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KR100574734B1 - 광자기 기록 매체 - Google Patents

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KR100574734B1
KR100574734B1 KR1020007004694A KR20007004694A KR100574734B1 KR 100574734 B1 KR100574734 B1 KR 100574734B1 KR 1020007004694 A KR1020007004694 A KR 1020007004694A KR 20007004694 A KR20007004694 A KR 20007004694A KR 100574734 B1 KR100574734 B1 KR 100574734B1
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산요덴키가부시키가이샤
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Abstract

기록층(7) 및 재생층(3)을 포함하는 자구 확대 재생 방식의 광자기 기록 매체에 있어서, 기록층 상에 기록층 내의 각 자구를 선택적으로 추출하는 게이트층(6)이 형성되며, 게이트층 상에 재생층에 도달하는 누설 자계를 강화하는 자계 강화층(5)이 형성되며 또한 자계 강화층 상에 자계 강화층에서부터 재생층으로의 교환 결합력을 차단하는 차단층(4)이 형성된다.
자구, 광자기 기록 매체, 자구 확대 재생 방식의 광자기 기록 매체, 차단층, 누설 자계

Description

광자기 기록 매체{MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM}
본 발명은 광자기 기록 매체에 관한 것으로, 더 자세하게는 기록층의 자구를 재생층에 전사하고 또한 확대하여 신호를 재생하는 자구 확대 재생 방식의 광자기 기록 매체에 관한 것이다.
광자기 기록 매체는 재기록 가능하며 기억 용량이 크고 또한 신뢰성이 높은 기록 매체로서 주목받고 있어 컴퓨터 메모리 등으로서 실용화되기 시작하고 있다. 또한, 최근에는 기억 용량이 6.0G바이트인 광자기 기록 매체의 규격화도 진행되어 실용화되고 있다. 이러한 고밀도의 광자기 기록 매체로부터의 신호의 재생은 레이저광을 조사함으로써, 광자기 기록 매체의 기록층의 자구를 재생층에 전사함과 함께, 그 전사한 자구만을 검출할 수 있도록 재생층에 검출창을 형성하고, 그 형성한 검출창으로부터 전사한 자구를 검출하는 MSR(Magnetically Super Resolution)법에 의해 행해지고 있다.
또한, 광자기 기록 매체로부터의 신호 재생에서 교번 자계를 인가하고, 기록층에서부터 재생층에 전사된 자구를 교번 자계에 의해 확대하여 신호를 재생하는 자구 확대 재생 기술도 개발되고 있고, 이 기술을 이용함으로써 직경 12㎝의 디스크에 14G바이트의 신호를 기록 및/또는 재생할 수 있는 광자기 기록 매체도 제안되 어 있다.
이러한 자구 확대 재생 방식의 광자기 기록 매체는 일반적으로, 재생층과, 그 위에 형성되는 비자성층과, 그 위에 형성되는 기록층을 구비한다. 이 광자기 기록 매체로부터의 자구 확대에 의한 신호 재생에서는 재생층측으로부터 레이저광이 조사되며, 기록층측으로부터 자구의 확대 및 소거용 외부 자계가 인가되고, 이에 따라 기록층의 자구가 비자성층을 통하여 정전 자기 결합에 의해 재생층에 전사되고 또한 확대된다. 재생층에 전사되고 또한 확대된 자구는 재생층측에서부터 조사된 레이저광에 의해 검출되며 이에 따라 기록층의 신호가 재생된다.
상술한 정전 자기 결합에 의한 자구의 전사는 기록층에서부터 재생층으로의 누설 자계에 따라서 일어난다. 그러나, 기록층의 자구 길이는 가지각색이기 때문에, 누설 자계의 분포가 자구 길이에 의해서 다르다는 문제가 있다. 즉, 짧은 자구 길이로는 누설 자계의 강도는 자구의 중앙부에서 최대가 되지만, 긴 자구 길이로는 누설 자계의 강도는 자구의 중앙에서 꽤 약해진다. 따라서, 짧은 자구는 확실하게 전사되지만, 긴 자구는 전사되지 않는 경우가 있다.
<발명의 개시>
본 발명의 목적은 기록층의 자구 길이에 의존하지 않고 기록층에서부터 재생층으로의 자구의 전사를 확실하게 한 광자기 기록 매체를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 광자기 기록 매체는, 재생층과, 재생층 상에 형성된 차단층과, 차단층 상에 형성된 게이트/자계 강화층과, 게이트/자계 강화층 상에 형성된 기록층을 구비한다. 게이트/자계 강화층은 기록층 내의 각 자구를 선택적으로 추 출하고, 여기에서 재생층에 도달하는 누설 자계를 강화하여 그 추출한 자구를 재생층 내에 전사한다. 차단층은 게이트/자계 강화층에서부터 재생층으로의 교환 결합력을 차단한다.
바람직하게는, 상기 게이트/자계 강화층은 게이트층과, 자계 강화층을 포함한다. 게이트층은 각 자구를 선택적으로 추출한다. 자계 강화층은 차단층과 게이트층 간에 형성되며 누설 자계를 강화한다.
혹은 상기 게이트/자계 강화층은 재생 온도에서 기록층측에서부터 차단층측으로 향하여 증대하는 포화 자화를 갖는다.
상기 광자기 기록 매체에서는 기록층 내의 자구는 그 길이에 의존하지 않고 선택적으로 추출되므로, 그 추출된 자구는 확실하게 재생층 내에 전사될 수 있다. 또한, 재생층에 도달하는 누설 자계는 강화되므로, 그 추출된 자구는 보다 확실하게 재생층 내에 전사될 수 있다. 또한, 차단층이 설치되어 있으므로, 재생층으로의 교환 결합력이 차단되고, 그 결과, 재생층 내에 전사된 자구는 원활하게 확대될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 도 1에 도시된 광자기 기록 매체 중 짧은 자구로부터 신호를 재생하는 프로세스를 나타낸 도면.
도 3은 도 1에 도시된 게이트층의 커(Kerr) 회전각의 온도 의존성을 나타낸 도면.
도 4는 도 1에 도시된 게이트층 및 자계 강화층의 포화 자화 및 보자력의 온도 의존성을 나타낸 도면.
