KR100863782B1

KR100863782B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법

Info

Publication number: KR100863782B1
Application number: KR1020030013933A
Authority: KR
Inventors: 쵸우노야스히로; 이토노리히로; 사타케케이고; 이이노타다시
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2002-03-08
Filing date: 2003-03-06
Publication date: 2008-10-16
Anticipated expiration: 2023-03-06
Also published as: CN1324407C; TW200304052A; US20030170949A1; US7086410B2; CN1448799A; TWI293407B; KR20030074255A

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 기판을 밀봉된 처리기내에서 처리가스 예를 들면, 오존 및 용매증기 예를 들면 수증기 등의 처리 유체를 이용해서 처리하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.

본 발명에서는 공통의 용매증기(수증기) 공급원(41) 및 처리가스(오존가스) 공급원(42)로부터 복수의 처리용기(30A, 30B)에 오존가스 및 수증기가 공급되고, 처리용기내의 압력 제어는 각 처리용기에 접속된 배출관로(80A, 80B)에 각각 설치된 가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도를 조절하는 것에 의해 행해진다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

도 1은 본 발명에 의한 기판처리장치를 포함한 기판처리시스템의 개략 평면도이다.

도 2는 도 1에 나타내는 기판처리시스템의 개략 측면도이다.

도 3은 도 1에 나타내는 기판처리장치의 배관 계통도이다.

도 4는 도 3에 나타내는 가변 트로틀밸브의 구조를 나타내는 단면도이다.

도 5는 도 3에 나타내는 오존가스 발생장치의 구조를 나타내는 개략도이다.

도 6은 도 3에 나타내는 처리용기의 구조를 나타내는 단면도로, 용기의 개방 상태 나타내는 단면도이다.

도 7(a)은 도 6의 영역 Ⅶa를 확대해 나타내는 도이고, 도 7(b)은 도 7(a) Ⅶb-Ⅶb선을 따르는 단면도이다.

도 8은 도 6에 나타내는 처리용기의 밀폐 상태를 나타내는 단면도이다.

도 9는 도 8의 영역 IX를 확대해 나타내는 도이다.

도 l0는 도 8의 X-X선을 따르는 처리용기의 단면도이다.

도 11은 도 10의 XI- XI 선을 따르는 확대 단면도이다.

도 l2는 도 10의 XII-XII선을 따르는 확대 단면도이다.

도 13(a)은 처리용기에 부설되는 락기구를 나타내는 평면도, 13(b)는 화살표 XIIIb 방향으로부터 본 확대도이다.

도 14는 본 발명에 의한 기판처리장치의 다른 실시 형태에 있어서의 배관 계통도이다.

도 15는 본 발명에 의한 기판처리장치의 다른 실시 형태에 있어서의 배관 계통도이다.

도 16은 본 발명에 의한 기판처리장치의 다른 실시 형태에 있어서의 배관 계통도이다.

일반적으로, 반도체 디바이스의 제조 공정에 대해서는 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(이하에 기판이라고 한다)에 포토레지스트를 도포해 포토리소그라피 기술을 이용해서 회로 패턴을 포토레지스트에 전사하고, 이것을 현상 처리한 후, 기판으로부터 포토레지스트룰 제거하는 일련의 처리가 수행되고 있다.

근래에는, 환경보전의 관점에서 폐수처리의 문제가 있는 물약을 이용하지 않고 레지스트 제거를 실시하는 것이 요구되고 있다. 그래서 최근에는 처리가스 예를 들면 오존(O3)가스와 용매증기(처리가스를 녹여내는 것이 가능한 용매의 증기를 의미한다. 이하 같다) 예를 들면 수증기를 이용해 기판으로부터 레지스트를 제거하는 방법이 새로 제안되고 있다. 이 방법에서는 처리용기 내에 기판을 수용한 후, 처리기내를 승온(온도상승)과 가압한 상태에서 오존가스 및 수증기로 된 혼합 처리유체가 처리용기 내에 공급된다.

상기 방법을 실행할 때에는 처리용기 내의 온도 및 압력을 단시간에 소정값에 도달시키는 것이, 스루풋(throughput) 향상의 관점에서 중요하다. 그러나, 처리용기 내 용적이 크면 많은 처리가스 및 용매증기를 사용할 필요가 있고, 또 히터의 능력도 높게 하지 않으면 않된다.

스루풋(throughput) 향상을 목적으로 해서 처리용기를 복수 마련하는 것도 생각할 수 있다. 그러나 이 경우 처리가스 공급원 및 용매증기 공급원을 처리용기의 수에 대응해 복수 마련하면, 장치 전체의 대형화 및 고비용화를 초래하는 문제가 있다. 이 문제를 해결하는 수단으로서 처리유체의 공급원을 복수의 처리용기로 공용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 복수의 처리용기에 동시에 혹은 시간차이를 가져 공통의 공급원으로부터 처리 유체를 공급했을 경우에는 처리용기 내에 압력 변동이 발생해 처리 상태가 좋지 않은 경우가 발생할 수 있다.

본 발명은 이러한 종래기술의 결함을 감안한 것으로서, 복수의 처리용기에 공통의 처리 유체 공급원으로부터 동시에 처리 유체를 공급했을 경우에도, 각 처리용기내의 압력 제어를 용이하고 확실하게 행할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리 방법을 제공하는 것이 발명의 목적이다.

본 발명의 제2 목적은 처리용기의 압력 제어를 용이하고 확실히 행할 수 있고, 처리용기의 소형화를 꾀하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 각각의 내부에서 기판의 처리를 하고 복수의 처리용기와 처리가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리용기에 각각 처리가스를 공급하는 처리가스 공급관로와, 용매증기 공급원으로부터 상기 복수의 처리용기에 각각 용매증기를 공급하는 용매증기 공급관로와, 상기 복수의 처리용기로부터 각각 상기 처리가스 및 상기 용매증기를 배출하는 복수의 배출관로와, 상기 복수의 처리용기의 내압을 조정하기 위한 복수의 기기를 구비하고, 상기 복수의 기기는 상기 용매증기 공급관로에 적어도 1개 설치되어 있던지, 혹은 상기 각 배출관로에 적어도 1개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 제공한다.

본 발명의 바람직한 일실시 형태에 대해서는 상기 각 용매증기 공급관로에 상기 적어도 1개의 기기가 설치되어 있다. 이 경우, 상기 각 용매증기 공급관로에 설치된 적어도 1개의 기기에, 가변 트로틀 밸브(throttle valve)를 포함할 수 있다. 이 경우, 이 기판처리장치는 상기 복수의 용매증기 공급관로에 각각 설치된 복수의 개폐밸브가 있고, 상기 각 처리용기에의 용매증기의 공급 및 공급 정지의 절환을 행하는 개폐밸브와, 상기 복수의 개폐밸브의 상태에 관련 지어 상기 각 가변 트로틀 밸브의 개도를 조정하는 콘트롤러를 더 구비하여 구성할 수 있다.

본 발명의 바람직한 일실시 형태에 대해서는, 상기 각 용매증기 공급관로에 상기 적어도 1개의 기기가 설치되어 있다. 이 경우, 상기 각 처리가스 공급관로는 상기 각 용매증기 공급관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기의 하류측에서 상기 용매증기 공급관로에 접속할 수가 있고, 이것에 의해 상기 처리가스는 상기 각 용매증기 공급관로를 개입시켜 상기 각 처리용기에 공급된다.

본 발명의 바람직한 일실시 형태에 대해서는, 상기 각 배출관로에 상기 적어도 1개의 기기가 설치되고 있다. 이 경우, 상기 각 배출관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기에 가변 트로틀밸브를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 각 배출관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기에 상기 가변 트로틀밸브와 병렬로 설치된 릴리프 밸브를 더 포함할 수 있다. 이것에 대신해서 상기 각 배출관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기에 상기 가변 트로틀밸브와 직렬로 설치된 개폐밸브를 더 포함할 수 있다.

상기 각 배출관로에 가변 트로틀밸브가 설치되는 경우, 이 기판처리장치는 각각이 상기 각 처리용기내의 압력 혹은 상기 각 처리용기내의 압력에 대응해 변화하는 압력을 검출하는 복수의 압력센서와, 상기 압력센서의 검출 결과에 기초해서 상기 각 처리용기내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 각 가변 트로틀밸브의 개도를 조절하는 콘트롤러를 더 구비하여 구성할 수 있다.

상기 각 배출관로에 가변 트로틀밸브 및 개폐밸브가 직렬로 설치되는 경우, 이 기판처리장치는 각각이 상기 각 처리용기내의 압력 혹은 상기 각 처리용기내의 압력에 대응해 변화하는 압력을 검출하는 복수의 압력센서와, 상기 압력센서의 검출 결과에 기초해 상기 각 처리용기내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 개폐밸브의 개폐를 제어하는 콘트롤러를 더 구비하여 구성할 수 있다.

상기 각 배출관로에 가변 트로틀밸브 및 개폐밸브가 직렬로 설치되는 경우, 이 기판처리장치는 상기 용매증기 공급관로에 각각 설치된 복수의 개폐밸브에 있어서, 상기 각 처리용기에의 용매증기의 공급 및 공급 정지의 절환을 실시하는 개폐밸브와 상기 용매증기 공급관로의 개폐밸브의 상태에 따라서 상기 배출관로의 각 개폐밸브를 개폐 제어하는 콘트롤러를 더 구비하여 구성할 수 있다.

상기 각 배출관로에 가변 트로틀밸브가 설치되는 경우, 이 기판처리장치는 상기 용매증기 공급관로에 각각 설치된 복수의 개폐밸브에 있어서, 상기 각 처리용기에의 용매증기의 공급 및 공급 정지의 절환을 실시하는 개폐밸브와 상기 복수의 개폐밸브의 상태에 따라서 상기 각 가변 트로틀밸브의 개도를 조정하는 콘트롤러를 더 구비하여 구성할 수 있다.

상기 배출관로에 상기 적어도 1개의 기기가 설치되는 경우, 바람직하게는 상기 각 용매증기 공급관로에 고정 트로틀(throttle)이 설치된다.

본 발명의 바람직한 일실시 형태에 대해서는, 상기 각 처리용기는 기판지지부재를 갖는 용기 본체와 상기 용기 본체에 밀봉 결합해서 상기 처리용기 내에 처리공간을 선을 긋는 것과 동시에, 상기 기판을 지지할 수 있는 지지 부재를 가지는 덮개를 가지고 있고, 상기 덮개가 상기 용기 본체에 결합되어 있는 경우에, 상기 기판이 상기 기판지지부재상에 재치되는 것과 동시에 상기 덮개의 기판지지부재가 상기 기판으로부터 떨어지도록 상기 덮개가 형성되어 있다.

또한, 본 발명은 내부에서 제1 기판 처리를 하는 제1 처리용기와, 내부에서 그리고 제2 기판 처리를 하는 제2 처리용기와, 처리가스 공급원으로부터 상기 제1 처리용기에 처리가스를 공급하는 제1 처리가스 공급관로와, 상기 처리가스 공급원으로부터 상기 제2 처리용기에 처리가스를 공급하는 제2 처리가스 공급관로와, 용매증기 공급원으로부터 상기 제1 처리용기에 용매증기를 공급하는 제1 용매증기 공급관로와, 상기 용매증기 공급원으로부터 상기 제2 처리용기에 용매증기를 공급하는 제2 용매증기 공급관로와, 상기 제1 처리용기로부터 상기 처리가스 및 용매증기 배출하는 제1 배출관로와, 상기 제2 처리용기로부터 상기 처리가스 및 용매기분을 배출하는 제2 배출관로와, 상기 제l 용매증기 공급관로에 설치된 제1 공급측 개폐밸브와, 상기 제2 용매증기 공급관로에 설치된 제2 공급측 개폐밸브와, 상기 제1 배출관로에 설치된 제1 가변 트로틀(throttle)과 상기 제2 배출관로에 설치된 제2 가변 트로틀과, 상기 제1 및 제2 공급측 개폐밸브의 양쪽 모두가 개방된 상태에 있는 경우와, 상기 제1 공급측 개폐밸브가 개방된 상태이고 상기 제2 공급측 개폐밸브가 닫힌 상태에 있는 경우에, 상기 제1 가변 트로틀의 개방도가 다르도록 상기 제1 가변 트로틀의 개방도를 조절하는 콘트롤러를 구비한 기판처리장치를 제공한다.

바람직한 일실시 형태에 있어서, 이 기판처리장치는 상기 제1 가변 트로틀과 직렬로 상기 제1 배출관로에 설치된 제1 배출측 개폐밸브와, 상기 제2 가변 트로틀과 직렬로 상기 제2 배출관로에 설치된 제2 배출측 개폐밸브를 더 구비하고, 상기 콘트롤러는 상기 제1 처리용기 내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 제1 배출측 개폐밸브의 개폐를 제어하고, 상기 제2 처리용기 내의 압력이 일정하게 유지되도록, 상기 제2 배출측 개폐밸브의 개폐를 제어하도록 구성되어 있다.

또, 바람직한 일실시 형태에 있어서, 상기 제1 배기관로에 상기 제1 가변 트로틀과 병렬로 제1 릴리프 밸브가 설치되고, 상기 제1 배기관로에 상기 제2 가변 트로틀과 병렬로 제2 릴리프 밸브가 설치되어 있다.

또한, 본 발명은 내부에서 기판의 처리를 하는 처리용기와, 상기 처리용기에 접속되고 처리가스 및 용매증기를 포함한 혼합 처리 유체를 상기 처리용기 내에 공급하는 공급관로와, 상기 처리용기에 접속되고 상기 혼합 처리 유체를 상기 처리용기로부터 배출하는 배출관로와, 상기 배출관로에 직렬로 설치된 개폐밸브 및 가변 트로틀밸브와, 상기 처리용기 내의 압력이 소정의 값이 되도록 상기 가변 트로틀밸브의 개방도 제어 및 상기 개폐밸브의 개폐 제어를 행하는 콘트롤러를 구비한 기판처리장치를 제공 한다.

본 발명의 제2 관점에 의하면, 기판처리방법이 제공된다. 이 방법은 제1 기간에 제1 기판이 수용된 제l 처리용기 내에 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정과, 제2 기간에 제2 기판이 수용된 제2 처리용기 내에 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정을 구비하고 있다.

상기 제1 처리용기 내에 공급되는 용매증기와 상기 제2 처리용기 내에 공급되는 용매증기는 공통의 용매증기 공급원으로부터 공급된다. 이 방법은 상기 제1 기간 중에 상기 제1 처리용기내의 압력을 조정하는 공정과, 상기 제2 기간 중에 상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 더 구비하고 있다. 상기 제1 처리용기 내의 압력 조정하는 공정은 제1 가변 트로틀밸브의 개방도를 조절하는 것으로써 행하여지고, 상기 제l 가변 트로틀밸브은 상기 제1 처리용기에 상기 용매증기를 공 급하는 제1 용매증기 공급관로, 혹은 상기 제1 처리용기로부터 상기 용매증기 및 상기 처리가스를 배출하는 제1 배출관로에 설치되어 있고, 상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은, 제2 가변 트로틀밸브의 개방도를 조절하는 것으로써 행하여지고, 상기 제2 가변 트로틀밸브는 상기 제2 처리용기에 상기 용매증기를 공급하는 제2 용매증기 공급관로, 혹은 상기 제2 처리용기로부터 상기 용매증기 및 상기 처리가스를 배출하는 제2 배출관로에 설치되어 있고, 상기 제l 기간의 일부만이 상기 제2 기간과 중복하고 있고, 상기 제1 및 제2 처리용기의 양쪽 모두에 상기 용매증기가 공급되고 있는 경우의 제1 가변 트로틀의 개방도는, 상기 제1 처리용기에 상기 용매증기가 공급되는 것과 동시에 상기 제2 처리용기에 상기 용매증기가 공급되지 않는 경우의 제1 가변 트로틀의 개방도와 다르다.

바람직한 일실시 형태에 대해서는, 상기 제1 가변 트로틀이 상기 제1 배출관로에 설치되고,상기 제2 가변 트로틀이 상기 제2 배출관로에 설치된다.

또, 상기 제1 배출관로에 상기 제1 가변 트로틀과 병렬로 제1 릴리프밸브를 설치하고, 상기 제2 배출관로에 상기 제2 가변 트로틀과 병렬로 제2 릴리프 밸브를 설치할 수 있다. 이 경우, 이 기판처리방법은 상기 제1 기간보다 전에 상기 제l 처리용기에 용매증기를 공급하지 않고 처리가스를 공급하는 공정과, 상기 제2 기간보다 전에 상기 제2 처리용기에 용매증기를 공급하지 않고 처리가스를 공급하는 공정과, 상기 제1 기간보다 전에 상기 처리가스가 상기 제1 처리용기에 공급되고 있을 때, 상기 제1 릴리프 밸브를 이용해 상기 제1 처리용기 내 압력을 조정하는 공정과, 상기 제2 기간보다 전에 상기 처리가스가 상기 제2 처리용기에 공급되고 있을 때, 상기 제2 릴리프 밸브를 이용해 상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 더 구비할 수 있다.

상기 제1 가변 트로틀이 상기 제1 배출관로에 설치되어 상기 제2 가변 트로틀이 상기 제2 배출관로에 설치되는 경우, 상기 제1 배출관로에 상기 제1 가변 트로틀과 직렬로 제1 개폐밸브를 더 설치하고, 상기 제2 배출관로에 상기 제2 가변 트로틀과 직렬로 제2 개폐밸브를 설치할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 기간 중에 상기 제1 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은 상기 제1 개폐밸브의 개폐를 반복하는 공정을 포함하고, 상기 제2 기간 중에 상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은 상기 제2 개폐밸브의 개폐를 반복하는 공정을 포함할 수 있다.

본 발명은, 또한 기판이 수용된 처리용기 내에 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정과, 상기 처리용기내의 압력을 조정하는 공정과를 구비하고, 상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은 가변 트로틀밸브의 개방도를 조정하는 공정과, 개폐밸브의 개폐를 반복하는 공정을 포함하고, 상기 가변 트로틀밸브 및 상기 개폐밸브는 상기 처리용기에 접속된 배출관로에 직렬로 설치되어 있는 기판처리방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 제1 기간에 기판이 수용된 처리용기 내에 처리가스를 공급하는 공정과, 제1 기간 뒤의 제2 기간에 상기 처리용기 내에 상기 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정과, 상기 제1 기간에 릴리프 밸브를 이용해 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정과, 상기 제2 기간에 가변 트로틀밸브의 개방도를 조정하는 것으로써 상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 갖추어 상기 릴리프밸브 및 상기 가변 트로틀밸브는 상기 처리용기에 접속된 배출관로에 병렬로 설치되어 있는 기판처리방법을 제공한다.

상기 제2 기간에 상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은 상기 가변 트로틀밸브의 개방도를 조정하는 것에 추가해 개폐밸브의 개폐를 반복하는 것에 의해 행할 수 있다. 이 경우, 상기 개폐밸브는 상기 가변 트로틀밸브와 직렬로 상기 배출관로에 설치된다.

이하에서는 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 기판처리장치를 포함한 기판처리시스템의 개략 평면도이고, 도 2는 개략 측면도이다.

기판처리시스템(1)은 주로 피처리체 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)(이하, 웨이퍼(W)라고 한다)에 소정의 처리를 가하는 처리부(2)와, 이 처리부(2)에 웨이퍼(W)를 반입 반출하는 반입출부(3)로 구성되어 있다.

반입출부(3)은 웨이퍼 캐리어(C)가 재치되는 재치대(6)이 설치된 인아웃포트(4)와 재치대(6)에 재치된 캐리어(C)와 처리부(2)와의 사이에 웨이퍼의 수수를 실시하는 웨이퍼 반송 장치 (7)가 구비된 웨이퍼 반송부(5)로 구성되어 있다.

웨이퍼 캐리어(C)에는 처리 전 및 처리 후의 복수매 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)가 수납된다.

웨이퍼캐리어(C)의 측면에는 개구가 설치되어 있고, 이 개구에는 덮개가 설 치되어 있다. 덮개를 열면 웨이퍼 캐리어(C)내의 웨이퍼(W)에 액세스가 가능해지는 웨이퍼 캐리어(C)의 내벽에는 웨이퍼(W)를 소정간격으로 보지하기 위한 선반용 판자가 설치되어 있고, 이 선반용 판자에 의해 웨이퍼(W)를 수용하는 25의 슬롯이 형성되고 있다. 웨이퍼(W)는 반도체 디바이스가 형성되는 면이 위를 향한 상태로 각 슬롯에 1매씩 수용된다.

인·아웃포트(4)의 재치대(6)에는 복수 예를 들면 3개의 웨이퍼캐리어(C)를 수평방향(Y방향)으로 늘어놓아 재치할 수가 있다. 웨이퍼캐리어(C)는 덮개가 설치된 측면을 인·아웃포트(4)와 웨이퍼 반송부(5)를 나누는 칸막이벽(8)을 향한 상태로 재치대(6)에 재치된다. 웨이퍼캐리어(C)의 재치 위치에 대응하는 위치에 있어, 칸막이벽(8)에는 창(9)이 형성되어 있다. 창(9)의 웨이퍼 반송부(5)측은 개폐 가능한 셔터(10)가 설치되어 있다.

웨이퍼 반송부(5)에 배설된 웨이퍼 반송장치(7)의 본체 부분은 수평 방향(Y향) 및 연직 방향(Z방향)으로 이동이 자유롭고, 한편 수평면(X-Y평면내에서 회전(θ방향)이 자유롭다. 웨이퍼 반송장치(7)은, 웨이퍼(W)를 파지하는 취출수납암(11)을 갖고, 이 취출수납암(11)은 수평 방향(도 1의 상태에서는 X 방향)으로 이동이 자유롭다. 따라서, 웨이퍼 반송장치(7)은 재치대(6)에 재치된 모든 웨이퍼캐리어(C)의 임의의 높이의 슬롯에 액세스하고, 또, 처리부(2)에 배설된 상하 2대의 웨이퍼 수수유니트(16, 17)에 액세스해서, 인·아웃포트(4)와 처리부(2)와의 사이에 웨이퍼(W)를 반송할 수가 있다.

처리부(2)는 주웨이퍼 반송장치(l8)와 상기 웨이퍼 수수유니트(16, 17)과 기 판세정유니트(12,13,14,15)와, 본 발명과 관련되는 기판처리장치의 주요부를 이루는 기판처리유니트(23a~23h)와를 구비하고 있다. 웨이퍼반송부(5)의 웨이퍼 반송장치(7)과 주웨이퍼 반송장치(18)과의 사이에 웨이퍼(W)의 인수인도가 행하여질 때에, 웨이퍼 수수유니트(16, 17)에 웨이퍼(W)가 일시적으로 재치된다.

처리부(2)에는 기판처리유니트(23a~23h)에 공급되는 처리가스로서의 오존가스를 발생시키는 오존가스 발생장치(24)와 기판세정유니트(12~15)에 공급되는 처리액을 저장하는 약액저장유니트(25)가 배설되어 있는 처리부(2)의 천정부에는, 각 유니트 및 주웨이퍼 반송장치(18)에, 청정한 공기를 다운 플로우하기 위한 팬필터유니트(FFU)(26)가 배설되어 있다.

팬필터유니트(FFU)(26)로부터의 다운 플로우의 일부는 웨이퍼 수수유니트(16, 17)내와, 그들 상부 공간을 지나, 웨이퍼반송부(5)를 향해 유출한다. 이것에 의해, 웨이퍼 반송부(5)로부터 처리부(2)에의 파티클 등의 오염물질의 침입이 방지되어 처리부(2)내가 청정하게 유지된다.

웨이퍼 수수유니트(16,17)은 상하로 적층 배치되어 있다. 하측의 웨이퍼 수수유니트(17)은 인·아웃포트(4)측에서 처리부(2)측으로 반송되는 웨이퍼(W)를 일시적으로 재치하기 위해서 이용되고, 상측의 웨이퍼 수수유니트(16)은 처리부(2)측에서 인·아웃포트(4)측으로 반송되는 웨이퍼(W)를 일시적으로 재치하기 위해서 이용된다.

주웨이퍼 반송장치(l8)의 본체 부분은 수평 방향(X방향)과 연직 방향(Z방향)으로 이동이 가능하고, 수평면(X-Y평면) 내에서 도시하지 않는 모터에 의해 회전( θ방향)이 가능하다. 또, 주웨이퍼 반송장치(18)는 웨이퍼(W)를 보지하는 반송암(18a)을 구비하고, 이 반송암(18a)은 수평 방향(도 1의 상태에서는 Y방향)으로 이동이 자유롭다. 따라서, 주웨이퍼 반송장치(18)은, 웨이퍼 수수유니트(l6, 17), 기판세정유니트(12~15) 및 기판처리유니트(23a~23h)의 모두에 액세스가 가능하다.

각 기판세정처리유니트(12,13,14,15)에 대해서는, 기판처리유니트(23a ~ 23h)에 있어서, 레지스트의 수용화 처리가 실시된 웨이퍼(W)에 대해서 세정처리 및 건조처리가 행하여 진다.

기판세정처리유니트(12, 13, 14, 15)에서는, 필요에 따라서 약액 세정 처리 및 건조 처리도 실시할 수 있다.

기판세정처리유니트(12, 13)과 기판세정처리유니트(14, 15)와는, 간막이벽(27)에 관해서 대칭인 구조를 가지고 있지만, 그것을 제하면 각 기판세정처리유니트(12, 13, 14, 15)는 대체로 동일한 구조로 되어 있다.

기판처리유니트(23a ~ 23h)는 웨이퍼(W) 표면에 도포되어 있는 레지스트의 수용화 처리를 실시하는 것이다. 수용화 처리라는 것은 소수성인 물에 불용성의 레지트막을 수용성의 막으로 변질시키는 처리이다. 기판처리유니트(23a ~ 23h)는 칸막이벽(28)을 사이에 두어 좌우에 4대씩 상하 방향으로 쌓여 있다. 벽(28)의 좌측에는 위로부터 순서대로 기판처리유니트(23a, 23b, 23c, 23 d)가 배설되어 있고, 벽(28)의 우측에는 위로부터 순서대로 기판처리유니트(23e, 23f, 3g, 23h)가 배설되어 있다. 좌측의 유니트(23a, 23b, 23c, 23d)와 우측의 유니트(23e, 23f, 23g, 23h)는, 칸막이 벽(28)에 관해서 대칭인 구조를 가지고 있지만, 그것을 제외하면 좌측의 유니트와 우측의 유니트와는 동일한 구조로 되어 있다.

이하에서는 기판처리유니트의 구조를 유니트(23a, 23b)를 예를 들어서 상세히 설명한다.

도 3은 기판처리유니트(23a, 23b)에 관련하는 배관을 나타내는 계통도이고, 본 발명과 관련되는 기판처리장치의 계통도이기도 하다. 기판처리유니트(23a, 23b)에는, 처리용기(30A, 30 B)가 각각 설치되어 있다. 처리용기(30A, 30B)는, 각각 용매증기 공급관로(40) (40A, 40B)(이하「주공급관로)라고 한다)를 개입시켜, 양처리용기(30A, 30B)로 공용되는 단일의 용매증기 공급원인 증기발생장치(41)가 접속되어 있다. 주공급관로(40)(40A, 40B)에는, 처리용기(30A, 30B)내의 압력을 조정하기 위한 기기, 예를 들면 가변 트로틀밸브(50)(50A, 50B)가 개설되어 있다.

가변 트로틀밸브(50)는 도 4에 나타내듯이, 증기발생장치(41)측 관로에 접속되는 공급포트(51)와, 하단에 설치되는 처리용기(30A, 30B)측 관로에 접속되는 토출포트(52)와 공급포트(51)과 토출포트(52)를 연통하는 통로(53)과, 통로(53)의 상방측으로 개방하는 구멍(54)을 가지는 밸브본체(50a)를 가진다. 구멍(54)에는 밸브체(57)가 상하 운동이 자유롭도록 끼워서 결합되어 있다. 밸브체(57)의 하면(55)은, 연통로(53)에 설치된 벨브착지(56)에 착지가 가능하다. 밸브체(57)의 외주면과 밸브본체(50)의 내주면은 다이어프램(58)에 의해 연결되어 있다. 밸브체(57)에 설치된 암나사구멍(57a)에는, 서보모터(59)에 의해 정역회전 가능한 수나사축(59a)이 나사 결합되어 있다.

서보모터(59)를 구동하는 것에 의해 가변 트로틀밸브(50)의 밸브 개방도가 조정되고, 주공급관로(40)을 개입시켜 처리용기(30A, 30B)내에 공급되는 수증기의 공급량이 조정된다. 처리용기(30A, 30B내)의 압력은, 처리용기 내에 공급되는 오존가스와 수증기의 유량에 의해 변화하기 때문에, 가변 트로틀밸브(50)의 밸브 개방도를 조정함에 의해 처리용기 내의 압력을 조정할 수가 있다.

또, 주공급관로(40)에 있어서의 가변 트로틀밸브(50)의 하류측(2차측)에는,공급절환수단(60) (60A, 60B)을 개입시켜, 처리가스 공급원인 오존가스 발생장치(42)와 공기 공급원(43)이 접속되어 있다. 공급절환수단(60)은, 주공급관로(40)를 연통·차단하는 제1 절환밸브(개폐밸브) (61)와 오존가스 공급관로(44)를 연통·차단하는 제2 절환밸브(개폐밸브)(62)와 공기공급관로(45)를 연통·차단하는 제3 절환밸브(개폐밸브)(63)를 구비하고 있다. 또, 공기공급관로(45)에는, 대유량용 트로틀(46a)과 소유량용 트로틀(46b)를 절환 가능한 유량절환밸브(46)와 개폐밸브(V1)가 개설되어 있다.

오존가스 발생장치(42)는, 도 5에 나타내듯이 원료 가스인 산소(O2)를 고주파 전원(42a)로부터 고주파 전압이 인가되는 방전 전극(42b, 42c)간 통과시키는 것으로, 오존(O3)을 생성하고 있다. 고주파 전원(42a)와 방전전극(42b, 42c)를 접속하는 전기회로(42d)에는, 스위치(42e)가 개설되어 있다. 스위치(42e)는, 이 기판처리시스템의 전체의 동작을 제어하는 시템콘트롤러(도시하지 않음)로부터의 제어 신호에 기초해서 제어된다.

다시 한번 도 3을 참조하면, 주공급관로(40)에 있어서의 가변 트로틀밸브(50)와 공급절환수단(60)과의 사이에는 압력계(47)가 배설되어 있다. 또, 증기발생장치(41)에는 개폐밸브(V2)가 개설된 순수공급관로(48)를 개입시켜서 순수공급원(49)이 접속되어 있다. 순수공급관로 (48)에 있어서의 개폐밸브(V2)의 하류측(2차측)에는 분기관로(70)를 개입시켜 공기공급원 (43)이 접속되어 있다.

분기관로(70)에는 개폐밸브(V3)가 개설되어 있다. 양개폐밸브(V2, V3)는 열린 상태와 닫힌 상태를 취할 수 있다. 또, 증기발생장치(41)의 하부에는, 개폐밸브(V3)와 연동하는 드레인밸브(DV)가 개설된 드레인관로(71)가 접속되어 있고, 이 드레인관로(71)을 개입시켜 증기발생장치(41) 내에 잔류하는 순수를 외부에 배출할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 증기발생장치(41)의 상부에는, 드레인관로(71)에 접속된 순수배출관로(72)가 접속되어 있다. 이 순수배출관로(72)에는, 개폐밸브(V4)가 개설됨과 동시에, 이 개폐밸브 V4의 상류측(일차측)과 하류측(2차측)에 분기관로(73)가 접속되고, 이 분기관로(73)에 릴리프 밸브(RV1)가 개설되어 있다.

처리용기(30A, 30B)의 주공급관로(40)의 접속부위와 반대측에는, 배출관로 80 (80A, 80B)가 접속되어 있다. 배출관로(80)는 릴리프 밸브(RV)를 개입시켜, 기판처리유니트(23a, 23b)에 설치된 배출구(81)(EXHUST)에 접속되어 있다.

배출관로(80)의 릴리프 밸브(RV2)의 상류측(일차측)에는 분기 배출관로(82)가 접속되어 있고, 이 분기 배출관로(82)에는 배기절환수단(90)(90A, 90B)이 개설되어 있다. 배기절환수단(90)은, 통상에서는 폐쇄상태를 유지함과 함께 긴급시에 개방하는 제1 배기절환밸브(개폐밸브)(91)와 개방시에 소유량으로 배기를 흘릴 수 가 있는 제2 배기절환밸브(소구경의 교축부를 갖는 개폐밸브)(92)와 개방시에 대유량으로 배기를 흘릴 수 있는 제3 배기절환밸브(대구경의 교축부를 갖는 개폐밸브)(93)를 구비하고 있다. 이 배기절환수단(90)에서 제1 배기절환밸브(91)의 하류측(2차측)은 비상 배출구(83) (EMERGECY EXHAUST)에 접속된 비상 배출관로(84)에 접속되어 있다. 또 제2 및 제3의 배기절환밸브(92, 93)는 배출구(81) (EXHAUST)에 접속되어 배출관로(80a)에 접속되어 있다. 또, 배출구(81) 및 비상배출구(83)에는, 배출된 처리 유체를 오존 가스를 포함한 기체와 액체와로 분리하는 냉각수단 및 미스트트랩(모두 도시하지 않음)과, 분리된 오존 가스를 산소로 열분해하는 오존 킬러(도시하지 않음)가 접속되고 있다.

다음에, 처리용기(30A, 30B)에 대해서 설명한다. 처리용기(30A)는 도 6 및 도 8에 나타내듯이, 용기본체(32)와 덮개(34)를 가진다. 용기본체(32)에는 웨이퍼(W)가 재치되는 지지융기(31)이 설치되어 있다. 덮개(34)에는 지지부재(33)가 설치되어 있고, 지지부재는 주웨이퍼 반송장치(18)에 의해 반송되어 온 웨이퍼(W)를 받는다. 덮개(34)는 실린더(35)를 구동하는 것에 의해 상하로 움직일 수 있다. 주웨이퍼 반송장치(18)과 지지부재(33)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 인수인도가 행해질 때에는 용기본체(32)로부터 덮개(34)가 떨어지고, 처리중은 용기본체(32)에 대해서 덮개(34)가 밀봉 결합한다. 또, 처리용기(30A)는, 용기본체(32) 및 덮개(34)에 각각 매설되는 히터(36a, 36b)를 구비하고 있고, 이들 히터(36a, 36b)에 의해 처리용기(30A) 내가 소정 온도로 유지되도록 되어 있다. 또, 소망한 온도 콘트롤이 가능하면, 용기본체(32)만에 히터(36a)를 설치해도 좋 다. 또, 용기본체(32)와 덮개(34)와는 락기구(121)에 의해 밀폐 상태가 유지되게 되어 있다. 또, 처리용기(30A)에는 리크센서(39a)가 장착되어 처리용기(30A) 내의 처리유체의 누설을 감시할 수 있게 되어 있다.

도 9 및 도 10에 나타내듯이, 덮개(34)는, 히터(36b)가 매설된 P장의 기체(34a)의 아래쪽 면의 대향하는 2 곳에, 수직되는 한쌍의 지지부재(33)를 구비하고 있다. 지지부재(33)은 도 7에 나타내듯이, 수직부분(33a)와 이 수직부분(33a)의 하단에서 안쪽으로 연장된 수평부분 (33b)을 가지는 단면이 약 L자 모양으로 되어 있다. 수평편(33b)의 첨단(33c)는 후술하는 지지융기(31)에 따라서 만곡되어 있다. 수평편(33b)의 첨단부 상면에는 웨이퍼(W)의 엣지부를 재치하는 단부(33d)가 형성되어 있다.

상기 용기본체(32)는, 도 6, 도 8 및 도 10에 나타내듯이, 히터(36a)가 매설된 원반상의 베이스(32a)를 가진다. 베이스(32a)의 상면에는, 웨이퍼(W) 보다 약간 소경의 원형 지지융기(31)가 돌출되어 있다. 베이스(32a)의 주연부로부터 원주벽(32b)이 일어서 있고, 원주벽(32b)의 상면의 높이는 지지융기(31)의 상면의 높이부터 높다. 원주벽(32b)와 지지융기(31)과의 사이에는 원주홈(32c)이 형성되어 있다. 원주홈(32c)에 대향하는 2 곳에는, 지지부재 (33)를 수납하는 요부(32d)가 형성되어 있다. 원주벽(32b)의 상면에는, 동심원상으로 설치된 2중의 주홈(32e)이 형성되어 있고, 이들 주홈(32e) 내에는 O링(32f)이 수용되어 있다.

또, 원주벽(32b)에는, 2개의 요부(32d)가 설치되어 있는 위치로부터 90도 어긋난 위치에, 주공급관로(40)가 접속된 공급구(37) 및 배출관로(80)에 접속된 배출 구(38)이 각각 설치되어 있다(도 10 참조). 공급구(37)은 도 11에 나타내듯이, 홈(32c)의 상부에 설치되어 있다. 배출구(38)은 도 12에 나타내듯이, 홈(32c)의 저부에 설치되어 있다. 이와 같이, 공급구(37)를 홈(32c)의 상부에 마련하고 배출구(38)를 홈(32c)의 저부에 마련하는 것으로 공급구(37)로부터 공급되는 처리유체 즉 오존가스와 수증기의 혼합유체를 처리용기(30A) 내, 즉 용기본체(32)와 덮개(34)와의 사이의 공간(39) 내에 괴지 않고 원활히 공급할 수가 있다. 또, 처리후에 처리용기(30A)내의 처리유체를 배출하는 경우에는, 처리용기(30A) 내의 처리유체를 잔존시키는 일이 없이 배출할 수 있다. 또, 도면에서는 공급구(37)가 1개만 설치되고 있지만, 공급구(37)를 복수 설치해도 좋다.

실린더(35)는 도 6, 도 8 및 도 13에 나타내듯이, 실린더 본체(35a)와 이 실린더 본체(35a)로부터 하부로 연장되는 덮개(34)의 표면에 고정되는 피스톤롯드(35b)를 가진다. 구형의 고정반(l00) (도 13 참조)에 세워 설치된 4개 지주(l01)의 상단에 천판(103)이 가설되고 있고, 천판(103)은 볼트(102)에 의해 지주(101)에 고정되어 있다. 상기 실린더 본체(35a)는 천판(103)의 하면에 수직으로 고정되어 있다. 피스톤롯드(35b)를 줄이면, 덮개(34)가 상승해서 용기본체(32)로부터 떨어진다. 또, 피스톤롯드(35b)를 펴면, 덮개(34)가 하강해서 용기본체(32)의 원주벽(32b)의 상면에 맞닿아 O링(32f)와 밀봉 결합한다.

다음에, 락기구(120)에 대해서, 도 8및 도 13을 참조해 설명한다. 용기본체(32)의 베이스(32a)의 하면 중심에서 하부로 돌출하는 지지축(104)에 베어링(l05)를 개입시켜 회전통(106)이 회전이 자유롭게 장착되어 있다. 회전통(106)은 로터리액츄에이터(107)에 의해 정역회전이 가능하다. 회전통(106)의 외주로부터 원판(108)이 수평 방향으로 연장되어 있고, 원판(108)의 주연부에는 12개의 브라켓(109)이 세워 설치되어 있다. 각 브라켓(109)의 하부에서 반경방향 내측으로 향해서 하부 수평축(110)이 돌설되어 있고, 하부 수평축(110)에는 하부결합 롤러(112)가 회전이 자유롭게 장착되어 있다. 하부 결합 롤러(112)는 베이스(32a)의 외주면에 돌설된 하부결합편(111)의 하면에 결합이 가능하다. 각 브라켓(109)의 상부에서 반경 방향 내측으로 향해 상부 수평축(110)이 돌설되어 있고, 상부 수평축(110)에는 상부 결합 롤러(112)가 회전이 자유롭게 장착되어 있다. 상부 결합 롤러(112)는 덮개(34)의 외주면에 돌설된 상부 결합편(114)의 상면에 결합 가능하다. 하부 결합편(111)은 베이스 (32a)의 외주를 따라 연속적으로 형성되는 도너츠 형상의 부재이다. 또, 상부 결합편(l14)는 덮개(34)의 외주를 따라 단속적으로 형성되고 있고, 인접하는 상부 결합편(114) 끼리의 사이는, 상부 결합 롤러(115)의 지름 보다 약간 큰 치수의 절결부(116)가 설치되어 있다. 또, 상부 결합편(114)의 표면에는, 절결부(116)의 일단(도 13(b)에서 좌측)으로부터 오름 구배의 경사면(117)과 이 경사면(117)의 상단에 이어진 평탄면(118)이 형성되어 있다.(도 13(b) 참조).

상기와 같이 구성되는 락기구(120)에 의하면, 용기본체(32)에 대해서 덮개(34)가 맞닿은 상태로, 로터리 액츄에이터(107)에 의해 회전통(106) 및 암(108)이 회전하면, 하부 결합 롤러(112)는 하부 결합편(111)의 하면을 움직이고, 상부 결합 롤러(115)는 상부 결합편(l14)의 경사면(117)을 움직여서 평탄면(l18)에 이른다. 즉, 쌍을 이루는 12조의 하부 결합 롤러(112) 및 상부 결합 롤러(115)가 용기본체(32)의 베이스(32a)에 돌설된 하부 결합편(111)과 덮개(34)에 돌설된 상부 결합편(114)을 협지해서 용기본체(32)와 덮개(34)를 고정한다. 이 때, O링(32f)이 압축되어 용기본체(32)에 덮개(34)가 밀봉된다.

락을 해제하는 경우는, 로터리 액츄에이터(107)를 역방향으로 회전시켜서, 각 조의 하부 결합 롤러(112) 및 상부 결합 롤러(115)를 대기위치 즉 상부 결합 롤러(115)를 절취부(116) 내에 위치 시키면 좋다. 이 상태로에서 실린다(35)의 피스톤록드(35b)를 수축시키는 것에 의해, 덮개(34)는 용기본체(32)로부터 멀어진다.

다음에, 상기와 같이 구성된 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 공정을 설명한다. 우선, 인·아웃포트(4)의 재치대(6)에 재치된 캐리어(C)로부터 취출수납암(11)에 의해 한 장씩 웨이퍼(W)가 꺼내진다. 취출수납암(11)은 꺼낸 웨이퍼(W)를 웨이퍼 수수유니트(17)에 반송한다. 다음에 주웨이퍼 반송장치(18)가 웨이퍼 수수유니트(17)로부터 웨이퍼(W)를 받는다. 주웨이퍼 반송장치(18)은 받은 웨이퍼(W)를 소정의 기판처리유니트(23a ~ 23h)에 반입한다. 그리고 각 기판처리유니트(23a ~ 23h)에서 웨이퍼(W)의 표면에 도포되어 있는 레지스트가 수용화된다. 레지스트 수용화처리가 종료한 웨이퍼(W)는, 반송암(18a)에 의해 각 기판처리유니트(23a ~ 23h)로부터 반출된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반송암(18a)에 의해 기판세정유니트(12, l3, 14, 15)의 어느 쪽인가에 적정하게 반입되고, 웨이퍼(W)에 부착하고 있는 수용화된 레지스트를 제거하는 세정처리가 순수등의 세정액을 이용해서 행아여 진다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 도포되어 있던 레지스트가 박리된다. 각 기판정유니트(12, 13, l4, 15)에서는, 웨이퍼(W)에 대해서 세정 처리를 가한 후, 필요에 따라서 약액을 이용해 파티클 및 금속 오염물질의 제거 처리가 행하여 지고, 건조 처리를 한다. 그 후, 웨이퍼(W)는 다시 반송암(18a)에 의해서 수수유니트(l7)에 반송된다. 웨이퍼(W)는 수수유니트(17)로부터 취출수납암(11)에 의해 인수되고, 취출수납암(11)에 의해 캐리어(C)에 수납된다.

다음에, 기판처리유니트(23a ~ 23h)의 동작에 대해서 기판처리유니트(23a) 즉 처리용기(30 A)를 이용하는 경우를 예로서 설명한다. 우선, 용기본체(32)로부터 덮개(34)를 떼어 놓은 상태로, 웨이퍼(W)를 보지한 주웨이퍼 반송장치(118)의 반송암(18a)를 덮개(34)의 하방으로 이동시켜, 덮개(34)의 지지부재(33)에 웨이퍼(W)를 건네준다. 다음에, 실린더(35)를 구동해 덮개(34)를 하강시켜 덮개(34)를 용기본체(32)를 향해 이동시킨다. 이 과정에서 지지부재 (33)가 용기본체(32)의 요부(32d) 내에 진입 함과 동시에, 지지부재(33)에 지지된 웨이퍼(W)는 용기본체(32)의 지지융기(31)에 재치되는 것과 동시에 지지부재(33)으로부터 떨어진다.

웨이퍼(W)가 지지융기(31)에 재치된 후, 더욱 덮개(34)를 하강시키면, 덮개(34)가 용기본체(32)의 원주벽(32b)의 상면에 당접 함과 동시에 O링(32f)이 압축되고, 이것에 의해 처리용기(30A)가 밀폐된다.

처리용기(30A)를 밀폐한 상태에서, 히터(36a, 36b)를 작동시키고, 처리용기(30A) 내의 분위기온도 및 웨이퍼(W)의 온도를 상승시킨다. 다음에, 공급절환수단 60 (60A)의 제2 절환 밸브(62)를 열어 오존가스 발생장치(42)로부터 오존가스 공급관로(44)를 개입시켜 처리용기(30A)에 소정 온도의 오존가스를 공급한다. 그리고, 처리용기(30A) 내를 오존가스 분위기로함과 함께, 처리용기(30A) 내의 압 력을 대기압보다 높은 압력, 예를 들면 게이지압 0.2 MPa 정도로 유지한다. 히터(36a, 36b)에 의해, 처리용기(30A) 내의 분위기 온도 및 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도로 유지된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 레지스트 수용화 처리를 촉진시킬 수가 있다. 처리용기(30A) 내로부터 배출관로 80 (80A)를 개입시켜 배출된 유체는 미스트 트랩(도시하지 않음)으로 인도된다.

그 후, 공급 절환 수단 60 (60A)의 제1 및 제2 절환 밸브(61, 62)를 연 상태로서 처리용기(30A) 내에 오존가스 및 수증기를 동시에 공급하여 웨이퍼(W)의 수용화 처리를 실시한다. 이 때, 가변 트로틀밸브 50 (50A)의 개방도를 조정 하는 것에 의해 수증기의 공급량이 조정되는 것과 동시에, 처리용기(30A) 내 압력이 소정압으로 조정된다. 배출관로 80 (80A)에 개설된 배기절환수단 90 (90A)의 제3 배기 절환밸브(93)를 열린 상태로 하고, 처리용기(30A) 내를 배기하면서, 오존 가스와 수증기를 동시에 공급한다. 증기발생장치(41)에서 발생한 수증기는 도시하지 않는 온도조절기에 의해서 소정 온도, 예를 들면 약 l15℃ 정도로 온도조절되면서 주공급관로 40 (40A)를 통과해 공급 절환 수단 60 (6A)에서 오존가스와 혼합되고 처리용기(30A) 내에 공급된다. 이 경우도, 처리용기(30A) 내의 압력은, 대기압보다 높은 압력, 예를 들면 게이지압 0.2 MPa 정도로 유지되어 있다. 또, 히터(36a, 36b)에 의해, 처리용기(30A)의 분위기 온도 및 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도에 유지된다. 이와 같이 해서 처리용기(30A) 내를 채우는 오존가스와 수증기의 혼합 유체에 의해 웨이퍼(W)의 겉에 도포된 레지스트를 산화시켜 수용성으로 한다. 또, 지지부재(33)가 용기본체(32)에 설치된 요부(32d) 내에 수납되므로, 처리용기(30A) 내의 처리공간 즉 용기본체(32)와 덮개(34)와의 사이에 형성되는 공간(39)의 용적을 매우 작게 할 수 있다. 따라서, 처리용기(30A) 내의 압력 제어(특히 승압) 및 온도제어(특히 온도상승)를 신속히 실시할 수가 있다. 또, 처리 유체(오존가스 및 수증기)의 소비량을 저감 할 수가 있다. 또, 처리용기(30A)와 기판처리유니트의 소형화를 꾀할 수 있다.

레지스트 수용화 처리중은 주공급관로 40 (40A)으로부터 혼합 처리 유체의 공급을 계속하면서, 배출관로 80 (80A)로부터 혼합 처리 유체의 배출을 계속한다. 이 때, 주공급관로(40A)에 접속된 공급구(37)은 웨이퍼(W)의 상면측에 혼합처리유체를 토출하고, 또, 배출관로(80A)에 접속된 배출구(38)이 공급구(37)의 반대 위치인 웨이퍼(W)의 하부로부터 혼합 처리 유체를 배출한다(도 l1 및 도 12 참조). 따라서, 웨이퍼(W) 상면의 윗쪽에 있는 혼합 처리 유체는 웨이퍼(W)의 상면과 덮개(34)와의 사이에 형성된 처리공간(39)를 배출구(38)로 향해 흐른다.

또, 웨이퍼(W)의 주위에 있는 혼합 처리 유체는, 웨이퍼(W)의 주연을 따라 배출구(38)로 향해 흐른다.

또, 주공급관로(40A)로부터 혼합 처리 유체의 공급을 멈춤과 동시에, 배출관로(80A)로부터의 배출을 막아, 처리용기(30A) 내의 압력을 일정에 유지하면서 처리용기(30A) 내를 채우는 혼합 처리 유체에 의해 웨이퍼(W)의 레지스트 수용화 처리를 실시해도 좋다. 공급절환수단(60A)의 각 절환밸브와 배기절환수단(90A)의 각 절환 밸브가 폐쇄된다. 레지스트 수용화 처리가 종료한 후, 처리용기(30A)로부터 오존가스 및 수증기로 된 혼합 처리 유체를 배출한다. 이 때, 공급 절환 수단(60A)에 대응하는 유량절환밸브(46)를 대유량부(46a) 측으로 절환해서 공기 공급원(43)으로부터 대량의 청정화된 건조공기를 처리용기(30A)내로 공급함과 동시에, 배출관로(80A)의 배기절환수단(90A)의 제3 배기절환밸브(93)을 열린 상태로 한다. 그리고, 처리용기(30A) 내를 배기하면서 공기 공급원(43)으로부터 건조공기를 공급한다. 이것에 의해 주공급관로(40A), 처리용기(30A), 배출관로(80A) 안을 청정화된 건조공기에 의해서 퍼지 할 수가 있다. 배출된 혼합 처리 유체는 배출관로(80A)를 개입시켜 도시하지 않는 미스트 트랩(도시하지 않음)으로 배출된다.

그 후, 실린더(35)를 작동시키고 덮개(34)를 윗쪽에 이동시켜 용기본체(32)로부터 떼어 놓는다. 이 과정에서, 요부(32d) 내에 수납되어 있던 지지부재(33)가 지지융기(31)에 재치되고 있던 웨이퍼(W)를 들어 올려 그 곳으로부터 없앤다. 이 상태에서 주웨이퍼반송장치(l8)의 반송암(18a)를 덮개(34)의 하방으로 진입시켜, 반송암(18a)이 지지부재(33)에서 지지를 받고 있는 웨이퍼(W)를 받아, 그곳으로부터 옮겨간다..

다음에, 상술한 것처럼 처리용기(30A)에 수증기( 및 오존)가 공급되고 있는 동안(수용화 처리시)에, 처리용기(30B)에 수증기(및 오존)의 공급을 개시하는 경우의 양처리용기(30A, 30B)의 압력 조정에 대해서 설명한다. 또, 처리용기(30B)에의 수증기 공급 개시전 및 공급 종료후의 처리용기(30B)에의 유체(오존, 퍼지 공기 등 )의 공급 수순은 처리용기(30A)로 행해지는 수순과 동일하다.

처리용기(30A)에 접속된 주공급관로(40A)의 가변 트로틀밸브(50A)를 소정 개방도로 조정한 조정한 상태에서 처리용기(30A)에 수증기를 공급하고 있을 때에 처 리용기(30B)에도 수증기를 공급할 때에는 이하와 같이 한다.

처리용기(30B)가 온도 상승되어 처리용기(30B)에 이미 오존이 채워진 후, 처리용기(30B)에 접속된 주공급관로(40B)의 가변 트로틀밸브(50B)를 소정의 개방도로 조정하고, 이 상태에서 공급 절체 수단(60B)의 제2 절체밸브(62)를 열어, 처리용기(30B) 내에의 수증기의 공급을 개시한다.

처리용기(30B)에 접속하는 주공급관로(40B)에 개설된 절환밸브(61)가 개방 상태로 되어서 처리용기(30B)에의 수증기의 공급이 개시되면, 이미 수증기가 공급되어 있는 주공급관로(40A)에 개설된 가변 트로틀밸브(50A)의 개방도가 좁혀진다. 이것에 의해 처리용기(30A) 내의 급격한 압력 변동을 방지할 수가 있다. 또, 이 때 수증기 공급량이 감소하지만, 오존과 수증기의 공급 비율에는 소정의 허용범위가 있기 때문에, 수증기 공급량의 감소가 상기 허용 범위에 적합한 것이라면, 처리 결과에 악영향을 주는 것은 없다.

처리용기(30B) 내의 압력이 안정되면, 가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도가 동일하게 조정된다. 이것에 의해 양처리용기(30A, 30B)에는 서로 동일한 유량으로 수증기가 공급되고, 또 양처리용기(30A. 30B) 내의 압력은 서로 동일하게 유지된다.

가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도는 도시하지 않는 시스템 콘트롤러에 의해 조정된다. 이 시스템 콘트롤러에는 가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도 제어 데이터가 기억되어 있다. 이 제어 데이터라는 것은 예를 들면, 처리용기(30A)에서 처리를 행하고 있는 도주에 처리용기(30B)에서 처리를 개시할 때에, 양처리용기(30A, 30B)의 압력 변동을 최소한으로 억제하는 것이 양가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도의 경과시간 변화를 제어하는 데이터이다. 이 제어 데이터는 이 기판처리시스템을 이용해 미리 실험을 통해 구해진 것이다.

또, 처리중에 배출관로 80 (80A, 80B)에 개설된 배기전환수단 90 (90A, 90B)의 제2 및 제3의 배액절환밸브(92, 93)을 선택적으로 연 상태라고 해도 좋다. 이 절환에 의해서도, 처리용기(30A, 30B) 내의 압력을 조정 할 수가 있기 때문에, 처리용기(30A, 30B) 내의 압력 조정을 보다 정확하고 용이하게 실시할 수가 있다.

또, 상기 실시 형태에서는 2대의 처리용기(30A, 30B)에 1개의 증기발생장치(41)을 접속했을 경우에 대해서 설명했지만, 3대 이상의 복수의 처리용기에 1개의 증기발생장치(41)을 접속하는 것도 가능하다. 이 경우 가변 트로틀밸브(50) 개방도의 교축량 동시 처리에 사용하는 처리용기의 수에 따라 조정할 수 있다. 예를 들면, 3대의 처리용기를 동시에 사용하는 경우에는 가변 트로틀밸브(50)의 개방도를 l/3로 좁히고, 4대의 처리용기를 동시에 사용하는 경우는 가변 트로틀밸브(50)의 개방도를 1/4로 좁히도록 해도 괜찮다.

또, 상기 실시 형태에서는 처리용기 내의 압력을 조정하는 수단으로서 서보모터(59)를 이용한 전동식 가변 트로틀밸브(50)를 이용했지만, 이 것으로 한정되는 것이 아니고, 압력 조정 수단으로서는 유체 제어 기술의 분야에서 공지의 임의의 수단을 이용할 수가 있다. 또,본 명세서에 있어서의 「가변 트로틀밸브」는 단일체의 가변 트로틀밸브에 한정되는 것은 아니고, 매스플로우콘트롤러에 내장된 유량 제어 밸브와 같은 것도 포함된다.

또, 상기 실시 형태에서는 가변 트로틀밸브(50)의 개방도 조정을, 시스템 콘트롤러에 기억된 미리 결정되어 있는 개방도 제어 데이터에 기초해서 행하는 것으로 했지만, 이 것에 한정되지 않는다. 가변 트로틀밸브(50)의 개방도 조정은 실제의 처리용기(30A, 30B) 내의 압력을 검출해서 이 검출된 압력치에 기초해 피드백 제어에 의해 행하여져도 좋다. 즉, 도 14에 도시한 바와 같이, 처리용기(30A,30B) 내에 압력 검출 수단인 압력센서(200)를 배설하고, 처리중에 압력센서(200)에서 검출된 검출 신호를 콘트롤러 예를 들면 중앙연산처리장치(300)(CPU)에 전달해, CPU(300)로부터의 제어 신호를 가변 트로틀밸브(50)서보모터(59)에 전달해서, 가변 트로틀밸브(50)의 개방도 조정을 실시하도록 해도 좋다.

또, 도 14에서, 그 외의 부분은 상기 실시 형태와 동일하기 때문에 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.

다음에, 도 15를 참조해 본 발명의 다른 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 15에 나타낸 다른 실시예는 도 3에 나타내는 실시 형태에 대해서 이하의 점이 다르다.

(1) 증기발생장치(41)로부터 처리용기(30A, 30B)에 수증기를 공급하는 주증기공급관로 40 (40A, 40B)에서 가변 트로틀밸브 50 (50A, 50B)가 제외되고 그 대신에 제3 배기절환밸브(93)의 바로 하류측에 가변 트로틀밸브 50(50A, 50B)가 배치되어 있다.

(2) 증기발생장치(41)로부터 처리용기(30A, 30B)에 수증기를 공급하는 주증기공급관로 40 (40A, 40B)에서 압력계(47)가 제거되고 그 대신 배기관로(80)의 처 리용기(30A, 30B)의 바로 하류측에(릴리프 밸브 RV2 및 배기절환수단(90)의 상류측)에 압력계(47)가 배치되어 있다.

(3) 배기절환수단(90)의 제3 전절밸브(93)가, 트로틀 개폐밸브가 아니고, 통상의 개폐밸브가로 되어 있다.

(4) 주증기공급관로 40 (40A, 40B)에 고정오리피스(120)가 설치되어 있다. 고정 오리피스(120)를 설치하는 것에 의해, 증기발생장치(41) 내 압력은 상시 고압으로 유지되어 증기의 생성을 안정되게 행할 수가 있다.

도 15에 나타내는 그 외의 부분의 구성은 도 3에 나타내는 구성과 동일하기 때문에 중복설명은 생략 한다.

이어서, 작용에 대해서 설명한다. 처리용기(30A) 내에 웨이퍼(W)가 수용되면, 히터(36a, 36b)에 의해 처리용기(30A) 내의 분위기 온도 및 웨이퍼(W)의 온도를 상승시킨다. 다음에, 공급 절환수단 60 (60A)의 제2 절환밸브(62)를 열어 오존가스 발생장치(42)로부터 오존가스 공급관로(44)를 개입시켜 처리용기(30A)에 소정 농도의 오존가스를 공급한다. 이 때, 배기 절환수단 90 (90A)의 제1, 제2 및 제3 절환밸브(91,·92, 93)을 닫힌 상태로 하고, 릴리프 밸브(RV2)를 이용해 처리용기(30A) 내를 대기압보다 높은 압력, 예를 들면 게이지압 0.2 MPa정도로 유지한다. 처리용기(30A) 내에 오존가스 분위기가 확립된 후에도, 히타(36a, 36b)에 의해, 처리용기(30A) 내의 분위기 온도 및 웨이퍼(W)의 온도는 소정 온도로 유지된다.

그 후, 공급절환수단(60A)의 제1 및 제2 절환밸브(6l, 62)를 개방한 상태로 서 처리용기(30A) 내에 오존가스 및 수증기를 동시에 공급해, 웨이퍼(W)의 수용화 처리를 행한다. 이 때, 배기절환수단(90A)의 제 1 및 제2 절환밸브(91, 92)를 계속해 닫힌 상태로 하고, 제3 절환밸브(93)을 열린 상태로 한다. 그리고, 절환밸브(93)의 하류측에 설치된 가변 트로틀밸브(50A)의 개방도의 조정을 행함에 의해, 이 처리용기(30A) 내의 압력을 소정값, 예를 들면 대기압보다 높은 압력 예를 들면 게이지압 0.2 MPa 정도로 조정한다.

또, 복수의 처리용기(30A, 30B)에서 동시에 웨이퍼(W)의 수용화 처리를 행·경우에는, 이용하는 처리용기의 수에 따라, 가변 트로틀밸브(50A. 50B)의 개방도의조정을 행하면 좋다. 도 15의 실시 형태에 의하면, 처리용기(30A,30B)보다 하류측에 가변 트로틀밸브(50)가 설치되어 있기 때문에, 처리용기의 내압을 상승시키고 싶은 경우에는 가변 트로틀밸브(50)을 좁히면 좋다. 이 때문에, 처리용기내의 압력을 보다 용이하게 조정할 수 있다. 또, 전술한 실시 형태와 같이, 처리용기(30A)로 수용화 처리를 실시하고 있는 도중에 처리용기(30B)로 수용화 처리를 개시하는 경우에는, 처리용기(30B)에 수증기의 공급을 개시 할 경우에, 배출관로 (80A)의 가변 트로틀밸브(50)를 일시적으로 좁히고, 그 후, 양가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도를 서로 동일하게 조정 하는 것이 좋다. 이것에 의해 처리용기(30B)에 수증기의 공급이 개시한 직후의 처리용기(30A)내의 압력의 급격한 감소를 억제할 수가 있다. 이 경우 양가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도의 시간 경과에 따른 조정은, 앞에서 설명한 실시 형태와 같게, 미리 실험에 의해 요구된 제어 데이터에 기초해 행해도 좋고, 피드백 제어에 의해 행해도 좋다. 피드백 제어를 이용하는 경우에는, 도 l6에 도시한 바와 같이, 처리중에 압력계(47)에 검출된 검출 신호를 CPU(300; 콘트롤러)에 전달하고, CPU(300)로부터의 제어 신호를 가변 트로틀밸브(50)의 서포모타(59)에 전달해, 가변 트로틀밸브(50)의 개방도 조정을 행한다.

이상 설명한 공정 이외는, 도 3의 실시 형태에서 설명한 것과 같게 행하여 지면 좋다.

또, 수용화 처리시의 처리용기(30A)의 압력 조정을 배기절환수단(90A)의 제3 절환밸브 (93 ;개폐밸브)를 병용해서 행해도 괜찮다. 즉, 가변 트로틀밸브(50)을 적당한 개방도로 조정한 상태에서 배기절환수단(90A)의 절환밸브(93)의 개폐를 반복 실시하는 것에 의해, 처리용기(30A)의 압력 조정을 실시해도 괜찮다. 또, 같이 수용화 처리시의 처리용기(30B)의 압력 조정을 배기절환수단(90B)의 제3 절환밸브(93 ; 개폐밸브)을 병용해서 행해도 괜찮다. 즉, 가변 트로틀밸브(50B)를 적당한 개방도로 조정한 상태에서, 배기절환수단(90B)의 절환 밸브(93)의 개폐를 반복해 행함에 따라, 처리용기(30B)의 압력 조정을 실시해도 괜찮다. 밸브의 개방도 조정보다도 밸브의 개폐를 고속으로 실시할 수가 있기 때문에, 압력 조정 정밀도를 높게할 수 있다. 절환밸브(93)의 개폐 제어는, 도 16에 나타내는 구성에서 절환밸브 (93)도 CPU(300)에 의해 제어되도록 해, 압력계(47)의 검출값에 근거하는 피드백 제어에 의해 실시할 수가 있다. 그러나, 피드백 제어는 반드시 필요한 것은 아니고, 증기 발생원 (72) 내의 압력이 안정되어 있다면 미리 실험적으로 정해진 스케줄에 따라서 배기절환수단 90A (90B)의 절환밸브(93)의 개폐에 따라 처리용기 30A (30B) 내의 압력을 조절해도 괜찮다. 또, 가변 트로틀밸브 50A (50B)의 개방도 조정 및 배기절환수단 90A (90B)의 절환밸브(93)의 개폐를 동시에 실시하는 것으로 압력 조정을 실시해도 괜찮다.

또, 상기 실시 형태에서는, 본 발명을 반도체 웨이퍼에 형성된 레지스트막을 제거하는 기판처리유니트에 적용했을 경우에 대해서 설명했지만, 기판처리유니트는 에칭 처리를 실시하는 것이어도 괜찮고, 반도체 웨이퍼 이외의 기판 예를들면 LCD 기판을 처리하는 유니트여도 괜찮다. 또, 처리가스 및 용매증기는 오존 및 수증기의 조합으로 한정되는 것은 아니다.

본 발명에 의하면, 복수의 처리용기에 공통의 처리 유체 공급원으로부터 동시에 처리 유체를 공급했을 경우에도, 각 처리용기내의 압력 제어를 용이하고 확실하게 행할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공할 수 있다.

Claims

기판처리장치에 있어서,

각각의 내부에서 기판의 처리를 하는 복수의 처리용기와,

처리가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리용기에 각각 처리가스를 공급하는 처리가스 공급관로와,

용매증기 공급원으로부터 상기 복수의 처리용기에 각각 용매증기를 공급하는 용매증기 공급관로와,

상기 복수의 처리용기로부터 각각 상기 처리가스 및 상기 용매증기를 배출하는 복수의 배출관로와,

상기 복수의 처리용기의 내압을 조정하기 위한 복수의 기기를 구비하고,

상기 복수의 기기는 상기 각 용매증기 공급관로에 적어도 1개 설치되어 있거나, 혹은 상기 각 배출관로에 적어도 1개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,

상기 각 용매증기 공급관로에 상기 적어도 1개의 기기가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 2에 있어서,

상기 각 용매증기 공급관로에 설치된 상기 적어도 l개의 기기가 가변 트로틀밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 3에 있어서,

상기 복수의 용매증기 공급관로에 각각 설치된 복수의 개폐밸브에 있어서,

상기 각 처리용기에의 용매증기의 공급 및 공급 정지의 절환을 실시하는 개폐밸브와,

상기 복수의 개폐밸브 중의 하나의 개폐밸브가 열렸을 때에, 그때 이미 열린 상태로 되어 있는 개폐밸브가 설치되어 있는 용매증기 공급관로에 설치된 가변 트로틀밸브의 개방도를 조이도록 조정하는 콘트롤러를 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 2에 있어서,

상기 각 처리가스 공급관로는 상기 각 용매증기 공급관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기의 하류측에서 상기 각 용매증기 공급관로에 접속되고, 상기 처리가스는 상기 각 용매증기 공급관로를 개입시켜 상기 각 처리용기로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,

상기 각 배출관로에 상기 적어도 1개의 기기가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 6에 있어서,

상기 각 배출관로에 설치된 상기 적어도 l개의 기기가 가변 트로틀밸브인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 7에 있어서,

상기 각 배출관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기가 상기 가변 트로틀밸브와 병렬로 설치된 릴리프 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 7에 있어서,

상기 각 배출관로에 설치된 상기 적어도 1개의 기기가 상기 가변 트로틀밸브와 직렬로 설치된 개폐밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 7에 있어서,

각각이 상기 각 처리용기내의 압력 혹은 상기 각 처리용기내의 압력에 대응해서 변화하는 압력을 검출하는 복수의 압력센서와,

상기 압력센서의 검출 결과에 기초해서 상기 각 처리용기내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 각 가변 트로틀밸브의 개방도를 조절하는 콘트롤러를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 9에 있어서,

각각이 상기 각 처리용기내의 압력 혹은 상기 각 처리용기내의 압력에 대응해서 변화하는 압력을 검출하는 복수의 압력센서,

상기 압력센서의 검출 결과에 기초해서 상기 각 처리용기내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 개폐밸브의 개폐를 제어하는 콘트롤러를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 9에 있어서,

상기 용매증기 공급관로에 각각 설치된 복수의 개폐밸브에 있어서,

상기 처리용기에의 용매증기의 공급 및 공급 정지의 절환을 실시하는 개폐밸브와,

상기 용매증기 공급관로의 개폐밸브가 열렸을 때에, 열려있는 개폐밸브가 설치되어 있는 용매증기 공급관로에 접속된 처리용기에 접속되어 있는 배출관로의 개폐밸브를 반복 개폐시키는 것에 의해, 대응하는 처리용기의 내압을 소정치로 제어하는 콘트롤러를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 7에 있어서,

상기 용매증기 공급관로에 각각 설치된 복수의 개폐밸브에 있어서,

상기 처리용기에의 용매증기의 공급 및 공급 정지의 절환을 행하는 개폐밸브와,

상기 복수의 개폐밸브가 열렸을 때에, 배출관로에 설치되어 있는 가변 트로틀밸브의 개방도를 조이는 것에 의해, 복수의 처리용기의 내압을 소정치로 조정하는 콘트롤러를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 6에 있어서,

상기 각 용매증기 공급관로에 고정 트로틀이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 1에 있어서,

상기 각 처리용기는 기판지지부재를 갖는 용기본체와,

상기 용기본체에 밀봉 결합해 상기 처리용기 내에 처리 공간을 형성함과 동시에 상기 기판을 지지할 수 있는 기판지지부재를 갖는 덮개를 구비하고,

상기 덮개가 상기 용기본체에 결합하고 있는 경우에, 상기 기판이 상기 기판지지부재상에 재치됨과 동시에 상기 덮개의 기판지지부재가 상기 기판으로부터 멀어지도록 상기 덮개가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
기판처리장치에 있어서,

내부에서 제1 기판의 처리를 하는 제1 처리용기와,

내부에서 제2 기판의 처리를 하는 제2 처리용기와,

처리가스 공급원으로부터 상기 제1 처리용기에 처리가스를 공급하는 제l의 처리가스 공급관로와,

상기 처리가스 공급원으로부터 상기 제2 처리용기에 처리가스를 공급하는 제2 처리가스 공급관로와,

용매증기 공급원으로부터 상기 제l의 처리용기에 용매증기를 공급하는 제1 용매증기 공급관로와,

상기 용매증기 공급원으로부터 상기 제2 처리용기에 용매증기를 공급하는 제2 용매증기 공급관로와,

상기 제1 처리용기로부터 상기 처리가스 및 용매증기를 배출하는 제l 배출관로와,

상기 제2 처리용기로부터 상기 처리가스 및 용매증기를 배출하는 제2 배출관로와,

상기 제1 용매증기 공급관로에 설치된 제1 공급측 개폐밸브와,

상기 제2 용매증기 공급관로에 설치된 제2 공급측 개폐밸브와,

상기 제1 배출관로에 설치된 제1 가변 트로틀과,

상기 제2 배출관로에 설치된 제2 가변 트로틀과,

상기 제l 및 제2 공급측 개폐밸브의 양쪽 모두가 열린 상태인 경우와 상기 제1 공급측 개폐밸브가 열린 상태에 있고 상기 제2 공급측 개폐밸브가 닫힌 상태에 있는 경우에 상기 제1 가변 트로틀의 개방도가 다르도록 상기 제1 가변 트로틀의 개방도를 조절하는 콘트롤러를 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 16에 있어서,

상기 제1 가변 트로틀과 직렬로 상기 제1 배출관로에 설치된 제1 배출측 개폐밸브와,

상기 제2 가변 트로틀과 직렬로 상기 제2 배출관로에 설치된 제2 배출측 개폐밸브를 더 구비하고,

상기 콘트롤러는 상기 제1 처리용기내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 제1 배출측 개폐밸브의 개폐를 제어하고, 한편 상기 제2 처리용기내의 압력이 일정하게 유지되도록 상기 제2 배출측 개폐밸브의 개폐를 제어하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
청구항 16에 있어서,

상기 제l의 배기관로에 상기 제1 가변 트로틀과 병렬로 제1 릴리프 밸브가 설치되어 있고, 상기 제1 배기관로에 상기 제2 가변 트로틀과 병렬로 제2 릴리프 밸브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
기판처리장치에 있어서,

내부에서 기판을 처리를 하는 처리용기와,

상기 처리용기에 접속되고 처리가스 및 용매증기를 포함한 혼합 처리 유체를 상기 처리용기내에 공급하는 공급관로와,

상기 처리용기에 접속되고 상기 혼합 처리 유체를 상기 처리용기로부터 배출하는 배출관로와,

상기 배출관로에 직렬로 설치된 개폐밸브 및 가변 트로틀밸브와,

상기 처리용기내의 압력이 소정치로 되도록 상기 가변 트로틀밸브의 개방도 제어 및 상기 개폐밸브의 개폐 제어를 행하는 콘트롤러를 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
기판처리방법에 있어서,

제1 기간에 제1 기판이 수용된 제1 처리용기내에 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정과,

제2 기간에 제2 기판이 수용된 제2 처리용기내에 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정을 포함하고,

상기 제1 처리용기 내에 공급되는 용매증기와 상기 제2 처리용기 내로 공급되는 용매증기는 공통의 용매증기 공급원에서 공급되고,

이 기판처리방법은,

상기 제1 기간중에 상기 제1 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정과,

상기 제2 기간중에 상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 더 포함하여,

상기 제1 처리용기내의 압력을 조정하는 공정은, 제1 가변 트로틀밸브의 개방도를 조절하는 것에 의해 행하여지고, 상기 제1 가변 트로틀밸브는 상기 제1 처리용기에 상기 용매증기를 공급하는 제1 용매증기 공급관로 또는 상기 제1 처리용기로부터 상기 용매증기 및 상기 처리가스를 배출하는 제1 배출관로에 설치되어 있고,

상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은, 제2 가변 트로틀밸브의 개 방도를 조절하는 것에 의해 행하여지고, 상기 제2 가변 트로틀밸브는 상기 제2 처리용기에 상기 용매증기를 공급하는 제2 용매증기 공급관로 또는, 상기 제2 처리용기로부터 상기 용매증기 및 상기 처리가스를 배출하는 제2 배출관로에 설치되어 있고,

상기 제1 기간의 일부만이 상기 제2 기간과 중복하고 있고,

상기 제1 및 제2 처리용기의 양쪽 모두에 상기 용매증기가 공급되고 있는 경우의 제1 가변 트로틀의 개방도는 상기 제1 처리용기에 상기 용매증기가 공급됨과 동시에 상기 제2 처리용기에 상기 용매증기가 공급되어 있지 않은 경우의 제1 가변 트로틀의 개방도와 다른 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 20에 있어서,

상기 제1 가변 트로틀은 상기 제1 배출관로에 설치되고, 상기 제2 가변 트로틀은 상기 제2 배출관로에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 21에 있어서,

상기 제1 배출관로에 상기 제1 가변 트로틀과 병렬로 제1 릴리프 밸브가 설치되고, 상기 제2 배출관로에 상기 제2 가변 트로틀과 병렬로 제2 릴리프 밸브가 설치되고,

상기 기판처리방법은,

상기 제1 기간보다 전에, 상기 제1 처리용기에 용매증기를 공급하지 않고 처 리가스를 공급하는 공정과,

상기 제2 기간보다 전에, 상기 제2 처리용기에 용매증기를 공급하지 않고 처리가스를 공급하는 공정과,

상기 제1 기간보다 전에 상기 처리가스가 상기 제1 처리용기에 공급되고 있을 때, 상기 제1 릴리프 밸브를 이용해 상기 제1 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정과,

상기 제2 기간보다 전에 상기 처리가스가 상기 제2 처리용기에 공급되고 있을 때, 상기 제2 릴리프 밸브를 이용해 상기 제2 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 더 포함하는 기판처리방법.
청구항 21에 있어서,

상기 제1 배출관로에 상기 제1 가변 트로틀과 직렬로 제1 개폐밸브가 설치되고,

상기 제2 배출관로에 상기 제2 가변 트로틀과 직렬로 제2 개폐밸브가 설치되며,

상기 제1 기간중에 상기 제1 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은, 상기 제1 개폐밸브의 개폐를 반복하는 공정을 포함하고,

상기 제2 기간중에 상기 제2 처리용기내의 압력을 조정하는 공정은, 상기 제2 개폐밸브의 개폐를 반복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
기판처리방법에 있어서,

기판이 수용된 처리용기 내에 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정과,

상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 포함하고,

상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정은 가변 트로틀밸브의 개방도를 조정하는 공정과,

개폐밸브의 개폐를 반복하는 공정을 포함하고, 상기 가변 트로틀밸브 및 상기 개폐밸브는 상기 처리용기에 접속된 배출관로에 직렬에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
기판처리방법에 있어서,

제1 기간에, 기판이 수용된 처리용기 내에 처리가스를 공급하는 공정과,

제1 기간의 뒤의 제2 기간에, 상기 처리용기 내에 상기 처리가스 및 용매증기를 공급하는 공정과,

상기 제l 기간에, 릴리프 밸브를 이용해 상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정과,

상기 제2 기간에, 가변 트로틀밸브의 개방도를 조정하는 것에 의해 상기 처리용기 내의 압력을 조정하는 공정을 포함하고,

상기 릴리프 밸브 및 상기 가변 트로틀밸브는 상기 처리용기에 접속된 배출관로에 병렬로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
청구항 25에 있어서,

상기 제2 기간에, 상기 처리용기내의 압력을 조정하는 공정은 상기 가변 트로틀의 개방도를 조정하는 것에 더해서 개폐밸브의 개폐를 반복하는 것에 의해 행해지고, 상기 개폐밸브는 상기 가변 트로틀밸브와 직렬로 상기 배출관로에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.