JP6230124B2 - 撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置 - Google Patents
撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6230124B2 JP6230124B2 JP2014246564A JP2014246564A JP6230124B2 JP 6230124 B2 JP6230124 B2 JP 6230124B2 JP 2014246564 A JP2014246564 A JP 2014246564A JP 2014246564 A JP2014246564 A JP 2014246564A JP 6230124 B2 JP6230124 B2 JP 6230124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- substrate
- wiring layer
- curved surface
- built
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/804—Containers or encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
- H10F39/8027—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Description
上記コア層は、金属で形成されたコア材を有する。
上記第1配線層は、上記コア層に積層されている。
上記キャビティ部は、上記コア材と上記第1配線層とを貫通している。
上記第2配線層は、上記キャビティ部に対向する位置に設けられたグランド部を有し、上記コア層に対して上記第1配線層とは反対側に積層されている。
上記樹脂部は、上記キャビティ部内に配置され、上記第2配線層に支持された底面と、上記コア材によって支持された側面と、上記底面とは反対側に設けられた湾曲面と、を有する。
上記撮像素子は、上記キャビティ部内で上記湾曲面に沿って接着されている。
この構成により、特定の収差を有するレンズユニットに対応した撮像素子内蔵基板を提供することができる。
この構成により、撮像素子を樹脂部の湾曲面に接着する際に、余分な接着剤が撮像素子の表面に付着することを防止することができる。
この構成により、撮像素子の下面の全領域が樹脂部の湾曲面に保持されるため、撮像素子の正確な位置及び形状がより良好に担保される。また、この構成の撮像素子では、外周部が樹脂部の湾曲面に保持されているため、ワイヤボンディングの際に当該外周部に加わる衝撃によって変形が生じにくい。
この構成により、第2配線層側からキャビティ部内に異物が混入することを防止できるとともに、第2配線層において配線などを設けることができる領域を広く確保することができる。
この構成では、コア材がグランド部の一部として機能するため、撮像素子が外部からのノイズの影響を更に受けにくくなる。
上記キャビティ部内に上記樹脂が充填される。
上記型部材が配置され上記樹脂が充填された後に、上記樹脂が硬化させられる。
上記樹脂が硬化させられた後に、上記型部材が除去されることにより、上記樹脂の上記湾曲面が露出する。
上記湾曲面が露出した後に、上記湾曲面に沿って撮像素子が接着される。
上記レンズユニットは、外光が透過可能に構成されている。
上記コア層は、上記レンズユニットに対向配置され、金属で形成されたコア材を有する。
上記第1配線層は、上記コア層の上記レンズユニット側に積層されている。
上記キャビティ部は、上記コア材と上記第1配線層とを貫通している。
上記第2配線層は、上記キャビティ部に対向する位置に設けられたグランド部を有し、上記コア層に対して上記第1配線層とは反対側に積層されている。
上記樹脂部は、上記キャビティ部内に配置され、上記第2配線層に支持された底面と、上記コア材によって支持された側面と、上記底面とは反対側に設けられ、上記レンズユニットの収差に応じた形状を有する湾曲面と、を有する。
上記撮像素子は、上記キャビティ部内で上記湾曲面に沿って接着され、上記レンズユニットを透過した外光の入射を受ける。
図1は、本発明の一実施形態に係る撮像装置1の斜視図である。図2は、撮像装置1の図1に示すA−A'線に沿った断面図である。撮像装置1は、多種多様な用途に利用可能であるが、スマートホンなどの携帯端末機といった薄型化が要求される電子機器としての用途に特に適している。
(全体構成)
図3は、本実施形態に係る撮像素子内蔵基板10の平面図である。図4は、撮像素子内蔵基板10の図3に示すB−B'線に沿った断面図である。撮像素子内蔵基板10は、コア層12と、第1配線層13と、第2配線層14と、を具備する。第1配線層13及び第2配線層14には、導体部(各図において斜線領域)と絶縁体部(各図においてドット領域)が含まれる。
撮像素子内蔵基板10は、キャビティ部20内で撮像素子11を保持する樹脂部16を具備する。樹脂部16は、第2配線層14の上面に支持された底面16aと、コア材19によって支持された側面16bと、第2配線層14とは反対側に設けられた湾曲面16cと、を有する。
図6は上記実施形態に関連する撮像素子内蔵基板110の断面図である。撮像素子内蔵基板110について、上記実施形態に係る撮像素子内蔵基板10と同様の構成については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
図7A〜図7Hは、上記実施形態の変形例に係る撮像素子内蔵基板10の断面図である。以下、適宜図面を参照しながら、撮像素子内蔵基板10の変形例について説明する。
撮像素子内蔵基板10では、撮像素子11がキャビティ部20内に収まっていれば、コア層12の厚さに関わらず、上記実施形態と同様の効果が得られる。
撮像素子内蔵基板10は、樹脂部16の湾曲面16cが、撮像素子11を保持するとともに、撮像素子11の形状を規定することが可能なように構成されていればよい。
撮像素子内蔵基板10では、撮像素子11がキャビティ部20内に収まっていれば、撮像素子11の位置に関わらず、上記実施形態と同様の効果が得られる。
撮像素子内蔵基板10の樹脂部16では、湾曲面16cが、撮像素子11を保持するとともに、撮像素子11の形状を規定することが可能であればよく、湾曲面16c以外の構成については上記実施形態から適宜変更可能である。
上記のとおり、撮像素子内蔵基板10では、レンズユニット101の構成に対応して樹脂部16の湾曲面16c及び撮像素子11の湾曲形状が決定する。したがって、樹脂部16の湾曲面16c及び撮像素子11の湾曲形状は、レンズユニット101の構成の相違により、様々に変化する。
(製造方法1)
図8は、撮像素子内蔵基板10の製造方法1を示すフローチャートである。図9及び図10は、撮像素子内蔵基板10の製造方法1に係る製造過程を示す断面図である。以下、撮像素子内蔵基板10の製造方法1について、図8に沿って、図9及び図10を参照しながら説明する。
図9(a)に示すように、キャビティ部20に対応する貫通口S1が形成されたコア材19からなるコア層12を準備する。