도 5a는 기록층이 짧은 자구로부터 누설하는 자계의 강도 분포를 나타낸 도면이고, 도 5b는 기록층 내 짧은 자구가 자계 강화층에 전사된 경우에 그 전사된 자구로부터 누설하는 자계의 강도 분포를 나타낸 도면.
도 6a 내지 도 6b는 도 1에 도시된 광자기 기록 매체 중 긴 자구로부터 신호를 재생하는 프로세스를 나타낸 도면.
도 7a는 기록층 내 긴 자구로부터 누설하는 자계의 강도 분포를 나타낸 도면이고, 도 7b는 기록층 내 긴 자구가 자계 강화층에 전사된 경우에 그 전사된 자구로부터 누설하는 자계의 강도 분포를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 9는 도 8에 도시된 게이트/자계 강화층 중 Gd 함유율의 분포를 나타낸 도면.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 11은 도 10에 도시된 광자기 기록 매체의 초기 자화 상태를 나타낸 도면.
도 12는 도 10에 도시된 차단층의 포화 자화의 온도 의존성을 나타낸 도면.
도 13은 도 10에 도시된 광자기 기록 매체에 레이저광이 조사되었을 때의 자화 상태를 나타낸 도면.
도 14는 도 13에 도시된 레이저광에 의해 조사된 부분의 온도 분포를 나타낸 도면.
도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 16은 도 15에 도시된 광자기 기록 매체의 초기의 자화 상태를 나타낸 도면.
도 17은 도 15에 도시된 차단층의 포화 자화의 온도 의존성을 나타낸 도면.
도 18은 도 15에 도시된 광자기 기록 매체에 레이저광이 조사되었을 때의 자화 상태를 나타낸 도면.
도 19는 도 18에 도시된 레이저광이 조사된 부분의 온도 분포를 나타낸 도면.
도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 21은 도 20에 도시된 광자기 기록 매체의 초기의 자화 상태를 나타낸 도면.
도 22는 도 20에 도시된 광자기 기록 매체에 레이저광이 조사되었을 때의 자화 상태를 나타낸 도면.
도 23은 본 발명의 제6 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 24는 도 23에 도시된 광자기 기록 매체의 초기의 자화 상태를 나타낸 도 면.
도 25는 도 23에 도시된 광자기 기록 매체에 레이저광이 조사되었을 때의 자화 상태를 나타낸 도면.
도 26은 본 발명의 제7 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 27은 본 발명의 제8 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 28은 본 발명의 제9 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 29는 본 발명의 제10 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 30은 본 발명의 제11 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 31은 본 발명의 제12 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 32는 본 발명의 제13 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 구조를 나타낸 단면도.
도 33은 본 발명의 제14 실시예에 따른 광자기 기록 매체의 재생층의 구조를 나타낸 단면도.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 자세하게 설명한다. 도면 중 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙여서 그 설명은 반복하지 않는다.
제1 실시예
본 발명의 제1 실시예에 따른 광자기 기록 매체(10)는 투명 기판(1)과, 투명 기판(1) 상에 형성된 기초층(2)과, 기초층(2) 상에 형성된 재생층(3)과, 재생층(3) 상에 형성된 차단층(4)과, 차단층(4) 상에 형성된 자계 강화층(5)과, 자계 강화층(5) 상에 형성된 게이트층(6)과, 게이트층(6) 상에 형성된 기록층(7)과, 기록층(7) 상에 형성된 보호층(8)을 구비한다.
투명 기판(1)은 폴리카보네이트 또는 유리 등으로 이루어진다. 기초층(2)은 SiN으로 이루어진다. 재생층(3)은 18-23at.%의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 이루어진다. 차단층(4)은 SiN으로 이루어진다. 자계 강화층(5)은 18-23at.%의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 이루어진다. 게이트층(6)은 22-30at.%의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 이루어진다. 기록층(7)은 TbFeCo로 이루어진다. 보호층(8)은 SiN으로 이루어진다.
기초층(2)의 두께는 500-800Å이다. 재생층(3)의 두께는 200-400Å이다. 차단층(4)의 두께는 200-300Å이다. 자계 강화층(5)의 두께는 600-1000Å이다. 게이트층(6)의 두께는 800-2000Å이다. 기록층(7)의 두께는 500-2000Å이다. 보호층(8)의 두께는 500-800Å이다.
이 광자기 기록 매체(10)에서는 기록층(7)의 자구가 게이트층(6), 자계 강화층(5) 및 차단층(4)을 통하여 재생층(3)에 전사되며, 그 전사된 자구가 외부 자계에 의해 확대되며, 그 결과 그 확대된 자구가 투명 기판(1)측으로부터 조사된 레이 저광에 의해 검출되며 이에 따라 신호가 재생된다.
이러한 신호 재생 프로세스에서 기록층(7)의 자구를 그 자구 길이에 의존하지 않고 재생층(3)에 확실하게 전사하기 위해서는 기록층(7)으로부터 게이트층(6)으로의 자구의 전사를 교환 결합에 의해 행할 필요가 있다(제1 조건).
또한, 재생층(3)에 전사된 자구를 외부 자계에 의해 용이하게 확대하기 위해서는 게이트층(6)으로부터 재생층(3)으로의 자구의 전사를 정전 자기 결합에 의해 행하고, 재생층(3)에 다른 자성층에서부터 교환 결합력이 미치지 않도록 할 필요가 있다(제2 조건).
또한, 게이트층(6)으로부터 재생층(3)으로의 자구의 전사를 정전 자기 결합에 의해 행하기 위해서는 게이트층(6)으로부터 재생층(3)으로의 누설 자계를 크게 할 필요가 있다(제3 조건).
그래서, 제1 조건을 만족시키기 위해서 게이트층(6)이 기록층(7)에 접하여 형성된다. 또한, 제2 조건을 만족시키기 위해서 차단층(4)이 게이트층(6)과 재생층(3) 간에 형성된다. 또한, 제3 조건을 만족시키기 위해서, 자계 강화층(5)이 게이트층(6)과 차단층(4) 간에 형성된다.
다음에, 도 2a 내지 도 2d를 참조하여, 광자기 기록 매체(10)에서의 신호 재생 프로세스를 상세하게 설명한다.
