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KR101049801B1 - 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착장치 - Google Patents

다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착장치 Download PDF

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KR101049801B1
KR101049801B1 KR1020090018927A KR20090018927A KR101049801B1 KR 101049801 B1 KR101049801 B1 KR 101049801B1 KR 1020090018927 A KR1020090018927 A KR 1020090018927A KR 20090018927 A KR20090018927 A KR 20090018927A KR 101049801 B1 KR101049801 B1 KR 101049801B1
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홍종원
나흥열
강유진
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안지수
김영대
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Abstract

본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Description

다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치{Fabrication method of polycrystalline silicon and atomic deposition apparatus used in the same}
본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역을 친수성 또는 소수성으로 개질함으로써, 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치 및 균일한 농도로 형성할 수 있으며, 그로 인하여 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어할 수 있는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 다결정 실리콘층은 높은 전계 효과 이동도와 고속 동작 회로에 적용이 가능하며 CMOS 회로 구성이 가능하다는 장점이 있어 박막트랜지스터용 반도체층의 용도로서 많이 사용되고 있다. 이러한 다결정 실리콘층을 이용한 박막트랜지스터는 주로 능동 행렬 액정 디스플레이 장치(AMLCD)의 능동소자와 유기 전계 발광 소자(OLED)의 스위칭 소자 및 구동 소자에 사용된다.
상기 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 방법은 고상 결정화 법(Solid Phase Crystallization), 엑시머 레이저 결정화법(Excimer Laser Crystallization), 금속 유도 결정화법(Metal Induced Crystallization) 및 금속 유도 측면 결정화법(Metal Induced Lateral Crystallization) 등이 있는데, 고상 결정화법은 비정질 실리콘층을 박막트랜지스터가 사용되는 디스플레이 소자의 기판을 형성하는 물질인 유리의 변형 온도인 약 700℃ 이하의 온도에서 수 시간 내지 수십 시간에 걸쳐 어닐링하는 방법이고, 엑시머 레이저 결정화법은 엑시머 레이저를 비정질 실리콘층에 주사하여 매우 짧은 시간 동안 국부적으로 높은 온도로 가열하여 결정화하는 방법이며, 금속 유도 결정화법은 니켈, 팔라듐, 금, 알루미늄 등의 결정화 유도 금속을 비정질 실리콘층과 접촉시키거나 주입하여 상기 결정화 유도 금속에 의해 비정질 실리콘층이 다결정 실리콘층으로 상 변화가 유도되는 현상을 이용하는 방법이고, 금속 유도 측면 결정화법은 결정화 유도 금속과 실리콘이 반응하여 생성된 실리사이드가 측면으로 계속하여 전파되면서 순차로 비정질 실리콘층의 결정화를 유도하는 방법을 이용하는 결정화 방법이다.
그러나 상기의 고상 결정화법은 공정 시간이 너무 길뿐만 아니라 고온에서 장시간 열처리함으로써 기판의 변형이 발생하기 쉽다는 단점이 있고, 엑시머 레이저 결정화법은 고가의 레이저 장치가 필요할 뿐만 아니라 다결정화된 표면의 돌기(protrusion)가 발생하여 반도체층과 게이트 절연막의 계면 특성이 나쁘다는 단점이 있다.
현재 결정화 유도 금속을 이용하여 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법은 고상 결정화보다 낮은 온도에서 빠른 시간 내에 결정화시킬 수 있는 장점을 가지고 있기 때문에 많이 연구되고 있다. 결정화 유도 금속을 이용한 결정화 방법은 금속 유도 결정화 방법과 금속 유도 측면 결정화 방법, SGS 결정화 방법(Super Grain Silicon Crystallization) 등이 있다.
상기 결정화 유도 금속을 이용하는 결정화 방법들에 있어서 결정화 유도 금속을 비정질 실리콘층 상에 형성하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)법, 이온 임플렌테이션(ion implantation)법, 열증착(thermal evaporation)법 등이 사용된다. 그러나 상기 방법들은 금속 타켓으로부터 증착시키고자 하는 금속 입자가 무작위 방향으로 퍼져나가므로, 1011 내지 1016atoms/㎠ 정도의 금속 촉매의 농도를 균일하게 증착하기에는 한계점이 있다.
최근 마이크로 전자 기술 시스템(Microelectromechanical Systems: MEMS) 기술을 이용하여 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 균일하게 찍는 기술이 보고되고 있으나, 상기 기술은 양산시 택트 타임(tact time) 등의 한계점을 가지고 있어서 상용화 기술로는 적합하지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치 및 균일한 농도로 형성함으로써, 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어할 수 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 척; 상기 척 상에 위치하며, 개구부 및 폐쇄부를 포함하는 마스크; 상기 마스크 상에 위치하는 UV 램프; 및 상기 챔버 내에 위치하는 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치를 제공한다.
비정질 실리콘층 표면의 일정 영역을 친수성 또는 소수성으로 개질함으로써, 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치에 형성할 수 있으며, 또한 원자층 증착 장비를 이용하여 결정화 유도 금속을 증착하여 결정화 유도 금속을 균일한 농도로 형성함으로써, 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어하여 다결정 실리콘층을 형성할 수 있다. 또한 상기 다결정 실리콘층을 이용하여 박막트랜지스터를 형성함으로써, 결정립 크기의 불균일에서 오는 박막트랜지스터의 특성 산포를 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 실리콘층의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 유리 또는 플라스틱과 같은 기판(100)을 준비한다. 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition)법을 이용하여 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 절연막을 이용하여 단층 또는 이들의 복층으로 형성한다. 이때 상기 버퍼층(110)은 상기 기판(100)에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달 속도를 조절함으로써, 비정질 실리콘층의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역 할을 한다.
이어서 상기 버퍼층(110) 상에 비정질 실리콘층(120)을 형성한다. 이때 상기 비정질 실리콘층(120)은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 또한, 상기 비정질 실리콘층(120)을 형성할 때, 또는, 형성한 후에 탈수소 처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다.
이어서 상기 비정질 실리콘층(120)이 형성된 상기 기판(100)을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시킨다. 도 1b를 참조하면, 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 개구부(130a) 및 폐쇄부(130b)를 구비하는 마스크(130) 및 상기 마스크(130) 상에 UV 램프(140)을 위치시킨다. 상기 마스크(130)의 개구부(130a)를 통하여 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 UV 램프를 조사한다. 상기 UV 램프가 조사되면, UV 램프가 조사된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역(150)은 친수성 또는 소수성으로 표면이 개질된다.
상기 기판(100)이 친수성 가스 분위기에 위치하는 경우에는 상기 마스크의 개구부(130a)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 상기 기판(100)이 소수성 가스 분위기에 위치하는 경우에는 상기 마스크의 폐쇄부(130b)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 상기 UV 램프가 조사되는 영역이 상기 마스크의 개구부(130a) 영역과 일치하도록 하기 위하여, 상기 마스크(130)와 상기 UV 램프(120)와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 두는 것이 바람직하다. 상기 거리는 공정압력, 램프의 파장, 가스 종류 등에 따라서 변할 수 있다.
상기 친수성 가스로는 O2, N2O 또는 H2O를 이용할 수 있으며, 상기 소수성 가스로는 CxFy(x 및 y는 자연수) 계열의 가스를 이용할 수 있다. 상기 UV램프(120)의 파장은 단파장인 것이 바람직하다. 효율면에서는 진공 UV램프(Vacumm UV램프, VUV 램프)가 바람직하며, 초자외선 램프(Extreme UV 램프, EUV 램프) 등을 사용할 수도 있다.
이어서 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 결정화 유도 금속(160)을 형성한다. 도 1c를 참조하면, 상기 결정화 유도 금속 형성시, 친수성으로 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역(150a)으로 상기 결정화 유도 금속(160)이 우선적으로 증착되며, 친수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층의 표면의 일정 영역(150b) 상에는 상기 결정화 유도 금속(160)이 증착되지 않는다. 또는 도 1d를 참조하면, 이와 반대로 소수성으로 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역(120c)에는 상기 결정화 유도 금속(160)이 증착되지 않으며, 소수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역(120d) 상에 상기 결정화 유도 금속(160)이 우선적으로 증착된다. 따라서 상기 결정화 유도 금속(160)을 상기 비정질 실리콘층(120) 상의 일정 영역에만 증착할 수 있으므로, 결정화 시드가 형성되는 영역을 제어할 수 있으며, 그로 인하여 결정립의 크기 등도 제어할 수 있다.
상기 결정화 유도 금속(160)은 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있는데, 바람직하게는 니켈(Ni)을 이용한다. 이때, 결정화 유도 금속은 1011 내지 1015atoms/㎠의 면밀도로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 결정화 유도 금속이 1011atoms/㎠의 면밀도 보다 적게 형성된 경우에는 결정화의 핵인 시드의 양이 적어 상기 비정질 실리콘층(120)이 다결정 실리콘층으로 결정화하기가 어려울 수도 있으며, 상기 결정화 유도 금속이 1015atoms/㎠의 면밀도 보다 많게 형성된 경우에는 비정질 실리콘층으로 확산되는 결정화 유도 금속의 양이 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 형성되는 반도체층의 누설전류 특성이 저하될 수 있다.
상기 결정화 유도 금속(160)을 균일한 두께 및 저농도로 형성하기 위하여 원자층 증착 방법(atomic layer deposition method)와 같은 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition method)를 이용하는 것이 바람직하다.
이어서 상기 결정화 유도 금속(160)이 형성된 상기 비정질 실리콘층(120)을 포함하는 상기 기판(100)을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층(120)을 다결정 실리콘층으로 결정화한다. 열처리시 상기 비정질 실리콘층(120)의 표면이 친수성으로 개질되거나 소수성으로 개질되지 아니하여 상기 결정화 유도 금속(160)이 증착된 영역(150a, 150c)에서부터 시드가 형성되며, 상기 영역을 중심으로 결정립이 좌우로 성장하게 된다. 따라서 상기 마스크(130)의 개구부(130a)의 위치를 제어하여 시드가 형성되는 영역을 제어함으로써, 결정립의 크기도 제어할 수 있게 된다.
상기 열처리 공정은 로(furnace) 공정, RTA(Rapid Thermal Annealling) 공정, UV 공정 또는 레이저(Laser) 공정 중 어느 하나의 공정을 이용할 수 있으며, 200 내지 900℃의 온도 범위에서 수 초 내지 수 시간 동안 진행할 수 있다. 상기 온도와 시간에서 진행하는 경우에 과다한 열처리 공정으로 인한 기판의 변형 등을 방지할 수 있으며, 제조 비용 및 수율의 면에서도 바람직하다.
본 발명에서는 원자층 증착법에 의해서 상기 결정화 유도 금속(120)을 형성하는 것이 바람직하다. 이하 본 발명에 이용되는 원자층 증착 장비 및 이를 이용하여 결정화 유도 금속을 상기 비정질 실리콘층 상에 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 하기에서 특별히 언급하는 것을 제외하고는 상기 실시예에 기재된 것을 참조한다.
도 2는 본 발명의 다결정 실리콘층의 제조방법에 이용될 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 단면도이다. 도 3은 도 2의 원자층 증착 장치를 이용하여 다결정 실리콘층을 제조하는 방법을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치는 증착 공정이 수행되는 내부 공간을 갖는 챔버(200)을 포함한다. 상기 챔버(200) 내에 기판을 로딩하기 위한 척(chuck)(210)이 위치한다. 상기 척(210) 상에 UV 램프(220)가 위치한다. 상기 UV 램프(220)와 상기 척(210) 사이에 개구부(230a) 및 폐쇄부(230b)를 포함하는 마스크(230)가 위치한다. 상기 UV램프(220)의 파장은 단파장인 것이 바람직하다. 효율면에서는 진공 UV램프(Vacumm UV램프, VUV 램프)가 바람직하며, 초자외선 램프(Extreme UV 램프, EUV 램프) 등을 사용할 수도 있다.
상기 챔버(200)의 일 측면에는 공정에 이용되는 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(240)가 위치한다. 상기 가스 공급부(240)는 상기 챔버(200) 내에 복수 개로 위치할 수 있다. 또한 상기 챔버(200)와 연결되며, 사용된 가스들 또는 부산물들을 외부로 배출하기 위한 배기홀(250)이 상기 척(210) 하부에 위치할 수도 있다.
도 3을 참조하면, 도 1a에서와 같이 상기 비정질 실리콘층(120)이 형성된 상기 기판(100)을 상기 챔버(200) 내의 상기 척(210) 상에 로딩(loading)한다. 이어서 상기 UV 램프(220)를 조사함과 동시에 상기 가스 공급부(240)를 통하여 친수성 가스 또는 소수성 가스를 공급한다.
친수성 가스를 공급하는 경우에는 상기 마스크의 개구부(230a)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 소수성 가스를 공급하는 경우에는 상기 마스크의 폐쇄부(230b)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 상기 UV 램프(220)가 조사되는 영역이 상기 마스크의 개구부(230a) 영역과 일치하도록 하기 위하여, 상기 마스크(230)와 상기 UV 램프(220)와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 두는 것이 바람직하다. 상기 거리는 공정압력, 램프의 파장, 가스 종류 등에 따라서 변할 수 있다.