図9(b)に示すように、コア層12の下面に仮固定フィルムFに貼り付ける。
図9(c)に示すように、樹脂部16の湾曲面16cを形成するための型部材Mを、凸状の湾曲面を上側に向けて貫通口S1内に挿入し、仮固定フィルムFに貼り付ける。
図9(d)に示すように、樹脂部16を、貫通口S1内に充填し、硬化させる。なお、ステップS1−03に係る型部材Mの配置は、樹脂16を貫通口S1に樹脂部16を充填した後、樹脂部16を硬化させる前に行ってもよい。
図9(e)に示すように、仮固定フィルムFをコア層12から剥離させる。
図9(f)に示すように、コア層12を上下反転させ、コア層12の上面に第1配線層13を形成し、コア層12の下面に第2配線層14を形成する。
図10(g)に示すように、第1配線層13の上面及び第2配線層14の下面にそれぞれ保護レジストPを貼り付ける。
図10(h)に示すように、第1配線層13及びコア層12にキャビティ部20を形成する。
図10(i)に示すように、キャビティ部20から型部材Mをエッチングにより除去し、樹脂部16の湾曲面16cを露出させる。
図10(j)に示すように、第1配線層13及び第2配線層14から保護レジストPを剥離させる。
図10(k)に示すように、撮像素子11を接着剤21によって樹脂部16の湾曲面16cに接着する。
図10(l)に示すように、撮像素子11と第1配線層13とをワイヤボンディングにより接続し、撮像素子内蔵基板10が完成する。
図11は、撮像素子内蔵基板10の製造方法2を示すフローチャートである。図12及び図13は、撮像素子内蔵基板10の製造方法2に係る製造過程を示す断面図である。以下、撮像素子内蔵基板10の製造方法2について、図11に沿って、図12及び図13を参照しながら説明する。
図12(a)に示すように、キャビティ部20の外周部に対応する貫通口S2が形成されたコア材19からなるコア層12を準備する。
図12(b)に示すように、樹脂16xを、貫通口S2に充填し、硬化させる。
図12(c)に示すように、コア層12の上面に第1配線層13を形成し、コア層12の下面に第2配線層14を形成する。そして、第1配線層13の上面及び第2配線層14の下面にそれぞれ保護レジストPを貼り付ける。
図12(d)に示すように、第1配線層13及びコア層12にキャビティ部20を形成する。
図13(e)に示すように、第1配線層13及び第2配線層14から保護レジストPを剥離させる。
図13(f)に示すように、湾曲面16cを有する樹脂部材16yを、キャビティ部20内に挿入し、接着剤16zによって第2配線層14及び樹脂16xに接着する。これにより、樹脂16x、樹脂部材16y、及び接着剤16zからなる樹脂部16が形成される。
図13(g)に示すように、撮像素子11を接着剤21によって樹脂部材16yの湾曲面16cに接着する。
図13(h)に示すように、撮像素子11と第1配線層13とをワイヤボンディングにより接続し、撮像素子内蔵基板10が完成する。
10…撮像素子内蔵基板
11…撮像素子
12…コア層
13…第1配線層
14…第2配線層
15…グランド部
16…樹脂部
16a…底面
16b…側面
16c…湾曲面
17…ワイヤ
19…コア材
20…キャビティ部
21…接着剤
100…鏡筒部
101…レンズユニット
101a,101b,101c,101d…レンズ
Claims (8)
- 金属で形成されたコア材を有するコア層と、
前記コア層に積層された第1配線層と、
前記コア材と前記第1配線層とを貫通するキャビティ部と、
前記キャビティ部に対向する位置に設けられたグランド部を有し、前記コア層に対して前記第1配線層とは反対側に積層された第2配線層と、
前記キャビティ部内に配置され、前記第2配線層に支持された底面と、前記コア材によって支持された側面と、前記底面とは反対側に設けられた湾曲面と、を有する樹脂部と、
前記キャビティ部内で前記湾曲面に沿って接着された撮像素子と、
を具備する撮像素子内蔵基板。 - 請求項1に記載の撮像素子内蔵基板であって、
前記湾曲面が前記第2配線層に向けて凹んでいる
撮像素子内蔵基板。 - 請求項1又は2に記載の撮像素子内蔵基板であって、
前記撮像素子が前記湾曲面より外側に延出している
撮像素子内蔵基板。 - 請求項1又は2に記載の撮像素子内蔵基板であって、
前記湾曲面が前記撮像素子より外側に延出している
撮像素子内蔵基板。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の撮像素子内蔵基板であって、
前記キャビティ部が前記第2配線層によって閉塞されている
撮像素子内蔵基板。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の撮像素子内蔵基板であって、
前記グランド部が前記コア材に電気的に接続されている
撮像素子内蔵基板。 - 樹脂に湾曲面を形成するための型部材を、金属で形成されたコア材を貫通するキャビティ部内に配置し、
前記キャビティ部内に前記樹脂を充填し、
前記型部材を配置し前記樹脂を充填した後に、前記樹脂を硬化させ、
前記樹脂を硬化させた後に、前記型部材を除去することにより、前記樹脂の前記湾曲面を露出させ、
前記湾曲面を露出させた後に、前記湾曲面に沿って撮像素子を接着する
撮像素子内蔵基板の製造方法。 - 外光が透過可能に構成されたレンズユニットと、
前記レンズユニットに対向配置され、金属で形成されたコア材を有するコア層と、
前記コア層の前記レンズユニット側に積層された第1配線層と、
前記コア材と前記第1配線層とを貫通するキャビティ部と、
前記キャビティ部に対向する位置に設けられたグランド部を有し、前記コア層に対して前記第1配線層とは反対側に積層された第2配線層と、
前記キャビティ部内に配置され、前記第2配線層に支持された底面と、前記コア材によって支持された側面と、前記底面とは反対側に設けられ、前記レンズユニットの構成に対応した形状を有する湾曲面と、を有する樹脂部と、
前記キャビティ部内で前記湾曲面に沿って接着され、前記レンズユニットを透過した外光の入射を受ける撮像素子と、
を具備する撮像装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014246564A JP6230124B2 (ja) | 2014-12-05 | 2014-12-05 | 撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置 |
TW104133750A TWI578510B (zh) | 2014-12-05 | 2015-10-14 | An imaging element built-in substrate, a method of manufacturing the same, and an image pickup device |
CN201510794732.7A CN105681631B (zh) | 2014-12-05 | 2015-11-18 | 摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置 |
