実
装するための基板が不要である。したがって、撮像用半
導体装置の厚みは、実質的に撮像用レンズの焦点距離と
固体撮像素子の厚みとの和に等しくなる。すなわち、固
体撮像素子を実装するための基板の厚さが撮像用半導体
装置全体の厚みに含まれないため装置全体の厚みを減少
することができる。また、樹脂筐体の貫通した開口の両
側に撮像用レンズと固体撮像素子とが取り付けられるた
め、固体撮像素子の受光面を含む回路形成面を開口を介
して撮像用レンズと対向させることができる。また、固
体撮像素子を樹脂筐体に実装する際に、半導体チップの
回路形成面の反対側の背面を支持することができるた
め、回路形成面を画像認識しながら実装を行うことがで
きる。これにより、半導体チップを高い位置精度で樹脂
筐体に実装することができる。
【０２１２】請求項７記載の発明によれば、樹脂筐体の
開口内にフィルタを取り付けるだけで、撮像用レンズと
半導体素子の受光面との間にフィルタを容易に配置する
ことができ、高い機能の撮像用半導体装置を提供するこ
とができる。
開口内にフィルタを取り付けるだけで、撮像用レンズと
半導体素子の受光面との間にフィルタを容易に配置する
ことができ、高い機能の撮像用半導体装置を提供するこ
とができる。
【０２１３】請求項８記載の発明によれば、配線パター
ン及び電子部品を樹脂筐体に容易に埋め込むことがで
き、且つ樹脂筐体の底面に配線パターンをさせることが
できる。これにより、請求項１記載の半導体装置を容易
に製造することができる。
ン及び電子部品を樹脂筐体に容易に埋め込むことがで
き、且つ樹脂筐体の底面に配線パターンをさせることが
できる。これにより、請求項１記載の半導体装置を容易
に製造することができる。
【０２１４】請求項９記載の発明によれば、固体撮像用
素子が基板の開口内に配置されるため、撮像用半導体装
置の全体の高さに基板の厚みは含まれない。したがっ
て、撮像用半導体装置の全体の高さを低減することがで
き、薄型の撮像用半導体装置を実現することができる。
素子が基板の開口内に配置されるため、撮像用半導体装
置の全体の高さに基板の厚みは含まれない。したがっ
て、撮像用半導体装置の全体の高さを低減することがで
き、薄型の撮像用半導体装置を実現することができる。
【０２１５】請求項１０記載の発明によれば、樹脂成型
体を実装した後に固体撮像素子を実装するので、固体撮
像素子が外部の雰囲気に曝される時間が短くなり、固体
撮像素子に塵埃等が付着する可能性が少なくなる。した
がって、固体撮像素子の受光面に塵埃が付着することに
起因する画質の劣化を防止することができる。
体を実装した後に固体撮像素子を実装するので、固体撮
像素子が外部の雰囲気に曝される時間が短くなり、固体
撮像素子に塵埃等が付着する可能性が少なくなる。した
がって、固体撮像素子の受光面に塵埃が付着することに
起因する画質の劣化を防止することができる。
【０２１６】請求項１１記載の発明によれば、センサ機
能を分担する撮像素子とセンサ機能を制御する制御用半
導体素子とに分割して一つの樹脂筐体に設けることがで
きる。撮像素子と制御用半導体素子を夫々に適した製造
方法により別個に製造することにより、撮像素子と制御
用半導体素子の両方を効率的に製造することができる。
また、撮像素子と制御用半導体素子の両方の機能をより
一層向上することができる。
能を分担する撮像素子とセンサ機能を制御する制御用半
導体素子とに分割して一つの樹脂筐体に設けることがで
きる。撮像素子と制御用半導体素子を夫々に適した製造
方法により別個に製造することにより、撮像素子と制御
用半導体素子の両方を効率的に製造することができる。
また、撮像素子と制御用半導体素子の両方の機能をより
一層向上することができる。
【０２１７】請求項１２記載の発明によれば、樹脂成型
体を基板に対してアンダーフィル材により強固に固定す
ることができ、樹脂成型体と基板との接続を補強するこ
とができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を
向上することができる。
体を基板に対してアンダーフィル材により強固に固定す
ることができ、樹脂成型体と基板との接続を補強するこ
とができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を
向上することができる。
【０２１８】請求項１３記載の発明によれば、樹脂成型
体を基板に対して異方性導電樹脂により強固に固定する
ことができ、樹脂成型体と基板との接続を補強すること
ができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を向
上することができる。
体を基板に対して異方性導電樹脂により強固に固定する
ことができ、樹脂成型体と基板との接続を補強すること
ができる。したがって、撮像用半導体装置の信頼性を向
上することができる。
【０２１９】請求項１４記載の発明によれば、樹脂筐体
の底面に樹脂バンプを形成することなく、別個に設けら
れる実装端子を介して樹脂筐体を基板に実装する。した
がって、樹脂バンプを形成するための製造工程を省くこ
とができ、撮像用半導体装置の製造工程が簡略化され
る。
の底面に樹脂バンプを形成することなく、別個に設けら
れる実装端子を介して樹脂筐体を基板に実装する。した
がって、樹脂バンプを形成するための製造工程を省くこ
とができ、撮像用半導体装置の製造工程が簡略化され
る。
【０２２０】請求項１５記載の発明によれば、樹脂筐体
の底面を平坦な面として、樹脂筐体を形成した後にその
底面に実装端子を形成し、実装端子を介して樹脂筐体を
基板に実装する。したがって、樹脂バンプを形成するた
めの製造工程を省くことができ、撮像用半導体装置の製
造工程が簡略化される。