광자기 기록 매체(10)에 레이저광이 조사되며 또한 자구 확대를 위한 외부 자계가 인가되기 전은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 게이트층(6)은 면내(in-plane) 자화막이며, 자계 강화층(5) 및 재생층(3)은 초기화 자계에 의해 한 방향으로 자화된 수직 자화막이다. 기록층(7)은 기록 신호에 따라서 자화된 수직 자화막이다.
계속해서 도 2b에 도시된 바와 같이, 재생층(3)측에서부터 레이저광 LB가 조사되면, 기록층(7) 중 재생하고자 하는 자구(70)가 재생 온도 100℃ 이상으로 승온된다. 게이트층(6)은 실온(예를 들면 0-40℃)에서 면내 자화를 갖고, 재생 온도 100℃ 이상에서 수직 자화를 갖는다. 따라서, 게이트층(6)의 커 회전각의 온도 의존성을 취하면 도 3에 도시된 바와 같이, 커 회전각은 실온에서 거의 제로이지만, 재생 온도 Tr(100℃)이 되면 급격하게 커진다. 그 때문에, 자구(70)에 접하는 게이트층(6)의 영역에는 자구(70)의 부격자 자화(71)와 동일 방향의 부격자 자화(61)를 갖는 자구(60)가 나타난다. 즉, 교환 결합에 의해 기록층(7)의 자구(70)가 게이트층(6)에 전사된다. 게이트층(6)에 전사된 자구(60)는 교환 결합에 의해 자계 강화층(5)에 전사되며, 자계 강화층(5)에는 부격자 자화(61)와 동일 방향의 부격자 자화(51)를 갖는 자구(50)가 나타난다.
이와 같이, 게이트층(6)은 기록층(7) 내의 각 자구를 선택적으로 추출하는 기능을 갖는다. 게이트층(6)의 자구 선택성을 좋게 하기 위해서는 비교적 저온인 100℃ 전후에서 기록층(7)의 자구가 전사되기 쉬운 자성 재료를 이용할 필요가 있다. 그래서, 게이트층(6)은 도 4에 도시되는 것과 같은 자기 특성을 갖는다. 도 4에서, k1은 게이트층(6)의 보자력의 온도 의존성을 나타내고, 곡선 k2는 게이트층(6)의 포화 자화의 온도 의존성을 나타낸다. 이 곡선 k2로부터 밝힌 바와 같이, 게이트층(6)의 포화 자화는 온도 상승에 따라 작아지며, 그 결과, 누설 자계도 작아진다.
이와 같이 재생 온도 Tr에서는 게이트층(6)으로부터의 누설 자계는 적기 때문에, 게이트층(6)만으로는 기록층(7)으로부터 전사된 자구(60)를 정전 자기 결합에 의해 재생층(3)에 확실하게 전사하는 것은 곤란하다. 그래서, 도 4에 도시되는 것과 같은 자기 특성을 갖는 자계 강화층(5)이 설치된다. 도 4에서 곡선 k3은 자계 강화층(5)의 보자력의 온도 의존성을 나타내고, 곡선 k4는 자계 강화층(5)의 포화 자화의 온도 의존성을 나타낸다. 이 곡선 k4에서부터 밝혀진 바와 같이, 자계 강화층(5)의 포화 자화는 120℃에서 최대가 되고, 120℃ 전후에서의 포화 자화는 게이트층(6)보다도 크다. 따라서, 자계 강화층(5)은 포화 자화가 약한 자구(60)를 포화 자화가 강한 자구(50)로 변환하고, 이에 따라 차단층(4)을 통하여 재생층(3)에 달하는 누설 자계를 강화하는 기능을 갖는다.
이와 같이 자계 강화층(5)에 전사된 자구(50)의 포화 자화는 120℃에서 최대가 되기 때문에, 광자기 기록 매체(10)의 온도가 상승하여 120℃가 되면, 이 자구(50)로부터 재생층(3)으로의 누설 자계도 최대가 되며, 도 2c에 도시된 바와 같이 자계 강화층(5)의 자구(50)가 차단층(4)을 통하여 정전 자기 결합에 의해 재생층(3)에 전사되며, 그 결과 이 자구(50)의 자화(51)와 동일 방향의 자화(31)를 갖는 자구(30)가 재생층(3)에 나타난다. 신호 재생 후에 온도가 실온까지 되돌아가면, 이 자구(50)의 자화(51)은 반전하여 초기 상태로 되돌아가기 때문에, 자계 강화층(5) 내에 전사되는 자구의 직경은 항상 일정해진다.
이와 같이 재생층(3)에 자구(30)가 전사된 상태에서, 도 2d에 도시된 바와 같이 기록층(7)측으로부터 외부 자계 Hex(이 외부 자계는 피크 자계가 ±300Oe에서 또는 2-20㎒의 교번 자계이다. 이하 동일함)가 인가된다. 자구(30)의 자화(31)와 동일 방향의 외부 자계가 인가되었을 때, 자구(30)가 자구(301)까지 확대된다. 이 때, 재생층(3)은 자계 강화층(5)과 같은 자성층에 직접 접하지 않고 차단층(4)과 같은 비자성층에만 직접 접하고 있기 때문에, 자구(30)는 자계 강화층(5)으로부터 교환 결합력을 받지 않고 확실하게 자구(301)로 확대된다.
이와 같이 자구(30)가 자구(301)로 확대되었을 때, 재생층(3)측에서부터 조사되고 있는 레이저광 LB가 자구(301)를 검출하고, 이에 따라 기록층(7)의 자구(70)가 재생층(3)으로 전사되고 또한 확대되어 신호가 재생되게 된다.
자구(301)가 검출된 후, 자구(301)의 자화(31)와 반대 방향의 외부 자계가 인가되면, 자구(301)는 소멸하여 도 2a에 도시된 초기 상태로 되돌아간다. 상술한 프로세스를 반복함으로써 기록층(7)의 자구가 차례차례로 재생층(3)에 전사되며 또한 확대되고, 그 결과, 기록층(7)에 기록되어 있는 신호가 재생된다.
상기에서는 비교적 짧은 자구(70)로부터 신호를 재생하는 프로세스를 설명하였다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 자구 길이가 짧은 경우, 그 자구(70)의 중앙에 자화(71)와 동일 방향의 최대 자계(710)가 존재하고, 자구(70)의 양 끝에 자화(71)와 반대 방향인 자계(711 및 711)가 존재한다. 따라서, 비교적 짧은 자구(70)로부터의 누설 자계의 강도 분포는 자구(70)의 양 끝으로부터 중앙으로 향함에 따라 자계 강도가 커진다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 기록층(7) 내의 짧은 자구(70)는 자계 강화층(5) 내에 자구(50)로서 전사된다. 이 자구(50)도 자구(70)와 마찬가지로 짧으므로, 이 자구(50)로부터의 누설 자계의 강도 분포도 상술한 자구(70)로부 터와 마찬가지가 된다. 즉, 자구(50)의 중앙에 자화(51)와 동일 방향의 최대 자계(510)가 존재하고, 자구(50)의 양 끝에 자화(51)와 반대 방향의 자계(511 및 511)가 존재한다. 그 결과, 자구(50)는 정전 자기 결합에 의해 재생층(3)에 확실하게 전사된다.
한편, 자구 길이가 긴 경우의 신호 재생 프로세스를 도 6a 내지 도 6d를 참조하여 설명한다.
도 2a와 마찬가지로, 광자기 기록 매체(10)의 각 자성층(3, 5-7)은 초기 상태에서는 도 6a에 도시된 바와 같이 자화되고 있다.
계속해서 도 6b에 도시된 바와 같이, 재생층(3)측에서부터 레이저광 LB가 조사되며, 기록층(7)의 자구(72)가 100℃에 달하면, 기록층(7)의 자구(72)가 게이트층(6)에 전사되며, 게이트층(6)에 자화(73)와 동일 방향의 자화(63)를 갖는 자구(62)가 나타난다. 이 자구(62)의 길이는 자구(72)보다도 짧고, 도 2b에 도시된 자구(60)와 거의 동일하다. 이와 같이 게이트층(6)을 형성하는 GdFeCo는 100℃를 넘으면 기록층(7)의 최소 자구보다도 작은 영역에서 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 변화하는 자성 재료이다. 따라서, 게이트층(6)은 기록층(7)에 형성된 자구의 길이에 상관없이 각 자구를 선택적으로 추출하고, 후술한 바와 같이 그 추출한 자구를 자계 강화층(5) 및 차단층(4)을 통하여 재생층(3)에 전사한다.
게이트층(6)에 전사된 자구(62)는 또한 교환 결합에 의해 자계 강화층(5)에 자구(52)로서 전사된다.
상술한 바와 같이 자계 강화층(5)의 포화 자화는 120℃에서 최대가 되므로, 자구(52)로부터 재생층(3)에 달하는 누설 자계도 최대가 된다. 그 때문에, 도 6c에 도시된 바와 같이, 자구(52)는 차단층(4)을 통하여 정전 자기 결합에 의해 재생층(3)에 전사되며, 이에 따라 재생층(3)에 자화(53)와 동일 방향의 자화(33)를 갖는 자구(32)가 나타난다.
이와 같이 재생층(3)에 자구(32)가 전사된 상태에서, 도 6d에 도시된 바와 같이 외부로부터 교번 자계 Hex가 인가된다. 자구(32)의 자화(33)와 동일 방향의 자계가 인가되었을 때, 자구(32)는 자구(321)로 확대된다. 이 확대된 자구(321)가 레이저광 LB에 의해 검출되며, 이에 따라 기록층(7)에 기록된 신호가 재생되게 된다.
자구 길이가 긴 경우, 그 누설 자계의 강도 분포는 도 7a에 도시한 바와 같은 형상이 된다. 이 자계 분포에서는, 자구(72)의 양 끝 부근에 자화(73)와 동일 방향의 자계(730 및 730)가 존재하고, 자구(72)의 양 끝에 자화(73)와 반대 방향의 자계(731 및 731)가 존재한다. 자구(72)의 중앙에서의 자계 강도는 매우 약하다. 따라서, 이러한 긴 자구(72)를 정전 자기 결합에 의해 직접 재생층(3)에 전사하는 것은 곤란하다.
그리고, 이 광자기 기록 매체에서는 기록층(7)에 접하여 게이트층(6)이 형성되고 있기 때문에, 상술한 바와 같이 기록층(7)의 자구(72)는 교환 결합에 의해 게이트층(6)에 전사되며, 또한 자계 강화층(5)에 전사된다. 더구나, 긴 자구(72)의 전사에 의해 자계 강화층(5)에 나타나는 자구(52)의 길이는 짧은 자구(70)의 전사에 의해 자계 강화층(5)에 나타나는 자구(50)의 길이와 동일하므로, 도 7b에 도시 된 바와 같이 자구(52)로부터의 누설 자계의 강도 분포는 도 5b에 도시된 것과 동일하다. 즉, 이 자계 분포에는 자구(52)의 중앙에 자화(53)와 동일 방향의 최대 자계(530)가 존재하고, 자구(52)의 양 끝에 자화(53)와 반대 방향의 자계(531 및 531)가 존재한다. 따라서, 이 자계 강화층(5)의 자구(52)도 정전 자기 결합에 의해 재생층(3)에 확실하게 전사된다.
다음에, 이 광자기 기록 매체(10)의 각 층(2-8)의 형성 방법에 대하여 설명한다.
기초층(2)의 SiN은 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며, 타겟으로는 SiN이 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 1에 나타낸 그대로이다.
기초층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 SiN
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) 2.5-3.5
또한, 재생층(3)의 GdFeCo도 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며 타겟에는 Gd 및 FeCo가 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 2에 나타낸 그대로이다. 여기서, 각 타겟에는 RF 파워가 독립하여 인가된다.
재생층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 Gd, FeCo
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) Gd 1.8-2.2
FeCo 1.8-2.2
또한, 차단층(4)의 SiN도 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며 타겟에는 SiN이 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 3에 나타낸 그대로이다.
차단층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 SiN
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) 2.5-3.5
또한, 자계 강화층(5)의 GdFeCo도 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며 타겟에는 Gd 및 FeCo가 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 4에 도시되는 대로 이다. 여기에서도, 각 타겟에는 RF 파워가 독립하여 인가된다. 이 조건에 의해 형성되는 GdFeCo의 보상 온도 Tcomp는 -30℃<Tcomp<50℃가 된다. 따라서, 이 자계 강화층(5)은 확대된 자구(301 또는 321)가 레이저광 LB에 의해 검출된 후에 온도가 실온까지 되돌아가면, 빠르게 초기의 자화 상태로 되돌아간다.
자계 강화층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 Gd, FeCo
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) Gd 1.8-2.2
FeCo 1.8-2.2
또한, 게이트층(6)의 GdFeCo도 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며, 타겟에는 Gd 및 FeCo가 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 5에 나타낸 그대로이다. 여기서도, 각 타겟에는 RF 파워가 독립하여 인가된다. Gd 타겟에 인가되는 RF 파워는 표 4에 도시된 Gd 타겟에 인가되는 RF 파워보다도 크다.
게이트층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 Gd, FeCo
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) Gd 2.0-2.4
FeCo 1.8-2.2
또한, 기록층(7)의 TbFeCo도 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며 타겟에는 TbFeCo가 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 6에 나타낸 그대로이다.
기록층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 TbFeCo
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) 1.5-2.5
또한, 보호층(8)의 SiN도 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성되며, 타겟 에는 SiN이 이용된다. Ar 가스 유량, 가스 압력, 기판 온도 및 RF 파워는 다음의 표 7에 나타낸 그대로이다.
보호층의 형성 조건
Ar 가스 유량(sccm) 50-80
가스 압력(mTorr) 6-10
타겟 SiN
기판 온도(℃) 50-70
RF 파워(W/㎠) 2.5-3.5
상술한 바와 같이 이 광자기 기록 매체(10)의 모든 층(2-8)을 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있으므로 양산성에 우수하다.
이상과 같이 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 재생층(3)과 자계 강화층(5) 간에 차단층(4)이 형성되어 있기 때문에, 자계 강화층(5)으로부터 재생층(3)으로의 교환 결합력이 차단되며, 재생층(3)에 전사된 자구(30 또는 32)를 원활하게 확대할 수 있다. 또한, 기록층(7)에 접하여 게이트층(6)이 형성되어 있기 때문에, 기록층(7)의 각 자구(70 또는 72)는 선택적으로 추출된다. 그 결과, 기록층(7)의 자구 길이에 상관없이 항상 동일 길이의 자구(60 또는 62)가 얻어진다. 또한, 게이트층(6)에 접하여 자계 강화층(5)이 형성되어 있기 때문에, 자계 강화층(5)으로부터 재생층(3)에 도달하는 누설 자계가 강화된다. 그 결과, 기록층(7)으로부터 추출된 자구(50 또는 52)를 확실하게 정전 자기 결합에 의해 재생층(3)에 전사할 수 있다.
제2 실시예
도 8을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광자기 기록 매체(11)에서는 상기 제1 실시예에서의 게이트층(6) 및 자계 강화층(5) 대신에 게이트/자계 강화층(110)이 형성되고 있다. 이 게이트/자계 강화층(110)은 GdFeCo로 이루어지며, 그 Gd의 함유율은 차단층(4)측 끝에서 18-23at.%이며, 기록층(7)측 끝에서 22-30at.%이다. 따라서, 이 게이트/ 자계 강화층(110) 중 Gd의 함유율은 도 9에 도시되는 사선 영역(111) 내에서 기록층(7)측에서부터 차단층(4)측으로 향하여 서서히 감소하고 있다. 따라서, 이 게이트/ 자계 강화층(110)의 100℃ 에서의 포화 자화는 기록층(7)측에서부터 차단층(4)측으로 향하여 증대하고 있다. 즉, 이 게이트/자계 강화층(110)은 상기 제1 실시예에서의 게이트층(6) 및 자계 강화층(5)의 양 기능을 가지고 있다. 그 결과, 이 게이트/자계 강화층(110)은 기록층(7) 내의 각 자구를 선택적으로 추출하고, 재생층(3)에 도달하는 누설 자계를 강화하여 그 추출한 자구를 차단층(4)을 통하여 정전 자기 결합에 의해 확실하게 재생층(3) 내에 전사할 수 있다.
이 광자기 기록 매체(11)의 각 층도 상술한 표 1 내지 표 7에 나타내는 조건으로 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된다. 게이트/자계 강화층(110)의 두께는 1400-3000Å이다.
제3 실시예
도 10을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 광자기 기록 매체(12)에서는 상기 제1 실시예에서의 비자성 재료로 이루어지는 차단층(4) 대신에 자성 재료로 이루어지는 차단층(120)이 형성되고 있다. 이 차단층(120)은 보다 구체적으로 는 Tb15-40(Fe85-100Co0-15)60-85(첨자는 각 성분 원자의 함유율을 나타낸다)로 이루어지며, 그 두께는 30-300Å이다.
따라서, 이 차단층(120)을 형성하는 자성 재료는 도 11에 도시된 바와 같이 실온에서 수직 자화를 갖는다. 즉, 차단층(120)은 초기화 자계에 의해 재생층(3) 및 자계 강화층(5)과 동일 방향으로 자화되고 있다.
또한, 이 자성 재료는 도 12에 도시된 바와 같이 재생 온도 100℃보다도 낮은 퀴리 온도를 갖는다. 퀴리 온도를 넘으면 포화 자화는 제로가 된다.
이러한 광자기 기록 매체(12)에 도 13에 도시된 바와 같이 레이저광 LB가 조사되면, 그 조사된 부분이 도 14에 도시된 바와 같이 승온된다. 차단층(120)의 퀴리 온도 Tc는 그 승온된 부분의 최고 온도 Tmax보다도 낮고 또한 재생 온도 Tr (<Tmax)보다도 낮으므로, 차단층(100) 중 퀴리 온도 Tc가 넘는 부분(121)의 자화가 소멸한다. 따라서, 자계 강화층(5) 내의 자구(50)는 정전 자기 결합에 의해 재생층(3) 내에 전사되며, 이에 따라 재생층(3) 내에 자화(30)가 나타난다. 차단층(120) 중의 자화가 소멸한 부분(121)이 자계 강화층(5)으로부터 재생층(3)으로의 교환 결합력을 차단하므로, 자화(31)와 동일 방향의 자계가 인가되었을 때 자구(30)는 원활하게 확대된다.
이 차단층(120)도 다른 층(3, 5-7)과 마찬가지로 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된다.
상기 제3 실시예에 따르면, 차단층(120)도 다른 층(3, 5-7)과 마찬가지로 자 성 재료로 형성되고 있기 때문에, 각 층의 막질이 우수하다.