US14/960,094 US9484372B2 (en) | 2014-12-05 | 2015-12-04 | Substrate for embedding imaging device and method for manufacturing same, and imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014246564A JP6230124B2 (ja) | 2014-12-05 | 2014-12-05 | 撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016111170A JP2016111170A (ja) | 2016-06-20 |
JP6230124B2 true JP6230124B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=56095034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014246564A Expired - Fee Related JP6230124B2 (ja) | 2014-12-05 | 2014-12-05 | 撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9484372B2 (ja) |
JP (1) | JP6230124B2 (ja) |
CN (1) | CN105681631B (ja) |
TW (1) | TWI578510B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9893058B2 (en) * | 2015-09-17 | 2018-02-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure |
FR3075466B1 (fr) * | 2017-12-15 | 2020-05-29 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Couvercle de boitier de circuit electronique |
WO2019230243A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
CN110007424B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-09-28 | 多普光电科技有限公司 | 图案投影成像系统 |
TWI660493B (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-21 | 財團法人工業技術研究院 | 影像感測器及其製造方法 |
SG10202002922RA (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-28 | Sharma Nishant | SVVRON Effect - 3D TV & Camera (without Glasses) |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5400072A (en) * | 1988-12-23 | 1995-03-21 | Hitachi, Ltd. | Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip |
JP4604307B2 (ja) * | 2000-01-27 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム |
JP3607160B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2005-01-05 | 三菱電機株式会社 | 撮像装置 |
KR100877159B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2009-01-07 | 파나소닉 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
JP2004063776A (ja) | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sony Corp | 撮像装置及びその製造方法 |
JP2004297683A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
JP2005278133A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置および光学機器 |
JP4424470B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-03-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2005260436A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 撮像モジュールおよびこれを用いた撮像装置 |
KR100691157B1 (ko) * | 2005-04-07 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 포커싱 무조정형 카메라 모듈 |
JP2009521798A (ja) * | 2005-12-24 | 2009-06-04 | ヒュン キュ チョイ, | 半導体パッケージ、その製造方法及びイメージセンサー用の半導体パッケージモジュール |
US8536691B2 (en) * | 2006-11-06 | 2013-09-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101378418B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2014-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지센서 모듈 및 그 제조방법 |
JP2010152128A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nikon Corp | 撮像光学素子の製造方法 |
US8193555B2 (en) * | 2009-02-11 | 2012-06-05 | Megica Corporation | Image and light sensor chip packages |
JP2012098322A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sony Corp | 撮像装置 |