の底面を平坦な面として、樹脂筐体を形成した後にその
底面に実装端子を形成し、実装端子を介して樹脂筐体を
基板に実装する。したがって、樹脂バンプを形成するた
めの製造工程を省くことができ、撮像用半導体装置の製
造工程が簡略化される。
【図１】撮像用レンズとＣ−ＭＯＳセンサを有する半導
体チップとを一体化した構成の半導体装置パッケージの
断面図である。
体チップとを一体化した構成の半導体装置パッケージの
断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置パッケージの部品の配置
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態による半導体装置パッケー
ジの断面図である。
ジの断面図である。
【図４】図３に示す半導体装置パッケージの部品の配置
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図５】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の
配線構成を示す平面図である。
配線構成を示す平面図である。
【図７】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の
製造工程を説明するための図である。
製造工程を説明するための図である。
【図８】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の
製造工程を説明するための図である。
製造工程を説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置の
製造工程を説明するための図である。
製造工程を説明するための図である。
【図１０】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１３】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１５】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１６】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図１９】本発明の第２実施例による撮像用半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２０】図１９におけるＡ部の拡大図である。
【図２１】本発明の第２実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図２２】本発明の第２実施例による撮像用半導体装置
の製造工程を説明するための図である。
の製造工程を説明するための図である。
【図２３】本発明の第３実施例による撮像用半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２４】図２３のＡ部の拡大図である。
【図２５】図２３のＡ部に設けられている部品の配置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２６】突起部を形成しないで電子部品の下側に配線
パターンを配置した場合を示す図である。
パターンを配置した場合を示す図である。
【図２７】本発明の第４実施例による撮像用半導体装置
を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図
である。
を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図
である。
【図２８】図２７に示す基板の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図２９】図２７に示す基板の他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図３０】図２８に示す基板に補強板を貼り付けた状態
を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は側面図
である。
を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は側面図
である。
【図３１】図２９に示す基板に補強板を貼り付けた状態
を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は側面図
である。
を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は側面図
である。
【図３２】図２７に示す撮像用半導体装置製造方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３３】電子部品が搭載される前の金属板の平面図で
ある。
ある。
【図３４】電子部品が搭載された状態の金属板を示す断
面図である。
面図である。
【図３５】（ａ）は本発明の第５実施例による固体撮像
用半導体装置の断面図であり、（ｂ）はその断面図であ
る。
用半導体装置の断面図であり、（ｂ）はその断面図であ
る。
【図３６】本発明の第５実施例による固体撮像用半導体
装置の第１変形例を示す断面図である。
装置の第１変形例を示す断面図である。
【図３７】本発明の第５実施例による固体撮像用半導体
装置の第２変形例を示す断面図である。
装置の第２変形例を示す断面図である。
【図３８】本発明の第５実施例による固体撮像用半導体
装置の第３変形例を示す断面図である。
装置の第３変形例を示す断面図である。
【図３９】本発明の第５実施例による固体撮像用半導体
装置の第４変形例を示す断面図である。
装置の第４変形例を示す断面図である。
【図４０】本発明の第６実施例による固体撮像用半導体
装置の一部を示す断面図である。
装置の一部を示す断面図である。
【図４１】本発明の第６実施例による固体撮像用半導体
装置の第１変形例を示す断面図である。
装置の第１変形例を示す断面図である。
【図４２】本発明の第６実施例による固体撮像用半導体
装置の第２変形例を示す断面図である。
装置の第２変形例を示す断面図である。
【図４３】本発明の第７実施例による固体撮像用半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図４４】図４３に示す固体撮像用半導体装置の製造工
程を説明するための図である。
程を説明するための図である。
【図４５】樹脂筐体へのハンダペースト転写工程を説明
するための図である。
するための図である。
【図４６】基板へのハンダペースト塗布工程を説明する
ための図である。
ための図である。
【図４７】本発明の第７実施例による固体撮像用半導体
装置の第１変形例を示す断面図である。
装置の第１変形例を示す断面図である。
【図４８】本発明の第７実施例による固体撮像用半導体
装置の第２変形例を示す断面図である。
装置の第２変形例を示す断面図である。
３ 撮像用レンズ
５ ＩＲフィルタ
５ａ 絞り
９ 電子部品
１０ 半導体チップ
１０Ａ 固体撮像素子チップ
１２ 基板
１２ａ 配線パターン
１４，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ 筐体
１４Ｂａ 突出部
１４Ｃａ 突起部
２６，２６Ａ 外部接続端子
２８ ディンプル
３０ レジスト
３２ 凹部
４０ 撮像用半導体装置
４１ 筐体
４１Ａ レンズホルダ
４１Ｂ モールド成型体
４２ 基板
４２ａ 開口
４３ 補強板
４４ 撮像用レンズ
４５ ＩＲフィルタ
５０ 金属板
７０ 固体撮像素子チップ
７２，７２Ａ，７２Ｂ 制御用半導体チップ
７４ 第２のモールド成型体
８０ アンダーフィル材
８２ ハンダ
８４，８６，９４ 接合材
９０ ハンダボール
９０Ａ 銅コアハンダボール
９０Ｂ 金バンプ
９２ パターン配線
フロントページの続き
(72)発明者 小野寺 正徳
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 森屋 晋
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 小林 泉
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 青木 広志
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA14 FA06 GC11
GD02 HA03 HA20 HA22 HA23
HA31 HA32
5C024 BX01 CY47 EX21 EX51
Claims (15)
- 【請求項１】 所定の機能を提供する半導体装置であっ
て、 機能部品が取り付けられる樹脂筐体と、 該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が露出した導電体からな
る配線パターンと、 前記樹脂筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターン
に接続された電子部品と、 前記樹脂筐体から露出した前記配線パターンの一部に対
して接続された半導体素子とを有し、 前記半導体素子は前記樹脂筐体の機能部品と協働して前
記所定の機能を提供することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置であって、 前記半導体素子は前記配線パターンの一部に対してフリ
ップチップ実装されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置であっ
て、 前記配線パターンの露出部の一部は前記樹脂筐体の面か
ら突出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の半導体装置であっ
て、 前記樹脂筐体は前記半導体素子の周囲において前記半導
体素子側に突出した突出部を有し、前記配線パターンの
露出部の一部は前記突出部の表面において露出している
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置であって、 前記半導体素子が取り付けられる配線パターンの面から
前記突出部の先端までの距離は、前記半導体素子が取り
付けられる配線パターンの面から前記半導体装置の背面
までの距離より大きいことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 撮像用半導体装置であって、 上面と底面の間で貫通した開口を有する樹脂筐体と、 該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体の底面に
露出した導電体からなる配線パターンと、 前記樹脂筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターン
に接続された電子部品と、 前記配線パターンの露出部にフリップチップ実装された
固体撮像素子と、 前記筐体の上面側に取り付けられた撮像用レンズとを有
し、 前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とは、前記撮像用
レンズを通過する光が前記樹脂筐体の前記開口を介して
前記固体撮像素子の受光面に入射するように配置された
ことを特徴とする撮像用半導体装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の撮像用半導体装置であっ
て、 表面に絞りが形成されたフィルタを更に含み、該フィル
タは前記撮像用レンズと前記半導体素子との間に配置さ
れた状態で前記樹脂筐体の前記開口内に取り付けられた
ことを特徴とする撮像用半導体装置。 - 【請求項８】 半導体装置の製造方法であって、 金属板の上に導電体よりなる配線パターンを形成し、 該配線パターンに電子部品を接続し、 該電子部品と前記配線パターンとを前記金属板上で樹脂
封止して、前記電子部品と前記配線パターンとが埋め込
まれた樹脂筐体を形成し、 前記金属板を前記樹脂筐体から除去して前記配線パター
ンの一部を露出させ、 前記配線パターンの露出部に半導体素子を接続し、 前記樹脂筐体に前記半導体素子と協働して所定の機能を
提供する機能部品を取り付けることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項９】 撮像用レンズが取り付けられたレンズホ
ルダと、 該レンズホルダが取り付けられ、且つ前記レンズホルダ
が取り付けられる側とは反対側の底面に固体撮像素子が
実装される樹脂成型体と、 該樹脂成型体が実装される基板と、 を有する撮像用半導体装置であって、 前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置に開口を有
しており、前記固体撮像素子は該開口内に配置された状
態で前記樹脂成型体の前記底面に実装されることを特徴
とする撮像用半導体装置。 - 【請求項１０】 撮像用半導体装置の製造方法であっ
て、 底面に突出した電極を有する樹脂成型体を、該電極を用
いて基板に実装する工程と、 前記樹脂成型体の実装工程の後に、固体撮像素子を前記
基板に形成された開口を通じて前記樹脂成型体の前記底
面に実装する工程とを有することを特徴とする撮像用半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 機能部品が取り付けられる樹脂筐体
と、 該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が露出した導電体からな
る配線パターンと、 前記樹脂筐体から露出した前記配線パターンの一部に対
して接続された撮像素子と前記樹脂筐体に設けられ、前
記配線パターンに接続された制御用半導体素子と、 を有する撮像用半導体装置であって、 前記撮像素子は前記樹脂筐体に設けられた前記制御用半
導体素子と協働して撮像機能を提供することを特徴とす
る撮像用半導体装置。 - 【請求項１２】 撮像用レンズが取り付けられたレンズ
ホルダと、 該レンズホルダが取り付けられ、且つ前記レンズホルダ
が取り付けられる側とは反対側の底面に固体撮像素子が
実装される樹脂成型体と、 該樹脂成型体が実装される基板と、 を有する撮像用半導体装置であって、 前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置に開口を有
しており、前記固体撮像素子は該開口内に配置された状
態で前記樹脂成型体の前記底面に実装され、且つ前記樹
脂成型体と前記基板との間にアンダーフィル材が充填さ
れたことを特徴とする撮像用半導体装置。 - 【請求項１３】 撮像用レンズが取り付けられたレンズ
ホルダと、 該レンズホルダが取り付けられ、且つ前記レンズホルダ
が取り付けられる側とは反対側の底面に固体撮像素子が
実装される樹脂成型体と、 該樹脂成型体が実装される基板と、 を有する撮像用半導体装置であって、 前記基板は前記樹脂成型体が実装される位置に開口を有
しており、前記固体撮像素子は該開口内に配置された状
態で前記樹脂成型体の前記底面に実装され、且つ前記樹
脂成型体は異方導電性樹脂により前記基板に実装された
ことを特徴とする撮像用半導体装置。 - 【請求項１４】 上面と平坦な底面との間で貫通した開
口を有する樹脂筐体と、 該樹脂筐体に埋め込まれ、一部が前記樹脂筐体の平坦な
底面に露出した導電体からなる配線パターンと、 前記樹脂筐体に埋め込まれた状態で、前記配線パターン
に接続された電子部品と、 前記配線パターンの露出部にフリップチップ実装された
固体撮像素子と、 前記樹脂筐体の上面側に取り付けられた撮像用レンズ
と、 前記樹脂筐体が実装された基板とを有し、 前記撮像用レンズと前記固体撮像素子とは、前記撮像用
レンズを通過する光が前記樹脂筐体の前記開口を介して
前記固体撮像素子の受光面に入射するように配置された
撮像用半導体装置であって、 前記樹脂筐体の底面に露出した配線パターンは金属から
なる実装端子を介して前記基板の配線パターンに電気的
に接続されたことを特徴とする撮像用半導体装置。 - 【請求項１５】 撮像用半導体装置の製造方法であっ
て、 金属板の平坦な表面上に導電体よりなる配線パターンを
形成し、 該配線パターンに電子部品を接続し、 該電子部品と前記配線パターンとを前記金属板上で樹脂
封止して、前記電子部品と前記配線パターンとが埋め込
まれた樹脂筐体を形成し、 前記金属板を前記樹脂筐体から除去して前記配線パター
ンの一部を露出させ、前記樹脂筐体の平坦な底面に露出
した前記配線パターンの一部に実装端子を形成し、 前記樹脂筐体を前記実装端子を介して基板に実装し、 前記樹脂筐体の底面に露出した配線パターンに撮像素子
をフリップチップ実装し、 前記撮像素子と協働して撮像機能を提供する機能部品を
前記樹脂筐体に取り付けることを特徴とする撮像用半導
体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| JP2001-315672 | 2001-10-12 | ||
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