상기 친수성 가스로는 O2, N2O 또는 H2O를 이용할 수 있으며, 상기 소수성 가스로는 CxFy(x 및 y는 자연수) 계열의 가스를 이용할 수 있다.
이어서 상기 가스 공급부(240) 또는 다른 가스 공급부를 통하여 결정화 유도 금속 전구체를 공급하여 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 결정화 유도 금속을 형성한다. 상기 결정화 유도 금속 전구체 공급시, 도 1c에 도시된 바와 같이, 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역으로 결정화 유도 금속이 우선적으로 증착되며, 친수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층의 표면의 일정 영역 상에는 결정화 유도 금속이 증착되지 않는다. 또는 이와 반대로 도 1d에 도시된 바와 같이, 소수성으로 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역에는 결정화 유도 금속이 증착되지 않으며, 소수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역 상에 결정화 유도 금속이 우선적으로 증착된다. 따라서 상기 결정화 유도 금속을 상기 비정질 실리콘층 상의 일정 영역에만 증착할 수 있으므로, 결정화 시드가 형성되는 영역을 제어할 수 있으며, 그로 인하여 결정립의 크기 등도 제어할 수 있다.
상기 결정화 유도 금속은 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있는데, 바람직하게는 니켈(Ni)을 이용한다. 이때, 결정화 유도 금속은 1011 내지 1015atoms/㎠의 면밀도로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 결정화 유도 금속이 1011atoms/㎠의 면밀도 보다 적게 형성된 경우에는 결정화의 핵인 시드의 양이 적어 상기 비정질 실리콘층(120)이 다결정 실리콘층으로 결정화하기가 어려울 수도 있으며, 상기 결정화 유도 금속이 1015atoms/㎠의 면밀도 보다 많게 형성된 경우에는 비정질 실리콘층으로 확산되는 결정화 유도 금속의 양이 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 형 성되는 반도체층의 누설전류 특성이 저하될 수 있다.
이어서 상기 원자층 증착 장비에서 상기 기판(100)을 언로딩(unloading)하고, 결정화 유도 금속이 형성된 상기 비정질 실리콘층(120)을 포함하는 상기 기판(100)을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화한다.
따라서 본 발명에서는 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역을 친수성 또는 소수성으로 개질함으로써, 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치에 형성할 수 있으며, 또한 원자층 증착 장비를 이용하여 결정화 유도 금속을 증착하여 결정화 유도 금속을 균일한 농도로 형성함으로써, 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어하여 다결정 실리콘층을 형성할 수 있다. 또한 상기 다결정 실리콘층을 이용하여 박막트랜지스터를 형성함으로써, 결정립 크기의 불균일에서 오는 박막트랜지스터의 특성 산포를 최소화할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 실리콘층의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다결정 실리콘층의 제조방법에 이용될 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 원자층 증착 장치를 이용하여 다결정 실리콘층을 제조하는 방법을 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
120: 비정질 실리콘층 130, 230: 마스크
140, 220: UV 램프 160: 결정화 유도 금속
200: 챔버 210: 척
240: 가스 공급부 250: 배기홀

Claims (15)

  1. 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고,
    상기 기판과 상기 비정질 실리콘층을 친수성 가스 분위기에 위치시키고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고,
    상기 마스크의 개구부를 통하여 UV 램프에서 방출된 자외선을 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고,
    상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 단계들을 포함하며,
    상기 마스크의 개구부는 상기 비정질 실리콘층 상에 상기 결정화 유도 금속이 형성되어야 하는 영역에 대응하여 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 상기 마스크의 개구부를 통하여 자외선이 조사된 상기 비정질 실리콘층 영역 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 친수성 가스는 O2, N2O 또는 H2O인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 원자층 증착법에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크와 상기 UV 램프와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  7. 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고,
    상기 기판과 상기 비정질 실리콘층을 소수성 가스 분위기에 위치시키고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고,
    상기 마스크의 개구부를 통하여 UV 램프에서 방출된 자외선을 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고,
    상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 단계들을 포함하며,
    상기 마스크의 폐쇄부는 상기 비정질 실리콘층 상에 상기 결정화 유도 금속이 형성되어야 하는 영역에 대응하여 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 상기 마스크의 폐쇄부에 의하여 UV 램프가 조사되지 않은 상기 비정질 실리콘층 영역 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 소수성 가스는 CXFY(x 및 y는 자연수) 계열인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 원자층 증착법에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 마스크와 상기 UV 램프와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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