JP5720306B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
US8698269B2 (en) * | 2011-02-28 | 2014-04-15 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring board with built-in imaging device and method for manufacturing same |
JP2012242587A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法 |
JP5794002B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
US8742527B2 (en) * | 2011-09-27 | 2014-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state imaging device, solid state imaging element, portable information terminal device and method for manufacturing the solid state imaging element |
WO2013081068A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 住友ベークライト株式会社 | 画像表示装置 |
JP2014038995A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-02-27 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品内蔵基板 |
JP6034725B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2016-11-30 | 太陽誘電株式会社 | カメラモジュール |
KR20160080166A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 내장형 패키지 및 그 제조방법 |
-
2014
- 2014-12-05 JP JP2014246564A patent/JP6230124B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-10-14 TW TW104133750A patent/TWI578510B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-11-18 CN CN201510794732.7A patent/CN105681631B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-04 US US14/960,094 patent/US9484372B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201622120A (zh) | 2016-06-16 |
TWI578510B (zh) | 2017-04-11 |
CN105681631B (zh) | 2019-04-09 |
US9484372B2 (en) | 2016-11-01 |
US20160163751A1 (en) | 2016-06-09 |
CN105681631A (zh) | 2016-06-15 |
JP2016111170A (ja) | 2016-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6230124B2 (ja) | 撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置 | |
JP5676171B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
KR100824812B1 (ko) | 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법 | |
CN100512379C (zh) | 摄像装置和半导体装置 | |
JP2009512346A5 (ja) | ||
KR101555180B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
JP5730678B2 (ja) | 撮像装置及びこれを用いた電子機器 | |
JP2009283902A (ja) | 光学デバイスとこれを備えた電子機器 | |
JP2009130220A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2020509580A (ja) | 撮像モジュールおよびそのモールド回路基板アセンブリ、回路基板および応用 | |
US20150264290A1 (en) | Camera module | |
JP2016076543A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2008277593A (ja) | 回路基板、それを用いた光学デバイス、カメラモジュール、およびその製造方法 | |
JP5154783B2 (ja) | 撮像モジュールの製造方法 | |
KR20120076286A (ko) | 렌즈 모듈, 렌즈 웨이퍼 모듈 및 렌즈 모듈의 제조 방법 | |
JP2009188828A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
JP6998725B2 (ja) | 基板積層体、および、撮像装置 | |
US10186375B2 (en) | Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator | |
JP6236367B2 (ja) | センサーモジュール及びセンサーモジュールの製造方法 | |
TWI434570B (zh) | 固態攝影裝置及電子機器 | |
CN111263028B (zh) | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 | |
JP4424470B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2007273696A (ja) | 撮像モジュールの製造方法および撮像モジュール | |
JP4883310B2 (ja) | 撮像装置及び携帯端末 | |
KR200464578Y1 (ko) | 인쇄회로기판 및 이를 구비한 카메라 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6230124 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |