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KR100764432B1 - 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100764432B1
KR100764432B1 KR1020060031093A KR20060031093A KR100764432B1 KR 100764432 B1 KR100764432 B1 KR 100764432B1 KR 1020060031093 A KR1020060031093 A KR 1020060031093A KR 20060031093 A KR20060031093 A KR 20060031093A KR 100764432 B1 KR100764432 B1 KR 100764432B1
Authority
KR
South Korea
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substrate
light source
anodizing
led package
reflective region
Prior art date
Application number
KR1020060031093A
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English (en)
Inventor
이영기
최석문
신상현
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to CN2009101794426A priority patent/CN101714597B/zh
Priority to CN2007100922606A priority patent/CN101051665B/zh
Priority to JP2007097039A priority patent/JP4787783B2/ja
Priority to US11/730,966 priority patent/US8030762B2/en
Application granted granted Critical
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Abstract

엘이디 소자로부터 방열 효과를 높여서 엘이디 소자의 사용 수명을 늘리며, 고휘도 및 고출력을 유지할 수 있도록 된 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명은, 알루미늄 재료로 이루어지고 반사영역이 형성된 기판; 상기 기판상에 장착되고 전극 패턴에 전기적으로 연결된 광원; 상기 전극 패턴과 기판 사이에 형성된 아노다이징 절연 층; 및 상기 기판의 광원 위로 덮히는 렌즈 부;를 포함하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 기판이 알루미늄 재료로 이루어짐으로써 이를 통한 엘이디 소자의 우수한 방열 효과를 얻을 수 있고, 그에 따라서 엘이디 패키지의 사용 수명과 발광 효율을 크게 증대시킬 수 있는 효과를 얻는다.
엘이디 소자, 방열 효과, 아노다이징 절연 층, 엘이디 패키지, 렌즈 부

Description

아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법{LED Package Having Anodized Isolations and Its Manufacturing Method}
제 1도는 종래의 기술에 따른 엘이디 패키지를 도시한 분해 사시도.
제 2도는 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 도시한 분해 사시도.
제 3도는 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 도시한 평면도.
제 4도는 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지에 구비된 렌즈 부를 도시한 외관 사시도.
제 5도는 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 도시한 단면도.
제 6도는 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지가 모 기판으로부터 분리되는 상태를 도시한 외관 사시도.
제 7도는 본 발명의 변형 실시 예에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 도시한 평면도.
제 8도는 도 7의 A-A선을 따른 단면도.
제 9도는 본 발명의 또 다른 변형 실시 예에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 도시한 평면도.
제 10도는 도 9의 B-B선을 따른 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1.... 본 발명에 따른 엘이디 패키지
10.... 기판 12a,12b.... 전극 패턴
16.... 관통 홀(Via) 20.... 반사영역
22.... 중앙 반사영역 24.... 경사 반사영역
30,30',30".... 광원 35,35',35".... 아노다이징 절연 층
40.... 와이어 52.... 전극 연결 홈
54.... 렌즈 고정 홈 65',65".... 알루미늄 방열부
70.... 렌즈 부 72.... 돌기
80.... 모(母) 기판
200.... 종래의 엘이디 패키지 205.... 전극 패턴
210.... 기판 215.... 엘이디 소자
220.... 반사 부재 222.... 반사 면
본 발명은 광원으로서 엘이디 소자를 사용하는 고휘도 및 고출력의 발광 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 알루미늄(Aluminum) 기판의 반사영역에 광원을 장착하고, 알루미늄 기판을 아노다이징 처리하여 절연 층을 형성하며, 광원에 전원을 공급시킴으로써 발광 작용중에 엘이디 소자로부터 방열 효과를 높일 수 있고, 그에 따라서 엘이디 소자의 사용 수명을 늘리며, 고휘도 및 고출력을 유지할 수 있도록 된 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 광원으로서 엘이디 소자를 갖는 종래의 엘이디 패키지(200)는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(210)상에 엘이디 소자(215)를 실장하고 이를 전원에 전기적으로 연결한 다음 발광시켜 작동하게 된다.
이와 같은 엘이디 패키지(200)에서 엘이디 소자(215)는 그 특성에 따라서 빛을 발생시킴과 동시에 열을 발생시키며, 그 열의 외부 방출이 잘되어 과열되지 않아야 그 사용 수명 및 출력 효율을 좋게 유지할 수 있다.
종래의 엘이디 패키지(200)는 고정용 전극 패턴(205)을 가지는 회로 기판(210)에 엘이지 소자(215)를 실장하고, 상기 기판(210)의 전면으로는 기판(210)과 외형 크기가 대략 유사하고, 내측에 방사형의 반사 면(222)을 갖는 반사 부재(220)를 에폭시 레진 등으로 일체화하여 고정시키는 구조이다.
이와 같은 종래의 엘이디 패키지(200)는 반사 부재(220)에 오목한 반사 면(222)을 갖는 것이고, 이와 같은 반사 면(222)을 통하여 엘이디 소자(215)로부터의 빛을 전면으로 반사시키는 것이다.
그렇지만 상기와 같은 종래의 엘이디 패키지(200)는 기판(210) 재료를 열 전도성이 높은, 즉 방열 기능이 우수한 금속 재료, 예를 들면 알루미늄 등을 사용하는 것이 아니어서 엘이디 소자(215)의 발광 작동 중에 우수한 방열 효과를 얻을 수 없는 것이다.
또한 종래의 엘이디 패키지(200)는 상기 기판(210)에 반사 부재(220)를 별도의 공정으로 고정시켜야 하므로 제조공정의 간략화를 이룰 수 없다. 뿐만 아니라 반사 부재(220)를 기판(210)에 일체화하는 공정은 정확하게 이루어지지 못하는 것이어서 제품 불량을 일으키는 중요한 원인이 되는 것이고, 그에 따른 조립 비용의 상승을 초래하는 것이었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 기판을 통한 엘이디 소자의 우수한 방열 효과를 얻을 수 있음으로써 사용 수명과 발광 효율을 크게 증대시킬 수 있는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
그리고 본 발명은 기판과 반사 부재의 별도의 접합 공정이 불필요하고, 기판상에 렌즈 부를 위치정렬시키는 작업이 매우 쉽게 이루어짐으로써 제작 공정의 단순화를 통한 제작 비용의 절감을 이룰 수 있는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
알루미늄 재료로 이루어지고 반사영역이 형성된 기판;
상기 기판상에 장착되고 전극 패턴에 전기적으로 연결된 광원;
상기 전극 패턴과 기판 사이에 형성된 아노다이징 절연 층; 및
상기 기판의 광원 위로 덮히는 렌즈 부;를 포함하고,
상기 기판은 반사영역에 인접하여 상기 광원을 전극 패턴에 전기적으로 연결하기 위한 와이어가 배치되는 전극 연결 홈들을 형성하고,
상기 광원의 엘이디 소자들은 그 하부 면에 알루미늄 방열부를 형성하여 발열성능이 우수하도록 구성된 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 제공한다.
그리고 본 발명은 바람직하게는 상기 기판은 청색 엘이디 소자, 적색 엘이디 소자 및 녹색 엘이디 소자들을 구비하여 백색광을 발산하는 광원을 반사영역에 장착한 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 제공한다.
삭제
그리고 본 발명은 바람직하게는 상기 기판은 반사영역에 인접하여 기판에 대한 렌즈 부의 위치를 설정할 수 있는 렌즈 고정 홈들을 형성하며, 상기 렌즈 부는 상기 렌즈 고정 홈으로 삽입가능한 돌기들을 각각 외면에 형성하여 결합하는 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 제공한다.
또한 본 발명은 바람직하게는 상기 전극 연결 홈에는 아노다이징 절연 층이 형성된 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지를 제공한다.
그리고 본 발명은,
기판 일측 외 표면을 에칭하여 반사영역을 형성하는 단계;
상기 기판을 아노다이징 처리하여 절연 층을 형성하는 단계;
상기 기판상에 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판에 광원을 장착하고 전극 패턴에 전기적 연결을 이루는 단계; 및
상기 기판에 렌즈 부를 장착하는 단계;를 포함하고,
상기 기판 일측 외 표면을 에칭하여 반사영역을 형성하는 단계는 반사영역에 인접하여 상기 광원을 전극 패턴에 전기적으로 연결하기 위한 와이어가 배치되는 전극 연결 홈과, 상기 기판에 대한 렌즈 부의 위치를 설정할 수 있는 렌즈 고정 홈들을 형성하는 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 제조방법을 제공한다.
그리고 본 발명은 바람직하게는 하나의 모(母) 기판으로부터 다이싱(Dicing) 처리되어 다수개의 상기 기판들이 생산되는 단계를 추가 포함하는 것을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1)는 도 2에 도시된 바와 같이, 알루미늄 재료로 이루어진 기판(10)이 제공된다. 상기 기판(10)은 상대적으로 가격이 싸고 제작이 쉬운 알루미늄 재료이다.
이와 같은 기판(10)에는 일 측면 중앙에 반사영역(20)이 형성된다. 상기 반사영역(20)은 기판(10)을 에칭(Etching)하여 형성된 오목 홈으로 이루어지는 것으로서, 도 4에 도시된 바와 같이 이후에 설명되는 광원(30)이 안착되는 평편한 중앙 반사영역(22), 즉 다이 본딩(Die Bonding) 반사영역과, 상기 중앙 반사영역(22)을 에워싸는 경사 반사영역(24), 즉 리플렉터(Reflector) 반사 면을 형성한다.
그리고 상기 기판(10)의 반사영역(20)에는 그 경사 반사영역(24)에 인접하여 사방으로 각각 광원(30)을 이루는 엘이디 소자의 전극을 와이어(40)를 통하여 연결하기 위한 전극 연결 홈(52)들과, 이후에 설명되는 렌즈 부(70)의 위치를 쉽게 설정하고 고정할 수 있는 렌즈 고정 홈(54)들을 형성하고 있다.
상기 전극 연결 홈(52)과 렌즈 고정 홈(54)들은 각각 오목하게 형성된 것으로서, 상기 반사영역(20)을 형성하는 경사 반사영역(24) 만큼 그 깊이가 깊지는 않지만 기판(10) 표면으로부터 오목하게 형성된 구조이다. 그리고 바람직하게는 상기 전극 연결 홈(52)의 깊이가 렌즈 고정 홈(54)의 깊이보다 다소 깊게 형성된다. 이와 같은 구조를 통하여 상기 전극 연결 홈(52)에 상기 와이어(40)가 용이하게 위치될 수 있도록 한다.
뿐만 아니라 상기 전극 연결 홈(52)과 렌즈 고정 홈(54)들은 각각 그 수에 있어서 본 발명이 제한되는 것은 아니다.
상기 전극 연결 홈(52)의 경우, 광원(30)을 이루는 엘이디 소자의 타입에 따라서 하나 혹은 2개로 형성될 수 있으며, 또한 기판(10)상에 장착되는 엘이디 소자의 숫자에 따라서 대응하여 다수 개 형성될 수 있다.
그리고 상기 렌즈 고정 홈(54)의 경우에도, 렌즈 부(70)를 쉽게 장착할 수 있는 기준 홈을 형성하면 무방한 것이며, 그 형성 갯수에 본 발명이 제한되는 것은 아니다.
또한 상기 기판(10)에는 광원(30)에 전원을 공급하기 위한 전극 패턴(12a)(12b)들이 형성된다. 상기 전극 패턴(12a)(12b)은 반사영역(20)이 형성된 기판(10)의 일 측면과, 그 반대 측면에 형성되는 것이며, 상기 기판(10)의 일측면에 형성된 전극 패턴(12a)은 광원(30)을 이루는 엘이디 소자와 전기적 연결을 이루기 위한 것이고, 그 반대 측면에 형성된 전극 패턴(12b)은 본 엘이지 패키지가 표면 실장(SMD: Surface Mounted Device) 형으로서 다른 기판(미 도시)의 표면에 실장되어 전기적 연결을 이루기 위한 패드(pad)를 형성하는 것이다.
또한 상기와 같은 일 측면과 그 반대 측면의 전극 패턴(12a)(12b)들은 기판(10)을 관통하는 다수의 관통 홀(Via)(16)들을 통하여 전기적으로 연결되어 있다.
그리고 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1)는 상기 기판(10)상에 장착되고 전극 패턴(12a)(12b)에 전기적으로 연결된 엘이디 소자의 광원(30)을 구비하며 상기 전극 패턴(12a)(12b)과 기판(10) 사이에 형성된 아노다이징 절연 층(35)을 구비한다.
상기 아노다이징 절연 층(35)은 상기 전극 패턴(12a)(12b)들이 기판(10)에 대하여 절연을 이루도록 형성된 것으로서, 이는 상기 기판(10)을 아노다이징(Anodizing) 또는 양극 산화 처리하여 기판(10)을 국소적으로 또는 부분적으로 산화알루미늄(Al2O3) 처리한 것이다.
이와 같은 아노다이징 절연 층(35)은 전열 성능은 다소 떨어지지만 절연 성능은 매우 우수한 것이며, 상기 전극 패턴(12a)(12b)과 기판(10) 사이에 형성되어 상기 전극 패턴(12a)(12b)으로 하여금 광원(30)의 발광 작용에 필요한 전원을 공급할 수 있도록 하는 것이다.
한편, 이와 같은 아노다이징 절연 층(35)은 상기 전극 연결 홈(52)에도 형성되어 기판(10)과 전기적 절연을 이루며, 상기 기판(10)의 반사영역(20)에는 형성되지 않음으로써 광원(30)의 빛을 외부로 반사시키는 데에 아무런 장애도 일으키지 않도록 구성된 것이다.
