KR101191057B1 - 얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치 - Google Patents
얼라인먼트 정보 표시 방법과 그 프로그램, 얼라인먼트방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 표시 시스템, 표시장치, 프로그램 및 측정/검사 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (45)
- 물체의 위치 결정을 하기 위한 얼라인먼트 계측에 관한 정보의 표시 방법으로서,노광장치로 계측된 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터가, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 소정의 처리 결과의 데이터로서 입력되는 공정;상기 얼라인먼트 계측의 파라미터에 관련된 정보가 입력되는 공정;상기 입력된 파라미터에 기초하여, 상기 입력된 처리 결과의 데이터로부터 원하는 표시 대상의 정보를 구하는 공정;얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상으로부터, 원하는 평가 대상의 입력을 받는 공정;소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위로부터, 원하는 표시 단위의 입력을 받는 공정;수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터, 원하는 표시 형태가 지정되는 공정; 및상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터의 상기 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 소정의 표시 형태로 표시하는 공정을 갖고,상기 표시하는 공정은, 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시하고,상기 표시 및 상기 입력은 대화 형태의 인터페이스를 이용하여 행해지는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 얼라인먼트 계측의 시뮬레이션에 관한 정보가 입력되는 공정; 및상기 입력된 시뮬레이션에 관한 정보에 기초하여, 소정의 시뮬레이션을 행하는 공정을 더 가지며,상기 표시하는 공정은, 상기 시뮬레이션의 결과 및 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보 중 적어도 어느 일방을, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 시뮬레이션의 결과 또는 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를 복수 구하고,상기 표시하는 공정은, 상기 복수의 상기 시뮬레이션의 결과 또는 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 비교 표시하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 얼라인먼트 계측의 이력 정보의 표시에 관한 정보가 입력되는 공정을 구비하고,상기 표시하는 공정은, 상기 입력된 이력 정보의 표시에 관한 정보에 기초하여, 추가로 상기 얼라인먼트 계측의 이력 정보를 표시하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터에 관련된 정보는, EGA 계산 모델, 리젝트 허용치, EGA 계산 대상 쇼트, 계측 대상 웨이퍼 중 적어도 어느 일방을 포함하는, 얼라인먼트 정보 표시 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 컴퓨터에 물체의 위치 결정을 행하기 위한 얼라인먼트 계측에 관한 정보의 표시를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터-판독가능한 기록 매체로서,상기 프로그램은,노광장치로 계측된 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터가, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 소정의 처리 결과의 데이터로서 입력되는 단계;상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터에 관련된 정보가 입력되는 단계;상기 입력된 파라미터에 기초하여, 상기 입력된 처리 결과의 데이터로부터 원하는 표시 대상의 정보를 구하는 단계;얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상으로부터, 원하는 평가 대상의 입력을 받는 단계;소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위로부터, 원하는 표시 단위의 입력을 받는 단계;수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터, 원하는 표시 형태가 지정되는 단계; 및상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터의 상기 얼라인먼트 계측에 대한 영향이 명시되는 소정의 표시 형태로 표시하는 단계를 갖고,상기 표시하는 단계는, 상기 구해진 원하는 표시 대상의 정보를, 상기 입력된 표시 단위를 단위로 하고, 상기 지정된 표시 형태로, 상기 입력된 평가 대상의 평가를 행할 수 있도록 표시하고,상기 표시 및 상기 입력은 대화 형태의 인터페이스를 이용하여 행해지는, 얼라인먼트 정보 표시 프로그램인, 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
- 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 얼라인먼트 정보 표시 방법에 의해 표시되는 얼라인먼트 계측에 관한 정보에 기초하여, 얼라인먼트 계측에 관련된 파라미터를 결정하고,상기 결정된 파라미터를 이용하여 얼라인먼트 계측을 행하여, 물체의 위치 를 결정하는, 얼라인먼트 방법.
- 기판에 형성된 복수의 영역 각각에 소정 패턴을 전사하는 노광 방법으로서,제 12 항에 기재된 얼라인먼트 방법을 이용하여 상기 기판상의 상기 복수의 영역 각각과 상기 소정 패턴을 위치 맞춤하고,위치 맞춤된 상기 영역에 상기 소정 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제 13 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 디바이스 패턴을 디바이스 기판상에 전사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 반도체 기판상에 소정 패턴을 전사하는 노광 장치의 상기 소정 패턴과 상기 반도체 기판과의 상대 위치 관계를 조정하는 얼라인먼트 기능에 관한 기능 평가 결과를 표시하는 표시 시스템으로서,상기 노광 장치와 정보 전달 가능하게 접속되며, 상기 장치로 계측되는 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터를, 과거에 상기 노광 장치로 처리한 처리 결과에 관한 정보로서 축적하는 기억 장치;상기 얼라인먼트 기능을 사용할 때의 상기 얼라인먼트 기능에 관계되는 파라미터를 입력하는 제 1 입력장치;상기 기억 장치 및 상기 제 1 입력장치와 정보 전달 가능하게 접속되며, 상기 기억 장치에 기억된 상기 노광 장치에서의 처리 결과에 기초하여, 상기 제 1 입력장치로부터 입력된 상기 파라미터하에서 상기 얼라인먼트 기능을 실행한 경우의 처리 결과를 시뮬레이션하는 시뮬레이션 장치;상기 시뮬레이션 장치에 의한 시뮬레이션 결과를 표시하는 표시 장치; 및상기 표시 장치에서 상기 시뮬레이션 결과를 표시할 때의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를, 미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 대화 형태의 인터페이스에 의하여 각각 선택하여 지시하는 제 2 입력장치를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 시스템.
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- 제 15 항에 있어서,상기 기억 장치는, 상기 노광 장치의 얼라인먼트 기능에 의해 계측한 제 1 결과와, 상기 노광 장치의 얼라인먼트 기능에 의해 소정 패턴과 반도체 기판의 상대 위치를 조정한 후에 상기 소정 패턴을 상기 반도체 기판상에 전사한 결과를 계측 한 제 2 계측 결과 중 적어도 일방을 기억하는 것을 특징으로 하는 표시 시스템.
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- 제 15 항에 있어서,상기 제 2 입력장치로부터 입력된 표시 단위하에서 복수 결과를 표시하는 것을 특징으로 하는 표시 시스템.
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- 노광 장치로 계측되는 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터를, 얼라인먼트의 연산 결과에 관한 정보로서 표시하는 표시 장치로서,미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 임의의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를 대화 형태의 인터페이스에 의하여 선택하고 설정하기 위한 설정 화면;상기 설정 화면에 접속되며, 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 연산 장치; 및상기 연산 장치와 접속되며, 상기 연산의 실행 결과에 관한 정보를 상기 선택 화면에서 설정된 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태로 표시하는 결과 표시 화면을 갖는, 표시 장치.
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- 제 25 항에 있어서,상기 설정 화면에서 선택 및 설정 가능한 복수의 표시 형태는 맵 표시를 포함하고, 상기 맵 표시가 겹침 오차 맵, 차분 맵, 상관 맵 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 연산 장치는, 상기 얼라인먼트에 관한 연산으로서, 얼라인먼트 처리의 결과 잔류하는 잔류성분을 연산하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 연산 장치는, 상기 잔류성분의 평균치, 표준 편차, 편차, 최대치, 최소치, 값의 폭, 그 외의 통계 연산 결과 중 적어도 일방을 연산하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 연산 장치와 접속되며, 상기 연산 장치에서의 연산 조건을 입력하는 입력장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 입력장치로부터 입력되는 연산 조건으로서, 모델식의 선택, 파형 해석 알고리즘 또는 쇼트 배치의 설정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 연산 장치는, 과거의 얼라인먼트 계측 결과, 또는 계측 결과에 기초하여 상기 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 노광 장치로 계측되는 EGA 계측 결과 데이터 및 중첩 계측 장치로 계측된 중첩 계측 결과 데이터를, 얼라인먼트의 연산 결과에 관한 정보로서 표시하는 표시 장치를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터-판독가능한 기록 매체로서,상기 프로그램은,미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 임의의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를 대화 형태의 인터페이스에 의하여 선택하고 설정하기 위한 설정 화면을 표시하는 단계;얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계; 및얼라인먼트 연산 결과에 관한 정보를 상기 설정 화면에서 설정된 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태로 표시하는 단계를 컴퓨터 시스템에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
- 삭제
- 삭제
- 제 34 항에 있어서,상기 표시되는 상기 설정 화면에 있어서, 선택 및 설정 가능한 복수의 표시 형태의 하나로서 맵 표시를 선택 가능하고, 상기 맵 표시가 겹침 오차 맵, 차분 맵, 상관 맵 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
- 제 34 항에 있어서,상기 얼라인먼트에 관한 연산은, 얼라인먼트 처리의 결과 잔류하는 잔류성분을 연산하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
- 제 34 항에 있어서,상기 얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계는, 연산 조건을 입력하기 위한 입력 화면을 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 컴퓨터-판독가능한 기록 매체.
- 기판상에 겹쳐 형성되는 상이한 층의 중첩 상태에 관한 정보를 검출하는 측정/검사 장치로서,상기 검출한 정보를, 미리 준비된 얼라인먼트 계측치, 얼라인먼트 보정치, 얼라인먼트 보정후의 잔류성분, 얼라인먼트 마크 파형을 포함하는 복수의 평가 대상, 소정의 복수 로트마다, 단일 로트마다, 소정의 복수 웨이퍼마다, 단일 웨이퍼마다, 처치의 복수 쇼트마다, 단일 쇼트마다, 소정의 복수 마크마다, 및 단일 마크마다를 포함하는 복수의 표시 단위, 수치 데이터 표시, 벡터 데이터 표시, 히스토그램?산포도, 트랜드그래프 등의 통계 표시, 소트 결과 표시 및 파형 데이터 표시 중 적어도 어느 일방의 표시 형태를 포함하는 복수의 표시 형태로부터 임의의 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태를 선택하고 설정하기 위한 설정 화면을 표시하는 단계,얼라인먼트에 관한 연산을 실행하는 단계, 및얼라인먼트 연산 결과에 관한 정보를 상기 설정 화면에서 설정된 평가 대상, 표시 단위, 표시 형태로 표시하는 단계를 컴퓨터 시스템에서 실행시키기 위한 프로그램에 의한 당해 컴퓨터 시스템에서의 연산에 이용되는 데이터로서 출력하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 40 항에 있어서,상기 프로그램에 의해 표시되는 상기 설정 화면에서 선택 및 설정 가능한 복수의 표시 형태의 하나로서 맵 표시가 선택 가능하고, 상기 맵 표시가, 겹침 오차 맵, 차분 맵, 상관 맵 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
- 제 40 항에 있어서,상기 프로그램에서의 상기 얼라인먼트에 관한 연산은, 얼라인먼트 처리의 결 과 잔류성분을 연산하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
- 제 40 항에 있어서,상기 프로그램은, 추가로 연산 조건을 입력하기 위한 입력 화면을 표시하는 것을 특징으로 하는 측정/검사 장치.
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---|---|---|---|---|
WO2006129711A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Nikon Corporation | 評価システム及び評価方法 |
US7838858B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object |
WO2007086511A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Nikon Corporation | 処理条件決定方法及び装置、表示方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
ITTO20070318A1 (it) * | 2007-05-10 | 2008-11-11 | Hexagon Metrology Spa | Metodo per la determinazione degli errori geometrici in una macchina utensile o di misura |
US7889318B2 (en) * | 2007-09-19 | 2011-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Methods of characterizing similarity between measurements on entities, computer programs product and data carrier |
US7916275B2 (en) * | 2007-09-19 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Methods of characterizing similarity or consistency in a set of entities |
JP2009200105A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2009251521A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Jedat Inc | ガラスデータ設計システム、方法およびプログラム |
JP2009266864A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Canon Inc | 露光装置 |
US8706442B2 (en) * | 2008-07-14 | 2014-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Alignment system, lithographic system and method |
JP2010038762A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Micronics Japan Co Ltd | 検査装置 |
JP5298792B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-09-25 | ウシオ電機株式会社 | アライメントマークの検出方法 |
JP5300431B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-09-25 | 株式会社日本マイクロニクス | 被検査基板のアライメント装置 |
JP5418499B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-02-19 | 株式会社ニコン | 積層半導体製造装置及び積層半導体製造方法 |
EP2228770B1 (de) * | 2009-03-10 | 2012-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Datenverarbeitungsgerät zur Erzeugung und zur Ausgabe eines mehrdimensionalen Diagramms mit mindestens zwei Graphen |
JP2011009309A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Canon Inc | 露光システム、露光装置の制御装置およびデバイス製造方法 |
JP5633021B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-12-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | アライメント方法、アライメント装置及び露光装置 |
JP5406624B2 (ja) | 2009-08-10 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP5665398B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム |
TWI417942B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-12-01 | Ind Tech Res Inst | 二維陣列疊對圖樣組之設計方法、疊對誤差量測方法及其量測系統 |
KR20120000846A (ko) * | 2010-06-28 | 2012-01-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 정렬 방법 및 공정 모니터링 방법 |
JP6044059B2 (ja) | 2011-09-16 | 2016-12-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 物体情報管理システム及びプログラム。 |
JP6002480B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ誤差測定装置、及びパターン測定をコンピューターに実行させるコンピュータープログラム |
CN102944970B (zh) * | 2012-11-16 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板掩膜对位方法 |
US9176396B2 (en) | 2013-02-27 | 2015-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Overlay sampling methodology |
US11366397B2 (en) * | 2013-07-10 | 2022-06-21 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US10379447B2 (en) * | 2013-07-10 | 2019-08-13 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US9715724B2 (en) * | 2014-07-29 | 2017-07-25 | Applied Materials Israel Ltd. | Registration of CAD data with SEM images |
JP6608299B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-11-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基準位置取得方法、基準位置取得装置、パターン描画方法、パターン描画装置およびプログラム |
CN105080855B (zh) * | 2015-06-03 | 2017-08-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板标记检测装置和基板标记检测方法 |
WO2016202695A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Recipe selection based on inter-recipe consistency |
TWI677772B (zh) * | 2016-01-21 | 2019-11-21 | 聯華電子股份有限公司 | 先進製程控制方法 |
JP6716160B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-07-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び加工方法 |
US10928738B2 (en) * | 2016-06-30 | 2021-02-23 | Asml Holding N.V. | Adaptive filter for in-line correction |
CN106502045B (zh) | 2016-10-31 | 2019-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于设备的方法、制造掩膜版或显示基板的方法及系统 |
CN110249268B (zh) | 2017-02-02 | 2021-08-24 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备以及关联的计算机产品 |
EP3364247A1 (en) * | 2017-02-17 | 2018-08-22 | ASML Netherlands B.V. | Methods & apparatus for monitoring a lithographic manufacturing process |
JP6740167B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2020-08-12 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | タービンの組立方法、タービン組立支援システム及び制御プログラム |
JP6567004B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-08-28 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法 |
TWI797737B (zh) | 2017-09-29 | 2023-04-01 | 美商昂圖創新公司 | 用於在曝光裝置時減少未對準誤差的方法和設備 |
JP7188950B2 (ja) | 2018-09-20 | 2022-12-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ処理方法およびデータ処理プログラム |
JP7188949B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-12-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ処理方法およびデータ処理プログラム |
US10642161B1 (en) * | 2018-10-10 | 2020-05-05 | International Business Machines Corporation | Baseline overlay control with residual noise reduction |
CN109633938B (zh) * | 2018-12-17 | 2021-11-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 曝光对准方法 |
US11537042B2 (en) * | 2019-07-10 | 2022-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Overlay correcting method, and photolithography method, semiconductor device manufacturing method and scanner system based on the overlay correcting method |
US11150559B2 (en) * | 2019-12-30 | 2021-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Laser interference fringe control for higher EUV light source and EUV throughput |
WO2021168359A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-26 | Onto Innovation, Inc. | System and method for correcting overlay errors in a lithographic process |
JP7309639B2 (ja) * | 2020-03-13 | 2023-07-18 | キオクシア株式会社 | 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
CN113534611B (zh) * | 2020-04-14 | 2023-12-08 | 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 | 对准机日志分析系统及方法 |
JP7520569B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2024-07-23 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、及び情報処理方法 |
JP7570822B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2024-10-22 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、及び情報処理方法 |
JP7416674B2 (ja) * | 2020-08-25 | 2024-01-17 | 三菱重工業株式会社 | タービンの組立方法、タービンの組立支援プログラム、及びタービンの組立支援装置 |
JP7545278B2 (ja) * | 2020-09-25 | 2024-09-04 | キヤノン株式会社 | サンプルショット領域のセットを決定する方法、計測値を得る方法、情報処理装置、リソグラフィ装置、プログラム、および物品製造方法 |
US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3812288A (en) * | 1972-11-21 | 1974-05-21 | Edax Int Inc | Television display system |
JPH0669017B2 (ja) | 1985-10-08 | 1994-08-31 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4873623A (en) * | 1985-04-30 | 1989-10-10 | Prometrix Corporation | Process control interface with simultaneously displayed three level dynamic menu |
JPS6225417A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
US5197118A (en) * | 1985-07-25 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Control system for a fine pattern printing apparatus |
