[go: up one dir, main page]

KR101191057B1 - 얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치 - Google Patents

얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101191057B1
KR101191057B1 KR1020077003907A KR20077003907A KR101191057B1 KR 101191057 B1 KR101191057 B1 KR 101191057B1 KR 1020077003907 A KR1020077003907 A KR 1020077003907A KR 20077003907 A KR20077003907 A KR 20077003907A KR 101191057 B1 KR101191057 B1 KR 101191057B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display
alignment
information
measurement
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020077003907A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070041580A (ko
Inventor
신이치 오키타
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20070041580A publication Critical patent/KR20070041580A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101191057B1 publication Critical patent/KR101191057B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706835Metrology information management or control
    • G03F7/706837Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706843Metrology apparatus
    • G03F7/706851Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B15/00Systems controlled by a computer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/80Management or planning

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

얼라인먼트 결과의 분석이나 평가를 효율적으로 행하고, 이로써 유효한 얼라인먼트 조건이나 파라미터의 설정을 용이하게 행할 수 있는 정보 표시 방법을 제공한다.
본 발명의 얼라인먼트 정보 표시 방법은, 얼라인먼트 계측에 관련된 처리 결과의 데이터가 입력되고, 얼라인먼트 계측의 파라미터에 관련된 정보가 입력되면, 입력된 파라미터에 기초하여 처리 결과의 데이터로부터 표시 대상의 정보를 구하고, 구해진 원하는 표시 대상의 정보를 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 표시 형태로 표시한다. 따라서 원하는 조건을 설정해서는, 그 설정한 조건에 의한 해석 결과, 즉 그 설정한 조건에 의한 영향을 용이하게 확인할 수 있다. 따라서 이용자가 최적의 얼라인먼트 조건이나 파라미터를 용이하게 검출할 수 있다.