그리고, 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층(35)을 갖는 엘이디 패키지(1)는 상기 기판(10)의 광원(30) 위로 덮히는 렌즈 부(70)를 포함하는 구조이다. 상기 렌즈 부(70)는 일 측면이 볼록한 단면 형상을 갖는 것이며, 도 4에서 도시된 바와 같이 상기 렌즈 고정 홈(54)으로 삽입가능한 돌기(72)들을 각각 외면에 형성하고 있다.
이와 같은 돌기(72)들은 상기 렌즈 고정 홈(54)에 각각 대응되는 것으로서, 이와 같은 돌기(72)와 렌즈 고정 홈(54)들로 인하여 작업자는 기판(10) 상에 렌즈 부(70)를 부착하고자 하는 경우, 쉽게 장착 위치 또는 기준 위치를 찾을 수 있는 것이다. 이와 같은 렌즈 부(70)는 기판(10)상에 투명한 접착수지를 통하여 부착된다.
상기와 같이 기판(10)에 부착된 렌즈 부(70)는 도 5에서 단면으로 도시된 바와 같이, 기판(10)의 전극 연결 홈(52)에는 위치하지 않는다. 이와 같이 전극 연결 홈(52)에 렌즈 부(70)가 위치하지 않음으로써 전극 연결 홈(52)을 통한 와이어(40)의 배치가 가능하며 와이어(40) 결선 부분에 장애를 주지 않는다.
상기와 같은 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1)의 제조 방법은 아래와 같은 공정 단계들을 거친다.
본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1)의 제조 방법은 먼저 기판(10)의 일측 외 표면을 에칭하여 반사영역(20)을 형성하는 단계가 이루어진다.
상기 반사영역(20)은 광원(30)이 안착되는 평편한 중앙 반사영역(22)과, 상기 중앙 반사영역(22)을 에워싸는 경사 반사영역(24)을 형성하며, 상기 반사영역(20) 형성 단계는 상기 반사영역(20)을 이루는 경사 반사영역(24)에 인접하여 사방으로 각각 광원(30)을 이루는 엘이디 소자의 전극을 와이어(40)를 통하여 연결하기 위한 전극 연결 홈(52)들과, 렌즈 부(70)의 위치를 쉽게 설정하고 고정할 수 있는 렌즈 고정 홈(54)들을 형성하는 단계를 추가 포함한다.
이와 같은 전극 연결 홈(52)과 렌즈 고정 홈(54)들도 모두 에칭을 통하여 형성가능한 것이다.
그리고 다음으로는 상기 기판(10)을 아노다이징 처리하여 절연 층(35)을 형성하는 단계가 이루어진다. 이와 같은 경우 상기 기판(10)은 상기 반사영역(20)을 제외한 표면들이 아노다이징 처리되어 산화알루미늄(Al2O3)의 절연 층(35)들을 기판(10)의 상하면에 형성할 수 있다.
특히 상기 전극 연결 홈(52)과 렌즈 고정 홈(54)에도 각각 절연 층(35)이 형성되어 전극 패턴(12a)(12b))들과 광원(30)의 전기적 연결이 보다 확실하게 이루어지도록 한다.
그리고 본 발명은 상기 기판(10)상에 전극 패턴(12a)(12b)을 형성하는 단계가 이루어진다. 이와 같은 경우 광원(30)을 이루는 엘이디 소자의 타입, 즉 엘이디 소자의 와이어(40) 배선이 상부 면에서 양측으로 이루어지는 수평 전극 타입이던가, 또는 하나의 와이어(40) 배선이 엘이디 소자의 상부 면에서 이루어지고, 다른 하나는 엘이디 소자의 하부 면에서 이루어지는 수직 전극이던가 등 엘이디 소자의 타입에 따라서 이에 맞추어 전극 패턴(12a)(12b)을 기판(10)상에 형성하게 된다.
또한 이와 같이 전극 패턴(12a)(12b)을 형성한 다음에는 상기 기판(10)에 광원(30)을 장착하고 전극 패턴(12a)(12b)에 전기적 연결을 이루는 단계가 이루어진다.
이와 같은 단계는 와이어(40)를 통한 전기적 연결을 이루는 것이다.
그리고 상기와 같이 광원(30)과 전극 패턴(12a)(12b)의 전기적 연결 다음에는 기판(10)에 렌즈 부(70)를 장착하는 단계가 이루어진다. 이와 같은 단계에서는 기판(10)의 반사영역(20) 내에 투명한 접착 수지를 도포한 다음, 렌즈 부(70)를 부착시키게 된다.
이러한 과정에서 렌즈 부(70)는 그 외주면에 형성된 돌기(72)들을 기판(10)에 마련된 렌즈 고정 홈(54)에 일치시킨 다음, 접착 수지를 이용하여 부착시키게 되며 이러한 작업 공정은 매우 쉽게 이루어진다.
