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KR100358507B1 - 광기록방법및광기록장치 - Google Patents

광기록방법및광기록장치 Download PDF

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KR100358507B1
KR100358507B1 KR10-1998-0710186A KR19980710186A KR100358507B1 KR 100358507 B1 KR100358507 B1 KR 100358507B1 KR 19980710186 A KR19980710186 A KR 19980710186A KR 100358507 B1 KR100358507 B1 KR 100358507B1
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시게아키 후루카와
겐이치 니시우치
유우이치 가미오카
노리후미 오다
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 광 기록장치는 시단 펄스 발생회로(2), 버스트 게이트 발생회로(4) 및 종단 펄스 발생회로(6)를 포함하는 기본 펄스 발생부(60)와, 전 마크 검출회로(40), 전 스페이스 검출회로(41), 기록 마크 검출회로(42), 후 스페이스 검출회로(43) 및 후 마크 검출회로(44)를 포함하는 데이터 길이 검출부(61)와, 시단 펄스 셀렉트 회로(14), 시단 개시 위치 설정회로(15), 시단 펄스 지연회로(19), 후단 펄스 셀렉트 회로(21), 후단개시 위치 설정회로(35) 및 후단 펄스 지연회로(25)를 포함하는 타이밍 제어부(62)와, AND 게이트(27) 및 OR 게이트(36)를 포함하는 펄스 합성부(63)와, 소거 전류원(32), 기록 전류원(33) 및 스위치(34)를 포함하는 레이저 구동부(64)를 구비하고 있다.

Description

광 기록방법 및 광 기록장치
최근, 정보의 기록, 재생 및 소거가 가능한 광 기록매체가 상품화되고, 또한, 고품질의 동화상을 기록할 수 있는 고밀도의 개서(改書)형 광 기록매체의 연구개발이 활발히 행해지고 있다.
개서형의 광 기록매체로서는, 디스크 형상을 한 기판상에, 예를들면, Ge-Sb-Te나 In-Se등의 Te, Se를 베이스로 하는 칼코게나이드 박막, 또는 In-Sb등의 반금속 박막을 기록층으로서 구비한 상(相)변화 광 기록매체가 알려져 있다. 또한, Fe-Tb-Co등의 금속박막을 기록층으로서 구비한 광 자기 기록매체도 알려져 있다. 또한, 색소재료를 이용한 추기형(追記型)의 광 기록매체도 있다.
상변화 광 기록매체로는, 상기와 같은 상변화 재료로 이루어지는 기록박막층에, 서브 미크론 오더의 지름의 광 스폿에 집광된 레이저 빔을 순간적으로 조사하여, 조사부를 국부적으로 가열한다. 조사부분은 도달온도가 결정화 온도 이상으로 되면 결정 상태로 전환하고, 융점을 넘어 용융된 후 급냉하면 무정형상태로 전환한다. 무정형상태 및 결정상태 중 어느 한쪽을 기록상태, 다른쪽을 소거상태(미기록상태)에 대응시켜, 정보신호에 대응하는 무정형 상태 및 결정상태의 변화 패턴을 형성함으로써, 가역적인 정보기록이 행해지게 된다. 결정상태와 무정형 상태에서는 광학적인 특성이 다르고, 이 특성차를 반사율 변화 또는 투과율변화로서 광학적으로 검출하는 것에 의해 기록신호를 재생할 수 있다.
한편, 광 자기 기록매체에서는, 광자기 기록 박막에 집광된 레이저 빔을 조사하고, 조사부를 국부적으로 가열한 상태에서 자계를 가하여, 조사부의 광자기 기록박막의 자화(磁化)방향을 기록해야할 정보에 따라 반전시킴으로써, 정보의 기록이 행해진다.
또한, 광 기록매체에 데이터를 고밀도 기록하는 방식으로서, 마크 길이 기록이 있다. 마크 길이 기록은 다양한 길이의 마크를 다양한 간격(스페이스)으로 기록하고, 마크 길이 및 스페이스 길이의 양쪽에 기록정보를 할당하고 있다. 예를들면, 상변화 기록매체의 경우, 무정형의 영역을 마크로 하고, 결정 영역을 스페이스로 하여 정보를 기록할 수 있다.
보다 고밀도의 기록을 행하기 위해서는, 기록할 마크 및 스페이스의 길이를 짧게할 필요가 있다.
그러나, 스페이스의 길이가 짧아지면, 기록한 마크의 끝부분의 열이 다음에 기록할 마크의 시단부분의 온도상승에 영향을 준다. 이와같은 열 간섭에 기인하여 기록한 마크의 전단(에지)의 위치가 적정한 위치에서 이동하면, 재생시의 비트 오류율이 악화되는 원인이 된다.
상기와 같은 문제를 개선하는 방법으로서, 예를들면 특개평5-234079호 공보또는 특개평7-129959호 공보에 기재되어 있는 바와같이, 열간섭에 의한 마크 전단위치의 시프트량에 상당하는 부분만큼 기록 펄스의 시단부분위치를 사전에 지연시켜 기록하는 방법이 제안되고 있다. 이 기록방법에 대해, 도9(a)∼(e)를 이용하여 설명한다.
도9(a)는 기록하려는 데이터의 펄스 파형을 도시하고 있고, 논리1의 레벨이 마크, 논리0의 레벨이 스페이스에 상당한다. 도9(a)의 데이터에 따라 도9(b)의 기록 펄스를 발생하고, 도9(c)의 기록마크를 광 기록매체에 형성한다.
기록밀도가 높아져, 마크사이의 스페이스 길이가 짧아지면, 도9(c)에 도시하는 바와같이, 먼저 기록한 마크(90)의 열이 기록하려는 마크(91)의 전단 에지에 영향을 주고, 전단 에지의 온도는 스페이스 길이가 충분히 길때에 비해 높아진다. 그 결과, 마크(91)의 전단 에지 부분은 92로 도시한 바와같이 크게 팽창하여, 적정한 위치보다 앞에 전단 에지가 형성되어 버린다.
여기서, 기록할 데이터의 스페이스(레벨0의 기간)가 짧을 때는, 도9(d)에 도시하는 바와같이 기록 펄스의 전단 에지를 지연량(93)만큼 지연시키는 보정을 행한다. 이 보정에 의해 마크(91)의 전단 에지는 기록 데이터의 전단 에지와 일치하는 적정한 위치에 형성된다.