제4 실시예
도 15를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 광자기 기록 매체(13)에서는 상기 제3 실시예에서의 차단층(120) 대신에 Tb15-40(Fe65-92Co8-35)60-85로 이루어지는 차단층(130)이 형성되고 있으며 그 막 두께는 30-300Å이다.
이 차단층(130)의 자성 재료는 도 16에 도시된 바와 같이 실온에서 수직 자화를 갖는다. 또한, 이 자성 재료는 도 17에 도시된 바와 같이 재생 온도 Tr(100℃)보다도 높은 퀴리 온도 Tc를 갖는다.
이러한 광자기 기록 매체(13)에 도 18에 도시된 바와 같이 레이저광 LB가 조사되면, 그 조사된 부분의 온도가 상승한다. 도 19에 도시된 바와 같이, 레이저광 LB의 중앙 부분의 온도가 최대가 되는 것은 아니고, 실제는 레이저광 LB의 진행 방향으로 향하여 후방 부분의 온도가 최대가 된다. 차단층(130)의 퀴리 온도 Tc는 이와 같이 레이저광 LB에 의해 승온된 부분의 최고 온도 Tmax보다도 낮다. 따라서, 차단층(130) 중 퀴리 온도 Tc보다도 고온이 되는 부분(131)에서 자화가 소멸한다. 여기서는, 신호가 재생되어야 할 자구의 온도(재생 온도 Tr)는 퀴리 온도 Tc보다도 낮으므로, 차단층(130)의 자화(41)는 소멸하지 않는다. 그 결과, 자계 강화층(5) 내의 자구(50)는 교환 결합에 의해 차단층(130) 내로 전사되며 또한 그 전사된 자구(40)는 교환 결합에 의해 재생층(3) 내에 전사되고, 이보다 재생층(3) 내에 자구(30)가 나타난다.
이와 같이 자화가 소멸한 부분(131)이 자계 강화층(5)으로부터 재생층(3)으로의 교환 결합력을 차단하므로, 자화(31)와 동일 방향의 자계가 인가되면 자구(30)는 원활하게 확대된다.
상기 제4 실시예에 따르면, 자계 강화층(5) 내의 자구(50)가 교환 결합에 의해 재생층(3) 내로 전사되기 때문에, 그 자구(50)의 자화(51)와 동일 방향의 자화(31)를 갖는 자구(30)가 재생층(3) 내에 의해 확실하게 나타난다.
제5 실시예
도 20을 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 광자기 기록 매체(14)에서는 상기 제4 실시예에서의 차단층(130) 대신에 Gd22-30(Fe65-90Co10-35)70-78 로 이루어지는 차단층(140)이 형성되어 있다. 이 차단층(140)의 두께는 300-1500Å이다.
이 차단층(140)도 또한 도 21에 도시된 바와 같이 실온에서 수직 자화를 갖는다. 다만, 이 차단층(140)은 도 19에 도시된 최고 온도 Tmax보다도 낮고 또한 재생 온도 Tr보다도 높은 소정의 온도(도 19에 도시된 퀴리 온도 Tc에 대응한다)에서 수직 자화로부터 면내 자화를 갖도록 변화한다.
이러한 광자기 기록 매체(14)에 도 22에 도시된 바와 같이 레이저광 LB가 조사되면, 신호가 재생되어야 할 자구의 온도가 상승한다. 차단층(140) 중 상기 소정의 온도보다도 고온이 된 부분(141)은 면내 자화막이 된다.
그 때문에, 상기 제4 실시예와 마찬가지로 자계 강화층(5) 내의 자구(50)는 교환 결합에 의해 차단층(140) 내로 전사되고 또한 그 전사된 자구(40)는 교환 결 합에 의해 재생층(3) 내에 전사되고, 이에 따라 재생층(3) 내에 자구(30)가 나타난다. 면내 자화막이 된 부분(141)은 자계 강화층(5)으로부터 재생층(3)으로의 교환 결합력을 차단하므로, 자화(31)와 동일 방향의 자계가 인가되었을 때 자구(30)는 원활하게 확대된다.
제6 실시예
도 23을 참조하여, 본 발명의 제6 실시예에 따른 광자기 기록 매체(15)에서는 상기 제1 실시예에서의 게이트층(6) 대신에 마스크층(150, 151)이 형성되고 있다. 또한, 재생층(3)을 형성하는 GdFeCo 중 Gd의 함유율은 18-28at.% 또는 25-34at.%이다. 또한, 자계 강화층(5)을 형성하는 GdFeCo 중의 Gd의 함유율은 15-31at.% 또는 15-25at.%이다.
마스크층(150)은 GdFeCo로 이루어지며, Gd의 함유율은 24-32at.%, 25-35at.% 또는 28-37at.%이다. 마스크층(151)도 GdFeCo로 이루어지고, Gd의 함유율은 20-25at.%, 18-28at.% 또는 19-25at.%이다. 마스크층(150, 151)도 다른 층(3-5, 7)과 마찬가지로 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된다.
마스크층(150)은 도 24에 도시된 바와 같이 실온에서 면내 자화를 갖고, 또한 후술하는 바와 같이 재생 온도 이상에서 수직 자화를 갖는다. 마스크층(151)은 실온에서 수직 자화를 갖고, 또한 후술하는 바와 같이 재생 온도보다도 높은 소정 온도 이상에서 면내 자화를 갖는다. 따라서, 마스크층(151)은 재생층(3) 및 자계 강화층(5)과 동시에 초기화 자계에 의해 이들 층(3, 5)과 동일 방향으로 자화되고 있다.
도 25를 참조하여, 기록층(7)의 각 자구가 고분해능으로 재생층(3)으로 전사되는 기구에 대하여 상세하게 설명한다. 소정의 회전수에서 회전하고 있는 광자기 기록 매체(15)에 레이저광 LB가 조사되면, 레이저광 LB의 광축 LB0보다 후방의 위치 L1에서 광자기 기록 매체(15)의 온도는 최고가 되며, 위치 L1보다 레이저광 LB의 진행 방향 DR측에서는 광자기 기록 매체(15)의 온도 분포는 급격해지며 위치 L1보다 레이저광 LB의 진행 방향 DR과 반대측에서는 광자기 기록 매체(15)의 온도 분포는 넓어진다.
이러한 온도 분포 하에서, 마스크층(151)은 온도 T2 이상에서 수직 자화막으로부터 면내 자화막으로 변화하고, 마스크층(150)은 온도 T2보다도 낮은 온도 T1 이상에서 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 변화한다. 따라서, 마스크층(151) 중 온도 T1보다도 낮은 영역에는 기록층(7)의 자구(75)와 교환 결합한 수직 자화를 갖는 자구(158)가 존재하고, 온도 T2보다도 높은 영역에는 면내 자화를 갖는 자구(157)가 존재한다. 또한, 마스크층(150) 중 온도 T1보다도 낮은 영역에는 면내 자화를 갖는 자구(154)가 존재하고, 온도 T2보다도 높은 영역에는 수직 자화가 유지된다.
그렇게 하면, 기록층(7) 중 온도 T2보다도 높은 영역에 존재하는 자구(74)는 마스크층(151)의 면내 자화를 갖는 자구(157)에 의해 재생층(3)으로의 전사가 저지된다. 또한, 기록층(7) 중 온도 T1보다도 낮은 영역에 존재하는 자구(75)는 마스크층(151)으로 자구(158)로서 전사되지만, 마스크층(150)의 면내 자화를 갖는 자구(154)에 의해 재생층(3)으로의 전사가 저지된다.
따라서, 기록층(7) 중 온도 T1에서부터 온도 T2의 범위 내에 있는 자화(71)를 갖는 자구(70)는 마스크층(151)이 온도 T2에서 면내 자화막이 되기 때문에 교환 결합에 의해 마스크층(151)으로 자화(71)와 동일 방향의 자화(156)를 갖는 자구(155)로서 전사되며, 마스크층(150)으로서는 온도 T1 이상에서 수직 자화막이 되므로, 마스크층(151)의 자구(155)는 교환 결합에 의해 자화(71)와 동일 방향의 자화(153)를 갖는 자구(152)로서 마스크층(150)에 전사된다. 그리고, 마스크층(150)의 자구(152)는 교환 결합에 의해 더욱 자계 강화층(5)에 자화(153)와 동일 방향의 자화(51)를 갖는 자구(50)로서 전사되고, 자계 강화층(5)의 자구(50)로부터는 강한 누설 자계가 차단층(4)을 통하여 재생층(3)에 달한다. 그 결과, 자계 강화층(5)의 자구(50)는 확실하게 차단층(4)을 통하여 재생층(3)에 자구(30)로서 전사된다.
여기서는, 마스크층(150)이 면내 자화막으로부터 수직 자화막으로 변화하는 온도 T1은 100-160℃의 범위로 설정되며, 마스크층(151)이 수직 자화막으로부터 면내 자화막으로 변화하는 온도 T2는 120-180℃의 범위로 설정된다. 그리고, 온도 T1과 온도 T2의 온도차는 20-40℃의 범위가 적합하며, T2-T1을 20-40℃의 범위로 설정함으로써 기록층(7)의 각 자구를 독립하여 재생층(3)에 전사할 수 있다.
레이저광 LB의 강도, 광자기 기록 매체(15)의 회전수를 제어함으로써, 기록층(7) 중 온도가 T1에서부터 T2가 되는 영역을 최단 도메인 길이 정도로 작게 할 수 있으므로, 광자기 기록 매체(15)에서는 기록층(7)의 각 자구를 독립하여 재생층(3)으로 확실하게 전사할 수 있다. 그 결과, 고분해능의 신호 재생이 가능 하다.
제7 실시예
도 26을 참조하여 본 발명의 제7 실시예에 따른 광자기 기록 매체(16)에서는 상기 제6 실시예에서의 마스크층(150, 151)이 반대 순서로 형성되고 있다.
제8 실시예
도 27을 참조하여, 본 발명의 제8 실시예에 따른 광자기 기록 매체(17)에서는 상기 제6 실시예에서의 차단층(4) 대신에 상기 제3 실시예에서의 차단층(120)이 형성되고 있다.
제9 실시예
도 28을 참조하여, 본 발명의 제9 실시예에 따른 광자기 기록 매체(18)에서는 상기 제8 실시예에서의 마스크층(150, 151)이 반대 순서로 형성되고 있다.
제10 실시예
도 29를 참조하여, 본 발명의 제10 실시예에 따른 광자기 기록 매체(19)에서는 상기 제6 실시예에서의 차단층(4) 대신에 상기 제4 실시예에서의 차단층(130)이 형성되어 있다.
제11 실시예
도 30을 참조하여, 본 발명의 제11 실시예에 따른 광자기 기록 매체(20)에서는 상기 제10 실시예에서의 마스크층(150, 151)이 반대 순서로 형성되어 있다.
제12 실시예
도 31을 참조하여, 본 발명의 제12 실시예에 따른 광자기 기록 매체(21)에서 는 상기 제6 실시예에서의 차단층(4) 대신에 상기 제5 실시예에서의 차단층(150)이 형성되어 있다.
제13 실시예
도 32를 참조하여, 본 발명의 제13 실시예에 따른 광자기 기록 매체(22)에서는 상기 제12 실시예에서의 마스크층(150, 151)이 반대 순서로 형성되어 있다.
제14 실시예
상기 실시예에서의 단일 구조의 재생층(3) 대신에, 도 33에 도시된 바와 같이 적층 구조의 재생층(34)이 형성되어도 좋다. 이 재생층(34)에서는 귀금속으로 이루어지는 층(35)과 천이 금속으로 이루어지는 층(36)이 교대로 형성되어 있다. 귀금속으로서는 예를 들면 Pt, Pd, Cu, Au가 이용되며 천이 금속으로서는 예를 들면 Co, Fe, FeCo 합금이 이용된다.
또한, 재생층(3)은 귀금속과 천이 금속의 합금으로 이루어지고 있어도 좋다. 귀금속과 천이 금속의 합금으로서는, 예를 들면 PtCo, PdCo, CuCo, AuCo, PtFe, PdFe, CuFe, AuFe, PtFeCo, PdFeCo, CuFeCo, AuFeCo가 있다.
또한, GdFeCo로 이루어지는 재생층(3)에 Nd 또는 Pr을 첨가하여도 좋다. 즉, 재생층(3)은 NdGdFeCo 또는 PrGdFeCo로 이루어지고 있어도 된다.
재생층을 상기한 바와 같은 자성 재료로 형성하면, 400㎚과 같이 비교적 파장이 짧은 레이저광에 대한 커 회전각이 GdFeCo로 이루어지는 재생층(3)의 커회전각보다도 커진다.
이번 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적이지 않아야 한다고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라 특허 청구의 범위에 의해서 나타나고 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
본 발명에 따른 광자기 기록 매체는 CD(컴팩트 디스크), CD-ROM(컴팩트 디스크-리드 온리 메모리), DVD(디지털 비디오 디스크)와 같은 광디스크에 이용할 수 있다.

Claims (15)

  1. 레이저광이 조사되고, 외부 자계에 노출되는 광자기 기록 매체에 있어서,
    재생층과,
    상기 재생층 상에 형성된 차단층과,
    상기 차단층 상에 형성된 게이트/자계 강화층과,
    상기 게이트/자계 강화층 상에 형성되고, 복수의 자구를 포함하는 기록층을 구비하고,
    상기 차단층과 접하는 면에서 상기 게이트/자계 강화층의 포화 자화는, 재생 온도에서 상기 기록층과 접하는 면에서 상기 게이트/자계 강화층의 포화 자화보다 크고, 상기 게이트/자계 강화층은, 상기 기록층 내의 각 자구를 선택적으로 추출하고, 여기에서 상기 재생층에 도달하는 누설 자계를 강화하여 그 추출한 자구를 상기 재생층 내에 전사하고,
    상기 차단층은 상기 게이트/자계 강화층으로부터 상기 재생층으로의 교환 결합력을 차단하고, 실온에서 수직 자화를 갖고, 상기 레이저광이 조사되는 광자기 기록 매체의 최고 온도보다 낮은 온도에서 면내(in-plane) 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트/자계 강화층은 재생 온도에서 상기 기록층측으로부터 상기 차단층측으로 향하여 증대하는 포화 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트/자계 강화층은 희토류 금속을 함유하고, 그 함유율은 상기 기록층측으로부터 상기 차단층측으로 향하여 감소하는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트/자계 강화층은,
    상기 기록층에서의 상기 각 자구가 100℃ 근방의 온도에서 전사될 수 있는 자성 재료로 구성되며, 상기 각 자구를 선택적으로 추출하는 게이트층과,
    상기 차단층과 상기 게이트층 간에 형성되며, 상기 누설 자계를 강화하는 자계 강화층을 포함하고,
    상기 게이트층은, 기록층의 최소 자구보다 작은 영역에서 면내 자화로부터 수직 자화로 변화하기 위해, 실온에서는 면내 자화를 갖고, 재생 온도에서는 수직 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 게이트층은,
    실온에서 면내 자화를 갖고, 또한 상기 재생 온도 이상에서 수직 자화를 갖는 제1 마스크층(150)과,
    실온에서 수직 자화를 갖고, 또한 상기 재생 온도 이상에서 면내 자화를 갖는 제2 마스크층(151)을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 마스크층은 둘 다 상기 자계 강화층의 포화 자화보다 큰 포화 자화를 갖지 않는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  6. 제4항에 있어서, 상기 자계 강화층은 상기 재생 온도에서 상기 게이트층의 포화 자화보다도 큰 포화 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  7. 제6항에 있어서, 상기 게이트층은 실온에서 면내 자화를 갖고, 또한 상기 재생 온도 이상에서 수직 자화를 갖고,
    상기 자계 강화층의 포화 자화는 상기 재생 온도보다도 높은 온도에서 최대가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 게이트층은 필수적으로 22 내지 33at. %의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 구성되며,
    상기 자계 강화층은 필수적으로 16 내지 23at. %의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 구성되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  9. 레이저광이 조사되고, 외부 자계에 노출되는 광자기 기록 매체에 있어서,
    재생층과,
    상기 재생층 상에 형성된 차단층과,
    상기 차단층 상에 형성된 게이트/자계 강화층과,
    상기 게이트/자계 강화층 상에 형성된 기록층을 구비하고,
    상기 차단층과 접하는 면에서 상기 게이트/자계 강화층의 포화 자화는, 재생 온도에서 상기 기록층과 접하는 면에서 상기 게이트/자계 강화층의 포화 자화보다 크고, 상기 게이트/자계 강화층은, 상기 기록층 내의 각 자구를 선택적으로 추출하고, 여기에서 상기 재생층에 도달하는 누설 자계를 강화하여 그 추출한 자구를 상기 재생층 내에 전사하고,
    상기 차단층은 상기 게이트/자계 강화층으로부터 상기 재생층으로의 교환 결합력을 차단하고, 상기 차단층은 필수적으로 비자성 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  10. 제9항에 있어서, 상기 게이트/자계 강화층은 재생 온도에서 상기 기록층측으로부터 상기 차단층측으로 향하여 증대하는 포화 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  11. 제10항에 있어서, 상기 게이트/자계 강화층은 희토류 금속을 함유하고, 그 함유율은 상기 기록층측으로부터 상기 차단층측으로 향하여 감소하는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  12. 제9항에 있어서, 상기 게이트/자계 강화층은,
    상기 기록층에서의 상기 각 자구가 100℃ 근방의 온도에서 전사될 수 있는 자성 재료로 구성되며, 상기 각 자구를 선택적으로 추출하는 게이트층과,
    상기 차단층과 상기 게이트층 간에 형성되며, 상기 누설 자계를 강화하는 자계 강화층을 포함하고,
    상기 게이트층은, 기록층의 최소 자구보다 작은 영역에서 면내 자화로부터 수직 자화로 변화하기 위해, 실온에서는 면내 자화를 갖고, 재생 온도에서는 수직 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  13. 제12항에 있어서, 상기 자계 강화층은 상기 재생 온도에서 상기 게이트층의 포화 자화보다도 큰 포화 자화를 갖는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  14. 제13항에 있어서, 상기 게이트층은 실온에서 면내 자화를 갖고, 또한 상기 재생 온도 이상에서 수직 자화를 갖고,
    상기 자계 강화층의 포화 자화는 상기 재생 온도보다도 높은 온도에서 최대가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
  15. 제14항에 있어서, 상기 게이트층은 필수적으로 22 내지 33at. %의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 구성되며,
    상기 자계 강화층은 필수적으로 16 내지 23at. %의 Gd를 함유하는 GdFeCo로 구성되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
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