또한 본 발명은 상기와 같이 기판(10)과 렌즈 부(70)들을 각각 하나씩 별개로 제작가능하지만, 이와는 다르게 도 6에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)들을 하나의 큰 모(母) 기판(80)으로부터 다이싱(Dicing) 처리하여 형성할 수 있다.
즉, 하나의 큰 모 기판(80)을 다수개의 기판(10)들로 구획하고, 각각의 기판(10)들에 대하여 상기와 같은 제작 공정을 실시한 다음, 다수의 렌즈 부(70) 들을 각각의 기판(10)에 맞추어 부착하고, 이들 렌즈 부(70)와 기판(10)들을 각각 다이싱 처리하여 개별적으로 본 발명의 엘이디 패키지(1)를 구성할 수 있는 것이다.
이와 같은 모 기판(80)을 이용하여 다수의 엘이디 패키지(1)를 일시에 생산하는 공정은 당 업계에서는 알려진 것이기 때문에 이에 대한 보다 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같은 공정은 통하여 제작된 본 발명에 따른 아노다이징 절연 층을 갖 는 엘이디 패키지(1)는 기판(10)이 알루미늄 재료로 이루어지고, 이와 같은 알루미늄 재료의 기판(10)은 우수한 전열 특성을 갖는 것이기 때문에 엘이디 소자의 발광 도중에 발생하는 열의 높은 방열 효과를 얻을 수 있다.
뿐만 아니라 기판(10)에 반사영역(20)을 에칭으로 형성하고, 렌즈 부(70)를 기판(10)에 쉽게 부착시킬 수 있기 때문에 제작공정의 단순화를 통하여 저가의 엘이디 패키지를 얻을 수 있는 것이다.
도 7 및 도 8에는 본 발명의 변형 실시예에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1')가 도시되어 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 본 발명의 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1')는 도 2 내지 도 6에 관련하여 설명한 엘이디 패키지(1)의 구성에 매우 유사한 것이고, 그 기술 사상을 동일하게 갖는 것이므로, 이하에서는 동일 구성 요소에는 동일 참조 부호를 부여하고 단지 첨자(')를 부여하여 구분하기로 한다.
도 7 및 도 8에 도시된 본 발명의 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1')는 백색광을 발산하기 위하여 다수 개의, 즉 청색 엘이디 소자, 적색 엘이디 소자 및 녹색 엘이디 소자들을 광원(30')으로서 구비하고 있다.
상기 엘이디 소자들은 기판(10')으로부터 (+) 또는 (-) 극성의 전기 단자가 제공되어 와이어(40')로 연결되고, 상기 기판(10')에 아노다이징 절연 층(35')을 통하여 절연 상태를 유지하는 전극 패턴(12a')(12b')으로부터 상기 기판(10')의 극성과는 다른 (-) 또는 (+) 극성의 전기 단자가 제공되어 와이어(40')를 통하여 광원(30')에 연결된다.
그리고 이와 같은 다수 개의 엘이디 소자들은 그 하부 면에서 우수한 발열 작용을 얻도록 하기 위하여 히트 슬러그(Heat Slug) 역활을 하는 알루미늄 방열부(65')를 각각 형성하고 있다. 이와 같은 히트 슬러그 부분의 알루미늄 방열부(65')는 아노다이징 절연 층(35')으로 에워 싸여서 기판(10')의 다른 부분과 전기적으로 절연을 이루고, 알루미늄 재료의 우수한 전열 특성으로 인하여 엘이디 소자들의 우수한 방열 효과를 얻을 수 있는 것이다.
뿐만 아니라, 이와 같은 엘이디 패키지(1')도 상기 전극 연결 홈(52')과 렌즈 고정 홈(54')에 각각 절연 층(35')이 형성되어 전극 패턴(12a')(12b')들과 광원(30')의 전기적 연결이 보다 확실하게 이루어지도록 한다.
도 9 및 도 10에는 본 발명의 또 다른 변형 실시 예에 따른 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1")가 도시되어 있다.
이와 같은 구조도 도 2 내지 도 6에 관련하여 설명한 엘이디 패키지(1)의 구성에 매우 유사한 것이고, 그 기술 사상을 동일하게 갖는 것이므로, 이하에서는 동일 구성 요소에는 동일 참조 부호를 부여하고 단지 첨자(")를 부여하여 구분하기로 한다.
도 9 및 도 10에 도시된 본 발명의 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지(1")는 백색광을 발산하기 위하여 다수 개의, 즉 청색 엘이디 소자, 적색 엘이디 소자 및 녹색 엘이디 소자들을 구비하되, 이들은 모두 기판(10") 상에 아노다이징 절연 층(35")을 통하여 절연 상태를 유지하는 전극 패턴(12a")(12b")들로부터 (-) 또는 (+) 극성의 전기 단자들이 제공되어 와이어(40")로 연결된 구조이다.
이와 같은 다수개의 엘이디 소자들도 그 하부 면에서 우수한 발열 작용을 얻도록 하기 위하여 히트 슬러그(Heat Slug) 역활을 하는 알루미늄 방열부(65")를 각각 형성하고 있다. 이와 같은 히트 슬러그 부분의 알루미늄 방열부(65")도 알루미늄 재료의 우수한 전열 특성으로 인하여 엘이디 소자들의 우수한 방열 효과를 얻을 수 있는 것이다.
그리고 이와 같은 엘이디 패키지(1")도 상기 전극 연결 홈(52")과 렌즈 고정 홈(54")에 각각 절연 층(35")이 형성되어 전극 패턴(12a")(12b")들과 광원(30")의 전기적 연결이 보다 확실하게 이루어지는 것이다.
상기와 같이 본 발명에 의하면 기판이 알루미늄 재료로 이루어짐으로써 이를 통한 엘이디 소자의 우수한 방열 효과를 얻을 수 있고, 그에 따라서 엘이디 패키지의 사용 수명과 발광 효율을 크게 증대시킬 수 있는 효과를 갖는다.
그리고 본 발명은 반사영역을 기판에 오목 홈의 형태로 형성하기 때문에 별도의 종래의 반사 부재 등과 같은 접합 공정이 불필요하고, 제작 공정의 단순화를 이룰 수 있는 것이다.
뿐만 아니라 렌즈 부와 기판의 부착 작업시 렌즈 부에는 돌기를 형성하고, 상기 돌기가 위치되는 돌기 고정 홈을 기판에 마련하여 장착 위치의 설정을 쉽게 이룰 수 있기 때문에, 기판상에 렌즈 부를 위치정렬시키는 작업이 매우 쉽게 이루어짐으로써 이를 통한 제작 비용의 절감을 이룰 수 있는 효과가 얻어지는 것이다.
상기에서 본 발명은 특정한 실시 예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 이는 단지 예시적으로 본 발명을 설명하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 이와 같은 특정 구조로 제한하려는 것은 아니다. 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.

Claims (8)

  1. 알루미늄 재료로 이루어지고 반사영역이 형성된 기판;
    상기 기판상에 장착되고 전극 패턴에 전기적으로 연결된 광원;
    상기 전극 패턴과 기판 사이에 형성된 아노다이징 절연 층; 및
    상기 기판의 광원 위로 덮히는 렌즈 부;를 포함하고,
    상기 기판은 반사영역에 인접하여 상기 광원을 전극 패턴에 전기적으로 연결하기 위한 와이어가 배치되는 전극 연결 홈들을 형성하고,
    상기 광원의 엘이디 소자들은 그 하부 면에 알루미늄 방열부를 형성하여 발열성능이 우수하도록 구성된 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 청색 엘이디 소자, 적색 엘이디 소자 및 녹색 엘이디 소자들을 구비하여 백색광을 발산하는 광원을 반사영역에 장착한 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 반사영역에 인접하여 기판에 대한 렌즈 부의 위치를 설정할 수 있는 렌즈 고정 홈들을 형성하며, 상기 렌즈 부는 상기 렌즈 고정 홈으로 삽입가능한 돌기들을 각각 외면에 형성하여 결합하는 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전극 연결 홈에는 아노다이징 절연 층이 형성된 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지.
  6. 기판 일측 외 표면을 에칭하여 반사영역을 형성하는 단계;
    상기 기판을 아노다이징 처리하여 절연 층을 형성하는 단계;
    상기 기판상에 전극 패턴을 형성하는 단계;
    상기 기판에 광원을 장착하고 전극 패턴에 전기적 연결을 이루는 단계; 및
    상기 기판에 렌즈 부를 장착하는 단계;를 포함하고,
    상기 기판 일측 외 표면을 에칭하여 반사영역을 형성하는 단계는 반사영역에 인접하여 상기 광원을 전극 패턴에 전기적으로 연결하기 위한 와이어가 배치되는 전극 연결 홈과, 상기 기판에 대한 렌즈 부의 위치를 설정할 수 있는 렌즈 고정 홈들을 형성하는 것임을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서, 하나의 모(母) 기판으로부터 다이싱(Dicing) 처리되어 다수개의 기판들이 생산되는 단계를 추가 포함하는 것을 특징으로 하는 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 제조방법.
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CN2009101794426A CN101714597B (zh) 2006-04-05 2007-04-03 用于制造发光二极管封装的方法
CN2007100922606A CN101051665B (zh) 2006-04-05 2007-04-03 具有阳极化绝缘层的发光二极管封装及其制造方法
JP2007097039A JP4787783B2 (ja) 2006-04-05 2007-04-03 アノダイジング絶縁層を有するledパッケージおよびその製造方法
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100939273B1 (ko) 2008-03-31 2010-01-29 성균관대학교산학협력단 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
WO2010095811A3 (ko) * 2009-02-17 2010-10-14 포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
KR100998010B1 (ko) * 2008-04-28 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101022485B1 (ko) * 2009-10-20 2011-03-15 (주)브이엘시스템 히트파이프 모듈을 이용한 엘이디 조명장치의 방열구조
WO2011034304A2 (ko) * 2009-09-17 2011-03-24 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
KR101053835B1 (ko) 2010-04-29 2011-08-03 에스티플렉스 주식회사 엘이디 방열처리구조
KR101081216B1 (ko) 2011-03-09 2011-11-07 박상훈 엘이디 패키지용 탈부착 렌즈
WO2011155783A1 (ko) * 2010-06-11 2011-12-15 (주)브이엘시스템 히트파이프 모듈을 이용한 엘이디 조명장치의 방열구조
KR101110326B1 (ko) 2009-09-17 2012-02-15 (주)포인트엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2012148020A1 (ko) * 2011-04-28 2012-11-01 주식회사 이넥트론 나노 다이아몬드 함침 고 방열성 메탈기판의 절연층 형성방법
KR101501019B1 (ko) * 2013-12-11 2015-03-12 주식회사 루멘스홀딩스 얼라인 마크를 갖는 기판 장치 및 발광 소자 패키지
KR20160083660A (ko) * 2015-01-02 2016-07-12 (주)포인트엔지니어링 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판
KR102512957B1 (ko) * 2022-06-08 2023-03-23 주식회사 비에스테크닉스 조립형 led 블록체 및 그 제조방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5401025B2 (ja) * 2007-09-25 2014-01-29 三洋電機株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
US8360593B2 (en) * 2007-09-28 2013-01-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package and back light unit using the same
JP3142406U (ja) * 2008-03-31 2008-06-12 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
CN102142423B (zh) * 2008-05-16 2014-11-26 亿光电子工业股份有限公司 线路基板与发光二极管封装
DE102008039147A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und optoelektronische Anordnung
AT506709B1 (de) * 2008-05-30 2009-11-15 Kuster Martin Leuchtmittel
KR101021245B1 (ko) * 2008-08-07 2011-03-11 이동규 발광다이오드 장치
JP5204618B2 (ja) * 2008-10-21 2013-06-05 電気化学工業株式会社 発光素子搭載用基板、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
KR101114592B1 (ko) * 2009-02-17 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TWI416771B (zh) * 2009-10-01 2013-11-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體
US8664538B2 (en) * 2010-04-30 2014-03-04 Wavenics Inc. Terminal-integrated metal base package module and terminal-integrated metal base packaging method
KR101662038B1 (ko) * 2010-05-07 2016-10-05 삼성전자 주식회사 칩 패키지
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN102447034B (zh) * 2010-09-30 2014-05-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
USD700584S1 (en) * 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
FR2984679B1 (fr) * 2011-12-15 2015-03-06 Valeo Sys Controle Moteur Sas Liaison thermiquement conductrice et electriquement isolante entre au moins un composant electronique et un radiateur en tout ou partie metallique
CN102629658A (zh) * 2011-12-22 2012-08-08 南宁市明锐电子科技有限公司 大功率led反光杯散热器
KR101516358B1 (ko) * 2012-03-06 2015-05-04 삼성전자주식회사 발광 장치
CN103378252B (zh) 2012-04-16 2016-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
KR101975190B1 (ko) * 2013-06-28 2019-05-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
US10167566B2 (en) 2013-09-05 2019-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing substrate for light emitting device
KR101668353B1 (ko) * 2014-11-03 2016-10-21 (주)포인트엔지니어링 칩 기판 및 칩 패키지 모듈
CN104409451A (zh) * 2014-12-17 2015-03-11 木林森股份有限公司 一种小尺寸led灯珠的支架组及支架
CN104409620A (zh) * 2014-12-17 2015-03-11 木林森股份有限公司 一种小尺寸led灯珠组及灯珠
US10429509B2 (en) 2014-12-24 2019-10-01 Stmicroelectronics Pte Ltd. Molded proximity sensor
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
CN107949922B (zh) * 2015-09-08 2021-04-13 首尔伟傲世有限公司 发光二极管封装件
CN206708739U (zh) * 2016-06-30 2017-12-05 欧普照明股份有限公司 一种led模组及led照明灯具
CN111446353A (zh) * 2019-01-16 2020-07-24 株式会社辉元 陶瓷发光二极管封装及其制造方法
CN115004365A (zh) * 2019-12-16 2022-09-02 阿莫善斯有限公司 半导体封装及其制造方法
CN111379981A (zh) * 2020-04-28 2020-07-07 东莞市索菲电子科技有限公司 聚光型高显色指数高亮度贴片led
JP7536676B2 (ja) * 2021-02-10 2024-08-20 キオクシア株式会社 陽極化成装置及び陽極化成方法
CN114824049A (zh) * 2022-03-25 2022-07-29 厦门普为光电科技有限公司 具反射框体的发光二极管

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040073434A (ko) * 2002-01-28 2004-08-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 지지기판을 갖는 질화물 반도체소자 및 그 제조방법
WO2005027233A2 (en) 2003-09-09 2005-03-24 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same
KR20050031143A (ko) * 2003-09-29 2005-04-06 바이오닉스(주) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2150409T3 (es) * 1989-05-31 2000-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedimiento para montar un opto-componente que se puede montar sobre una superficie.
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
CN100338786C (zh) * 2002-06-19 2007-09-19 三垦电气株式会社 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
JP4241184B2 (ja) * 2002-07-25 2009-03-18 パナソニック電工株式会社 光電素子部品
US7170151B2 (en) * 2003-01-16 2007-01-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Accurate alignment of an LED assembly
JP4281363B2 (ja) * 2003-01-20 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 配線板及び発光装置
CN2613054Y (zh) * 2003-03-12 2004-04-21 兴华电子工业股份有限公司 发光二极管晶片的基板构造
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
WO2004102685A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-25 Nano Packaging Technology, Inc. Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005175048A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
CN1684278A (zh) 2004-04-15 2005-10-19 联欣光电股份有限公司 一种发光二极管的封装结构及其封装方法
JP2006012868A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Toshiba Corp 半導体発光素子用パッケージおよびそれを用いた半導体発光装置
JP2006049442A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006060070A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Kyoritsu Elex Co Ltd 発光ダイオード用パッケージ及び発光ダイオード並びに発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP4593201B2 (ja) * 2004-08-20 2010-12-08 日立化成工業株式会社 チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
CN100380694C (zh) * 2004-12-10 2008-04-09 北京大学 一种倒装led芯片的封装方法
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040073434A (ko) * 2002-01-28 2004-08-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 지지기판을 갖는 질화물 반도체소자 및 그 제조방법
WO2005027233A2 (en) 2003-09-09 2005-03-24 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same
KR20050031143A (ko) * 2003-09-29 2005-04-06 바이오닉스(주) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100939273B1 (ko) 2008-03-31 2010-01-29 성균관대학교산학협력단 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
US9257615B2 (en) 2008-04-28 2016-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR100998010B1 (ko) * 2008-04-28 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8299692B2 (en) 2008-04-28 2012-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
WO2010095811A3 (ko) * 2009-02-17 2010-10-14 포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
WO2011034304A2 (ko) * 2009-09-17 2011-03-24 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011034304A3 (ko) * 2009-09-17 2011-05-19 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
KR101110326B1 (ko) 2009-09-17 2012-02-15 (주)포인트엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
KR101022485B1 (ko) * 2009-10-20 2011-03-15 (주)브이엘시스템 히트파이프 모듈을 이용한 엘이디 조명장치의 방열구조
KR101053835B1 (ko) 2010-04-29 2011-08-03 에스티플렉스 주식회사 엘이디 방열처리구조
WO2011155783A1 (ko) * 2010-06-11 2011-12-15 (주)브이엘시스템 히트파이프 모듈을 이용한 엘이디 조명장치의 방열구조
KR101081216B1 (ko) 2011-03-09 2011-11-07 박상훈 엘이디 패키지용 탈부착 렌즈
WO2012148020A1 (ko) * 2011-04-28 2012-11-01 주식회사 이넥트론 나노 다이아몬드 함침 고 방열성 메탈기판의 절연층 형성방법
KR101501019B1 (ko) * 2013-12-11 2015-03-12 주식회사 루멘스홀딩스 얼라인 마크를 갖는 기판 장치 및 발광 소자 패키지
KR20160083660A (ko) * 2015-01-02 2016-07-12 (주)포인트엔지니어링 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판
KR102212340B1 (ko) 2015-01-02 2021-02-05 (주)포인트엔지니어링 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판
KR102512957B1 (ko) * 2022-06-08 2023-03-23 주식회사 비에스테크닉스 조립형 led 블록체 및 그 제조방법

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