또한, 고밀도화가 진행되면, 기록할 마크 직전의 스페이스의 길이뿐만 아니라, 그 전 마크의 길이, 또한 그 전의 스페이스 및 마크 길이도 기록할 마크의 전단 에지의 온도상승, 나아가서는 전단 에지 시프트량에 영향받게 된다. 특히, 직전 스페이스 전의 마크 길이의 영향은 적지않다. 마크 길이가 길어지면, 그만큼 레이저 빔에 의한 가열시간이 길어지고, 보다 많은 열이 다음에 기록될 마크의 전단까지 전도되기 때문이다. 여기서, 직전의 스페이스의 길이 및 그 전의 마크 길이에 의거하여 기록 펄스의 전단 에지의 지연량을 결정하는 것이 바람직하고, 또한 전의 스페이스 및 마크 길이를 가미하여 지연량을 결정하면, 보다 정확하게 전단 에지 시프트의 보정을 행할 수 있다. 무엇보다도 기록밀도, 허용 에러 레이트, 장치에 사용하는 프로세서의 연산처리능력, 그리고 코스트등을 고려하여 어디까지 전의 스페이스 및 마크의 길이를 고려해야할지 결정하게 되는 것이다.
상기와 같이 종래는, 기록 마크 직전의 스페이스 길이 및 마크길이와 기록 마크의 전단 에지 시프트와의 관계에 착안하여 전단 에지 시프트를 보정하는 기록방법이 제안되고 있다. 그러나, 기록 마크의 전단 에지뿐만 아니라, 후단 에지의 위치편차도 재생시의 에러 레이트를 저하시키는 원인이 된다. 그리고, 기록 마크의 후단 에지 위치는 기록 마크 전의 스페이스 길이 및 마크 길이의 영향을 받을 뿐 아니라 기록 마크후의 스페이스 길이 및 마크 길이의 영향도 받는 것을 발견했다. 이것은 기록 마크의 냉각정도가 다음에 기록되는 마크 열의 영향을 받기 때문이라고 생각된다.
여기서, 본 발명은 열간섭에 의한 기록 마크의 전단 및 후단 에지 시프트를 보정함으로써, 신호 재생시의 에러 레이트의 저하를 억제하여, 고품질의 재생신호를 얻을 수 있는 광 기록 재생방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판상에 형성된 기록박막에 광 빔을 조사함으로써, 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 고밀도로 기록하는 광 기록방법 및 장치에 관한 것이다.
도1은 본 발명의 실시형태1에 의한 광 기록장치를 도시하는 블록도,
도2는 도1의 광 기록장치의 타이밍 챠트,
도3은 본 발명의 실시형태2에 의한 광 기록장치를 도시하는 블록도,
도4는 도3의 광 기록장치의 타이밍 챠트,
도5는 본 발명의 실시형태3에 의한 광 기록장치를 도시하는 블록도,
도6은 도5의 광 기록장치의 타이밍 챠트,
도7은 본 발명의 실시형태4에 의한 광 기록장치를 도시하는 블록도,
도8은 도7의 광 기록장치의 타이밍 챠트,
도9는 종래의 광 기록장치에 의한 기록방법을 도시하는 도면이다.
본 발명에 의한 광 기록 재생방법은, 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서기록박막에 기록할 때에, 마크 후단부분의 기록 종료 위치를, 기록할 마크의 길이, 직후의 스페이스의 길이, 및 그 후의 마크의 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 한다. 이 기록방법에 의하면, 열 간섭에 기인하는 마크 후단부의 에지 시프트가 보정되며, 재생시의 에러 레이트의 악화를 방지할 수 있다.
직후의 스페이스의 길이 및 그 후의 마크의 길이뿐만 아니라, 또한 그 후에 연속하는 1 또는 왕복의 스페이스 및 마크 길이에 따라 마크 후단부의 기록 종료 위치를 변화시켜도 된다. 또한, 마크의 시단부분의 기록개시위치를, 기록할 마크의 길이 및 직전 스페이스의 길이( 및 그 전의 마크의 길이)에 따라 변화시키는 것을 조합해도 된다. 또한, 광 빔의 조사 파워를 기록 레벨과 그보다 낮은 소거 레벨과의 사이에서 변조하고, 마크 후의 부분을 조사하는 광 빔의 파워를, 사전에 정해진 시간만큼 소거 레벨보다 낮게하는 방법을 조합하는 것도 바람직하다. 마크간의 열 간섭을 억제하는데 효과적이다.
본 발명에 의한 별도의 광 기록재생 방법에서는, 기록 마크의 시단부, 후단부에 대응하는 광 빔 파워를 변화시킨다. 예를들면, 열간섭에 의해 온도상승이 증가하는 만큼 광 빔 파워를 낮춘다. 구체적으로는 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분, 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 기록박막에 조사할 때에, 시단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크의 길이 및 직전 스페이스의 길이( 및 그 전의 마크 길이)에 따라 변화시킨다. 그리고, 후단부분의 광 빔 파워를 기록할 마크의 길이 및 직후 스페이스의 길이( 및 그 후의 마크의 길이)에 따라 변화시킨다.
이 경우도, 기록 마크의 직전 또는 직후의 스페이스 및 마크의 길이뿐만 아니라, 또한 그 전후의 1 또는 다수의 스페이스 및 마크 길이에 따라 기록 마크의 시단부분 또는 후단부에 대응하는 광 빔 파워를 변화시켜도 된다. 또한, 광 빔의 조사 파워를 기록레벨과 그보다 낮은 소거레벨과의 사이에서 변조하고, 마크후의 부분을 조사하는 광 빔의 파워를, 사전에 정해진 시간만큼 소거레벨보다 낮게하는 방법을 조합하는 것도 바람직하다.
