JPH08241543A

JPH08241543A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH08241543A
Application number: JP4311395A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Kawano; 敏史川野
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1995-03-02
Filing date: 1995-03-02
Publication date: 1996-09-17

Abstract

(57)【要約】【目的】大きな静磁結合力を得ることが可能であり、長
い記録マークでも十分な耐再生磁界強度を得ることがで
きる光磁気記録媒体を提供する。【構成】少なくとも希土類金属と遷移金属のアモルフ
ァス合金磁性体よりなる再生層及び記録層が基板上に設
けられおり、再生時に記録層の磁化方向が静磁結合力に
より再生層に転写される光磁気記録媒体において、記録
層の再生層に面する側と反対側に、再生時に磁化が実質
的に膜面に平行な方向を向いた磁性体よりなる透磁層を
設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高密度記録に利用される
光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書換え可能な情報記録媒体として実用化されている。特
に希土類金属と遷移金属のアモルファス合金の記録層を
用いた媒体は非常に優れた特性を示している。

【０００３】光磁気ディスクは非常に大容量の記録媒体
であるが、社会の情報量の増大に伴いさらなる大容量化
が望まれている。光ディスクの記録密度は通常の場合、
その再生光のスポットの大きさで決ってしまう。スポッ
トの大きさはレーザーの波長が短いほど小さくすること
ができるため、レーザーの短波長化の検討が進められて
いるが、非常に困難を伴っている。

【０００４】一方、レーザーの波長によって決定される
以上の分解能を色々な工夫によって得ようとする、いわ
ゆる超解像技術の試みが近年行われている。その一つ
に、光磁気ディスクを用い、多層膜間の交換結合力ある
いは静磁結合力を用いた超解像(Magnetically induced
super resolution以下ＭＳＲ) が報告されている。

【０００５】この中で静磁結合力を用いたものは、再生
層膜厚を薄くできたり、広い組成マージンを得られると
いう点で交換結合を用いるものに対してメリットがあ
る。例えば希土類金属と遷移金属の合金よりなる再生層
と記録層の間の交換結合を窒化Ｓｉの層により切断し
て、層間の力を静磁結合として超解像を起こすという試
みもなされている（光磁気記録国際シンポジウム’９
４、テクニカルダイジェスト２９−ｋ−０５）。

【０００６】これは、室温においては磁化方向が膜面に
平行に近い状態となるため、信号再生領域は磁気異方性
の高い再生光の加熱による高温部のみとなり、この結果
再生する記録マークの前後のマークによる信号干渉（マ
ーク間干渉）が低減されて高い信号分解能が得られると
いうものである。さらに隣接するトラックの信号も再生
されなくなるので、隣接トラックからの信号の漏れ込み
（クロストーク）も非常に小さくすることが可能であ
る。

【０００７】これとは別に我々は、図２に示すように、
室温において再生層と記録層５が低キュリー温度の切断
層を介して交換結合しており、再生時の高温領域におい
ては切断層がキュリー温度を越え交換結合が切断される
ことにより、再生層３と記録層５との間の交換結合のた
めに再生層３の磁化方向が室温時に対して反転するよう
な超解像媒体も提案している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし我々は検討を進
める内、こういった媒体は記録磁区が小さい場合はノイ
ズが低いが、比較的大きい記録磁区を用いた際ノイズが
上昇する、すなわち記録信号の低周波領域でのノイズが
高いことを見いだした。特に再生時に磁界を印加した際
にはこの現象は大きくなる。

【０００９】高密度化に必須と思われるＰＷＭ記録（パ
ルス幅変調）においては、記録磁区の大きさは様々に変
化するから、こういった低周波領域でのノイズの上昇は
安定した信号再生を行う上で極めて深刻な問題となる。
また再生時にはヘッドの漏れ磁界や外部環境からの磁界
も存在するので再生時の磁界に対する安定性は重要な問
題である。

【００１０】我々はさらにこういった現象を検討してい
った結果、この転写に関する磁区サイズの依存性は、単
一磁区の内部における減磁界のため磁区中心付近での記
録層５からの浮遊磁界が小さくなり、静磁結合により転
写する力が弱くなるためであることが判明した。

【００１１】磁区境界付近では向きの異なる磁区が隣り
合うため減磁界は小さいが、磁区が大きくなるとその中
心付近では減磁界のため外部に磁界をほとんど発生しな
くなってしまう。このため、磁区が大きい場合その中心
付近で転写が不十分となりノイズの上昇を生じていたも
のである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は記録層の再生層
とは反対の面に面内磁化膜を用いることにより、上記の
ような問題点を解決し、再生層と記録層の間に十分強い
静磁結合力が得られることを可能としたものである。本
発明の要旨は、少なくとも希土類金属と遷移金属のアモ
ルファス合金磁性体よりなる再生層及び記録層が基板上
に設けられおり、再生時に記録層の磁化方向が静磁結合
力により再生層に転写される光磁気記録媒体において、
記録層の再生層に面する側と反対側に、再生時に磁化が
実質的に膜面に平行な方向を向いた磁性体よりなる透磁
層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体に存する。

【００１３】以下、本発明の光磁気記録媒体の一例につ
き図面を用いてさらに詳細に説明する。図１は本発明の
光磁気記録媒体の断面図、図２は従来方式の光磁気記録
媒体の断面図、図３は本発明の光磁気記録媒体の記録層
での磁束の流れの模式図、図４は従来の方式の記録層で
の磁束の流れの模式図である。図中１は基板、２は保護
層、３は再生層、４は切断層、５は記録層、６は中間
層、７は透磁層、８は保護層をそれぞれ示す。

【００１４】この種の光磁気記録媒体は通常基板１に保
護層２，８、再生層３、切断層４、記録層５等を設けた
構造とされている。通常、希土類金属と遷移金属の合金
を２層（例えば記録層５と再生層３）以上積層した場
合、層間の力は電子の交換相互作用による交換結合力が
支配的に働き、磁束による静磁的な繋がりはさほど関係
してこない。

【００１５】しかし、２層間に電子軌道の重なりを切断
し、交換結合を無くす層（切断層４）を設けることによ
り、静磁結合を支配的な力とすることが可能となる。再
生層３と記録層５の間に働く静磁結合力とは各磁性層
（記録層５と再生層３）の磁化が発生する磁束による磁
気的な結合力、すなわち磁石のＮ極とＳ極が引き合うの
に等しい力である。

【００１６】本発明はこういった静磁結合により記録層
５の磁区を再生時に再生層３に転写するような媒体を用
いる。通常の再生の場合、記録磁区の間隔を縮めていく
と記録方向と消去方向の信号が互いに打ち消し合い、信
号の区別ができなくなり信号レベルが低下してしまう。

【００１７】これに対し先に述べた様に、再生層３と記
録層５の間の静磁結合力による転写を用いた超解像効果
により、微小なマークでも再生が可能となる。記録層５
から再生層３への磁区の転写を効率的に行うためには、
記録層５が膜の外部に発生する磁界（漏洩磁界）が十分
に強いものでなければならない。この記録層５における
漏洩磁界を図３、図４を用いて説明する。

【００１８】記録層５において磁化が発生する磁束は記
録層５内でＳ極よりＮ極に入りループを作るが、磁化が
一方向を向いた磁区が大きい場合図４に示す様にその中
心付近では磁束のループが形成できず、いわゆる「減磁
界」の効果により外部に漏れ出る磁界（漏洩磁界）は非
常に小さくなる。極端な場合全体が一様に磁化されてい
れば漏洩磁界はほとんど生じない。

【００１９】これに対し、異なった磁化方向を持つ磁区
と磁区の境界では隣接する磁区と磁区との間で磁束ルー
プを形成するので減磁界は小さく、大きな漏洩磁界が得
られる。大きな磁区を記録層５に記録した場合は、その
中心付近での漏洩磁界が小さく、この結果静磁結合力は
磁区境界部と比べて著しく小さくなりこの部分で再生層
３への十分な転写が起こらなくなる。

【００２０】こういった減磁界の効果を低減するため
に、本発明では記録層５の再生層３とは反対側に磁束を
面内方向に透過させる層（透磁層７）を設ける。これは
図３に示す様に磁区中心部の磁束が、距離が離れた隣接
する逆向きの磁化方向を持つ磁区との間でループを形成
し易いようになすものである。この層の存在によって、
磁区中心部であっても隣接する磁区との間に磁束ループ
が容易に形成でき、減磁界が減少することにより大きな
漏洩磁界を発生することが可能となる。

【００２１】すなわち、記録層５の磁区方向を安定的に
再生層３に転写することができる。透磁層７は記録層５
に直接接しても良いし、両者の間に非磁性層の中間層６
を介していても良い。面内磁化層を直接記録層５に接し
て設けるのは記録層５の垂直磁気異方性を低下させ、Ｃ
ＮＲの低下や記録磁界感度の低下をもたらす恐れがあ
り、さらに記録感度も劣化するので、中間層６を介する
のが好ましい。

