KR100346872B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (37)
- 층의 두께를 확보하는 적어도 하나의 제1 스페이서를 내부에 갖는 액정층,상기 액정층의 한쪽에 배치된 제1 기판,화소의 표시 상태를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자 및 화소 전극이 양측에 설치되고, 또한 탄성체로 형성된 층간 절연막, 및 상기 액정층 및 층간 절연막을 개재하여 상기 제1 기판과 대향하는 베이스 기판을 갖는 제2 기판, 및상기 제1 및 제2 기판 간에서 상기 액정층을 봉지하는 실(seal) 부재를 포함하고,상기 층간 절연막은 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 가시광 영역의 투과율이 90% 이상의 수지에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 수지는 부타디엔스틸렌 공중합체, 부틸고무, 및 불소 고무 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 고무 형상 탄성 고분자로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 고무 형상 탄성 고분자는 폴리오레핀계 에라스토머,및 폴리우레탄 고무 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 감광성을 가진 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 막질 개선 처리에 의해 표면에 요철이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 화소의 표시 상태를 결정하는 스위칭 소자 및 화소 전극, 상기 스위칭 소자 및 화소 전극 간에 배치된 층간 절연막, 및 상기 층간 절연막, 상기 스위칭 소자 및 상기 화소 전극이 형성된 베이스 기판을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,상기 베이스 기판 위에 상기 스위칭 소자를 형성하는 제1 공정,상기 스위칭 소자 위에 상기 층간 절연막을 형성하는 제2 공정,상기 층간 절연막의 표면에 요철을 설치하여 막 질을 개선하는 제3 공정, 및상기 층간 절연막 위에 상기 화소 전극을 형성하는 제4 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제3 공정은 광을 조사하여 상기 층간 절연막의 표면에 요철을 설치하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제3 공정은, 회화 처리(ashing treatment)에 의해 상기 층간 절연막의 표면에 요철을 설치하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 화소의 표시 상태를 결정하는 스위칭 소자 및 화소 전극, 상기 스위칭 소자 및 화소 전극 간에 배치된 층간 절연막, 및 상기 층간 절연막, 상기 스위칭 소자 및 상기 화소 전극이 형성된 베이스 기판을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,상기 베이스 기판 위에 상기 스위칭 소자를 형성하는 공정,상기 스위칭 소자 위에 상기 층간 절연막을 형성하는 공정,상기 층간 절연막을 패터닝하기 전에 상기 층간 절연막을 프리베이킹 처리에 의해 건조시키는 공정,상기 층간 절연막을 패터닝하는 공정, 및상기 층간 절연막 위에 상기 화소 전극을 형성하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 층의 두께를 확보하는 적어도 하나의 제1 스페이서를 내부에 갖는 액정층,상기 액정층의 한쪽에 배치된 제1 기판,상기 액정층을 개재하여 상기 제1 기판에 대향하는 베이스 기판, 및 화소의 표시 상태를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자 및 화소 전극이 양측에 설치되고, 상기 베이스 기판과 상기 액정층과의 사이, 그리고 상기 베이스 기판 위에 설치된 봉지 영역 이외의 영역에 형성된 층간 절연막을 갖는 제2 기판, 및상기 봉지 영역에서 상기 제2 기판과 당접하고, 상기 제1 및 제2 기판 간에서 상기 액정층을 봉지하는 실(seal) 부재를 포함하고,상기 층간 절연막은 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 실 부재 내에 배치되고, 상기 제1 스페이서 보다도 치수가 크고, 또한 상기 실 부재의 두께를 확보하는 제2 스페이서를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 실 부재 내에 배치되고, 상기 제1 스페이서 보다도 경도가 크고, 또한 상기 실 부재의 두께를 확보하는 제2 스페이서를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 베이스 기판의 상기 봉지 영역 위에 설치되고, 상기 베이스 기판보다 밀착성이 좋은 중간막을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 중간막은 금속막, 질화막, 및 산화막 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 봉지 영역 근방의 상기 층간 절연막은, 잔여 영역 보다 두께가 얇게 되도록 경사지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 층의 두께를 확보하는 적어도 하나의 제1 스페이스를 내부에 갖는 액정층, 및 상기 제1 스페이서와는 다른 제2 스페이서를 갖고, 상기 액정층의 양측에 배치된 제1 및 제2 기판으로 상기 액정층을 봉지하는 실 부재를 구비한 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,상기 제2 스페이서를 미리 상기 실 부재에 포함시키는 제1 공정, 및상기 제2 스페이서를 포함한 실 부재로, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 상기 액정층을 구성하는 재료와 상기 제1 스페이서를 봉지하는 제2 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 층간 절연막은, 녹색이나 적색의 분광 투과율이 100%에 가깝고, 청색의 분광 투과율이 90 내지 100%인 범위의 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 층의 두께를 확보하는 적어도 하나의 제1 스페이서를 내부에 갖는 액정층,상기 액정층의 한쪽에 배치된 제1 기판,화소의 표시 상태를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 일단에 접속된 화소 전극과, 상기 스위칭 소자와 상기 화소 전극과의 사이에 배치되고, 상기 스위칭 소자의 타단과 상기 화소 전극을 절연함과 함께, 상기 제1 스페이서의 경도와 동일하거나 또는 그 보다 큰 경도를 갖는 층간 절연막과, 상기 액정층 및 층간 절연막을 개재하여 상기 제1 기판과 대향하는 베이스 기판을 갖는 제2 기판, 및상기 제1 및 제2 기판 간에서 상기 액정층을 봉지하는 실 부재를 포함하고,상기 층간 절연막은 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하며,상기 제1 스페이서는 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시, 폴리이미드 및 폴리스틸렌 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제20항에 있어서, 상기 층간 절연막의 두께는, 1.5㎛ 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 층간 절연막의 표면이 평탄화되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제20항에 있어서, 상기 층간 절연막은, 가시광 영역의 투과율이 90% 내지 100%인 수지에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 수지는 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시, 및 폴리이미드 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제20항에 있어서, 상기 층간 절연막 및 상기 제1 스페이서의 경도는, 뉴톤링이 생성될 수 없는 값으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제20항에 있어서, 상기 층간 절연막은 감광성을 갖는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 막의 두께를 확보하는 적어도 하나의 제1 스페이서를 내부에 갖는 액정층,상기 액정층의 한쪽에 배치된 제1 기판,화소의 표시 상태를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 일단에 접속된 화소 전극과, 상기 스위칭 소자와 상기 화소 전극간에 설치되고, 상기 스위칭 소자의 타단과 상기 화소 전극을 절연함과 함께, 경도가 락웰(Rockwell) 경도 E45 이상으로 설정되어 있는 층간 절연막과, 상기 액정층 및 층간 절연막을 개재하여 상기 제1 기판과 대향하는 베이스 기판을 구비하는 제2 기판, 및상기 제1 및 제2 기판 간에서 상기 액정층을 봉지하는 실 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제27항에 있어서, 상기 층간 절연막의 두께는 1.5㎛ 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제28항에 있어서, 상기 층간 절연막의 표면이 평탄화되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제27항에 있어서,상기 층간 절연막은 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하며,상기 층간 절연막은 가시광 영역의 투과율이 90% 내지 100%인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제30항에 있어서, 상기 수지는 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시, 및 폴리이미드 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제27항에 있어서, 상기 층간 절연막 및 상기 제1 스페이서의 경도는, 뉴톤링이 생성될 수 없는 값으로 설정되며,상기 층간 절연막은 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제1 스페이서는 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시, 폴리이미드 및 폴리스틸렌 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제27항에 있어서, 상기 층간 절연막은, 감광성을 갖는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 막의 두께를 확보하는 적어도 하나의 제1 스페이서를 내부에 갖는 액정층;상기 액정층의 한쪽에 배치된 제1 기판;화소의 표시 상태를 제어하는 적어도 하나의 스위칭 소자 및 화소 전극이 양측에 배치되고, 상기 제1 스페이서의 경도와 동일하거나 또는 더 큰 경도를 갖는 층간 절연막, 및 상기 액정층 및 층간 절연막을 통해 상기 제1 기판과 대향하는 베이스 기판을 갖는 제2 기판; 및상기 제1 및 제2 기판간에 상기 액정층을 봉지하는 실(seal) 부재를 포함하고,상기 층간 절연막은 아크릴계 수지, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시 및 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하며,상기 층간 절연막은 가시광 영역의 투과율이 90%이상이며, 녹 또는 적의 분광 투과율이 100%에 가깝고, 청색의 분광 투과율이 90 내지 100%의 범위인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제34항에 있어서, 상기 수지는 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 에폭시, 및 폴리이미드 중 적어도 하나인 액정 표시 장치.
- 제34항에 있어서, 상기 층간 절연막은 감광성을 갖는 수지로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
- 제34항에 있어서, 상기 층간 절연막은 막질 개선처리에 의해 표면에 요철이설치되어 있는 액정 표시 장치.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8704994B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-04-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970011972A (ko) * | 1995-08-11 | 1997-03-29 | 쯔지 하루오 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP3299869B2 (ja) * | 1995-09-27 | 2002-07-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
US5940732A (en) * | 1995-11-27 | 1999-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Method of fabricating semiconductor device |
US6294799B1 (en) * | 1995-11-27 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
US5750641A (en) * | 1996-05-23 | 1998-05-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polyimide angularity enhancement layer |
JP3975014B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2007-09-12 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4215905B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2009-01-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4298131B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2009-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
TW459275B (en) | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
KR100658522B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2006-12-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
JP4558118B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2010-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその作製方法 |
KR20010088329A (ko) * | 2000-03-07 | 2001-09-26 | 가네꼬 히사시 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
TWI291067B (en) * | 2000-05-15 | 2007-12-11 | Nec Lcd Technologies Ltd | Fabrication method of liquid crystal display panel |
US7019718B2 (en) * | 2000-07-25 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4671551B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR100482469B1 (ko) * | 2000-11-25 | 2005-04-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 크로스 토크 방지용 액정표시장치 제조방법 |
JP4884586B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2012-02-29 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR100721304B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-05-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 액정패널 및 그의 제조방법 |
KR100870660B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패널의 합착력이 향상된 액정표시소자 및 제조방법 |
US7179512B2 (en) * | 2002-05-14 | 2007-02-20 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display and manufacturing method of same |
KR100878790B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2009-01-14 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스 방식의 화상 표시 장치 및 이를 이용한화상 표시 방법 |
JP4505192B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2010-07-21 | シャープ株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
JP4092309B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2008-05-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20060097195A (ko) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 배향막 제조 방법 및 이에 사용되는 배향막식각 장치 |
JP2008204966A (ja) * | 2005-05-23 | 2008-09-04 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
KR101157978B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조방법 |
KR20070118397A (ko) * | 2006-06-12 | 2007-12-17 | 삼성전자주식회사 | 보호 시트 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
JP5505757B2 (ja) | 2008-03-25 | 2014-05-28 | Nltテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
JP4619447B2 (ja) * | 2009-12-23 | 2011-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5222840B2 (ja) * | 2009-12-23 | 2013-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 配向方向制御方法、液晶表示装置の作製方法 |
JP5548466B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-07-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示素子 |
US8633044B2 (en) | 2011-02-01 | 2014-01-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for fabricating same |
JP5681648B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2015-03-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置の製造方法 |
KR20140026257A (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5900823B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2016-04-06 | Nltテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
CN109073923B (zh) * | 2016-04-21 | 2021-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 调光膜、夹层玻璃及调光膜的制造方法 |
KR20190008183A (ko) | 2016-05-24 | 2019-01-23 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 조광 장치 |
CN107329300A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-11-07 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0237325A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
JPH0287118A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
JPH0442214A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-12 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPH04257826A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
JPS61156025A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
DE3688700T2 (de) * | 1985-12-18 | 1993-11-11 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung. |
JPS6435351A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Nikkiso Co Ltd | Method for diagnosing water quality analyzer for water quality control of thermal power plant |
US5166085A (en) * | 1987-09-09 | 1992-11-24 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film transistor |
US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
JPH01233423A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投写型表示装置用液晶パネル |
JPH01289915A (ja) | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
CA1313563C (en) * | 1988-10-26 | 1993-02-09 | Makoto Sasaki | Thin film transistor panel |
JPH02220032A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
JP3379956B2 (ja) | 1989-07-31 | 2003-02-24 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 強化した構造的剛性を有するディスク駆動機構 |
JPH03220526A (ja) | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Omron Corp | 液晶表示装置 |
JPH0437721A (ja) | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH0474714A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-10 | Seiko Epson Corp | Ti系超伝導材料 |
JP2782291B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1998-07-30 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶カラーパネル |
KR930003683B1 (ko) * | 1990-11-29 | 1993-05-08 | 주식회사 금성사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP2998255B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2000-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
JPH06110063A (ja) | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Seiko Instr Inc | カラー液晶光学装置およびその製造方法 |
JPH06186580A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
EP0603866B1 (en) * | 1992-12-25 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Active matrix substrate |
JPH06230422A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Fujitsu Ltd | 液晶パネル |
JP3210126B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5539545A (en) * | 1993-05-18 | 1996-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making LCD in which resin columns are cured and the liquid crystal is reoriented |
JPH0720475A (ja) | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス型強誘電性液晶表示素子 |
US6372534B1 (en) * | 1995-06-06 | 2002-04-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
JPH0980416A (ja) | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP3299869B2 (ja) * | 1995-09-27 | 2002-07-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
JPH0990337A (ja) | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | 透過型液晶表示装置 |
JPH09236826A (ja) | 1995-09-28 | 1997-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JP3272212B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2002-04-08 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH09113931A (ja) | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24951595A patent/JP3299869B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-27 US US08/697,277 patent/US6204907B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-05 KR KR1019960038339A patent/KR100319579B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-09 US US09/208,261 patent/US6441879B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-12 KR KR1020000006662A patent/KR100346872B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0237325A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
JPH0287118A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
JPH0442214A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-12 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPH04257826A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8704994B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-04-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100319579B1 (ko) | 2002-11-30 |
US6441879B2 (en) | 2002-08-27 |
US20010046024A1 (en) | 2001-11-29 |
US6204907B1 (en) | 2001-03-20 |
JPH0990373A (ja) | 1997-04-04 |
JP3299869B2 (ja) | 2002-07-08 |
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