KR100370231B1 - 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 - Google Patents
리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100370231B1 KR100370231B1 KR10-2000-0032383A KR20000032383A KR100370231B1 KR 100370231 B1 KR100370231 B1 KR 100370231B1 KR 20000032383 A KR20000032383 A KR 20000032383A KR 100370231 B1 KR100370231 B1 KR 100370231B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat sink
- lead frame
- power module
- module package
- downset
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H10W40/778—
-
- H10W90/00—
-
- H10W90/811—
-
- H10W72/5522—
-
- H10W72/5524—
-
- H10W74/00—
-
- H10W74/10—
-
- H10W90/753—
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- ① 전력회로 및 통제회로를 위한 부품들이 부착되는 제1면과,방열판(heat sink)이 부착되는 제2면과,상기 제1면의 중앙에는 다운셋(down set)이 형성되고, 가장자리에는 외부연결단자(external terminals)들이 형성된 리드프레임;② 상기 다운셋에 의해 돌출된 리드프레임의 제2면에 직접 부착되고, 상기 부착되는 면과 대향하는 면이 전력 모듈 패키지 외부로 노출되며, 열 전달 특성이 우수한 절연물질로 이루어진 방열판(heat sink);③ 상기 리드프레임의 제1면에서 다운셋이 형성된 부분에 탑재되는 전력회로를 위한 부품;④ 상기 리드프레임의 제1면에 탑재되는 통제회로를 위한 부품; 및⑤ 상기 방열판의 일면 및 상기 리드프레임의 외부 연결 단자를 제외한 나머지 리드프레임 및 방열판을 감싸는 봉합수지를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 열 전달 특성이 우수하고 절연물질로 된 방열판(heat sink)은 플라스틱 혹은 세라믹을 재질로 하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 제2항에 있어서,상기 방열판은 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화규소 및 산화베릴늄 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 방열판은 패키지 휨(warpage)을 방지하기 위한 프리밴트 플레이트(pre-bent plate)형인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 제4항에 있어서,상기 방열판의 프리밴트(pre-bent) 정도는 100㎛ 이하 범위인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 방열판은 상기 봉합수지보다 약간 돌출된 형상인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 제6항에 있어서,상기 방열판이 상기 봉합수지보다 돌출된 정도는 0.05∼0.1㎜ 범위인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
- 중앙에 다운셋이 형성되고, 가장자리에는 외부연결단자가 있는 리드프레임을 준비하는 단계;상기 리드프레임에 제1면에 전력회로 및 통제회로의 기능을 수행하는 복수의 칩을 부착하고 와이어 본딩을 수행하는 단계;상기 리드프레임을 몰딩장비로 위치시키되, 상기 몰딩장비는 하부 몰드다이(bottom mold die)에 절연물질로 된 방열판을 고정시킬 수 있는 몰드 장비로 상기 리드프레임을 위치시키는 단계; 및상기 몰드장비에서 상기 리드프레임을 밀봉하되, 상기 리드프레임중 다운셋(downset)이 있는 제2면에 상기 방열판이 직접 접착되고, 외부연결단자가 노출되고, 상기 방열판에서 리드프레임과 접착된 면과 대향하는 면이 외부로 노출되도록 봉합수지를 사용하여 상기 리드프레임을 밀봉(sealing)하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 몰딩장비의 하부 몰드다이(bottom mold die)는 상기 방열판을 고정시킬 수 있는 홈(groove)이 형성된 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 홈의 깊이는 상기 하부 몰드다이의 표면으로부터 0.05∼0.1㎜ 범위로 파인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 방열판은 플라스틱 혹은 세라믹을 재질로서 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화규소 및 산화베릴늄 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 방열판은 프리밴트 플레이트형을 사용하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 중앙에는 다운셋이 형성되고, 가장자리에는 외부연결단자가 있는 리드프레임을 준비하는 단계;상기 리드프레임에 제1면에 전력회로 및 통제회로의 기능을 수행하는 복수의 칩을 부착하고 와이어 본딩을 수행하는 단계;상기 리드프레임을 몰딩장비로 위치하되, 상기 몰딩장비는 하부 몰드다이(bottom mold die)에 절연물질로 된 방열판을 후속공정에서 부착하기 위한 돌출부가 형성된 몰드 장비로 상기 리드프레임을 위치하는 단계;상기 몰드장비에서 상기 리드프레임의 외부연결단자 및 다운셋이 형성된 리드프레임의 제2면이 단차진 형태로 노출되도록 봉합수지를 사용하여 상기 리드프레임을 밀봉(sealing)하는 단계; 및상기 단차가 형성된 채 외부로 노출된 리드프레임의 제2면에 방열판을 부착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 돌출부의 돌출 높이는 1∼3㎜의 범위인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 방열판은 플라스틱 혹은 세라믹을 재질로서 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화규소 및 산화베릴늄 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 리드프레임의 제2면에 상기 방열판을 부착하는 방법은 세라믹계의 충진제를 포함하는 액상 에폭시를 이용하여 부착하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 방열판은 패키지 휨을 방지하기 위해 프리밴트 플레이트형을 사용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 방열판은 접착제에 의해 부착된 복수개의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0032383A KR100370231B1 (ko) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 |
| US09/789,557 US6432750B2 (en) | 2000-06-13 | 2001-02-22 | Power module package having insulator type heat sink attached to rear surface of lead frame and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0032383A KR100370231B1 (ko) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010111736A KR20010111736A (ko) | 2001-12-20 |
| KR100370231B1 true KR100370231B1 (ko) | 2003-01-29 |
Family
ID=19671820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0032383A Expired - Fee Related KR100370231B1 (ko) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6432750B2 (ko) |
| KR (1) | KR100370231B1 (ko) |
Families Citing this family (112)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342589B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-07-04 | 김덕중 | 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
| TW469609B (en) * | 2000-10-11 | 2001-12-21 | Ultratera Corp | Chipless package semiconductor device and its manufacturing method |
| KR100699746B1 (ko) * | 2000-11-07 | 2007-03-27 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 열전달 특성이 개선된 전력용 모듈 패키지 |