Description

얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시 장치, 프로그램 및 측정/검사 장치{ALIGNMENT INFORMATION DISPLAY METHOD, PROGRAM THEREOF, ALIGNMENT METHOD, EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, DISPLAY SYSTEM, DISPLAY DEVICE, PROGRAM, AND MEASUREMENT/INSPECTION DEVICE}
기술분야
본 발명은, 예를 들어 반도체 소자, 액정 표시 소자, CCD 등의 촬상 소자, 플라즈마 디스플레이 소자, 박막 자기 헤드 등의 전자 디바이스 (이하, 간단하게 전자 디바이스라 함) 를 제조할 때의 리소그래피 공정에 있어서 행하는 얼라인먼트 처리에 관한 것으로, 특히 얼라인먼트 계측의 조건, 파라미터 등의 설정을 적절하고 용이하게 행하기 위해, 얼라인먼트 처리에 관한 정보를 원하는 형태로 표시하는 얼라인먼트 정보 표시 방법, 얼라인먼트 정보 표시 프로그램, 표시 장치 및 표시 에 관련된 프로그램, 및 그러한 표시에 제공하는 데이터를 출력하는 측정/검사 장치에 관한 것이다. 또한, 표시된 정보에 기초하여 설정된 조건, 파라미터에 의해 웨이퍼 등의 위치를 결정하는 얼라인먼트 방법, 그 얼라인먼트 방법에 의해 얼라인먼트하여 노광하는 노광 방법, 그 노광 방법을 이용한 디바이스 제조 방법, 및 원하는 처리에 관련된 정보를 원하는 형태로 표시하는 표시 시스템에 관한 것이다.
배경기술
최근, 반도체 소자 등의 전자 디바이스의 제조 공정에서는, 스텝 앤드 리피트 방식 또는 스텝 앤드 스캔 방식 등의 노광 장치, 웨이퍼 프로버, 혹은 레이저 리페어 장치 등이 이용되고 있다. 이들 장치에서는, 기판상에 이차원 매트릭스상으로 규칙적으로 배열된 복수의 칩 패턴 영역 (쇼트 영역) 각각을, 소정의 기준 위치에 대해 고정밀도로 위치 맞춤 (얼라인먼트) 할 필요가 있다. 이 기준 위치는, 각 장치에 있어서 처리를 하기 위해 규정되는 예를 들어 가공 처리점 등의 위치이며, 처리 대상인 기판의 이동 및 그 위치를 규정하는 정지 좌표계에 있어서 규정된다. 구체적으로는, 예를 들어 레이저 간섭계에 의해 규정되는 직교좌표계 등에 있어서 규정된다.
노광 장치에서는, 마스크 또는 레티클 (이하, 간단하게 레티클이라 함) 에 형성된 패턴의 투영 위치에 대해, 반도체 웨이퍼나 유리 플레이트 등의 기판의 얼라인먼트를 고정밀도로 또한 안정적으로 행할 필요가 있다. 특히 반도체 소자의 노광 공정에서는, 웨이퍼상에 10 층 이상의 회로 패턴 (레티클 패턴) 을 중첩하여 전사한다. 따라서 각 층간에서의 중첩 정밀도가 나쁘면 형성된 회로의 특성이 악화되고, 최악의 경우에는 반도체 소자가 불량품이 되어 전체적으로 수율을 저하시키게 된다.
그래서 노광 공정에서는, 웨이퍼상의 각 쇼트 영역에 미리 배치한 마크를 이용하여 얼라인먼트를 하는 웨이퍼 얼라인먼트가 행해지고 있다. 즉, 웨이퍼상의 복수의 쇼트 영역 각각에 미리 얼라인먼트 마크를 배치해 둔다. 노광 처리시에는, 먼저 노광 대상인 쇼트 영역의 얼라인먼트 마크의 스테이지 좌표계 (정지 좌표계) 에서의 위치 (좌표치) 를 검출한다. 그리고 이 얼라인먼트 마크의 위치 정보와 미리 측정해 둔 레티클 패턴의 위치 정보에 기초하여, 그 쇼트 영역을 레티클 패턴에 대해 위치 맞춤한다.
웨이퍼 얼라인먼트에는 크게 나누어 2 가지 방식이 있다. 하나는 웨이퍼상의 쇼트 영역마다 그 얼라인먼트 마크를 검출하여 위치 맞춤하는 다이 바이 다이 (D/D) 얼라인먼트 방식이다. 다른 하나는, 웨이퍼상의 몇 개의 쇼트 영역만의 얼라인먼트 마크를 검출하여 쇼트 영역의 배열 규칙성을 구함으로써 각 쇼트 영역을 위치 맞춤하는 글로벌 얼라인먼트 방식이다. 현재는, 전자 디바이스의 제조 라인에서는 스루풋과의 균형으로부터, 주로 글로벌 얼라인먼트 방식이 사용되고 있다. 특히 최근에는, 웨이퍼상의 쇼트 영역의 배열 규칙성을 통계적 수법에 의해 고정밀도로 검출하는 인핸스드 글로벌 얼라인먼트 (EGA) 방식이 널리 이용되고 있다 (예를 들어 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2 참조).
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 소 61-44429 호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 소 62-84516 호
EGA 방식에서는, 1 장의 웨이퍼에 있어서, 미리 특정 쇼트 영역 (「샘플 쇼트 영역」 또는 「얼라인먼트 쇼트 영역」이라고 하는 경우도 있음) 으로서 선택된 복수 개의 쇼트 영역만의 위치 좌표를 계측한다. 이 특정 쇼트 영역의 수는 3 개 이상 필요하고, 통상은 7 내지 15 개 정도이다. 이 특정 쇼트 영역에서의 위치 좌표의 계측치로부터, 최소제곱법 등의 통계 연산 처리를 이용하여 웨이퍼상의 모든 쇼트 영역의 위치 좌표 (쇼트 영역의 배열) 를 산출한다. 그리고 이 산출한 쇼트 영역의 배열에 따라, 웨이퍼 스테이지를 스테핑시킨다. 따라서 EGA 방식은 계측 시간이 짧고, 랜덤한 계측 오차에 대하여 평균화 효과를 기대할 수 있다는 장점이 있다.
EGA 방식의 웨이퍼 얼라인먼트 (이하, 간단히 EGA 라 함) 에서 이용되고 있는 통계 처리의 방법에 대해 간단하게 설명한다.
웨이퍼상의 m (m : 3 이상의 정수) 개의 특정 쇼트 영역의 설계상의 배열 좌표를 (Xn, Yn) (n=1, 2, …, m) 로 하고, 설계상의 배열 좌표로부터의 어긋남 (ΔXn, ΔYn) 에 대해, 예를 들어 식 (1) 로 나타내는 바와 같은 모델을 가정한다.
Figure 112007014765622-pct00001
m 개의 샘플 쇼트 영역 각각의, 실제 배열 좌표의 설계상의 배열 좌표로부터의 어긋남 (계측치) 을 (Δxn, Δyn) 이라 하면, 이 어긋남과 식 (1) 로 나타내는 선형 모델에서의 배열 좌표로부터의 각 어긋남 (ΔXn, ΔYn) 과의 차의 제곱합 E 는, 식 (2) 로 표시된다.
Figure 112007014765622-pct00002
여기에서, 식 (2) 의 값 E 를 최소로 하는 파라미터 a, b, c, d, e, f 를 산 출한다. 그리고 산출한 파라미터 a~f 와 설계상의 배열 좌표 (Xn, Yn) 에 기초하여 웨이퍼상의 모든 쇼트 영역의 배열 좌표를 산출한다.
이와 같이 EGA 방식은, 설계상의 위치와 실제로 웨이퍼상에 규정된 위치의 어긋남의 선형 1 차 근사이며, 웨이퍼의 신축, 회전 등의 어긋남의 선형 성분을 보정할 수 있다.
그런데, 이러한 얼라인먼트를 적절하게 행하여, 예를 들어 쇼트 영역의 위치 맞춤을 정밀도 좋게 행하기 위해서는, 얼라인먼트에 관한 조건이나 파라미터, 구체적으로는 EGA 계산 모델 (계산 모델, 실질적으로 유효하게 하는 항 및 각 계수 등), 리젝트 허용치, EGA 계산 대상 쇼트, 계산 대상 웨이퍼 등의 조건이나 파라미터를 적절히 설정할 필요가 있다. 그리고 보다 적절한 조건이나 파라미터를 설정하여 고정밀도로 위치 맞춤하고자 하는 경우에는, 실제로 얼라인먼트한 결과의 분석 혹은 평가를 하는 것이 중요하다. 구체적으로는, 예를 들어 EGA 결과, 혹은 중첩 노광의 결과에 대해 실제로 계측함으로써 이들 처리 결과의 데이터를 수집하여, 이 데이터를 평가, 분석하는 것이 중요하다.
그러나, 종래 얼라인먼트에 관한 그러한 계측 결과의 정보 표시는, 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형 등의 데이터를 웨이퍼마다 혹은 쇼트마다 수치 데이터로 표시하거나, 기껏해야 벡터 데이터로 표시하는 정도의 저레벨의 표시 출력밖에 행해지지 않았다.
그 때문에, 계측 결과에 기초하여 작업자가 얼라인먼트에 관한 유효한 조건이나 파라미터를 결정하기가 어렵다는 문제가 있었다. 즉, 표시 출력되고 있는 계측 결과의 데이터에 기초하여 그 데이터를 분석, 평가하는 것은 어려워, 얼라인먼트 조건, 파라미터의 최적화를 행하기가 어려웠다.
발명의 개시
본 발명의 목적은, 실제로 얼라인먼트한 결과에 대한 계측 결과의 데이터 분석이나 평가를 효율적으로 행할 수 있고, 그 결과 유효한 얼라인먼트 조건이나 파라미터를 설정할 수 있는 얼라인먼트 정보 표시 방법, 얼라인먼트 정보 표시 프로그램, 표시 장치 및 표시에 관한 프로그램을 제공하는 것에 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 실제 얼라인먼트 결과에 대한 계측 결과에 기초하여 설정된 유효한 얼라인먼트 조건이나 파라미터를 이용하여, 고정밀한 위치 결정을 할 수 있는 얼라인먼트 방법을 제공하는 것에 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 그러한 표시에 제공하는 데이터를 출력하는 측정/검사 장치를 제공하는 것에 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 그러한 방법의 얼라인먼트를 행함으로써, 중첩 정밀도를 양호하게 유지한 노광을 행할 수 있는 노광 방법을 제공하는 것에 있다.
그리고 본 발명의 다른 목적은, 중첩 정밀도가 양호한 노광 공정을 적용함으로써 고품질의 전자 디바이스를 제조할 수 있는 디바이스 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 예를 들어 얼라인먼트 등의 소정 처리를 행한 결과에 대한 계측 결과의 데이터 분석이나 평가를 효율적으로 행할 수 있고, 이로써 유효한 조건 등을 설정할 수 있는 표시 시스템을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관련된 얼라인먼트 정보 표시 방법에 의하면, 물체의 위치 결정을 하기 위한 얼라인먼트 계측에 관한 정보의 표시 방법으로서, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 소정의 처리 결과의 데이터가 입력되는 공정과 (단계 S101), 상기 얼라인먼트 계측의 파라미터에 관련된 정보가 입력되는 공정과 (단계 S102), 상기 입력된 파라미터에 기초하여, 상기 입력된 처리 결과의 데이터로부터 원하는 표시 대상의 정보를 구하는 공정과 (단계 S103, S104), 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터의 상기 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 소정의 표시 형태로 표시하는 공정 (단계 S108, S109, S112) 을 갖는다. (도 4 참조)
이러한 얼라인먼트 표시 방법에 의하면, 먼저 예를 들어 EGA 계산 모델, 리젝트 허용치, EGA 계산 대상 쇼트 혹은 계측 대상 웨이퍼 등의 얼라인먼트 계측의 파라미터에 관련된 정보에 기초하여, 예를 들어 EGA 계측 결과 데이터나 중첩 노광 계측 결과 데이터 등의 처리 결과의 데이터를 처리하여 원하는 표시 대상의 정보를 구하고 있다. 그리고, 그 구해진 정보를, 입력된 계산 파라미터 등의 정보의 영향이 명시되는 표시 형태로 표시한다. 따라서, 원하는 조건을 설정해서, 그 설정한 조건에 의한 해석 결과, 바꿔 말하면 그 설정한 조건에 의한 영향을 용이하게 확인할 수 있다. 그 결과, 이용자가 최적의 얼라인먼트 조건이나 파라미터를 용이하게 검출할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 관련된 얼라인먼트 정보 표시 방법은, 평가 대상의 입력을 받는 공정과 (단계 S105), 표시 단위의 입력을 받는 공정과 (단계 S106), 원하는 표시 형태가 지정되는 공정 (단계 S107, S108, S109, S111) 을 추가로 가지며, 상기 표시하는 공정은 (단계 S108, S109, S112), 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시한다. (도 4 참조)
이러한 구성에 의하면, 예를 들어 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분 혹은 얼라인먼트 마크 파형과 같은 원하는 평가 대상의 정보를 검출하고, 이것을 예를 들어 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다 혹은 단일 마크마다와 같은 원하는 평가 단위를 단위로 하여 표시할 수 있다. 또한, 예를 들어 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 혹은 파형 데이터 표시와 같은 원하는 표시 형태로, 즉 그들 평가 대상의 평가를 용이하게 행할 수 있는 원하는 형태로 표시할 수 있다. 따라서 이용자는 보다 해석이나 평가를 효율적으로 행할 수 있어, 최적의 얼라인먼트 조건이나 파라미터를 효율적으로 검출할 수 있다.
또한 바람직하게는, 본 발명에 관련된 얼라인먼트 정보 표시 방법은, 상기 얼라인먼트 계측의 시뮬레이션에 관한 정보가 입력되는 공정과 (단계 S103), 상기 입력된 시뮬레이션에 관한 정보에 기초하여, 필요에 따라 소정의 시뮬레이션을 행하는 공정 (단계 S104) 을 추가로 가지며, 상기 표시하는 공정 (S108, S109) 은, 상기 시뮬레이션의 결과 및 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보 중 적어도 어느 일방을, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시한다.
바람직하게는, 상기 시뮬레이션의 결과, 또는 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를 복수 구하고, 상기 표시하는 공정 (단계 S109) 은, 상기 복수의 상기 시뮬레이션의 결과 또는 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 비교 표시한다. (도 4 참조)
이러한 구성에 의하면, 처리 결과의 데이터 이외에 예를 들어 EGA 시뮬레이션, 중첩 시뮬레이션 등을 행하여 그들의 시뮬레이션 결과에 대해서도 효율적으로 해석이나 평가를 할 수 있다.
또한, 복수의 그들 시뮬레이션 결과 혹은 처리 결과의 데이터를 사용하는 경우에는, 임의의 데이터 사이에서 그들 복수의 데이터를 비교 표시할 수 있다. 따라서, 여러 가지 조건에 기초한 원하는 정보의 표시, 바꿔 말하면 여러 가지 관점으로부터의 해석, 비교 검토를 행할 수 있어, 보다 적절한 얼라인먼트 조건이나 파라미터의 설정을 할 수 있다.
또한 바람직하게는, 본 발명에 관련된 얼라인먼트 정보 표시 방법에 있어서, 상기 얼라인먼트 계측의 이력 정보의 표시에 관한 정보가 입력되는 공정과 (단계 S111), 상기 표시하는 공정은 (단계 S112), 상기 입력된 이력 정보의 표시에 관한 정보에 기초하여, 필요에 따라 추가로 상기 얼라인먼트 계측의 이력 정보를 표시한다. (도 4 참조)
이러한 구성에 의하면, 처리 결과나 시뮬레이션의 데이터 이외에, 예를 들어 얼라인먼트 파라미터, 계측 스테이터스, 계측 에러 정보 등의 표시를 할 수 있다. 따라서, 파형 검출 에러가 발생한 경우나 계측 결과에 점프가 있는 경우 등에, 그 해석을 효율적으로 행할 수 있다. 또한 「점프」란, 다른 것에 비해 상이도가 큰 데이터를 가리킨다.
또한, 본 발명에 관련된 얼라인먼트 정보 표시 프로그램은, 컴퓨터에 물체의 위치 결정을 행하기 위한 얼라인먼트 계측에 관한 정보의 표시를 실행시키기 위한 프로그램으로서, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 소정의 처리 결과의 데이터가 입력되는 단계와, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터에 관련된 정보가 입력되는 단계와, 상기 입력된 파라미터에 기초하여, 상기 입력된 처리 결과의 데이터로부터 원하는 표시 대상의 정보를 구하는 단계와, 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터의 상기 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 소정의 표시 형태로 표시하는 단계를 갖는다.
또한, 본 발명에 관련된 얼라인먼트 방법은, 상기 서술한 어느 하나에 기재된 얼라인먼트 정보 표시 방법에 의해 표시되는 얼라인먼트 계측에 관한 정보에 기초하여, 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터를 결정하고, 상기 결정된 파라미터를 이용하여 얼라인먼트 계측을 행하여, 물체의 위치 결정을 한다.
또한, 본 발명에 관련된 노광 방법은, 기판에 형성된 복수의 영역 각각에 소정 패턴을 전사하는 노광 방법으로서, 상기 서술한 얼라인먼트 방법을 이용하여 상기 기판상의 상기 복수의 영역 각각과 상기 소정 패턴을 위치 맞춤하고, 위치 맞춤 된 상기 영역에 상기 소정 패턴을 전사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관련된 디바이스 제조 방법은, 상기 서술한 노광 방법을 이용하여 디바이스 패턴을 디바이스 기판상에 전사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관련된 표시 시스템은, 소정 장치의 소정 기능에 관한 기능 평가 결과를 표시하는 표시 시스템으로서, 상기 소정 장치와 정보 전달 가능하게 접속되며, 과거에 상기 소정 장치에서 처리한 처리 결과에 관한 정보를 축적하는 기억 장치와, 상기 소정 기능을 사용할 때의 사용 조건을 입력하는 제 1 입력장치와, 상기 기억 장치 및 상기 제 1 입력장치와 정보 전달 가능하게 접속되며, 상기 기억 장치에 기억된 상기 소정 장치에서의 처리 결과에 기초하여, 상기 제 1 입력장치로부터 입력된 상기 사용 조건하에서 상기 소정 기능을 실행한 경우의 처리 결과를 시뮬레이션하는 시뮬레이션 장치와, 상기 시뮬레이션 장치에 의한 시뮬레이션 결과를 표시하는 표시 장치와, 상기 표시 장치에서 상기 시뮬레이션 결과를 표시할 때의 표시 상태를, 미리 준비된 복수의 표시 상태로부터 선택하고 지시하는 제 2 입력장치를 갖는다.
또한, 본 발명에 관련된 표시 장치는, 얼라인먼트의 연산 결과에 관한 정보를 표시하는 표시 장치로서, 복수의 표시 형태로부터 임의의 표시 형태를 선택하여 설정하기 위한 설정 화면과, 상기 설정 화면에 접속되며, 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 연산 장치와, 상기 연산 장치와 접속되며, 상기 연산의 실행 결과에 관한 정보를 상기 선택 화면에서 설정된 표시 형태로 표시하는 결과 표시 화면을 갖는다.
또한, 본 발명에 관련된 프로그램은, 복수의 표시 형태로부터 임의의 표시 형태를 선택하고 설정하기 위한 설정 화면을 표시하는 단계와, 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계와, 얼라인먼트 연산 결과에 관한 정보를 상기 설정 화면에서 설정된 표시 형태로 표시하는 단계를 컴퓨터 시스템에 실행시키기 위한 프로그램이다.
또한, 본 발명에 관련된 측정/검사 장치는, 기판상에 겹쳐 형성되는 상이한 층의 중첩 상태에 관한 정보를 검출하는 측정/검사 장치로서, 상기 검출한 정보를, 복수의 표시 형태로부터 임의의 표시 형태를 선택하고 설정하기 위한 설정 화면을 표시하는 단계, 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계, 및 얼라인먼트 연산 결과에 관한 정보를 상기 설정 화면에서 설정된 표시 형태로 표시하는 단계를 컴퓨터 시스템에 실행시키기 위한 프로그램에 의한, 당해 컴퓨터 시스템에서의 연산에 사용되는 데이터로서 출력하는 측정/검사 장치이다.
본란에 있어서는, 각 구성에 대해 첨부 도면에 나타나 있는 대응하는 구성의 부호를 기재했지만 이것은 어디까지나 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명에 관련된 수단이 첨부 도면을 참조하여 후술하는 실시형태의 양태에 한정됨을 나타내는 것은 전혀 아니다.
본 발명에 의하면, 실제로 얼라인먼트한 결과에 대한 계측 결과의 데이터의 분석이나 평가를 효율적으로 행할 수 있고, 이로써 유효한 얼라인먼트 조건이나 파라미터의 설정을 행할 수 있는 얼라인먼트 정보 표시 방법, 얼라인먼트 정보 표시 프로그램, 표시 장치 및 표시에 관련한 프로그램을 제공할 수 있다.
또한, 그러한 얼라인먼트 정보의 표시를 컴퓨터로 행하는 경우의 얼라인먼트 정보 표시 프로그램을 제공할 수 있다.
또한, 그러한 표시에 제공하는 데이터를 출력하는 측정/검사 장치를 제공할 수 있다.
또한, 실제 얼라인먼트 결과에 대한 계측 결과에 기초하여 설정된 유효한 얼라인먼트 조건이나 파라미터를 이용하여, 고정밀 위치 결정을 행할 수 있는 얼라인먼트 방법을 제공할 수 있다.
또한, 그러한 방법의 얼라인먼트를 행함으로써, 중첩 정밀도를 양호하게 유지한 노광을 할 수 있는 노광 방법을 제공할 수 있다.
그리고 중첩 정밀도가 양호한 노광 공정을 적용함으로써, 고품질의 전자 디바이스를 제조할 수 있는 디바이스 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 예를 들어 얼라인먼트 등의 소정의 처리 결과에 대한 계측 결과의 데이터 분석이나 평가를 효율적으로 할 수 있고, 이로써 유효한 조건 등의 설정을 할 수 있는 표시 시스템을 제공할 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명의 일 실시의 형태의 노광 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 노광 시스템의 노광 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3 은 도 2 에 나타낸 노광 장치의 얼라인먼트계의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는 얼라인먼트 데이터 평가 시퀀스를 나타내는 플로우차트이다.
도 5 는 벡터 상관을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은 웨이퍼 벡터 맵의 예를 나타내는 도면이다.
도 7 은 FIA 용 EGA 파라미터 설정 화면의 예를 나타내는 도면이다.
도 8 은 LSA 용 EGA 파라미터 설정 화면의 예를 나타내는 도면이다.
도 9 는 웨이퍼 노광 조건 (중첩 조건) 파라미터의 설정 화면의 예를 나타내는 도면이다.
도 10 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 웨이퍼 얼라인먼트 마크 맵 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 11 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 얼라인먼트 마크 위치를 나타내는 화면 및 파형 데이터 대비도가 표시된 화면을 나타내는 도면이다.
도 12 는 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 벡터 맵 및 히스토그램 대비도가 표시된 화면을 나타내는 도면이다.
도 13 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터 겹침 맵이 표시된 화면을 나타내는 도면이다.
도 14 는 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분 벡터 차분 맵이 표시된 화면을 나타내는 도면이다.
도 15 는 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분 벡터 상관 맵이 표시된 화면을 나타내는 도면이다.
도 16 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분 쇼트 데이터가 수치 표시된 화면을 나타내는 도면이다.
도 17 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 웨이퍼 평균 및 3σ 등을 수치에 의해 계산 파라미터의 설정마다 비교 가능하게 나타낸 화면을 나타내는 도면이다.
도 18 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, EGA 파라미터 계산 결과 비교 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 19 는 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 쇼트 데이터 리스트 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 20 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 알고리즘 슬라이스 레벨과 마크 검출 오프셋의 상관을 나타내는 산포도를 나타내는 도면이다.
도 21 은 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 스칼라 맵의 등고선 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 22 는 본 발명에 관련된 정보의 표시 출력예를 나타내는 도면으로서, 스칼라 맵의 막대그래프 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 23 은 본 발명에 관련된 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차 트이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 일 실시 형태에 대하여, 도 1 내지 도 23 을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태에 있어서는, 노광 장치 및 얼라인먼트 데이터 평가 시스템을 갖는 노광 시스템을 예시하여 본 발명을 설명한다.
노광 시스템
먼저, 본 실시 형태의 노광 시스템의 전체 구성에 대하여 도 1 내지 도 3 을 참조하여 설명한다.
도 1 은 본 실시 형태에 관련된 노광 시스템 (100) 의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 노광 시스템 (100) 은, N 대의 노광 장치 (200-1~200-n), 중첩 계측 장치 (130) 및 호스트 컴퓨터 (140) 를 갖는다. 이들 각 장치는, LAN (110) 에 의해 서로 데이터 전송이 가능하게 접속되어 있다. 또한, LAN (110) 에는, 추가로 다른 처리 장치, 계측 장치 혹은 컴퓨터 등이 데이터 전송 가능하게 접속되어 있어도 된다.
노광 장치 (200-i ; i=1~n ; 이하, 간단히 노광 장치 (200) 라 하기도 함) 는, 로트마다 투입되는 웨이퍼에 대해 노광 처리를 하여 순차 패턴을 형성한다. 즉, 웨이퍼에 규정되는 각 쇼트 영역을 노광 장치 (200) 의 소정 노광 위치에 위치 맞춤하고, 레티클을 통과한 노광광에 의해 노광하고, 그 영역에 레티클에 형성된 패턴의 이미지를 순차 전사한다.
로트란, 노광 장치에 의한 노광 처리 동작을, 동일한 레시피를 이용하여 처리되어야 할 복수 웨이퍼마다 구분하여 생각하는 개념이다. 예를 들어 1 로트=25장으로 정의하고, 노광 장치가 기판을 25장=1 로트 처리할 때마다 장치내 각 부의 조정 동작이나 계측 동작, 레시피의 전환 등을 행하는 운용 방법도 생각할 수 있다.
각 쇼트 영역의 위치 맞춤을 할 때에 노광 장치 (200) 에 있어서는, EGA 방식에 의해 각 쇼트 영역의 위치 맞춤 (얼라인먼트) 을 행한다. 여기서 말하는 EGA 방식은, 상기 서술한 것과 마찬가지로 한다.
노광 장치 (200) 는, LAN (110) 을 통하여 노광 시스템 (100) 전체를 제어하는 호스트 컴퓨터 (140) 에 접속되어 있고, 호스트 컴퓨터 (140) 로부터의 지시에 기초하여 순차 로트마다의 웨이퍼를 처리한다.
또한 노광 장치 (200) 에는, 호스트 컴퓨터 (140) 로부터, 웨이퍼 및 쇼트 영역의 위치 맞춤시에 사용하는 얼라인먼트 조건이나 여러 가지 파라미터 (이후, 이들을 얼라인먼트 조건 (위치 맞춤 조건) 이라 총칭함) 가 제공된다. 노광 장치 (200) 는, 이 얼라인먼트 조건에 기초하여 웨이퍼 및 쇼트 영역을 위치 맞춤한다.
여기서 말하는 얼라인먼트 조건으로는, 구체적으로는 샘플 쇼트의 수나 배치, 얼라인먼트 마크 화상을 입력할 때의 촬상 디바이스의 이득 조정, 획득된 얼라인먼트 마크 화상의 파형을 해석하는 파형 처리 알고리즘, EGA 연산에 사용되는 계산식 등을 들 수 있다.
이에 반해, 여러 가지 파라미터란, 얼라인먼트 장치의 장치에 기인하는 계측 오프셋이 포함된다고 하는 생각도 있지만, 이들을 얼라인먼트 조건이라 칭하는 경우도 있어, 여기에서 말하는 얼라인먼트 조건과 여러 가지 파라미터를 특별히 엄밀하게 구별할 필요는 없다.
호스트 컴퓨터 (140) 로부터 제공되는 얼라인먼트 조건은, 호스트 컴퓨터 (140) 상에서 얼라인먼트 데이터 평가 시스템을 이용하여, 작업자가 얼라인먼트에 관련된 정보를 분석, 평가하여 미리 결정해 둔다. 그 때문에 노광 장치 (200) 는, 필요에 따라 노광 장치 (200) 에서 행한 EGA 방식에 의한 위치 맞춤의 결과 데이터를 호스트 컴퓨터 (140) 상의 얼라인먼트 데이터 평가 시스템에 제공한다.
EGA 방식에 의한 위치 맞춤의 결과 데이터는 EGA 로그 데이터라고도 불리며, 기판상의 복수 쇼트로부터 선택한 샘플 쇼트에 대응하는 마크를 검출했을 때의 화상 데이터, 검출 화상을 소정의 알고리즘으로 처리했을 때의 처리 결과 (예를 들어 소정의 임계치와 마크 파형의 교점 위치나, 이것에 기초하여 결정된 샘플 쇼트에 대응하는 위치 정보 등), EGA 계산에 의해 산출된 각 쇼트의 위치 정보 등을 포함한다.
본 실시 형태에 있어서 노광 장치 (200) 는, 스텝 앤드 스캔 방식의 투영노광 장치 (이하, 주사형 노광 장치라 함) 로 하는데, 스텝 앤드 리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 로 할 수도 있다.
또한 노광 장치 (200) 의 상세한 구성에 대해서는 뒤에 상세하게 설명한다.
중첩 계측 장치 (130) 는, 노광 장치 (200) 에 의해 패턴이 형성된 웨이퍼의 중첩 오차를 계측한다. 중첩 계측 장치 (130) 는, 노광 처리를 거쳐 패턴이 형성된 웨이퍼가 투입되고, 투입된 웨이퍼상에 형성된 계측 마크 이미지 (예를 들어 레지스트 이미지) 를 검출하고, 상이한 층에 형성된 마크간의 상대적인 위치의 차를 구하여 이것을 중첩 오차로서 검출한다.
중첩 계측 장치 (130) 는, 검출한 중첩 계측 결과를 LAN (110) 을 통하여 호스트 컴퓨터 (140) 에 출력한다. 이 중첩 계측 결과 데이터는, 노광 장치 (200) 에서 검출한 EGA 로그 데이터와 마찬가지로 호스트 컴퓨터 (140) 상의 얼라인먼트 데이터 평가 시스템에 제공되며, 얼라인먼트 조건 등을 구하기 위해 사용된다. EGA 로그 데이터에 대해, 이 중첩 계측 결과의 데이터를 겹침 계측 로그 데이터라 부른다.
호스트 컴퓨터 (140) 는, 대용량 기억 장치와 연산처리장치를 갖는 컴퓨터로서, 노광 시스템 (100) 에서의 리소그래피 공정 전체를 통괄적으로 제어한다. 이 대용량 기억 장치에는, 프로세스 전체를 통괄적으로 제어하기 위해 필요한 정보가 기억된다. 또한, 호스트 컴퓨터 (140) 에 대해서는, 노광 시스템 (100) 을 구성하는 각 장치에서의 처리 결과가 보고되고, 이 보고된 정보가 대용량 기억 장치에 기억된다.
그리고 이들 정보에 기초하여, 각 로트에 적절한 처리가 행해지도록 노광장치 (200-1~200-n) 를 제어하고 또한 관리한다.
또한, 호스트 컴퓨터 (140) 는, 각 노광 장치 (200-i) 마다의 얼라인먼트 처리에서의 얼라인먼트 조건을 구하기 위하여 얼라인먼트 데이터 평가 시스템을 실현 한다. 즉, 노광 장치 (200) 의 얼라인먼트 처리에 관련된 여러 가지 정보에 대해서 집계 처리 등을 하고, 그 결과의 정보를 작업자의 요구에 따른 원하는 형태로 표시 출력하여 작업자가 얼라인먼트 조건을 결정하는 것을 지원한다.
얼라인먼트 처리에 관련된 여러 가지 정보로는, 구체적으로는 노광 장치에서 계측된 EGA 로그 데이터, 또는 중첩 계측 장치에서 계측된 겹침 계측 로그 데이터로 대표된다. EGA 로그 데이터는, 기판상의 복수 쇼트로부터 선택한 샘플 쇼트에 대응하는 마크를 검출했을 때의 화상 데이터, 검출 화상을 소정의 알고리즘으로 처리했을 때의 처리 결과 (예를 들어 소정의 임계치와 마크 파형의 교점 위치나, 이것에 기초하여 결정된 샘플 쇼트에 대응하는 마크 위치 정보 등), EGA 계산에 의해 산출된 각 쇼트의 위치 정보 등이다. 또한, 겹침 계측 로그 데이터는, EGA 에 의해 얻은 정보에 기초하여 웨이퍼 위치를 제어한 후에 패턴을 노광한 기판을 중첩 계측 장치에 로드하고, 각각 상이한 층에 형성된 중첩 계측용 마크끼리의 위치 관계를 계측한 결과이다. EGA 로그 데이터가 오로지 얼라인먼트계의 결과에만 주목한 것인데 반해, 중첩 결과 데이터는 얼라인먼트계 이외에 기인하는 겹침 오차, 예를 들어 스테이지 제어 정밀도에 기인하는 오차나 투영계의 결상 특성에 기인하는 오차까지도 포함하는 데이터라고 할 수 있다. 호스트 컴퓨터 (140) 는, 노광 장치 (200) 로 계측된 EGA 로그 데이터 또는 중첩 계측 장치 (130) 로 계측된 겹침 계측 로그 데이터를, 작업자가 지정하는 계산 파라미터에 의해, 작업자가 지정하는 데이터 표시 단위로 집계 처리하여, 즉 분석하여 평가 대상의 평가를 용이하게 행할 수 있는 것 같은 작업자가 지정하는 원하는 표시 형태의 정보를 생 성하여 이것을 작업자에게 표시한다.
그 때, 호스트 컴퓨터 (140) 는 필요에 따라 EGA 시뮬레이션 및 중첩 시뮬레이션 등의 시뮬레이션을 하여, 새로운 분석용 데이터, 혹은 비교용 데이터로서 이용하거나 작업자에게 표시 출력한다. 분석용 데이터, 비교용 데이터에 대해서는 뒤에 상세하게 서술한다.
또한, 호스트 컴퓨터 (140) 는 필요에 따라, 축적되어 있는 정보로부터, EGA 로그 데이터나 겹침 계측 로그 데이터를 얻었을 때의 프로세스의 제어에 관한 여러 가지 정보 및 여러 가지 파라미터, 혹은 노광 이력 데이터 등의 정보를 읽어내어 얼라인먼트 조건의 분석 및 평가를 위해 이용하거나, 비교 정보, 참고 정보로서 작업자에게 표시 출력한다.
작업자는, 호스트 컴퓨터 (140) 와, 예를 들어 대화 형식의 인터페이스에 의해 순차 계산 파라미터 등을 변경하면서, 표시되는 정보에 기초하여 설정한 조건의 평가를 행하여, 최종적으로 가장 적합한 얼라인먼트 조건을 검출한다. 그리고 이 검출한 얼라인먼트 조건을 LAN (110) 을 통하여 노광 장치 (200) 에 세트하여 실제 웨이퍼 처리에 적용한다.
호스트 컴퓨터 (140) 상에 있어서 실현되는 얼라인먼트 데이터 평가 시스템은, 이러한 얼라인먼트 조건의 결정을 위한 얼라인먼트 정보의 분석, 평가 및 원하는 형태에서의 정보의 표시 출력을 포함하는 작업자와의 인터페이스 등의 환경을 제공한다.
이 얼라인먼트 데이터 평가 시스템은, 호스트 컴퓨터 (140) 에 본 발명에 관 련된 얼라인먼트 정보 표시 프로그램을 포함하는 소정 프로그램이 로딩되고 실행됨으로써 실현된다. 또한, LAN 을 통하여 노광 장치와 접속된 호스트 컴퓨터가 아니라, 스탠드얼론 타입의 컴퓨터 시스템에 대해 프로그램을 인스톨해도 된다. 이 경우, EGA 로그 데이터나 겹침 계측 로그 데이터는 기록 매체를 이용하여 각 장치로부터 스탠드얼론 타입의 컴퓨터 시스템에 입력된다.
이 얼라인먼트 데이터 평가 시스템의 처리, 및 이것을 이용한 얼라인먼트 정보의 평가 방법에 대해서는, 뒤에 더욱 상세하게 설명한다.
노광 장치
다음에, 노광 장치 (200) 의 구성에 대해 도 2 를 참조하여 설명한다.
도 2 는 주사형 노광 장치인 노광 장치 (200) 의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
노광 장치 (200) 는, 조명계 (210), 마스크로서의 레티클 (R) 을 유지하는 레티클 스테이지 (RST), 투영광학계 (PL), 기판으로서의 웨이퍼 (W) 가 탑재되는 웨이퍼 스테이지 (WST), 얼라인먼트계 (AS), 및 장치 전체를 통괄 제어하는 주제어계 (220) 를 갖는다.
조명계 (210) 는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평 10-112433 호, 일본 공개특허공보 평 6-349701 호 등에 개시된 바와 같이, 광원, 옵티컬 인테그레이터로서의 플라이아이 렌즈 또는 로드 인테그레이터 (내면반사형 인테그레이터) 등을 포함하는 조도 균일화 광학계, 릴레이 렌즈, 가변 ND 필터, 레티클 블라인드, 및 다이크로익 미러 등 (모두 도시생략) 을 갖는다. 조명계 (210) 는, 회로 패턴 등이 그려진 레티클 (R) 상의 레티클 블라인드로 규정된 슬릿 형상의 조명영역 부분을 조명광 (IL) 에 의해 거의 균일한 조도로 조명한다.
조명광 (IL) 으로는, KrF 엑시머 레이저광 (파장 248㎚) 등의 원자외광, ArF엑시머 레이저광 (파장 193㎚), F2 레이저광 (파장 157㎚) 등의 진공 자외광, 혹은 초고압 수은 램프로부터의 자외역의 휘선 (g 선, i 선 등) 등을 이용한다.
레티클 스테이지 (RST) 상에는 레티클 (R) 이 예를 들어 진공 흡착에 의해 고정되어 있다. 레티클 스테이지 (RST) 는, 예를 들어 자기 부상형 이차원 리니어 액츄에이터로 이루어지는 도시하지 않은 레티클 스테이지 구동부에 의해, 레티클 (R) 의 위치 결정을 위해 조명계 (210) 의 광축 (후술하는 투영광학계 (PL) 의 광축 (AX) 에 일치) 에 수직인 XY 평면 내에서 미소 구동 가능함과 함께, 소정의 주사 방향 (여기에서는 Y 축 방향으로 함) 으로 지정된 주사 속도로 구동 가능하게 되어 있다. 그리고 본 실시 형태의 상기 자기 부상형 이차원 리니어 액츄에이터는, X 구동용 코일, Y 구동용 코일에 더하여 Z 구동용 코일을 구비하고 있으며, 레티클 스테이지 (RST) 를 Z 축 방향으로도 미소 구동 가능한 구성으로 되어 있다.
레티클 스테이지 (RST) 의 스테이지 이동면 내의 위치는, 레티클 레이저 간섭계 (이하, 레티클 간섭계라 함 ; 216) 에 의해, 이동경 (215) 을 통하여 예를 들어 0.5~1㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출된다. 레티클 간섭계 (216) 로부터의 레티클 스테이지 (RST) 의 위치 정보는, 스테이지 제어계 (219) 및 이것을 통하여 주제어계 (220) 에 공급된다. 스테이지 제어계 (219) 에서는, 주제어계 (220) 로부터의 지시에 따라 레티클 스테이지 (RST) 의 위치 정보에 기초하여 도시하지 않은 레티클 스테이지 구동부를 통하여 레티클 스테이지 (RST) 를 구동 제어한다.
레티클 (R) 의 상방에는 한 쌍의 레티클 얼라인먼트계 (222 ; 도면 안쪽의 레티클 얼라인먼트계는 도시생략) 가 배치되어 있다. 이 한 쌍의 레티클 얼라인먼트계 (222) 는, 여기에서는 도시하지 않지만, 조명광 (IL) 과 동일한 파장의 조명광으로 검출 대상인 마크를 조명하기 위한 낙사조명계와, 그 검출 대상인 마크의 이미지를 촬상하기 위한 얼라인먼트 현미경을 각각 포함하여 구성되어 있다. 얼라인먼트 현미경은 결상광학계와 촬상 소자를 포함하고 있으며, 얼라인먼트 현미경에 의한 촬상 결과는 주제어계 (220) 에 공급되고 있다. 이 경우, 레티클 (R) 로부터의 검출광을 레티클 얼라인먼트계 (222) 에 유도하기 위한 도시하지 않은 편향 미러가 이동이 자유롭게 배치되어 있고, 노광 시퀀스가 개시되면, 주제어계 (220) 로부터의 지령에 의해, 도시하지 않은 구동장치에 의해 편향 미러는 각각 레티클 얼라인먼트계 (222) 와 일체적으로 조명광 (IL) 의 광로 밖으로 퇴피된다.
투영광학계 (PL) 는, 레티클 스테이지 (RST) 의 도 2 에서의 하방에 배치되며, 그 광축 (AX) 의 방향이 Z 축 방향으로 되어 있다. 투영광학계 (PL) 로는, 예를 들어 양측 텔레센트릭 축소계가 이용되고 있다. 이 투영광학계 (PL) 의 투영배율은 예를 들어 1/4, 1/5 혹은 1/6 등이다. 이 때문에, 조명계 (210) 로부터의 조명광 (IL) 에 의해 레티클 (R) 의 조명영역이 조명되면, 이 레티클 (R) 을 통과한 조명광 (IL) 에 의해, 투영광학계 (PL) 를 통하여 그 조명영역 내의 레 티클 (R) 의 회로 패턴의 축소 이미지 (부분 도립 이미지) 가 표면에 레지스트 (감광제) 가 도포된 웨이퍼 (W) 상에 형성된다.
투영광학계 (PL) 로는, 도 2 에 나타내는 바와 같이 복수 장, 예를 들어 10 내지 20 장 정도의 굴절 광학 소자 (렌즈 소자 ; 213) 만으로 이루어지는 굴절계가 이용되고 있다. 이 투영광학계 (PL) 를 구성하는 복수 장의 렌즈 소자 (213) 중, 물체면측 (레티클 (R) 측) 의 복수 장의 렌즈 소자는 도시하지 않은 구동 소자, 예를 들어 피에조 소자 등에 의해 Z 축 방향 (투영광학계 (PL) 의 광축 방향) 으로 시프트 구동, 및 XY 면에 대한 경사 방향 (즉 X 축 둘레의 회전 방향 및 Y 축 둘레의 회전 방향) 으로 구동 가능한 가동 렌즈로 되어 있다. 그리고 결상 특성 보정 콘트롤러 (248) 가 주제어계 (220) 로부터의 지시에 기초하여 각 구동 소자에 대한 인가전압을 독립적으로 조정함으로써, 각 가동 렌즈가 개별적으로 구동되고, 투영광학계 (PL) 의 여러 가지 결상 특성 (배율, 디스토션, 비점 수차, 코마 수차, 이미지면 만곡 등) 이 조정되게 되어 있다. 결상 특성 보정 컨트롤러 (248) 는, 광원을 제어하여 조명광 (IL) 의 중심 파장을 시프트시킬 수 있으며, 가동 렌즈의 이동과 마찬가지로 중심 파장의 시프트에 의해 결상 특성을 조정 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 스테이지 (WST) 는 투영광학계 (PL) 의 도 2 에서의 하방에서, 도시하지 않은 베이스상에 배치되어 있다. 이 웨이퍼 스테이지 (WST) 상에는 웨이퍼 홀더 (225) 가 탑재되고, 이 웨이퍼 홀더 (225) 상에 웨이퍼 (W) 가 예를 들어 진공 흡착 등에 의해 고정되어 있다.
웨이퍼 홀더 (225) 는 도시하지 않은 구동부에 의해, 투영광학계 (PL) 의 광축에 직교하는 면에 대해 임의 방향으로 경사 가능하며, 또한 투영광학계 (PL) 의 광축 (AX) 방향 (Z 축 방향) 으로도 미동 가능하게 구성되어 있다. 또한 이 웨이퍼 홀더 (225) 는 광축 (AX) 둘레의 미소 회전 동작도 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 스테이지 (WST) 는, 주사 방향 (Y 축 방향) 의 이동뿐만 아니라 웨이퍼 (W) 상의 복수의 쇼트 영역을 상기 조명영역과 공액인 노광 영역에 위치시킬 수 있도록, 주사 방향에 직교하는 비주사 방향 (X 축 방향) 으로도 이동 가능하게 구성 되어 있고, 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트 영역을 주사 (스캔) 노광하는 동작과 다음 쇼트 영역의 노광을 위한 가속 개시 위치까지 이동시키는 동작을 반복하는 스텝 앤드 스캔 동작을 행한다. 이 웨이퍼 스테이지 (WST) 는, 예를 들어 리니어모터 등을 포함하는 웨이퍼 스테이지 구동부 (224) 에 의해 XY 이차원 방향으로 구동된다.
웨이퍼 스테이지 (WST) 의 XY 평면 내에서의 위치는, 그 상면에 설치된 이동경 (217) 을 통하여, 웨이퍼 레이저 간섭계 시스템 (218) 에 의해, 예를 들어 0.5~1㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출되고 있다.
웨이퍼 스테이지 (WST) 상에는, 주사 방향 (Y 방향) 에 직교하는 반사면을 갖는 Y 이동경과, 비주사 방향 (X 축 방향) 에 직교하는 반사면을 갖는 X 이동경이 설치되어 있다. 이것에 대응하여 웨이퍼 레이저 간섭계 (218) 도, Y 이동경에 수직으로 간섭계 빔을 조사하는 Y 간섭계와, X 이동경에 수직으로 간섭계 빔을 조사하는 X 간섭계가 설치되어 있다. (도 2 에서는, 이들이 대표적으로 이동경 (217), 웨이퍼 레이저 간섭계 시스템 (218) 으로서 나타나 있다.) 그리고 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 이동 위치를 규정하는 정지좌표계 (직교좌표계) 는, 웨이퍼 레이저 간섭계 시스템 (218) 의 Y 간섭계 및 X 간섭계의 측장축에 의해 규정되어 있다. (이하, 이 정지좌표계를 「스테이지 좌표계」라 부르는 경우도 있음)
웨이퍼 스테이지 (WST) 의 단면 (端面) 을 경면 가공하여 상기 서술한 간섭계 빔의 반사면을 형성해도 된다.
웨이퍼 스테이지 (WST) 의 스테이지 좌표계상에서의 위치 정보 (또는 속도 정보) 는 스테이지 제어계 (219) 를 통하여 주제어계 (220) 에 공급된다. 스테이지 제어계 (219) 에서는, 주제어계 (220) 의 지시에 따라 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 상기 위치 정보 (또는 속도 정보) 에 기초하여 웨이퍼 스테이지 구동부 (224) 를 통해 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 제어한다.
또한, 웨이퍼 스테이지 (WST) 상의 웨이퍼 (W) 근방에는, 기준 마크판 (FM) 이 고정되어 있다. 이 기준 마크판 (FM) 의 표면은 웨이퍼 (W) 의 표면과 동일한 높이로 설정되며, 이 표면에는 후술하는 얼라인먼트계의 이른바 베이스라인 계측용 기준 마크, 레티클 얼라인먼트용 기준 마크, 및 그 외의 기준 마크가 형성되어 있다.
투영광학계 (PL) 의 측면에는 오프액시스 방식의 얼라인먼트계 (AS) 가 설치되어 있다. 이 얼라인먼트계 (AS) 로는, 여기에서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평 2-54103 호에 개시되어 있는 바와 같은 (Field Image Alignment (FIA) 계) 의 얼라인먼트 센서가 이용되고 있다. 이 얼라인먼트계 (AS) 는, 소정 파장폭 을 갖는 조명광 (예를 들어 백색광) 을 웨이퍼에 조사하고, 웨이퍼상의 얼라인먼트 마크의 이미지와 웨이퍼와 공액면 내에 배치된 지표판상의 지표 마크의 이미지를, 대물렌즈 등에 의해 촬상 소자 (CCD 카메라 등) 의 수광면상에 결상하여 검출하는 것이다. 얼라인먼트계 (AS) 는, 얼라인먼트 마크 (및 기준 마크판 (FM) 상의 기준 마크) 의 촬상 결과를 주제어계 (220) 에 출력한다.
노광 장치 (200) 에는, 추가로 투영광학계 (PL) 의 최량 결상면을 향해 복수의 슬릿 이미지를 형성하기 위한 결상광속을 광축 (AX) 방향에 대해 경사 방향으로부터 공급하는 도시하지 않은 조사 광학계와, 그 결상광속의 웨이퍼 (W) 의 표면에서의 각 반사광속을 각각 슬릿을 통하여 수광하는 도시하지 않은 수광 광학계로 이루어지는 입사 방식의 다점 포커스 검출계가, 투영광학계 (PL) 를 지지하는 지지부 (도시생략) 에 고정되어 있다. 이 다점 포커스 검출계로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평 5-190423 호, 일본 공개특허공보 평 6-283403 호 등에 개시되는 것과 동일한 구성인 것이 이용되고, 스테이지 제어계 (219) 는 이 다점 포커스 검출계로부터의 웨이퍼 위치 정보에 기초하여 웨이퍼 홀더 (225) 를 Z 축 방향 및 경사 방향으로 구동한다.
주제어계 (220) 는, 마이크로 컴퓨터 등의 연산 처리 시스템을 포함하여 구성 되고, 노광 장치의 각 구성부를 통괄하여 제어한다. 주제어계 (220) 는 상기 서술한 LAN (110) 에 접속되어 있다. 또한, 호스트 컴퓨터 (140) 로부터 설정된 얼라인먼트 조건 등의 정보는, 주제어계 (220) 를 구성하는 하드디스크 등의 기억 장치, 혹은 RAM 등의 메모리에 저장된다.
얼라인먼트계
다음에, 얼라인먼트계 (AS) 의 구성에 대하여 도 3 을 참조하여 설명한다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 센서 (AS) 는 광원 (341), 콜리메이터 렌즈 (342), 빔 스플리터 (344), 미러 (346), 대물렌즈 (348), 집광렌즈 (350), 지표판 (352), 제 1 릴레이 렌즈 (354), 빔 스플리터 (356), X 축용 제 2 릴레이 렌즈 (358X), 이차원 CCD 로 이루어지 X 축용 촬상 소자 (360X), Y 축용 제 2 릴레이 렌즈 (358Y), 이차원 CCD 로 이루어지 Y 축용 촬상 소자 (360Y) 를 갖는다.
광원 (341) 으로는, 웨이퍼상의 포토레지스트를 감광시키지 않는 비감광성 광으로서, 임의의 대역폭 (예를 들어 200㎚ 정도) 을 가지는 넓은 파장 분포의 광을 발하는 광원, 여기에서는 할로겐램프를 이용한다. 레지스트층에서의 박막 간섭에 의한 마크 검출 정밀도의 저하를 방지하기 위해, 브로드밴드의 조명광을 이용한다.
광원 (341) 으로부터의 조명광이 콜리메이터 렌즈 (342), 빔 스플리터 (344), 미러 (346) 및 대물렌즈 (348) 를 통하여 웨이퍼 (W) 상의 얼라인먼트 마크 (MA) 근방에 조사된다. 그리고 얼라인먼트 마크 (MA) 로부터의 반사광이, 대물렌즈 (348), 미러 (346), 빔 스플리터 (344) 및 집광렌즈 (350) 를 통하여 지표판 (352) 상에 조사되고, 지표판 (352) 상에 얼라인먼트 마크 (MA) 의 이미지가 결상된다.
지표판 (352) 을 투과한 광이 제 1 릴레이 렌즈 (354) 를 거쳐 빔 스플리터 (356) 를 향하고, 빔 스플리터 (356) 를 투과한 광이 X 축용 제 2 릴레이 렌즈 (358X) 에 의해 X 축용 촬상 소자 (360X) 의 촬상면상에 집속되고, 빔 스플리터 (356) 에서 반사된 광이 Y 축용 제 2 릴레이 렌즈 (358Y) 에 의해 Y 축용 촬상 소자 (360Y) 의 촬상면상에 집속된다. 촬상 소자 (360X 및 360Y) 의 촬상면상에는 각각 얼라인먼트 마크 (MA) 의 이미지 및 지표판 (352) 상의 지표 마크의 이미지가 겹쳐 결상된다. 촬상 소자 (360X 및 360Y) 의 촬상 신호 (DS) 는 모두 주제어계 (220) 에 공급된다.
주제어부 (220) 에는, 스테이지 제어계 (219) 를 통하여 웨이퍼 레이저 간섭계 (218) 의 계측치도 공급되고 있다. 따라서, 주제어부 (220) 는 얼라인먼트 센서 (AS) 로부터의 촬상 신호 (DS) 와 웨이퍼 레이저 간섭계 (218) 의 계측치에 기초하여 스테이지 좌표계상에서의 얼라인먼트 마크 (MA) 의 위치를 산출한다.
얼라인먼트 데이터 평가 시스템
다음으로, 얼라인먼트 조건의 결정을 지원하기 위해 호스트 컴퓨터 (140) 상에서 실현되는, 본 발명에 관련된 얼라인먼트 데이터 평가 시스템, 및 이것을 이용한 얼라인먼트 데이터 (얼라인먼트 정보) 의 표시 방법 및 평가 방법에 대하여, 도 4 내지 도 23 을 참조하여 설명한다.
먼저, 얼라인먼트 데이터 평가 시스템으로서 실행되는 프로그램 (얼라인먼트 데이터 평가 순서) 의 처리 흐름에 대하여 도 4 를 참조하여 설명한다.
도 4 는 얼라인먼트 데이터 평가 시퀀스를 나타내는 플로우차트이다.
얼라인먼트 데이터 (얼라인먼트 정보) 의 평가를 함에 있어서, 먼저 처음에 평가 대상이 되는 EGA 로그 데이터 혹은 겹침 계측 로그 데이터를 파일 단위로 선택한다 (단계 S101). 평가 대상의 결과 파일은 복수 지정할 수 있다.
다음으로, EGA 계산 모델 (고차 모델을 포함함), 리젝트 허용치, EGA 계산 대상 쇼트 및 계측 대상 웨이퍼 등의 얼라인먼트 조건을 설정한다 (단계 S102).
EGA 계산 모델로는, 식 1 로 나타낸 바와 같이 기판상의 쇼트 배열의 변화를 선형으로서 취급하는 모델식 외에, 배열 변화의 비선형 성분이나 랜덤 성분까지도 취급 가능한 고차 계산 모델식도 준비되어 있다.
리젝트 허용치란, EGA 계산의 대상이 되는 샘플 쇼트 위치의 검출 결과에서, 위치 어긋남의 양이 다른 쇼트보다 극단적으로 큰 쇼트가 있는 경우, 이것을 EGA 계산의 대상에서 제외할 것인지 말 것인지 결정하기 위한 경계 조건을 말한다. EGA 계산은, 기판상의 소수의 샘플 쇼트 위치 정보에 기초하여 기판 전체의 쇼트 위치를 구하는 통계적인 계산이기 때문에, EGA 계산의 기초가 되는 소수의 샘플 쇼트 중에 국소적인 위치 어긋남을 일으킨 쇼트가 포함되면, 기판 전체의 쇼트 위치의 정보에 대해 악영향을 미칠 가능성이 있다.
쇼트 위치의 어긋남은, 그 원인에 따라 기판마다의 위치 어긋남의 경향 변화가 큰 경우와 작은 경우가 있다. 기판마다의 위치 어긋남의 경향 변화가 작은 경우, 로트 선두 기판으로부터 얻은 정보를 이용하여 로트 전체나 복수 로트의 얼라인먼트 처리를 해도 문제없지만, 경향 변화가 큰 경우, 보다 짧은 간격으로 얼라인먼트 조건을 조정하는 것이 좋은 경우도 있다. 얼라인먼트 조건에서 말하는 계측 대상 웨이퍼란, 이러한 경향 변화와의 균형에서 얼라인먼트 계측이나 조정 동 작을 어떠한 간격으로 행할 것인지에 관한 얼라인먼트 조건이다.
이 때, 촬상 디바이스로 획득된 화상 데이터로부터 얻은 마크 이미지에 대응하는 신호 파형의 데이터를 축적한 얼라인먼트 파형 파일도 열어서 EGA 시뮬레이션하는 경우에는, 마크 형상이나 파형 처리 알고리즘과 같은 신호 처리 조건 등의 얼라인먼트 조건의 설정도 행한다.
또한, 겹침 계측 로그 데이터 단체의 평가, 분석 이외에 겹침 계측 로그 데이터와 EGA 시뮬레이션 결과에 기초하여 중첩 시뮬레이션을 하는 경우에는, 겹침 계측 로그 데이터에 대해 EGA 시뮬레이션의 결과를 가미한다. 이 경우, 가미해야 할 내용으로는, EGA 시뮬레이션에 의한 EGA 보정량의 변화분, EGA 성분 보정 조건 (얼라인먼트 보정치, EGA 결과 선택 등), 및 EGA 옵션 기능의 처리 조건 (확장 EGA, 가중치 부여 EGA 등) 의 설정 등이 있다.
EGA 시뮬레이션에 의한 EGA 보정량의 변화분은 얼라인먼트 마크 파형 검출 시뮬레이션을 행하여 산출되는 경우와, 상이한 2 개의 EGA 계측 결과 파일의 보정량의 차분을 사용하여 산출되는 경우가 있다.
다음으로, 시뮬레이션의 실행 지정의 유무를 판별하거나 (단계 S103) 혹은 실행의 지정을 받아들여서, 시뮬레이션의 실행이 지정되어 있는 경우 혹은 지정을 받아들인 경우에는, 상기 설정된 조건에 기초하여 시뮬레이션을 실행한다 (단계 S104). 이 때, 동일한 평가 대상에 대하여 복수 조건에서의 시뮬레이션을 실행할 수 있다.
시뮬레이션의 실행이 지정되어 있지 않을 때에는 (단계 S103), 단계 S104 의 시뮬레이션을 실행하지 않고 단계 S105 로 진행한다.
다음으로, 평가 대상을 선택한다 (단계 S105). 평가 대상은, 단계 S101 에서 파일 단위로 선택된 EGA 또는 겹침 계측 로그 데이터에 포함되는 계측치, 보정치, 보정후의 잔류성분, 마크의 화상이나 파형에 관한 데이터, S104 에서 구해진 시뮬레이션 결과 등으로부터 선택된다.
다음으로, 데이터 표시 단위를 설정한다 (단계 S106). 데이터의 표시 단위는, 복수 로트마다, 단일 로트마다, 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 복수 마크마다 또는 단일 마크마다 중에서 임의의 조합으로 선택하여 설정한다. 이 설정에 의해, 예를 들어 특정 웨이퍼의 특정 영역의 복수 쇼트에 대하여 복수 로트 간에서의 데이터를 표시시킨다는 지정이 행해진다.
다음으로, 데이터 비교 표시 실행 지정의 유무를 판별하고, 데이터 비교 표시 지정 있음의 경우에는 단계 S109 로, 데이터 비교 표시 지정 없음의 경우에는 단계 S108 로 진행한다 (단계 S107).
단계 S108 에 있어서는, 단계 S105 에서 선택된 평가 대상을, 단계 S106 에서 설정된 데이터 표시 단위로, 원하는 표시 형태에 의해 표시한다. 표시 형태는, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 등의 형태로부터 적절하게 선택한다.
수치 데이터 표시에서는, 평가 대상인 데이터가 수치 표시된다. 수치 표시에서는, 평가 대상이 되는 각 로그 데이터 파일로부터 취득한 데이터를 그대로 나열하는 것이 가능한 것은 물론, 데이터 표시 단위에 따라 통계적인 계산을 거친 수치를 표시하는 것이나, 내림차순, 오름차순 등으로 소트한 뒤에 표시하는 것도 가능하다. 예를 들어, 표시 단위로서 「단일 로트마다」가 선택되어 있는 경우, 단일 로트 내의 복수 기판에 관련된 복수 데이터의 평균이나 분산, 편차 등을 구한 뒤에 각 로트에 대응하는 수치로서 로트마다 데이터가 표시된다.
벡터 표시란, 기판상의 어느 쇼트의 변화의 방향과 양을 벡터로 화상 표시하는 표시 형태이다. 이 벡터 표시에 의해, 쇼트의 설계상의 위치, 프로세스 처리를 받음으로써 이동한 쇼트의 위치, 위치 맞춤후에도 잔류하는 어긋남 (잔류 오차) 등의 관계를 나타낼 수 있다.
히스토그램은 선택된 표시 단위를 가로축으로 하고, 대응하는 수치 데이터를 그래프의 세로축 방향의 길이로 나타낸 표시 형태이다. 수치 데이터 표시의 경우와 마찬가지로, 평가 대상이 되는 각 로그 데이터 파일로부터 취득한 데이터를 그대로 그래프의 길이로 치환하여 표시하거나, 데이터 표시 단위에 따라 통계적인 계산을 거친 수치를 그래프의 길이로 치환하여 표시할 수 있다.
소트란, 선택된 평가 모드에 대하여, 설정된 데이터 표시 단위 중에서 시뮬레이션 번호마다, 마크마다, 쇼트마다, 웨이퍼마다 등의 단위로 평가 데이터를 소트 표시하는 것이다. 즉, x, y, x 그리고 y, 및 x 또는 y 에 대해 크기순을 지정하여 표시하는 것이다.
또한 산포도는, 예를 들어 알고리즘 슬라이스 레벨을 변화시켰을 때의 오프셋 팩터의 움직임 등, 2 개의 파라미터의 상관을 보고자 할 때에 사용한다. 복수 데이터의 산포도를 한 화면상에 표시하는 경우, 데이터마다 회귀곡선을 적용시 키면 데이터마다의 슬라이스 레벨과의 상관의 이해가 용이해진다. 또한, 이 회귀 분석에서는, 대상 데이터에 따라 선형직선, 대수곡선, 다항식곡선, 누승곡선, 지수곡선의 선택을 한다.
알고리즘 슬라이스 레벨이란, 획득된 마크의 화상 데이터에 기초하는 파형 데이터에 대해 설정되는 일정 레벨을 의미한다. 이 일정 레벨과 파형 데이터의 교점, 즉 파형 데이터가 일정 레벨을 초과하는 (혹은 밑도는) 위치를 구함으로써 마크 위치 정보를 얻을 수 있다. 이 일정 레벨을 변화시킴으로써, 이것에 기초하여 결정되는 마크 위치 정보가 변화하는 경우가 있다.
또한, 여기에서의 오프셋 팩터란 잔류 오차 정보와 등가의 의미로 한다. 상기 서술한 바와 같이, 슬라이스 레벨을 변화시킴으로써 마크 위치 정보가 변화하기 때문에, 실제 마크 위치와 EGA 계산에 의해 산출되는 계산상의 마크 위치 사이에 잔류하는 잔류 오차도 슬라이스 레벨의 변화에 따라 변화하게 된다.
한편, 단계 S109 에 있어서는, 단계 S105 에서 선택되고 단계 S106 에서 설정된 단위마다 정리된 데이터의 2 개 이상을, 단계 S106 에서 설정된 데이터 표시 단위로 원하는 표시 형태에 의해 비교 표시한다. 표시 형태는, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도 등의 통계 표시, 소트 결과 표시, 파형 데이터 표시 등의 형태로부터 적절하게 선택한다.
예를 들어, 동일한 평가 데이터 파일, 평가 대상 및 데이터 표시 단위에 대하여, EGA 계산 모델을 변경 (예를 들어 2 차에서 3 차) 시켰을 경우, 얼라인먼트 보정 결과에 유의한 차가 있는지를 비교, 분석하는 경우 등에 있어서 이 비교 표시 는 효과적이다.
본 실시 형태에 있어서는, 데이터의 비교 표시 방법은 벡터상관법, 차분법 및 대비 (중첩) 법 중에서 선택한다.
이하, 각 비교 표시 방법에 대하여 설명한다.
벡터상관법에 의한 맵 데이터 비교 표시
벡터상관법은, 기준이 되는 웨이퍼 벡터 맵 패턴 (S) 과 비교 대상인 웨이퍼 벡터 맵 패턴 (T) 사이에서, 각 계측점 위치마다 벡터 (Sij) 와 벡터 (Tij) 의 내적합을 식 (3) 에 기초하여 산출하여 상관을 구하는 방법이다. 이로써, 벡터 맵 (S) 과 벡터 맵 (T) 사이에서 방향성과 크기 양쪽을 가미한 상관이 얻어진다.
벡터 (S) 나 벡터 (T) 는, 도 4 의 단계 S105 에서 선택된 평가 대상의 값 (계측치/보정치/보정후의 잔류 오차 등 각 얼라인먼트 마크 계측 위치마다의 값) 이며, 도 4 의 단계 S106 에서 설정된 데이터 표시 단위에 기초하여 맵 표시된다. 즉, 벡터상관법은 벡터로 표현할 수 있는 2 개의 평가 대상끼리의 서로의 유사성 정도를 수치적 혹은 도식적으로 표현하는 방법이다. 일례로는, 계측 위치의 원점 (설계상의 위치) 으로부터의 위치 변화와, 계측치에 기초한 EGA 계산에 의해 구해지는 계산상의 위치의 원점으로부터의 위치 변화의 상관이 높으면, 이 EGA 계산의 유효성을 확인할 수 있다. 계측 위치를 나타내는 벡터 맵과 EGA 계산에 의해 구해지는 위치 정보에 관련된 벡터 맵의 상관을 구함으로써, EGA 계산을 위한 조건 설정의 타당성을 도모할 수 있다. 또한, 식 (3) 내지 식 (6) 은, 복수 마크에 대해 웨이퍼 단위 등에서의 전체적인 벡터 상관에 관한 것이다.
Figure 112010050154415-pct00038
즉, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 벡터 Sij, Tij 의 내적합이 최대치를 취하면, 벡터 Sij=Tij, 즉 벡터 맵의 방향성과 크기가 일치하고 있고, 반대로 벡터 Sij, Tij 의 내적합이 0 이면, 벡터 Sij 와 Tij 는 전혀 상관성이 없다는 것을 알 수 있다. 상관이 높다고 하는 것은, 웨이퍼 벡터 맵 간의 변화가 작은 것을 나타내고 있다. 반대로 상관이 낮다고 하는 것은, 웨이퍼 벡터 맵 간의 변화가 큰 것을 나타내고 있다.
여기에서, 식 (4) 에 나타내는 바와 같이, 식 (3) 에 의해 구해지는 벡터 Sij 와 벡터 Tij 의 내적합을, 식 (5) 에 의해 구해지는 벡터 Sij 의 크기와 식 (6) 에 의해 구해지는 벡터 Tij 의 크기로 각각 나눔으로써, 벡터의 크기가 정규화된 상관계수 (CV0) 가 산출된다.
Figure 112010050154415-pct00039
Figure 112010050154415-pct00040
Figure 112010050154415-pct00041
상관계수 (CV0) 의 값은, -1 내지 +1 의 범위를 취하고, +1 일 때는 벡터의 방향과 크기가 일치하고 있는 (변화가 없는) 것을 나타내고, -1 일 때는 벡터의 방향이 180° 반전하고 있는 것을 나타내고, 0 일 때는 벡터의 방향?크기에 상관이 없는 (변화가 큰) 것을 나타내고 있다.
이로써, 웨이퍼 벡터 맵 간의 상관, 즉 비교한 데이터 간의 유의차 (변화량) 를 일정한 척도로 평가?판정할 수 있게 된다.
또한, 잔차 제곱합 등 전체적인 비교가 아니라 각 계측 위치마다의 평가가 행해진다.
비교 데이터 간의 상관을 나타내는 웨이퍼 벡터 맵도로는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 각 계측 위치마다 식 (7) 및 식 (10) 에 기초하여 벡터치를 산출하여 벡터 맵 표시한다. 이것은, 벡터 내적합을 XY 성분으로 나누고, 또한 벡터의 크기로 규격화한 각 계측 위치의 상관치이다.
또한, 식 (7) 및 식 (10) 의 제곱합의 평방근, 즉 식 (13) 에 나타내는 각 계측 위치에 규격화된 내적합을 웨이퍼 맵상에 입체 세로 막대그래프로 하여 표시해도 된다.
Figure 112010050154415-pct00042
Figure 112010050154415-pct00043
Figure 112010050154415-pct00044
Figure 112010050154415-pct00045
Figure 112010050154415-pct00046
Figure 112010050154415-pct00047
Figure 112010050154415-pct00048
EGA 보정후의 잔류 오차로서, 잔류 오차 벡터의 크기로 전체적으로 판정하고자 하는 경우에는, 각 마크 계측 위치에서의 X 방향 잔류성분을 Sxij, Y 방향 잔류성분을 Syij 로 하고, 식 (5) 의 산출치 σSO 를 사용한다.
벡터상관법에서는, 평가 데이터의 XY 방향성과 크기의 양쪽이 가미되기 때문에, 이차원 데이터의 이해와 평가를 용이하게 한다. 그리고, 규격화함으로써, 비교 대상 데이터마다 상이한 절대값에 좌우되지 않고, 순수하게 변화 정도만을 취출하여 평가할 수 있으며, 비교 데이터 간의 유의차 (변화량) 를 일정한 평가 척도로 판정할 수 있다.
또한, 식 (3) 내지 식 (6) 에 나타내는 복수 마크에 대하여 웨이퍼 단위 등에서의 전체적인 비교 이외에, 식 (7) 내지 식 (12) 에 나타내는 각 마크 계측 위치에 규격화된 벡터 맵에서의 비교 판정을 할 수 있다.
또한, 식 (5), 식 (6), 식 (8), 식 (9), 식 (11), 및 식 (12) 를 사용하면, 평가 데이터의 크기에서의 전체적인 비교 판정을 할 수 있다.
차분법에 의한 데이터 비교 표시
차분법에 의한 데이터 비교 표시는, 설정된 데이터 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 및 히스토그램?산포도 등의 통계 표시 등의 선택된 표시 형태로, 지정된 평가 모드의 2 개의 데이터 간의 차분을 표시하는 방법이다. 이로써, 2 개의 데이터 간의 차이가 나는 방식에 대하여, 벡터 맵 표시나 수치 데이터 표시 등의 형태로 계측 위치마다 평가가 가능해진다. 또한, 통상 전체의 평가 척도는 차분제곱합을 이용한다.
또한, 각 계측 위치에서의 데이터의 변화를 평가하기 위해, 각 계측 위치, 또는 데이터 표시 단위마다 복수 데이터간 차의 폭 (레인지), 불균일 (분산, 표준 편차), 분포형 (왜도 (歪度), 첨도 (尖度)) 의 계산?표시를 한다. 왜도는 분포의 대칭성을 나타내고, 식 (14) 에 의해 산출된다. 첨도는 분포의 낮게 펼쳐진 부분의 길이를 나타내고, 식 (15) 에 의해 산출된다.
각 마크 계측 위치의 복수 데이터 간의 변화를 평가하는 경우, 분포의 대칭성이 양호하고, 또한 낮게 펼쳐진 부분의 길이가 짧은 것이 좋고, 왜도 (식 (14) 의 b1 이 0 에 가까운 것이 대칭성이 강하여 바람직하다) 나, 첨도 (식 (15) 의 b2 가 큰 것이 낮게 펼쳐진 부분의 길이가 짧아 바람직하다) 를 사용하여 평가하는 것이 바람직하다.
Figure 112007014765622-pct00014
b1 = 0 : 좌우대칭
b1 > 0 : 오른쪽으로 낮게 펼쳐진 부분이 연장되어 있다
b1 < 0 : 왼쪽으로 낮게 펼쳐진 부분이 연장되어 있다
S 는 표준편차
Figure 112007014765622-pct00015
b2 = 0 : 정규분포형
b2 > 0 : 낮게 펼쳐진 부분이 짧다
b2 < 0 : 낮게 펼쳐진 부분이 길다
대비/겹침법에 의한 데이터 비교 표시
대비/겹침법에 의한 데이터 비교 표시는, 설정된 데이터 표시 단위를, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 등의 표시 형태 중에서 선택된 표시 형태에 의해, 지정된 평가 대상의 데이터를 대비 표시 또는 겹침 표시하여 평가하는 방법이다.
보통, 수치 데이터, 소트 결과 등에는 대비 표시가 적합하다. 또한 벡터 데이터, 히스토그램, 산포도, 파형 데이터 등은 겹침 표시를 행하면 바람직하다.
이로써 2 개 이상의 데이터간의 상이를 효율적으로 평가할 수 있다. 특히 벡터 데이터, 파형 데이터, 고차 보정시의 비선형 보정량 맵 표시는, 각 조건마다의 표시 데이터를 겹쳐 표시하면 상이한 조건 간의 차를 알기 쉽다.
도 4 에 나타내는 플로우차트로 돌아가, 단계 S108 또는 단계 S109 에 있어서 데이터의 표시 형태 선택이 종료되면, 다음으로, 표시된 데이터의 평가, 분석을 한다 (단계 S110).
이 때, 평가 데이터가 보정치 또는 보정후의 잔류성분인 경우에는 각 얼라인먼트 조건의 개별 지정을 할 수 있다. EGA 계산 모델이 고차 모델인 경우에는 고차의 각 보정계수까지 지정 가능하다. 또한, 보정치로서 웨이퍼마다, 로트마다 (복수 웨이퍼의 보정치의 평균) 지정을 할 수 있다.
다음으로, 얼라인먼트 처리 이력 데이터의 표시 지정 유무를 판별하여 (단계 S111), 지정이 있는 경우에는 얼라인먼트 조건, 계측 스테이터스, 계측 에러 정보 등의 얼라인먼트 처리 이력 데이터의 표시를 한다 (단계 S112). 이 얼라인먼트 처리 이력 데이터의 표시는, 파형 검출 에러가 발생했을 때, 혹은 계측 결과에 점프가 있는 경우 등에 행하면 효과적이다. 파형 검출 에러, 혹은 계측 결과의 점프의 원인이 장치측에 있는 경우, 복수의 웨이퍼의 동일한 위치에서 파형 검출 에러 혹은 계측 결과의 점프가 확인된다. 따라서, 이력 데이터를 확인함으로써, 원인이 장치측에 있는 것을 알아내는 단서가 된다.
다음으로, 조건을 변경하여 재평가?분석을 할 것인지의 지정을 검출하여, 재평가 혹은 재분석을 하는 경우에는 지정된 단계 위치로 되돌아가 (단계 S101, S102, S105, S106, S107 또는 S111) 평가 시퀀스를 반복한다 (단계 S113).
이러한 시퀀스에 의해 처리를 진행시킴으로써 얼라인먼트 조건의 평가, 분석이 효율적으로 행해져, 얼라인먼트 조건의 최적화를 할 수 있다.
입출력 화면 표시
다음으로, 이러한 얼라인먼트 데이터 평가 시스템에서의 입출력 화면을 구체적으로 예시하며, 얼라인먼트 데이터 평가 시스템의 동작과 함께 이 시스템을 이용한 얼라인먼트 조건의 결정 방법에 대해 설명한다.
먼저, 얼라인먼트 데이터 평가 시스템에 대한 얼라인먼트 조건의 설정 화면에 대해 설명한다.
상기 서술한 도 3 의 얼라인먼트계 (AS) 는, FIA (Field Image Alignment) 방식의 얼라인먼트 센서를 포함한다. 그리고 앞의 도 3 을 이용한 얼라인먼트계의 설명에서는 생략했지만, 얼라인먼트계 (AS) 는 LSA (Laser Step Alignment) 방식의 얼라인먼트 센서도 포함한다. 어느 방식이나 이미 널리 사용되고 있는 것이기 때문에, 이것에 관한 상세한 설명은 생략한다.
도 7 은 FIA 방식의 얼라인먼트 센서에 대한 EGA 파라미터의 설정 화면을 나타내는 도면이다. 도 7 에 나타내는 설정 화면 (410) 으로부터, 작업자는 화상 데이터로서 획득된 기판상의 마크의 이미지에 기초하여 생성되는 FIA 마크 파형의 처리 조건을 설정한다. 구체적으로는, 예를 들어 FIA 마크 데이터 (FIA Mark Data) 란 (411) 에서 FIA 마크 형상 정보를 설정하고, FIA 파라미터 (FIA Parameter) 란 (412) 에서 신호 처리 조건을 설정한다. 또한, 이 화면으로부터의 설정치에 기초하여 EGA 시뮬레이션이 실행된다.
신호 처리 조건으로는, 예를 들어 FIA 마크 파형에 대한 임계치의 설정 방법을 들 수 있다. FIA 방식의 얼라인먼트에서는, 파형과 임계치의 교점의 위치로부터 마크 위치 정보가 구해지는데, 이 임계치의 설정 방법으로서, 파형의 어느 부분을 사용할 것인지, 혹은 임계치의 높이를 어디로 할 것인지 등의 설정을 변화시킬 수 있다.
도 8 은 LSA 방식의 얼라인먼트 센서에 대한 EGA 파라미터의 설정 화면을 나타내는 도면이다. 도 8 에 나타내는 설정 화면 (420) 으로부터, 작업자는 LSA 마크 파형의 처리 조건을 설정한다. 구체적으로는, 예를 들어 LSA 마크 데이터 (LSA Mark Data) 란 (421) 에서 LSA 마크 형상을 설정하고, LSA 파라미터 (LSA Parameter) 란 (422) 에서 신호 처리 조건을 설정한다. 또한, 이 화면으로부터의 설정치에 기초하여 EGA 시뮬레이션이 실행된다.
도 9 는 웨이퍼 노광 조건의 설정 화면을 나타내는 도이며, 도 9 에 나타내는 설정 화면 (430) 으로부터, 작업자는 웨이퍼 노광 조건 파라미터를 설정한다.
웨이퍼 노광 조건 설정 화면 (430) 은, 웨이퍼 보정 파라미터 설정란 (431) 과 쇼트 보정 파라미터 설정란 (432) 을 갖는다. 그리고 이들 각 란으로부터, EGA 계산에 의해 산출된 웨이퍼와 쇼트의 각 보정 팩터에 대해 가산하는 보정량의 설정, EGA 방식에 의해 산출된 산출 결과는 사용하지 않고 고정치를 사용하는 경우 의 설정 (보정 팩터마다 No Fix 인지 Fix 인지 지정), 및 EGA 파라미터에 기초한 산출치를 사용하는 경우의 EGA 결과 선택 등을 한다. 또, 이 화면으로부터의 설정치에 기초하여 중첩 시뮬레이션이 실행된다. 웨이퍼 보정 파라미터는 웨이퍼마다 설정되는 보정량의 설정이며, 쇼트 보정 파라미터는 쇼트마다 설정되는 보정량의 설정이다.
다음으로, 얼라인먼트 데이터 평가 시스템으로부터의 여러 가지 데이터 표시 출력 화면에 대해 설명한다.
도 10 은 얼라인먼트 마크 맵의 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 10 에 나타내는 윈도우 (510) 에는, 평가 대상인 쇼트 (마크) 의 웨이퍼상에서의 위치를 나타내는 도가 표시되어 있다. 평가 대상 웨이퍼는, 평가 대상 EGA 로그 데이터 또는 겹침 계측 로그 데이터로부터, 작업자가 선택한 임의의 로트의 임의의 웨이퍼이다.
얼라인먼트 결과를 평가하여, 보다 적절한 얼라인먼트 조건을 결정하기 위해서는, 예를 들어 도 10 에 나타내는 바와 같은 형태로 평가 대상 쇼트의 웨이퍼상에서의 위치가 명시된 이미지를 표시하고, 순차 후공정에 있어서 각 데이터의 평가 등을 행하도록 하는 것이 효과적이다.
본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 이러한 윈도우 (510) 에 있어서, 원하는 쇼트를, 그 개소를 더블클릭하는 등의 조작을 하여 선택함으로써, 예를 들어 파형 데이터 등의 그 쇼트 (마크) 에 대한 원하는 상세한 데이터 (정보) 가 표시된다.
도 11 은 얼라인먼트 마크 맵과 파형 데이터를 표시하는 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 11 에 나타내는 화면 (520) 중에는, 도 10 에 나타낸 쇼트 (마크) 의 웨이퍼상에서의 위치를 나타내는 맵이 표시된 윈도우 (510) 와, 특정한 얼라인먼트 마크의 파형 데이터가 표시된 윈도우 (522) 가 표시되어 있다.
이러한 화면 (520) 은, 상기 서술한 바와 같이 예를 들어 도 10 에 나타내는 얼라인먼트 마크 맵에 있어서, 원하는 쇼트를 선택함으로써 생성된다. 그 경우, 도시하지는 않지만, 윈도우 522 에 파형 데이터가 나타나 있는 쇼트 (마크) 에 대해서는, 윈도우 (510) 에 있어서 다른 쇼트 (마크) 와 식별 가능한 형태로 표시된다.
윈도우 (522) 에는, 윈도우 (510) 에서 위치가 나타나 있는 쇼트 중 어느 하나의 분석 대상, 평가 대상인 마크의 파형 데이터 (파형도 ; 523) 가, 정상적으로 마크 검출된 파형 데이터 (파형도 ; 524) 와 대비되는 형태로 표시되어 있다. 파형도 (523 및 524) 에 있어서, 중앙의 세로선 (525) 은 파형 데이터를 소정의 파형 해석 알고리즘으로 해석함으로써 결정된 마크 중심 위치를 나타내고, 각 파형 그래프의 왼쪽 아래에 그 계측치 (설계치로부터의 어긋남량) 가 나타나 있다.
정상적으로 마크 검출된 파형 데이터 (524) 는, 윈도우 (510) 에 나타나 있는 쇼트 (마크) 중에서 선택한 것이어도 되고, 분석 대상인 마크와 동일 형상인 마크에 대해 미리 준비된 참조용 데이터여도 된다.
이러한 표시에 의해, 임의의 로트, 임의의 웨이퍼, 임의의 쇼트의 임의의 마 크에 대해 파형 표시를 할 수 있다. 그리고, 이와 같이 예를 들어 정상적인 파형 데이터 등의 다른 파형 데이터와 대비 표시함으로써, 그 상이점으로부터 파형 검출 에러의 원인을 추찰할 수 있다.
윈도우 (522) 의 2 개의 파형 데이터는, 겹쳐 표시 (겹침 표시) 하듯이 해도 된다. 파형의 종류나 상태에 따라, 시인 (視認) 하기 쉬운 임의의 표시 방법을 선택하여 표시하면 된다.
또한, 그러한 비교 표시 화면에 있어서, 상이점을 보기 쉽게 하기 위해 대비 표시나 겹침 표시되는 파형 간에서 파형의 색?굵기?형상 (실선과 점선 등) 을 바꾸도록 해도 된다.
이 표시 형태는, 평가 대상인 마크 파형과 기준이 되는 마크 파형의 비교 표시에 한정되는 것은 아니고, 여러 가지 파형 데이터 비교에 적용할 수 있다.
예를 들어, 동일 마크 파형 데이터에 대하여, 검출 파라미터를 변경했을 때의 검출 파라미터 변경마다의 파형을 대비 표시 또는 겹침 표시할 수 있다. 그러한 표시를 하면, 대비 혹은 겹침 표시된 2 개의 데이터 간의 상이점으로부터 파라미터의 변경이 마크 파형 검출 위치에 미치는 영향을 추측할 수 있다.
또한, 동일 마크나 임의의 상이한 마크 간에서 X 방향의 파형과 Y 방향의 파형을 대비 표시시켜도 된다.
그리고, 이러한 표시 화면으로부터 파형 데이터의 에러 등을 검출함으로써, 예를 들어 EGA 파라미터의 변경 및 EGA 대상 쇼트 위치나 대상 마크 위치의 변경 (마크 파형 형상의 불안정한 쇼트나 마크의 제외) 등을 용이하고 또한 적절하게 행 할 수 있다. 그 결과, 마크 검출 에러의 대책이 적절히 행해져, 마크 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다.
마크 형상 파라미터는, 싱글/더블의 신호 형상 파라미터 지정, 마크 타입 파라미터의 지정, 마크 검출 허용치 파라미터의 지정 등을 포함한다. 또한 마크 검출 파라미터는, 멀티마크의 양단 마크의 사용/미사용의 파라미터 지정, 마크 검출 알고리즘이나 슬라이스 레벨의 파라미터 지정, 마크 파형 에지 검출 모드의 파라미터 지정 등을 포함한다.
또한, 이상과 같은 분석에 의해 도출된 새로운 마크 형상 파라미터는, 예를 들어 도 7 에 나타낸 FIA 용 EGA 파라미터 설정 화면의 FIA 마크 데이터란 (411), 혹은 도 8 에 나타낸 LSA 용 EGA 파라미터 설정 화면의 LSA 마크 데이터란 (421) 에서 설정됨으로써, 후의 분석, 시뮬레이션, 실제 처리 등에 반영된다.
마크 형상 이외의 각 파라미터에 대해서도, 그 후의 EGA 시뮬레이션이나 노광 장치 (200) 의 제어 등에 반영된다.
도 12 는, 평가 데이터의 어긋남의 벡터 맵과 어긋남량의 빈도 분포를 나타내는 히스토그램을 표시하는 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 12 에 나타내는 화면 (530) 중에는, 예를 들어 얼라인먼트 보정후의 위치에 기초하여 어긋남을 벡터 맵 표시하는 윈도우 (531) 와, 예를 들어 웨이퍼 전체 등의 소정의 단위에 대해 어긋남량의 빈도 분포를 나타내는 히스토그램 (533 및 534) 이 표시된 윈도우 (532) 가 표시되어 있다.
윈도우 (532) 에 표시되어 있는 히스토그램 (533 및 534) 은, 각각, 선택된 평가 대상에 대하여 어느 정도의 어긋남량이 어떠한 빈도로 분포되고 있는지 나타낸다.
따라서 이러한 히스토그램을 복수 (도 12 에서는 2 개), 도 12 에 나타내는 바와 같이 대비 표시함으로써, 예를 들어 동일 웨이퍼 내의 X 히스토그램과 Y 히스토그램의 비교, 임의의 로트, 웨이퍼 혹은 쇼트 간의 X/Y 히스토그램의 비교, 임의의 복수 로트, 복수 웨이퍼, 복수 쇼트 혹은 복수 마크에 대해 전체와 개별의 히스토그램 비교 등을 행할 수 있다. X 히스토그램은 X 방향의 어긋남량에 관한 히스토그램, Y 히스토그램은 Y 방향의 어긋남량에 관한 히스토그램이다.
이로써, 원하는 평가 대상의 데이터를, 단순한 평균치나 3σ가 아니라 구체적인 빈도 분포로 하여 참조 데이터와 비교하거나, 2 이상의 평가 대상끼리를 서로 비교하거나 할 수 있기 때문에, EGA 계측 대상 쇼트나 쇼트내 계측 대상 마크의 선정, 리젝트 허용치나 EGA 계측 필요 쇼트수의 설정의 판단을 비롯하여, 상기 서술한 바와 같은 EGA 의 각 파라미터에 대한 판단을 보다 상세하게 할 수 있다.
히스토그램의 분포로는, 편차가 적고, 특히 점프 데이터가 없는 것이 바람직하다.
윈도우 (532) 의 2 개의 히스토그램 (533 및 534) 은, 예를 들어 겹쳐 표시 (겹침 표시) 해도 된다. 히스토그램의 종류나 상태에 따라, 시인하기 쉬운 임의의 표시 방법을 선택하여 표시하면 된다.
또한, 그러한 비교 표시 화면에 있어서, 상이점을 보기 쉽게 하기 위해, 대비 표시나 겹침 표시되는 막대그래프 간에서 막대그래프의 색?굵기 등을 바꾸도록 해도 된다.
또한, 이 표시 형태에 있어서는, 평가 대상으로 얼라인먼트 보정치나 얼라인먼트 보정후의 잔류성분을 선택한 경우, 윈도우 (530) 의 보정 파라미터 (Correction Parameters) 란 (535) 에 표시되어 있는 웨이퍼 오프셋 (Wafer Offset X/Y), 웨이퍼 스케일링 (Wafer Scaling X/Y), 웨이퍼 로테이션 (Wafer Rotation), 웨이퍼 직교도 (Wafer Orthogonality), 쇼트 스케일링 (Shot Scaling X/Y), 쇼트 로테이션 (Shot Rotation), 쇼트 직교도 (Shot Orthogonality) 의 각 보정 팩터 및 고차 EGA 보정시의 2 차 보정계수 및 고차 EGA 보정시의 3 차 보정계수의 사용/미사용을 개별적으로 지정할 수 있게 되어 있다.
이로써, 얼라인먼트 보정에 어느 팩터가 지배적으로 되어 있는지, 각 보정 팩터, 각 보정계수의 사용/미사용의 설정, 및 각 보정 팩터, 각 보정계수에 대해 가산하는 일정한 보정치의 설정 등의 판단을 적절히 행할 수 있다.
이들의 판단에 기초한 보정 파라미터 등은, 상기 서술한 도 9 에 나타내는 웨이퍼 노광 조건 파라미터의 설정 화면의 웨이퍼 보정 (Wafer Correction) 란 (431) 및 쇼트 보정 (Shot Correction) 란 (432) 에 설정된다.
그리고 입력된 각 파라미터는, 그 후의 EGA 시뮬레이션이나 노광 장치 (200) 의 제어 등에 반영된다.
도 13 은 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터 겹침 맵의 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 13 에 나타내는 화면 (윈도우 ; 540) 중에는, 2 차의 EGA 계산 모델과 3 차까지의 EGA 계산 모델의 2 개의 조건에 대하여 각각 산출된 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터 맵을 겹침 표시한 도가 표시되어 있다.
이러한 표시 출력을 함으로써, 2 차의 EGA 계산 모델을 이용한 경우의 잔류성분과 3 차의 EGA 계산 모델을 이용한 경우의 잔류성분의 비교를 용이하고 명확하게 행할 수 있다.
비교하는 잔류성분의 데이터로는, 로그 데이터 중의 수치를 그대로 비교하는 것 외에, 복수 웨이퍼 간의 평균, 3σ, 평균의 절대값 +3σ, 최대치 (MAX), 최소치 (MIN), 레인지 (폭) 등의 통계적인 정보를 계산에 의해 구한 뒤에, 이 복수 웨이퍼의 산출치끼리 비교해도 된다.
예를 들어, 도 13 에 나타내는 예와 같이 고차 EGA 계산 모델로 2 차와 3 차의 얼라인먼트 보정후의 잔류성분을 비교하는 경우, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 평균을 구하여 평균화된 결과 간의 비교를 할 수 있다.
또한, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼간의 "평균의 절대값 +3σ" 를 사용함으로써 안정성을 중시한 결과의 비교를 할 수 있다.
또한, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 최대치 (MAX) 를 사용함으로써 웨이퍼상의 특정 쇼트 위치에서 복수 웨이퍼 간에서의 최악의 어긋남량을 고려한 결과를 비교할 수 있다.
또한, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 경우, 벡터의 길이가 짧고, 점프 데이터가 적은 것이 바람직하다. 또한 각 마크의 어긋남이 1 방향으로 큰 어긋남을 나타내는 경향이 아니라, XY 의 2 방향으로 어긋남량이 분산되어 있는 것이 바 람직하다.
또한, 동일 조건하에서의 상이한 로트나 상이한 웨이퍼 간의 평가 데이터를 겹침 표시해도 된다. 이로써, 동일 조건에서의 상이한 로트?웨이퍼 간에서의 편차 평가를 할 수 있다.
벡터 표시되어 있는 개소의 실제 수치는, 예를 들어 표시 모드를 전환하거나 함으로써 쇼트마다, 예를 들어 도 16 에 나타내는 표시 화면 (570) 에 나타내는 바와 같은 수치 표시의 형태로 표시 출력 가능하다.
또한, 이 벡터 맵 겹침 표시에 있어서, 상이점을 보기 쉽게 하기 위해, 비교하는 벡터 간에서 벡터의 색, 굵기, 형상 (점선이나 실선 등) 등을 바꾸도록 해도 된다.
도 14 는, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터 차분 맵의 표시 화면을 나타내는 도면이다.
도 14 에 나타내는 화면 (윈도우 ; 550) 중에는, 2 차의 EGA 계산 모델과 3 차까지의 EGA 계산 모델의 2 가지 조건에 대하여 각각 산출된 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 상이량을 각 마크 위치마다에서의 차분 데이터로 한 벡터 맵이 표시되고 있다.
도 13 의 표시와 같이 2 차 모델과 3 차 모델 각각의 잔류성분에 관한 2 가지 벡터를 표시하는 것이 아니라, 2 차 모델과 3 차 모델의 차분을 하나의 벡터로 나타내게 되어, 간결하다.
웨이퍼 데이터로는, 도 13 의 경우와 마찬가지로, 로그 데이터 중의 수치를 그대로 비교하는 것 외에, 통계적인 정보를 구하여 그들을 비교해도 된다.
또한, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 "평균의 절대값 +3σ" 을 사용함으로써 안정성을 중시한 결과에 대한 상이량의 평가를 할 수 있다.
또한, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 최대치 (MAX) 를 사용함으로써 각 마크마다 최악의 어긋남량을 고려한 결과에 대한 상이량의 평가를 할 수 있다.
또한, 동일 조건하에서의 상이한 로트나 상이한 웨이퍼 간의 평가 데이터를, 이러한 벡터 차분 맵에 의해 표시해도 된다. 이로써, 동일 조건에서의 상이한 로트?웨이퍼 간에서의 편차 평가를 할 수 있다.
이러한 평가의 결과, 특정 조건에 대해서 이 조건을 선택한다. 또한, 도 14 의 차분을 이용한 평가의 결과 유의하다고 인정되는 조건이 다수 있는 경우에는, 추가로 도 13 에 나타낸 벡터 겹침 맵 표시나 도 19 에 나타내는 쇼트 데이터 리스트 표시 등에 의해 얼라인먼트 보정후의 잔류성분에 대해 평가하여, 잔류성분의 불균일 (분포), 잔류성분의 점프 데이터, 잔류성분의 제곱합 평균이 적은 쪽 등의 평가 기준으로, 양호했던 조건을 선택하게 된다.
또한, 동일 파라미터에서, 상이한 로트?웨이퍼 간에서의 상이량이 컸던 경우, 안정된 결과를 얻을 수 있도록 파라미터를 변경해 나간다.
도 14 에 나타내는 표시예에서는 2 개의 조건의 차분을 표시하고 있지만, 3 개 이상의 복수의 조건의 차분을 구하고, 추가로 차분끼리의 차분으로부터 차분의 레인지를 벡터 맵 표시해도 된다.
도 15 는, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터상관도를 벡터 맵 표시한 화 면을 나타내는 도면이다.
도 15 에 나타내는 화면 (윈도우 ; 560) 중에는, 2 차의 EGA 계산 모델과 3차까지의 EGA 계산 모델의 2 개의 조건에 대하여 각각 산출된 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터상관도를, 마크마다 벡터 맵으로 나타낸 도가 표시되어 있다.
이러한 표시 출력을 함으로써, 선택된 평가 데이터 파일 (EGA 계측 결과 파일, 또는 중첩 계측 결과 파일), 및 선택된 평가 대상 (얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔차 등) 에 대해, EGA 파라미터 및 웨이퍼 노광 조건 (중첩) 파라미터를 변경한 경우의 마크마다 산출된 평가 데이터의 벡터상관도를 마크 단위로 평가할 수 있다. 따라서 각 얼라인먼트 파라미터 변경시의 평가 데이터에 대한 영향도의 판정을 행할 수 있고, 각 얼라인먼트 파라미터의 최적화를 용이하게 행할 수 있다.
웨이퍼 데이터로는, 마크마다 복수 웨이퍼 간의 평균, 3σ, 평균의 절대값 +3σ, 최대치 (MAX), 최소치 (MIN), 레인지 (폭) 등을 지정한다.
예를 들어, 도 15 에 나타내는 예와 같이 고차 EGA 계산 모델로, 2 차와 3 차의 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 상이량을 평가하는 경우, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 평균을 사용함으로써 평균화된 결과에 대한 상관도의 판정을 행할 수 있다.
또한, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 "3σ" 또는 "평균의 절대값 +3σ" 를 사용함으로써 안정성을 중시한 결과에 대한 상관도의 평가를 할 수 있다.
또한, 각 고차 계산 모델로 복수 웨이퍼 간의 최대치 (MAX) 를 사용함으로써 각 마크마다 최악의 어긋남량을 고려한 결과에 대한 상관도의 평가를 행할 수 있다.
또한, 동일 조건, 동일 파라미터하에서의 상이한 로트나 상이한 웨이퍼 간의 평가 데이터를, 이러한 벡터상관도 맵에 의해 표시해도 된다. 이로써, 동일 조건, 동일 파라미터에서의 상이한 로트?웨이퍼 간에서의 편차 평가를 할 수 있다.
이들 상관도의 판정 결과, 유의한 차이가 인정된 경우, 즉, 벡터상관도가 소정의 임계치보다 낮은 경우에는, 추가로 도 14 에 나타낸 벡터 겹침 맵 표시나 도 19 에 나타내는 쇼트 데이터 리스트 표시 등에 의해 얼라인먼트 보정후의 잔류성분에 대해 평가하고, 잔류성분의 편차 (분포), 잔류성분의 점프 데이터, 잔류성분의 제곱합 평균이 적은 쪽 등의 평가 기준으로, 양호했던 조건 쪽의 파라미터를 선택하게 된다.
또한, 동일 파라미터에서, 상이한 로트 웨이퍼 간에서의 상관도가 작았던 경우, 안정된 결과를 얻을 수 있도록 파라미터를 변경해 나간다.
여기에서, 수치에 의해 평가 데이터를 표시하는 예에 대해 몇 가지 설명한다.