상기와 같은 광 기록 재생방법을 실현하기 위한 본 발명에 의한 광 기록재생장치의 제1 구성은, 마크의 시단부에 대응하는 시단 펄스, 마크의 후단부에 대응하는 후단 펄스, 및 마크의 중간부에 대응하는 1 또는 다수의 중간 펄스를 발생하는 기본 펄스 발생부와, 기록해야할 기록 마크의 길이를 검출하는 기록 마크 검출회로와, 기록 마크 직후의 스페이스의 길이를 검출하는 후 스페이스 검출회로와, 직후의 스페이스 후의 마크 길이를 검출하는 후 마크 검출회로와, 기록 마크 검출회로, 후 스페이스 검출회로, 및 후 마크 검출회로의 출력신호로 결정된 지연량만큼 후단 펄스를 지연시킨 지연 후단 펄스를 발생하는 후단 펄스 지연회로와, 시단 펄스, 중간 펄스, 및 지연 후단 펄스를 합성한 기록 펄스를 생성하는 펄스 합성부와, 기록 펄스에 의거하여 광 빔의 강도를 변조하는 레이저 구동부를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 광 기록 재생장치의 제2 구성은, 마크의 시단부에 대응하는 시단펄스, 마크의 후단부에 대응하는 후단 펄스, 및 마크의 중간부에 대응하는 1 또는 다수의 중간펄스를 발생하는 기본펄스 발생부와, 기록해야할 기록 마크의 길이를 검출하는 기록 마크 검출회로와, 기록 마크 직전의 스페이스의 길이를 검출하는 전 스페이스 검출회로와, 기록마크 검출회로 및 전 스페이스 검출회로의 출력신호에 의거하여 시단 펄스에 대응하는 광 빔 파워를 설정하는 시단 파워 설정회로와, 기본 펄스 발생부의 출력신호와 시단 파워 설정회로의 출력신호에 의거하여 광 빔의 강도를 변조하는 레이저 구동부를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 광 기록 재생장치의 제3 구성은, 마크의 시단부에 대응하는 시단 펄스, 마크의 후단부에 대응하는 후단 펄스, 및 마크의 중간부에 대응하는 1 또는 다수의 중간 펄스를 발생하는 기본 펄스 발생부와, 기록해야할 기록 마크의 길이를 검출하는 기록 마크 검출회로와, 기록 마크 직후의 스페이스의 길이를 검출하는 후 스페이스 검출회로와, 기록 마크의 검출회로 및 후 스페이스 검출회로의 출력신호에 의거하여 후단 펄스에 대응하는 광 빔 파워를 설정하는 후단 파워 설정회로와, 기본 펄스 발생부의 출력신호와 후단 파워 설정회로의 출력신호에 의거하여 광 빔의 강도를 변조하는 레이저 구동부를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 도면에 의거하여 상술한다.
(실시형태1)
도1에, 본 발명의 실시형태1에 관한 광 기록재생 장치의 블록도를 도시한다. 또한, 이 광 기록재생장치를 구성하는 각 회로의 동작을 표시하는 타이밍 챠트를 도2에 도시한다. 도1에 있어서, 기본 펄스 발생부(60)는 기록 마크를 형성하기 위한 기본 펄스를 발생하는 회로이고, 시단 펄스 발생회로(2), 버스트 게이트 발생회로(4) 및 종단 펄스 발생회로(6)를 포함한다.
데이터 길이 검출부(61)는 데이터(1)에서 기록 마크, 전후의 스페이스 및 마크의 길이를 검출하기 위한 회로이고, 전 마크 검출회로(40), 전 스페이스 검출회로(41), 기록 마크 검출회로(42), 후 스페이스 검출회로(43) 및 후 마크 검출회로(44)를 포함한다. 타이밍 제어부(62)는 데이터 길이 검출부(61)의 출력신호에 따라 시단 펄스 및 후단 펄스의 지연량을 결정하고, 지연후의 각 펄스를 생성하는 회로이며, 시단 펄스용 셀렉트 회로(14), 시단 펄스 지연회로(19), 후단 펄스용 셀렉트 회로(21) 및 후단 펄스 지연회로(25)를 포함한다.
펄스 합성부(63)는 타이밍 제어부(62)의 출력신호에 의거하여, 마크를 형성하기 위한 최종적인 기록 펄스(30)를 생성하는 회로이고, AND 게이트(27) 및 OR 게이트(36)를 포함한다. 레이저 구동부(64)는 기록 펄스(30)에 따라 레이저(31)를 발광시키는 회로이고, 소거 바이어스 전류원(32), 기록 전류원(33) 및 스위치(34)를 포함한다. 광 헤드(65)는 레이저(31)의 광을 광 기록 매체(66)상에 집광하여 기록 마크를 형성한다.
데이터(1)는 클록 길이 단위로 H 또는 L레벨이 변화한다. 구체적으로는 클록의 3주기 이상의 H레벨 기간 및 L레벨 기간을 가지는 EFM 이나 (2-7)의 코드신호이다. 데이터의 H레벨 기간이 마크에 상당하고, L레벨 기간이 스페이스에 상당한다.
데이터 길이 검출부(61)의 각 검출회로(40∼44)는, 각각에 대응하는 마크 길이 또는 스페이스 길이를 클록 길이 단위로 검출한다. 예를들면, 고밀도 기록에 있어서 스페이스 길이가 3T 또는 4T이면 마크간의 열 간섭에 의한 에지 시프트가 발생하고, 또한 재생계의 주파수 특성에 의해 그 에지 시프트가 에러 레이트 저하로 연결된다. 실제로는, 각 마크 및 스페이스 길이의 조합에 의해 에러 레이트에의 영향이 결정되므로, 각각의 조합에 따라 각 펄스의 지연량을 결정하게 된다.
데이터(1)는 기본 펄스 발생부(60)를 구성하는 시단 펄스 발생회로(2), 버스트 게이트 발생회로(4) 및 후단 펄스 발생회로(6)에 입력된다. 시단 펄스 발생회로(2)는 도2(b)에 도시하는 데이터(1)의 H레벨 기간의 시단부분에, 클록 1주기분의 시단펄스(도2(c)참조)를 발생한다. 버스트 게이트 발생회로(4)는, 도2(d)에 도시하는 바와같이, (마크 길이 3 클록)의 길이의 버스트 게이트 신호(5)를 발생한다. 다만, 마크 길이가 3 클록 이하일 때는 버스트 게이트 신호(5)는 발생하지 않는다. 후단 펄스 발생회로(6)는 데이터(1)의 H레벨 기간의 후단부분에, 클록 1주기분의 후단 펄스(7)(도2(e)참조)를 발생한다.