| JP2002324875A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体パッケージ基台および半導体パッケージ |
| KR100723454B1 (ko) * | 2004-08-21 | 2007-05-30 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법 |
| US7061080B2 (en) * | 2001-06-11 | 2006-06-13 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Power module package having improved heat dissipating capability |
| JP3944369B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2007-07-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路モジュール及びその使用方法 |
| KR100442847B1 (ko) * | 2001-09-17 | 2004-08-02 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 3차원 구조를 갖는 전력 반도체 모듈 및 그 제조방법 |
| US7042730B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-05-09 | International Rectifier Corporation | Non-isolated heatsink(s) for power modules |
| GB2398181A (en) * | 2003-02-04 | 2004-08-11 | Transparent Engineering Ltd | Nonplanar lead-frame; mounting magnetic components and a circuit board; lead-frame and heat sink |
| US6969641B2 (en) * | 2003-08-27 | 2005-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for integrated circuit packaging |
| US7019394B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-03-28 | Intel Corporation | Circuit package and method of plating the same |
| US7250672B2 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-31 | International Rectifier Corporation | Dual semiconductor die package with reverse lead form |
| US20060035413A1 (en) * | 2004-01-13 | 2006-02-16 | Cookson Electronics, Inc. | Thermal protection for electronic components during processing |
| US20050151555A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Cookson Electronics, Inc. | Cooling devices and methods of using them |
| US7282640B2 (en) * | 2004-03-23 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic device housing and systems and methods for forming same |
| US20050230842A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Multi-chip flip package with substrate for inter-die coupling |
| TWI278090B (en) * | 2004-10-21 | 2007-04-01 | Int Rectifier Corp | Solderable top metal for SiC device |
| US7812441B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-10-12 | Siliconix Technology C.V. | Schottky diode with improved surge capability |
| US20060192273A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit package and method of manufacture thereof |
| US7834376B2 (en) | 2005-03-04 | 2010-11-16 | Siliconix Technology C. V. | Power semiconductor switch |
| US9419092B2 (en) | 2005-03-04 | 2016-08-16 | Vishay-Siliconix | Termination for SiC trench devices |
| DE102005014674B4 (de) * | 2005-03-29 | 2010-02-11 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul mit Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäuse in getrennten Bereichen und Verfahren zur Herstellung desselben |
| TW200642550A (en) * | 2005-05-25 | 2006-12-01 | Cyntec Co Ltd | Power module package structure |
| US7504733B2 (en) | 2005-08-17 | 2009-03-17 | Ciclon Semiconductor Device Corp. | Semiconductor die package |
| US7560808B2 (en) * | 2005-10-19 | 2009-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Chip scale power LDMOS device |
| US8368165B2 (en) | 2005-10-20 | 2013-02-05 | Siliconix Technology C. V. | Silicon carbide Schottky diode |
| US7285849B2 (en) * | 2005-11-18 | 2007-10-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package using leadframe and clip and method of manufacturing |
| US20090057852A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Madrid Ruben P | Thermally enhanced thin semiconductor package |
| US20070164428A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-19 | Alan Elbanhawy | High power module with open frame package |
| US7868432B2 (en) * | 2006-02-13 | 2011-01-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-chip module for battery power control |
| US7446375B2 (en) * | 2006-03-14 | 2008-11-04 | Ciclon Semiconductor Device Corp. | Quasi-vertical LDMOS device having closed cell layout |
| US7768075B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-08-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die packages using thin dies and metal substrates |
| US7618896B2 (en) * | 2006-04-24 | 2009-11-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including multiple dies and a common node structure |
| US7868451B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-01-11 | Kokusan Denki Co. Ltd. | Resin sealing semiconductor device and electronic device using resin sealing semiconductor device |
| US7656024B2 (en) | 2006-06-30 | 2010-02-02 | Fairchild Semiconductor Corporation | Chip module for complete power train |
| EP2047514A4 (en) | 2006-07-31 | 2010-12-01 | Vishay Siliconix | MOLYBDENUM BARRIER METAL FOR SIC SCHOTTKY DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| US20080029855A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Yi-Ling Chang | Lead Frame and Fabrication Method thereof |
| US8048714B2 (en) * | 2006-08-11 | 2011-11-01 | Vishay General Semiconductor Llc | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities |
| US8269338B2 (en) * | 2006-08-10 | 2012-09-18 | Vishay General Semiconductor Llc | Semiconductor device having improved heat dissipation capabilities |
| US20080036078A1 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-14 | Ciclon Semiconductor Device Corp. | Wirebond-less semiconductor package |
| US7564124B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-07-21 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including stacked dice and heat sink structures |
| US8106501B2 (en) * | 2008-12-12 | 2012-01-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including low stress configuration |
| US7768105B2 (en) * | 2007-01-24 | 2010-08-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Pre-molded clip structure |
| US7821116B2 (en) * | 2007-02-05 | 2010-10-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including leadframe with die attach pad with folded edge |
| JP5252819B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7659531B2 (en) * | 2007-04-13 | 2010-02-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Optical coupler package |
| US7683463B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-03-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Etched leadframe structure including recesses |
| EP1993008A1 (de) * | 2007-05-18 | 2008-11-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Betreiben eines modular aufgebauten Systems, insbesondere eines Prozess-Automatisierungssystems |
| US7902657B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self locking and aligning clip structure for semiconductor die package |
| US7737548B2 (en) | 2007-08-29 | 2010-06-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including heat sinks |
| US20090057855A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Maria Clemens Quinones | Semiconductor die package including stand off structures |
| US20090140266A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Yong Liu | Package including oriented devices |
| US7589338B2 (en) * | 2007-11-30 | 2009-09-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die packages suitable for optoelectronic applications having clip attach structures for angled mounting of dice |
| KR20090062612A (ko) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 멀티 칩 패키지 |
| US7781872B2 (en) * | 2007-12-19 | 2010-08-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Package with multiple dies |
| US8106406B2 (en) * | 2008-01-09 | 2012-01-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Die package including substrate with molded device |
| US7791084B2 (en) | 2008-01-09 | 2010-09-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | Package with overlapping devices |
| US7626249B2 (en) * | 2008-01-10 | 2009-12-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flex clip connector for semiconductor device |
| US20090194856A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-06 | Gomez Jocel P | Molded package assembly |
| KR101524545B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2015-06-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| US8018054B2 (en) * | 2008-03-12 | 2011-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including multiple semiconductor dice |
| US7768108B2 (en) | 2008-03-12 | 2010-08-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including embedded flip chip |
| KR101519062B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2015-05-11 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
| US20090278241A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Yong Liu | Semiconductor die package including die stacked on premolded substrate including die |
| US8193618B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-06-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package with clip interconnection |
| US8049312B2 (en) * | 2009-01-12 | 2011-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package and method of assembly thereof |
| US20100193920A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device, leadframe and method of encapsulating |
| US7973393B2 (en) * | 2009-02-04 | 2011-07-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Stacked micro optocouplers and methods of making the same |
| US8222718B2 (en) * | 2009-02-05 | 2012-07-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package and method for making the same |