【００２２】特に誘電体等の熱伝導率の低い層を用いる
のが好ましい。代表的な材質としては後述する保護層と
同様の材質のものが挙げられる。中間層６の厚みが厚す
ぎると、透磁層７が磁束を透過させる効果が小さくなる
ので、中間層６は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であること
が好ましい。通常の場合この中間層６は磁性層の保護膜
を兼ねる。

【００２３】透磁層７の材質は比透磁率μが比較的高い
ものが好ましく、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの単体あるいはこれ
らの合金が好ましく用いられる。比透磁率μは１０以上
であることが好ましい。また、透磁率を上げるためＣ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ等を５％以下程度含ませて
も良い。

【００２４】しかし、μが高いものであればこういった
物質に限定されるものではない。透磁層７としては特に
軟質磁性材料と呼ばれるものが好ましく、パーマロイや
フェライトが挙げられる。透磁層７の厚さは１ｎｍ以上
であることが好ましいが、さらに好ましくは５ｎｍ以
上、特に好ましくは１０ｎｍ以上である。

【００２５】透磁層７が厚すぎると、記録感度が悪化す
るので透磁層７の膜厚は１００ｎｍ以下が好ましく、さ
らに好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ
である。本発明の媒体は、再生層３と記録層５を有し、
再生時、静磁結合によって記録層５の磁化方向を再生層
３に転写する。

【００２６】静磁結合による転写を安定に行うための磁
界を発生するには記録層５が再生時において十分な大き
さの磁化を有している必要がある。記録層５の体積磁化
率は再生時の最高到達温度（Tmax）において８０emu/cc
以上が必要である。しかし室温において記録層５の体積
磁化率が大きすぎる場合は、記録層５内部での微小反転
磁区が生じたり、磁気異方性の低下が起こり再生層３の
磁化を完全に垂直に立たせる事ができなくなるため、室
温において３００emu/cc以下であることが必要である。

【００２７】Ｔmax において好ましくは１２０emu/cc以
上であり、さらに好ましくは１５０emu/cc以上である。
室温において好ましくは２５０emu/cc以下であり、さら
に好ましくは２００emu/cc以下である。ここで言う室温
とは、使用環境温度であり、代表的には２５℃である。

【００２８】一方、再生層３の受ける力は再生層３の磁
化も影響する。従って再生層３もＴmax において有る程
度以上の磁化を持つことが好ましい。Ｔmax における再
生層３の好ましい体積磁化率は１５０emu/cc以上であ
り、さらに好ましくは２００emu/cc以上、特に好ましい
のは２５０emu/cc以上である。一方、室温において磁化
が大きすぎる場合は、記録層５と交換結合を行った場
合、垂直磁気異方性の低い再生層３の影響を受けて記録
層５の磁化が完全に垂直に立たない、あるいは磁化が局
所的に反転を起こすような状況が生じる。

【００２９】室温において再生層３の好ましい体積磁化
率は５００emu/cc以下であり、さらに好ましくは４５０
emu/cc以下、特に好ましくは４００emu/cc以下である。
また、磁化反転を起こすには再生層３の保磁力Ｈｃがあ
る程度小さい必要がある。しかし、小さ過ぎる場合は再
生信号の劣化が生じるため、Ｔmax に於いてＨｃは２ｋ
Ａ／ｍ以上、４０ｋＡ／ｍ以下であることが好ましい。

【００３０】記録層５は安定に記録を蓄えるため、Ｔma
x において８００ｋＡ／ｍ以上の保磁力を有するのが望
ましい。また、再生層３が希土類金属優勢で温度上昇に
よる磁化の減少に伴って垂直磁気異方性が増加していく
ような組成は磁化反転による磁壁エネルギーの増加を小
さくでき、かつ高温部で垂直磁気異方性が高いため、再
生信号が大きくとれ好ましい。

【００３１】再生層３に用いられる物質としては、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤ
ｙＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＣｏ、Ｔｂ
Ｃｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＣｏ
等の希土類と遷移金属の合金が好ましく用いられる。中
でも、Ｇｄを含有する合金を用いるのがキュリー温度や
保磁力の点から好ましい。

【００３２】キュリー温度としては、２５０℃以上であ
ることが好ましい。ＰｔＣｏや、ＰｔとＣｏの超格子等
の磁性体を希土類と遷移金属との合金との積層で用いる
こともできる。中でも、保磁力を小さくできるＧｄＦｅ
Ｃｏを主体たした合金が好ましく用いられる。

【００３３】

【数１】Ｇｄx （Ｆｅy Ｃｏ100-y ）100-x （いずれも原子％）と表した場合、30≦x ≦35、0 ≦y ≦100 であることが
好ましい。なお、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｍｏ等の添加物を
５原子％以下程度添加しても良い。