데이터(1)는 또한, 데이터 길이 검출부(61)를 구성하는 전 마크 검출회로(40), 전 스페이스 검출(41), 기록 마크 검출회로(42), 후 스페이스 검출회로(43) 및 후 마크 검출회로(44)로 입력된다. 전 스페이스 검출회로(41)는 기록 마크 전의 스페이스의 길이, 즉 데이터(1)의 L레벨기간이 3클럭인지 4클럭인지 또는 5클럭 이상인지에 따른 검출신호(9)를 출력하여 시단 펄스용 셀렉트 회로(14)에 부여한다. 마찬가지로, 전 마크 검출회로(40)는 전 마크 길이에 따른 검출신호(8)를, 기록 마크 검출회로(42)는 기록 마크의 길이에 따른 검출신호(10)를 각각 시단 펄스용 셀렉트 회로(14)에 부여한다.
시단 펄스용 셀렉트 회로(14)는 각 검출신호(8), (9), (10)에 의거하여 예를들면 표1에 따라 시단 펄스의 지연시간을 결정한다.
<표1>
예를들면, 전 스페이스 길이가 3T인 경우, 전 마크길이와 기록 마크 길이와의 조합에 따라 시단 펄스의 지연시간(a∼f)(ns)이 결정된다. 또한, 전 스페이스 길이가 4T인 경우, 전 마크 길이와 기록 마크 길이와의 조합에 따라 시단 펄스의 지연시간(a∼f)(ns)이 결정된다. 전 스페이스 길이가 5T이상인 경우는, 기록 마크 길이 및 마크 길이에 관계없이 지연시간(m)ns이 결정된다.
시단 펄스 지연회로(19)는, 상기와 같이 하여 결정되며 시단 펄스용 셀렉트 회로(14)에서 출력된 지연신호(16)에 따라 시단 펄스(3)를 지연시켜, 도2(f)에 도시하는 지연 시단 펄스(20)를 출력한다. 이와같이 시단 펄스의 지연량은, 기록 마크 길이, 전 마크 길이, 및 전 스페이스 길이에 따라 유연하게 변화시킬 수 있다.
후단 펄스의 지연량에 대해서도 마찬가지로 하여 결정된다. 후 스페이스 검출회로(43)는 기록 마크 후의 스페이스의 길이, 즉 데이터(1)의 L레벨 기간이 3 클럭인지 4클럭인지 또는 5클럭 이상인지에 따른 검출신호(11)를 출력하여 후단 펄스용 셀렉트 회로(21)에 부여한다. 후 마크 검출회로(44)는 후 마크의 길이에 따른 검출신호(12)를, 기록 마크 검출회로(42)는 기록 마크의 길이에 따른 검출신호(10)를 각각 후단 펄스용 셀렉트 회로(21)에 부여한다.
후단 펄스용 셀렉트 회로(21)는 각 검출신호(10), (11), (12)에 의거하여 예를들면 표2에 따라 후단 펄스의 지연시간을 결정한다.
<표2>
예를들면, 후 스페이스 길이가 3T인 경우, 후 마크 길이와 기록 마크 길이와의 조합에 따라 후단 펄스의 지연시간(n∼s)(ns)이 결정된다. 또한, 후 스페이스 길이가 4T인 경우, 후 마크 길이와 기록 마크 길이와의 조합에 따라 후단 펄스의지연시간(t∼y)(ns)이 결정된다. 후 스페이스 길이가 5T이상인 경우는 기록 마크 길이 및 전 마크 길이에 관계없이 지연시간(z)(ns)이 결정된다.
후단 펄스 지연회로(25)는 상기와 같이 하여 결정되며 후단 펄스용 셀렉트 회로(21)에서 출력된 지연신호(22)에 따라 후단 펄스(7)를 지연시켜, 도2(g)에 도시하는 지연 후단 펄스(26)를 출력한다. 이와같이, 후단 펄스의 지연량은 기록 마크 길이, 후 마크 길이, 및 후 스페이스 길이에 따라 유연하게 변화할 수 있다.
펄스 합성부(63)의 AND 게이트(27)는, 도2(d)의 버스트 게이트 신호(5)와 도2(a)의 클럭(28)과의 논리곱을 취하고, 중간 펄스(29)를 출력한다. 마크 길이가 3T이하인 경우는 버스트 게이트 신호(5)가 L레벨이므로 중간 펄스(29)도 L레벨 그대로이다. OR 게이트(36)는 지연 시단 펄스(20), 지연 후단 펄스(26), 및 중간 펄스(29)의 논리합을 취하고, 도2의 (i)의 기록 펄스(30)를 출력한다.
레이저(31)는 바이어스 전류원(32)에 의해 소거파워를 발생한다. 바이어스 전류원(32)과 병렬로 기록전류원(33) 및 스위치(34)의 직열회로가 접속되어 있다. 스위치(34)의 온·오프 제어에 의해, 레이저(31)를 도2(i)에 도시하는 바와같이 기록파워와 소거 파워와의 사이에서 스위칭할 수 있다. 따라서 스위치(34)를 기록 펄스(30)로 제어함으로써, 레이저(31)의 발광 파워를 제어하고, 도2(k)에 도시하는 바와같이 광 기록매체(66)에 마크 및 스페이스를 형성할 수 있다.
본 실시형태의 광 기록장치는 기록 마크의 시단 에지 및 후단 에지의 위치를 기록 마크 길이, 그 전후의 스페이스 길이 및 마크길이에 따라 변화시킴으로써 열간섭에 의한 시프트를 보정하므로, 재생시의 비트 에러가 작은 신호를 기록할 수있다.
또한, 본 실시형태의 광 기록장치는 기록 펄스 길이, 전 스페이스 길이 및 전 마크길이에 의거하여 기록 펄스의 시단부의 지연량을 결정하고, 기록 펄스 길이, 후 스페이스 길이 및 후 마크 길이에 의거하여 기록 펄스의 후단부의 지연량을 결정하고 있는데, 본 발명은 반드시 시단부 및 후단부의 양쪽을 지연시킬 필요는 없다. 어느 한쪽만을 상기와 같이 하여 지연시키고, 다른쪽은 지연시키지 않고, 또는 별도의 방법으로 지연시키도록 해도 된다.
또한, 본 실시형태에서는 전 스페이스 길이가 5T이상인 경우는 지연량을 일정하게 하고 있는데, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 시단 펄스 및 후단 펄스의 지연제어는 에지 시프트의 정도에 따라, 각 스페이스 및 각 마크마다 행해도 된다.
또한, 본 실시형태에서는 마크의 기록이 다수의 펄스열에 의해 행해지는데, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 마크의 기록을 1개의 직사각형 펄스로 행할 경우에도 본 발명을 적용하여 전단 에지, 후단 에지의 지연제어를 할 수 있다.
또한, 기록마크의 직전 또는 직후의 스페이스 및 마크 길이뿐만 아니라 또한 전후에 연속하는 1 또는 다수의 스페이스 및 마크 길이를 검출하여 기록마크의 시단 펄스 및 후단 펄스의 지연제어를 행하도록 해도 된다.
(실시형태2)
본 발명의 실시형태2에 관한 광 기록 재생장치의 블록도를 도3에 도시한다. 또한, 이 장치를 구성하는 각 회로의 동작을 표시하는 타이밍 챠트를 도4에 도시한다. 이 실시형태의 장치는 도1에 도시한 실시형태1과 마찬가지로, 데이터 길이 검출부(61), 타이밍 제어부(62) 및 펄스 합성부(63)를 구비하고 있다. 또한, 기본 펄스 발생부(300)는 도1의 기본 펄스 발생부(60)에 더하여 바텀(bottom) 펄스 발생회로(301)를 구비하고 있다. 레이저 구동부(304)는 도1의 레이저 구동부(64)에 더하여 바텀 펄스 전류원(302) 및 바텀 스위치(303)를 구비하고 있다. 또한, 바텀 펄스의 출력 타이밍을 조정하기 위한 바텀 펄스 지연회로(305)가 구비되어 있다.
기본 펄스 발생회로(300)를 구성하는 각 회로 중, 도1의 기본 펄스 발생부(60)와 같은 명칭의 회로는 같은 작용을 가진다. 새롭게 추가한 바텀 펄스 발생회로(301)는 데이터(1)의 H레벨 기간의 종료위치에서 도4(f)에 도시하는 바텀 펄스(306)를 발생한다. 데이터 검출부(61), 타이밍 제어부(62) 및 펄스 합성부(63)는 도1의 실시형태1과 같은 동작을한다. 바텀 펄스 지연회로(305)는 바텀 펄스(306)를 지연시킨 지연 바텀 펄스(307)(도4(k))를 지연 후단 펄스(도4(h))의 직후에 발생한다.
레이저(31)는 바이어스 전류원(32)에 의해 소거 파워를 발생한다. 이 바이어스 전류원(32)과 병렬로, 기록전류원(33) 및 스위치(34)의 직열회로가 접속되며, 또한, 바텀 펄스 전류원(302) 및 스위치(303)의 직렬회로가 접속되어 있다. 스위치(34)에 의해 기록전류원(33)의 전류가 온·오프되며, 스위치(303)에 의해 바텀 펄스 전류원(302)의 전류가 온·오프된다. 따라서, 스위치(34) 및 (303)을 기록 펄스(30) 및 지연 바텀 펄스(307)로 각각 제어함으로써, 레이저 광(31)을 기록 파워, 소거 파워 및 바텀 파워사이에서 스위칭할 수 있다(도4(1) 참조)
본 실시형태는 실시형태1에 바텀 펄스를 추가한 것이다. 예를들면, 광 기록매체(66)의 기록특성이나 기록시의 선속도등에 의해, 후단 펄스의 지연량이 작아지고, 중간 펄스의 후단부와 후단 펄스가 겹쳐질 경우가 있다. 중간 펄스의 후단부분과 후단 펄스가 겹쳐지면, 마크 후단부에 조사되는 레이저광의 파워 밀도가 높아져 온도상승이 커지고, 마크사이의 열 간섭을 저감하는 효과가 약해진다. 본 실시형태의 경우는 바텀 펄스에 의해 기록 마크후의 레이저광의 파워 레벨을 소거 파워보다 낮추고 있으므로, 마크 후단부의 열이 후방으로 전도되는 열 간섭이 억제된다.
또한, 바텀 펄스에 대응하는 레이저광의 파워 레벨은, 소거 파워 레벨보다 낮은 레벨이면 되는데, 재생 파워 레벨 또는 오프 레벨로 함으로써, 레이저 구동부(304)의 구성이 간단해진다.
본 실시형태의 광 기록장치는, 기록 마크의 시단 에지 및 후단 에지의 위치를 기록 마크 길이, 그 전후의 스페이스 길이 및 마크 길이에 따라 변화시킴으로써, 열 간섭에 의한 에지 시프트를 보정하고, 또한, 기록 마크후의 레이저광의 조사파워를 소정 시간만큼 소거 파워 레벨보다 낮게하므로, 열 간섭이 억제되어, 재생시의 비트 에러가 작은 신호를 기록할 수 있다.
(실시형태3)
본 실시형태3에 관한 광 기록 재생장치의 블록도를 도5에 도시한다. 또한, 이 장치를 구성하는 각 회로의 동작을 표시하는 타이밍 챠트를 도6에 도시한다. 이 실시형태의 장치는 도1에 도시한 실시형태1과 마찬가지로, 기본 펄스 발생부(60) 및 데이터 길이 검출부(61)를 구비하고 있다. 도5의 파워 설정부(70)는 기록 마크에 대응하는 시단 펄스 및 후단 펄스의 파워를 설정하는 회로이고, 시단 펄스용 셀렉트 회로(14), 시단 파워 설정회로(52), 후단 펄스용 셀렉트 회로(21) 및 후단 파워 설정회로(55)를 포함한다.
도5의 펄스 지연부(72)는 시단 펄스 및 후단 펄스의 타이밍을 조정하는 회로이고, 시단 지연회로(73) 및 후단 지연회로(74)를 포함한다.
레이저 구동부(71)는 기본 펄스 발생부(60)에서 출력하는 펄스의 타이밍과, 파워 설정부(70)에서 설정된 레이저 파워로 레이저(31)를 발광시키기 위한 회로이고, 후단 펄스 전류원(40)과 스위치(58)의 직열회로, 중간 펄스 전류원(41)과 스위치(57)의 직렬회로 및 시단 펄스 전류원(42)과 스위치(56)의 직열회로가 바이어스 전류원(32)과 병렬로 접속되어 이루어진다.
실시형태1과 마찬가지로, 데이터(1)는 클럭 길이 단위로 H 또는 L레벨이 변화한다. 구체적으로는 클럭의 3주기 이상의 H레벨 기간 및 L레벨기간을 가지는 EFM 이나 (2-7)의 코드신호이다. 데이터의 H레벨 기간이 마크에 상당하고, L레벨 기간이 스페이스에 상당한다.
데이터 길이 검출부(61)의 각 검출회로(40∼44)는, 각각에 대응하는 마크 길이 또는 스페이스 길이를 클록 길이 단위로 검출한다. 예를들면, 고밀도 기록에 있어서 스페이스 길이가 3T 또는 4T이면 마크간의 열 간섭에 의한 에지 시프트가 발생하고, 또한 재생계의 주파수 특성에 의해 그 에지 시프트가 에러 레이트 저하로 연결된다. 실제로는, 각 마크 및 스페이스 길이의 조합에 의해 에러 레이트에의 영향이 결정되므로, 각각의 조합에 따라 각 펄스에 대응하는 레이저 파워를 결정하게된다. 기본 펄스 발생부(60)의 동작은 실시형태1과 같다.
시단 펄스용 셀렉트 회로(14)는, 전 마크 검출회로(40), 전 스페이스 검출회로(41) 및 기록 마크 검출회로(42)의 각 출력신호(8), (9), (10)에 의거하여 예를들면 표3에 따라 시단 펄스에 대응하는 레이저 파워(예를들면 피크치)를 결정한다.
<표3>
예를들면 전 스페이스 길이가 3T인 경우, 전 마크 길이와 기록 마크 길이와의 조합에 따라 시단 펄스에 대응하는 레이저 파워(피크치)(a∼f)가 결정된다. 또한, 전 스페이스 길이가 4T인 경우, 전 마크 길이와 기록 마크 길이와의 조합에 따라 시단 펄스에 대응하는 레이저 파워(g∼l)가 결정된다. 전 스페이스 길이가 5T이상인 경우는, 기록 마크 길이 및 전 마크 길이에 관계없이, 시단 펄스에 대응하는 레이저 파워(m)가 결정된다. 시단 파워 설정회로(52)는, 상기와 같이 하여 결정된레이저 파워로 레이저(31)가 발광하도록 시단 펄스 전류원(42)을 제어한다.
마찬가지로 후단 펄스용 셀렉트 회로(21)는, 기록 마크 검출회로(42), 후 스페이스 검출회로(43) 및 후 마크 검출회로(44)의 각 출력신호(10), (11), (12)에 의거하여, 예를들면 표4에 따라 후단 펄스에 대응하는 레이저 파워(예를들면 피크치)를 결정한다.
<표4>
예를들면, 후 스페이스 길이가 3T인 경우, 기록 마크 길이와 후 마크 길이와의 조합에 따라 후단 펄스에 대응하는 레이저 파워(피크치)(n∼s)가 결정된다. 또한, 후 스페이스 길이가 4T인 경우, 기록 마크 길이와 후 마크 길이와의 조합에 따라 후단 펄스에 대응하는 레이저 파워(t∼y)가 결정된다. 후 스페이스 길이가 5T이상인 경우는, 기록 마크 길이 및 후 마크 길이에 관계없이 후단 펄스에 대응하는레이저 파워(n)가 결정된다. 후단 파워 설정회로(55)는 상기와 같이 하여 결정된 레이저 파워로 레이저(31)가 발광하도록 후단 펄스 전류원(40)을 제어한다.
또한, 도6(i)에 있어서, 중간 펄스(29)의 피크치는 변화시키지 않고, 적당한 값으로 고정한다. 도5의 시단 지연 회로(73)는 시단 펄스의 발생 타이밍을 조정하는 것이고, 도6에서는 지연량이 1.5T로 설정되어 있다. 후단 지연 회로(74)는 후단 펄스의 발생 타이밍을 조정하는 것이고, 도6에서 지연량은 1T로 설정되어 있다.
도5의 레이저 구동부(71)는 시단 펄스용 전류원(42)과 스위치(56)의 직렬회로, 중간 펄스용 전류원(41)과 스위치(57)의 직열회로 및 후단 펄스용 전류원(40)과 스위치(58)의 직렬회로가 바이어스 전류원(32)과 병렬로 접속되어 구성되어 있다. 이들 3개의 스위치(56), (57), (58)를 각각 시단 펄스, 중간 펄스 및 후단 펄스로 스위칭 제어함으로써, 레이저(31)는 1개의 기록 마크에 대해 도6(i)에 도시하는 바와같이, 독립의 피크치를 가지는 시단 파워, 중간 파워 및 후단 파워로 발광할 수 있다.
본 실시형태의 광 기록장치는 마크를 기록하기 위한 레이저 파워의 피크치를 기록 마크 길이, 그 전후의 스페이스 길이 및 마크길이에 따라 마크 시단부, 중간부 및 후단부에서 독립으로 제어함으로써, 열 간섭에 의한 에지 시프트를 억제할 수 있다. 그 결과, 재생시의 비트 에러가 작은 신호를 기록할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 5T이상의 스페이스의 데이터에 대해서는 시단부 및 후단부의 레이저 파워를 일정하게 하고 있는데, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 실시형태의 광 기록장치는 기록 펄스 길이, 전 스페이스 길이, 및 전 마크 길이에 의거하여 기록 펄스의 시단부의 레이저 파워를 변화시키고, 기록 펄스 길이, 후 스페이스 길이 및 후 마크 길이에 의거하여 기록 펄스 후단부의 레이저 파워를 변화시키고 있는데, 본 발명은 반드시 시단부 및 후단부 양쪽의 레이저 파워를 변화시킬 필요는 없다. 어느 한쪽의 레이저 파워만을 상기와 같이 하여 변화시키고, 다른쪽은 변화시키지 않고 일정하게 하거나, 또는 별도의 방법으로 변화시키도록 해도 된다.
(실시형태4)
본 발명의 실시형태4에 관한 광 기록재생장치의 블록도를 도7에 도시한다. 또한, 이 장치를 구성하는 각 회로의 동작을 나타내는 타이밍 챠트를 도8에 도시한다. 도7에 있어서, 도5에 도시한 실시형태3과 마찬가지로, 데이터 길이 검출부(61) 및 파워 설정부(70)가 설치되어 있다. 이 실시형태에서는 또한,바텀 펄스 발생회로(301)를 추가한 기본 펄스 발생부(300)와, 바텀 펄스 지연회로(305)를 추가한 펄스 지연부(700)와 바텀 펄스용 전류원(302) 및 스위치(303)를 추가한 레이저 구동부(701)가 설치되어 있다.
기본 펄스 발생회로(300)를 구성하는 각 회로중, 도5의 기본 펄스 발생부(60)와 같은 명칭의 회로는 같은 작용을 가진다. 새롭게 가해진 바텀 펄스 발생회로(301)는 데이터(1)의 H레벨 기간의 종료위치에서 도8(f)에 도시하는 바텀 펄스(306)를 발생한다. 데이터 길이 검출부(61) 및 파워 설정부(70)는 도5의 실시형태3과 같은 동작을 한다. 바텀 펄스 지연회로(305)는 바텀 펄스의 타이밍을 조정하는 것이고, 바텀 펄스(306)를 지연시킨 지연 바텀 펄스(307)(도8(j))을 지연 후단 펄스(도8(h))의 직후에 발생한다.
레이저(31)는 바이어스용 전류원(32)에 의해 소거 파워를 발생한다. 이 바이어스용 전류원(32)과 병렬로, 시단 펄스용 전류원(42)과 스위치(56)의 직렬회로, 중간펄스용 전류원(41)과 스위치(57)의 직렬회로, 후단 펄스용 전류원(40)과 스위치(58)의 직렬회로, 및 바텀용 전류원(302)과 스위치(303)의 직렬회로가 접속되어 있다. 이들 4개의 스위치를 지연 시단 펄스, 중간 펄스, 지연 후단 펄스 및 지연 바텀 펄스로 각각 스위칭 제어함으로써, 레이저(31)는 1개의 마크에 대해, 도8(k)에 도시하는 바와같이, 시단 파워, 중간 파워, 후단 파워 및 바텀 파워로 발생할 수 있다. 이와같이 하여, 레이저(31)를 내장한 광 헤드(65)를 이용하여, 도8(I)에 도시하는 마크 및 스페이스를 광 기록매체(66)에 형성할 수 있다.
본 실시형태는 실시형태3에 바텀펄스를 추가한 것이다. 예를들면, 광 기록매체(66)의 기록특성이나 기록시의 선속도등에 의해, 적정한 마크형성이 가능한 파워의 하한까지 시단부 및 후단부의 파워 피크치를 낮추어도, 마크사이의 열 간섭을 충분히 억제할 수 없는 경우가 있다. 본 실시형태의 경우는 바텀 펄스에 의해 기록 마크 후의 레이저 파워를 소거 파워보다 낮추고 있으므로, 마크 후단부의 열이 후방으로 전도되는 열 간섭이 효과적으로 억제된다.
또한,바텀 펄스에 대응하는 레이저광의 파워 레벨은, 소거 파워 레벨보다 낮은 레벨이면 되는데, 재생 파워 레벨 또는 오프레벨로 함으로써, 레이저 구동부(701)의 구성이 간단해진다.
본 실시형태의 광 기록장치는 마크를 기록하기 위한 레이저 파워의 피크치를 기록 마크 길이, 그 전후의 스페이스 길이 및 마크 길이에 따라 마크 시단부, 중간부, 및 후단부에서 독립으로 제어함으로써, 열 간섭에 의한 에지 시프트를 억제하고, 또한, 기록 마크 후의 레이저광의 조사 파워를 소정시간만큼 소거 파워 레벨보다 낮게하므로, 열 간섭이 억제되며, 재생시의 비트 에러가 작은 신호를 기록할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 광 기록매체에 고밀도의 마크 길이 기록을 행할 경우에, 기록 마크의 에지 시프트를 보정하거나, 또는 억제할 수 있으므로, 재생신호의 비트 에러를 저감할 수 있다. 따라서, 데이터의 기록밀도를 더 높힐 수 있어, 광 기록매체의 대용량화에 기여할 수 있다.

Claims (23)

  1. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록할 시에, 상기 마크 후단부의 기록종료 위치를, 기록할 마크의 길이, 직후의 스페이스의 길이 및 그 후의 마크 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  2. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록할 시에, 상기 마크 후단부의 기록 종료 위치를, 기록할 마크의 길이, 직후의 스페이스의 길이 및 그 후의 마크 길이, 또한 그 후에 연속하는 1 또는 다수의 스페이스 및 마크의 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록할 시에, 상기 마크의 시단부분의 기록개시위치를, 기록할 마크의 길이 및 직전의 스페이스 길이에 따라 변화시키는 스텝을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록할 시에, 상기 마크의 시단부분의 기록개시위치를, 기록할 마크의 길이, 직전의 스페이스 길이, 및 그 전의 마크 길이에 따라 변화시키는 스텝을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광 빔의 조사파워를 기록 레벨과 그보다 낮은 소거 레벨사이에서 변조하고, 상기 마크후의 부분을 조사하는 광 빔의 파워를, 미리 결정된 시간만큼 상기 소거 레벨보다 낮게하는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  6. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에 상기 시단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이 및 직전의 스페이스의 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  7. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에 상기 시단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이, 직전 스페이스의 길이, 및 그 전의 마크 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  8. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에, 상기 시단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이, 직전의 스페이스의 길이, 및 그 전 마크의 길이, 또한 그 전의 1 또는 다수의 스페이스 및 마크 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  9. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에, 상기 후단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이 및 직후의 스페이스의 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  10. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에, 상기 후단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이, 직후의 스페이스 길이 및 그 후의 마크 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  11. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에, 상기 후단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이, 직후의 스페이스 길이 및 그 후의 마크 길이, 또한 그 후에 연속하는 1 또는 다수의 스페이스 및 마크 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 광 빔의 조사 파워를 기록 레벨과 그보다 낮은 소거 레벨간에서 변조하고, 상기 마크 후의 부분을 조사하는 광 빔의 파워를, 미리 정해진 시간만큼 상기 소거 레벨보다 낮게하는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  13. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에, 상기 시단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이 및 직전 스페이스의 길이에 따라 변화시킴과 동시에, 상기 후단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크의 길이 및 직후의 스페이스 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  14. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하는 광 기록방법으로서, 상기 정보를 마크 및 스페이스의 길이로서 상기 기록박막에 기록하기 위해, 상기 마크 및 스페이스의 길이에 따라 시단부분, 중간부분 및 후단부분으로 이루어지는 펄스열로 강도 변조된 광 빔을 상기 기록박막에 조사할 시에, 상기 시단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이, 직전 스페이스의 길이 및 그 전의 마크 길이에 따라 변화시킴과 동시에, 상기 후단부분의 광 빔 파워를, 기록할 마크 길이, 직후의 스페이스의 길이, 및 그 후의 마크의 길이에 따라 변화시키는 것을 특징으로 하는 광 기록방법.
  15. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하기 위해, 펄스열로 강도 변조된 광 빔에 의해 상기 정보를 마크 및 스페이스 길이로서 상기 기록박막에 기록하는 광 기록장치로서, 상기 마크의 시단부에 대응하는 시단펄스, 상기 마크의 후단부에 대응하는 후단 펄스 및 상기 마크의 중간부에 대응하는 1 또는 다수의 중간 펄스를 발생하는 기본 펄스 발생부와, 기록해야할 기록 마크의 길이를 검출하는 기록 마크 검출회로와, 상기 기록 마크 직후의 스페이스 길이를 검출하는 후 스페이스 검출회로와, 상기 직후의 스페이스 후의 마크 길이를 검출하는 후 마크 검출회로와, 상기 기록 마크 검출회로, 상기 후 스페이스 검출회로, 및 상기 후 마크 검출회로의 출력신호에서 결정한 지연량만큼 상기 후단 펄스를 지연시킨 지연 후단 펄스를 발생하는 후단 펄스 지연회로와, 상기 시단 펄스, 상기 중간 펄스, 및 상기 지연 후단 펄스를 합성한 기록 펄스를 생성하는 펄스 합성부와, 상기 기록 펄스에 의거하여 광 빔의 강도를 변조하는레이저 구동부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기록마크 직전의 스페이스의 길이를 검출하는 전 스페이스 검출회로와, 상기 기록 마크 검출회로 및 상기 전 스페이스 검출회로의 출력신호에서 결정한 지연량만큼 상기 시단 펄스를 지연시킨 지연 시단 펄스를 발생하는 시단 펄스 지연회로를 더 구비하고, 상기 펄스 합성부가 상기 지연 시단 펄스, 상기 중간 펄스 및 상기 지연 후단 펄스의 신호를 합성하여 기록 펄스를 생성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기록마크 직전의 스페이스의 길이를 검출하는 전 스페이스 검출회로와, 상기 직전의 스페이스 전의 마크 길이를 검출하는 전 마크 검출회로와, 상기 기록마크 검출회로, 상기 전 스페이스 검출회로, 및 상기 전 마크 검출회로의 출력신호에서 결정한 지연량만큼 상기 시단 펄스를 지연시킨 지연 시단 펄스를 발생하는 시단 펄스 지연회로를 더 구비하고, 상기 펄스 합성부가 상기 지연 시단 펄스, 상기 중간 펄스, 및 상기 지연 후단 펄스의 신호를 합성하여 기록 펄스를 생성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 기본 펄스 발생부는 상기 기록 마크의 후에 소정폭의 바텀 펄스를 발생하도록 구성되며, 상기 바텀 펄스를 상기 후단 펄스의 지연에 맞추어 지연시킨 지연 바텀 펄스를 발생하는 바텀 펄스 지연회로를 더 구비하고, 상기 레이저 구동부는 상기 기록 펄스와 상기 지연 바텀 펄스에 의거하여 광 빔의 강도를 변조하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  19. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하기 위해, 펄스열로 강도 변조된 광 빔에 의해 상기 정보를 마크 및 스페이스 길이로서 상기 기록박막에 기록하는 광 기록장치로서, 상기 마크의 시단부분에 대응하는 시단펄스, 상기 마크의 후단부에 대응하는 후단 펄스 및 상기 마크의 중간부에 대응하는 1 또는 다수의 중간 펄스를 발생하는 기본 펄스 발생부와, 기록해야할 기록 마크의 길이를 검출하는 기록 마크 검출회로와, 상기 기록마크 직전의 스페이스 길이를 검출하는 전 스페이스 검출회로와, 상기 기록 마크 검출회로 및 상기 전 스페이스 검출회로의 출력신호에 의거하여 상기 시단 펄스에 대응하는 광 빔 파워를 설정하는 시단 파워 설정회로와, 상기 기본 펄스 발생부의 출력신호와 상기 시단 파워 설정회로의 출력신호에 의거하여 상기 광 빔의 강도를 변조하는 레이저 구동부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 직전의 스페이스 전의 마크 길이를 검출하는 전 마크 검출회로를 더 구비하고, 상기 시단 파워 설정회로가 상기 기록마크 검출회로, 상기 전 스페이스 검출회로 및 상기 전 마크 검출회로의 출력신호에 의거하여 상기 시단 펄스에 대응하는 광 빔 파워를 설정하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  21. 광 빔의 조사에 의해 상태가 변화하는 기록박막을 기판상에 구비한 광 기록매체에 정보를 기록하기 위해, 펄스열로 강도 변조된 광 빔에 의해 상기 정보를 마크 및 스페이스 길이로서 상기 기록박막에 기록하는 광 기록장치로서, 상기 마크의 시단부에 대응하는 시단 펄스, 상기 마크의 후단부에 대응하는 후단 펄스 및 상기 마크의 중간부에 대응하는 1 또는 다수의 중간 펄스를 발생하는 기본 펄스 발생부와, 기록해야할 기록 마크의 길이를 검출하는 기록 마크 검출회로와, 상기 기록마크 직후의 스페이스의 길이를 검출하는 후 스페이스 검출회로와, 상기 기록 마크 검출회로 및 상기 후 스페이스 검출회로의 출력신호에 의거하여 상기 후단 펄스에 대응하는 광 빔 파워를 설정하는 후단 파워 설정회로와, 상기 기본 펄스 발생부의 출력신호와 상기 후단 파워 설정회로의 출력신호에 의거하여 상기 광 빔의 강도를 변조하는 레이저 구동부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 직후의 스페이스 후의 마크 길이를 검출하는 후 마크 검출회로를 더 구비하고, 상기 후단 파워 설정회로가 상기 기록마크 검출회로, 상기 후 스페이스 검출회로 및 상기 후 마크 검출회로의 출력신호에 의거하여 상기 후단 펄스에 대응하는 광 빔 파워를 설정하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기본 펄스 발생부는 상기 기록 마크 후에 소정폭의바텀 펄스를 발생하도록 구성되며, 상기 바텀 펄스를 상기 후단 펄스의 지연에 맞추어 지연시킨 지연 바텀 펄스를 발생하는 바텀 펄스 지연회로를 더 구비하고, 상기 레이저 구동부는 기본 펄스 발생부의 출력신호, 상기 후단 파워 설정회로의 출력신호 및 상기 지연 바텀 펄스에 의거하여 상기 광 빔의 강도를 변조하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록장치.
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