JP2694868B2 (ja) * | 1987-08-31 | 1997-12-24 | 株式会社ニコン | 位置検出方法及び装置 |
JP2773147B2 (ja) | 1988-08-19 | 1998-07-09 | 株式会社ニコン | 露光装置の位置合わせ装置及び方法 |
US5226118A (en) * | 1991-01-29 | 1993-07-06 | Prometrix Corporation | Data analysis system and method for industrial process control systems |
JP3336357B2 (ja) * | 1991-04-24 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 |
JP3391470B2 (ja) | 1992-01-17 | 2003-03-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び投影露光方法 |
JP3287047B2 (ja) * | 1993-02-08 | 2002-05-27 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法、その位置合わせ方法を用いた露光方法、その露光方法を用いたデバイス製造方法、そのデバイス製造方法で製造されたデバイス、並びに位置合わせ装置、その位置合わせ装置を備えた露光装置 |
US5525808A (en) * | 1992-01-23 | 1996-06-11 | Nikon Corporaton | Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP3391328B2 (ja) | 1993-02-08 | 2003-03-31 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法、その位置合わせ方法を用いた露光方法、その露光方法を用いたデバイス製造方法、そのデバイス製造方法で製造されたデバイス、並びに位置合わせ装置、その位置合わせ装置を備えた露光装置 |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5461708A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-24 | Borland International, Inc. | Systems and methods for automated graphing of spreadsheet information |
US5798195A (en) * | 1993-09-24 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Stepping accuracy measuring method |
US5586059A (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated data management system for analysis and control of photolithography stepper performance |
US5761064A (en) * | 1995-10-06 | 1998-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Defect management system for productivity and yield improvement |
JP3364390B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2003-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
WO1997035337A1 (en) * | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Hitachi, Ltd. | Process control system |
JPH10112433A (ja) | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置 |
JPH1167853A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | ウェーハマップ解析補助システムおよびウェーハマップ解析方法 |
JP2000173882A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 生産シミュレーションシステム |
JP3788279B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2006-06-21 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
JP3854921B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | パラメータの値を決定する装置および方法、デバイスの製造方法、ならびに露光装置 |
TWI225665B (en) * | 2001-10-17 | 2004-12-21 | Canon Kk | Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method |
JP2003142378A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Canon Inc | 半導体露光装置の管理システム及び管理方法 |
JP2003151884A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-23 | Nikon Corp | 合焦方法、位置計測方法および露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP3427836B2 (ja) | 2001-12-14 | 2003-07-22 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 |
CN1243284C (zh) * | 2002-01-11 | 2006-02-22 | 南亚科技股份有限公司 | 自动回馈修正的曝光方法与系统 |
US7738693B2 (en) * | 2002-12-24 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | User interface for wafer data analysis and visualization |
US7030966B2 (en) | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
US6839125B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimizing an illumination source using full resist simulation and process window response metric |
JP2004265957A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-24 | Nikon Corp | 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス |
US6815233B1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-11-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of simultaneous display of die and wafer characterization in integrated circuit technology development |
JP2005030963A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Canon Inc | 位置検出方法 |
US7838858B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object |
WO2006129711A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Nikon Corporation | 評価システム及び評価方法 |
JP4728144B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-07-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターンの検査装置 |
-
2005
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