【００３４】再生層３の垂直磁気異方性を大きくするに
は、磁性層にある程度の膜応力をもたせて逆磁歪効果に
よる異方性を発生させるのが好ましい。膜応力は大きす
ぎると膜の耐久性に悪影響を与えるため１×１０⁹erg/
cc以上５×１０⁹erg/cc以下であることが好ましい。

【００３５】本発明においては強い静磁結合力が得られ
るので、従来に比べ薄い再生層３を用いることができ
る。このことによって、感度の向上が計れると共に、作
成のコストを低減することができる。ただし、再生層３
が薄すぎると、信号が十分に得られなくなる。再生層３
の膜厚は１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ま
しい。さらに好ましくは１５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下で
あり、特に好ましくは２０ｎｍ以上、３５ｎｍ以下であ
る。

【００３６】記録層５は、安定して記録を蓄えている層
であるから、再生ビームで劣化しない大きさのキュリー
温度を有していることが必要である。キュリー温度の大
きさは、２００〜２８０℃程度が好ましい。キュリー温
度が高すぎると、記録に要するレーザーのパワーが大き
くなりすぎてしまう。

【００３７】記録層５は、高い垂直磁気異方性を持つこ
とも、再生層３の磁化に強い力を与えるために必要であ
る。記録層５の物質としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の合金が好まし
く用いられる。

【００３８】記録層５としては特に垂直磁気異方性の大
きいＴｂＦｅＣｏを主体とした合金が好ましく用いられ
る。中でも、

【００３９】

【数２】Ｔｂx （Ｆｅy Ｃｏ100-y ）100-x （いずれも原子％）と表した場合、17≦x ≦24、70≦y ≦85であることが好
ましい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｍｏ等の添加物を
５原子％以下程度添加しても良い。

【００４０】記録層５の膜厚は１０ｎｍ以上、５０ｎｍ
以下であることが好ましい。記録層５の記録を安定に蓄
えておくには記録層５の保磁力は再生層３の保磁力より
も大きいことが好ましい。記録層５の保磁力は２４０ｋ
Ａ／ｍ以上であることが好ましい。再生層３と記録層５
の間には交換結合力を切断する切断層４を設ける。

【００４１】交換結合を常に切断する場合には、切断層
４は窒化Ｓｉ等の誘電体あるいはＡｌ、Ｔｂ等の非磁性
金属等が用いられる。再生時に高温部のみ交換結合を切
断する場合には、キュリー温度が再生層３、記録層５よ
り低いもの、例えばＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ等が用いられ
る。切断層４の膜厚は、交換結合を十分にできる程厚い
膜厚であり、かつ静磁結合力が再生層３の磁化を反転さ
せることが可能な程薄い膜厚であらねばならない。

【００４２】また、製造上の安定性を考えるとある程度
以上の膜厚があった方が良い。膜厚は１ｎｍ以上、５０
ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは２ｎｍ以上、４
０ｎｍ以下である。特に好ましくは１０ｎｍ以上、３０
ｎｍ以下である。磁性層の酸化を防ぐため、磁性層と基
板の間、及び透磁層７の外側の両方あるいは、いずれか
片方に保護層２，８を設けた態様をとることが好まし
い。

【００４３】保護膜２，８としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａ
ｌ、酸化Ｔａ、酸化Ｔｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓ
ｉなどの単体あるいはそれらの混合物が好ましく用いら
れる。保護膜２，８の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度
が好ましい。基板側の保護膜を作製後、表面をプラズマ
エッチングすることで磁性層の磁気異方性を向上させる
ことができる。

【００４４】透磁層７上に直接あるいは保護層２，８を
介して、更に放熱層（図示せず）としてＡｌ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ等の単体、あるいはそれを主体とした合金より
なる高熱伝導物質を設けることは、再生時の熱分布を安
定させるうえで望ましい構成である。放熱層の膜厚は１
０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。

【００４５】媒体は作成直後に磁石により全体を一方向
に磁化されることが多い。この場合、記録トラック領域
の間の中間領域（ランド記録なら溝部）においても一方
向に磁化されているため、隣接する記録トラック領域に
向かって磁界が発生する。この磁界は一方向に向いてい
るので記録層５の磁区を再生に転写する際にバイアス磁
界となり、一方向の転写を助け、他方向は転写し難くな
る。

【００４６】このため、再生時にこのバイアス磁界を打
ち消すように再生磁界を印可してもよい。特に中間領域
の磁化方向と同じ方向に印可することが好ましい。ただ
し再生磁界が記録層５と再生層３の間の静磁界と同程度
以上の大きさになると、再生層３の反転に影響を及ぼす
ため１６０００Ａ／ｍ以下であることが好ましい。

【００４７】特に好ましくは１００００Ａ／ｍ以下であ
る。また本発明の方式ではクロストークを非常に低く抑
えられるため、通常のランド記録あるいはグルーブ記録
の他にランドとグルーブの両方に記録を行うことも可能
である。

【００４８】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。実施例１〜４、比較例１〜２１．２μｍのトラックピッチの案内溝を持ったポリカー
ボネート基板をスパッタリング装置に導入し、５×１０
^-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。

【００４９】この後、保護層として基板上に反応性スパ
ッタリングを用い８０ｎｍの酸化Ｔａを形成した。次に
酸化Ｔａ上に、Ｇｄ₃₃( Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀) ₆₇よりなる３０
ｎｍの再生層、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀よりなる３０ｎｍの切断層
を設け、Ｔｂ₂₁( Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀) ₇₉よりなる４０ｎｍの
記録層を設けた。

【００５０】次にＳｉＮよりなる３０ｎｍの中間層を設
け、最後に３０ｎｍの透磁層を設けた。透磁層の物質
は、Ｆｅ（実施例１）、Ｃｏ（実施例２）、Ｎｉ（実施
例３）、Ｆｅ₅₀Ｎｉ₅₀（実施例４）を用いた。比較とし
て透磁層を設けないもの（比較例１）、非磁性層である
Ｔｉを設けたもの（比較例２）も作成した。

【００５１】このようにして作製したディスクを波長７
８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いて光変調記録
によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑音比）の評価を行っ
た。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７ＭＨｚ、記録du
ty３０％である。再生時に磁界の印可は行っていない。
再生パワー２．４ｍＷでの最大ＣＮＲとそのときの記録
パワーを第１表に示す。

【００５２】静磁結合力の強さは、１ＭＨｚ、duty５０
％の条件においてＣＮＲの最大値からの低下が１ｄＢ以
内となる再生磁界強度「Ｈｒマージン」により評価し
た。

【００５３】

【表１】

【００５４】実施例５〜１２透磁層の物質をＦｅとし、膜厚を０．５ｎｍ（実施例
５）から１００ｎｍ（実施例１２）まで変化させた以外
は、実施例１と同様にディスクを作成した。

【００５５】実施例１と同様にＣＮＲと記録パワー、Ｈ
ｒマージンを測定した結果を第２表に示す。第２表には
併せてＣＮＲが最大となった記録パワーも記す。

【００５６】

【表２】

【００５７】実施例１３実施例１の切断層を３０ｎｍのＴｂ、透磁層を３０ｎｍ
のＣｏとした。このディスクを実施例１と同様にＣＮＲ
と記録パワー、Ｈｒマージンを測定した。この結果、記
録パワー７．５ｍＷでＣＮＲ４４．２ｄＢ、Ｈｒマージ
ン１８０Ｏｅが得られた。

【００５８】比較例３実施例１３と同様な構成で透磁層を設けなかった。この
ディスクを実施例１と同様にＣＮＲと記録パワー、Ｈｒ
マージンを測定した。この結果、記録パワー７．２ｍＷ
でＣＮＲ４３．８ｄＢ、Ｈｒマージン３０Ｏｅが得られ
た。

【００５９】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体を用いることに
よって大きな静磁結合力を得ることが可能であり、長い
記録マークでも十分な耐再生磁界強度を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の断面図

【図２】従来の方式の断面図

【図３】本発明の光磁気記録媒体の記録層での磁束の流
れの模式図

【図４】従来の方式の記録層での磁束の流れの模式図

【符号の説明】

１基板２保護層３再生層４切断層５記録層６中間層７透磁層８保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも希土類金属と遷移金属のアモル
ファス合金磁性体よりなる再生層及び記録層が基板上に
設けられおり、再生時に記録層の磁化方向が静磁結合力
により再生層に転写される光磁気記録媒体において、記
録層の再生層に面する側と反対側に、再生時に磁化が実
質的に膜面に平行な方向を向いた磁性体よりなる透磁層
を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】透磁層がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる一
種類以上の金属を含有する請求項１に記載の光磁気記録
媒体。
【請求項３】再生層が室温において記録層と交換結合し
ており、高温になると交換結合が切断されることによ
り、静磁結合によって記録層の磁化方向が再生層に転写
される請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】再生層の磁化が室温で実質的に膜面に平行
な方向を向いており、高温になると室温に対しより垂直
方向に向き、静磁結合により記録層の磁化が再生層に転
写される請求項１に記載の光磁気記録媒体。