| JP5106519B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2012-12-26 | Necアクセステクニカ株式会社 | 熱伝導基板及びその電子部品実装方法 |
| TWI453831B (zh) | 2010-09-09 | 2014-09-21 | 台灣捷康綜合有限公司 | 半導體封裝結構及其製造方法 |
| JP2012069764A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| KR101239117B1 (ko) * | 2011-04-15 | 2013-03-06 | (주)엔하이앤시 | 전력 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| US8421204B2 (en) | 2011-05-18 | 2013-04-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Embedded semiconductor power modules and packages |
| JP2013070026A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
| JP2017055146A (ja) * | 2011-09-08 | 2017-03-16 | ローム株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
| KR101354894B1 (ko) | 2011-10-27 | 2014-01-23 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지, 그 제조방법 및 이를 포함하는 반도체 패키지 모듈 |
| JP6076675B2 (ja) | 2011-10-31 | 2017-02-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| KR101409622B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2014-06-19 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 |
| KR101331724B1 (ko) | 2012-04-13 | 2013-11-20 | 삼성전기주식회사 | 양면 냉각 전력 반도체 모듈 및 이를 이용한 멀티-스택 전력 반도체 모듈 패키지 |
| US8604610B1 (en) | 2012-06-13 | 2013-12-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flexible power module semiconductor packages |
| KR101388781B1 (ko) | 2012-06-22 | 2014-04-23 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈용 방열 시스템 |
| DE102012211924B4 (de) * | 2012-07-09 | 2014-02-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul mit einem in einer Anschlusslasche integrierten Shunt-Widerstand und Verfahren zur Ermittlung eines durch einen Lastanschluss eines Halbleitermoduls fließenden Stromes |
| KR101432372B1 (ko) | 2012-10-02 | 2014-08-20 | 삼성전기주식회사 | 방열 기판 및 방열 기판 제조 방법 |
| KR101366889B1 (ko) | 2012-10-18 | 2014-02-24 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 |
| KR101443967B1 (ko) | 2012-10-22 | 2014-09-23 | 삼성전기주식회사 | 방열 기판 및 방열 기판 제조 방법 |
| US9966330B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-05-08 | Vishay-Siliconix | Stack die package |
| US9589929B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-03-07 | Vishay-Siliconix | Method for fabricating stack die package |
| CN104332453A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 西安永电电气有限责任公司 | 基于塑封式ipm引线框架的双边固定散热结构 |
| KR102041644B1 (ko) | 2014-01-08 | 2019-11-07 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지와 이의 제작방법 |
| DE102015104995B4 (de) * | 2015-03-31 | 2020-06-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Verbindungshalbleitervorrichtung mit einem mehrstufigen Träger |
| JP6203307B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP7109347B2 (ja) * | 2018-12-03 | 2022-07-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| US11270969B2 (en) | 2019-06-04 | 2022-03-08 | Jmj Korea Co., Ltd. | Semiconductor package |
| KR102343920B1 (ko) | 2019-06-04 | 2021-12-29 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 |
| KR102231769B1 (ko) | 2019-08-20 | 2021-04-01 | 제엠제코(주) | 고열전도를 위한 히트싱크 노출형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| CN110676237A (zh) * | 2019-09-15 | 2020-01-10 | 天水华天电子集团股份有限公司 | 基于微小级别ssop封装的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用 |
| KR102172689B1 (ko) | 2020-02-07 | 2020-11-02 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| KR102371636B1 (ko) | 2020-04-23 | 2022-03-07 | 제엠제코(주) | 양면 기판 반도체 제조 방법 |
| KR102196385B1 (ko) | 2020-05-04 | 2020-12-30 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 |
| KR102196397B1 (ko) | 2020-05-13 | 2020-12-30 | 제엠제코(주) | 메탈포스트, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조방법 |
| KR102228945B1 (ko) | 2020-05-21 | 2021-03-17 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
| US11430777B2 (en) | 2020-11-19 | 2022-08-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power module package for direct cooling multiple power modules |
| KR102341396B1 (ko) | 2021-05-04 | 2021-12-21 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 및 이에 적용되는 금속 브릿지 |
| KR102405129B1 (ko) | 2021-05-21 | 2022-06-07 | 제엠제코(주) | 히트싱크 노출형 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
| KR102511000B1 (ko) | 2021-06-14 | 2023-03-17 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지용 클립 구조체 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
| US11791238B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-10-17 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor package with releasable isolation layer protection |
| KR102603507B1 (ko) | 2022-04-11 | 2023-11-21 | 제엠제코(주) | 수직터미널단자를 구비한 반도체패키지 모듈 |
| KR102787134B1 (ko) | 2023-01-06 | 2025-03-26 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 및 이를 이용한 인버터, 컨버터 또는 obc |