도 16 은 얼라인먼트 보정후의 잔류성분을 쇼트에 관한 데이터로서 수치 표시한 화면을 나타내는 도면이다.
도 16 에 나타내는 화면 (570) 중에는, 선택된 쇼트 (도 16 의 예에 있어서는, 쇼트 위치 (C (Column) : 2, R (Row) : 2) 의 쇼트) 의, 쇼트내 마크 설계 좌표 (X, Y) 와 그에 대한 잔류성분 (X, Y) 이 수치 표시되어 있다.
이 수치 표시는, 예를 들어 도 13 에 나타낸 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터 겹침 맵을 표시하고 있을 때, 작업자가 화면상의 원하는 쇼트를 선택하여 그 표시 모드를 전환함으로써 행해진다. 이로써, 작업자는 수치로 잔류성분을 파악할 수 있다.
도 17 은 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 웨이퍼 평균, 3σ 등을 수치에 의해 비교 표시한 화면을 나타내는 도면이다.
도 17 에 나타내는 화면 (580) 에는, 동일한 웨이퍼에 대하여 2 개의 조건으로 얼라인먼트 보정한 경우의 잔류성분의 평균, 3σ 가 수치 표시되어 있다. 수치 표시되는 데이터로는, 평균, 3σ 외에 편차의 최대치 (MAX), 최소치 (MIN), 폭 (Range) 및 분포형 (왜도, 첨도) 등의 데이터가 있다. 도 17 에 있어서는, 웨이퍼 평균과 3σ 의 표시밖에 안 보이지만, 좌우의 슬라이드 바를 사용함으로써 기타 데이터를 볼 수 있다.
도 18 은 EGA 파라미터 계산 결과를 수치에 의해 비교 표시한 화면을 나타내는 도면이다.
도 18 에 나타내는 화면 (590) 에는, 동일한 웨이퍼에 대하여 2 개의 조건으로 EGA 파라미터 계산한 경우의 결과가 비교 표시되어 있다.
도 19 는 복수의 쇼트에 관한 데이터를 일람 표시한 화면을 나타내는 도면이다. 도 19 에 나타내는 화면 (600) 에는, 웨이퍼 내의 각 쇼트의 마크 계측 결과가 표시되어 있다. 이러한 표시 형태에서, 계측 결과 외에 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분을 표시해도 된다.
또한, 도 11 내지 도 15 에 나타낸 바와 같은 웨이퍼 맵 형식의 표시로부터 작업자의 선택 조작에 의해 데이터를 수치 표시할 수 있다.
다음으로, 보다 고도의 통계 처리를 평가 데이터에 실시하여 작업자에게 직감적으로 상황을 파악시킬 수 있는 표시 화면을 몇 가지 나타낸다.
도 20 에 나타내는 꺾은선 그래프 (610) 는, 알고리즘 슬라이스 레벨과 마크 검출 오프셋의 상관을 나타낸다. EGA 시뮬레이션에서의 마크 검출 파라미터로 슬라이스 레벨을 0%~100% 까지 변화시킨 경우, 콘트라스트 리미트를 0%~100% 까지 변화시킨 경우, 마크 검출 허용치를 0㎛~999.999㎛ 까지 변화시킨 경우 등과 같이, 연속적으로 값을 변화시켜 시뮬레이션한 결과를 평가하고자 하는 경우에는, 이러한 그래프를 표시하면 된다.
도 21 에 나타내는 그래프 (511) 는, 2 개의 평가 데이터를 스칼라 맵으로 하여 등고선 표시한 그래프이다. 도 21 에 나타내는 스칼라 맵 등고선 표시 그래프 (620) 는, 예를 들어 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 차분을, X 성분과 Y 성분 각각 제곱합의 평방근을 취하고, 웨이퍼상에서의 쇼트의 X 위치, Y 위치에 대응하는 그래프상에서의 위치의 높이 데이터로서 나타내는 도면이다. 혹은 또 예를 들어 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 상관을, 도 15 에 나타내는 바와 같은 벡터상관 맵이 아니라, 식 (13) 의 값을 사용하여 X 성분과 Y 성분을 합성한 스칼라 맵으로서 표시하는 경우에도 이용할 수 있다. 벡터의 방향성을 고려하지 않고 X 성분과 Y 성분의 합성치로 종합적으로 평가하는 경우에 효과적이다.
또한, 도 22 에 나타내는 막대그래프 (630) 는, 도 21 에 나타낸 2 개의 평 가 데이터의 스칼라 맵을 삼차원 막대그래프로 표시한 예이다. 본 실시 형태의 얼라인먼트 데이터 평가 시스템에 있어서는 이와 같이, 동일한 표시 대상의 데이터를 임의의 형태로 출력할 수 있다.
이와 같이 본 실시 형태의 얼라인먼트 데이터 평가 시스템에 있어서는, 임의의 데이터를 원하는 형태로 표시 출력할 수 있어, 데이터의 분석, 평가를 효율적으로 적절히 행할 수 있다.
다음으로, 이러한 얼라인먼트 데이터 평가 시스템을 사용하여 얼라인먼트 조건의 결정에 유용한 여러 가지의 데이터를 표시하는 방법, 특히 화면상에서의 조작 내용에 대해 고차 EGA 계산 모델을 최적화하기 위한 처리를 예로 하여 설명한다.
조건의 최적화의 하나로서 계산 모델을 2 차 6 파라미터 모델과 3 차 6 파라미터 모델 중 어느 것으로 하는 것이 최적인지 검토하는 경우를 예로 하여 설명한다. 이 목적을 위해, 평가 대상으로는, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분을 선택하고, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분에 대하여 하기 (a) 와 (b) 의 정보를 원하는 형태로 표시시켜 그 내용을 평가한다.
(a) 쇼트 (마크) 위치마다의 얼라인먼트 보정후의 잔류성분.
(b) 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 특정 마크마다, 특정 쇼트마다, 특정 웨이퍼마다, 특정 로트마다의 평균과 3σ, 및 불균일의 최대치 (MAX), 최소치 (MIN), 폭 (Range) 과 분포형 (왜도, 첨도).
상기 (a) 의 마크 계측 위치마다의 얼라인먼트 보정후의 잔류성분은, 평균이나 불균일 내역의 경향을 분석하기 위해 활용한다.
또한, 여기에서는, 예를 들어 평가 데이터로서 EGA 로그 데이터를 사용하고, 표시 단위는 단일 웨이퍼마다 지정한다. 표시 단위로서 단일 웨이퍼마다를 지정하는 경우, 특별히 화면상에서 해야 할 조작은 없다. 평가 대상으로서 선택된 데이터가 복수의 웨이퍼에 관련된 것이었던 경우, 데이터는 웨이퍼마다 나누어 인식되고, 웨이퍼 넘버를 지정함으로써 넘버에 대응하는 웨이퍼의 정보가 단일 웨이퍼마다 표시된다. 웨이퍼 넘버의 지정은, 도 10 의 화면 (510) 우측 중단의 Wafer NO" 란으로의 입력 또는 "Wafer NO" 란의 스크롤바의 조작에 의해 행한다.
즉, "Wafer NO" 란의 스크롤바를 조작하거나 그 아래의 수치 입력 박스에 웨이퍼 넘버를 기입함으로써, 대응하는 웨이퍼의 정보가 단일 웨이퍼 단위로 표시되며, "All Wafer" 의 체크 박스를 온으로 하면 평가 대상의 전체 웨이퍼분의 데이터가 1 개의 맵상에 겹쳐 동시에 표시된다. 여기에서, 웨이퍼 간의 데이터 판별은 벡터 표시의 색, 굵기, 형상 등에 의해 행할 수 있다.
또한, 상기 서술한 바와 같이 상기 (b) 에 있어서, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 평균, 3σ, 편차의 최대치 (MAX), 최소치 (MIN) 및 폭 (Range) 은 작은 것이 좋다. 또한, 왜도는 0 에 가깝고 (좌우 대칭성이 좋고), 첨도는 큰 (분포가 집중되어 있는) 것이 좋다.
또한, 도 10 의 화면 (510), 웨이퍼 마크 맵상의 특정 쇼트를 지정하여 특정 쇼트마다의 정보를 표시, 웨이퍼 주변부 등의 특정 쇼트로 마크가 무너져 있는 경우에는 그 쇼트에 대해 리젝트 지정을 설정함으로써, 쇼트 단위로 계산 대상으로부터 제외할 수 있다. 특정 마크나 특정 웨이퍼나 특정 로트에 대해서도 마찬가 지로, 부적당한 데이터를 제외하는 것이 가능하다.
또한, 평가 대상을 선택할 때에는, 도 12 의 화면 (530) 상방, 메뉴바 아래에 있는 Base EGAM File 란에 EGA 로그 데이터의 파일이 세이브되어 있는 어드레스 및 파일명을 기입, 혹은 Base MASRFile 란에 겹침 계측 로그 데이터의 파일이 세이브되어 있는 어드레스 및 파일명을 기입한다.
또한, 평균이나 3σ 등의 통계적인 정보는 복수 웨이퍼의 정보에 기초하여 구해진다. 예를 들어, 1 장째의 웨이퍼에서 (Column, Row)=(2,2) 에 관련된 잔류 오차 성분과, 2 장째의 웨이퍼에서 (Column, Row)=(2,2) 에 관련한 잔류 오차 성분과의 평균을 취해, 이것이 「표시 단위=단일 웨이퍼마다」라는 지정에 기초하여 1 웨이퍼상에 표시된다. 이와 같이 「표시 단위=단일 웨이퍼마다」의 지정하에서 복수 웨이퍼에 걸친 정보에 기초한 평균이나 3σ 등의 정보를 표시할 때, 복수 웨이퍼를 지정하기 위한 화면상에서의 조작의 일례로는, 도 10 의 화면 510, 우측 중단의 「Wafer NO」란의 체크 박스에 「All wafer」에 체크하는 것을 들 수 있다.
또한, 상기 (b) 에 관련된 표시예로는, 도 17 에 나타낸 바와 같은 2 차 EGA 계산 모델과 3 차 EGA 계산 모델의 계산 결과의 수치 표시에 의한 대비가 바람직하다. 수치 표시는, 도 10 화면 (510) 에서 원하는 쇼트를 더블클릭, 또는 원하는 쇼트를 싱글클릭으로 선택한 다음 화면 우측 아래의 "Shot Data" 버튼을 누름으로써 실행된다.
도 17 의 예에서는, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 웨이퍼 평균, 3σ, 편 차의 최대치 (MAX), 최소치 (MIN), 폭 (Range) 및 분포형 (왜도, 첨도) 이 수치 표시된다. 또한, 상기 서술한 바와 같이 도 17 의 화면에 있어서는, 편차의 최대치 (MAX), 최소치 (MIN), 폭 (Range) 과 분포형 (왜도, 첨도) 에 대해서는, 좌우의 슬라이드바를 사용함으로써 볼 수 있다.
또한, 상기 (a) 에 관련된 표시예로는, 도 13, 도 14, 및 도 15 를 이용하여 상기 서술한 벡터 맵 표시 방법으로 비교하는 것이 효과적이다. 도 10, 화면 (510), 「Map Type」로 「Vector Map」을 지정함으로써 벡터 맵이 표시된다.
Ⅰ. 겹침법에 의한 벡터 맵 표시
마크 계측 위치마다 얼라인먼트 보정후의 잔류성분에 대하여 2 차 EGA 계산 모델의 계산 결과와 3 차 EGA 계산 모델의 계산 결과를 겹쳐 표시한다. 이로써, 2 개의 계산 모델에서의 잔류성분의 산출 결과를 마크 위치마다 겹쳐 비교 평가할 수 있다. 구체예로는, 도 13 에 나타낸 바와 같은 얼라인먼트 보정후의 잔류성분의 벡터 겹침 맵 화면 (540) 에 의해 비교한다.
또한, 선형 1 차 계산 모델에 대한 고차 계산 모델의 효과를 평가하고자 하는 경우에는, 2 차 EGA 계산 모델 또는 3 차 EGA 계산 모델의 계산 결과 중 어느 하나와 통상의 1 차 EGA 계산 모델의 계산 결과의 각 잔류성분을 겹쳐 표시해도 된다.
Ⅱ. 차분법에 의한 벡터 맵 표시
마크 계측 위치마다 2 차 EGA 계산 모델을 이용한 경우의 잔류성분과 3 차 EGA 계산 모델을 이용한 경우의 잔류성분의 차분에 대하여 계산 결과를 표시한다. 구체예로는, 도 14 에 나타낸 얼라인먼트 보정후의 잔류성분 벡터 차분 맵 화면 (550) 에 의해 비교한다.
2 차 EGA 계산 모델, 3 차 EGA 계산 모델 각각의 1 차 EGA 계산 모델에 대한 효과를 평가하고자 하는 경우에는, 2 차 EGA 계산 모델-1 차 EGA 계산 모델 간의 차분과 3 차 EGA 계산 모델-1 차 EGA 계산 모델 간의 차분을 겹쳐 표시해도 된다. 즉, 3 차원 EGA 계산 모델, 2 차원 EGA 계산 모델에서의 비선형 성분의 보정량의 비교를 할 수 있다.
또한, 차의 X 성분과 Y 성분의 제곱합의 평방근을 취해 합성하고, 스칼라 차분 맵으로서 도 21 에 나타낸 바와 같은 스칼라 맵의 등고선이나, 도 22 에 나타낸 바와 같은 스칼라 맵의 막대그래프를 표시해도 된다.
Ⅲ. 상관법에 의한 벡터 맵 표시
마크 계측 위치마다 2 차 EGA 계산 모델을 이용한 경우의 잔류성분과 3 차 EGA 계산 모델을 이용한 경우의 잔류성분의 상관치를 표시한다. 상관치가 낮다고 하는 것은, 2 차 EGA 계산 모델을 이용한 경우와 3 차 EGA 계산 모델을 이용한 경우에서 잔류성분의 차이가 큰 것을 의미한다. 도 15 를 이용하여 상기 서술한 바와 같은 벡터 맵을 이용함으로써, 2 차 모델을 이용한 경우와 3 차 모델을 이용한 경우의 차이, 혹은 유사도를 시각적으로 파악할 수 있다.
또한, 차분법의 경우와 마찬가지로, 도 21 과 같은 스칼라 맵의 등고선 혹은 도 22 와 같은 스칼라 맵의 막대그래프를 표시해도 된다.
또한, 마크마다가 아니라 웨이퍼 단위로 상관치를 평가하고자 하는 경우에 는, 식 (4) 의 값을 이용한다.
또한, 도 10 에 나타내는 화면 (510) 의 우측 위의 맵 표시 형태 (Map Type) 로부터 수치 맵 (Numerical Map) 을 선택하고, 임의의 쇼트를 지정하고, 화면 우측 아래의 "Shot Data" 버튼을 누르면, 지정한 쇼트에 관련된 수치 데이터가 도 16 과 같이 표시된다.
또한, 수치 데이터를 일괄하여 평가하고자 하는 경우에는, 도 10 의 마크 맵에서 복수의 쇼트를 지정한 다음 Map Type 로부터 Numerical Map 을 선택하면, 도 19 를 이용하여 설명한 바와 같은 데이터 리스트가 표시된다.
또한, 맵 표시 형태를 얼라인먼트 마크 맵 (Alignment Mark Map) 으로 전환하고, 임의의 쇼트를 지정하면, 도 11 에 나타내는 바와 같이 지정한 쇼트에 관련된 마크의 데이터가 표시된다. 도 11 에서는, 지정한 쇼트 (마크) 에 관련된 파형 도 (523) 와 기준으로서 참조되는 파형도 (524) 가 대비 표시되고 있다.
이상과 같은 표시를 이용하여 평가를 하고, 그것에 기초하여 고차 EGA 의 조건, 얼라인먼트 조건을 결정한다.
결정한 조건은, 우측 아래에 있는 「적용」 버튼을 누름으로써 재차의 평가, EGA 시뮬레이션, 중첩 시뮬레이션 및 실제 노광 처리에 반영된다.
또한, 상기 서술한 구체예로는 고차 EGA 계산 모델을 최적화하는 예를 기재했지만, EGA 시뮬레이션으로 FIA 나 LSA 의 처리 알고리즘을 최적화하는 경우 등에 있어서도, 평가 대상으로서 얼라인먼트 보정후의 잔류성분을 선택하는 경우에는 동일하다.
EGA 시뮬레이션에서의 마크 검출 파라미터로, 알고리즘 슬라이스 레벨을 0%~100%, 콘트라스트 리미트를 0%~100%, 마크 검출 허용치를 0㎛~999.999㎛ 등과 같이 연속적으로 값을 변화시켜 시뮬레이션한 결과를 비교하고자 하는 경우에는, 도 20 에 나타낸 바와 같은 그래프의 표시가 유용하다.
상기 서술한 도 20 의 그래프의 경우에는 얼라인먼트 계측치 (오프셋) 를 평가 대상으로 지정하고, 또한 데이터 표시 단위를 단일 마크마다 지정하여 EGA 시뮬레이션 파라미터의 알고리즘 슬라이스 레벨을 변화시킨 경우의 그래프이다. 평가 대상이 콘트라스트 리미트인 경우도 마찬가지이다. 마크 검출 허용치의 경우에는, 평가 대상을 얼라인먼트 보정후의 잔류성분으로 지정, 또한 데이터 표시 단위를 복수 웨이퍼마다 등으로 지정하면 된다.
또한 이상에서는 수치 표시, 벡터 표시, 히스토그램, 통계 표시, 소트 결과 표시, 파형 데이터 표시 등의 여러 가지 표시로부터 사용자가 직접 표시 형태 그 자체를 선택하는 구성을 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 사용자가 추측하는 목적과 소정의 표시 형태를 관련지어 사용자가 목적을 선택함으로써 그 목적에 최적인 표시 형태가 자동적으로 선택되도록 구성해도 된다.
예를 들어, 목적이 「파형 검출 에러의 원인」에 있는 경우, 사용자는 「파형 데이터 표시」를 선택하는 것이 아니라, 「파형 검출 에러의 원인」이라고 하는 목적을 선택함으로써, 자동적으로 「파형 데이터 표시」가 표시 형태로서 선택되도록 하는 것을 생각할 수 있다. 혹은, 사용자가 목적으로서 「파라미터의 변화에 의한 마크 검출 오프셋의 변화」를 선택함으로써 자동적으로 「그래프 표시」가 선택되도록 하는 것을 생각할 수 있다.
이와 같이, 목적과 표시 형태를 링크시킴으로써, 사용자에게 각 표시 형태에 관한 지식이 없어도 적절한 표시 형태가 선택되고, 적절히 선택된 표시 형태에 의해 사용자는 직감적으로 상황을 파악하는 것이 가능해진다.
디바이스 제조 방법
다음으로, 상기 서술한 노광 시스템을 리소그래피 공정에 있어서 사용한 디바이스의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 23 은, 예를 들어 IC 나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기 헤드, 마이크로 머신 등의 전자 디바이스의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 23 에 나타내는 바와 같이, 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 먼저 전자 디바이스의 회로설계 등의 디바이스의 기능?성능 설계를 행하고, 그 기능을 실현하기 위한 패턴 설계를 행하고 (공정 S810), 다음으로, 설계한 회로 패턴을 형성한 마스크를 제작한다 (공정 S820).
한편, 실리콘 등의 재료를 이용하여 웨이퍼 (실리콘 기판) 를 제조한다 (공정 S830).
다음으로, 공정 S820 에서 제작한 마스크 및 공정 S830 에서 제조한 웨이퍼를 사용하여, 리소그래피 기술 등에 의해 웨이퍼상에 실제 회로 등을 형성한다 (공정 S840).
구체적으로는, 먼저, 웨이퍼 표면에 절연막, 전극 배선막 혹은 반도체막과의 박막을 성막하고 (공정 S841), 다음으로 이 박막의 전체면에 레지스트 도포 장치 (코터) 를 이용하여 감광제 (레지스트) 를 도포한다 (공정 S842).
다음으로, 이 레지스트 도포후의 기판을, 상기 서술한 본 발명에 관련된 노광 장치의 웨이퍼 홀더상에 로드함과 함께, 공정 S830 에 있어서 제조한 마스크를 레티클 스테이지상에 로드하고, 그 마스크에 형성된 패턴을 웨이퍼상에 축소 전사한다 (공정 S843). 이 때, 노광 장치에 있어서는 상기 서술한 본 발명에 관련된 위치 맞춤 방법에 의해 웨이퍼의 각 쇼트 영역을 순차 위치 맞춤하고, 각 쇼트 영역에 마스크의 패턴을 순차 전사한다.
노광이 종료하면, 웨이퍼를 웨이퍼 홀더로부터 언로드하고, 현상 장치 (디벨로퍼) 를 이용하여 현상한다 (공정 S844). 이로써, 웨이퍼 표면에 마스크 패턴의 레지스트 이미지가 형성된다.
그리고, 현상 처리가 종료한 웨이퍼에 에칭 장치를 이용해서 에칭 처리를 하고 (공정 S845), 웨이퍼 표면에 잔존하는 레지스트를 예를 들어 플라즈마 애싱 장치 등을 이용하여 제거한다 (공정 S846).
이로써, 웨이퍼의 각 쇼트 영역에 절연층이나 전극 배선 등의 패턴이 형성된다. 그리고 이 처리를 마스크를 바꾸어 순차 반복함으로써, 웨이퍼상에 실제 회로 등이 형성된다.
웨이퍼상에 회로 등이 형성되면, 다음으로 디바이스로서의 조립을 행한다 (공정 S850). 구체적으로는, 웨이퍼를 다이싱하고 개개의 칩으로 분할하고, 각 칩을 리드 프레임이나 패키지에 장착해서 전극을 접속하는 본딩을 행하여, 수지 밀봉 등 패키징 처리를 한다.
그리고, 제조한 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 하고 (공정 S860), 디바이스 완성품으로서 출하하거나 한다.
변형예
또한 본 실시 형태는, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위해 기재된 것으로서 본 발명을 조금도 한정하는 것은 아니다. 본 실시 형태에 개시된 각 요소는 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하며, 또 임의 적합한 여러 가지의 개변이 가능하다.
예를 들어 노광 시스템의 전체 구성은, 도 1 에 나타낸 구성에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, EGA 계측 결과 데이터나 중첩 계측 결과 등의 여러 가지 정보를 집중적으로 기억하는 정보 서버 (160) 를 별개로 설치한 구성이어도 된다. 또 도시하지 않지만, 추가로 별도의 컴퓨터를 인트라넷에 접속하여 처리를 분산하도록 해도 된다. 또한, 다른 통신 네트워크를 통하여 구축되는 시스템이나, 혹은 이른바 서버 클라이언트형 시스템으로서 구축되는 시스템이어도 된다. 노광 시스템의 각 장치에서의 계산, 제어를 위한 연산 등의 처리 분담 형태, 바꿔 말하면 분산 처리 시스템으로서의 기능의 분산 형태, 혹은 네트워크 시스템으로서의 이들 각 장치의 접속 형태는 임의의 형태로 해도 된다.
또한 본 실시 형태에서는, 얼라인먼트계로서 오프액시스 방식의 FIA 계 (결상식의 얼라인먼트 센서) 를 이용하는 경우에 대해 설명했지만 이것에 한정되지 않고, 어떠한 방식의 마크 검출계를 이용해도 상관없다. 즉, TTR (Through The Reticle) 방식, TTL (Through The Lens) 방식, 또는 오프액시스 방식 중 어느 방식이어도, 나아가서는 검출 방식이 FIA 계 등에서 채용되는 결상 방식 (화상 처리 방식) 이외에, 예를 들어 회절광 또는 산란광을 검출하는 방식 등이어도 상관없다. 예를 들어, 웨이퍼상의 얼라인먼트 마크에 코히어런트 빔을 거의 수직으로 조사하고, 당해 마크로부터 발생하는 동차수의 회절광 (±1 차, ±2 차, ……, ±n 차 회절광) 을 간섭시켜 검출하는 얼라인먼트계이어도 된다. 이 경우, 차수마다 회절광을 독립적으로 검출하여, 적어도 1 개의 차수에서의 검출 결과를 이용하도록 해도 되고, 파장이 상이한 복수의 코히어런트 빔을 얼라인먼트 마크에 조사하고, 파장마다 각 차수의 회절광을 간섭시켜 검출해도 된다.
또한 본 발명은 상기 각 실시형태와 같이, 스텝 앤드 스캔 방식의 노광 장치에 한정되지 않고, 스텝 앤드 리피트 방식, 또는 프록시미티 방식의 노광 장치 (X 선 노광 장치 등) 를 비롯한 각종 방식의 노광 장치에도 완전히 동일하게 적용이 가능하다.
또한, 노광 장치에서 이용하는 노광용 조명광 (에너지 빔) 은 자외광에 한정되는 것은 아니며, X 선 (EUV 광을 포함함), 전자선이나 이온 빔 등의 하전 입자선 등이어도 된다. 또한 DNA 칩, 마스크 또는 레티클 등의 제조용으로 사용되는 노광 장치여도 된다.
그리고 본 발명은 노광 장치 이외에, 얼라인먼트를 갖는 모든 디바이스 관련 장치, 예를 들어 웨이퍼나 레티클의 각종 측정?검사 장치, 나아가서는 레이저 리페어 장치나 오로지 관찰을 목적으로 하는 장치 등에도 적용 가능하다.
본 개시는 2004년 8월 19일에 제출된 일본 특허출원 2004-240058 호에 포함된 주제에 관한 것이며, 그 개시된 전부는 여기에 참조 사항으로서 명백하게 도입된다.

Claims (45)

  1. 물체의 위치 결정을 하기 위한 얼라인먼트 계측에 관한 정보의 표시 방법으로서,
    노광장치로 계측된 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터가, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 소정의 처리 결과의 데이터로서 입력되는 공정;
    상기 얼라인먼트 계측의 파라미터에 관련된 정보가 입력되는 공정;
    상기 입력된 파라미터에 기초하여, 상기 입력된 처리 결과의 데이터로부터 원하는 표시 대상의 정보를 구하는 공정;
    얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상으로부터, 원하는 평가 대상의 입력을 받는 공정;
    소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위로부터, 원하는 표시 단위의 입력을 받는 공정;
    수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터, 원하는 표시 형태가 지정되는 공정; 및
    상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터의 상기 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 소정의 표시 형태로 표시하는 공정을 갖고,
    상기 표시하는 공정은, 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시하고,
    상기 표시 및 상기 입력은 대화 형태의 인터페이스를 이용하여 행해지는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 계측의 시뮬레이션에 관한 정보가 입력되는 공정; 및
    상기 입력된 시뮬레이션에 관한 정보에 기초하여, 소정의 시뮬레이션을 행하는 공정을 더 가지며,
    상기 표시하는 공정은, 상기 시뮬레이션의 결과 및 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보 중 적어도 어느 일방을, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 시뮬레이션의 결과 또는 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를 복수 구하고,
    상기 표시하는 공정은, 상기 복수의 상기 시뮬레이션의 결과 또는 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 비교 표시하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 계측의 이력 정보의 표시에 관한 정보가 입력되는 공정을 구비하고,
    상기 표시하는 공정은, 상기 입력된 이력 정보의 표시에 관한 정보에 기초하여, 추가로 상기 얼라인먼트 계측의 이력 정보를 표시하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터에 관련된 정보는, EGA 계산 모델, 리젝트 허용치, EGA 계산 대상 쇼트, 계측 대상 웨이퍼 중 적어도 어느 일방을 포함하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 컴퓨터에 물체의 위치 결정을 행하기 위한 얼라인먼트 계측에 관한 정보의 표시를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터-판독가능한 기록 매체로서,
    상기 프로그램은,
    노광장치로 계측된 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터가, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 소정의 처리 결과의 데이터로서 입력되는 단계;
    상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터에 관련된 정보가 입력되는 단계;
    상기 입력된 파라미터에 기초하여, 상기 입력된 처리 결과의 데이터로부터 원하는 표시 대상의 정보를 구하는 단계;
    얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상으로부터, 원하는 평가 대상의 입력을 받는 단계;
    소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위로부터, 원하는 표시 단위의 입력을 받는 단계;
    수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터, 원하는 표시 형태가 지정되는 단계; 및
    상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터의 상기 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 소정의 표시 형태로 표시하는 단계를 갖고,
    상기 표시하는 단계는, 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시하고,
    상기 표시 및 상기 입력은 대화 형태의 인터페이스를 이용하여 행해지는, 얼라인먼트 정보 표시 프로그램인, 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
  12. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 얼라인먼트 정보 표시 방법에 의해 표시되는 얼라인먼트 계측에 관한 정보에 기초하여, 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터를 결정하고,
    상기 결정된 파라미터를 이용하여 얼라인먼트 계측을 행하여, 물체의 위치 를 결정하는, 얼라인먼트 방법.
  13. 기판에 형성된 복수의 영역 각각에 소정 패턴을 전사하는 노광 방법으로서,
    제 12 항에 기재된 얼라인먼트 방법을 이용하여 상기 기판상의 상기 복수의 영역 각각과 상기 소정 패턴을 위치 맞춤하고,
    위치 맞춤된 상기 영역에 상기 소정 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  14. 제 13 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 디바이스 패턴을 디바이스 기판상에 전사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  15. 반도체 기판상에 소정 패턴을 전사하는 노광 장치의 상기 소정 패턴과 상기 반도체 기판과의 상대 위치 관계를 조정하는 얼라인먼트 기능에 관한 기능 평가 결과를 표시하는 표시 시스템으로서,
    상기 노광 장치와 정보 전달 가능하게 접속되며, 상기 장치로 계측되는 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터를, 과거에 상기 노광 장치로 처리한 처리 결과에 관한 정보로서 축적하는 기억 장치;
    상기 얼라인먼트 기능을 사용할 때의 상기 얼라인먼트 기능에 관계되는 파라미터를 입력하는 제 1 입력장치;
    상기 기억 장치 및 상기 제 1 입력장치와 정보 전달 가능하게 접속되며, 상기 기억 장치에 기억된 상기 노광 장치에서의 처리 결과에 기초하여, 상기 제 1 입력장치로부터 입력된 상기 파라미터하에서 상기 얼라인먼트 기능을 실행한 경우의 처리 결과를 시뮬레이션하는 시뮬레이션 장치;
    상기 시뮬레이션 장치에 의한 시뮬레이션 결과를 표시하는 표시 장치; 및
    상기 표시 장치에서 상기 시뮬레이션 결과를 표시할 때의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를, 미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 대화 형태의 인터페이스에 의하여 각각 선택하여 지시하는 제 2 입력장치를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 시스템.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 기억 장치는, 상기 노광 장치의 얼라인먼트 기능에 의해 계측한 제 1 결과와, 상기 노광 장치의 얼라인먼트 기능에 의해 소정 패턴과 반도체 기판의 상대 위치를 조정한 후에 상기 소정 패턴을 상기 반도체 기판상에 전사한 결과를 계측 한 제 2 계측 결과 중 적어도 일방을 기억하는 것을 특징으로 하는 표시 시스템.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 입력장치로부터 입력된 표시 단위하에서 복수 결과를 표시하는 것을 특징으로 하는 표시 시스템.
  24. 삭제
  25. 노광 장치로 계측되는 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터를, 얼라인먼트의 연산 결과에 관한 정보로서 표시하는 표시 장치로서,
    미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 임의의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를 대화 형태의 인터페이스에 의하여 선택하고 설정하기 위한 설정 화면;
    상기 설정 화면에 접속되며, 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 연산 장치; 및
    상기 연산 장치와 접속되며, 상기 연산의 실행 결과에 관한 정보를 상기 선택 화면에서 설정된 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태로 표시하는 결과 표시 화면을 갖는, 표시 장치.
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 설정 화면에서 선택 및 설정 가능한 복수의 표시 형태는 맵 표시를 포함하고, 상기 맵 표시가 겹침 오차 맵, 차분 맵, 상관 맵 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  29. 제 25 항에 있어서,
    상기 연산 장치는, 상기 얼라인먼트에 관한 연산으로서, 얼라인먼트 처리의 결과 잔류하는 잔류성분을 연산하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 연산 장치는, 상기 잔류성분의 평균치, 표준 편차, 편차, 최대치, 최소치, 값의 폭, 그 외의 통계 연산 결과 중 적어도 일방을 연산하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  31. 제 25 항에 있어서,
    상기 연산 장치와 접속되며, 상기 연산 장치에서의 연산 조건을 입력하는 입력장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 입력장치로부터 입력되는 연산 조건으로서, 모델식의 선택, 파형 해석 알고리즘 또는 쇼트 배치의 설정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  33. 제 25 항에 있어서,
    상기 연산 장치는, 과거의 얼라인먼트 계측 결과, 또는 계측 결과에 기초하여 상기 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  34. 노광 장치로 계측되는 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터를, 얼라인먼트의 연산 결과에 관한 정보로서 표시하는 표시 장치를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터-판독가능한 기록 매체로서,
    상기 프로그램은,
    미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 임의의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를 대화 형태의 인터페이스에 의하여 선택하고 설정하기 위한 설정 화면을 표시하는 단계;
    얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계; 및
    얼라인먼트 연산 결과에 관한 정보를 상기 설정 화면에서 설정된 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태로 표시하는 단계를 컴퓨터 시스템에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 제 34 항에 있어서,
    상기 표시되는 상기 설정 화면에 있어서, 선택 및 설정 가능한 복수의 표시 형태의 하나로서 맵 표시를 선택 가능하고, 상기 맵 표시가 겹침 오차 맵, 차분 맵, 상관 맵 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
  38. 제 34 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트에 관한 연산은, 얼라인먼트 처리의 결과 잔류하는 잔류성분을 연산하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
  39. 제 34 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계는, 연산 조건을 입력하기 위한 입력 화면을 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
  40. 기판상에 겹쳐 형성되는 상이한 층의 중첩 상태에 관한 정보를 검출하는 측정/검사 장치로서,
    상기 검출한 정보를, 미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 임의의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를 선택하고 설정하기 위한 설정 화면을 표시하는 단계,
    얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계, 및
    얼라인먼트 연산 결과에 관한 정보를 상기 설정 화면에서 설정된 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태로 표시하는 단계를 컴퓨터 시스템에서 실행시키기 위한 프로그램에 의한 당해 컴퓨터 시스템에서의 연산에 이용되는 데이터로서 출력하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 제 40 항에 있어서,
    상기 프로그램에 의해 표시되는 상기 설정 화면에서 선택 및 설정 가능한 복수의 표시 형태의 하나로서 맵 표시가 선택 가능하고, 상기 맵 표시가, 겹침 오차 맵, 차분 맵, 상관 맵 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
  44. 제 40 항에 있어서,
    상기 프로그램에서의 상기 얼라인먼트에 관한 연산은, 얼라인먼트 처리의 결 과 잔류성분을 연산하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
  45. 제 40 항에 있어서,
    상기 프로그램은, 추가로 연산 조건을 입력하기 위한 입력 화면을 표시하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
KR1020077003907A 2004-08-19 2005-08-19 얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치 Expired - Fee Related KR101191057B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004240058 2004-08-19
JPJP-P-2004-00240058 2004-08-19
PCT/JP2005/015169 WO2006019166A1 (ja) 2004-08-19 2005-08-19 アライメント情報表示方法とそのプログラム、アライメント方法、露光方法、デバイス製造方法、表示システム、表示装置、プログラム及び測定/検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070041580A KR20070041580A (ko) 2007-04-18
KR101191057B1 true KR101191057B1 (ko) 2012-10-15

Family

ID=35907549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077003907A Expired - Fee Related KR101191057B1 (ko) 2004-08-19 2005-08-19 얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8982320B2 (ko)
EP (1) EP1796136B1 (ko)
JP (1) JP4715749B2 (ko)
KR (1) KR101191057B1 (ko)
CN (1) CN100479097C (ko)
TW (1) TWI451475B (ko)
WO (1) WO2006019166A1 (ko)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006129711A1 (ja) * 2005-05-31 2006-12-07 Nikon Corporation 評価システム及び評価方法
US7838858B2 (en) 2005-05-31 2010-11-23 Nikon Corporation Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object
WO2007086511A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Nikon Corporation 処理条件決定方法及び装置、表示方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体
ITTO20070318A1 (it) * 2007-05-10 2008-11-11 Hexagon Metrology Spa Metodo per la determinazione degli errori geometrici in una macchina utensile o di misura
US7889318B2 (en) * 2007-09-19 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Methods of characterizing similarity between measurements on entities, computer programs product and data carrier
US7916275B2 (en) * 2007-09-19 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Methods of characterizing similarity or consistency in a set of entities
JP2009200105A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Canon Inc 露光装置
JP2009251521A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Jedat Inc ガラスデータ設計システム、方法およびプログラム
JP2009266864A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Canon Inc 露光装置
US8706442B2 (en) * 2008-07-14 2014-04-22 Asml Netherlands B.V. Alignment system, lithographic system and method
JP2010038762A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Micronics Japan Co Ltd 検査装置
JP5298792B2 (ja) * 2008-11-14 2013-09-25 ウシオ電機株式会社 アライメントマークの検出方法
JP5300431B2 (ja) * 2008-11-17 2013-09-25 株式会社日本マイクロニクス 被検査基板のアライメント装置
JP5418499B2 (ja) * 2008-11-21 2014-02-19 株式会社ニコン 積層半導体製造装置及び積層半導体製造方法
EP2228770B1 (de) * 2009-03-10 2012-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Datenverarbeitungsgerät zur Erzeugung und zur Ausgabe eines mehrdimensionalen Diagramms mit mindestens zwei Graphen
JP2011009309A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Canon Inc 露光システム、露光装置の制御装置およびデバイス製造方法
JP5633021B2 (ja) * 2009-06-29 2014-12-03 株式会社ブイ・テクノロジー アライメント方法、アライメント装置及び露光装置
JP5406624B2 (ja) 2009-08-10 2014-02-05 キヤノン株式会社 検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5665398B2 (ja) * 2009-08-10 2015-02-04 キヤノン株式会社 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム
TWI417942B (zh) * 2009-12-17 2013-12-01 Ind Tech Res Inst 二維陣列疊對圖樣組之設計方法、疊對誤差量測方法及其量測系統
KR20120000846A (ko) * 2010-06-28 2012-01-04 삼성전자주식회사 웨이퍼의 정렬 방법 및 공정 모니터링 방법
JP6044059B2 (ja) 2011-09-16 2016-12-14 富士ゼロックス株式会社 物体情報管理システム及びプログラム。
JP6002480B2 (ja) * 2012-07-06 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ誤差測定装置、及びパターン測定をコンピューターに実行させるコンピュータープログラム
CN102944970B (zh) * 2012-11-16 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 基板掩膜对位方法
US9176396B2 (en) 2013-02-27 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Overlay sampling methodology
US11366397B2 (en) * 2013-07-10 2022-06-21 Qoniac Gmbh Method and apparatus for simulation of lithography overlay
US10379447B2 (en) * 2013-07-10 2019-08-13 Qoniac Gmbh Method and apparatus for simulation of lithography overlay
US9715724B2 (en) * 2014-07-29 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd. Registration of CAD data with SEM images
JP6608299B2 (ja) * 2015-03-30 2019-11-20 株式会社Screenホールディングス 基準位置取得方法、基準位置取得装置、パターン描画方法、パターン描画装置およびプログラム
CN105080855B (zh) * 2015-06-03 2017-08-25 合肥京东方光电科技有限公司 基板标记检测装置和基板标记检测方法
WO2016202695A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Asml Netherlands B.V. Recipe selection based on inter-recipe consistency
TWI677772B (zh) * 2016-01-21 2019-11-21 聯華電子股份有限公司 先進製程控制方法
JP6716160B2 (ja) * 2016-05-31 2020-07-01 株式会社ディスコ 加工装置及び加工方法
US10928738B2 (en) * 2016-06-30 2021-02-23 Asml Holding N.V. Adaptive filter for in-line correction
CN106502045B (zh) 2016-10-31 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 用于设备的方法、制造掩膜版或显示基板的方法及系统
CN110249268B (zh) 2017-02-02 2021-08-24 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备以及关联的计算机产品
EP3364247A1 (en) * 2017-02-17 2018-08-22 ASML Netherlands B.V. Methods & apparatus for monitoring a lithographic manufacturing process
JP6740167B2 (ja) * 2017-04-20 2020-08-12 三菱日立パワーシステムズ株式会社 タービンの組立方法、タービン組立支援システム及び制御プログラム
JP6567004B2 (ja) * 2017-08-30 2019-08-28 キヤノン株式会社 パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法
TWI797737B (zh) 2017-09-29 2023-04-01 美商昂圖創新公司 用於在曝光裝置時減少未對準誤差的方法和設備
JP7188950B2 (ja) 2018-09-20 2022-12-13 株式会社Screenホールディングス データ処理方法およびデータ処理プログラム
JP7188949B2 (ja) * 2018-09-20 2022-12-13 株式会社Screenホールディングス データ処理方法およびデータ処理プログラム
US10642161B1 (en) * 2018-10-10 2020-05-05 International Business Machines Corporation Baseline overlay control with residual noise reduction
CN109633938B (zh) * 2018-12-17 2021-11-23 Tcl华星光电技术有限公司 曝光对准方法
US11537042B2 (en) * 2019-07-10 2022-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Overlay correcting method, and photolithography method, semiconductor device manufacturing method and scanner system based on the overlay correcting method
US11150559B2 (en) * 2019-12-30 2021-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Laser interference fringe control for higher EUV light source and EUV throughput
WO2021168359A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Onto Innovation, Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process
JP7309639B2 (ja) * 2020-03-13 2023-07-18 キオクシア株式会社 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法
CN113534611B (zh) * 2020-04-14 2023-12-08 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 对准机日志分析系统及方法
JP7520569B2 (ja) * 2020-04-28 2024-07-23 キヤノン株式会社 情報処理装置、及び情報処理方法
JP7570822B2 (ja) * 2020-04-28 2024-10-22 キヤノン株式会社 情報処理装置、及び情報処理方法
JP7416674B2 (ja) * 2020-08-25 2024-01-17 三菱重工業株式会社 タービンの組立方法、タービンの組立支援プログラム、及びタービンの組立支援装置
JP7545278B2 (ja) * 2020-09-25 2024-09-04 キヤノン株式会社 サンプルショット領域のセットを決定する方法、計測値を得る方法、情報処理装置、リソグラフィ装置、プログラム、および物品製造方法
US11829077B2 (en) 2020-12-11 2023-11-28 Kla Corporation System and method for determining post bonding overlay
US11782411B2 (en) 2021-07-28 2023-10-10 Kla Corporation System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3812288A (en) * 1972-11-21 1974-05-21 Edax Int Inc Television display system
JPH0669017B2 (ja) 1985-10-08 1994-08-31 株式会社ニコン 位置合わせ方法
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4873623A (en) * 1985-04-30 1989-10-10 Prometrix Corporation Process control interface with simultaneously displayed three level dynamic menu
JPS6225417A (ja) * 1985-07-25 1987-02-03 Canon Inc 半導体製造装置
US5197118A (en) * 1985-07-25 1993-03-23 Canon Kabushiki Kaisha Control system for a fine pattern printing apparatus
JP2694868B2 (ja) * 1987-08-31 1997-12-24 株式会社ニコン 位置検出方法及び装置
JP2773147B2 (ja) 1988-08-19 1998-07-09 株式会社ニコン 露光装置の位置合わせ装置及び方法
US5226118A (en) * 1991-01-29 1993-07-06 Prometrix Corporation Data analysis system and method for industrial process control systems
JP3336357B2 (ja) * 1991-04-24 2002-10-21 株式会社ニコン 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JP3391470B2 (ja) 1992-01-17 2003-03-31 株式会社ニコン 投影露光装置、及び投影露光方法
JP3287047B2 (ja) * 1993-02-08 2002-05-27 株式会社ニコン 位置合わせ方法、その位置合わせ方法を用いた露光方法、その露光方法を用いたデバイス製造方法、そのデバイス製造方法で製造されたデバイス、並びに位置合わせ装置、その位置合わせ装置を備えた露光装置
US5525808A (en) * 1992-01-23 1996-06-11 Nikon Corporaton Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP3391328B2 (ja) 1993-02-08 2003-03-31 株式会社ニコン 位置合わせ方法、その位置合わせ方法を用いた露光方法、その露光方法を用いたデバイス製造方法、そのデバイス製造方法で製造されたデバイス、並びに位置合わせ装置、その位置合わせ装置を備えた露光装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5461708A (en) * 1993-08-06 1995-10-24 Borland International, Inc. Systems and methods for automated graphing of spreadsheet information
US5798195A (en) * 1993-09-24 1998-08-25 Nikon Corporation Stepping accuracy measuring method
US5586059A (en) * 1995-06-07 1996-12-17 Advanced Micro Devices, Inc. Automated data management system for analysis and control of photolithography stepper performance
US5761064A (en) * 1995-10-06 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Defect management system for productivity and yield improvement
JP3364390B2 (ja) * 1995-12-30 2003-01-08 東京エレクトロン株式会社 検査装置
WO1997035337A1 (en) * 1996-03-19 1997-09-25 Hitachi, Ltd. Process control system
JPH10112433A (ja) 1996-10-04 1998-04-28 Nikon Corp 除振装置及び露光装置
JPH1167853A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Mitsubishi Electric Corp ウェーハマップ解析補助システムおよびウェーハマップ解析方法
JP2000173882A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Toshiba Corp 生産シミュレーションシステム
JP3788279B2 (ja) * 2001-07-09 2006-06-21 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
US6909930B2 (en) * 2001-07-19 2005-06-21 Hitachi, Ltd. Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process
JP3854921B2 (ja) * 2001-10-17 2006-12-06 キヤノン株式会社 パラメータの値を決定する装置および方法、デバイスの製造方法、ならびに露光装置
TWI225665B (en) * 2001-10-17 2004-12-21 Canon Kk Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method
JP2003142378A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Canon Inc 半導体露光装置の管理システム及び管理方法
JP2003151884A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Nikon Corp 合焦方法、位置計測方法および露光方法並びにデバイス製造方法
JP3427836B2 (ja) 2001-12-14 2003-07-22 株式会社ニコン 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
CN1243284C (zh) * 2002-01-11 2006-02-22 南亚科技股份有限公司 自动回馈修正的曝光方法与系统
US7738693B2 (en) * 2002-12-24 2010-06-15 Lam Research Corporation User interface for wafer data analysis and visualization
US7030966B2 (en) 2003-02-11 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations
US6839125B2 (en) * 2003-02-11 2005-01-04 Asml Netherlands B.V. Method for optimizing an illumination source using full resist simulation and process window response metric
JP2004265957A (ja) * 2003-02-26 2004-09-24 Nikon Corp 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス
US6815233B1 (en) * 2003-06-11 2004-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method of simultaneous display of die and wafer characterization in integrated circuit technology development
JP2005030963A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Canon Inc 位置検出方法
US7838858B2 (en) * 2005-05-31 2010-11-23 Nikon Corporation Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object
WO2006129711A1 (ja) * 2005-05-31 2006-12-07 Nikon Corporation 評価システム及び評価方法
JP4728144B2 (ja) * 2006-02-28 2011-07-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006019166A1 (ja) 2006-02-23
US20080106714A1 (en) 2008-05-08
TWI451475B (zh) 2014-09-01
EP1796136A1 (en) 2007-06-13
CN101006555A (zh) 2007-07-25
TW200623232A (en) 2006-07-01
US8982320B2 (en) 2015-03-17
JP4715749B2 (ja) 2011-07-06
KR20070041580A (ko) 2007-04-18
CN100479097C (zh) 2009-04-15
EP1796136B1 (en) 2015-09-30
EP1796136A4 (en) 2010-01-27
JPWO2006019166A1 (ja) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101191057B1 (ko) 얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치
US8566756B2 (en) Processing condition determining method and apparatus, display method and apparatus, processing apparatus, measurement apparatus and exposure apparatus, substrate processing system, and program and information recording medium
EP1603153B1 (en) Exposure method, device production method, and information display method
US20020042664A1 (en) Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus
US6706456B2 (en) Method of determining exposure conditions, exposure method, device manufacturing method, and storage medium
US7518717B2 (en) Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same
JP4400745B2 (ja) 露光方法及びデバイス製造方法、露光装置、並びにプログラム
KR20080059572A (ko) 광학 특성 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법,그리고 검사 장치 및 계측 방법
KR101087515B1 (ko) 얼라인먼트 조건 결정 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및장치
JP4905617B2 (ja) 露光方法及びデバイス製造方法
JP2011119457A (ja) 位置合わせ条件最適化方法及びシステム、パターン形成方法及びシステム、露光装置、デバイス製造方法、並びに重ね合わせ精度評価方法及びシステム
JP5838594B2 (ja) ダブルパターニング最適化方法及びシステム、パターン形成方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006148013A (ja) 位置合わせ方法及び露光方法
JP5105135B2 (ja) 推定方法、露光方法、デバイス製造方法、検査方法、デバイス製造装置、及びプログラム
EP3376290A1 (en) Metrology method and method of device manufacture
JP2006140204A (ja) 計測条件の最適化方法、該最適化方法を使用した位置計測方法、該位置計測方法を使用した位置合わせ方法、該位置合わせ方法を使用したデバイス製造方法、計測条件の最適化システム、該最適化システムを使用した位置計測装置及び該位置計測装置を使用した露光装置
JP2004087562A (ja) 位置検出方法及びその装置、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法
JPH07226359A (ja) 位置合わせ方法
JP2023176185A (ja) 位置合わせ装置、露光装置、及び物品の製造方法
JP2006114583A (ja) 表示システム及びプログラム
JP2013254849A (ja) パターン形成最適化方法及びシステム、露光方法及び装置、検出装置、並びにデバイス製造方法
JPH07226360A (ja) 位置合わせ方法
JP2006203123A (ja) 表示方法及びプログラム
JPH08102438A (ja) 位置合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

A201 Request for examination
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150917

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180920

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20231010

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20231010

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000