JP2000269472A - 撮像装置 - Google Patents
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- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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- Studio Devices (AREA)
- Cameras In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 撮像素子の機能を保ちつつ実装面積の削減を
する。 【解決手段】 撮像素子１を、接続用端子を設けた基板
３に撮像素子の素子形成面を向かい合わせ接続部材１０
０により接続する撮像装置において、撮像素子１の受光
領域部に対応する基板３の領域に貫通穴３００を設け
た。
する。 【解決手段】 撮像素子１を、接続用端子を設けた基板
３に撮像素子の素子形成面を向かい合わせ接続部材１０
０により接続する撮像装置において、撮像素子１の受光
領域部に対応する基板３の領域に貫通穴３００を設け
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置に係わり、
特に、撮像素子を、接続用端子を設けた基板に前記撮像
素子の素子形成面を向かい合わせ接続部材により接続す
る撮像装置に関する。
特に、撮像素子を、接続用端子を設けた基板に前記撮像
素子の素子形成面を向かい合わせ接続部材により接続す
る撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ビデオカメラ、デジタルカメラ等
はセラミックパッケージに入れたマルチメディア携帯機
器対応を考慮した撮像装置として、「NIKKEI MICRODEVI
CES １９９７年９月号」に掲載された松下電子工業製の
携帯機器向けワンチップカメラが知られている。
はセラミックパッケージに入れたマルチメディア携帯機
器対応を考慮した撮像装置として、「NIKKEI MICRODEVI
CES １９９７年９月号」に掲載された松下電子工業製の
携帯機器向けワンチップカメラが知られている。
【０００３】その構成は、シリコン配線基板上にＣＣ
Ｄ、周辺ＩＣ（駆動回路、雑音低減回路（ＣＤＳ回
路）、ＤＳＰ（画像信号処理等））を搭載し、それぞれ
のチップとシリコン配線基板をワイヤーボンディングで
接続している。
Ｄ、周辺ＩＣ（駆動回路、雑音低減回路（ＣＤＳ回
路）、ＤＳＰ（画像信号処理等））を搭載し、それぞれ
のチップとシリコン配線基板をワイヤーボンディングで
接続している。
【０００４】そして、それぞれのチップを搭載した前記
シリコン基板をセラミックパッケージ内に入れ接着後、
さらにパッケージ端子と該シリコン基板端子をワイヤー
ボンディングで接続している。
シリコン基板をセラミックパッケージ内に入れ接着後、
さらにパッケージ端子と該シリコン基板端子をワイヤー
ボンディングで接続している。
【０００５】最後に、ＣＣＤの受光部に映像光が入射す
るよう受光部のみに保護ガラスをはめ込んだセラミック
蓋で接着剤を用い封止しパッケージ化している。
るよう受光部のみに保護ガラスをはめ込んだセラミック
蓋で接着剤を用い封止しパッケージ化している。
【０００６】図４は上記撮像装置の構成を示す断面図で
ある。同図において、１は撮像素子、２は周辺ＩＣ、３
は配線基板、４は保護ガラス、１５はセラミックパッケ
ージ下蓋、１６はセラミックパッケージ上蓋、１７はリ
ード電極、１８はボンディングワイヤーである。
ある。同図において、１は撮像素子、２は周辺ＩＣ、３
は配線基板、４は保護ガラス、１５はセラミックパッケ
ージ下蓋、１６はセラミックパッケージ上蓋、１７はリ
ード電極、１８はボンディングワイヤーである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では次のような問題点があった。
来例では次のような問題点があった。
【０００８】セラミックパッケージに撮像素子や周辺
ＩＣを実装した配線基板を乗せた積み重ね構造であるこ
とと、ワイヤーボンディングを用いているため高さ方向
の空間さらに横方向の空間が必要となりモジュールのサ
イズが大きくなる。
ＩＣを実装した配線基板を乗せた積み重ね構造であるこ
とと、ワイヤーボンディングを用いているため高さ方向
の空間さらに横方向の空間が必要となりモジュールのサ
イズが大きくなる。
【０００９】セラミックパッケージに撮像素子を実装
した配線基板を積み重ねた構造であるため、積み重ねる
ごとにＣＣＤとセラミックパッケージ外形の位置ずれが
大きくなる。また、セラミックパッケージそのものも成
型時のばらつきが大きいため寸法精度の向上が困難であ
る。したがって、撮像モジュールを製品に組み込む際、
レンズ等の光学系との位置合わせ、光軸合わせ、あおり
調整が必要になり製品内に調整機構を設けることが求め
られる。
した配線基板を積み重ねた構造であるため、積み重ねる
ごとにＣＣＤとセラミックパッケージ外形の位置ずれが
大きくなる。また、セラミックパッケージそのものも成
型時のばらつきが大きいため寸法精度の向上が困難であ
る。したがって、撮像モジュールを製品に組み込む際、
レンズ等の光学系との位置合わせ、光軸合わせ、あおり
調整が必要になり製品内に調整機構を設けることが求め
られる。
【００１０】このような問題点により従来の撮像モジュ
ールを搭載する製品では製品の小型化が困難であり、し
かも組立工程での光軸調整、あおり調整など調整コスト
が必要であったため低価格化も困難であった。
ールを搭載する製品では製品の小型化が困難であり、し
かも組立工程での光軸調整、あおり調整など調整コスト
が必要であったため低価格化も困難であった。
【００１１】本発明の目的は上記問題点を解決し、デジ
タルカメラ、ビデオカメラ、カメラ付携帯端末などの製
品に搭載できる、小型かつ低コストの撮像装置を提供す
ることにある。
タルカメラ、ビデオカメラ、カメラ付携帯端末などの製
品に搭載できる、小型かつ低コストの撮像装置を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明は、撮像素子を、接続用端子を設けた
基板に前記撮像素子の素子形成面を向かい合わせ接続部
材により接続する撮像装置において、前記撮像素子の受
光領域部に対応する前記基板の領域に貫通穴を設けたこ
とを特徴とする。
するため、本発明は、撮像素子を、接続用端子を設けた
基板に前記撮像素子の素子形成面を向かい合わせ接続部
材により接続する撮像装置において、前記撮像素子の受
光領域部に対応する前記基板の領域に貫通穴を設けたこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明者は、撮像素子と配線基板の結線方
法がワイヤーボンディングであった場合、高さ方向、横
方向の空間が必要であるため空間を必要としないフェイ
スダウン実装が望ましいと考えた。
法がワイヤーボンディングであった場合、高さ方向、横
方向の空間が必要であるため空間を必要としないフェイ
スダウン実装が望ましいと考えた。
【００１４】しかしながら、撮像素子を不透明な配線基
板にフェイスダウン実装した場合、撮像素子の受光部に
入射するべき映像が配線基板により遮られてしまうこと
になる。
板にフェイスダウン実装した場合、撮像素子の受光部に
入射するべき映像が配線基板により遮られてしまうこと
になる。
【００１５】そこで、本発明は配線基板に貫通穴を設け
ることで、撮像素子の機能と実装面積の削減を両立し
た。
ることで、撮像素子の機能と実装面積の削減を両立し
た。
【００１６】また、フェイスダウン実装の場合、撮像素
子と配線基板はＸ、Ｙ、Ｚ、θ、あおり方向とも数十ミ
クロンの精度でアライメントしているため配線基板の外
形で精度よく投げ込みで製品に組み込むことができる。
従って、製品のレンズ光学系との位置合わせは必要でな
くなるため調整機構用部品、調整のための工数が不要で
小型化、低コスト化が実現できる。
子と配線基板はＸ、Ｙ、Ｚ、θ、あおり方向とも数十ミ
クロンの精度でアライメントしているため配線基板の外
形で精度よく投げ込みで製品に組み込むことができる。
従って、製品のレンズ光学系との位置合わせは必要でな
くなるため調整機構用部品、調整のための工数が不要で
小型化、低コスト化が実現できる。
【００１７】また本発明によれば、貫通穴を設けた配線
基板を不透明なシリコン基板とすることで、撮像素子の
非受光部及び周辺ＩＣの遮光を兼ねることができ、さら
に熱膨張差などからフェイスダウン実装や素子の作り込
みに適した材質で基板を構成することができる。さら
に、半導体プロセスを利用できることから高精度の配線
基板が容易に製作でき、またシリコン自体の厚みも高精
度であり、配線基板を基準に撮像装置を投げ込み組立て
するためにも優れている。
基板を不透明なシリコン基板とすることで、撮像素子の
非受光部及び周辺ＩＣの遮光を兼ねることができ、さら
に熱膨張差などからフェイスダウン実装や素子の作り込
みに適した材質で基板を構成することができる。さら
に、半導体プロセスを利用できることから高精度の配線
基板が容易に製作でき、またシリコン自体の厚みも高精
度であり、配線基板を基準に撮像装置を投げ込み組立て
するためにも優れている。
【００１８】また本発明によれば、貫通穴を設けた配線
基板に撮像素子以外の周辺ＩＣ（駆動回路、雑音低減回
路、画像信号処理等）などを実装することにより、効率
よく各素子の配置（いわゆるマルチチップモジュール）
が可能となり製品の小型化を図ることができる。
基板に撮像素子以外の周辺ＩＣ（駆動回路、雑音低減回
路、画像信号処理等）などを実装することにより、効率
よく各素子の配置（いわゆるマルチチップモジュール）
が可能となり製品の小型化を図ることができる。
【００１９】また本発明によれば、貫通穴を設けた配線
基板をガラスエポキシからなる材質で構成することによ
り、コストの低減をすることができる。
基板をガラスエポキシからなる材質で構成することによ
り、コストの低減をすることができる。
【００２０】本発明の撮像装置を、マルチメディア携帯
機器製品等に搭載される撮像モジュールとして用い、を
小型かつ調整不要のパッケージにすることで更なる小型
化、低コスト化された製品を供給することができる。
機器製品等に搭載される撮像モジュールとして用い、を
小型かつ調整不要のパッケージにすることで更なる小型
化、低コスト化された製品を供給することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明における撮像素子を搭載した
撮像装置の断面図、図２（ａ），（ｂ）は本撮像装置の
保護ガラス搭載側および撮像素子搭載側から見た斜視
図、図３は本撮像装置をレンズに組み込んだ形態を示す
断面図および斜視図である。
撮像装置の断面図、図２（ａ），（ｂ）は本撮像装置の
保護ガラス搭載側および撮像素子搭載側から見た斜視
図、図３は本撮像装置をレンズに組み込んだ形態を示す
断面図および斜視図である。
【００２３】図１において、１は撮像素子、１００は撮
像素子１の端子に形成されたスタッドバンプ、２は周辺
の信号処理ＩＣ、３は貫通穴３００を施した基板で片面
には配線が形成されている配線基板である。また、４は
撮像素子１を保護する保護ガラス、５はＦＰＣ（フレキ
シブルプリント配線基板）で撮像装置と外部基板との電
源、信号の入出力の経路となる。６は前記撮像素子１お
よび信号処理ＩＣ２などを保護する封止剤、７はＦＰＣ
５と配線基板３とを接続する異方性導電接着剤、８は配
線基板３と保護ガラスとを接着する保護ガラス接着剤で
ある。
像素子１の端子に形成されたスタッドバンプ、２は周辺
の信号処理ＩＣ、３は貫通穴３００を施した基板で片面
には配線が形成されている配線基板である。また、４は
撮像素子１を保護する保護ガラス、５はＦＰＣ（フレキ
シブルプリント配線基板）で撮像装置と外部基板との電
源、信号の入出力の経路となる。６は前記撮像素子１お
よび信号処理ＩＣ２などを保護する封止剤、７はＦＰＣ
５と配線基板３とを接続する異方性導電接着剤、８は配
線基板３と保護ガラスとを接着する保護ガラス接着剤で
ある。
【００２４】ここで、配線基板３は結晶方位１１０のＳ
ｉ基板を用い表面に熱酸化膜を１００００Å形成し、更
に配線層を形成、パターン加工する。更に絶縁を兼ねて
ＳｉＯ2 を形成し、接続端子部に開口部を形成する。前
記配線の材料としては、薄膜のＡｌ、Ｃｕ、厚膜のＡｕ
ペースト、Ａｇペースト等があり、接続端子部の開口部
にＡｕめっき、或いは厚膜Ａｕを印刷する場合もある。
ｉ基板を用い表面に熱酸化膜を１００００Å形成し、更
に配線層を形成、パターン加工する。更に絶縁を兼ねて
ＳｉＯ2 を形成し、接続端子部に開口部を形成する。前
記配線の材料としては、薄膜のＡｌ、Ｃｕ、厚膜のＡｕ
ペースト、Ａｇペースト等があり、接続端子部の開口部
にＡｕめっき、或いは厚膜Ａｕを印刷する場合もある。
【００２５】なお、配線のパターニングや成膜等はウェ
ハー状態で形成された後にダイシィング装置にて切断す
る。その際、切断用アライメントマークにそって切断す
るがこのアライメントマークは配線パターンと同じ焼き
付けマスクにより形成されているため、配線パターンと
配線基板の外形は±１０μｍ以内の精度で切断できる。
ハー状態で形成された後にダイシィング装置にて切断す
る。その際、切断用アライメントマークにそって切断す
るがこのアライメントマークは配線パターンと同じ焼き
付けマスクにより形成されているため、配線パターンと
配線基板の外形は±１０μｍ以内の精度で切断できる。
【００２６】次に撮像素子に映像光が入射するように配
線基板３の開口部に貫通穴３００を設ける。
線基板３の開口部に貫通穴３００を設ける。
【００２７】その方法としては、配線基板３がシリコン
であるため精度よく加工できるエッチング法を採用し
た。エッチング液としてはテトラメチルアンモニウムハ
イドライド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた。このエッチン
グ液としてはＫＯＨ等のシリコンとＳｉＯ2 との選択比
が十分取れるものであれば特に限定されない。
であるため精度よく加工できるエッチング法を採用し
た。エッチング液としてはテトラメチルアンモニウムハ
イドライド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いた。このエッチン
グ液としてはＫＯＨ等のシリコンとＳｉＯ2 との選択比
が十分取れるものであれば特に限定されない。
【００２８】なお、配線基板３の配線面には接続端子部
を除きＳｉＯ2 膜を成膜し、配線基板３の配線面の反対
側の面にも同様に全面ＳｉＯ2 膜を成膜するものの貫通
穴を設けたい部分のＳｉＯ2 膜はフォトリソグラフィに
て除去する。
を除きＳｉＯ2 膜を成膜し、配線基板３の配線面の反対
側の面にも同様に全面ＳｉＯ2 膜を成膜するものの貫通
穴を設けたい部分のＳｉＯ2 膜はフォトリソグラフィに
て除去する。
【００２９】配線基板３の配線面、側面及び配線面と反
対側の面の角部をシリコーンゴム、テフロン、ＳＵＳと
いったＴＭＡＨ水溶液に耐食性の材料で更に保護しエッ
チング液に投入する。
対側の面の角部をシリコーンゴム、テフロン、ＳＵＳと
いったＴＭＡＨ水溶液に耐食性の材料で更に保護しエッ
チング液に投入する。
【００３０】エッチング条件は、ＴＭＡＨ２２％水溶液
を９０℃で熱し１０時間である。シリコン層のエッチン
グが進行するが、配線側のＳｉＯ2 膜によりエッチング
の進行が停止される。また、配線側のＳｉＯ2 膜により
配線側へのエッチング液侵入を防いでいる。
を９０℃で熱し１０時間である。シリコン層のエッチン
グが進行するが、配線側のＳｉＯ2 膜によりエッチング
の進行が停止される。また、配線側のＳｉＯ2 膜により
配線側へのエッチング液侵入を防いでいる。
【００３１】最後に残った薄いＳｉＯ2 膜をエアーガン
や水流の機械的圧力で除去し貫通穴３００を完成させ
る。
や水流の機械的圧力で除去し貫通穴３００を完成させ
る。
【００３２】撮像素子１の端子にバンプを形成する場
合、カラーフィルター、マイクロレンズ等耐熱性の低い
材料を用いている構成であるため、バリアメタルの薄膜
工程、めっき後の熱処理工程等、高温にさらされるた
め、めっきバンプが用いることは困難である。
合、カラーフィルター、マイクロレンズ等耐熱性の低い
材料を用いている構成であるため、バリアメタルの薄膜
工程、めっき後の熱処理工程等、高温にさらされるた
め、めっきバンプが用いることは困難である。
【００３３】従って、ボールボンディングのボール部の
みを端子につけるスタッドバンプを用いることになる。
みを端子につけるスタッドバンプを用いることになる。
【００３４】ボールを端子部に超音波と熱で付けた後、
切断したワーヤーの再結晶部が短く残り凸形状になり基
板との接合するためには不都合なので、上面を別のツー
ルで押しつぶすフラットニングを行う。
切断したワーヤーの再結晶部が短く残り凸形状になり基
板との接合するためには不都合なので、上面を別のツー
ルで押しつぶすフラットニングを行う。
【００３５】また、同一基板上に搭載する画像処理等の
ＩＣのバンプについては、めっき、或いは撮像素子１と
同様にスタッドバンプで形成されている。
ＩＣのバンプについては、めっき、或いは撮像素子１と
同様にスタッドバンプで形成されている。
【００３６】前記スタッドバンプ、めっきバンプを形成
したＩＣチップを基板上にＡＣＦ（異方性導電フィル
ム）、あるいはＡＣＰ（異方性導電ペースト）でフェイ
スダウン実装を行う。
したＩＣチップを基板上にＡＣＦ（異方性導電フィル
ム）、あるいはＡＣＰ（異方性導電ペースト）でフェイ
スダウン実装を行う。
【００３７】フェイスダウン実装の手順としては、撮像
素子１のボンディングにＡＣＦを用いる場合、あらかじ
め、配線基板３のくり貫き穴部３００を除き、端子部に
かかる形状にＡＣＦを型抜きした状態で低温下で低圧着
する。また、ＡＣＰを用いる場合は、あらかじめデスペ
ンサー等で基板の端子部にＡＣＰを塗布する。
素子１のボンディングにＡＣＦを用いる場合、あらかじ
め、配線基板３のくり貫き穴部３００を除き、端子部に
かかる形状にＡＣＦを型抜きした状態で低温下で低圧着
する。また、ＡＣＰを用いる場合は、あらかじめデスペ
ンサー等で基板の端子部にＡＣＰを塗布する。
【００３８】更に、前記ＡＣＦを仮圧着した部分、或い
はＡＣＰを塗布した部分に撮像素子裏面からボンディン
グツールで吸着し、撮像素子と加熱圧着を行う。
はＡＣＰを塗布した部分に撮像素子裏面からボンディン
グツールで吸着し、撮像素子と加熱圧着を行う。
【００３９】なお、撮像素子１上のバンプと配線基板接
続用端子は画像処理装置を用いアライメントするため±
５μｍ程度の精度で接着される。
続用端子は画像処理装置を用いアライメントするため±
５μｍ程度の精度で接着される。
【００４０】従って、配線基板３も前述したように接続
端子と配線基板の外形精度が高いことから配線基板の外
形から撮像素子の位置が高精度で配置されることにな
る。
端子と配線基板の外形精度が高いことから配線基板の外
形から撮像素子の位置が高精度で配置されることにな
る。
【００４１】加熱条件としては、ＡＣＦ、ＡＣＰの樹脂
成分が硬化する条件、例えば、温度条件は、１５０℃，
８０ｓｅｃで、圧力条件は端子数によって異なるが、端
子当たり７０〜１２０ｇになるように適宜装置側の荷重
を設定する。
成分が硬化する条件、例えば、温度条件は、１５０℃，
８０ｓｅｃで、圧力条件は端子数によって異なるが、端
子当たり７０〜１２０ｇになるように適宜装置側の荷重
を設定する。
【００４２】周辺ＩＣ２の場合、装置側の加熱ツールに
ＩＣチップの裏面側を吸着し画像処理により配線板端子
とＩＣチップの端子の位置あわせを行いツールにより加
熱圧着を行う。
ＩＣチップの裏面側を吸着し画像処理により配線板端子
とＩＣチップの端子の位置あわせを行いツールにより加
熱圧着を行う。
【００４３】本構成の場合、周辺のＩＣと比較し撮像素
子は耐熱性が劣るため、より低温で接続する必要性を考
慮し、周辺ＩＣを先に熱圧着し、その後、電気チェック
を行い、周辺ＩＣが確実に実装されていることを確認し
てから撮像素子を実装するのが望ましい。
子は耐熱性が劣るため、より低温で接続する必要性を考
慮し、周辺ＩＣを先に熱圧着し、その後、電気チェック
を行い、周辺ＩＣが確実に実装されていることを確認し
てから撮像素子を実装するのが望ましい。
【００４４】撮像素子、周辺ＩＣを実装した後、外部か
ら電源供給、信号入出力用のＦＰＣ５を熱圧着し、更に
端子部、素子部を保護するために樹脂封止、配線基板の
素子搭載面に対向する面側の貫通窓部に赤外カットフィ
ルターを設けたガラス４を貼り合わせ、本発明の撮像装
置が形成される。
ら電源供給、信号入出力用のＦＰＣ５を熱圧着し、更に
端子部、素子部を保護するために樹脂封止、配線基板の
素子搭載面に対向する面側の貫通窓部に赤外カットフィ
ルターを設けたガラス４を貼り合わせ、本発明の撮像装
置が形成される。
【００４５】図３（ａ），（ｂ）は本発明の撮像モジュ
ールをレンズが搭載された光学筐体に組み込んだ状態を
示す断面図および斜視図である。図３において、１０は
レンズ、１１はレンズ筐体、１２は撮像素子モジュール
（撮像装置）である。図３のように光学筐体を撮像モジ
ュールの外形に合わせ形成しておけば光軸合わせ、あお
り調整することなく高精度でレンズ光学系との組立てが
可能となる。
ールをレンズが搭載された光学筐体に組み込んだ状態を
示す断面図および斜視図である。図３において、１０は
レンズ、１１はレンズ筐体、１２は撮像素子モジュール
（撮像装置）である。図３のように光学筐体を撮像モジ
ュールの外形に合わせ形成しておけば光軸合わせ、あお
り調整することなく高精度でレンズ光学系との組立てが
可能となる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば撮
像素子を接続用の端子を設けた基板に前記撮像素子の素
子形成面を向かい合わせバンプ等により接続するいわゆ
るフェイスダウン実装した撮像装置において、前記撮像
素子の受光領域部に対する前記基板側に貫通穴を設ける
ことにより、 実装面積を削減したフェイスダウン実装を採用するこ
とができる。これにより格段に撮像装置のサイズを小型
化することができる。
像素子を接続用の端子を設けた基板に前記撮像素子の素
子形成面を向かい合わせバンプ等により接続するいわゆ
るフェイスダウン実装した撮像装置において、前記撮像
素子の受光領域部に対する前記基板側に貫通穴を設ける
ことにより、 実装面積を削減したフェイスダウン実装を採用するこ
とができる。これにより格段に撮像装置のサイズを小型
化することができる。
【００４７】フェイスダウン実装を採用することで撮
像素子と配線基板はＸ、Ｙ、Ｚ、θ、あおり方向とも高
精度でアライメントしているため配線基板の外形で精度
よく無調整で製品に組み込むことができる。従って、調
整機構用の部品、調整のための工数が不要で小型化、低
コスト化が実現できる。
像素子と配線基板はＸ、Ｙ、Ｚ、θ、あおり方向とも高
精度でアライメントしているため配線基板の外形で精度
よく無調整で製品に組み込むことができる。従って、調
整機構用の部品、調整のための工数が不要で小型化、低
コスト化が実現できる。
【００４８】また本発明は、マルチメディア携帯機器製
品等に搭載される撮像装置を小型かつ、調整不要のパッ
ケージにすることで更なる小型化、低コスト化された製
品を供給することができる。さらに、撮像素子と撮像素
子の周辺回路を一体化し小型化、薄型化した撮像装置を
構成することができる。
品等に搭載される撮像装置を小型かつ、調整不要のパッ
ケージにすることで更なる小型化、低コスト化された製
品を供給することができる。さらに、撮像素子と撮像素
子の周辺回路を一体化し小型化、薄型化した撮像装置を
構成することができる。
【図１】本発明の撮像装置の断面図である。
【図２】本発明の撮像装置の保護ガラス搭載側および撮
像素子搭載側から見た斜視図である。
像素子搭載側から見た斜視図である。
【図３】本発明の撮像装置をレンズに組み込んだ形態を
示す断面図および斜視図である。
示す断面図および斜視図である。
【図４】従来の１チップカメラモジュールの断面図であ
る。
る。
１ 撮像素子 ２ 周辺ＩＣ ３ 配線基板 ４ 保護ガラス ５ ＦＰＣ ６ 封止樹脂 ７ 異方性導電接着剤 ８ 保護ガラス接着剤 １０ レンズ １１ レンズ筐体 １２ 撮像モジュール １５ セラミックパッケージ下蓋 １６ セラミックパッケージ上蓋 １７ リード電極 １８ ボンディングワイヤー １００ スタッドバンプ １１０ 受光素子部 ３００ 貫通穴
Claims (5)
- 【請求項１】 撮像素子を、接続用端子を設けた基板に
前記撮像素子の素子形成面を向かい合わせ接続部材によ
り接続する撮像装置において、 前記撮像素子の受光領域部に対応する前記基板の領域に
貫通穴を設けたことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項２】 前記基板は半導体基板であることを特徴
とする請求項１に記載の撮像装置。 - 【請求項３】 前記基板に、前記撮像素子以外のＩＣを
搭載させたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の撮像装置。 - 【請求項４】 前記接続部材はスタッドバンプであるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかの請求項に記載
の撮像装置。 - 【請求項５】 前記基板は非光透過性基板である請求項
１又は請求項２に記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068751A JP2000269472A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068751A JP2000269472A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269472A true JP2000269472A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13382797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068751A Pending JP2000269472A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269472A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494044B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2005-06-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 촬상장치 및 그의 제조방법 |
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| CN115486209A (zh) * | 2020-06-17 | 2022-12-16 | 株式会社Lg新能源 | 用于制造柔性印刷电路板的方法 |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068751A patent/JP2000269472A/ja active Pending
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