| KR102750289B1 (ko) | 2023-01-19 | 2025-01-07 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
| KR102684854B1 (ko) | 2023-04-19 | 2024-07-16 | 제엠제코(주) | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833859A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPS60111446A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60138944A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | 封止型半導体装置 |
| JPH01270336A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02146751A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH1093015A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH10135380A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0671061B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1994-09-07 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2772184B2 (ja) * | 1991-11-07 | 1998-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US6066890A (en) * | 1995-11-13 | 2000-05-23 | Siliconix Incorporated | Separate circuit devices in an intra-package configuration and assembly techniques |
| JP3516789B2 (ja) | 1995-11-15 | 2004-04-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
| US5872403A (en) * | 1997-01-02 | 1999-02-16 | Lucent Technologies, Inc. | Package for a power semiconductor die and power supply employing the same |
| US6060772A (en) * | 1997-06-30 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips |
| JP4037589B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2008-01-23 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止形電力用半導体装置 |
-
2000
- 2000-06-13 KR KR10-2000-0032383A patent/KR100370231B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-22 US US09/789,557 patent/US6432750B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833859A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPS60111446A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60138944A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | 封止型半導体装置 |
| JPH01270336A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02146751A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH1093015A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH10135380A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6432750B2 (en) | 2002-08-13 |
| US20010052639A1 (en) | 2001-12-20 |
| KR20010111736A (ko) | 2001-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100370231B1 (ko) | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 | |
| US7208819B2 (en) | Power module package having improved heat dissipating capability | |
| KR100867575B1 (ko) | 열방출 능력이 개선된 전력용 모듈 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR0158868B1 (ko) | 반도체장치 | |
| US7671453B2 (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
| US7202561B2 (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure and method of manufacturing the same | |
| US20100327432A1 (en) | Package with heat transfer | |
| CN101252124A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2770947B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2958380B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6696750B1 (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure | |
| KR101008534B1 (ko) | 전력용 반도체모듈패키지 및 그 제조방법 | |
| KR101239117B1 (ko) | 전력 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2024540770A (ja) | 電子部品及び電子部品を製造するための方法 | |
| KR100431501B1 (ko) | 고전력 패키지 구조 및 제조 방법 | |
| CN223566613U (zh) | 集成电路封装 | |
| JP4249366B2 (ja) | 金属ベース回路基板と電子モジュールの製造方法 | |
| KR100308899B1 (ko) | 반도체패키지및그제조방법 | |
| JP2710207B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1117082A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR0161354B1 (ko) | 반도체장치 | |
| KR0167440B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPS61240664A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07106469A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0982840A (ja) | Pbga半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121224 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131217 Year of fee payment: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 12 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141222 Year of fee payment: 13 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160111 Year of fee payment: 14 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170113 Year of fee payment: 15 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180110 Year of fee payment: 16 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 16 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 17 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 17 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20200117 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20200117 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |